JP2000175449A - スイッチング電源回路 - Google Patents
スイッチング電源回路Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 起動抵抗による電力損失を抑制すると共に、
起動時間を短縮させることができるスイッチング電源回
路を提供することにある。 【解決手段】 起動抵抗Ｒ１及び電界効果トランジスタ
ＦＥＴ１の直列回路によって、コンデンサＣ２を充電す
る。コンデンサＣ２が充電されると、その充電電圧に基
づいて、制御用集積回路ＩＣ１は、トランジスタＴＲ１
がオン・オフするように、信号を出力する。トランジス
タＴＲ１は、その出力信号に基づいて、スイッチングを
行う。補助巻線Ｎｃに電圧が発生すると、この補助巻線
Ｎｃに発生した電圧を、抵抗Ｒ３及びＲ４が検出する。
トランジスタＴＲ２は、抵抗Ｒ４の両端に発生した電圧
に基づいて、電界効果トランジスタＦＥＴ１をオフ状態
にさせる。
起動時間を短縮させることができるスイッチング電源回
路を提供することにある。 【解決手段】 起動抵抗Ｒ１及び電界効果トランジスタ
ＦＥＴ１の直列回路によって、コンデンサＣ２を充電す
る。コンデンサＣ２が充電されると、その充電電圧に基
づいて、制御用集積回路ＩＣ１は、トランジスタＴＲ１
がオン・オフするように、信号を出力する。トランジス
タＴＲ１は、その出力信号に基づいて、スイッチングを
行う。補助巻線Ｎｃに電圧が発生すると、この補助巻線
Ｎｃに発生した電圧を、抵抗Ｒ３及びＲ４が検出する。
トランジスタＴＲ２は、抵抗Ｒ４の両端に発生した電圧
に基づいて、電界効果トランジスタＦＥＴ１をオフ状態
にさせる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スイッチング電源
回路に関し、特に、入力電圧が広範囲なスイッチング電
源に使用される、スイッチング電源回路に関する。
回路に関し、特に、入力電圧が広範囲なスイッチング電
源に使用される、スイッチング電源回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のスイッチング電源の起動回路とし
ては、実開平７−３０５９２号に開示されたものがあ
る。この公報に開示された回路を、図５に示す。この公
報に開示された回路においては、コンデンサＣ１に蓄え
られたエネルギは、抵抗Ｒ１を介してＮＰＮ型トランジ
スタＴＲ４のベース−エミッタ間に順バイアスとして供
給される。トランジスタＴＲ４がオンすると、抵抗Ｒ５
及びＲ６に電流が流れるので、ＰＮＰ型トランジスタＴ
Ｒ５のベース電位が下がる。このベース電位が所定の電
位に達すると、トランジスタＴＲ５はオンする。
ては、実開平７−３０５９２号に開示されたものがあ
る。この公報に開示された回路を、図５に示す。この公
報に開示された回路においては、コンデンサＣ１に蓄え
られたエネルギは、抵抗Ｒ１を介してＮＰＮ型トランジ
スタＴＲ４のベース−エミッタ間に順バイアスとして供
給される。トランジスタＴＲ４がオンすると、抵抗Ｒ５
及びＲ６に電流が流れるので、ＰＮＰ型トランジスタＴ
Ｒ５のベース電位が下がる。このベース電位が所定の電
位に達すると、トランジスタＴＲ５はオンする。
【０００３】このようにしてオンしたトランジスタＴＲ
５のエミッタ及びコレクタに流れる電流は、抵抗Ｒ７を
介してコンデンサＣ２に流入する。すると、コンデンサ
Ｃ２は充電されるので、この充電電圧に基づいて、制御
用集積回路ＩＣ１及びトランジスタＴＲ１がオンすると
共に、補助巻線Ｎｃに電圧が発生する。
５のエミッタ及びコレクタに流れる電流は、抵抗Ｒ７を
介してコンデンサＣ２に流入する。すると、コンデンサ
Ｃ２は充電されるので、この充電電圧に基づいて、制御
用集積回路ＩＣ１及びトランジスタＴＲ１がオンすると
共に、補助巻線Ｎｃに電圧が発生する。
【０００４】この補助巻線Ｎｃに発生した電圧がコンデ
ンサＣ３に供給されると、コンデンサＣ３に充電電流が
流れて、コンデンサＣ３は充電される。ダイオードＤ２
に電流が流れることにより、トランジスタＴＲ４のベー
ス−エミッタ間は逆バイアスされることになるので、ト
ランジスタＴＲ４はオフする。
ンサＣ３に供給されると、コンデンサＣ３に充電電流が
流れて、コンデンサＣ３は充電される。ダイオードＤ２
に電流が流れることにより、トランジスタＴＲ４のベー
ス−エミッタ間は逆バイアスされることになるので、ト
ランジスタＴＲ４はオフする。
【０００５】このようにしてトランジスタＴＲ４がオフ
すると、トランジスタＴＲ５もオフするので、抵抗Ｒ
５、Ｒ６、及びＲ７には電流が流れなくなる。そして、
これ以後は、これらの抵抗には電力損出は発生しない。
すると、トランジスタＴＲ５もオフするので、抵抗Ｒ
５、Ｒ６、及びＲ７には電流が流れなくなる。そして、
これ以後は、これらの抵抗には電力損出は発生しない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記公
報に開示された回路においては、ＮＰＮ型トランジスタ
ＴＲ４は電流制御タイプであるので、このトランジスタ
ＴＲ４をオン動作させるために、抵抗Ｒ１の抵抗値を極
端に大きく選定することが出来ない。
報に開示された回路においては、ＮＰＮ型トランジスタ
ＴＲ４は電流制御タイプであるので、このトランジスタ
ＴＲ４をオン動作させるために、抵抗Ｒ１の抵抗値を極
端に大きく選定することが出来ない。
【０００７】このため、変圧器Ｔ１の補助巻線Ｎｃから
制御用集積回路ＩＣ１にエネルギを供給しているとき
に、抵抗Ｒ１からコンデンサＣ２へと電流が流れるの
で、抵抗Ｒ１には電力損失が発生する。特に、スイッチ
ング電源の出力（出力電力）が小さい場合には、抵抗Ｒ
１による電力損失の割合は高くなるので、スイッチング
電源の効率（効率＝出力電力×１００／（出力電力＋電
力損失））が低下するという問題がある。
制御用集積回路ＩＣ１にエネルギを供給しているとき
に、抵抗Ｒ１からコンデンサＣ２へと電流が流れるの
で、抵抗Ｒ１には電力損失が発生する。特に、スイッチ
ング電源の出力（出力電力）が小さい場合には、抵抗Ｒ
１による電力損失の割合は高くなるので、スイッチング
電源の効率（効率＝出力電力×１００／（出力電力＋電
力損失））が低下するという問題がある。
【０００８】本発明の目的は、起動抵抗による電力損失
を抑制すると共に、起動時間を短縮させることができる
スイッチング電源回路を提供することにある。
を抑制すると共に、起動時間を短縮させることができる
スイッチング電源回路を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の第１の観点に係るスイッチング電源回路
は、１次巻線及び補助巻線を有する変圧器と、電流路
（ソース・ドレイン間）を備え、電流路の一端が前記１
次巻線の一端に接続され、当該電流路の他端と前記１次
巻線の他端との間に直流電圧が印加され、前記１次巻線
に流れる電流をオンオフさせるスイッチング素子と、前
記制御端に制御信号を印加して前記スイッチング素子を
オンオフ制御する制御手段と、一端同士が互いに接続さ
れ、他端間に前記直流電圧が印加された起動用抵抗とコ
ンデンサとを備え、前記コンデンサの充電電圧に基づい
て、前記制御手段を起動させる起動回路と、前記補助巻
線の誘起電圧を検出し、検出電圧が所定電圧に達した場
合に、遮断要求信号を出力する電圧検出手段と、該遮断
要求信号に応答して、前記起動用抵抗から前記コンデン
サへ流れる電流を遮断する電流遮断手段と、を備える。
め、この発明の第１の観点に係るスイッチング電源回路
は、１次巻線及び補助巻線を有する変圧器と、電流路
（ソース・ドレイン間）を備え、電流路の一端が前記１
次巻線の一端に接続され、当該電流路の他端と前記１次
巻線の他端との間に直流電圧が印加され、前記１次巻線
に流れる電流をオンオフさせるスイッチング素子と、前
記制御端に制御信号を印加して前記スイッチング素子を
オンオフ制御する制御手段と、一端同士が互いに接続さ
れ、他端間に前記直流電圧が印加された起動用抵抗とコ
ンデンサとを備え、前記コンデンサの充電電圧に基づい
て、前記制御手段を起動させる起動回路と、前記補助巻
線の誘起電圧を検出し、検出電圧が所定電圧に達した場
合に、遮断要求信号を出力する電圧検出手段と、該遮断
要求信号に応答して、前記起動用抵抗から前記コンデン
サへ流れる電流を遮断する電流遮断手段と、を備える。
【００１０】このようなスイッチング電源回路において
は、起動用抵抗を介してコンデンサに充電電流が流れ
て、コンデンサに所定の充電電圧が発生すると、この充
電電圧に基づいて制御手段は、スイッチング手段をオン
オフ制御する。このスイッチング素子がオンすることに
より、１次巻線に電流が流れ、１次巻線及び補助巻線に
電圧が発生する。そして、補助巻線に所定の電圧が発生
した際に、電圧検出手段は、遮断要求を示す信号を電流
遮断手段へ出力するので、電流遮断手段はオフする。こ
の結果、起動用抵抗からコンデンサへは電流は流れなく
なる。このため、コンデンサの静電容量（ｃ）を大きく
した場合であっても、起動用抵抗の抵抗値（ｒ）を小さ
くして、コンデンサの充電時の時定数ｔ=ｃ×ｒを演算
して得られる値を適切な値に設定することができる。す
なわち、コンデンサの静電容量を大きくした場合であっ
ても、起動用抵抗の抵抗値を小さくして、充電時間を速
くすることができる。また、補助巻線に所定の電圧が発
生した後においては、起動用抵抗からコンデンサへは電
流が流れなくなるので、起動用抵抗の電力損失を抑制す
ることができる。
は、起動用抵抗を介してコンデンサに充電電流が流れ
て、コンデンサに所定の充電電圧が発生すると、この充
電電圧に基づいて制御手段は、スイッチング手段をオン
オフ制御する。このスイッチング素子がオンすることに
より、１次巻線に電流が流れ、１次巻線及び補助巻線に
電圧が発生する。そして、補助巻線に所定の電圧が発生
した際に、電圧検出手段は、遮断要求を示す信号を電流
遮断手段へ出力するので、電流遮断手段はオフする。こ
の結果、起動用抵抗からコンデンサへは電流は流れなく
なる。このため、コンデンサの静電容量（ｃ）を大きく
した場合であっても、起動用抵抗の抵抗値（ｒ）を小さ
くして、コンデンサの充電時の時定数ｔ=ｃ×ｒを演算
して得られる値を適切な値に設定することができる。す
なわち、コンデンサの静電容量を大きくした場合であっ
ても、起動用抵抗の抵抗値を小さくして、充電時間を速
くすることができる。また、補助巻線に所定の電圧が発
生した後においては、起動用抵抗からコンデンサへは電
流が流れなくなるので、起動用抵抗の電力損失を抑制す
ることができる。
【００１１】上記スイッチング電源回路において、前記
電流遮断手段は、前記起動用抵抗の一端と前記コンデン
サの一端間に接続され、遮断要求を示す信号に応答して
オフするスイッチ手段を備えるようにしても良い。
電流遮断手段は、前記起動用抵抗の一端と前記コンデン
サの一端間に接続され、遮断要求を示す信号に応答して
オフするスイッチ手段を備えるようにしても良い。
【００１２】また、前記スイッチ手段は、電流路の一端
が前記起動用抵抗の一端に接続され、当該電流路の他端
が前記コンデンサの一端に接続され、ゲート端子には前
記遮断要求を示す信号が供給され、該遮断要求を示す信
号に基づいてオフする電界効果トランジスタを備えるよ
うにしても良い。
が前記起動用抵抗の一端に接続され、当該電流路の他端
が前記コンデンサの一端に接続され、ゲート端子には前
記遮断要求を示す信号が供給され、該遮断要求を示す信
号に基づいてオフする電界効果トランジスタを備えるよ
うにしても良い。
【００１３】また、前記電界効果トランジスタは、前記
電流路の一端とゲート端子間に、前記起動用抵抗よりも
抵抗値の高い抵抗を備えるようにしても良い。
電流路の一端とゲート端子間に、前記起動用抵抗よりも
抵抗値の高い抵抗を備えるようにしても良い。
【００１４】また、前記電圧検出手段は、前記補助巻線
に所定の電圧が発生したことを検出し、該検出した所定
の電圧を所定の電圧値の電圧に変換する電圧変換手段
と、前記電圧変換手段が変換した変換電圧に基づいて、
遮断要求を示す信号を前記電流遮断手段へ出力する遮断
要求信号出力手段と、を備えるようにしても良い。
に所定の電圧が発生したことを検出し、該検出した所定
の電圧を所定の電圧値の電圧に変換する電圧変換手段
と、前記電圧変換手段が変換した変換電圧に基づいて、
遮断要求を示す信号を前記電流遮断手段へ出力する遮断
要求信号出力手段と、を備えるようにしても良い。
【００１５】また、前記電圧検出手段は、前記補助巻線
と直列に接続され、当該補助巻線に電圧が発生した際
に、導通状態となるダイオードと、前記ダイオードに発
生する順電圧（順方向電圧）に基づいて、遮断要求を示
す信号を前記電流遮断手段へ出力するトランジスタと、
を備えるようにしても良い。
と直列に接続され、当該補助巻線に電圧が発生した際
に、導通状態となるダイオードと、前記ダイオードに発
生する順電圧（順方向電圧）に基づいて、遮断要求を示
す信号を前記電流遮断手段へ出力するトランジスタと、
を備えるようにしても良い。
【００１６】また、前記遮断要求信号出力手段は、前記
変換電圧に基づいて、遮断要求を示す信号を前記電流遮
断手段へ出力するトランジスタを備えるようにしても良
い。
変換電圧に基づいて、遮断要求を示す信号を前記電流遮
断手段へ出力するトランジスタを備えるようにしても良
い。
【００１７】また、前記遮断要求信号出力手段は、前記
変換電圧と予め設定された基準電圧とを比較し、前記変
換電圧と前記基準電圧とが一致した場合に、遮断要求を
示す信号を前記電流遮断手段へ出力するオペアンプ、又
はシャントレギュレータを備えるようにしても良い。
変換電圧と予め設定された基準電圧とを比較し、前記変
換電圧と前記基準電圧とが一致した場合に、遮断要求を
示す信号を前記電流遮断手段へ出力するオペアンプ、又
はシャントレギュレータを備えるようにしても良い。
【００１８】さらに、前記電圧変換手段は、前記補助巻
線の両端子間に設けられ、当該補助巻線の両端子間に発
生する電圧を分圧する複数の抵抗から構成される回路を
備えるようにしても良い。
線の両端子間に設けられ、当該補助巻線の両端子間に発
生する電圧を分圧する複数の抵抗から構成される回路を
備えるようにしても良い。
【００１９】また、この発明の第２の観点にかかるスイ
ッチング電源回路は、１次巻線及び補助巻線を有するト
ランスと、１次巻線に直列に接続され、１次巻線に流れ
る電流をオンオフさせるスイッチング素子と、前記スイ
ッチング素子をオンオフ制御する制御手段と、電源の投
入を検出し、前記制御手段を起動させる起動回路と、を
備えるスイッチング電源回路において、前記補助巻線の
誘起電圧を検出し、該誘起電圧が所定電圧に達した場合
に、遮断信号を出力する電圧検出手段と、該遮断信号に
応答して、前記起動回路を流れる電流を遮断する電流遮
断手段と、を備えることを特徴とする。
ッチング電源回路は、１次巻線及び補助巻線を有するト
ランスと、１次巻線に直列に接続され、１次巻線に流れ
る電流をオンオフさせるスイッチング素子と、前記スイ
ッチング素子をオンオフ制御する制御手段と、電源の投
入を検出し、前記制御手段を起動させる起動回路と、を
備えるスイッチング電源回路において、前記補助巻線の
誘起電圧を検出し、該誘起電圧が所定電圧に達した場合
に、遮断信号を出力する電圧検出手段と、該遮断信号に
応答して、前記起動回路を流れる電流を遮断する電流遮
断手段と、を備えることを特徴とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て添付図面を参照して説明する。図１は、この実施の形
態に係るスイッチング電源回路の構成を示す回路図であ
る。
て添付図面を参照して説明する。図１は、この実施の形
態に係るスイッチング電源回路の構成を示す回路図であ
る。
【００２１】同図に示すように、スイッチング電源回路
は、直流電源Ｅと、コンデンサＣ１〜Ｃ３と、変圧器Ｔ
１と、抵抗Ｒ１〜Ｒ４と、トランジスタＴＲ１、ＴＲ２
と、電界効果トランジスタＦＥＴ１と、ダイオードＤ
１、Ｄ２と、制御用集積回路ＩＣ１と、を備えている。
は、直流電源Ｅと、コンデンサＣ１〜Ｃ３と、変圧器Ｔ
１と、抵抗Ｒ１〜Ｒ４と、トランジスタＴＲ１、ＴＲ２
と、電界効果トランジスタＦＥＴ１と、ダイオードＤ
１、Ｄ２と、制御用集積回路ＩＣ１と、を備えている。
【００２２】変圧器Ｔ１には、１次巻線Ｎ１、２次巻線
Ｎ２、及び補助巻線Ｎｃが設けられている。この１次巻
線Ｎ１の一端には、負極性端子が接地されている直流電
源Ｅの正極性端子、コンデンサＣ１の正極性端子、及び
抵抗Ｒ１の一方が接続されており、他端には、トランジ
スタＴＲ１のコレクタ端子が接続されている。補助巻線
Ｎｃの一端には、ダイオードＤ１のアノード端子が接続
されており、他端は接地されている。
Ｎ２、及び補助巻線Ｎｃが設けられている。この１次巻
線Ｎ１の一端には、負極性端子が接地されている直流電
源Ｅの正極性端子、コンデンサＣ１の正極性端子、及び
抵抗Ｒ１の一方が接続されており、他端には、トランジ
スタＴＲ１のコレクタ端子が接続されている。補助巻線
Ｎｃの一端には、ダイオードＤ１のアノード端子が接続
されており、他端は接地されている。
【００２３】トランジスタＴＲ１のエミッタ端子は接地
され、ベース端子は制御用集積回路ＩＣ１の第１端子に
接続されている。このトランジスタＴＲ１は、制御用集
積回路ＩＣ１の制御により、ソース・エミッタ間の電流
路をオン・オフすることにより、１次巻線Ｎ１に流れる
電流をオンオフ制御する。
され、ベース端子は制御用集積回路ＩＣ１の第１端子に
接続されている。このトランジスタＴＲ１は、制御用集
積回路ＩＣ１の制御により、ソース・エミッタ間の電流
路をオン・オフすることにより、１次巻線Ｎ１に流れる
電流をオンオフ制御する。
【００２４】抵抗Ｒ１の他端は、電界効果トランジスタ
ＦＥＴ１のドレイン端子及び抵抗Ｒ２の一方が接続され
ている。抵抗Ｒ１は、制御用集積回路ＩＣ１を起動させ
るためのものである。なお、説明の都合上、これ以降
は、起動用の抵抗Ｒ１を起動抵抗Ｒ１とする。この起動
抵抗Ｒ１と電界効果トランジスタＦＥＴ１とで直列回路
を形成している。
ＦＥＴ１のドレイン端子及び抵抗Ｒ２の一方が接続され
ている。抵抗Ｒ１は、制御用集積回路ＩＣ１を起動させ
るためのものである。なお、説明の都合上、これ以降
は、起動用の抵抗Ｒ１を起動抵抗Ｒ１とする。この起動
抵抗Ｒ１と電界効果トランジスタＦＥＴ１とで直列回路
を形成している。
【００２５】抵抗Ｒ２は、高抵抗値が選定されており、
この抵抗値は、起動抵抗Ｒ１に電流が流れることによる
電力損失を抑制するような値となっている。例えば、抵
抗Ｒ２の抵抗値は、起動抵抗Ｒ１の抵抗値の約１０倍〜
２０倍の値に設定される。
この抵抗値は、起動抵抗Ｒ１に電流が流れることによる
電力損失を抑制するような値となっている。例えば、抵
抗Ｒ２の抵抗値は、起動抵抗Ｒ１の抵抗値の約１０倍〜
２０倍の値に設定される。
【００２６】電界効果トランジスタＦＥＴ１のゲート端
子には、抵抗Ｒ２の他方、及びエミッタ端子が接地され
たトランジスタＴＲ２のコレクタ端子が接続されてお
り、ソース端子には、負極性端子が接地されたコンデン
サＣ２の正極性端子、第３端子が接地された制御用集積
回路ＩＣ１の第２端子、及びダイオードＤ２のカソード
端子が接続されている。
子には、抵抗Ｒ２の他方、及びエミッタ端子が接地され
たトランジスタＴＲ２のコレクタ端子が接続されてお
り、ソース端子には、負極性端子が接地されたコンデン
サＣ２の正極性端子、第３端子が接地された制御用集積
回路ＩＣ１の第２端子、及びダイオードＤ２のカソード
端子が接続されている。
【００２７】この電界効果トランジスタＦＥＴ１は、Ｎ
チャネル型の金属酸化物半導体（ＭＯＳ）型の電界効果
トランジスタであり、トランジスタＴＲ２により、オン
オフ制御される。
チャネル型の金属酸化物半導体（ＭＯＳ）型の電界効果
トランジスタであり、トランジスタＴＲ２により、オン
オフ制御される。
【００２８】制御用集積回路ＩＣ１は、第２端子に所定
の電圧が供給されると、第１端子から、トランジスタＴ
Ｒ１をオンオフ制御するための信号を出力する。
の電圧が供給されると、第１端子から、トランジスタＴ
Ｒ１をオンオフ制御するための信号を出力する。
【００２９】ダイオードＤ２のアノード端子とダイオー
ドＤ１のカソード端子とが直列に接続されており、この
接続部分には、コンデンサＣ３の正極性端子と、抵抗Ｒ
３と抵抗Ｒ４とが直列に接続された直列回路の抵抗Ｒ３
側の端子と、が接続されている。
ドＤ１のカソード端子とが直列に接続されており、この
接続部分には、コンデンサＣ３の正極性端子と、抵抗Ｒ
３と抵抗Ｒ４とが直列に接続された直列回路の抵抗Ｒ３
側の端子と、が接続されている。
【００３０】コンデンサＣ３の負極性端子及び前記直列
回路の抵抗Ｒ４側の端子は共に接地されている。
回路の抵抗Ｒ４側の端子は共に接地されている。
【００３１】ダイオードＤ１及びコンデンサＣ３は、補
助巻線Ｎｃに発生した電圧を整流平滑するものである。
助巻線Ｎｃに発生した電圧を整流平滑するものである。
【００３２】抵抗Ｒ３と抵抗Ｒ４とが直列に接続された
直列回路は、補助巻線Ｎｃに電圧が発生したことを検出
する。抵抗Ｒ４の両端、すなわち、直列回路の接続部分
と接地間には、直列回路に供給される電圧が、抵抗Ｒ３
と抵抗Ｒ４との抵抗比に応じて分圧された電圧（分圧電
圧）が発生する。
直列回路は、補助巻線Ｎｃに電圧が発生したことを検出
する。抵抗Ｒ４の両端、すなわち、直列回路の接続部分
と接地間には、直列回路に供給される電圧が、抵抗Ｒ３
と抵抗Ｒ４との抵抗比に応じて分圧された電圧（分圧電
圧）が発生する。
【００３３】トランジスタＴＲ２のベース端子には、抵
抗Ｒ３と抵抗Ｒ４との接続部分が接続されている。この
ベース端子には、前記分圧電圧が供給される。このトラ
ンジスタＴＲ２は、ベース端子に供給された電圧に基づ
いて、電界効果トランジスタＦＥＴ１をオンオフ制御す
る。
抗Ｒ３と抵抗Ｒ４との接続部分が接続されている。この
ベース端子には、前記分圧電圧が供給される。このトラ
ンジスタＴＲ２は、ベース端子に供給された電圧に基づ
いて、電界効果トランジスタＦＥＴ１をオンオフ制御す
る。
【００３４】次に、かかる構成のスイッチング電源回路
の動作について説明する。直流電源Ｅの直流電圧がコン
デンサＣ１に供給されると、コンデンサＣ１に充電電流
が流れ、コンデンサＣ１は充電される。
の動作について説明する。直流電源Ｅの直流電圧がコン
デンサＣ１に供給されると、コンデンサＣ１に充電電流
が流れ、コンデンサＣ１は充電される。
【００３５】コンデンサＣ１が充電されると、起動抵抗
Ｒ１及び電界効果トランジスタＦＥＴ１を介して、コン
デンサＣ２に充電電流が流れ、このコンデンサＣ２が充
電される。
Ｒ１及び電界効果トランジスタＦＥＴ１を介して、コン
デンサＣ２に充電電流が流れ、このコンデンサＣ２が充
電される。
【００３６】このコンデンサＣ２の充電電圧は、制御用
集積回路ＩＣ１の第２端子に供給される。制御用集積回
路ＩＣ１は、第２端子に供給された所定電圧に基づい
て、第１端子から、トランジスタＴＲ１をオンオフ制御
するための信号を出力する。この出力信号は、トランジ
スタＴＲ１のベース端子に入力される。
集積回路ＩＣ１の第２端子に供給される。制御用集積回
路ＩＣ１は、第２端子に供給された所定電圧に基づい
て、第１端子から、トランジスタＴＲ１をオンオフ制御
するための信号を出力する。この出力信号は、トランジ
スタＴＲ１のベース端子に入力される。
【００３７】制御用集積回路ＩＣ１からの出力信号がベ
ース端子に供給されたトランジスタＴＲ１は、その供給
された信号に基づいて、オンする。
ース端子に供給されたトランジスタＴＲ１は、その供給
された信号に基づいて、オンする。
【００３８】トランジスタＴＲ１がオンすることによ
り、変圧器Ｔ１の１次巻線Ｎ１及び補助巻線Ｎｃに電圧
が発生する。
り、変圧器Ｔ１の１次巻線Ｎ１及び補助巻線Ｎｃに電圧
が発生する。
【００３９】補助巻線Ｎｃに発生した電圧は、ダイオー
ドＤ１およびコンデンサＣ３によって整流・平滑された
後、抵抗Ｒ３と抵抗Ｒ４との直列回路に供給されると共
に、ダイオードＤ２を介して、制御用集積回路ＩＣ１の
第２端子に供給される。
ドＤ１およびコンデンサＣ３によって整流・平滑された
後、抵抗Ｒ３と抵抗Ｒ４との直列回路に供給されると共
に、ダイオードＤ２を介して、制御用集積回路ＩＣ１の
第２端子に供給される。
【００４０】整流・平滑後の電圧が供給された制御用集
積回路ＩＣ１は、コンデンサＣ２からの供給電圧に代替
して、ダイオードＤ２を介して第２端子に供給された整
流・平滑後の電圧に基づいて、トランジスタＴＲ１をオ
ンオフ制御する。
積回路ＩＣ１は、コンデンサＣ２からの供給電圧に代替
して、ダイオードＤ２を介して第２端子に供給された整
流・平滑後の電圧に基づいて、トランジスタＴＲ１をオ
ンオフ制御する。
【００４１】一方、整流・平滑後の電圧が供給された、
抵抗Ｒ３及び抵抗Ｒ４から構成される直列回路において
は、それらの抵抗の接続部分と接地間、つまり、抵抗Ｒ
４の端子間には、供給された整流・平滑後の電圧が、抵
抗Ｒ３と抵抗Ｒ４との抵抗比に応じて分圧された電圧
（分圧電圧）が発生する。
抵抗Ｒ３及び抵抗Ｒ４から構成される直列回路において
は、それらの抵抗の接続部分と接地間、つまり、抵抗Ｒ
４の端子間には、供給された整流・平滑後の電圧が、抵
抗Ｒ３と抵抗Ｒ４との抵抗比に応じて分圧された電圧
（分圧電圧）が発生する。
【００４２】この分圧電圧がトランジスタＴＲ２のベー
ス端子に供給されると、トランジスタＴＲ２はオフから
オンに変化する。
ス端子に供給されると、トランジスタＴＲ２はオフから
オンに変化する。
【００４３】こうしてトランジスタＴＲ２がオンになる
と、電界効果トランジスタＦＥＴ１は、オンからオフに
変化する。
と、電界効果トランジスタＦＥＴ１は、オンからオフに
変化する。
【００４４】電界効果トランジスタＦＥＴ１がオフに変
化すると、起動抵抗Ｒ１及び抵抗Ｒ２を経て、トランジ
スタＴＲ２に電流は流れるが、抵抗Ｒ５が高抵抗値（起
動抵抗Ｒ１の抵抗値の約１０〜２０倍の値）なので、起
動抵抗Ｒ１に流れる電流は微少となる。従って、起動抵
抗Ｒ１による電力損失は、ほとんど発生しない。
化すると、起動抵抗Ｒ１及び抵抗Ｒ２を経て、トランジ
スタＴＲ２に電流は流れるが、抵抗Ｒ５が高抵抗値（起
動抵抗Ｒ１の抵抗値の約１０〜２０倍の値）なので、起
動抵抗Ｒ１に流れる電流は微少となる。従って、起動抵
抗Ｒ１による電力損失は、ほとんど発生しない。
【００４５】以上説明したように、この実施の形態のス
イッチング電源回路によれば、制御用回路ＩＣ１が起動
した後において、トランジスタＴＲ２がオンして、電界
効果トランジスタＦＥＴ１がオフすることによって、上
述したように起動抵抗Ｒ１に流れる電流は微少なので、
この起動抵抗Ｒ１による電力損失は、ほとんど発生しな
い。すなわち、制御用回路ＩＣ１がトランジスタＴＲ１
をオンオフ制御するのに必要な電圧が、変圧器Ｔ１の補
助巻線Ｎｃに発生した場合には、起動抵抗Ｒ１による電
力損失は、ほとんど発生しない。
イッチング電源回路によれば、制御用回路ＩＣ１が起動
した後において、トランジスタＴＲ２がオンして、電界
効果トランジスタＦＥＴ１がオフすることによって、上
述したように起動抵抗Ｒ１に流れる電流は微少なので、
この起動抵抗Ｒ１による電力損失は、ほとんど発生しな
い。すなわち、制御用回路ＩＣ１がトランジスタＴＲ１
をオンオフ制御するのに必要な電圧が、変圧器Ｔ１の補
助巻線Ｎｃに発生した場合には、起動抵抗Ｒ１による電
力損失は、ほとんど発生しない。
【００４６】また、スイッチング電源の入力電圧が広範
囲な場合、例えばＡＣ８０ＶからＡＣ２７６Ｖの場合に
おいては、制御用集積回路ＩＣ１の第２端子には、変動
の小さい一定した電圧を供給しなければならない。これ
を満足させるためには、コンデンサＣ２の静電容量を大
きくする必要があるが、この場合、時定数の関係から、
抵抗Ｒ１の抵抗値を小さくする必要がある。
囲な場合、例えばＡＣ８０ＶからＡＣ２７６Ｖの場合に
おいては、制御用集積回路ＩＣ１の第２端子には、変動
の小さい一定した電圧を供給しなければならない。これ
を満足させるためには、コンデンサＣ２の静電容量を大
きくする必要があるが、この場合、時定数の関係から、
抵抗Ｒ１の抵抗値を小さくする必要がある。
【００４７】この場合、この実施の形態のスイッチング
電源回路においては、コンデンサＣ２の静電容量（ｃ
２）を大きくした場合であっても、起動抵抗Ｒ１の抵抗
値（ｒ１）を小さくして、コンデンサＣ２の充電時の時
定数ｔ=ｃ２×ｒ１を適切な値にすることができる。す
なわち、コンデンサＣ２の静電容量を大きくした場合で
あっても、起動抵抗Ｒ１の抵抗値を小さくして、充電時
間を速くすることができる。
電源回路においては、コンデンサＣ２の静電容量（ｃ
２）を大きくした場合であっても、起動抵抗Ｒ１の抵抗
値（ｒ１）を小さくして、コンデンサＣ２の充電時の時
定数ｔ=ｃ２×ｒ１を適切な値にすることができる。す
なわち、コンデンサＣ２の静電容量を大きくした場合で
あっても、起動抵抗Ｒ１の抵抗値を小さくして、充電時
間を速くすることができる。
【００４８】なお、この実施の形態においては、Ｎチャ
ネル型のＭＯＳ型電界効果トランジスタを使用した構成
にしているが、これに限定されることなく、Ｐチャネル
型のＭＯＳ型電界効果トランジスタ、あるいはＮ又はＰ
チャネル型の接合型電界効果トランジスタを使用した構
成とするようにしても良い。
ネル型のＭＯＳ型電界効果トランジスタを使用した構成
にしているが、これに限定されることなく、Ｐチャネル
型のＭＯＳ型電界効果トランジスタ、あるいはＮ又はＰ
チャネル型の接合型電界効果トランジスタを使用した構
成とするようにしても良い。
【００４９】［第２の実施の形態］図２は、この実施の
形態に係るスイッチング電源回路の構成を示す回路図で
ある。図示するように、この実施の形態のスイッチング
電源回路は、図１に示したトランジスタＴＲ２をオペア
ンプＩＣ２に置き換えた構成になっている。
形態に係るスイッチング電源回路の構成を示す回路図で
ある。図示するように、この実施の形態のスイッチング
電源回路は、図１に示したトランジスタＴＲ２をオペア
ンプＩＣ２に置き換えた構成になっている。
【００５０】オペアンプＩＣ２は、電界効果トランジス
タＦＥＴ１をオンオフ制御するものであり、マイナス
（−）端子には、抵抗Ｒ４の両端に生じる電圧が供給さ
れ、プラス（＋）端子には、基準電圧（Ｖref）が供給
される。オペアンプＩＣ２の出力端子には、抵抗Ｒ２の
他方、及び電界効果トランジスタＦＥＴ１のゲート端子
が接続される。
タＦＥＴ１をオンオフ制御するものであり、マイナス
（−）端子には、抵抗Ｒ４の両端に生じる電圧が供給さ
れ、プラス（＋）端子には、基準電圧（Ｖref）が供給
される。オペアンプＩＣ２の出力端子には、抵抗Ｒ２の
他方、及び電界効果トランジスタＦＥＴ１のゲート端子
が接続される。
【００５１】オペアンプＩＣ２は、変圧器Ｔ１の補助巻
線Ｎｃに電圧が発生していないときは、出力端子から、
ハイレベルの信号を出力する。オペアンプＩＣ２からの
ハイレベルの出力信号がゲート端子に供給された電界効
果トランジスタＦＥＴ１は、オン状態になる。
線Ｎｃに電圧が発生していないときは、出力端子から、
ハイレベルの信号を出力する。オペアンプＩＣ２からの
ハイレベルの出力信号がゲート端子に供給された電界効
果トランジスタＦＥＴ１は、オン状態になる。
【００５２】そして、オペアンプＩＣ２は、補助巻線Ｎ
ｃに電圧が発生することにより、マイナス（−）端子
に、上記基準電圧（Ｖref）と等しい電圧が供給される
と、出力端子から、ハイレベルからローレベルに変化し
た信号を出力する。
ｃに電圧が発生することにより、マイナス（−）端子
に、上記基準電圧（Ｖref）と等しい電圧が供給される
と、出力端子から、ハイレベルからローレベルに変化し
た信号を出力する。
【００５３】このローレベルの出力信号は、電界効果ト
ランジスタＦＥＴ１のゲート端子に入力される。
ランジスタＦＥＴ１のゲート端子に入力される。
【００５４】オペアンプＩＣ２からのローレベルの出力
信号がゲート端子に供給された電界効果トランジスタＦ
ＥＴ１は、オンからオフに変化する。
信号がゲート端子に供給された電界効果トランジスタＦ
ＥＴ１は、オンからオフに変化する。
【００５５】電界効果トランジスタＦＥＴ１がオフする
ことにより、起動抵抗Ｒ１及び抵抗Ｒ２を経て、オペア
ンプＩＣ２に電流は流れるが、抵抗Ｒ５が高抵抗値（起
動抵抗Ｒ１の抵抗値の約１０〜２０倍の値）なので、起
動抵抗Ｒ１に流れる電流は微少となる。従って、起動抵
抗Ｒ１による電力損失は、ほとんど発生しない。
ことにより、起動抵抗Ｒ１及び抵抗Ｒ２を経て、オペア
ンプＩＣ２に電流は流れるが、抵抗Ｒ５が高抵抗値（起
動抵抗Ｒ１の抵抗値の約１０〜２０倍の値）なので、起
動抵抗Ｒ１に流れる電流は微少となる。従って、起動抵
抗Ｒ１による電力損失は、ほとんど発生しない。
【００５６】以上説明したように、この実施の形態のス
イッチング電源回路においても、上述した第１の実施の
形態における効果が期待できる。
イッチング電源回路においても、上述した第１の実施の
形態における効果が期待できる。
【００５７】また、この実施の形態のスイッチング電源
回路においては、オペアンプＩＣ２は、マイナス端子
に、基準電圧Ｖrefと同一の電圧値の電圧が供給された
ときに、電界効果トランジスタＦＥＴ１をオフ状態にさ
せる。このため、第１の実施の形態に係るスイッチング
電源回路と比較して、補助巻線Ｎｃに発生する電圧の検
出精度を向上させることができる。従って、所望の電圧
に基づいて電界効果トランジスタＦＥＴ１をオフさせる
ことが出来る。さらに、この実施の形態のスイッチング
電源回路によれば、制御用回路ＩＣ１が起動した後にお
いては、オペアンプＩＣ２の出力がローレベルとなり、
電界効果トランジスタＦＥＴ１がオフするので、上述し
たように起動抵抗Ｒ１に流れる電流は微少なので、この
起動抵抗Ｒ１による電力損失は、ほとんど発生しない。
回路においては、オペアンプＩＣ２は、マイナス端子
に、基準電圧Ｖrefと同一の電圧値の電圧が供給された
ときに、電界効果トランジスタＦＥＴ１をオフ状態にさ
せる。このため、第１の実施の形態に係るスイッチング
電源回路と比較して、補助巻線Ｎｃに発生する電圧の検
出精度を向上させることができる。従って、所望の電圧
に基づいて電界効果トランジスタＦＥＴ１をオフさせる
ことが出来る。さらに、この実施の形態のスイッチング
電源回路によれば、制御用回路ＩＣ１が起動した後にお
いては、オペアンプＩＣ２の出力がローレベルとなり、
電界効果トランジスタＦＥＴ１がオフするので、上述し
たように起動抵抗Ｒ１に流れる電流は微少なので、この
起動抵抗Ｒ１による電力損失は、ほとんど発生しない。
【００５８】なお、この実施の形態においては、Ｎチャ
ネル型のＭＯＳ型電界効果トランジスタを使用した構成
にしているが、これに限定されることなく、Ｐチャネル
型のＭＯＳ型電界効果トランジスタ、あるいはＮ又はＰ
チャネル型の接合型電界効果トランジスタを使用した構
成とするようにしても良い。
ネル型のＭＯＳ型電界効果トランジスタを使用した構成
にしているが、これに限定されることなく、Ｐチャネル
型のＭＯＳ型電界効果トランジスタ、あるいはＮ又はＰ
チャネル型の接合型電界効果トランジスタを使用した構
成とするようにしても良い。
【００５９】［第３の実施の形態］図３は、この実施の
形態に係るスイッチング電源回路の構成を示す回路図で
ある。
形態に係るスイッチング電源回路の構成を示す回路図で
ある。
【００６０】図示するように、この実施の形態のスイッ
チング電源回路は、図１に示したトランジスタＴＲ２を
シャントレギュレータＩＣ３に置き換えた構成になって
いる。
チング電源回路は、図１に示したトランジスタＴＲ２を
シャントレギュレータＩＣ３に置き換えた構成になって
いる。
【００６１】シャントレギュレータＩＣ３は、電界効果
トランジスタＦＥＴ１をオンオフ制御するものであり、
カソード端子には、抵抗Ｒ２の他方、及び電界効果トラ
ンジスタＦＥＴ１のゲート端子が接続されており、基準
端子（Ｒｅｆ）には、抵抗Ｒ３と抵抗Ｒ４との接続部分
が接続されており、アノード端子は接地されている。な
お、このシャントレギュレータＩＣ３の内部には、基準
電圧（Ｖref）が設定されている。
トランジスタＦＥＴ１をオンオフ制御するものであり、
カソード端子には、抵抗Ｒ２の他方、及び電界効果トラ
ンジスタＦＥＴ１のゲート端子が接続されており、基準
端子（Ｒｅｆ）には、抵抗Ｒ３と抵抗Ｒ４との接続部分
が接続されており、アノード端子は接地されている。な
お、このシャントレギュレータＩＣ３の内部には、基準
電圧（Ｖref）が設定されている。
【００６２】シャントレギュレータＩＣ３は、変圧器Ｔ
１の補助巻線Ｎｃに電圧が発生していないときは、カソ
ード端子から、ハイレベルの信号を出力する。シャント
レギュレータＩＣ３からのハイレベルの出力信号がゲー
ト端子に供給された電界効果トランジスタＦＥＴ１は、
オンする。
１の補助巻線Ｎｃに電圧が発生していないときは、カソ
ード端子から、ハイレベルの信号を出力する。シャント
レギュレータＩＣ３からのハイレベルの出力信号がゲー
ト端子に供給された電界効果トランジスタＦＥＴ１は、
オンする。
【００６３】そして、シャントレギュレータＩＣ３は、
補助巻線Ｎｃに電圧が発生することにより、基準端子
（Ｒｅｆ）に、内部に設定された基準電圧Ｖrefと等し
い電圧が供給されると、カソード端子から、ハイレベル
からローレベルに変化した信号を出力する。
補助巻線Ｎｃに電圧が発生することにより、基準端子
（Ｒｅｆ）に、内部に設定された基準電圧Ｖrefと等し
い電圧が供給されると、カソード端子から、ハイレベル
からローレベルに変化した信号を出力する。
【００６４】このローレベルの出力信号は、電界効果ト
ランジスタＦＥＴ１のゲート端子に入力される。する
と、電界効果トランジスタＦＥＴ１は、オンからオフに
変化する。
ランジスタＦＥＴ１のゲート端子に入力される。する
と、電界効果トランジスタＦＥＴ１は、オンからオフに
変化する。
【００６５】電界効果トランジスタＦＥＴ１がオフする
ことにより、起動抵抗Ｒ１及び抵抗Ｒ２を経て、シャン
トレギュレータＩＣ３に電流は流れるが、抵抗Ｒ５が高
抵抗値（起動抵抗Ｒ１の抵抗値の約１０〜２０倍の値）
なので、起動抵抗Ｒ１に流れる電流は微少となる。従っ
て、起動抵抗Ｒ１による電力損失は、ほとんど発生しな
い。
ことにより、起動抵抗Ｒ１及び抵抗Ｒ２を経て、シャン
トレギュレータＩＣ３に電流は流れるが、抵抗Ｒ５が高
抵抗値（起動抵抗Ｒ１の抵抗値の約１０〜２０倍の値）
なので、起動抵抗Ｒ１に流れる電流は微少となる。従っ
て、起動抵抗Ｒ１による電力損失は、ほとんど発生しな
い。
【００６６】以上説明したように、この実施の形態のス
イッチング電源回路においても、上述した第１の実施の
形態における効果が期待できる。
イッチング電源回路においても、上述した第１の実施の
形態における効果が期待できる。
【００６７】また、この実施の形態のスイッチング電源
回路においては、シャントレギュレータＩＣ３は、基準
端子（Ｒｅｆ）に、内部に設定された基準電圧Ｖrefと
同一の電圧値の電圧が供給されたときに、電界効果トラ
ンジスタＦＥＴ１をオフ状態にさせるので、補助巻線Ｎ
ｃに発生する電圧の検出精度を向上させることができ
る。従って、所望の電圧に基づいて電界効果トランジス
タＦＥＴ１をオフさせることが出来る。
回路においては、シャントレギュレータＩＣ３は、基準
端子（Ｒｅｆ）に、内部に設定された基準電圧Ｖrefと
同一の電圧値の電圧が供給されたときに、電界効果トラ
ンジスタＦＥＴ１をオフ状態にさせるので、補助巻線Ｎ
ｃに発生する電圧の検出精度を向上させることができ
る。従って、所望の電圧に基づいて電界効果トランジス
タＦＥＴ１をオフさせることが出来る。
【００６８】また、この実施の形態のスイッチング電源
回路によれば、制御用回路ＩＣ１が起動した後において
は、シャントレギュレータＩＣ３の出力がローレベルと
なることにより、電界効果トランジスタＦＥＴ１がオフ
した場合、起動抵抗Ｒ１に流れる電流は微少なので、こ
の起動抵抗Ｒ１による電力損失は、ほとんど発生しな
い。
回路によれば、制御用回路ＩＣ１が起動した後において
は、シャントレギュレータＩＣ３の出力がローレベルと
なることにより、電界効果トランジスタＦＥＴ１がオフ
した場合、起動抵抗Ｒ１に流れる電流は微少なので、こ
の起動抵抗Ｒ１による電力損失は、ほとんど発生しな
い。
【００６９】さらに、電界効果トランジスタＦＥＴ１を
オンオフ制御するためのシャントレギュレータＩＣ３
は、第２の実施の形態に係るスイッチング電源回路に示
したオペアンプＩＣ２と比較して、外部の基準電圧Ｖre
fが不要となる。
オンオフ制御するためのシャントレギュレータＩＣ３
は、第２の実施の形態に係るスイッチング電源回路に示
したオペアンプＩＣ２と比較して、外部の基準電圧Ｖre
fが不要となる。
【００７０】このため、部品点数を削減し、小型化した
スイッチング電源回路を提供することができる。
スイッチング電源回路を提供することができる。
【００７１】なお、この実施の形態においては、Ｎチャ
ネル型のＭＯＳ型電界効果トランジスタを使用した構成
にしているが、これに限定されることなく、Ｐチャネル
型のＭＯＳ型電界効果トランジスタ、あるいはＮ又はＰ
チャネル型の接合型電界効果トランジスタを使用した構
成とするようにしても良い。
ネル型のＭＯＳ型電界効果トランジスタを使用した構成
にしているが、これに限定されることなく、Ｐチャネル
型のＭＯＳ型電界効果トランジスタ、あるいはＮ又はＰ
チャネル型の接合型電界効果トランジスタを使用した構
成とするようにしても良い。
【００７２】［第４の実施の形態］図４は、この実施の
形態に係るスイッチング電源回路の構成を示す回路図で
ある。
形態に係るスイッチング電源回路の構成を示す回路図で
ある。
【００７３】図示するように、この実施の形態のスイッ
チング電源回路は、図１に示したトランジスタＴＲ２、
抵抗Ｒ３及び抵抗Ｒ４を削除し、トランジスタＴＲ３を
追加した構成になっている。
チング電源回路は、図１に示したトランジスタＴＲ２、
抵抗Ｒ３及び抵抗Ｒ４を削除し、トランジスタＴＲ３を
追加した構成になっている。
【００７４】このトランジスタＴＲ３は、電界効果トラ
ンジスタＦＥＴ１をオンオフ制御するものであり、ベー
ス端子には、ダイオードＤ１とダイオードＤ２との接続
部分が接続されており、エミッタ端子には、電界効果ト
ランジスタＦＥＴ１のソース端子が接続されており、コ
レクタ端子には、電界効果トランジスタＦＥＴ１のゲー
ト端子が接続されている。
ンジスタＦＥＴ１をオンオフ制御するものであり、ベー
ス端子には、ダイオードＤ１とダイオードＤ２との接続
部分が接続されており、エミッタ端子には、電界効果ト
ランジスタＦＥＴ１のソース端子が接続されており、コ
レクタ端子には、電界効果トランジスタＦＥＴ１のゲー
ト端子が接続されている。
【００７５】変圧器Ｔ１の補助巻線Ｎｃに電圧が発生し
て、ダイオードＤ２に電流が流れると、ダイオードＤ２
に順電圧が発生する。この順電圧がトランジスタＴＲ３
のベース端子とエミッタ端子間に供給されるので、トラ
ンジスタＴＲ３は、オフからオンに変化する。すると、
電界効果トランジスタＦＥＴ１は、オンからオフに変化
する。
て、ダイオードＤ２に電流が流れると、ダイオードＤ２
に順電圧が発生する。この順電圧がトランジスタＴＲ３
のベース端子とエミッタ端子間に供給されるので、トラ
ンジスタＴＲ３は、オフからオンに変化する。すると、
電界効果トランジスタＦＥＴ１は、オンからオフに変化
する。
【００７６】電界効果トランジスタＦＥＴ１がオフする
ことにより、起動抵抗Ｒ１、抵抗Ｒ２、及びトランジス
タＴＲ３を経て、コンデンサＣ２に電流は流れるが、抵
抗Ｒ５が高抵抗値（起動抵抗Ｒ１の抵抗値の約１０〜２
０倍の値）なので、起動抵抗Ｒ１に流れる電流は微少と
なる。従って、起動抵抗Ｒ１による電力損失は、ほとん
ど発生しない。
ことにより、起動抵抗Ｒ１、抵抗Ｒ２、及びトランジス
タＴＲ３を経て、コンデンサＣ２に電流は流れるが、抵
抗Ｒ５が高抵抗値（起動抵抗Ｒ１の抵抗値の約１０〜２
０倍の値）なので、起動抵抗Ｒ１に流れる電流は微少と
なる。従って、起動抵抗Ｒ１による電力損失は、ほとん
ど発生しない。
【００７７】以上説明したように、この実施の形態のス
イッチング電源回路においても、上述した第１の実施の
形態における効果が期待できる。
イッチング電源回路においても、上述した第１の実施の
形態における効果が期待できる。
【００７８】また、この実施の形態のスイッチング電源
回路においては、補助巻線Ｎｃに発生する電圧の検出に
際し、トランジスタＴＲ３のベース端子とエミッタ端子
間によって、補助巻線Ｎｃの発生電圧によるダイオード
Ｄ２の導通を検出するようにしている。
回路においては、補助巻線Ｎｃに発生する電圧の検出に
際し、トランジスタＴＲ３のベース端子とエミッタ端子
間によって、補助巻線Ｎｃの発生電圧によるダイオード
Ｄ２の導通を検出するようにしている。
【００７９】このため、図１乃至図３に示される、補助
巻線Ｎｃに発生する電圧を検出するための抵抗Ｒ３、Ｒ
４を用いることなく、電界効果トランジスタＦＥＴ１
を、オンからオフに変化させることができる。
巻線Ｎｃに発生する電圧を検出するための抵抗Ｒ３、Ｒ
４を用いることなく、電界効果トランジスタＦＥＴ１
を、オンからオフに変化させることができる。
【００８０】従って、上述した第１乃至第３の実施の形
態のスイッチング電源回路と比較して、抵抗Ｒ３及びＲ
４が不要になるので、部品点数を削減し、小型化したス
イッチング電源回路を提供することができる。
態のスイッチング電源回路と比較して、抵抗Ｒ３及びＲ
４が不要になるので、部品点数を削減し、小型化したス
イッチング電源回路を提供することができる。
【００８１】さらに、この実施の形態のスイッチング電
源回路によれば、制御用回路ＩＣ１が起動した後におい
ては、トランジスタＴＲ３がオンすることにより、電界
効果トランジスタＦＥＴ１がオフした場合、起動抵抗Ｒ
１に流れる電流は微少となるので、この起動抵抗Ｒ１に
よる電力損失は、ほとんど発生しない。
源回路によれば、制御用回路ＩＣ１が起動した後におい
ては、トランジスタＴＲ３がオンすることにより、電界
効果トランジスタＦＥＴ１がオフした場合、起動抵抗Ｒ
１に流れる電流は微少となるので、この起動抵抗Ｒ１に
よる電力損失は、ほとんど発生しない。
【００８２】なお、この実施の形態においては、Ｎチャ
ネル型のＭＯＳ型電界効果トランジスタを使用した構成
にしているが、これに限定されることなく、Ｐチャネル
型のＭＯＳ型電界効果トランジスタ、あるいはＮ又はＰ
チャネル型の接合型電界効果トランジスタを使用した構
成とするようにしても良い。
ネル型のＭＯＳ型電界効果トランジスタを使用した構成
にしているが、これに限定されることなく、Ｐチャネル
型のＭＯＳ型電界効果トランジスタ、あるいはＮ又はＰ
チャネル型の接合型電界効果トランジスタを使用した構
成とするようにしても良い。
【００８３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
コンデンサの静電容量を大きくした場合であっても、起
動用抵抗の抵抗値を小さくして、コンデンサの充電時の
時定数を適切な値に設定することができる。すなわち、
コンデンサの静電容量を大きくした場合であっても、起
動用抵抗の抵抗値を小さくして、充電時間を速くするこ
とができる。また、補助巻線に所定の電圧が発生した後
においては、起動用抵抗からコンデンサへは電流が流れ
なくなるので、起動用抵抗の電力損失を抑制することが
できる。
コンデンサの静電容量を大きくした場合であっても、起
動用抵抗の抵抗値を小さくして、コンデンサの充電時の
時定数を適切な値に設定することができる。すなわち、
コンデンサの静電容量を大きくした場合であっても、起
動用抵抗の抵抗値を小さくして、充電時間を速くするこ
とができる。また、補助巻線に所定の電圧が発生した後
においては、起動用抵抗からコンデンサへは電流が流れ
なくなるので、起動用抵抗の電力損失を抑制することが
できる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るスイッチング
レギュレータ用起動回路の構成を示す回路図である。
レギュレータ用起動回路の構成を示す回路図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態に係るスイッチング
レギュレータ用起動回路の構成を示す回路図である。
レギュレータ用起動回路の構成を示す回路図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態に係るスイッチング
レギュレータ用起動回路の構成を示す回路図である。
レギュレータ用起動回路の構成を示す回路図である。
【図４】本発明の第４の実施の形態に係るスイッチング
レギュレータ用起動回路の構成を示す回路図である。
レギュレータ用起動回路の構成を示す回路図である。
【図５】従来のスイッチングレギュレータ用起動回路の
構成を示す回路図である。
構成を示す回路図である。
Ｅ 直流電源 Ｔ１ 変圧器 Ｎ１ １次巻線 Ｎ２ ２次巻線 Ｎｃ 補助巻線 ＴＲ１ トランジスタ ＴＲ２ トランジスタ ＴＲ３ トランジスタ ＦＥＴ１ 電界効果トランジスタ Ｄ１ ダイオード Ｄ２ ダイオード ＩＣ１ 制御集積回路 ＩＣ２ オペアンプ ＩＣ３ シャントレギュレータ Ｃ１ コンデンサ Ｃ２ コンデンサ Ｃ３ コンデンサ Ｒ１ 抵抗（起動抵抗） Ｒ２ 抵抗 Ｒ３ 抵抗 Ｒ４ 抵抗
Claims (10)
- 【請求項１】１次巻線及び補助巻線を有する変圧器と、 電流路を備え、該電流路の一端が前記１次巻線の一端に
接続され、当該電流路の他端と前記１次巻線の他端との
間に直流電圧が印加され、前記１次巻線に流れる電流を
オンオフさせるスイッチング素子と、 前記スイッチング素子をオンオフ制御する制御手段と、 一端同士が互いに接続され、他端間に前記直流電圧が印
加された起動用抵抗とコンデンサとを備え、前記コンデ
ンサの充電電圧に基づいて、前記制御手段を起動させる
起動回路と、 前記補助巻線の誘起電圧を検出し、検出電圧が所定電圧
に達した場合に、遮断要求信号を出力する電圧検出手段
と、 該遮断要求信号に応答して、前記起動用抵抗から前記コ
ンデンサへ流れる電流を遮断する電流遮断手段と、 を備えることを特徴とするスイッチング電源回路。 - 【請求項２】前記電流遮断手段は、前記起動用抵抗の一
端と前記コンデンサの一端間に接続され、遮断要求信号
に応答してオフするスイッチ手段を備えることを特徴と
する請求項１に記載のスイッチング電源回路。 - 【請求項３】前記スイッチ手段は、電流路の一端が前記
起動用抵抗の一端に接続され、当該電流路の他端が前記
コンデンサの一端に接続され、ゲート端子には前記遮断
要求を示す信号が供給され、該遮断要求を示す信号に基
づいてオフする電界効果トランジスタを備えることを特
徴とする請求項２に記載のスイッチング電源回路。 - 【請求項４】前記電界効果トランジスタは、前記電流路
の一端とゲート端子間に、前記起動用抵抗よりも抵抗値
の高い抵抗を備えることを特徴とする請求項３に記載の
スイッチング電源回路。 - 【請求項５】前記電圧検出手段は、 検出した電圧を所定の電圧値の電圧に変換する電圧変換
手段と、 前記電圧変換手段が変換した変換電圧に基づいて、遮断
要求を示す信号を前記電流遮断手段へ出力する遮断要求
信号出力手段と、 を備える、ことを特徴とする請求項１に記載のスイッチ
ング電源回路。 - 【請求項６】前記遮断要求信号出力手段は、前記変換電
圧に基づいて、遮断要求を示す信号を前記電流遮断手段
へ出力するトランジスタを備えることを特徴とする請求
項５に記載のスイッチング電源回路。 - 【請求項７】前記遮断要求信号出力手段は、前記変換電
圧と予め設定された基準電圧とを比較し、前記変換電圧
と前記基準電圧とが一致した場合に、遮断要求を示す信
号を前記電流遮断手段へ出力するオペアンプ又はシャン
トレギュレータを備えることを特徴とする請求項５に記
載のスイッチング電源回路。 - 【請求項８】前記電圧変換手段は、前記補助巻線の両端
子間に設けられ、当該補助巻線の両端子間に発生する電
圧を分圧する分圧回路から構成される回路を備えること
を特徴とする請求項５に記載のスイッチング電源回路。 - 【請求項９】前記電圧検出手段は、 前記補助巻線と直列に接続され、当該補助巻線に順方向
電圧が発生した際に、導通状態となるダイオードと、 前記ダイオードに発生する順方向電圧に基づいて、遮断
要求を示す信号を前記電流遮断手段へ出力するトランジ
スタと、 を備えることを特徴とする請求項１に記載のスイッチン
グ電源回路。 - 【請求項１０】１次巻線及び補助巻線を有するトランス
と、１次巻線に直列に接続され、１次巻線に流れる電流
をオンオフさせるスイッチング素子と、前記スイッチン
グ素子をオンオフ制御する制御手段と、電源の投入を検
出し、前記制御手段を起動させる起動回路と、を備える
スイッチング電源回路において、 前記補助巻線の誘起電圧を検出し、該誘起電圧が所定電
圧に達した場合に、遮断信号を出力する電圧検出手段
と、 該遮断信号に応答して、前記起動回路を流れる電流を遮
断する電流遮断手段と、 を備えることを特徴とするスイッチング電源回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10346728A JP2000175449A (ja) | 1998-12-07 | 1998-12-07 | スイッチング電源回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10346728A JP2000175449A (ja) | 1998-12-07 | 1998-12-07 | スイッチング電源回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000175449A true JP2000175449A (ja) | 2000-06-23 |
Family
ID=18385425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10346728A Pending JP2000175449A (ja) | 1998-12-07 | 1998-12-07 | スイッチング電源回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000175449A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1998
- 1998-12-07 JP JP10346728A patent/JP2000175449A/ja active Pending
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