CN113737154A - 一种外延设备的生长腔室 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种外延设备的生长腔室，用于外延生长，包括：腔室本体，呈水平设置的圆柱状；承托组件，用于承托并驱动衬底旋转使衬底进行外延生长；所述腔室本体内设有两个以上的反应腔，两个以上的反应腔为竖向排列，每个所述反应腔内均设有所述承托组件；该外延设备的生长腔室为外延设备中的高温反应装置，其内设有两个以上的反应腔，而每个反应腔中均设置有用于承托衬底的承托组件，使得本申请实施例的生长腔室能在同一个腔室本体中提供两个以上的反应空间，在对应的反应腔内置入衬底便能同时进行多个外延片的外延生长工艺，在保证外延厚度、掺杂均匀性的前提下，显著地提高了外延设备的产能，并有效地降低设备成本。

Description

一种外延设备的生长腔室

技术领域

本申请涉及外延生长技术领域，具体而言，涉及一种外延设备的生长腔室。

背景技术

碳化硅（SiC）外延生长的方法包括化学气相淀积(CVD)、液相外延(LPE)、分子束外延(MBE)、等离子化学气相淀积(ECR-MPCVD)等多种方法，其中 CVD技术是目前碳化硅外延生长的主要方法。

现有的卧式CVD外延设备中，利用一个水平设置的生长腔室，然后通过水平导入反应气体，使反应气体在高温的生长腔室内沉积在衬底中进行碳化硅外延生长。

生长腔室为碳化硅外延生长的反应空间，同时也是碳化硅外延生长设备的高温加热器，为碳化硅外延生长提供了高温、均匀稳定的温场，因此生长腔室是外延设备中的核心部件。

现有的卧式CVD外延设备的生长腔室只能形成一个扁腔区域作为外延生长反应空间，每次只有一片衬底进行外延生长，而外延设备的组成部件均价格昂贵，单片式设备虽然外延厚度、掺杂均匀性好，相对地，存在产能不足、设备相对成本高的缺点。

针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种外延设备的生长腔室，提高设备产能，降低设备相对成本。

本申请实施例提供了一种外延设备的生长腔室，用于外延生长，包括：

腔室本体；

承托组件，用于承托并驱动衬底旋转使衬底进行外延生长；

所述腔室本体呈水平设置的圆柱状，所述腔室本体内设有两个以上的反应腔，两个以上的反应腔为竖向排列，每个所述反应腔内均设有所述承托组件。

所述的一种外延设备的生长腔室，其中，所述腔室本体包括：

保温层，用于对反应腔进行保温；

内部加热器，设于保温层内，用于在外部感应线圈的通电下感应加热；

进气法兰，设于内部加热器一侧，用于对反应腔输入反应气体；

出气法兰，设于内部加热器另一侧，用于协助反应腔排气；

两个以上的反应腔设于所述内部加热器内，所述内部加热器内设有朝承托组件提供旋转动力气体的气旋进气管道。

所述的一种外延设备的生长腔室，其中，所述反应腔设有两个，所述内部加热器包括由上至下依次设置的上加热器、中加热器和下加热器，两个所述反应腔分别设于所述上加热器与所述中加热器之间和所述中加热器与所述下加热器之间。

所述的一种外延设备的生长腔室，其中，所述上加热器和下加热器大小一致且为对称设置，所述中加热器顶部和底部分别与上加热器底面和下加热器顶面连接。

所述的一种外延设备的生长腔室，其中，所述上加热器和下加热器为中空设计。

所述的一种外延设备的生长腔室，其中，所述上加热器和/或下加热器内设有测温孔。

所述的一种外延设备的生长腔室，其中，所述气旋进气管道包括分别设于下加热器内和中加热器内的第一气旋管道和第二气旋管道。

所述的一种外延设备的生长腔室，其中，所述中加热器截面呈H字状，所述第二气旋管道包括第二主气管和第二分气管，所述第二主气管设于中加热器内部一侧，所述第二分气管两端分别连通于第二主气管和位于其上方邻近的反应腔的底部。

所述的一种外延设备的生长腔室，其中，所述进气法兰上设有工艺进气嘴，所述工艺进气嘴与反应腔数量一致，且分别用于朝对应的反应腔输送反应气体。

所述的一种外延设备的生长腔室，其中，两个以上的所述反应腔内的承托组件为正对分布或错位分布。

由上可知，本申请实施例提供了一种外延设备的生长腔室，该生长腔室为外延设备中的高温反应装置，其内设有两个以上的反应腔，而每个反应腔中均设置有用于承托衬底的承托组件，使得本申请实施例的生长腔室能在同一个腔室本体中提供两个以上的反应空间，在对应的反应腔内置入衬底便能同时进行多个外延片的外延生长工艺，在保证外延厚度、掺杂均匀性的前提下，显著地提高了外延设备的产能，并有效地降低设备成本。

附图说明

图1为本申请实施例提供的一种外延设备的生长腔室设有两个反应腔时的侧向剖视结构示意图。

图2为本申请实施例提供的一种外延设备的生长腔室设有两个反应腔时且去除进气法兰和出气法兰的正视结构示意图。

图3为中加热器安装有气浮基座时的俯视结构示意图。

图4为本申请实施例提供的一种外延设备的生长腔室设有三个反应腔时且去除进气法兰和出气法兰的正视结构示意图。

附图标记：1、承托组件；2、反应腔；3、保温层；4、内部加热器；5、进气法兰；6、出气法兰；7、气旋进气管；11、气浮基座；12、衬底托盘；21、安装槽；41、上加热器；42、中加热器；43、下加热器；44、测温孔；45、第一支撑条；46、第二支撑条；51、工艺进气嘴；71、第一气旋管道；72、第二气旋管道；111、出气孔；721、第二主气管；722、第二分气管。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。

请参照图1-4，图1-4是本申请一些实施例中的一种外延设备的生长腔室，用于外延生长，包括：

腔室本体；

承托组件1，用于承托并驱动衬底旋转使衬底进行外延生长；

腔室本体呈水平设置的圆柱状，腔室本体内设有两个以上的反应腔2，两个以上的反应腔2为竖向排列，每个反应腔2内均设有承托组件1。

本申请实施例的一种外延设备的生长腔室，是外延设备中的高温反应装置，用于产生稳定高温，使通入的反应气体在置于反应腔2内的衬底上进行化学气相沉积生产需求的外延片，该生长腔室尤其适用于碳化硅外延生长。

具体地，外延装备对应设有位于生长腔室外部的感应线圈，该感应线圈为螺旋状设计，其通电后使得腔室本体感应加热而使得反应腔2内温度迅速上升至外延生长所需的反应温度。

具体地，两个以上的反应腔2为竖向排列，表明相邻的反应腔2为上下设置；由于腔室本体呈水平设置的圆柱状，反应气体从圆柱状腔室本体一端进入反应，反应后的废气则从圆柱状腔室本体另一端排放，反应腔2优选为水平且平行设置的扁平腔。

更具体地，反应腔2的截面为矩形，矩形截面的反应腔2确保了反应气体流动的稳定性，使反应气体能平稳地从反应腔2一端流动至反应腔2另一端，从而保证反应气体在高温下能顺利反应并均匀沉积在由承托组件1承托的衬底上而形成需求的外延片。

更具体地，由于气体反应主要沉积在外延片上，而外延片最终生长厚度远小于反应腔2高度，因此将反应腔2设置为扁平腔可在确保气体流速不变的情况下减少流量输入从而节省反应气体成本。

本申请实施例的一种外延设备的生长腔室中的腔室本体为水平设置的圆柱状结构，其内设有两个以上的竖向分布的反应腔2，且每个反应腔2中均设置有用于承托衬底的承托组件1，使得本申请实施例的生长腔室能在同一个腔室本体中提供两个以上的反应空间，即启用外延设备后，在对应的反应腔2内置入衬底便能同时进行多个外延片的外延生长工艺，显著地提高了外延设备的产能，并有效地降低设备成本。

在别的实施例中，腔室本体还可以是长方体状、椭圆柱状、六棱柱状等中的一种，在本实施例中，优选为圆柱状，可保证反应腔2内加热更均匀。

在一些优选的实施方式中，腔室本体包括：

保温层3，用于对反应腔2进行保温；

内部加热器4，设于保温层3内，用于在外部感应线圈的通电下感应加热；

进气法兰5，设于内部加热器4一侧，用于对反应腔2输入反应气体；

出气法兰6，设于内部加热器4另一侧，用于协助反应腔2排气；

两个以上的反应腔2设于内部加热器4内，内部加热器4内设有朝承托组件1提供旋转动力气体的气旋进气管道7。

具体地，外部感应线圈（图中未画出）为外延设备中电加热元件，呈螺旋状布置在保温层3外，内部加热器4为石墨层，当外延设备启动加热后，外部感应线圈通电使得作为导体的石墨层感应加热进而使反应腔2内迅速升温；在反应腔2加热到预设温度（系统设定的反应温度）后，外延设备通过其供气组件产生提前混合的反应气体，并通过进气法兰5保持一定的流速平稳地将反应气体分别送入两个以上的反应腔2内，使得反应气体在高温下反应并沉积在承托组件1承托的衬底上进行外延生长，反应后的废气从出气法兰6排出至外延设备的尾气处理装置进行尾气处理。

更具体地，两个以上的反应腔2均设置在内部加热器4内，并由内部加热器4包裹隔开，使得每个反应腔2中的化学气相沉积均独立进行，避免反应气体相互干扰，且本申请实施例的一种外延设备的生长腔室共用一套内部加热器4对每个反应腔2同时进行加热，结合内部加热器4自身的高热导率，使得每个反应腔2内加热情况相近，提高每个外延片的生长质量一致性，还有利于反应腔2内温度的测取，如测取一反应腔2进气端温度即可获得所有反应腔2进气端的温度。

具体地，外延生长过程中，为确保外延生长的均匀性，一般需要驱动衬底旋转，使其表面周向循环地与反应腔2内进气端反应气体接触，确保其外延生长均有周向均匀的特点；而衬底的旋转功能需依赖承托组件1驱动能力实现，可采用气旋或减速器驱动等方式实现；本申请实施例的一种外延设备的生长腔室，优选采用气旋方式实现衬底旋转，因此，内部加热器4内设有朝承托组件1提供旋转动力气体的气旋进气管道7。

更具体地，提供旋转动力的气体穿过气旋进气管道7时，与内部加热器4充分接触而迅速温升至反应腔2内一致的温度，使该气体进入承托组件1作为旋转动力释放至反应腔2内时不会造成反应腔2内降温，确保外延生长能顺利进行。

在一些优选的实施方式中，保温层3为石英层，能有效防止内部加热器4产生的热量朝外释放，从而减少能源损失，并确保反应腔2内温度保持在合适高温。

在一些优选的实施方式中，保温层3为一体式圆环形柱状保温罩，或为两个半环形柱状的保温罩拼合而成，在本实施例中，优选为两个半环形柱状的保温罩拼合而成；采用两个半环形柱状的保温罩构成保温层3能降低保温层3的制造难度，也降低了本申请实施例的一种外延设备的生长腔室的组装难度，如先将承托组件1安装在内部加热器4内，再将两个保温罩分别对位设于内部加热器4外表面上并固定，再安装设于内部加热器4前后端的进气法兰5和出气法兰6。

在一些优选的实施方式中，如图2所示，保温层3为两层，且均为两个半环形柱状的保温罩拼合而成，可有效提高本申请实施例的一种外延设备的生长腔室的保温能力；另外，同一保温层3中的两个保温罩之间具有接触端面，两个保温层3的接触端面为错位设计，错位设计的接触端面能防止热量从接触端面中散失，进而提高保温层3的保温能力。

在一些优选的实施方式中，如图1和2所示，反应腔2设有两个，内部加热器4包括由上至下依次设置的上加热器41、中加热器42和下加热器43，两个反应腔2分别设于上加热器41与中加热器42之间和中加热器42与下加热器43之间。

具体地，内部加热器4采用包括上加热器41、中加热器42和下加热器43的分体式设计，使得三者组合下即可直接获得两个反应腔2，降低反应腔2的加工难度。

更具体地，上加热器41和中加热器42之间设有位于反应腔2内的第一支撑条45，第一支撑条45用于加固连接上加热器41和中加热器42，确保两者热量能顺利导通，从而使得反应腔2内温度更均匀。

更具体地，中加热器42和下加热器43之间设有位于反应腔2内的第二支撑条46，第二支撑条46用于加固连接中加热器42和下加热器43，确保两者热量能顺利导通，从而使得反应腔2内温度更均匀。

在别的实施例中，反应腔2设有三个以上，内部加热器4包括由上至下依次设置的上加热器41、中加热器42和下加热器43，其中，上加热器41与中加热器42之间和中加热器42与下加热器43之间各设有一个反应腔2，余下的反应腔2设于中加热器42内部；更进一步地，如图4所示，反应腔2设有三个，则有一个反应腔2设于中加热器42内部。

在一些优选的实施方式中，上加热器41和下加热器43大小一致且为对称设置，中加热器42顶部和底部分别与上加热器41底面和下加热器43顶面连接。

具体地，由于反应腔2设有两个，上加热器41和下加热器43大小一致且为对称设置，使得两个反应腔2位于圆柱状的腔室本体内的位置对称，结合对称设置的上加热器41和下加热器43，可进一步保证两个反应腔2内的加热温度一致，便于两个反应腔2内温度的同步控制，使得两个反应腔2内衬底能在同一温度下进行外延生长，即同步了两个反应腔2的外延厚度、掺杂均匀性。

在一些优选的实施方式中，上加热器41和下加热器43为中空设计。

具体地，中空设计的上加热器41和下加热器43可减少内部加热器4的整体重量，进而减少材料成本，并使得感应加热更集中，确保两者与反应腔2接触的平面端能更均匀地对反应腔2内气体传热加热。

在一些优选的实施方式中，上加热器41和/或下加热器43内设有测温孔44。

具体地，在外延设备使用时，在测温孔44内置入温度探针便能实时测取内部加热器4的温度进而获取反应腔2内温度，利于外延生长工况控制及调节。

在一些优选的实施方式中，测温孔44为两个，分别用于置入温度探针以测取内部加热器4靠近进气端和靠近排气端一侧的温度。

具体地，在不引入反应气体的情况下，反应腔2内温度较为平衡，通过一个测温孔44测温即可获取内部加热器4整体的温度情况；而在引入反应气体时，反应气体会吸收或释放热量进行反应，会导致反应腔2内进气端温度和出气端温度具有一定差异，因此，需设置两个测温孔44以便获取内部加热器4靠近进气端和靠近排气端的温度情况，以供外延设备综合考量而设定加热温度。

具体地，由于上加热器41和下加热器43大小一致且为对称设置，并通过中加热器42连接，因此，两个反应腔2的温度分布情况一致，上加热器41和下加热器43的温度分布情况也一致，因此，两个测温孔44可分别设于上加热器41和下加热器43上，也可同时设于上加热器41上或下加热器43上。

由于承托组件1采用气旋驱动方式驱动衬底旋转，因此，需要在内部加热器4中设置相应的气路引入气旋气体，因此，在一些优选的实施方式中，气旋进气管道7包括分别设于下加热器43内和中加热器42内的第一气旋管道71和第二气旋管道72，第一气旋管道71和第二气旋管道72分别用于输送气旋气体供给两个反应腔2中承托组件1旋转衬底。

在一些优选的实施方式中，中加热器42截面呈H字状，如图3所示，第二气旋管道72包括第二主气管721和第二分气管722，第二主气管721设于中加热器42内部一侧，第二分气管722两端分别连通于第二主气管721和位于其上方邻近的反应腔2的底部。

具体地，中加热器42截面呈H字状的对称设计，顶部和底部分别连接于对称设置的上加热器41和下加热器43，使得腔室本体内两个反应腔2沿腔室本体轴心所在水平面对称设置，从而确保两个反应腔2加热温度一致，为两个反应腔2同步进行优质外延生长提高温度保障。

具体地，第一气旋管道71位于下加热器43中空部分中，利用下加热器43中空部分内高温对其内气旋气体进行预热而不影响反应腔2内温度；而第二气旋管道72的第二主气管721设于中加热器42内部一侧，利用截面H字状的中加热器42侧部对第二主气管721内气旋气体进行预热，再通过第二分气管722将预热后的气旋气体输送供给承托组件1，避免气旋气体预热过程影响中加热器42中部温度而影响反应腔2内温度。

在一些优选的实施方式中，第二主气管721和第二分气管722均为水平设计，第二主气管721和第二分气管722相互垂直，确保气旋气体能在中加热器42中充分预热。

在一些优选的实施方式中，第二分气管722为两条且连通于同一个第二主气管721，从而能产生两个气旋气体源以确保承托组件1能产生均匀的气旋动力使衬底旋转。

在一些优选的实施方式中，进气法兰5上设有工艺进气嘴51，工艺进气嘴51与反应腔2数量一致，且分别用于朝对应的反应腔2输送反应气体。

具体地，工艺进气嘴51连通于外延设备中同一套供气组件；供气组件生成反应需求的各种气体并混合成均匀的反应气体后，等分流速后输送至所有工艺进气嘴51中，并通过工艺进气嘴51送入至反应腔2内。

更具体地，进气法兰5上设置独立的工艺进气嘴51连接对应的反应腔2，简化了本申请实施例的一种外延设备的生长腔室的安装结构，在内部加热器4的前端安装进气法兰5后，在进气法兰5上对应位置设置工艺进气嘴51并利用工艺进气嘴51连接供气组件即可完成反应腔2气路安装。

在一些优选的实施方式中，两个以上的反应腔2内的承托组件1为正对分布或错位分布。

具体地，承托组件1的分布位置按照反应腔2内温度分布情况进行设计：当反应腔2设有两个时，两个反应腔2内温度分布情况对应，因此将两个承托组件1设为对位分布设置，即两者的气旋轴心位于同一竖线上，使得两个反应腔2内衬底能绕同一竖线旋转，确保两反应腔2内衬底外延生长情况一致，利于外延设备的规划控制，并提高外延片生长质量的一致性；当反应腔2设有三个以上时，除去顶端和底端的反应腔2外，其余反应腔2温度分布情况具有一定差异性，因此，需通过测温仪器测取运行工况下对应反应腔2内温度情况再适性设计承托组件1的安装位置，使得不同反应腔2内承托组件1为错位设计，以提高外延片生长质量的一致性。

在一些优选的实施方式中，承托组件1包括：

气浮基座11；

衬底托盘12，转动安装在气浮基座11上，用于承托衬底；

反应腔2内设有安装槽21，气浮基座11安装在安装槽21内，气浮基座11设有连通气旋进气管道7的出气孔111，衬底托盘12通过转轴与气浮基座11间隙连接。

具体地，腔室本体依赖外部的供气组件朝气旋进气管道7通入氢气，氢气从气浮基座11中出气孔111送出从而使得衬底托盘12气浮旋转，进而带动衬底在反应腔2内旋转，使得外延生长更均匀。

具体地，衬底托盘12底面设有若干圆周阵列的排气槽，使得氢气从出气口放出后沿排气槽流动进而托起衬底托盘12并驱动衬底托盘12旋转。

综上，本申请实施例提供了一种外延设备的生长腔室，该生长腔室为外延设备中的高温反应装置，其内设有两个以上的反应腔2，而每个反应腔2中均设置有用于承托衬底的承托组件1，使得本申请实施例的生长腔室能在同一个腔室本体中提供两个以上的反应空间，在对应的反应腔2内置入衬底便能同时进行多个外延片的外延生长工艺，在保证外延厚度、掺杂均匀性的前提下，显著地提高了外延设备的产能，并有效地降低设备成本。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施方式”、“某些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合所述实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。

以上所述的仅是本发明的一些实施方式。对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种外延设备的生长腔室，用于外延生长，其特征在于，包括：

腔室本体；

承托组件（1），用于承托并驱动衬底旋转使衬底进行外延生长；

所述腔室本体呈水平设置的圆柱状，所述腔室本体内设有两个以上的反应腔（2），两个以上的反应腔（2）为竖向排列，每个所述反应腔（2）内均设有所述承托组件（1）。

2.根据权利要求1所述的一种外延设备的生长腔室，其特征在于，所述腔室本体包括：

保温层（3），用于对反应腔（2）进行保温；

内部加热器（4），设于保温层（3）内，用于在外部感应线圈的通电下感应加热；

进气法兰（5），设于内部加热器（4）一侧，用于对反应腔（2）输入反应气体；

出气法兰（6），设于内部加热器（4）另一侧，用于协助反应腔（2）排气；

两个以上的反应腔（2）设于所述内部加热器（4）内，所述内部加热器（4）内设有朝承托组件（1）提供旋转动力气体的气旋进气管道（7）。

3.根据权利要求2所述的一种外延设备的生长腔室，其特征在于，所述反应腔（2）设有两个，所述内部加热器（4）包括由上至下依次设置的上加热器（41）、中加热器（42）和下加热器（43），两个所述反应腔（2）分别设于所述上加热器（41）与所述中加热器（42）之间和所述中加热器（42）与所述下加热器（43）之间。

4.根据权利要求3所述的一种外延设备的生长腔室，其特征在于，所述上加热器（41）和下加热器（43）大小一致且为对称设置，所述中加热器（42）顶部和底部分别与上加热器（41）底面和下加热器（43）顶面连接。

5.根据权利要求3所述的一种外延设备的生长腔室，其特征在于，所述上加热器（41）和下加热器（43）为中空设计。

6.根据权利要求3所述的一种外延设备的生长腔室，其特征在于，所述上加热器（41）和/或下加热器（43）内设有测温孔（44）。

7.根据权利要求3所述的一种外延设备的生长腔室，其特征在于，所述气旋进气管道（7）包括分别设于下加热器（43）内和中加热器（42）内的第一气旋管道（71）和第二气旋管道（72）。

8.根据权利要求7所述的一种外延设备的生长腔室，其特征在于，所述中加热器（42）截面呈H字状，所述第二气旋管道（72）包括第二主气管（721）和第二分气管（722），所述第二主气管（721）设于中加热器（42）内部一侧，所述第二分气管（722）两端分别连通于第二主气管（721）和位于其上方邻近的反应腔（2）的底部。

9.根据权利要求2所述的一种外延设备的生长腔室，其特征在于，所述进气法兰（5）上设有工艺进气嘴（51），所述工艺进气嘴（51）与反应腔（2）数量一致，且分别用于朝对应的反应腔（2）输送反应气体。

10.根据权利要求1所述的一种外延设备的生长腔室，其特征在于，两个以上的所述反应腔（2）内的承托组件（1）为正对分布或错位分布。

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