JP2001279447A

JP2001279447A - 常圧ｃｖｄ法及びその装置

Info

Publication number: JP2001279447A
Application number: JP2000092038A
Authority: JP
Inventors: Toshiyuki Nozaki; 寿之野崎
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2000-03-29
Filing date: 2000-03-29
Publication date: 2001-10-10

Abstract

(57)【要約】【課題】インジェクタからの反応ガスをＮ_２シール
ド装置から噴射される窒素ガスで制御することにより、
成膜される薄膜の均一性を向上させることができる常圧
ＣＶＤ装置を得ること。【解決手段】本発明の常圧ＣＶＤ装置１Ａは、半導体
ウエハＷを所定の温度に加熱しながら所定の速度で搬送
し、インジェクタ４から反応ガスを噴射して薄膜を成膜
する常圧ＣＶＤ装置において、インジェクタ４のガス噴
射口４５からその周面を巡り、噴射された反応ガスの内
の未反応ガスを排気する排気ダクト５１内のガス噴射口
４５の下面及び周面に配設された主シールド板２１０と
副シールド板２２０とから構成されているＮ２シールド
装置２０の少なくとも主シールド板２１０の空間を隔壁
２１４で複数の小空間２１５Ａ、２１５Ｂ、２１５Ｃ、
２１５Ｄ、２１５Ｅ、２１５Ｆに分割し、それぞれのガ
ス噴射口２１２Ａ、２１２Ｂ、２１２Ｃ、２１２Ｄ、２
１２Ｅ、２１２Ｆから噴射される窒素ガスの流量を制御
して半導体ウエハＷへの反応ガスの濃度を調整できるよ
うに構成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、光
ディスク、液晶表示装置の基板などの被処理物の表面に
薄膜を常圧気相成長させるための常圧化学気相成長（Ｃ
ＶＤ）装置に関し、特に、その排気ダクトに取り付けら
れ、未反応ガスによる反応生成物がそのインジェクタ及
び周辺の排気ダクトに付着することを防止するとともに
反応ガスの濃度を調整することができる不活性ガスシー
ルド装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】先ず、図を参照しながら従来技術の常圧
ＣＶＤ装置を説明する。

【０００３】図５は従来技術の常圧ＣＶＤ装置の略線的
な断面側面図、図６は図５に示した常圧ＣＶＤ装置に配
設されている不活性ガスシールド装置の斜視図、そして
図７は改良型不活性ガスシールド装置の斜視図である。

【０００４】なお、本明細書では、被処理物の一つとし
て半導体ウエハを採り上げて説明する。

【０００５】半導体装置の製造工程において半導体ウエ
ハの被処理面に薄膜を形成する成膜工程がある。その一
つとして半導体ウエハの被処理面に反応ガスを導入して
薄膜を形成するＣＶＤ（Chemical Vapor Ｄepositio
n：化学的気相成長）法が用いられている。ＣＶＤ法を
応用した装置としては、常圧ＣＶＤ装置、減圧ＣＶＤ装
置、プラズマＣＶＤ装置、光ＣＶＤ装置などがあり、そ
れぞれの特徴を生かした応用分野に使用されている。中
でも、常圧ＣＶＤは真空装置などを必要としないため、
その構造が比較的簡単であり、容易にかつ高速で成膜を
行うことができ、生産性に優れているため、半導体装置
の量産装置などに数多く使用されている。

【０００６】図５にその一部の常圧ＣＶＤ装置を概念的
な断面側面図で示した。この常圧ＣＶＤ装置１は、半導
体ウエハの搬送装置２、加熱装置３、反応ガスのインジ
ェクタ４、反応ガスの排気装置５、不活性ガスシールド
装置１０などから構成されている。

【０００７】搬送装置２は半導体ウエハＷをインジェク
タ４と加熱装置３との成膜空間へ所定の速度で搬送する
ため搬送する搬送手段であって、不図示の駆動源によて
回転駆動させられるチェーン、ベルトなどが用いられて
いる。半導体ウエハＷはこの搬送装置２にそれぞれ所定
の間隔で取り付けられている複数のトレイホルダに、そ
の搬送方向に対して垂直方向に所定の間隔で２枚づつ載
置されて搬送される。

【０００８】加熱装置３は板状に構成された電熱ヒータ
であって、インジェクタ４の下方に配設されており、こ
れらの間に搬送装置２で所定の速度で搬送されてきた半
導体ウエハＷを所定の温度に加熱する装置である。

【０００９】インジェクタ４は、ガス混合部４１を中心
に構成されており、このガス混合部４１に反応ガスの素
になる原料ガスを供給する複数のガス配管４２、４３、
４４と、下方に反応ガスを噴射するガス噴射口４５を備
えている。ガス混合部４１は半導体ウエハＷの表面に反
応ガスに噴射する圧力を大きくするために複数枚の金属
プレートが所定の狭い間隔で互いに平行に配列されて構
成されている。そのガス混合部４１には、ガス配管４
２、４３、４４を通じて、シランや酸素などの複数種の
原料ガスがそれぞれ単独で供給され、反応ガスとして混
合され、その反応ガスはガス噴射口４５から、順次、搬
送されてきている半導体ウエハＷの被処理面にて吹き出
す。このような構成、構造のインジェクタ４は、通常、
常圧ＣＶＤ装置に複数台、所定の間隔を開けて半導体ウ
エハＷの搬送方向に配列されている。図５には、その１
台のインジェクタ４のみを示した。

【００１０】排気装置５は、インジェクタ４を覆うよう
に配設されていて、インジェクタ４の下方周辺部からイ
ンジェクタ４の外周面を覆い、上方に延在する排気ダク
ト５１を通じて、インジェクタ４のガス噴射口４５から
噴射された反応ガスの内の未反応ガスを排気ガスとして
排気する装置である。

【００１１】不活性ガス、例えば、窒素ガスを噴射する
不活性ガスシールド装置（以下、「Ｎ_２シールド装置」
と記す)１０はインジェクタ４の周辺及び排気ダクト５
１内に反応生成物が付着しないように機能する装置であ
って、排気ダクト５１内に、インジェクタ４の下方から
排気ダクト５１の下方周面にわたって配設されている。
このためＮ_２シールド装置１０は、図６に示したよう
に、半導体ウエハＷの搬送方向に対して垂直な方向に延
在するように配設されている浅いＵ字型の扁平な容器状
の主シールド板１１０とこの両側方に僅かな間隔を開け
て排気ダクト５１内に配設されている一対の円弧面を備
えた副シールド板１２０とから構成されている。主シー
ルド板１１０も副シールド板１２０もガス噴射口１１
２、１２２はステンレス、アルミニウム等の金網１１
１、１２１で構成されている。主シールド板１１０への
窒素ガスの供給は四隅に上方から接続されている配管１
１３を通じて行われ、その金網１１１の目であるガス噴
射口１１２から噴射される。それぞれの副シールド板１
２０への窒素ガスの供給も、その両端上方から接続され
ている配管１２３を通じて行われ、そしてそれらの金網
１２１の目であるガス噴射口１２２から噴射される。

【００１２】成膜中は、これらの主シールド板１１０と
副シールド板１２０とから窒素ガスを噴射し、未反応ガ
スとなった反応ガスが、前記のように排気ダクト５１を
通じて排気される間、これらの排気ダクト５１やインジ
ェクタ４の外周面などに反応生成物分となって付着する
のを防止している。

【００１３】このように構成された常圧ＣＶＤ装置１を
用いて半導体ウエハＷの表面に所望の薄膜を成膜する場
合には、先ず、不図示のそれぞれのトレイに２枚づつ半
導体ウエハＷを載置し、搬送装置２により、順次、所定
の一定速度でインジェクタ４及び加熱装置３との間の成
膜エリアに搬送される。そして加熱装置３により所定の
温度、例えば、数１００°Ｃ程度に加熱されて搬送され
てきた半導体ウエハＷの表面に複数台のインジェクタ４
から前記のような反応ガスを吹き付けることにより、反
応ガスが熱反応し、例えば、ＳｉＯ_２の薄膜が成膜され
る。このインジェクタ４から噴き出す反応ガスは、その
一部分のみしか半導体ウエハＷ上で反応しないため、残
りの大部分の未反応の反応ガスはインジェクタ４の下方
からインジェクタ４の外側面に流れ、排気ダクト５１を
上昇し、外部に排気される。

【００１４】この成膜中、Ｎ_２シールド装置１０から
は窒素ガスを噴射され、未反応ガスとなった反応ガス
が、前記のように排気ダクト５１を通じて排気される
間、これらの排気ダクト５１やインジェクタ４の外周面
などに反応生成物分が付着するのを防ぎ、反応生成物の
付着によって生じる不均一な膜厚の薄膜が成膜されない
ようにしている。

【００１５】なお、未反応ガスの排気は不図示の設備で
一定の静圧の下に制御されて行われていることを付言し
ておく。

【００１６】しかし、この常圧ＣＶＤ装置により形成さ
れる薄膜の膜厚の均一性が悪いといった問題点を抱えて
おり、これまでにその問題点を改善するために種々の発
明がなされてきた。例えば、インジェクタヘッドを回転
させたり（特開平１０−２４７６４５）、温度の制御方
法を改善し、薄膜の厚みの均一性を向上させる方法（特
開平９−２２８５９）などが提案されている。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、搬送装置とし
てベルト、チェーンを用いて半導体ウエハを搬送する連
続式の常圧ＣＶＤ装置の場合、ガスラインが接続されて
いるインジェクタを回転させるのは、その構造上難し
く、温度制御を改善させたとしても、膜厚の均一性は反
応ガスを如何に均一に噴射させるかというインジェクタ
の性能と排気ダクトに取り付けられているＮ_２シール
ド装置から如何に均一に窒素ガスを噴射させることがで
きるかというＮ_２シールド装置の性能によるところが
大きく、温度の均一性を多少改善しても効果は大きく現
れない。

【００１８】ところが、図５及び図６に示したＮ_２シ
ールド装置１０の主シールド板１１０の構造では、窒素
ガスの導入口（配管１１３、１２２）の位置、形状が単
純なため、窒素ガスの噴出圧力が主シールド板１１０の
全面にわたって均一ではなかった。

【００１９】この噴射圧力の均一性を改善するために、
図７に示したように、主シールド板１１０の両側面に、
下方部分に複数個のガス噴射口１３１が開けられたＵ字
管１３０を挿入したＮ_２シールド装置１０が提案され
ている（特許第２９３８０７０号）。

【００２０】しかし、このような装置も、インジェクタ
４自体の反応ガスの噴射の均一性を改善することは難し
いために、成膜された薄膜の膜厚の均一性を完全に改善
するには至っていない。薄膜の均一性を左右するのは、
結局、インジェクタ４からのガスを如何に均一に噴射さ
せることができるかということにかかっている。

【００２１】本発明はこのような課題を解決しようとす
るものであって、インジェクタからの反応ガスをＮ_２
シールド装置から噴射される窒素ガスで制御することに
より、成膜される薄膜の均一性を向上させることができ
る常圧ＣＶＤ装置を得ることを目的とするものである。

【００２２】

【課題を解決するための手段】それ故、請求項１に記載
の発明では、被処理物を所定の温度に加熱しながら所定
の速度で搬送し、該被処理物の表面にインジェクタから
反応ガスを噴射して薄膜を成膜する常圧ＣＶＤ法におい
て、前記インジェクタの少なくとも下方に、前記被処理
物の全面を覆い、不活性ガスを噴射するガス噴射口を備
えた不活性ガスシールド装置を設けて、その不活性ガス
シールド装置から噴射する不活性ガスにより被処理物の
表面に噴射する前記インジェクタからの反応ガスの流量
を微細に制御し、前記被処理物の表面に薄膜を成膜する
常圧ＣＶＤ法を採って、前記課題を解決している。

【００２３】また、請求項２に記載の発明では、被処理
物を所定の速度で搬送する搬送装置と、前記被処理物を
加熱する加熱装置と、該加熱装置により加熱された前記
被処理物の表面に反応ガスを噴射するガス噴射口を備え
た少なくとも１台のインジェクタと、該インジェクタの
前記ガス噴射口からインジェクタの周面を巡り、前記イ
ンジェクタから噴射された反応ガスの内の未反応ガスを
排気する排気ダクトと、前記インジェクタの少なくとも
下面に配設され、その下方に搬送される被処理物の全面
を覆い、不活性ガスを噴射するガス噴射口を備えた不活
性ガスシールド装置とから構成されている常圧ＣＶＤ装
置において、前記不活性ガスシールド装置を、その内部
空間が前記被処理物の搬送方向に対して横断する方向に
所定の間隔で設けられた隔壁により複数の小空間に分割
して、前記課題を解決している。

【００２４】更にまた、請求項３に記載の発明では、請
求項２に記載の常圧ＣＶＤ装置における前記不活性ガス
シールド装置の各小空間に不活性ガス供給口を設け、そ
れら各不活性ガス供給口を不活性ガス供給源に接続し
て、前記課題を解決している。

【００２５】そしてまた、請求項４に記載の発明では、
請求項３に記載の常圧ＣＶＤ装置において、前記各不活
性ガス供給口と前記不活性ガス源との間にマスフローコ
ントローラを接続して、前記課題を解決している。

【００２６】従って、請求項１に記載の常圧ＣＶＤ法に
よれば、排気ダクトなどへの反応生成物の付着を防止で
きるとともに、インジェクタから噴射される反応ガスの
流量にバラツキがあったとしても、反応ガスを不活性ガ
スにより微細に制御して均一化することができる。

【００２７】また、請求項２に記載の常圧ＣＶＤ装置に
よれば、不活性ガスシールド装置の個々の小空間から不
活性ガスを噴射することができ、しかも排気ダクトなど
への反応生成物の付着を防止することができる。

【００２８】更にまた、請求項３に記載の常圧ＣＶＤ装
置によれば、請求項２に記載の発明の作用に加えて、不
活性ガスシールド装置の個々の小空間に不活性ガスを供
給することができる。

【００２９】そして更にまた、請求項４に記載の常圧Ｃ
ＶＤ装置によれば、請求項３に記載の発明の作用に加え
て、不活性ガスシールド装置の個々の小空間に供給する
不活性ガスの供給量を微細に調整することができる。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、図１乃至図４を用いて、本
発明の実施形態の常圧ＣＶＤ装置を説明する。

【００３１】図１は本発明の実施形態の常圧ＣＶＤ装置
の略線的な断面側面図、図２は図１に示した常圧ＣＶＤ
装置に配設されているＮ_２シールド装置の斜視図、図
３は本発明の常圧ＣＶＤ装置の成膜機能を説明するため
の略線的な上面図、そして図４は他の実施形態のＮ_２
シールド装置の斜視図である。

【００３２】なお、本発明の常圧ＣＶＤ装置において、
従来技術の常圧ＣＶＤ装置１の構成部分と同一の構成部
分には同一の符号を付し、それら一部の説明を省略す
る。

【００３３】先ず、図１乃至図３を参照しながら、本発
明の一実施形態の常圧ＣＶＤ装置の構成及び構造を説明
する。図１において、符号１Ａは全体として本発明の常圧ＣＶ
Ｄ装置を指す。この常圧ＣＶＤ装置１Ａも、半導体ウエ
ハを搬送するための搬送装置２、加熱装置３、反応ガス
のインジェクタ４、反応ガスの排気装置５、Ｎ_２（不
活性ガス）シールド装置２０などから構成されている。
搬送装置２、加熱装置３、インジェクタ４及び排気装置
５の構成、構造及び機能は従来技術の常圧ＣＶＤ装置１
におけるそれらと同一であるので、それらの説明を省略
する。

【００３４】本発明の常圧ＣＶＤ装置１ＡにおけるＮ
_２シールド装置２０は従来技術のＮ _２シールド装置
１０と同様に、インジェクタ４の周辺及び排気ダクト５
１内に反応生成物が付着しないように機能する他、イン
ジェクタ４から噴射する反応ガスの量を制御する機能を
も兼ね備えている装置であって、排気ダクト５１内に、
インジェクタ４の下方から排気ダクト５１の下方周面に
わたって配設されている。このためＮ_２シールド装置
２０も、図２に示したように、半導体ウエハＷの搬送方
向に対して垂直な方向に延在するように配設されている
浅いＵ字型の扁平な容器状の主シールド板２１０とこの
両側方に僅かな間隔を開けて排気ダクト５１内に配設さ
れている一対の円弧面を備えた副シールド板２２０とか
ら構成されている。

【００３５】主シールド板２１０も副シールド板２２０
も窒素ガスが通過する空間を備え、その少なくとも主シ
ールド板２１０の空間は複数枚の隔壁２１４により複数
の、図示の例では６個の同一容積の小空間２１５Ａ、２
１５Ｂ、２１５Ｃ、２１５Ｄ、２１５Ｅ、２１５Ｆに仕
切られている。それぞれの小空間２１５Ａ、２１５Ｂ、
２１５Ｃ、２１５Ｄ、２１５Ｅ、２１５Ｆの側面及び下
面は共通の金網２１１で形成されており、その金網２１
１の目がそれぞれの小空間２１５Ａ、２１５Ｂ、２１５
Ｃ、２１５Ｄ、２１５Ｅ、２１５Ｆのガス噴射口２１２
Ａ、２１２Ｂ、２１２Ｃ、２１２Ｄ、２１２Ｅ、２１２
Ｆとなる。金網２１１はステンレス、アルミニウム等の
金属網で構成されている。

【００３６】そして、主シールド板２１０のそれぞれの
小空間２１５Ａ、２１５Ｂ、２１５Ｃ、２１５Ｄ、２１
５Ｅ、２１５Ｆには、それらの両側端上部に窒素ガスが
導入される配管２１３Ａ、２１３Ｂ、２１３Ｃ、２１３
Ｄ、２１３Ｅ、２１３Ｆが接続されている。

【００３７】そして更に、これらの配管２１３Ａ、２１
３Ｂ、２１３Ｃ、２１３Ｄ、２１３Ｅ、２１３Ｆと窒素
ガス源との間にそれぞれマスフローコントローラ２１６
Ａ、２１６Ｂ、２１６Ｃ、２１６Ｄ、２１６Ｅ、２１６
Ｆが装着されていて、それぞれの小空間２１５Ａ、２１
５Ｂ、２１５Ｃ、２１５Ｄ、２１５Ｅ、２１５Ｆに供給
される窒素ガスの流量を制御できるように構成されてい
る。

【００３８】この主シールド板２１０の両側方に配設さ
れている副シールド板２２０は、従来技術の常圧ＣＶＤ
装置１０における副シールド板１２０と同様の構造のも
のでもよい。図１に示した例では、従来の副シールド板
１２０を用いてあるが、前記の主シールド板２１０と同
じように隔壁２１４で主シールド板２１０の小空間２１
５Ａ、２１５Ｂ、２１５Ｃ、２１５Ｄ、２１５Ｅ、２１
５Ｆと同数の小空間に仕切った構造で構成してもよい。

【００３９】このようなＮ_２シールド装置２０が装着
された常圧ＣＶＤ装置１Ａを用いて半導体ウエハＷ上に
薄膜を成膜する場合には、先ず、不図示のそれぞれのト
レイに２枚づつ半導体ウエハＷを載置し、搬送装置２に
より、順次、所定の一定速度でインジェクタ４及び加熱
装置３との間の成膜エリアに搬送される。そして加熱装
置３により所定の温度に加熱されて搬送されてきた半導
体ウエハＷの表面に複数台のインジェクタ４から前記の
ような反応ガスを吹き付けることにより、反応ガスが熱
反応し、所望の薄膜が成膜される。

【００４０】この成膜中、Ｎ_２シールド装置２０の、
特に主シールド板２１０の各小空間２１５Ａ、２１５
Ｂ、２１５Ｃ、２１５Ｄ、２１５Ｅ、２１５Ｆから窒素
ガスが噴射され、未反応ガスとなった反応ガスが、従来
技術の常圧ＣＶＤ装置１におけると同様に、排気ダクト
５１を通じて排気される間、これらの排気ダクト５１や
インジェクタ４の外周面などに反応生成物分が付着する
のを防ぐ。

【００４１】そしてこの場合、小空間２１５Ａ、２１５
Ｂ、２１５Ｃ、２１５Ｄ、２１５Ｅ、２１５Ｆに流れ込
む窒素ガスの流量をマスフローコントローラ２１６Ａ、
２１６Ｂ、２１６Ｃ、２１６Ｄ、２１６Ｅ、２１６Ｆに
よりそれぞれ制御すると、例えば、小空間２１５Ａに流
れ込む窒素ガスの流量をマスフローコントローラ２１６
Ａで多くすると、反応ガスが希釈されるため、この小空
間２１５Ａの直下で堆積される薄膜は薄くなる傾向にあ
り、図３に示す半導体ウエハＷのエリアＡの薄膜の膜厚
が薄くなる。逆に、小空間２１５Ｆに流れ込む窒素ガス
の流量をマスフローコントローラ２１６Ｆで少なくする
と、この直下で堆積される薄膜は厚くなる傾向にあり、
図３に示す半導体ウエハＷのエリアＦの薄膜の膜厚が厚
くなる。このように、インジェクタ４自体に反応ガスの
噴き出しのバラツキが多少あったとしても、主シールド
板２１０の窒素ガスの流量を、それぞれの場所毎に制御
することができるため、堆積する薄膜の場所毎の厚さの
調整が可能となる。

【００４２】図４に示した主シールド板２１０Ａは、隔
壁２１４による仕切数を増やして小空間２１５Ａ、２１
５Ｂ・・・２１５Ｎを増やしたものである。小空間２１
５Ａ、２１５Ｂ・・・２１５Ｎを増やすことにより成膜
される薄膜の膜厚を精密に調整でき、膜厚の均一性を改
善することができる。

【００４３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
インジェクタ及び排気ダクトに反応生成物が付着するこ
とを防止できるのみならず、Ｎ_２シールド装置の少な
くとも主シールド板の空間を所定の数の小空間にブロッ
ク化することで、インジェクタから噴き出す反応ガスの
流量を均一に調整でき、被処理物の表面に堆積する薄膜
の膜厚の均一性を改善することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態の常圧ＣＶＤ装置の略線的
な断面側面図である。

【図２】図１に示した常圧ＣＶＤ装置に配設されてい
るＮ_２シールド装置の斜視図である。

【図３】本発明の常圧ＣＶＤ装置の成膜機能を説明す
るための略線的な上面図である。

【図４】他の実施形態のシールド装置の斜視図であ
る。

【図５】従来技術の常圧ＣＶＤ装置の略線的な断面側
面図である。

【図６】図５に示した常圧ＣＶＤ装置に配設されてい
る不活性ガスシールド装置の斜視図である。

【図７】改良型不活性ガスシールド装置の斜視図であ
る。

【符号の説明】

１Ａ…本発明の実施形態の常圧ＣＶＤ装置、２…搬送装
置、３…加熱装置、４…反応ガスのインジェクタ、５…
未反応ガスの排気装置、２０…不活性ガス（Ｎ _２）シ
ールド装置、２１０…主シールド板、２１１，２２１…
金網、２２０…副シールド板、２１２Ａ，２１２Ｂ，２
１２Ｃ，２１２Ｄ，２１２Ｅ，２１２Ｆ，２２２…ガス
噴射口、２１３Ａ，２１３Ｂ，２１３Ｃ，２１３Ｄ，２
１３Ｅ，２１３Ｆ…配管、２１４…隔壁、２１５Ａ，２
１５Ｂ，２１５Ｃ，２１５Ｄ，２１５Ｅ・・・２１５Ｎ
…小空間、２１６Ａ，２１６Ｂ，２１６Ｃ，２１６Ｄ，
２１６Ｅ，２１６Ｆ…マスフローコントローラ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理物を所定の温度に加熱しながら所
定の速度で搬送し、該被処理物の表面にインジェクタか
ら反応ガスを噴射して薄膜を成膜する常圧ＣＶＤ法にお
いて、前記インジェクタの少なくとも下方に、前記被処理物の
全面を覆い、不活性ガスを噴射するガス噴射口を備えた
シールド装置を設けて、該シールド装置から噴射する不
活性ガスにより被処理物の表面に噴射する前記インジェ
クタからの反応ガスの流量を微細に制御し、前記被処理
物の表面に薄膜を成膜することを特徴とする常圧ＣＶＤ
法。
【請求項２】被処理物を所定の速度で搬送する搬送装
置と、前記被処理物を加熱する加熱装置と、該加熱装置
により加熱された前記被処理物の表面に反応ガスを噴射
するガス噴射口を備えた少なくとも一台のインジェクタ
と、該インジェクタの前記ガス噴射口からインジェクタ
の周面を巡り、前記インジェクタから噴射された反応ガ
スの内の未反応ガスを排気する排気ダクトと、前記イン
ジェクタの少なくとも下面に配設され、その下方に搬送
される被処理物の全面を覆い、不活性ガスを噴射するガ
ス噴射口を備えたシールド装置とから構成されている常
圧ＣＶＤ装置において、前記シールド装置は、その内部空間が前記被処理物の搬
送方向に対して横断する方向に所定の間隔で設けられた
隔壁により複数の小空間に分割されていることを特徴と
する常圧ＣＶＤ装置。
【請求項３】前記シールド装置の各小空間に不活性ガ
ス供給口が設けられており、該各不活性ガス供給口が不
活性ガス供給源に接続されていることを特徴とする請求
項２に記載の常圧ＣＶＤ装置。
【請求項４】前記各不活性ガス供給口と前記不活性ガ
ス源との間にマスフローコントローラが接続されている
ことを特徴とする請求項３に記載の常圧ＣＶＤ装置。