JP2000174005A

JP2000174005A - ヒーター内蔵バルブユニット

Info

Publication number: JP2000174005A
Application number: JP10342127A
Authority: JP
Inventors: Yukichi Takamatsu; 勇吉高松; Gakuo Yoneyama; 岳夫米山; Yoshiyasu Ishihama; 義康石濱; Akiyoshi Asano; 彰良淺野
Original assignee: Japan Pionics Ltd
Current assignee: Japan Pionics Ltd
Priority date: 1998-12-01
Filing date: 1998-12-01
Publication date: 2000-06-23

Abstract

(57)【要約】【課題】ＣＶＤプロセス終了時あるいは液体ＣＶＤ原
料交換時の残留液体ＣＶＤ原料の処理において、配管、
バルブ、継手等に残留する液体ＣＶＤ原料を短時間で除
去することが可能で、液垂れすることなく液体ＣＶＤ原
料容器を交換することができ、しかも簡単な構成でメン
テナンスに手間がかからないバルブユニットを提供す
る。【解決手段】金属製のヒーター内蔵ブロックの内部
に、液体ＣＶＤ原料を液体ＣＶＤ原料容器からＣＶＤ装
置へ送るための主流路、該主流路に洗浄用液ラインを接
続する補助流路、圧送用ガスを圧送用ガスラインから液
体ＣＶＤ原料容器へ送るための主流路、前記２主流路を
接続する補助流路、及び前記２主流路の各々に減圧ライ
ンを接続する補助流路を設け、前記主流路及び補助流路
のブロック出入口部に継手を設け、かつ、少なくとも前
記圧送用ガスを圧送用ガスラインから液体ＣＶＤ原料容
器へ送るための主流路の圧送用ガスライン側及び前記４
補助流路の各々にバルブを設けたヒーター内蔵バルブユ
ニットとする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体の製造に用
いられる化学気相成長（ＣＶＤ）装置等に液体ＣＶＤ原
料を供給するための流路制御用ヒーター内蔵バルブユニ
ットに関する。さらに詳細には、ＣＶＤプロセス終了時
あるいは液体ＣＶＤ原料交換時において、配管、バル
ブ、継手等に残留したＣＶＤ原料を、短時間で除去する
ことが可能で、液体ＣＶＤ原料容器の交換が液垂れする
ことなくできるヒーター内蔵バルブユニットに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体工業の発展とともに、半導
体デバイスの高性能化、高集積化が進み、従来から使用
されてきた水素化物ガスやハロゲン化物ガスに代わり、
種々の液体の有機金属化合物が使用されるようになって
きた。例えば半導体デバイスの金属膜においては、アル
ミニウム膜のＣＶＤ原料としてはジメチルアルミニウム
ハイドライド（Ａｌ（ＣＨ_３）_２Ｈ）、銅膜のＣＶＤ原
料としてはヘキサフルオロアセチルアセトン銅ビニルト
リメチルシラン（（ＣＦ₃ＣＯ）₂ＣＨＣｕ・ＣＨ₂ＣＨ
Ｓｉ（ＣＨ₃）₃）、ルテニウム膜のＣＶＤ原料としては
ビス（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウム（Ｒｕ
（Ｃ_５Ｈ_４Ｃ_２Ｈ_５）_２）等が使用されている。

【０００３】また、半導体デバイスの絶縁膜において
は、ゲート絶縁膜としてＳｉＯ_２、キャパシタ絶縁膜と
してＳｉ_３Ｎ_４、層間絶縁膜としてＰＳＧ（リン・シリ
コン・ガラス）、ＢＰＳＧ（ボロン・リン・シリコン・
ガラス）が知られているが、ＳｉＯ_２膜のＣＶＤ原料と
してはテトラエトキシケイ素（Ｓｉ（ＯＣ
_２Ｈ_５）_４）、ＰＳＧとＢＰＳＧ膜のＣＶＤ原料として
はトリメトキシホウ素（Ｂ（ＯＣＨ_３）_３）、トリメト
キシホスフィンオキシド（ＰＯ（ＯＣＨ_３）_３）等が使
用されている。

【０００４】これらの有機金属化合物はＣＶＤ法等の半
導体製造において不可欠な材料であるが、そのほとんど
が毒性が高いかあるいは安全性が確認されていないもの
であり、しかも有機アルミニウム等は空気、水と爆発的
に反応するためにその取り扱いには細心の注意をはらう
必要がある。また、これらの有機金属化合物は、一般的
に蒸気圧が低く粘度が高いものである。そのため、これ
らの有機金属化合物を使用したＣＶＤプロセスを終了す
る際あるいはＣＶＤ原料を交換する際には、液体ＣＶＤ
原料容器を取り外した後に、これに接続していた配管か
らのＣＶＤ原料の液垂れがないように、予め液体ＣＶＤ
原料供給装置の配管、バルブ、継手等に残留したＣＶＤ
原料をほとんど完全に除去しておく必要がある。

【０００５】従来より液体ＣＶＤ原料を除去するために
実施されている方法は、配管、バルブ、継手等に圧送用
ガスを送り、液体ＣＶＤ原料を液体ＣＶＤ原料容器へ押
し戻した後、内壁に液体ＣＶＤ原料が付着しているこれ
らの配管、バルブ、継手等の内部を、キャリアガスを
長時間流して液体ＣＶＤ原料を蒸発させて除去する方
法、外部からリボンヒーター等により加熱して液体Ｃ
ＶＤ原料を蒸発させて除去する方法、真空ポンプ等に
接続し減圧状態にすることにより液体ＣＶＤ原料を蒸発
させて除去する方法、蒸気圧が高く危険性がない有機
溶媒等の洗浄用液で洗浄した後、これを除去する方法等
である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな方法には次のような問題点があった。すなわち、
キャリアガスを長時間流して液体ＣＶＤ原料を蒸発させ
て除去する方法では、液体ＣＶＤ原料の中でも室温にお
ける蒸気圧が高いもの以外には適用できないという不都
合があった。外部のヒーターにより加熱して液体ＣＶＤ原料を蒸発
させて除去する方法では、高い温度で長時間加熱する必
要があった。そのため、次のＣＶＤプロセスを行なう場
合には、液体ＣＶＤ原料容器の交換に長時間を要し、こ
れを直ちに実施することができないという不都合があっ
た。また、配管、バルブ、継手等が均一に加熱されにく
く、高温加熱部では液体ＣＶＤ原料が分解して内壁に付
着し、次のＣＶＤプロセスに悪影響を与える恐れがあっ
たり、メンテナンスに手間がかかるという不都合もあっ
た。

【０００７】減圧状態にすることにより液体ＣＶＤ原
料を蒸発させて除去する方法では、長時間真空に近い減
圧状態に維持する必要があり、前記と同様に次のＣＶ
Ｄプロセスを直ちに行なうことができないという不都合
があった。洗浄用液で洗浄した後、該液体を除去する方法では、
配管、バルブ、継手等の内部を完全に洗浄することが困
難であるという不都合があった。また、これらを組み合
せた方法は、配管、バルブ、継手等の接続が複雑となり
大型化するほか、これらの装置のメンテナンスに手間が
かかるため実施することが非常に困難であった。従っ
て、本発明が解決しようとする課題は、ＣＶＤプロセス
終了時あるいは液体ＣＶＤ原料交換時の残留液体ＣＶＤ
原料の処理において、配管、バルブ、継手等に残留する
液体ＣＶＤ原料を、短時間で除去することが可能で、液
体ＣＶＤ原料容器の交換が液垂れすることなくでき、し
かも簡単な構成でメンテナンスに手間がかからないバル
ブユニットを提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、これらの
課題を解決すべく鋭意検討した結果、液体ＣＶＤ原料の
滞留部を小さくするとともに、該滞留部の配管、バル
ブ、継手等の部品を集積化することにより、加熱、減
圧、洗浄用液による洗浄が可能となり、液体ＣＶＤ原料
の除去処理が、短時間で実施できることを見い出した。
さらに、このような機能を備えた配管、バルブ、継手等
の部品をユニット化することにより、配管、バルブ、継
手等からの液垂れなしに取り外しが可能となり、メンテ
ナンスに手間がかからなくなることを見い出し本発明に
到達した。

【０００９】すなわち本発明は、金属製のヒーター内蔵
ブロックの内部に、液体ＣＶＤ原料を液体ＣＶＤ原料容
器からＣＶＤ装置へ送るための主流路、該主流路に洗浄
用液ラインを接続する補助流路、圧送用ガスを圧送用ガ
スラインから液体ＣＶＤ原料容器へ送るための主流路、
前記２主流路を接続する補助流路、及び前記２主流路の
各々に減圧ラインを接続する補助流路を設け、前記主流
路及び補助流路のブロック出入口部に継手を設け、か
つ、少なくとも前記圧送用ガスを圧送用ガスラインから
液体ＣＶＤ原料容器へ送るための主流路の圧送用ガスラ
イン側及び前記４補助流路の各々にバルブを設けたこと
を特徴とするヒーター内蔵バルブユニットである。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明は、ＣＶＤ装置に液体ＣＶ
Ｄ原料を供給するための装置に適用される。本発明のヒ
ーター内蔵バルブユニットによれば、ＣＶＤプロセス終
了時あるいは液体ＣＶＤ原料交換時に、配管、バルブ、
継手等に残留する液体ＣＶＤ原料の除去処理を短時間で
実施することが可能である。また、構成が簡単で小型化
されるため、多数の系統の液体ＣＶＤ原料供給ラインを
併設することが可能である。本発明のヒーター内蔵バル
ブユニットは、主に金属製のヒーター内蔵ブロック、そ
の内部に設けられる２個の主流路及び４個の補助流路、
該主流路及び補助流路のブロック出入口部に設けられる
継手、及び該主流路及び補助流路上に設けられるバルブ
により構成される。

【００１１】本発明のヒーター内蔵バルブユニットにお
いて、ヒーター内蔵ブロックの形状は、通常、直方体、
立方体、円柱形、またはこれらに類似する形状である。
また、大きさは、立方体に換算した場合の一辺の長さと
して５０〜２００ｍｍ程度のものである。ヒーター内蔵
ブロックのブロック部の材料は、液体ＣＶＤ原料を変質
させることがない金属であれば特に限定がないが、ＳＵ
Ｓ３１６、ＳＵＳ３１６Ｌ、インコネル等の耐食性の高
い金属材料を用いることが好ましい。また、これらの中
でも電解研磨したものが特に好ましい。

【００１２】本発明のヒーター内蔵バルブユニットにお
いて、主流路及び補助流路は、図１に示すように符号１
の金属製のブロックの内部に設けられる。すなわち、図
１において、符号２は液体ＣＶＤ原料を液体ＣＶＤ原料
容器からＣＶＤ装置へ送るための主流路、符号３は符号
２の主流路に洗浄用液ラインを接続する補助流路、符号
４は圧送用ガスを圧送用ガスラインから液体ＣＶＤ原料
容器へ送るための主流路、符号５は符号２の主流路と符
号４の主流路を接続する補助流路、符号６及び符号７は
各々符号２の主流路、符号４の主流路に減圧ラインを接
続する補助流路である。尚、これらの主流路及び補助流
路は、通常は内径が１〜５ｍｍ程度の断面が円形の流路
である。

【００１３】また、本発明のヒーター内蔵バルブユニッ
トにおいては、主流路及び補助流路のブロック出入口部
に、他の装置の配管と接続するための継手が設けられ
る。すなわち、図１の符号８として示すように、２個の
主流路のブロック出入口部と、該２個の主流路を接続す
る補助流路以外の３つの補助流路のブロック出入口部に
設けられる。継手の設置場所は、通常、金属製のブロッ
クの外側である。本発明のヒーター内蔵バルブユニット
は、これらの継手により、ＣＶＤ装置組み立て時あるい
はＣＶＤプロセス終了時に、液体ＣＶＤ原料容器、液体
ＣＶＤ原料供給ライン、洗浄用液ライン、圧送用ガスラ
イン、減圧ラインと容易に装着あるいは脱着することが
できる。

【００１４】さらに、本発明のヒーター内蔵バルブユニ
ットにおいては、図１の構成図の符号９〜符号１３とし
て示すように、少なくとも圧送用ガスを圧送用ガスライ
ンから液体ＣＶＤ原料容器へ送るための主流路の圧送用
ガスライン側及び４個の補助流路の各々にバルブが設け
られる。ここで圧送用ガスライン側とは、図１において
符号５の補助流路との分岐点及び符号７の補助流路との
分岐点よりも圧送用ガスラインに近い部分を意味する。
本発明においては、これ以外の部分にバルブを設けるこ
ともできるが、設置することによる効果が少なくメンテ
ナンスに手間がかかることから、前記の部分のみに設け
ることが好ましい。また、バルブは、ハウジング部分が
ブロックと一体化されたものであり、スピンドル部分が
ブロックから容易に取り外しが可能であることが好まし
い。ここでスピンドル部分あるいはハウジング部分と
は、各々図５のバルブの符号３３あるいは符号３４とし
て示す部分である。

【００１５】尚、本発明のヒーター内蔵バルブユニット
においては、主流路及び補助流路、バルブの障害となら
ない任意の部分にヒーターが設けられる。また、熱電
対、その他のブロックの温度を計測、制御するための装
置が設けられる。このように金属製のブロックの内部に
ヒーターを設置するので、主流路及び補助流路を短時間
で均一に加熱することができる。また、バルブを自動バ
ルブとし、ブロックの温度と併せて外部の制御装置でコ
ントロールすることも可能である。

【００１６】本発明のヒーター内蔵バルブユニットは、
液体ＣＶＤ原料が液体であってもまた固体を溶媒に溶解
したものであっても、液状を保持し得るものであれば特
に制限がなく適用することができる。液体ＣＶＤ原料と
しては、例えばテトラiso-プロポキシチタン（Ｔｉ（Ｏ
ＣＨ（ＣＨ₃）₂）₄）、テトラn-プロポキシチタン（Ｔ
ｉ（ＯＣ₃Ｈ₇）₄）、テトラ tert-ブトキシジルコニウ
ム（Ｚｒ（ＯＣ（ＣＨ₃）₃）₄）、テトラ tert-ブトキ
シハフニウム（Ｈｆ（ＯＣ（ＣＨ₃）₃）₄）、テトラn-
ブトキシジルコニウム（Ｚｒ（ＯＣ₄Ｈ₉）₄）、テトラ
メトキシバナジウム（Ｖ（ＯＣＨ₃）₄）、トリメトキシ
バナジルオキシド（ＶＯ（ＯＣＨ₃）₃）、ペンタエトキ
シニオブ（Ｎｂ（ＯＣ₂Ｈ₅）₅）、ペンタエトキシタン
タル（Ｔａ（ＯＣ₂Ｈ₅）₅）、トリメトキシホウ素（Ｂ
（ＯＣＨ₃）₃）、トリiso-プロポキシアルミニウム（Ａ
ｌ（ＯＣＨ（ＣＨ₃）₂）₃）、テトラエトキシケイ素
（Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₄）、テトラエトキシゲルマニウム
（Ｇｅ（ＯＣ₂Ｈ₅）₄）、テトラメトキシスズ（Ｓｎ
（ＯＣＨ₃）₄）、トリメトキシリン（Ｐ（ＯＣ
Ｈ₃）₃）、トリメトキシホスフィンオキシド（ＰＯ（Ｏ
ＣＨ₃）₃）、トリエトキシヒ素（Ａｓ（ＯＣ
₂Ｈ₅）₃）、トリエトキシアンチモン（Ｓｂ（ＯＣ
₂Ｈ₅）₃）等の常温で液体のアルコキシドを挙げること
ができる。

【００１７】また、前記のほかに、トリメチルアルミニ
ウム（Ａｌ（ＣＨ₃）₃）、ジメチルアルミニウムハイド
ライド（Ａｌ（ＣＨ₃）₂Ｈ）、トリiso-ブチルアルミニ
ウム（Ａｌ（ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）_２）_３）、ヘキサフ
ルオロアセチルアセトン銅ビニルトリメチルシラン
（（ＣＦ₃ＣＯ）₂ＣＨＣｕ・ＣＨ₂ＣＨＳｉ（Ｃ
Ｈ₃）₃）、ヘキサフルオロアセチルアセトン銅アリルト
リメチルシラン（（ＣＦ₃ＣＯ）₂ＣＨＣｕ・ＣＨ₂ ＣＨ
ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）₃）、ビス（iso-プロピルシクロペ
ンタジエニル）タングステンジハライド（（ＣＨ（ＣＨ
_３）_２Ｃ₅Ｈ_４）₂ＷＨ₂）、テトラキスジメチルアミノ
ジルコニウム（Ｚｒ（Ｎ（ＣＨ₃）₂）₄）、ビス（エチ
ルシクロペンタジエニル）ルテニウム（Ｒｕ（Ｃ_５Ｈ_４
Ｃ_２Ｈ_５）_２）、テトラキスジメチルアミノチタン（Ｔ
ｉ（Ｎ（ＣＨ₃）₂）₄）等の常温で液体の原料を例示す
ることができる。

【００１８】さらに、ヘキサカルボニルモリブデン（Ｍ
ｏ（ＣＯ）₆）、ジメチルペントオキシ金（Ａｕ（Ｃ
Ｈ₃）₂（ＯＣ₅Ｈ₇））、ビスジピバロイルメタナートバ
リウム（Ｂａ（（Ｃ（ＣＨ₃）₃）₂Ｃ₃ＨＯ₂）₂）、ビス
ジピバロイルメタナートストロンチウム（Ｓｒ（（Ｃ
（ＣＨ₃）₃）₂Ｃ₃ＨＯ₂）₂）、テトラジピバロイルメタ
ナートチタニウム（Ｔｉ（（Ｃ（ＣＨ₃）₃）₂Ｃ₃Ｈ
Ｏ₂）₄）、テトラジピバロイルメタナートジルコニウム
（Ｚｒ（（Ｃ（ＣＨ₃）₃）₂Ｃ₃ＨＯ₂）₄）、ビスジピバ
ロイルメタナート鉛（Ｐｂ（（Ｃ（ＣＨ₃）₃）₂Ｃ₃ＨＯ
₂）₂）等の常温で固体の原料を例示することができる。
ただし、これらは通常０．１〜０．５ｍｏｌ／Ｌ程度の
濃度でヘキサン、ヘプタン、酢酸ブチル、iso-プロピル
アルコール、テトラヒドロフラン等の有機溶媒に溶解し
て使用する必要がある。

【００１９】図２は、本発明のヒーター内蔵バルブユニ
ットを適用したＣＶＤプロセスシステムの一例を示す構
成図である。本発明のヒーター内蔵バルブユニットは、
ＣＶＤプロセスを開始する前に液体ＣＶＤ原料容器、液
体ＣＶＤ原料供給ライン、洗浄用液ライン、圧送用ガス
ライン、及び減圧ラインと接続される。ＣＶＤプロセス
を実施している間は、液体ＣＶＤ原料容器、液体ＣＶＤ
原料供給ライン、及び圧送用ガスラインと接続するバル
ブは開けられており、洗浄用液ライン及び減圧ラインは
通常閉じられている。このようにして主流路４には、圧
送用ガスが圧送用ガスラインから液体ＣＶＤ原料容器へ
流れ、主流路２には、液体ＣＶＤ原料が液体ＣＶＤ原料
容器から液体ＣＶＤ原料供給ラインへ流れる。

【００２０】ＣＶＤプロセスを終了する際あるいはＣＶ
Ｄ原料を交換する際における本発明ヒーター内蔵バルブ
ユニットの使用方法の例を、図２を用いて以下に説明す
る。

【００２１】(1) ＣＶＤプロセスを終了または中止した
直後は、バルブ１４、バルブ１５、バルブ１０、バルブ
１６は開いており、バルブ９、バルブ１１、バルブ１
２、バルブ１３は閉じている。また、液体ＣＶＤ原料
は、主流路２に残留している。 (2) バルブ１４、バルブ１５、バルブ１０を閉じ、バル
ブ１３を開けて主流路４及び液体ＣＶＤ原料容器を減圧
にする。

【００２２】(3) バルブ１６、バルブ１３を閉じ、バル
ブ１５を開けて主流路２を減圧にする。 (4) バルブ１０、バルブ１１を開けて、圧送用ガスライ
ンから圧送用ガスを送り、主流路２に残留している液体
ＣＶＤ原料を液体ＣＶＤ原料容器へ押し戻す。その後、
バルブ１０、バルブ１１、バルブ１５閉じる。

【００２３】(5) バルブ１２を開けて主流路２を減圧に
する。次にバルブ１２を閉じ、バルブ９を開けて主流路
２に洗浄用液を流す。次にバルブ９を閉じ、バルブ１２
を開けて主流路２を減圧し洗浄用液を除去する。その
後、バルブ１２を閉じる。液体ＣＶＤ原料の種類等の条
件によりこれを数回繰り返す。尚、洗浄用液としては、
ヘキサン、ヘプタン、酢酸ブチル、iso-プロピルアルコ
ール、テトラヒドロフラン等の有機溶媒を用いることが
できる。

【００２４】(6) ブロックを加熱するとともにバルブ１
２を開けて主流路２を減圧にする。その後、加熱を終了
するとともにバルブ１２を閉じ、バルブ１０、バルブ１
１開けて液体ＣＶＤ原料の除去操作が終了する。

【００２５】

【実施例】次に、本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明がこれらにより限定されるものではない。（実施例１）図３のようなＳＵＳ３１６Ｌ製のブロッ
ク、５個のバルブ、及び７個の継手を有するヒーター内
蔵バルブユニット（図３の(1)は正面図、(2)は側面図）
を作製した。該ヒーター内蔵バルブユニットは、ブロッ
クの大きさが８６×１０８×３２ｍｍであり、主流路及
び補助流路の内径が１．５ｍｍであった。このヒーター
内蔵バルブユニットについて、ヒーターの温度を１５０
℃に設定した時のブロックの中央部と周辺部の昇温状態
を図４に示した。図４により、本発明のヒーター内蔵バ
ルブユニットは、温度のばらつきが小さいことが確認さ
れた。

【００２６】次に、図２のように装置を組み立てＣＶＤ
プロセスを行なった後、以下のようにして該ヒーター内
蔵バルブユニットから液体ＣＶＤ原料であるヘキサフル
オロアセチルアセトン銅ビニルトリメチルシラン（以
下、ｈｆａ・Ｃｕ・ｖｔｍｓと記載する）を除去した。

【００２７】(1) ＣＶＤプロセスを終了した直後は、バ
ルブ１４、バルブ１５、バルブ１０、バルブ１６は開い
ており、バルブ９、バルブ１１、バルブ１２、バルブ１
３は閉じていた。また、主流路２はｈｆａ・Ｃｕ・ｖｔ
ｍｓが残留していた。

【００２８】(2) バルブ１４、バルブ１５、バルブ１０
を閉じ、バルブ１２を開けて、５分間主流路２を真空排
気した。この時、主流路２は０．２ｔｏｒｒ以下であっ
た。その後、バルブ１２を閉じた。

【００２９】(3) バルブ１３を開けて主流路４及び液体
ＣＶＤ原料容器を減圧にした。この時、主流路４の内部
及び液体ＣＶＤ原料容器の上部は、０．２ｔｏｒｒ以下
であった。

【００３０】(4) バルブ１６、バルブ１３を閉じ、バル
ブ１０、バルブ１１、バルブ１５を開けて、圧送用ガス
ラインから圧送用ガスを送り、主流路２の下部に残留し
ていたｈｆａ・Ｃｕ・ｖｔｍｓを液体ＣＶＤ原料容器へ
押し戻した。尚、圧送用ガスとしてはヘリウムガスを用
いた。その後、バルブ１５、バルブ１１閉じた。

【００３１】(5) バルブ１２を開けて主流路２を５分間
真空排気した。 (6) バルブ１２を閉じ、バルブ９を開けて主流路２に洗
浄用液を流した。尚、洗浄用液としてはアセトン（沸点
５６℃）を用いた。次にバルブ９を閉じた後、バルブ１
２を開けて主流路２を５分間真空排気した。

【００３２】(7) (6)の操作をさらに３回繰り返した
後、バルブ１２を閉じ、バルブ１１を開けて主流路２に
圧送用ガスを流した。その後、バルブ１１を閉じた。

【００３３】(8) ブロックを４０℃に加熱した後、バル
ブ１２を開けて主流路２を１時間真空排気した。この
時、主流路２は０．２ｔｏｒｒ以下であった。次に加熱
を終了するとともにバルブ１２を閉じた。

【００３４】(9) バルブ１１を開けて主流路２に圧送用
ガスを流してｈｆａ・Ｃｕ・ｖｔｍｓの除去処理を終了
した。液体ＣＶＤ原料容器をヒーター内蔵バルブユニッ
トから取り外して調べた結果、ｈｆａ・Ｃｕ・ｖｔｍｓ
の液垂れはなく、ｈｆａ・Ｃｕ・ｖｔｍｓが完全に除去
されていることが確認できた。

【００３５】（実施例２）実施例１で使用したヒーター
内蔵バルブユニットと同一のヒーター内蔵バルブユニッ
トを使用して、図２のＣＶＤプロセスを行なった後、以
下のようにして該ヒーター内蔵バルブユニットから液体
ＣＶＤ原料であるテトラiso-プロポキシチタンを除去し
た。

【００３６】(1) ＣＶＤプロセスを終了した直後は、バ
ルブ１４、バルブ１５、バルブ１０、バルブ１６は開い
ており、バルブ９、バルブ１１、バルブ１２、バルブ１
３は閉じていた。また、主流路２はテトラiso-プロポキ
シチタンが残留していた。

【００３７】(2) バルブ１４、バルブ１５、バルブ１０
を閉じ、バルブ１２を開けて、５分間主流路２を真空排
気した。この時、主流路２は０．２ｔｏｒｒ以下であっ
た。その後、バルブ１２を閉じた。

【００３８】(3) バルブ１３を開けて主流路４及び液体
ＣＶＤ原料容器を１分間減圧にした。この時、主流路４
の内部及び液体ＣＶＤ原料容器の上部は、１０ｔｏｒｒ
以下であった。

【００３９】(4) バルブ１６、バルブ１３を閉じ、バル
ブ１０、バルブ１１、バルブ１５を開けて、圧送用ガス
ラインから圧送用ガスを送り、主流路２の下部に残留し
ていたテトラiso-プロポキシチタンを液体ＣＶＤ原料容
器へ押し戻した。尚、圧送用ガスとしては窒素ガスを用
いた。その後、バルブ１５、バルブ１１閉じた。

【００４０】(5) バルブ１２を開けて主流路２を５分間
真空排気した。 (6) バルブ１２を閉じ、バルブ９を開けて主流路２に洗
浄用液を流した。尚、洗浄用液としてはヘキサン（沸点
６９℃）を用いた。次にバルブ９を閉じた後、バルブ１
２を開けて主流路２を５分間真空排気した。

【００４１】(7) (6)の操作をさらに１５回繰り返した
後、バルブ１２を閉じ、バルブ１１を開けて主流路２に
圧送用ガスを流した。その後、バルブ１１を閉じた。

【００４２】(8) ブロックを１２０℃に加熱した後、バ
ルブ１２を開けて主流路２を１時間真空排気した。この
時、主流路２は０．２ｔｏｒｒ以下であった。次に加熱
を終了するとともにバルブ１２を閉じた。

【００４３】(9) バルブ１１を開けて主流路２に圧送用
ガスを流してテトラiso-プロポキシチタンの除去処理を
終了した。液体ＣＶＤ原料容器をヒーター内蔵バルブユ
ニットから取り外して調べた結果、テトラiso-プロポキ
シチタンの液垂れはなく、テトラiso-プロポキシチタン
が完全に除去されていることが確認できた。

【００４４】（比較例１）実施例１で使用したヒーター
内蔵バルブユニットにおいて、洗浄用液ラインに接続す
る補助流路３がないこと、及びヒーター１７を内蔵して
いないこと以外は実施例１と同じバルブユニットを作製
した。このバルブユニットを用いて図２のように装置を
組み立てＣＶＤプロセスを行なった後、減圧操作のみに
より該バルブユニットから液体ＣＶＤ原料であるテトラ
iso-プロポキシチタンを除去することを試みた。すなわ
ち、実施例２において、(5)(6)(7)のヘキサンによる洗
浄操作を行なわなかったこと、及び(8)は加熱しないで
１時間真空排気を行なったこと以外は実施例２と同様に
して、テトラiso-プロポキシチタンの除去処理を行なっ
た。除去処理を終了した後、液体ＣＶＤ原料容器をヒー
ター内蔵バルブユニットから取り外したところ、テトラ
iso-プロポキシチタンの液垂れが確認された。

【００４５】

【発明の効果】本発明のヒーター内蔵バルブユニットに
より、ＣＶＤプロセス終了時あるいは液体ＣＶＤ原料交
換時に、配管、バルブ、継手等に残留する液体ＣＶＤ原
料を短時間で除去すること、及び液体ＣＶＤ原料容器を
液垂れすることなく交換することが可能となった。ま
た、本発明のヒーター内蔵バルブユニットにより、多数
の系統の液体ＣＶＤ原料供給ラインを併設することが可
能となった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のヒーター内蔵バルブユニットの一例を
示す構成図

【図２】本発明のヒーター内蔵バルブユニットを使用し
たＣＶＤプロセスシステムの一例を示す構成図

【図３】本発明のヒーター内蔵バルブユニットの一例の
正面図及び側面図

【図４】本発明のヒーター内蔵バルブユニットのブロッ
クの昇温状態の一例示すグラフ

【図５】本発明におけるバルブの一例の側面図

【符号の説明】

１ブロック２液体ＣＶＤ原料を液体ＣＶＤ原料容器からＣＶＤ装
置へ送るための主流路３主流路２に洗浄用液ラインを接続する補助流路４圧送用ガスを圧送用ガスラインから液体ＣＶＤ原料
容器へ送るための主流路５２主流路を接続する補助流路６主流路２に減圧ラインを接続する補助流路７主流路４に減圧ラインを接続する補助流路８継手９バルブ１０バルブ１１バルブ１２バルブ１３バルブ１４バルブ１５バルブ１６バルブ１７ヒーター１８ヒーター内蔵バルブユニット１９洗浄用液ライン２０圧送用ガスライン２１減圧ライン２２液体ＣＶＤ原料２３液体ＣＶＤ原料容器２４液体ＣＶＤ原料供給ライン２５液体流量制御部２６逆止弁２７霧化器２８気化器２９ガス加熱器３０ガス流量制御器３１ＣＶＤ装置３２ブロックヒーター３３スピンドル部分３４ハウジング部分

フロントページの続き (72)発明者淺野彰良神奈川県平塚市田村5181番地日本パイオニクス株式会社平塚研究所内Ｆターム(参考） 4M104 BB02 BB04 BB09 BB13 BB14 BB16 BB17 BB36 DD44 5F045 AC08 AC09 BB08 EC08 EC10 EE03 EE04

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】金属製のヒーター内蔵ブロックの内部
に、液体ＣＶＤ原料を液体ＣＶＤ原料容器からＣＶＤ装
置へ送るための主流路、該主流路に洗浄用液ラインを接
続する補助流路、圧送用ガスを圧送用ガスラインから液
体ＣＶＤ原料容器へ送るための主流路、前記２主流路を
接続する補助流路、及び前記２主流路の各々に減圧ライ
ンを接続する補助流路を設け、前記主流路及び補助流路
のブロック出入口部に継手を設け、かつ、少なくとも前
記圧送用ガスを圧送用ガスラインから液体ＣＶＤ原料容
器へ送るための主流路の圧送用ガスライン側及び前記４
補助流路の各々にバルブを設けたことを特徴とするヒー
ター内蔵バルブユニット。
【請求項２】バルブのスピンドル部分が、金属製のヒ
ーター内蔵ブロックから取り外しが可能である請求項１
に記載のヒーター内蔵バルブユニット。