JP2000172109A - 定着方法、定着装置及び温度制御回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 記録紙上の未定着トナー像の熱定着時に定着
温度を設定温度に制御する際の温度リップルの低減化、
及び装置立ち上げ時等の定着温度のオーバーシュート防
止を実現する定着装置、定着方法及びこの定着装置の温
度制御に用いることのできる温度制御回路を提供する。 【解決手段】 この定着方法では、記録媒体に坦持され
ている未定着現像剤を発熱手段により定着手段の温度を
目標温度まで上昇させて熱定着をし、定着温度が目標温
度近傍になるまでヒータ１１ａに供給する電力の出力比
を変化させる。この温度が目標温度に近づくに従い出力
比を低減させる。また、定着手段の温度を検知し、この
検知信号に基づいてヒータに供給する交流電圧を位相制
御回路５５で位相制御することにより、検知温度に基づ
いて出力比を変えてヒータに電力を供給し温度制御を行
う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、複写機やプリンタ
等の画像形成装置に適用できる定着装置、定着方法及び
この定着装置の温度制御に用いて好適な温度制御回路に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、複写機等では電子写真法により感
光体ドラム上に形成した潜像画像をトナー像に現像し、
この現像されたトナー像を記録紙に転写してから、トナ
ー像の形成された記録紙を定着装置の加熱された一対の
定着ローラの間に通すことによりトナー像の熱定着を行
っている。定着ローラ内に発熱体を配置し、この発熱体
への通電制御により定着温度を制御しているが、この通
電制御は定着温度センサの検知温度によって発熱体への
供給電力を１００％出力か０％出力に切り換えることに
より行っていたため、図５の曲線（ａ）のように温度を
上昇させる際に目標制御温度に近づいてもそのままかな
り上昇し、その後低下するといった温度リップル現象が
生じてしまい易い。現在、定着ローラの発熱体がハロゲ
ンランプから温度制御の応答性の速い抵抗発熱体に変え
られつつあるが、そうするとかかる温度リップルが益々
生じ易くなってしまう。また、装置の立ち上げ時等に定
着温度になってから通電をオフとすると、かなりのオー
バーシュートが生じてしまう。

【０００３】また、かかる温度リップルを小さくするた
めに、例えば特開平５−２８１８６５号公報には、加熱
体に対する供給電力の制御を単位時間内に電力の出力と
非出力を行い、その比率で供給電力の制御をし、かつ前
記単位時間を可変するようにしたフィルム加熱方式の加
熱装置が開示されている。この単位時間を設定し、装置
立ち上げ時と通紙時で区別して温度制御している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、記録
紙上の未定着トナー像の熱定着時に定着温度を設定温度
に制御する際の温度リップルの低減化及び装置立ち上げ
時等の定着温度のオーバーシュート防止を実現すること
のできる定着方法、定着装置及びこの定着装置の温度制
御に用いることのできる温度制御回路を提供することで
ある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記課題の達成のため
に、本発明の定着方法は、記録媒体に坦持されている未
定着現像剤を発熱手段により定着手段の温度を目標温度
まで上昇させて熱定着をする定着方法であって、前記定
着手段の定着温度が前記目標温度近傍になるまで前記発
熱手段に供給する電力の出力比を変化させることを特徴
とする。

【０００６】本発明によれば、定着温度が目標温度の近
傍になるまで供給電力の出力比を変化させるので、温度
が目標温度から大きく上昇してしまうことはなく、温度
リップルの低減化及び装置立ち上げ時等の定着温度のオ
ーバーシュート防止を実現することができる。なお、出
力比とは、フルに電力を発熱手段に対して出力していた
場合の電力を基準とし、低下させた電力との比である。

【０００７】また、前記温度が前記目標温度に近づくに
従い前記出力比を低減させることが好ましい。これによ
り、オーバーシュート防止及び温度リップルの低減化が
より達成しやすくなる。

【０００８】また、前記出力比を前記温度範囲により段
階的に設定するようにできる。例えば、温度の低い温度
範囲から目標温度まで４段階に出力比を１００％，５０
％，２５％，０％のように設定することができる。これ
により、より簡単な温度制御が可能となる。なお、これ
よりも多い段階または少ない段階で制御するようにして
もよい。

【０００９】また、前記出力比を時間範囲により段階的
に設定するようにできる。例えば、装置の立ち上げ時か
ら目標温度になる時間まで４段階に出力比を１００％，
５０％，２５％，０％のように設定することができる。
これにより、より簡単な温度制御が可能となる。なお、
これよりも多い段階または少ない段階で制御するように
してもよい。

【００１０】また、前記定着手段の温度を検知し、この
検知信号に基づいて前記発熱手段に供給する交流電圧を
位相制御することにより、前記検知温度に基づいて前記
出力比を変えて前記発熱手段に電力を供給し温度制御を
行うようにできる。これによれば、交流電圧を位相制御
して電力の出力比を変えるから、温度制御が容易とな
る。

【００１１】また、本発明の定着装置は、記録媒体に坦
持されている未定着現像剤を熱定着させる発熱手段を備
えた定着手段と、前記発熱手段へ供給する電力を制御し
定着温度を制御する温度制御手段とを備え、前記温度制
御手段は、前記定着温度が目標温度近傍になるまで前記
発熱手段に供給する電力の出力比を変化させることを特
徴とする。この定着装置により上述の定着方法が実行で
きる。

【００１２】また、前記温度制御手段は、前記温度が前
記目標温度に近づくに従い前記出力比を低減させること
が好ましい。また、前記出力比を前記温度範囲により段
階的に設定したり、あるいは前記出力比を時間範囲によ
り段階的に設定するようにできる。

【００１３】また、前記温度制御手段は、前記定着温度
を検知する温度検知手段と、この検知温度信号に基づい
て前記発熱手段に供給する交流電圧を位相制御する位相
制御手段とを備え、この位相制御された制御信号に基づ
いて交流電圧を位相制御することにより、前記出力比を
変えて前記発熱手段に電力を供給し温度制御を行うよう
に構成できる。

【００１４】この場合、前記温度検知手段は前記温度検
知信号を電圧信号に変換し、前記位相制御手段は前記電
圧信号に基づいてパルス幅を変えるように位相制御し、
前記パルス幅を変えられたパルス信号に基づいて前記交
流電圧の位相制御を行うことにより、位相制御をより簡
単に行うことができる。

【００１５】また、前記電圧信号に一定の電圧を重畳す
ることにより制御電圧とし、この制御電圧により前記位
相制御手段において位相制御を行うように構成できる。

【００１６】また、前記定着手段は円筒状基体を備え、
前記発熱手段は前記円筒状基体の内周面に設けられた抵
抗発熱体を備えることができる。この抵抗発熱体は絶縁
層を介して内周面に設けられる。抵抗発熱体は供給電力
の変化に対する応答性がよく、温度リップル等の低減と
いった本発明の効果が一層発揮できる。

【００１７】また、本発明の温度制御回路は、発熱手段
へ電力を供給するときに目標温度近傍になるまで前記電
力の出力比を変化させて温度を制御する温度制御回路で
あって、前記温度を検知する温度検知回路と、この検知
温度信号に基づいて前記発熱手段に供給する交流電圧を
位相制御する位相制御回路とを備え、この位相制御され
た制御信号に基づいて交流電圧を位相制御することによ
り、前記出力比を変えて前記発熱手段に電力を供給し温
度制御を行うことを特徴とする。この温度制御回路によ
り上記定着装置において本発明の温度制御を行うことが
できる。

【００１８】また、前記温度検知回路は前記温度検知信
号を電圧信号に変換し、前記位相制御回路は前記電圧信
号に基づいてパルス幅を変えるように位相制御し、前記
パルス幅を変えられたパルス信号に基づいて前記交流電
圧の位相制御を行うようにできる。この場合、前記電圧
信号に一定の電圧を重畳することにより制御電圧とし、
この制御電圧により前記位相制御回路において位相制御
を行うことができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明による実施の形態に
ついて図面を用いて説明する。図１は本発明の実施の形
態における定着装置の概略的な構成を示す図、図２は図
１の定着装置の定着ローラ内に配置されたヒータを駆動
し温度制御するための温度制御回路の全体構成を示すブ
ロック図、図３は図２ののこぎり波発生回路や位相制御
回路等の具体的な回路構成を示す図、及び図４は図３の
各回路からの出力波形を示す図である。

【００２０】本実施の形態の定着装置は、電子写真方式
によりシート状記録媒体に画像を形成する複写機、プリ
ンタまたはファクシミリ等の画像形成装置において使用
されるものである。図１に示すように、定着装置は、ト
ナー像ｔの形成された記録シートＳを挟持しながら搬送
し熱定着する定着ローラ対１０を備え、この定着ローラ
対１０は抵抗発熱体としてのヒータ１１ａが設けられた
加熱ローラ１１と、この加熱ローラ１１と当接状態にさ
れてニップ部１０ａを形成する加圧ローラ１２とから構
成される。抵抗発熱体のヒータ１１ａは、円筒状に構成
された加熱ローラ１１の基体の内周面に面状に絶縁層を
介して配置されている。この抵抗発熱体には、加熱ロー
ラ１１の両端部に設けられた電極に給電ブラシを摺接さ
せることにより電力が供給される。

【００２１】図１の定着装置は、更に、図の矢印方向ａ
から搬送されてきた記録シートＳを定着ローラ対１０の
ニップ部１０ａへと案内する案内部材１３と、ニップ部
１０ａからでて案内部材１４ａに案内された記録シート
Ｓを挟持して更に搬送する搬送ローラ対１４とを備え
る。

【００２２】図２に示す温度制御回路は、図１のヒータ
１１ａに対し電力を制御しながら供給するためのもので
あって、図１の加熱ローラ１１の近傍に配置されヒータ
１１ａの温度を検知する温度検知手段としてのサーミス
タ６０と、ヒータ１１ａに交流電流を流す交流（ＡＣ）
電源回路５１と、この電源回路５１から入力された交流
電圧のサイクル数をカウントしてこのＡＣ電圧の０Ｖに
同期した信号（ゼロクロス信号）を出力するためのゼロ
クロス信号発生回路５２と、このゼロクロス信号に同期
して時間比例的に大きさが一定のピーク値まで増大する
のこぎり波を発生するのこぎり波発生回路５３と、サー
ミスタ６０から出力する検知温度信号を電圧変換すると
ともにオフセット電圧を増幅し、サーミスタ出力電圧と
オフセット電圧とを重畳した制御電圧（Ｖcont）を出力
するサーミスタ出力・オフセット電圧増幅回路５４と、
この制御電圧とのこぎり波発生回路５３のこぎり波とを
比較してパルス幅が変調されたＰＷＭ信号を出力する位
相制御回路５５とを備える。

【００２３】図２の温度制御回路は、更に、ＰＷＭ信号
に基づいてトリガ信号を発生するトリガ信号発生回路５
８と、このトリガ信号に基づいてヒータ１１ａを駆動す
るよう電力をＡＣ電源回路５１から供給させるヒータ駆
動回路５９と、ヒータ１１ａが低温時に電力を１００％
供給させるようトリガ信号発生回路５８に制御信号を出
力する低温時フル出力回路５６と、ヒータ１１ａが高温
時にヒータ１１ａへの電力供給を停止させるようトリガ
信号発生回路５８に制御信号を出力する高温時出力オフ
回路５７とを備える。

【００２４】次に、図３により、図２の温度制御回路の
具体例を説明する。サーミスタ出力・オフセット電圧増
幅回路５４は、サーミスタ出力及びオフセット電圧を増
幅する演算増幅器（オペアンプ）６１，６２，６３と、
オフセット電圧を調整する可変抵抗器ＶＲ１と、オペア
ンプ６１，６２に接続されて増幅率を決定する抵抗Ｒ
１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４とを備える。位相制御回路５５
は、制御信号（Ｖcont）が入力される端子ａと位相制御
されてＰＷＭ信号を出力する端子ｂとゼロクロス信号が
入力される端子ｃ、ｄとを有する集積回路ＩＣ１を備え
る。この集積回路ＩＣ１は、端子ｃから入力されたゼロ
クロス信号に基づいてのこぎり波を発生するのこぎり波
発生回路５３を含む。各抵抗の抵抗値はＲ１＝Ｒ４＝Ｒ
ｆ，Ｒ２＝Ｒ３＝Ｒｓと設定されている。

【００２５】また、低温時フル出力回路５６は、所定電
圧値と、サーミスタ出力・オフセット電圧増幅回路５４
からの制御信号（Ｖcont）の電圧値とを比較するコンパ
レータ６４と、所定電圧値を設定する抵抗Ｒ５とを備え
る。高温時出力オフ回路５７は、所定電圧値と、サーミ
スタ出力・オフセット電圧増幅回路５４からのＶcontの
電圧値とを比較するコンパレータ６５と、抵抗Ｒ５と抵
抗Ｒ６を介して接続され所定電圧値を設定する抵抗Ｒ７
とを備える。

【００２６】また、トリガ信号発生回路５８は、位相制
御回路５５のＩＣ１からのＰＷＭ信号の電圧値と低温時
フル出力回路５６のコンパレータ６４から出力する電圧
値とを比較するコンパレータ６７と、このコンパレータ
６７からの出力及びコンパレータ６５、６６からの各出
力により作動し、フォトトライアック６９に流れる電流
をオン／オフするようにトリガ信号を発生するインバー
タ６８とを備える。このフォトトライアック６９の電流
のオン／オフに応じて図２のヒータ駆動回路５９のトラ
イアックサイリスタがターンオン／オフされ、ＡＣ電源
回路５１からヒータ１１ａに供給する電力をオン／オフ
する。

【００２７】次に、図４を参照して図２、図３の温度制
御回路の動作について説明する。図２のゼロクロス回路
５２から、ヒータ１１ａに供給される交流（ＡＣ）電圧
の０Ｖに同期した信号が図４（ａ）のようにゼロクロス
信号として出力する。のこぎり波発生回路３５（図３の
ＩＣ１）でこのゼロクロス信号に同期した図４（ｃ）の
ようなのこぎり波を生成する。一方、サーミスタ出力・
オフセット電圧増幅回路５４においてＶＲ１により設定
されたオフセット電圧Ｖoffと、サーミスタ６０からの
出力電圧Ｖthとを重畳して得られた制御電圧ＶcontがＩ
Ｃ１の端子ａに入力される。このＩＣ１の位相制御回路
５５において図４（ｂ）のように制御電圧Ｖcontとのこ
ぎり波とを比較し、のこぎり波の電圧がＶcont以上であ
る時間ｔに対応して図４（ｄ）のようなパルス幅を有す
るＰＷＭ（パルス幅変調）信号が得られる。波長はゼロ
クロス信号と同じでありＴとすると、ＰＷＭ信号のデュ
ーティ比はｔ／Ｔとなる。

【００２８】次に、図４（ｄ）のようなＰＷＭ信号がＩ
Ｃ１の端子ｂから出力されると、トリガ信号発生回路５
８のコンパレータ６７に入力し、低温時フル出力回路５
６から電圧が出力していなければ、コンパレータ６７か
らインバータ６８の入力側に電圧が印加され、出力側の
電圧がゼロとなりこれがトリガ信号となって、ダイオー
ド６９に電流が図３の矢印ｅ方向に流れる。これによ
り、図２のヒータ駆動回路５９のトライアックサイリス
タがターンオンし、ＡＣ電源回路５１からヒータ１１ａ
に電力が供給される。また、ＰＷＭ信号が図４（ｄ）の
ように時間ｔ後にゼロとなると、コンパレータ６７から
の出力電圧がゼロとなり、インバータ６８の出力側に電
圧が印加されダイオード６９に電流が流れなくなり、ヒ
ータ１１ａに電力が供給されなくなる。以上の動作が繰
り返されることにより、交流電圧は、位相制御されて図
４（ｅ）のように、所定の位相角度においてヒータ１１
ａに出力される。従って、ＰＷＭ信号のデューティ比ｔ
／Ｔに対応した時間だけ電力がヒータ１１ａに供給され
ることになる。このため、オフセット電圧の大小により
制御電圧Ｖcontが大小に変化するので、これに応じてヒ
ータ１１ａの温度が高低に制御される。

【００２９】また、制御電圧Ｖcontはサーミスタの出力
電圧Ｖthが増加するにつれて大きくなるので、ヒータ１
１ａの温度が上昇し出力電圧Ｖthが大きくなると、デュ
ーティ比ｔ／Ｔが低下する。このため、加熱ローラ１１
の温度が上昇するに従い、ヒータ１１ａへの通電時間も
小さくなり、加熱ローラ１１の温度上昇速度が低下す
る。この様子を図５に示すが、本実施の形態の温度制御
回路によれば、加熱ローラ１１の温度が上昇し、目標温
度に近づくと、この目標温度を僅かに上回った後、低下
し、目標温度に達してほぼ一定の温度を維持することが
分かる。これに対し、従来のオン／オフ制御では温度が
上昇すると、目標温度を大きく上回って温度リップル現
象が大きくでてから低下し、目標温度に達するが、温度
がかなりの温度幅で変化しながら制御されてしまう。な
お、図５では、便宜上、従来技術（ａ）と本実施の形態
（ｂ）で目標温度の設定値が異なっている。

【００３０】また、ヒータ１１ａの温度が抵抗Ｒ５等に
より設定された電圧に対応する温度以下の低温時には、
低温時フル出力回路５６からの出力電圧により、トリガ
信号発生回路からトリガ信号が出され、ヒータ１１ａに
電力がフルに出力される。また、ヒータ１１ａの温度が
抵抗Ｒ７等により設定された電圧に対応する温度以上の
高温時には、トリガ発生回路からトリガ信号が出されず
にヒータ１１ａはオフ状態とされる。

【００３１】図１の定着装置では、未定着トナー像ｔの
形成された記録シートＳが矢印方向ａに搬送され、定着
ローラ対１０のニップ部１０ａを通り熱定着が行われ矢
印方向ｂに排紙される。この場合、定着ローラ対１０を
構成する、ヒータ１１ａを含む加熱ローラ１１は、上述
のように、温度制御されるので、加熱ローラ１１の外周
面の定着温度は精度よく制御され、しかも温度リップル
を低減化でき、定着温度のオーバーシュートを防止でき
るので、記録シートＳにおけるトナー像ｔの熱定着は良
好に行われる。オフセット現象等も生じない。また、ヒ
ータ１１ａは、抵抗発熱体から構成されているので、温
度制御の応答性がよく、温度リップル低減に更に効果的
である。

【００３２】以上のように、本実施の形態の定着装置に
よれば、定着装置の定着温度を設定温度に制御する際の
温度リップルを低減化でき、画像形成装置立ち上げ時等
の定着温度のオーバーシュートを防止できるとともに、
定着のための電力消費量を低くできるので、省エネルギ
にも寄与できる。また、特開平５−２８１８６５号公報
の従来例のように、装置立ち上げ時と通紙時で区別して
温度制御せずに、定着装置の温度に基づいて温度制御で
きることから、温度制御が容易となり、好ましい。

【００３３】〈実施例〉次に、本発明の実施例として、
図２及び図３のような温度制御回路における制御温度と
制御温度幅との具体的な決定について説明する。制御温
度の中心はオフセット電圧により決定され、制御温度幅
は次式で表される増幅率Ａにより決定される。オフセッ
ト電圧は図３の可変抵抗ＶＲ１により例えば１．９〜
３．１Ｖに設定することができる。 増幅率Ａ＝１＋Ｒｆ／Ｒｓ

【００３４】図６の表に、オフセット電圧毎であって抵
抗Ｒｓ（＝Ｒ２＝Ｒ３）を８ｋΩ、１８ｋΩ、３３ｋΩ
に変えた場合の位相制御開始温度（ＴＬ）と位相制御終
了温度（Ｔｈ）とを示す。ここで、Ｒｆ（＝Ｒ１＝Ｒ
４）＝６８ｋΩである。例えば、図６の表に基づいてオ
フセット電圧及び抵抗ＲＳを設定することにより、制御
温度及びその温度幅を決定することができる。

【００３５】次に、図７に、Ｒｓを８ｋΩ、１８ｋΩ、
３３ｋΩに変えた場合のオフセット電圧Ｖoffと、サー
ミスタ６０で測定したヒータ１１ａの制御温度（最大）
との関係を示す。図から、オフセット電圧が高くなる
と、制御温度も高くなることが分かる。

【００３６】次に、図８に示すように、抵抗値Ｒｆ、Ｒ
ｓを上述と同様に設定し、オフセット電圧Ｖoffをそれ
ぞれ３通りに設定した計９通りの場合について、制御温
度とサーミスタ６０からの出力電圧（測定温度）との関
係を図９に示す。図９に示すように、勾配の急な曲線の
条件の場合には制御温度の僅かな変化により温度が大き
く変わるから温度リップルが生じ易くなり、一方、勾配
の緩やかな曲線の条件の場合には制御温度が大きく変化
しても温度がさほど変わらないから制御による応答が悪
くなる。従って、制御条件を決定する場合には、図９に
示す曲線の勾配が中程度になるような条件を設定するこ
とが望ましい。

【００３７】次に、上述の実施の形態の変形例について
説明する。この変形例は、図１０（ａ）〜（ｅ）に示す
ように、図１，図２に示すヒータ１１ａに供給される電
力の出力比を１００，５０，２５，０％と変えるように
したものである。具体的には出力比２５％では交流電圧
の半波長内で０〜４５度の位相角度の間オンとし、出力
比５０％では０〜９０度の位相角度の間オンとしてい
る。そして、定着温度を例えば１９０℃で制御する場
合、温度が立ち上げ時の温度（朝一番では室温）〜１５
０℃の間は出力比１００％でヒータ１１ａに通電し、１
５０〜１７０℃の間は出力比５０％で通電し、１７０〜
１９０℃の間は出力比２５％で通電し、温度が１９０℃
を超えたら通電をオフとし、０％とする。

【００３８】上述のような制御は、例えば、図２のサー
ミスタ出力・オフセット電圧増幅回路５４からの制御電
圧をサーミスタ６０からの出力に応じて上述のように４
段階に設定することにより行うことができる。この変形
例によれば、目標温度までを４つのブロックに分け各ブ
ロック毎に電力の出力比を４段階に変えることにより、
より簡易な制御方法で定着装置の定着温度を設定温度に
制御する際の温度リップルを低減化でき、画像形成装置
立ち上げ時等の定着温度のオーバーシュートを防止でき
る。

【００３９】なお、上記変形例では各ブロックを温度に
より分けたが、これに限定されず、時間によってブロッ
クを分けてもよい。例えば、立ち上げ時から２０秒まで
の間、２０〜３０秒の間、３０秒〜４０秒の間、４０秒
を超えてからの各段階で、それぞれ１００％、５０％、
２５％、０％の出力比で温度制御するようにしてもよ
い。この時間範囲は温度上昇速度で適宜変えることがで
きる。

【００４０】以上、本発明を実施の形態により説明した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明の
技術的思想の範囲内で種々の変形が可能である。例え
ば、図１０の制御では、更に段階を増やして一層きめ細
かく制御することも可能である。また発熱体としては、
ハロゲンランプ、抵抗発熱体等の公知の発熱体を使用で
きることは勿論である。

【００４１】

【発明の効果】本発明によれば、記録紙上の未定着トナ
ー像の熱定着時に定着温度を設定温度に制御する際の温
度リップルの低減化及び装置立ち上げ時等の定着温度の
オーバーシュート防止を実現することのできる定着方
法、定着装置及びこの定着装置の温度制御に用いること
のできる温度制御回路を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態における定着装置の概略的
な構成を示す図である。

【図２】図１の定着装置の定着ローラ内に配置されたヒ
ータを駆動し温度制御するための温度制御回路の全体構
成を示すブロック図である。 図１の定着装置の定着ロ
ーラ内に配置されたヒータを駆動し制御するための電力
制御回路の全体構成を示すブロック図である。

【図３】図２ののこぎり波発生回路、位相制御回路、サ
ーミスタ出力・オフセット電圧増幅回路、トリガ信号発
生回路、低温時フル出力回路及び高温時出力オフ回路の
具体的な回路構成を示す図である。

【図４】図３の各回路からの出力波形であって、ゼロク
ロス信号（ａ）、制御電圧（ｂ）、のこぎり波（ｃ）、
ＰＷＭ信号（ｄ）及びヒータに印加されるＡＣ電圧
（ｅ）の各波形を示す。

【図５】本実施の形態による定着温度の目標温度近傍に
おける時間変化（ｂ）と、従来のオン／オフ制御による
定着温度の目標温度近傍における時間変化（ａ）とを示
す図である。

【図６】本実施例を説明するために図３の回路において
設定される位相制御開始温度（ＴＬ）と位相制御終了温
度（Ｔｈ）とを示す表である。

【図７】本実施例においてオフセット電圧Ｖoffと測定
した制御温度（最大）との関係を示す図である。

【図８】本実施例において抵抗値Ｒｆ、Ｒｓを３通りに
設定し、オフセット電圧Ｖoffを３通りに設定し、計９
通りに設定した温度制御条件を示す表である。

【図９】図８に示す条件により定着温度制御を行った場
合の制御温度とサーミスタからの出力電圧（測定温度）
との関係を示す図である。

【図１０】変形例の温度制御を説明するための図であ
り、出力比１００％（ａ）、出力比５０％（ｂ）、出力
比２５％（ｃ）、出力比０％（ｄ）の各出力波形を示す
図である。

【符号の説明】

１０ 定着ローラ １１ 加熱ローラ １１ａ ヒータ（抵抗加熱体） ５２ ゼロクロス信号発生回路 ５３ のこぎり波発生回路 ５４ サーミスタ出力・オフセット電
圧増幅回路 ５５ 位相制御回路 ５８ トリガ信号発生回路 ５９ ヒータ駆動回路 ６０ サーミスタ（温度検知手段） Ｖcont 制御電圧 Ｖoff オフセット電圧 Ｖth サーミスタ出力電圧

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 記録媒体に坦持されている未定着現像剤
   を発熱手段により定着手段の温度を目標温度まで上昇さ
   せて熱定着をする定着方法であって、 前記定着手段の定着温度が前記目標温度近傍になるまで
   前記発熱手段に供給する電力の出力比を変化させること
   を特徴とする定着方法。
2. 【請求項２】 前記温度が前記目標温度に近づくに従い
   前記出力比を低減させることを特徴とする請求項１記載
   の定着方法。
3. 【請求項３】 前記出力比を前記温度範囲により段階的
   に設定することを特徴とする請求項１または２記載の定
   着方法。
4. 【請求項４】 前記出力比を時間範囲により段階的に設
   定することを特徴とする請求項１または２記載の定着方
   法。
5. 【請求項５】 前記定着手段の温度を検知し、この検知
   信号に基づいて前記発熱手段に供給する交流電圧を位相
   制御することにより、前記検知温度に基づいて前記出力
   比を変えて前記発熱手段に電力を供給し温度制御を行う
   ことを特徴とする請求項１，２，３または４記載の定着
   方法。
6. 【請求項６】 記録媒体に坦持されている未定着現像剤
   を熱定着させる発熱手段を備えた定着手段と、 前記発熱手段へ供給する電力を制御し定着温度を制御す
   る温度制御手段と、を備え、 前記温度制御手段は、前記定着温度が目標温度近傍にな
   るまで前記発熱手段に供給する電力の出力比を変化させ
   ることを特徴とする定着装置。
7. 【請求項７】 前記温度制御手段は、前記温度が前記目
   標温度に近づくに従い前記出力比を低減させることを特
   徴とする請求項６記載の定着装置。
8. 【請求項８】 前記出力比を前記温度範囲に基づいて段
   階的に設定することを特徴とする請求項６または７記載
   の定着装置。
9. 【請求項９】 前記出力比を時間範囲に基づいて段階的
   に設定することを特徴とする請求項６または７記載の定
   着装置。
10. 【請求項１０】 前記温度制御手段は、前記定着温度を
    検知する温度検知手段と、この検知温度信号に基づいて
    前記発熱手段に供給する交流電圧を位相制御する位相制
    御手段と、を備え、この位相制御された制御信号に基づ
    いて交流電圧を位相制御することにより、前記出力比を
    変えて前記発熱手段に電力を供給し温度制御を行うこと
    を特徴とする請求項６，７，８または９記載の定着装
    置。
11. 【請求項１１】 前記温度検知手段は前記温度検知信号
    を電圧信号に変換し、前記位相制御手段は前記電圧信号
    に基づいてパルス幅を変えるように位相制御し、前記パ
    ルス幅を変えられたパルス信号に基づいて前記交流電圧
    の位相制御を行うことを特徴とする請求項１０記載の定
    着装置。
12. 【請求項１２】 前記電圧信号に一定の電圧を重畳する
    ことにより制御電圧とし、この制御電圧により前記位相
    制御手段において位相制御を行うことを特徴とする請求
    項１１記載の定着装置。
13. 【請求項１３】 前記定着手段は円筒状基体を備え、前
    記発熱手段は前記円筒状基体の内周面に設けられた抵抗
    発熱体を備えることを特徴とする請求項６〜１１のいず
    れか１項に記載の定着装置。
14. 【請求項１４】 発熱手段へ電力を供給するときに目標
    温度近傍になるまで前記電力の出力比を変化させて温度
    を制御する温度制御回路であって、 前記温度を検知する温度検知回路と、 この検知温度信号に基づいて前記発熱手段に供給する交
    流電圧を位相制御する位相制御回路と、を備え、 この位相制御された制御信号に基づいて交流電圧を位相
    制御することにより、前記出力比を変えて前記発熱手段
    に電力を供給し温度制御を行うことを特徴とする温度制
    御回路。
15. 【請求項１５】 前記温度検知回路は前記温度検知信号
    を電圧信号に変換し、前記位相制御回路は前記電圧信号
    に基づいてパルス幅を変えるように位相制御し、前記パ
    ルス幅を変えられたパルス信号に基づいて前記交流電圧
    の位相制御を行うことを特徴とする請求項１４記載の温
    度制御回路。
16. 【請求項１６】 前記電圧信号に一定の電圧を重畳する
    ことにより制御電圧とし、この制御電圧により前記位相
    制御回路において位相制御を行うことを特徴とするる請
    求項１５記載の温度制御回路。