JP2000173846A - インダクタンス素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、巻線と端子部との接合強度を向上
させ、安定した実装性を得ることが出来る巻線型のイン
ダクタンス素子及び製造方法を提供することを目的とす
る。 【解決手段】 基体７の両端に端子部１４，１５を設
け、端子部１４，１５の間に巻線１３を巻回したインダ
クタンス素子であって、端子部１４，１５を端子電極と
接合層から構成し、端子電極を少なくとも導電膜１０１
ａと導電膜１０１ｂで構成し、導電膜１０１ａと導電膜
１０１ｂの間に巻線１３の接合部を設けるとともに、少
なくとも導電膜１０１ｂを融点が２６０℃以上の材料で
構成した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信器，電
源および他の電子機器に用いられるインダクタンス素子
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図７は従来のインダクタンス素子を示す
斜視図である（実開昭６１−１４４６１６号公報）。図
７において、１は基体で、基体１は両端部に鍔部２，３
がそれぞれ設けられており、鍔部２と鍔部３の間には巻
部４が形成されている。また、鍔部２，３にはそれぞれ
溝部５が設けられている。６は基体１に巻回された巻線
で、巻線６の端部はそれぞれ溝部５に保持されている。
この様な構成によって、回路基盤等にインダクタンス素
子を実装する場合に方向性が存在せず、実装性が向上
し、回路基盤の生産性が向上する。また、巻線が接合部
分となる鍔部よりはみ出さないので、実装性を向上させ
ることができる。

【０００３】他の従来例としては、例えば特開平８−１
２４７４８号公報，特開平８−１２４７４９号公報，特
開平８−２１３２４８号公報および実開平３−１５１０
号公報，特開平９−３０６７４４号公報等が存在する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら以上のよ
うな構成では、鍔部２，３に大きな溝部５を設けなけれ
ばならず基体１を設計する際に自由度が小さくなるとい
う問題点があった。また、巻線６の巻き始め部と巻き終
わり部を溝部５に収納するメカ動作が必要になり、巻線
５を巻回する工程の生産性が大幅に低下するという問題
点があった。

【０００５】また、上述の様に溝部５を設けることで、
端子部と巻線６との接合強度を大きくできるが、溝部５
を大きく設けてしまうと上述の様な問題点が生じる。

【０００６】本発明は、上記従来の課題を解決するもの
で、巻線と端子部の接合強度を向上させることができる
インダクタンス素子及びその製造方法を提供することを
目的としている。

【０００７】また、本発明は、上記目的に加えて実装性
を向上させる事ができるインダクタンス素子及びその製
造方法を提供するものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、巻線と導電膜
の接合部分を２つの導電膜で挟み込み、しかも上部に形
成される導電膜を２６０℃以上の融点を有する材料で構
成した。

【０００９】

【発明の実施の形態】請求項１記載の発明は、基体と、
前記基体に巻回された巻線と、前記基体に設けられ前記
巻線と接合される端子部とを備えたインダクタンス素子
であって、前記端子部に少なくとも２層の導電膜を積層
して設け、前記２層の導電膜の間に巻線接合部を設け、
前記２層の導電膜の内少なくとも前記端子部から離れた
導電膜を２６０℃以上の融点を有する材料で構成した事
によって、導電膜と巻線接合部との接合強度を大きくで
きると共に、高温下における接合強度を向上させること
ができ、巻線の外れによる断線等を防止でき、しかも巻
線接合部によって生じる段差を緩和できるので、素子を
回路基板などに実装した際に、素子の実装姿勢を良くす
ることができる。

【００１０】請求項２記載の発明は、基体と、前記基体
に巻回された巻線と、前記基体に設けられ前記巻線と接
合される端子部とを備えたインダクタンス素子であっ
て、前記端子部に銀，銅，銀合金，銅合金，半田，錫，
ニッケル，ニッケル合金，金，金合金の少なくとも一つ
で構成された第１の導電膜を形成し、前記第１の導電膜
の上に銀，銅，銀合金，銅合金，ニッケル，ニッケル合
金，金，金合金，錫−銀合金，錫−ビスマス合金，錫−
銀−ビスマスの少なくとも一つで構成された第２の導電
膜を形成し前記第１の導電膜と第２の導電膜の間に巻線
接合部を設けた事によって、導電膜と巻線接合部との接
合強度を大きくできると共に、第２の導電膜を高融点に
材料を選択したので、高温下における接合強度を向上さ
せることができ、巻線の外れによる断線等を防止でき、
しかも巻線接合部によって生じる段差を緩和できるの
で、素子を回路基板などに実装した際に、素子の実装姿
勢を良くすることができる。

【００１１】請求項３記載の発明は、基体と、前記基体
に巻回された巻線と、前記基体に設けられ前記巻線と接
合される端子部とを備えたインダクタンス素子であっ
て、前記端子部に端子部上に下地膜を設け、前記下地膜
の上に第１の導電膜を設け、前記第１の導電膜上に第２
の導電膜を設け、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜
の間に巻線接合部を設け、前記第２の導電膜を２６０℃
以上の融点を有する材料で構成した事によって、導電膜
と巻線接合部との接合強度を大きくできると共に、高温
下における接合強度を向上させることができ、巻線の外
れによる断線等を防止でき、しかも巻線接合部によって
生じる段差を緩和できるので、素子を回路基板などに実
装した際に、素子の実装姿勢を良くすることができる。
また、下地膜を設けたことによって、基体と密着性など
の面で相性の悪い材料を導電膜に用いたい場合、下地膜
を設けることによって、特性の良い良好な導電膜を設け
ることができる。

【００１２】請求項４記載の発明は、請求項１〜３にお
いて、基体の両端部に鍔部を設け、前記鍔部に端子部を
設けた事によって、実装の際に、巻線の巻部が基板と接
触することを防止できるので、実装性が良くなる。

【００１３】請求項５記載の発明は、請求項１〜３にお
いて、導電膜上に耐食層と接合層を順に積層した事によ
って、端子部の耐食性と接合性を向上させて、回路基板
などに良好に実装固定される。

【００１４】請求項６記載の発明は、請求項１〜３にお
いて、巻線を覆う保護材を設けた事によって、巻線の保
護を実現できるので、巻線のバラケによるＬ値，Ｑ値の
少なくとも一つの経時変化の防止でき、しかも断線等を
防止でき、特性劣化を防止できる。

【００１５】請求項７記載の発明は、基体の両端に第１
の導電膜を形成し、前記基体に巻線を巻回し、前記巻線
を前記第１の導電膜に接合し、前記巻線を覆うようにし
かも第１の導電膜を露出するように保護材を設け、前記
第１の導電膜上に融点が２６０℃以上の材料で構成され
た第２の導電膜を形成した事によって、巻線に他の膜を
付着させずに、巻線接合部を第２の導電膜によって覆う
ことができるので、量産性に富み、確実な巻線と導電膜
の接合を行う事ができる。

【００１６】請求項８記載の発明は請求項７において、
第２の導電膜の上に耐食層と接合層を順に積層した事に
よって、耐食性と接合性を向上させることができる。

【００１７】請求項９記載の発明は、請求項７によっ
て、巻線と第１の導電膜を熱圧着，超音波溶接，レーザ
ー溶接，スポット溶接，導電性接着在による接合の少な
くとも一つの手法で接合した事によって、確実でしかも
接合強度の強い巻線と導電膜の接合を実現できる。

【００１８】請求項１０記載の発明は、請求項７におい
て、基体の上に下地膜を形成した後に第１の導電膜を設
けた事により、基体と相性の悪い導電膜を容易に基体上
に設けることができる。

【００１９】以下、本発明におけるの実施の形態につい
て説明する。図１は本発明の一実施の形態におけるイン
ダクタンス素子を示す斜視図である。

【００２０】図１において、７は基体で、基体７はアル
ミナ等の非磁性材料やフェライト（具体的にはＮｉ−Ｍ
ｎ系フェライト，Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト等）等の磁性
材料などが用いられる。基体７の構成材料としてアルミ
ナ等の非磁性材料を用いる場合には、対応周波数が１０
０ＭＨｚ以上が好ましく、特に非磁性材料として前述の
アルミナ若しくはアルミナを含む材料を用いると、特性
面およびコスト面等で非常に有利になる。また、基体７
の構成材料としてフェライト等の磁性材料を用いる場合
には、特性面，加工性の面およびコスト面で有利にな
る。

【００２１】図２は本発明の一実施の形態におけるイン
ダクタンス素子の基体７のみを示した斜視図である。図
２に示す様に、基体７は後述する巻線を巻回する巻部８
と巻部８の両端にそれぞれ設けられた鍔部９，１０より
構成されている。巻部８および鍔部９，１０の断面形状
は略正方形状の直方体である。また、巻部８は鍔部９，
１０より段落ちしており、巻部８の径は鍔部９，１０の
径よりも小さくなっている。巻部８は後述する巻線が巻
回されるので、巻線の被膜等に傷が入り、ショート等を
防止する等の目的で角部８ａに面取りやテーパー加工な
どを施した方が好ましい。

【００２２】また、例えば鍔部１０と巻部８の境界には
テーパー部１１を設けることによって、巻線を巻きやす
くしたり、巻線の被覆に傷が入ったりすることを防止す
ることができる。同様に鍔部９と巻部８の境界部にもテ
ーパー部１２を設けた。

【００２３】１３は基体７に巻回された巻線で、巻線１
３は巻部８上に巻かれており、巻線１３は、隙間を設け
て巻かれるか、密着して巻かれている。巻線１３を隙間
を設けて巻部８上に巻回する事で、Ｑ値の劣化などを防
止し、巻線１３を密着して巻くことで、巻数を増やしイ
ンダクタンスを高くすることができる。

【００２４】１４，１５は鍔部９，１０にそれぞれ設け
られた端子部で、端子部１４，１５は端子電極と接合層
から構成されている。

【００２５】図３，図４に示す様に、端子電極は、基体
７の上に導電材料で構成された下地膜１００と、下地膜
１００の上に形成され導電材料にて構成された導電膜１
０１ａと、導電膜１０１ａの上に積層された導電膜１０
１ｂとを含む構成となっている。この場合、特に下地膜
１００を基体７上に無電解メッキにて形成するかもしく
は導電ペーストを基体７の上に塗布し、焼き付けで形成
する事によって、電解メッキを行いにくいセラミック
（アルミナやフェライト等）で構成された基体７上に容
易に下地膜１００を形成することができ、その下地膜１
００の上に電解メッキによって、導電膜１０１ａを形成
することによって、短時間でしかも厚い膜厚の端子電極
を形成することができる。

【００２６】更に、導電膜１０１ａと導電膜１０１ｂの
間には、巻線１３のつぶされた端部が挟み込まれてい
る。この時、少なくとも導電膜１０１ｂは２６０℃（好
ましくは３００℃）で溶融しない材料（融点が２６０℃
以上）で構成されている。すなわち、導電膜１０１ｂは
融点が２６０℃以上好ましくは３００℃以上である金属
材料で構成することが好ましい。この様な構成によっ
て、巻線１３の端部は導電膜１０１ａと導電膜１０１ｂ
に挟み込まれる構成とすることによって、接合強度が大
幅に増すことになり、巻線１３の端子部１４，１５から
の脱落等の発生する確率が極めて少なくなる。なお、本
実施の形態では、導電膜１０１ａ，１０１ｂの双方を２
６０℃で溶融しない材料で構成した。

【００２７】また、導電膜１０１ｂを２６０℃（好まし
くは３００℃）で溶融しない材料で構成することによっ
て、通常電子部品等を回路基板等に接合するときの接合
材が溶融する温度で導電膜１０１ｂが溶融しにくいよう
に構成されているので、リフロー等で熱処理されても、
巻線１３の外れ等は生じることはない。

【００２８】なお、本実施の形態では、端子電極を３層
（下地膜１００，導電膜１０１ａ，導電膜１０１ｂ）で
構成したが、２層でも４層以上でもよい。端子電極を２
層で構成する場合には、例えば、下地膜１００と導電膜
１０１ａを兼用する一つの導電膜で構成し、その導電膜
の上に導電膜１０１ｂを設けた構成としたり、下地膜１
００が不要な場合には、基体７上に直接導電膜１０１ａ
と導電膜１０１ｂを順に積層する構成である。また、端
子電極自体に耐候性を持たせたい場合や、基体７の保護
を行う場合、或いは端子電極と基体７との密着強度を向
上させる場合には、３層以上の多層膜にすることが好ま
しい。

【００２９】下地膜１００，導電膜１０１ａ，導電膜１
０１ｂの構成材料としては、銅，銀，金等の導電性金属
材料や銅合金、銀合金，金合金などの導電性合金材料及
びそれら導電性材料に他の元素を添加したものなどが用
いられる。特に、下地膜１００に銀或いは銀合金を焼き
付けで形成し、下地膜１００の上に銅或いは銅合金を電
解メッキ等にて導電膜１０１ａを形成することが、生産
性やコストの面で非常に有利であり、しかも基体７と端
子電極との接合強度を大きくすることができる。

【００３０】また、導電膜１０１ａは銀，銅，銀合金，
銅合金，半田，錫，ニッケル，ニッケル合金，金，金合
金の少なくとも一つで構成される事が好ましく、導電膜
１０１ｂは銀，銅，銀合金，銅合金，ニッケル，ニッケ
ル合金，金，金合金，錫−銀合金，錫−ビスマス合金，
錫−銀−ビスマスの少なくとも一つで構成する事が好ま
しい。なお、導電膜１０１ｂを特に錫−銀合金，錫−ビ
スマス合金，錫−銀−ビスマスの少なくとも一つで構成
する事によって、鉛を不要とするいわゆる鉛フリーの合
金で構成することによって、環境に非常に優しい電子部
品を供給できる。

【００３１】また、特に好ましい実施の形態としては、
下地膜１００として銀或いは銀合金を焼き付けなどによ
って形成し、その上に電解メッキ等のメッキ法にて、銀
或いは銀合金で構成される導電膜１０１ａを形成する。
次に、導電膜１０１ａ上に熱圧着や超音波溶接などによ
って、巻線１３を接合し、その後に、融点が２６０℃以
上である銅或いは銅合金によって、導電膜１０１ｂを形
成する構成がある。

【００３２】なお、本実施の形態では、下地膜１００の
厚さとして２μｍ〜３０μｍ（更に好ましくは２μｍ〜
１０μｍ）とする事が好ましく、導電膜１０１ａとして
は、１０μｍ〜３０μｍ（更に好ましくは１８μｍ〜２
２μｍ）とする事が好ましく、導電膜１０１ｂとして
は、３μｍ〜１００μｍ（更に好ましくは２０μｍ〜３
０μｍ）とする事が好ましい。

【００３３】端子電極の上に接合層を形成するが、この
接合層は、配線パターン等に素子と電気的な接合を行う
ための半田等が付着している等の場合には、不要となる
が、一般的には、回路基板との接合強度を増すために、
接合層を設けることが好ましい。

【００３４】接合層は耐食層１０２と接合表層１０３か
ら構成されており、少なくとも接合層としては接合表層
１０３は必要になり、耐食層１０２は時と場合によって
必要に応じて設ける。耐食層１０２としてはＮｉ，Ｔ
ｉ，パラジウム等の耐食性のある金属かもしくはそれら
の合金をメッキ法等によって形成する。この耐食層１０
２を設けることによって、端子電極の耐食性を飛躍的に
向上させることができる。耐食層１０２上には、半田等
の導電性接合材で構成され、メッキ法等などで形成され
た接合表層１０３が設けられている。

【００３５】１６は巻線１３の端部を除いてほぼ全てを
覆うを覆うように設けられた保護材で、保護材１６はエ
ポキシ樹脂等の耐候性を有する材料で構成されている。
保護材１６の構成材料としては他にレジストが用いるこ
とができ、レジストを用いる事によって容易に保護材１
６の形成が可能になり生産性が向上する。また、保護材
１６としてカチオン系またはアニオン系樹脂によって構
成された電着膜で作製することもでき、電着膜を用いる
事によって、一度に大量の素子に保護材１６を形成する
ことが出きるので、非常に生産性を向上させることがで
きる。この様に巻線１３を覆うように保護材１６を設け
る事によって、実装機のノズルで素子を吸着し易くな
り、しかもノズル等によって巻線１３が変形したり、時
には切れたりすることは、発生しない。なお、保護材１
６として絶縁材料を用いることによって巻線１３間の確
実な絶縁を行うことができる。また、保護材１６として
表面が滑らかな樹脂材料を用いることによって、更にノ
ズルでの吸着特性を向上させることができ、実装ミスな
どを抑制できる。この様に、従来では実装部品として不
向きであった巻線タイプのインダクタンス素子におい
て、保護材１６を設ける構成とすることによって、飛躍
的に実装性を向上させることができる。

【００３６】また、保護材１６としては、熱収縮性を有
する樹脂材料で構成されたチューブ状体を基体７に挿入
する構成でも良い。この様な構成によって、寸法精度を
非常に向上させることができ、確実な巻線保護を行うこ
とができるとともに、工程を簡略化でき、不良品の発生
を抑制できる。具体的な方法としては、まず、基体７よ
りも径の大きなチューブ状体（断面が円形状，方形状，
楕円形状等）を熱収縮性材料で構成し、そのチューブ状
体を基体７に挿入し、熱処理することで、チューブ状体
を収縮させ、確実にチューブ状体を基体７に設ける。

【００３７】次にインダクタンス素子の製造方法につい
て説明する。まず、乾式プレスや押し出し成形などによ
って、基体７を作製する。このとき押し出し法等で基体
７を作製する場合には切削加工等を用いて巻部８及び鍔
部９，１０を作製する。次に鍔部９の全面（本実施の形
態では４つの側面９ａ及び一つの端面９ｂ）に下地膜１
００を形成し、その後に下地膜１００の上に電解メッキ
などによって導電膜１０１ａを形成する。この時、下地
膜１００及び導電膜１０１ａは鍔部９の全面に形成した
が、側面９ａにのみに形成する構成や、端面９ｂのみに
形成する構成や、側面９ａの一部にしかも環状に形成す
る構成等Ｑ値や実装性を考慮して様々な形態をとること
ができる、鍔部１０についても同様に鍔部１０の全面
（本実施の形態では４つの側面１０ａ及び一つの端面１
０ｂ）に下地膜１００を形成し、その後に下地膜１００
の上に電解メッキなどによって導電膜１０１ａを形成す
る。

【００３８】次に、巻線１３を巻部８に巻回する。この
時、巻回数は、素子のインダクタンス等を考慮して決定
される。また、Ｑ値を向上させるために、巻線１３と巻
線１３の間に隙間を設けて、Ｑ値を向上させることも可
能となる。更に、この時下地膜１００，導電膜１０１ａ
と巻線１３は巻線１３の端部を除いて所定の間隔を設け
る事が好ましい。

【００３９】次に、巻線１３の端部と導電膜１０１ａを
熱圧着等で接合する。なお、巻線１３と導電膜１０１ａ
の接合には他にレーザ溶接やスポット溶接，導電性接着
剤（半田，導電性の樹脂）による接合などを用いること
ができる。

【００４０】次に、巻線１３上に保護材１６を設ける。
この時、少なくとも端子部１４，１５を露出させるよう
に保護材１６は設けられる。この時、保護材１６とし
て、熱収縮性のある材料で構成されたチューブ状体を用
いる場合には、チューブ状体を基体７に挿入した後に熱
処理して、チューブ状体を収縮させる。

【００４１】次に、電解メッキ等のメッキ法にて、２６
０℃で溶融しない材料によって、導電膜１０１ｂを形成
し、巻線１３と導電膜１０１ａの接合部を覆う。この様
な構成によって、巻線１３の導電膜１０１ａとの接合部
は高融点の材料で覆われることになるので、熱が加わっ
ても、容易に外れることはなく、しかも接合強度を非常
に大きくすることができる。また、巻線１３と導電膜１
０１ａの接合部を導電膜１０１ｂで覆うことによって、
その接合部によって、生じる段差を緩和できるので、素
子を回路基板などに実装した際に、素子の座りが良くな
り、実装性が向上する。

【００４２】接合層を要しない場合には、ここまでの工
程でよいが、接合層を必要とする場合には以下の工程が
必要になる。

【００４３】まず、図７に示す様にＮｉやＴｉ等の耐食
性のある材料で耐食層１０２をメッキ法やスパッタリン
グ法で形成し、その耐食層１０２の上に半田，鉛レス半
田等の導電性接合材で構成された接合表層１０３がメッ
キ法等で形成される。本実施の形態の場合この耐食層１
０２と接合表層１０３で接合層が形成されている。な
お、接合層としては、耐食層１０２は使用環境等によっ
て省略することができるので、少なくとも接合表層１０
３が必要になる。

【００４４】この接合層を端子電極の上に設けること
で、巻線１３は確実に端子電極との接合強度を増すこと
ができる。この様に端子電極と接合電極で端子部１４，
１５が形成され、素子が完成する。

【００４５】なお、本実施の形態では、鍔部９，１０及
び巻部８の断面形状を略正方形となるように構成した
が、正五角形，正六角形などの略正多角形状になるよう
に構成しても良いし、略円形状となるようにしても良
い。すなわち、素子を回路基板上に実装したときに方向
性のない断面形状であればよい。

【００４６】なお、今まで説明してきた素子のサイズ
（図１に示す高さＰ１，幅Ｐ２，長さＰ３）は、以下の
範囲にすることが好ましい。

【００４７】０．４ｍｍ＜Ｐ１＜１．２ｍｍ（好ましく
は０．７ｍｍ＜Ｐ１＜１．２ｍｍ） ０．４ｍｍ＜Ｐ２＜１．２ｍｍ（好ましくは０．７ｍｍ
＜Ｐ２＜１．２ｍｍ） ０．９ｍｍ＜Ｐ３＜２．０ｍｍ（好ましくは１．５ｍｍ
＜Ｐ３＜２．０ｍｍ） Ｐ１及びＰ２が０．４ｍｍ以下であれば、基体７の機械
的強度が弱くなり、巻線１３する際に素子折れなどが発
生することがあるとともに、巻線１３の巻径が小さくな
ってしまい所定の特性が得られなく、更には、巻線１３
が急激に曲げられることになるので、巻線１３の破損が
発生しやすく、しかも皮膜の剥がれ等の起こりやすくな
る。なお、Ｐ１，Ｐ２が０．７ｍｍ以上であれば、上記
不具合は更に発生する確率が低くなる。また、Ｐ１，Ｐ
２が１．２ｍｍ以上であると、素子自体が大きくなり過
ぎて、実装面積が広くなってしまい、回路基盤等の小型
化が行えず、ひいては装置の小型化を行うことは出来な
い。また、Ｐ３が０．９ｍｍ以下であると、巻線１３の
巻数が制限されることになり、所定のインダクタンスを
得ることは出来ず、しかも巻線１３の巻数を多くしよう
とすると、巻線１３の径を細くしなければならず、自動
巻線機等で巻線１３を基体７際に巻線１３の切れなどが
発生する。なお、Ｐ３が１．５ｍｍ以上であれば、更に
上記不具合が発生する確率が低くなる。また、Ｐ３が
２．０ｍｍ以上であると、素子自体が大きくなり過ぎ
て、実装面積が広くなってしまい、回路基盤等の小型化
が行えず、ひいては装置の小型化を行うことは出来な
い。

【００４８】次に、本実施の形態の巻線１３と端子電極
の接合強度について説明する。図５及び図６はそれぞれ
引張断線強度とサンプル個数の関係を示すグラフであ
る。ここで、サンプルとして、導電膜１０１ｂを設けた
サンプルと導電膜１０１ｂを設けないサンプルをそれぞ
れ同数個作製し、その引張断線強度を求めた。図５では
非常に引張断線強度の弱いものが存在しているのに対し
て、図６では引張断線強度が非常に弱いものが存在せ
ず、導電膜１０１ａと導電膜１０１ｂで巻線１３の端部
を挟み込んだ構成が非常に接合強度が安定していること
が判る。

【００４９】

【発明の効果】本発明は、巻線と導電膜の接合部分を２
つの導電膜で挟み込み、しかも上部に形成される導電膜
を２６０℃以上の融点を有する材料で構成した事によっ
て、導電膜と巻線接合部との接合強度を大きくできると
共に、高温下における接合強度を向上させることがで
き、巻線の外れによる断線等を防止でき、しかも巻線接
合部によって生じる段差を緩和できるので、素子を回路
基板などに実装した際に、素子の実装姿勢を良くするこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子を示す斜視図

【図２】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子の基体のみを示した斜視図

【図３】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子を示す部分断面図

【図４】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子を示す部分断面図

【図５】引張断線強度とサンプル個数の関係を示すグラ
フ

【図６】引張断線強度とサンプル個数の関係を示すグラ
フ

【図７】従来のインダクタンス素子を示す斜視図

【符号の説明】

７ 基体 ８ 巻部 ９，１０ 鍔部 １３ 巻線 １４，１５ 端子部 １００ 下地膜 １０１ａ 導電膜 １０１ｂ 導電膜 １０２ 耐食層 １０３ 接合表層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 崎田 広実 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 磯崎 賢蔵 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5E062 FF01 FG04 FG12 5E070 AA01 AB02 CB16 CB18 DA04 EA01 EA06

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基体と、前記基体に巻回された巻線と、前
   記基体に設けられ前記巻線と接合される端子部とを備え
   たインダクタンス素子であって、前記端子部に少なくと
   も２層の導電膜を積層して設け、前記２層の導電膜の間
   に巻線接合部を設け、前記２層の導電膜の内少なくとも
   前記端子部から離れた導電膜を２６０℃以上の融点を有
   する材料で構成した事を特徴とするインダクタンス素
   子。
2. 【請求項２】基体と、前記基体に巻回された巻線と、前
   記基体に設けられ前記巻線と接合される端子部とを備え
   たインダクタンス素子であって、前記端子部に銀，銅，
   銀合金，銅合金，半田，錫，ニッケル，ニッケル合金，
   金，金合金の少なくとも一つで構成された第１の導電膜
   を形成し、前記第１の導電膜の上に銀，銅，銀合金，銅
   合金，ニッケル，ニッケル合金，金，金合金，錫−銀合
   金，錫−ビスマス合金，錫−銀−ビスマスの少なくとも
   一つで構成された第２の導電膜を形成し前記第１の導電
   膜と第２の導電膜の間に巻線接合部を設けた事を特徴と
   するインダクタンス素子。
3. 【請求項３】基体と、前記基体に巻回された巻線と、前
   記基体に設けられ前記巻線と接合される端子部とを備え
   たインダクタンス素子であって、前記端子部に端子部上
   に下地膜を設け、前記下地膜の上に第１の導電膜を設
   け、前記第１の導電膜上に第２の導電膜を設け、前記第
   １の導電膜と前記第２の導電膜の間に巻線接合部を設
   け、前記第２の導電膜を２６０℃以上の融点を有する材
   料で構成した事を特徴とするインダクタンス素子。
4. 【請求項４】基体の両端部に鍔部を設け、前記鍔部に端
   子部を設けた事を特徴とする請求項１〜３いずれか１記
   載のインダクタンス素子。
5. 【請求項５】導電膜上に耐食層と接合層を順に積層した
   事を特徴とする請求項１〜３いずれか１記載のインダク
   タンス素子。
6. 【請求項６】巻線を覆う保護材を設けた事を請求項１〜
   ３いずれか１記載のインダクタンス素子。
7. 【請求項７】基体の両端に第１の導電膜を形成し、前記
   基体に巻線を巻回し、前記巻線を前記第１の導電膜に接
   合し、前記巻線を覆うようにしかも第１の導電膜を露出
   するように保護材を設け、前記第１の導電膜上に融点が
   ２６０℃以上の材料で構成された第２の導電膜を形成し
   た事を特徴とするインダクタンス素子の製造方法。
8. 【請求項８】第２の導電膜の上に耐食層と接合層を順に
   積層した事を特徴とする請求項７記載のインダクタンス
   素子。
9. 【請求項９】巻線と第１の導電膜を熱圧着，超音波溶
   接，レーザー溶接，スポット溶接，導電性接着在による
   接合の少なくとも一つの手法で接合した事を特徴とする
   請求項７記載のインダクタンス素子の製造方法。
10. 【請求項１０】基体の上に下地膜を形成した後に第１の
    導電膜を設けた事を特徴とする請求項７記載のインダク
    タンス素子の製造方法。