JP2000183148A - 半導体ウエーハ支持トレー - Google Patents
半導体ウエーハ支持トレーInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 常圧気相成長法によって形成される薄膜にバ
ラツキが生ずることがなく、かつ、生産性を向上させる
ことができる半導体ウエーハ支持トレーを提供する。 【解決手段】 常圧気相成長法により半導体ウエーハに
酸化膜等の薄膜を形成する際に該半導体ウエーハを支持
するための半導体ウエーハ支持トレーであって、該トレ
ーは珪素からなる薄板材によって構成され、上面中央部
に半導体ウエーハを収容する収容凹部が形成されてい
る。
ラツキが生ずることがなく、かつ、生産性を向上させる
ことができる半導体ウエーハ支持トレーを提供する。 【解決手段】 常圧気相成長法により半導体ウエーハに
酸化膜等の薄膜を形成する際に該半導体ウエーハを支持
するための半導体ウエーハ支持トレーであって、該トレ
ーは珪素からなる薄板材によって構成され、上面中央部
に半導体ウエーハを収容する収容凹部が形成されてい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、常圧気相成長法に
より半導体ウエーハに酸化膜等の薄膜を形成する際に半
導体ウエーハを支持するための半導体ウエーハ支持トレ
ーに関する。
より半導体ウエーハに酸化膜等の薄膜を形成する際に半
導体ウエーハを支持するための半導体ウエーハ支持トレ
ーに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体を製造する過程において、半導体
ウエーハには酸化膜等の薄膜が形成される。この半導体
ウエーハに酸化膜を形成する方法の一つとして、気相成
長法（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition ）がある。
気相成長法（ＣＶＤ）は、気相中での熱分解あるいは化
学反応を利用してウエーハ上に薄膜を堆積する方法であ
り、熱合成に比べて低温で、組成の制御、高純度化が容
易であり、しかも一般に成膜速度が大きいので、酸化シ
リコン膜、窒化シリコン膜、多結晶シリコン膜など種々
の膜形成に用いられている。この気相成長法（ＣＶＤ）
には常圧方式（常圧ＣＶＤ）と減圧方式（減圧ＣＶＤ）
とがあり、常圧ＣＶＤは大気圧状態で処理するので装置
が比較的簡単であることから広く使用されている。常圧
ＣＶＤは、半導体ウエーハをトレー上に載置し、トレー
の下側から５００°Ｃ前後の温度に加熱するとともに、
半導体ウエーハ上に酸素ガスなどの反応ガスを流して、
ウエーハ上で化学反応をおこさせてウエーハ上に薄膜を
形成する。
ウエーハには酸化膜等の薄膜が形成される。この半導体
ウエーハに酸化膜を形成する方法の一つとして、気相成
長法（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition ）がある。
気相成長法（ＣＶＤ）は、気相中での熱分解あるいは化
学反応を利用してウエーハ上に薄膜を堆積する方法であ
り、熱合成に比べて低温で、組成の制御、高純度化が容
易であり、しかも一般に成膜速度が大きいので、酸化シ
リコン膜、窒化シリコン膜、多結晶シリコン膜など種々
の膜形成に用いられている。この気相成長法（ＣＶＤ）
には常圧方式（常圧ＣＶＤ）と減圧方式（減圧ＣＶＤ）
とがあり、常圧ＣＶＤは大気圧状態で処理するので装置
が比較的簡単であることから広く使用されている。常圧
ＣＶＤは、半導体ウエーハをトレー上に載置し、トレー
の下側から５００°Ｃ前後の温度に加熱するとともに、
半導体ウエーハ上に酸素ガスなどの反応ガスを流して、
ウエーハ上で化学反応をおこさせてウエーハ上に薄膜を
形成する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した常圧ＣＶＤに
おいて、半導体ウエーハを支持するトレーは従来炭化珪
素セラミックから構成されている。而して、半導体ウエ
ーハは純粋な珪素によって形成されており、半導体ウエ
ーハと炭化珪素セラミックによって構成されたトレーと
は熱伝導率が異なるために馴染みが必ずしも良好でな
く、形成される薄膜にバラツキが生ずるとともに、炭化
珪素セラミックは珪素より熱伝導率が低いので加熱に時
間を要し生産性を向上させることができないという問題
がある。
おいて、半導体ウエーハを支持するトレーは従来炭化珪
素セラミックから構成されている。而して、半導体ウエ
ーハは純粋な珪素によって形成されており、半導体ウエ
ーハと炭化珪素セラミックによって構成されたトレーと
は熱伝導率が異なるために馴染みが必ずしも良好でな
く、形成される薄膜にバラツキが生ずるとともに、炭化
珪素セラミックは珪素より熱伝導率が低いので加熱に時
間を要し生産性を向上させることができないという問題
がある。
【０００４】本発明は上記事実に鑑みてなされたもので
あり、その主たる技術課題は、常圧ＣＶＤによって形成
される薄膜にバラツキが生ずることがなく、かつ、生産
性を向上させることができる半導体ウエーハ支持トレー
を提供することにある。
あり、その主たる技術課題は、常圧ＣＶＤによって形成
される薄膜にバラツキが生ずることがなく、かつ、生産
性を向上させることができる半導体ウエーハ支持トレー
を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記主たる技術課題を解
決するため、本発明によれば、常圧気相成長法により半
導体ウエーハに酸化膜等の薄膜を形成する際に該半導体
ウエーハを支持するためのトレーであって、該トレーは
珪素からなる薄板材によって構成され、上面中央部に該
半導体ウエーハを収容する収容凹部が形成されている、
ことを特徴とする半導体ウエーハ支持トレーが提供され
る。
決するため、本発明によれば、常圧気相成長法により半
導体ウエーハに酸化膜等の薄膜を形成する際に該半導体
ウエーハを支持するためのトレーであって、該トレーは
珪素からなる薄板材によって構成され、上面中央部に該
半導体ウエーハを収容する収容凹部が形成されている、
ことを特徴とする半導体ウエーハ支持トレーが提供され
る。
【０００６】上記トレーの厚さは５ｍｍ〜７ｍｍであ
り、上記収容凹部の深さは０．５ｍｍ〜１ｍｍであるこ
とが望ましい。また、上記収容凹部の底壁には収容凹部
に収容された半導体ウエーハを押し上げる押し上げピン
が挿通する少なくとの３個のピン挿通孔が形成されてお
り、トレーの底面にはトレーを搬送するための送り爪が
爪係合凹部が形成されていることが望ましい。
り、上記収容凹部の深さは０．５ｍｍ〜１ｍｍであるこ
とが望ましい。また、上記収容凹部の底壁には収容凹部
に収容された半導体ウエーハを押し上げる押し上げピン
が挿通する少なくとの３個のピン挿通孔が形成されてお
り、トレーの底面にはトレーを搬送するための送り爪が
爪係合凹部が形成されていることが望ましい。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明に従って構成された
半導体ウエーハ支持トレーの好適な実施形態について、
添付図面を参照して詳細に説明する。
半導体ウエーハ支持トレーの好適な実施形態について、
添付図面を参照して詳細に説明する。
【０００８】図１には本発明に従って構成された半導体
ウエーハ支持トレーを用いた常圧ＣＶＤ薄膜形成装置の
一部を破断した概略構成正面図が示されている。図示の
常圧ＣＶＤ薄膜形成装置は、直方体状の加熱炉ハウジン
グ２を備えている。この加熱炉ハウジング２は、底壁２
１と、該底壁２１の両側に間隔をおいて配設された側壁
２２ａおよび２２ｂと、底壁２１の両端に配設された端
壁２３ａ、２３ｂとを具備している。側壁２２ａ、２２
ｂの上端部には、ローラコンベア３を構成するローラ支
持部材３１ａ、３１ｂがそれぞれ長手方向（図１におい
て左右方向）に装着されている。このローラ支持部材３
１ａ、３１ｂには、それぞれ複数個のローラ３２ａ、３
２ｂが回転可能に配設されている。加熱炉ハウジング２
内には、ランプヒータ等の加熱手段４が配設されてい
る。また、加熱炉ハウジング２の搬送方向上流側（図１
において左側）端部には、後述するウエーハ支持トレー
を搬送方向下流側（図１において右側）に向けて送るト
レー搬送手段５が配設されている。このトレー搬送手段
５は、図示の実施形態においては加熱炉ハウジング２の
幅方向中央部に配設された駆動スプロケット５１と、該
駆動スプロケット５１と図において左右方向に所定の間
隔をおいて配設された従動スプロケット５２と、駆動ス
プロケット５１と従動スプロケット５２とに捲回された
チェーン５３と、該チェーン５３に取り付けられた送り
爪５４とから構成されており、駆動スプロケット５１が
図示しない回転駆動機構によって矢印で示す方向に回転
駆動せしめられる。一方、加熱炉ハウジング２の搬送方
向下流側（図１において右側）端部には、後述するウエ
ーハ支持トレー上に載置され薄膜形成された半導体ウエ
ーハを上方に押し上げるためのウエーハ押上手段６が配
設されている。ウエーハ押上手段６は、図示の実施形態
においては３本の押上ピン６１（図１には２本のみが示
されている）を備えている。この３本の押上ピン６１
は、その下端が図示しない駆動機構に連結された作動部
材６２に取り付けられている。このように構成されたウ
エーハ押上手段６は、図示しない駆動機構によって上下
方向に作動せしめられる。
ウエーハ支持トレーを用いた常圧ＣＶＤ薄膜形成装置の
一部を破断した概略構成正面図が示されている。図示の
常圧ＣＶＤ薄膜形成装置は、直方体状の加熱炉ハウジン
グ２を備えている。この加熱炉ハウジング２は、底壁２
１と、該底壁２１の両側に間隔をおいて配設された側壁
２２ａおよび２２ｂと、底壁２１の両端に配設された端
壁２３ａ、２３ｂとを具備している。側壁２２ａ、２２
ｂの上端部には、ローラコンベア３を構成するローラ支
持部材３１ａ、３１ｂがそれぞれ長手方向（図１におい
て左右方向）に装着されている。このローラ支持部材３
１ａ、３１ｂには、それぞれ複数個のローラ３２ａ、３
２ｂが回転可能に配設されている。加熱炉ハウジング２
内には、ランプヒータ等の加熱手段４が配設されてい
る。また、加熱炉ハウジング２の搬送方向上流側（図１
において左側）端部には、後述するウエーハ支持トレー
を搬送方向下流側（図１において右側）に向けて送るト
レー搬送手段５が配設されている。このトレー搬送手段
５は、図示の実施形態においては加熱炉ハウジング２の
幅方向中央部に配設された駆動スプロケット５１と、該
駆動スプロケット５１と図において左右方向に所定の間
隔をおいて配設された従動スプロケット５２と、駆動ス
プロケット５１と従動スプロケット５２とに捲回された
チェーン５３と、該チェーン５３に取り付けられた送り
爪５４とから構成されており、駆動スプロケット５１が
図示しない回転駆動機構によって矢印で示す方向に回転
駆動せしめられる。一方、加熱炉ハウジング２の搬送方
向下流側（図１において右側）端部には、後述するウエ
ーハ支持トレー上に載置され薄膜形成された半導体ウエ
ーハを上方に押し上げるためのウエーハ押上手段６が配
設されている。ウエーハ押上手段６は、図示の実施形態
においては３本の押上ピン６１（図１には２本のみが示
されている）を備えている。この３本の押上ピン６１
は、その下端が図示しない駆動機構に連結された作動部
材６２に取り付けられている。このように構成されたウ
エーハ押上手段６は、図示しない駆動機構によって上下
方向に作動せしめられる。
【０００９】上記加熱炉ハウジング２の中央部上方に
は、薄膜材料を構成する元素からなる１種または数種の
化合物ガスを供給するためのガス供給手段７が配設され
ている。図示の実施形態におけるガス供給手段７は、供
給管７１と、該供給管７１の下端に取り付けられたイン
ジェクタ７２と、供給管７１の両側に配設された排気管
７３とを具備している。このように構成されたガス供給
手段７は、供給管７１に導入されたガスをインジェクタ
７２から上記加熱炉ハウジング２上を搬送される後述す
るウエーハ支持トレー上に載置された半導体ウエーハに
噴射する。
は、薄膜材料を構成する元素からなる１種または数種の
化合物ガスを供給するためのガス供給手段７が配設され
ている。図示の実施形態におけるガス供給手段７は、供
給管７１と、該供給管７１の下端に取り付けられたイン
ジェクタ７２と、供給管７１の両側に配設された排気管
７３とを具備している。このように構成されたガス供給
手段７は、供給管７１に導入されたガスをインジェクタ
７２から上記加熱炉ハウジング２上を搬送される後述す
るウエーハ支持トレー上に載置された半導体ウエーハに
噴射する。
【００１０】図示の常圧ＣＶＤ薄膜形成装置は、半導体
ウエーハ８を支持するためのウエーハ支持トレー１０を
備えている。ウエーハ支持トレー１０について、図２お
よび図３を参照して説明する。ウエーハ支持トレー１０
は、半導体ウエーハ８の素材と同じ材料である珪素から
なる薄板材によって構成され、上面中央部に半導体ウエ
ーハ８を収容する円形の収容凹部１０１が形成されてい
る。このウエーハ支持トレー１０の収容凹部１０１の底
壁１０２には、該収容凹部１０１に収容された半導体ウ
エーハ８を押し上げるための上記押上ピン６１が挿通す
る３個のピン挿通孔１０３が形成されている。なお、ピ
ン挿通孔１０３は、図示の実施形態においては３個設け
たものを示したが、少なくとも３個あればよく、３個以
上設けた場合には上記押上ピン６１も対応した数にす
る。また、ウエーハ支持トレー１０の底面には、幅方向
中央部に上記送り爪５４が爪係合凹部１０４が形成され
ている。以上のように構成されたウエーハ支持トレー１
０の厚さは、剛性強度と熱伝導とを考慮すると５ｍｍ〜
７ｍｍであることが望ましい。また、ウエーハ支持トレ
ー１０に形成された収容凹部の深さは、半導体ウエーハ
の厚さ（１ｍｍ〜１．２ｍｍ）を考慮すると、０．５ｍ
ｍ〜１ｍｍに形成することが望ましい。
ウエーハ８を支持するためのウエーハ支持トレー１０を
備えている。ウエーハ支持トレー１０について、図２お
よび図３を参照して説明する。ウエーハ支持トレー１０
は、半導体ウエーハ８の素材と同じ材料である珪素から
なる薄板材によって構成され、上面中央部に半導体ウエ
ーハ８を収容する円形の収容凹部１０１が形成されてい
る。このウエーハ支持トレー１０の収容凹部１０１の底
壁１０２には、該収容凹部１０１に収容された半導体ウ
エーハ８を押し上げるための上記押上ピン６１が挿通す
る３個のピン挿通孔１０３が形成されている。なお、ピ
ン挿通孔１０３は、図示の実施形態においては３個設け
たものを示したが、少なくとも３個あればよく、３個以
上設けた場合には上記押上ピン６１も対応した数にす
る。また、ウエーハ支持トレー１０の底面には、幅方向
中央部に上記送り爪５４が爪係合凹部１０４が形成され
ている。以上のように構成されたウエーハ支持トレー１
０の厚さは、剛性強度と熱伝導とを考慮すると５ｍｍ〜
７ｍｍであることが望ましい。また、ウエーハ支持トレ
ー１０に形成された収容凹部の深さは、半導体ウエーハ
の厚さ（１ｍｍ〜１．２ｍｍ）を考慮すると、０．５ｍ
ｍ〜１ｍｍに形成することが望ましい。
【００１１】図示の実施形態におけるＣＶＤ薄膜形成装
置は以上のように構成されており、以下その作用につい
て説明する。収容凹部１０１に半導体ウエーハ８を載置
したウエーハ支持トレー１０は、図１に示すＣＶＤ薄膜
形成装置における加熱炉ハウジング２の図において左端
部から供給される。即ち、半導体ウエーハ８を載置した
ウエーハ支持トレー１０は、図示しないトレー供給手段
によって、加熱炉ハウジング２の上端に設けられたロー
ラコンベア３上に載置される。ＣＶＤ薄膜形成装置の左
端部においてローラコンベア３上に載置されたウエーハ
支持トレー１０は、上記トレー搬送手段５が駆動され各
部材が矢印で示す方向に作動されると、チェーン５３に
取り付けられた送り爪５４が底面に形成された爪係合凹
部１０４に係合して図において右方に移動せしめられ
る。そして、ウエーハ支持トレー１０が図において右方
に略移動方向長さ分のストロークだけ移動すると、送り
爪５４が爪係合凹部１０４か外れてウエーハ支持トレー
１０の移動が停止される。このようにして、加熱炉ハウ
ジング２の図において左端部に供給されたウエーハ支持
トレー１０が図において右方に移動せしめられることに
より、加熱炉ハウジング２の図において左端部は空けら
れ、この空けられた左端部に再び図示しないトレー供給
手段によって半導体ウエーハ８を載置したウエーハ支持
トレー１０が供給される。そして、トレー搬送手段５が
作動されることにより、上述したようにウエーハ支持ト
レー１０は前のウエーハ支持トレー１０を押しつつ図に
おいて右方に移動せしめられる。この作用を繰り返すこ
とにより、半導体ウエーハ８を載置した多数のウエーハ
支持トレー１０が加熱炉ハウジング２に設けられたロー
ラコンベア３上を、間欠的に左端部から右方に向けて移
動せしめられる。
置は以上のように構成されており、以下その作用につい
て説明する。収容凹部１０１に半導体ウエーハ８を載置
したウエーハ支持トレー１０は、図１に示すＣＶＤ薄膜
形成装置における加熱炉ハウジング２の図において左端
部から供給される。即ち、半導体ウエーハ８を載置した
ウエーハ支持トレー１０は、図示しないトレー供給手段
によって、加熱炉ハウジング２の上端に設けられたロー
ラコンベア３上に載置される。ＣＶＤ薄膜形成装置の左
端部においてローラコンベア３上に載置されたウエーハ
支持トレー１０は、上記トレー搬送手段５が駆動され各
部材が矢印で示す方向に作動されると、チェーン５３に
取り付けられた送り爪５４が底面に形成された爪係合凹
部１０４に係合して図において右方に移動せしめられ
る。そして、ウエーハ支持トレー１０が図において右方
に略移動方向長さ分のストロークだけ移動すると、送り
爪５４が爪係合凹部１０４か外れてウエーハ支持トレー
１０の移動が停止される。このようにして、加熱炉ハウ
ジング２の図において左端部に供給されたウエーハ支持
トレー１０が図において右方に移動せしめられることに
より、加熱炉ハウジング２の図において左端部は空けら
れ、この空けられた左端部に再び図示しないトレー供給
手段によって半導体ウエーハ８を載置したウエーハ支持
トレー１０が供給される。そして、トレー搬送手段５が
作動されることにより、上述したようにウエーハ支持ト
レー１０は前のウエーハ支持トレー１０を押しつつ図に
おいて右方に移動せしめられる。この作用を繰り返すこ
とにより、半導体ウエーハ８を載置した多数のウエーハ
支持トレー１０が加熱炉ハウジング２に設けられたロー
ラコンベア３上を、間欠的に左端部から右方に向けて移
動せしめられる。
【００１２】以上のようにして、半導体ウエーハ８を載
置した多数のウエーハ支持トレー１０が加熱炉ハウジン
グ２に設けられたローラコンベア３上を右方に向けて移
動している間に、加熱手段４によって加熱されるととも
に、加熱炉ハウジング２の中央部上方に配設されたガス
供給手段７によってウエーハ支持トレー１０上に載置さ
れた半導体ウエーハ８に所定のガスが噴射され化学反応
により半導体ウエーハ８に薄膜が形成される。この薄膜
形成過程において、ウエーハ支持トレー１０上に載置さ
れた半導体ウエーハ８は加熱手段４によって加熱される
が、ウエーハ支持トレー１０は半導体ウエーハ８の素材
と同じ材料である珪素からなる薄板材によって構成され
ているので、両者の熱伝導率が同一であるため馴染みが
良好で、形成される薄膜にバラツキが生ずることがな
い。このようにして薄膜が形成された半導体ウエーハ８
を載置したウエーハ支持トレー１０は更に右方に移動さ
れ、加熱炉ハウジング２の右端部にウエーハ支持トレー
１０が達すると、ウエーハ押上手段６が作動して押上ピ
ン６１が上方に作動せしめられ、ウエーハ支持トレー１
０に形成されたピン挿通孔１０３を挿通してウエーハ支
持トレー１０上に載置された半導体ウエーハ８を上方に
押し上げる。このようにして上方に押し上げられた半導
体ウエーハ８は、図示しないウエーハ受けに保持されて
次工程に搬送される。一方、半導体ウエーハ８が除去さ
れたウエーハ支持トレー１０は、図示しない回収手段に
よって回収される。
置した多数のウエーハ支持トレー１０が加熱炉ハウジン
グ２に設けられたローラコンベア３上を右方に向けて移
動している間に、加熱手段４によって加熱されるととも
に、加熱炉ハウジング２の中央部上方に配設されたガス
供給手段７によってウエーハ支持トレー１０上に載置さ
れた半導体ウエーハ８に所定のガスが噴射され化学反応
により半導体ウエーハ８に薄膜が形成される。この薄膜
形成過程において、ウエーハ支持トレー１０上に載置さ
れた半導体ウエーハ８は加熱手段４によって加熱される
が、ウエーハ支持トレー１０は半導体ウエーハ８の素材
と同じ材料である珪素からなる薄板材によって構成され
ているので、両者の熱伝導率が同一であるため馴染みが
良好で、形成される薄膜にバラツキが生ずることがな
い。このようにして薄膜が形成された半導体ウエーハ８
を載置したウエーハ支持トレー１０は更に右方に移動さ
れ、加熱炉ハウジング２の右端部にウエーハ支持トレー
１０が達すると、ウエーハ押上手段６が作動して押上ピ
ン６１が上方に作動せしめられ、ウエーハ支持トレー１
０に形成されたピン挿通孔１０３を挿通してウエーハ支
持トレー１０上に載置された半導体ウエーハ８を上方に
押し上げる。このようにして上方に押し上げられた半導
体ウエーハ８は、図示しないウエーハ受けに保持されて
次工程に搬送される。一方、半導体ウエーハ８が除去さ
れたウエーハ支持トレー１０は、図示しない回収手段に
よって回収される。
【００１３】
【発明の効果】本発明による半導体ウエーハ支持トレー
は以上のように構成されているので、次の作用効果を奏
する。
は以上のように構成されているので、次の作用効果を奏
する。
【００１４】即ち、本発明によれば、トレーは半導体ウ
エーハの素材と同じ材料である珪素によって構成されて
いるので、両者の熱伝導率が同一であるため馴染みが良
好で、形成される薄膜にバラツキが生ずることがない。
また、珪素は従来用いられている炭化珪素セラミックに
比して熱伝導率が高いので加熱時間が短縮され生産性を
向上させることができる。
エーハの素材と同じ材料である珪素によって構成されて
いるので、両者の熱伝導率が同一であるため馴染みが良
好で、形成される薄膜にバラツキが生ずることがない。
また、珪素は従来用いられている炭化珪素セラミックに
比して熱伝導率が高いので加熱時間が短縮され生産性を
向上させることができる。
【図１】本発明に従って構成された半導体ウエーハ支持
トレーを用いた常圧ＣＶＤ薄膜形成装置の一部を破断し
た概略構成正面図。
トレーを用いた常圧ＣＶＤ薄膜形成装置の一部を破断し
た概略構成正面図。
【図２】本発明に従って構成された半導体ウエーハ支持
トレーの斜視図。
トレーの斜視図。
【図３】図２におけるＡ−Ａ線断面図。
２：加熱炉ハウジング ２１：加熱炉ハウジングの底壁 ２２ａ、２２ｂ：加熱炉ハウジングの側壁 ２３ａ、２３ｂ：加熱炉ハウジングの端壁 ３：ローラコンベア ３１ａ、３１ｂ：ローラ支持部材 ３２ａ、３２ｂ：ローラ ４：加熱手段 ５：トレー搬送手段 ５１：駆動スプロケット ５２：従動スプロケット ５３：チェーン ５４：送り爪 ６：ウエーハ押上手段 ６１：押上ピン ６２：作動部材 ７：ガス供給手段 ７１：供給管 ７２：インジェクタ ７３：排気管 ８：半導体ウエーハ １０：ウエーハ支持トレー １０１：収容凹部 １０２：底壁 １０３：ピン挿通孔 １０４：爪係合凹部
Claims (4)
- 【請求項１】 常圧気相成長法により半導体ウエーハに
酸化膜等の薄膜を形成する際に該半導体ウエーハを支持
するためのトレーであって、 該トレーは珪素からなる薄板材によって構成され、上面
中央部に該半導体ウエーハを収容する収容凹部が形成さ
れている、 ことを特徴とする半導体ウエーハ支持トレー。 - 【請求項２】 該トレーの厚さは５ｍｍ〜７ｍｍであ
り、該収容凹部の深さは０．５ｍｍ〜１ｍｍである、請
求項１記載の半導体ウエーハ支持トレー。 - 【請求項３】 該収容凹部の底壁には、該収容凹部に収
容された該半導体ウエーハを押し上げる押し上げピンが
挿通する少なくとの３個のピン挿通孔が形成されてい
る、請求項１記載の半導体ウエーハ支持トレー。 - 【請求項４】 該トレーの底面には、該トレーを搬送す
るための送り爪が爪係合凹部が形成されている、請求項
１記載の半導体ウエーハ支持トレー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35169598A JP2000183148A (ja) | 1998-12-10 | 1998-12-10 | 半導体ウエーハ支持トレー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35169598A JP2000183148A (ja) | 1998-12-10 | 1998-12-10 | 半導体ウエーハ支持トレー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000183148A true JP2000183148A (ja) | 2000-06-30 |
Family
ID=18419004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35169598A Withdrawn JP2000183148A (ja) | 1998-12-10 | 1998-12-10 | 半導体ウエーハ支持トレー |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000183148A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008153316A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd | 個片搬送装置 |
-
1998
- 1998-12-10 JP JP35169598A patent/JP2000183148A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008153316A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd | 個片搬送装置 |
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