JP2000171779A - プラズマアドレス液晶パネルの背面板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】大面積で高精細パターンを有するプラズマアド
レス液晶において、製造工程が煩雑でなく且つ安定した
アドレス放電をする電極を有するパネル背面板の構造を
提供する。 【解決手段】大面積で高精細パターンを有するプラズマ
アドレス液晶において、パネルの背面ガラス基板上にフ
ォトリソ法でアノード電極およびカソード下地電極を形
成し、カソード下地電極上カソード電極を形成し、さら
にリブを強固な材料で形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はガス放電を利用した
映像表示装置であるプラズマアドレス液晶パネル及びそ
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、映像表示装置として大型ディスプ
レイが世の中に広まりつつあるが、従来からのＣＲＴで
はブラウン管の大型化に伴い重厚なものになっている。
これに対して、薄型で且つ大画面のディスプレイとし
て、２５インチのプラズマアドレス液晶が市販され、ま
た４２インチのプラズマアドレス液晶は展示会などで発
表されている（副末伸一、”ＰＡＬＣの製造プロセ
ス”、月刊ＦＰＤ Ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｃｅ、ｖｏ
ｌ．６（１９９８）ｐｐ．７９ー８３等）。

【０００３】プラズマアドレス液晶のパネル一構成例を
図１と図２に示す。プラズマ基板にアノード電極とカソ
ード電極を形成した後に、リブを形成し、さらにフリッ
トガラスシールにより誘電体薄板ガラスを用いて封着
し、真空排気後に放電ガスを封入する。ＣＦ基板には
Ｒ，Ｇ，ＢのＣＦ層とブラックストライプを形成した
後、信号電極を形成する。このプラズマ基板とＣＦ付き
ガラス基板をスペーサーを挟んで張り合わせ、液晶を注
入する。最後に偏光板およびバックライトを配置してプ
ラズマアドレス液晶パネルが完成する。

【０００４】ここで、本発明に関係する従来型のプラズ
マ基板の構造と製造方法について、さらに詳しく前出の
図２のパネル構造とパネルの作成工程図の図３を参考に
しながら説明する。尚、４２インチのプラズマアドレス
液晶パネルにおいては、リブのピッチは１．０９２ｍｍ
となっている。

【０００５】排気管接続用穴がある低膨張率ガラス基板
を洗浄・乾燥する。次にスクリーン印刷法でNi電極ペー
ストをベタで塗布・乾燥し、５０μｍのNi電極層を設け
る。続いて、ドライフィルムフィルム（ＤＦ）を貼り付
け、露光・ 現像してパターニングした後、サンドブラス
ト法により不要部分のNi電極材料を除去し、ＤＦを剥離
する。これにより放電空間のアノードおよびカソードに
相当するストライプ状のNi電極パターンができあがる。
さらにNi電極では真空封止が困難であるため、封止部お
よび端子電極部用にAg電極ペーストをスクリーン印刷法
により形成する。尚、プラズマチャンネル端部での異常
放電の防止のためにカバーガラスペーストをスクリーン
印刷にて塗布する。その後プラズマセルの壁となるリブ
をスクリーン印刷法により複数回塗布・ 乾燥し、２５０
μｍ程度まで積層し、焼成する。リブの高さを２００μ
ｍで±２μｍ以内で均一且つ上端面を平滑にするためリ
ブ頂部を研磨する。研磨渣が残らないように、十分洗浄
する。尚、焼成後のNi電極の厚さは約４０μｍ、幅は約
１００μｍである。抵抗は放電部約１０００ｍｍで５０
０Ω程度となる。

【０００６】しかしながら、現状のNi電極パターンの形
成法では次のような欠点があった。高価なNi電極材料を
５０μｍ厚さで全面塗布した後、サンドブラスト法によ
り８０％は除去しなければならない。この除去されたNi
電極材料にはサンド材が混入しているため、再生利用が
難しい。このためコストダウンが難しい。

【０００７】次にこのNi電極は純粋な金属ではなく低融
点ガラスフリットとのガラスサーメット状態であるため
焼成後の抵抗率が、金属Niの２０倍以上となる。このた
め電極の幅を狭くすることが出来ず、また厚さを薄くす
ることが出来ない。電極の幅が狭く出来ないため、開口
率を上げられず、バックライトからの光の利用効率が悪
くなる。さらに４２”ＨＤＴＶ仕様のようにリブ間隔が
０．４８５ｍｍピッチになると開口率が４０％以下とな
り致命的な欠点となる。

【０００８】またNi電極材料を焼成後で４０μｍ程度の
厚さとするため、この基板にＤＦを均一にラミネートす
ることが難しい。従って、リブ頂部の高さおよび形状
を、ＤＦの厚さでコントロールが簡単に行えるペースト
埋め込み法を用いることが難しいという欠点があった。

【０００９】またＡＣ型プラズマディスプレイパネル
（ＰＤＰ）のリブ形成法として量産製造で実績のあるサ
ンドブラスト法でのリブ形成は、ＰＤＰの電極が誘電体
層にカバーされていてリブ形成時にサンドブラストによ
り損傷を受けないが、ＰＡＬＣでは電極がむき出しのた
めサンドブラストにより損傷を受けるので、あまり適切
な工法でないため実施はされていない。

【００１０】以上から、寸法精度に問題があるスクリー
ン印刷法でのリブ形成を余儀なくされている。４２”Ｖ
ＧＡ仕様のようにリブ間隔が１．０９２ｍｍピッチであ
ればマージンを取って、電極間にリブを形成することが
可能であるが、４２”ＨＤＴＶ仕様のようにリブ間隔が
０．４８５ｍｍピッチにとっては位置合わせ精度が±１
０μｍ以内が必要とされるため致命的な欠点となる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明は以上のような
問題点に着目してなされたものであり、カソード電極と
して、パターン精度がよく、開口率を高く出来るように
電極幅が細く且つ薄くても抵抗率が十分に低く、また高
価なNi電極ペーストの使用をなくしコストを減じること
が出来るプラズマアドレス液晶パネル及びその製造方法
を提供することを課題としている。

【００１２】また、リブ形成において従来のスクリーン
印刷法より、スループットが良く低コスト化が可能なリ
ブ形成法および、従来のスクリーン印刷法では形成が難
しい４２”ＨＤＴＶ仕様級のリブ形成が可能な位置精度
の良いリブ形成法を提供することを課題としている。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、まず請求項１の発明では、背面ガラス基板
上にアノード電極、カソード電極、リブを設け、これと
対向させて薄板ガラスを封止したプラズマアドレス液晶
パネルにおいて、プラズマセルのカソード電極としてフ
ォトリソ法により下地電極を形成し、Niメッキを施すこ
とを特徴とするプラズマアドレス液晶パネルの背面板と
したものである。

【００１４】また、請求項２発明では、前記アノード電
極が下地電極と同じ材料からなる請求項１記載のプラズ
マアドレス液晶パネルの背面板としたものである。

【００１５】また、請求項３発明では、前記下地電極が
感光性Agペーストを用いて形成された請求項１又は２に
記載のプラズマアドレス液晶パネルの背面板としたもの
である。

【００１６】また、請求項４発明では、前記Niメッキが
無電解メッキである請求項１〜３に記載のプラズマアド
レス液晶パネルの背面板としたものである。

【００１７】また、請求項５発明では、前記Niメッキが
電解メッキである請求項１〜３に記載のプラズマアドレ
ス液晶パネルの背面板としたものである。

【００１８】また、請求項６発明では、請求項１〜５の
いずれかに記載のプラズマアドレス液晶パネルの背面板
を製造する方法であって、背面ガラス基板上にアノード
電極およびカソード電極用の感光性電極ペーストをベタ
塗布して、フォトリソ法によりパターニングした後、電
極ペーストを焼成し、プラズマセルのカソード電極とし
て必要な部分にNiメッキを施し、リブを形成することを
特徴とするプラズマアドレス液晶パネルの背面板製造方
法としたものである。

【００１９】また、請求項７発明では、請求項１〜５の
いずれかに記載のプラズマアドレス液晶パネルの背面板
を製造する方法であって、背面ガラス基板上にアノード
電極およびカソード電極用の感光性電極ペーストをベタ
塗布して、フォトリソ法によりパターニングした後、リ
ブを形成し、電極ペーストとリブを同時に焼成した後
に、プラズマセルのカソード電極として必要な部分にNi
メッキを施すことを特徴とするプラズマアドレス液晶パ
ネルの背面板製造方法としたものである。

【００２０】また、請求項８発明では、請求項６、７の
いずれかに記載のプラズマアドレス液晶パネルの背面板
を製造する方法において、リブを形成する方法がスクリ
ーン印刷方法であることを特徴とするプラズマアドレス
液晶パネルの背面板製造方法としたものである。

【００２１】また、請求項９発明では、請求項６、７の
いずれかに記載のプラズマアドレス液晶パネルの背面板
を製造する方法において、リブを形成する方法が感光性
レジストを用いた埋め込み法であることを特徴とするプ
ラズマアドレス液晶パネルの背面板製造方法としたもの
である。

【００２２】また、請求項１０発明では、請求項６、７
のいずれかに記載のプラズマアドレス液晶パネルの背面
板を製造する方法において、リブを形成する方法が金型
もしくはセラミクス型を用いたプレス法であることを特
徴とするプラズマアドレス液晶パネルの背面板製造方法
としたものである。

【００２３】また、請求項１１発明では、請求項６、７
のいずれかに記載のプラズマアドレス液晶パネルの背面
板を製造する方法において、リブを形成する方法が電離
放射線硬化性樹脂シート凹版を用いた転写法であること
を特徴とするプラズマアドレス液晶パネルの背面板製造
方法としたものである。

【００２４】また、請求項１２発明では、請求項６、７
のいずれかに記載のプラズマアドレス液晶パネルの背面
板を製造する方法において、リブを形成する方法がシリ
コーンゴム凹版を用いた転写法であることを特徴とする
プラズマアドレス液晶パネルの背面板製造方法としたも
のである。

【００２５】また、請求項１３発明では、請求項６、７
のいずれかに記載のプラズマアドレス液晶パネルの背面
板を製造する方法において、リブを形成する方法が、感
光性を有するリブガラスペーストをベタ印刷後にフォト
リソ法で形成する方法であることを特徴とするプラズマ
アドレス液晶パネルの背面板製造方法としたものであ
る。

【００２６】上記プラズマアドレス液晶パネルの背面板
製造方法において、プラズマセル両端部の異常放電防止
用のガラスペーストの形成は下地電極パターン形成後で
あれば、いつ行ってもよい。また、下地電極、リブ、前
記ガラスペーストの焼成は同時に行うことで焼成回数が
減りコストダウンに繋がる。電極とリブの位置合わせ精
度の観点からは焼成工程におけるガラスの熱収縮の問題
があり、電極形成後焼成せずにリブを形成したほうが望
ましい。しかしながら、焼成前の電極は機械的にも脆弱
であり取扱に注意が必要であるため、電極を焼成してか
らリブを形成した方が歩留まりを考えたトータルコスト
の安価なこともあり、適宜判断してプロセスは選択され
ることが望ましい。

【００２７】また、上記感光性電極ペーストの塗布方法
は、スクリーン印刷法によるベタ印刷でも、ダイコータ
ーによる塗工でもよい。感光性電極ペーストとしては、
ＰＤＰ用に開発されたものでも構わない。例えば感光性
Ag電極であればアルカリ現像タイプではデュポンのフォ
ーデルＤＣ２０２、太陽インキ製造のＴＲ２９１２、Ｔ
Ｒ１９５２などがあり、また水現像タイプではノリタケ
のＮＰ４７０１がある。

【００２８】また、請求項８のスクリーン印刷方法によ
るリブ形成においては、リブガラスペーストを印刷、乾
燥を繰り返してリブを所望の高さに形成するものに限定
されるものではない。例えば、紫外線硬化型のリブガラ
スペーストを印刷、紫外線硬化を繰り返してリブを所望
の高さに形成してもよい。

【００２９】また、請求項９の感光性レジストを用いた
埋め込み法によるリブを形成する方法においては、感光
性レジストとして、ドライフィルムを基板に張り合わせ
ても良いし、液体感光性レジストを厚膜塗工してもよ
い。

【００３０】また、請求項１０の金型もしくはセラミク
ス型を用いたプレス法（プレス法については第１９回プ
ラズマディスプレイ技術討論会資料（１９９８年５月２
６日：ｐｐ．３７〜４４）参照）によるリブを形成する
方法においては、金型としては、電子彫刻、エッチン
グ、ミル押し、回転旋盤切削、電鋳法などの手法により
形成できる。また、セラミクス型として、回転旋盤切
削、金型プレス成型法、泥しょう法などの手法により形
成できる。

【００３１】また、請求項１１の電離放射線硬化性樹脂
シート凹版は、以下のようなリブ形状の凸型母型から転
写して形成することができるので、所望のリブ形状パタ
ーンに合わせて適宜選択して凸型母型を作成することが
できる。金属ロールに旋盤切削により形成したリブ形状
の凸型母型、平板に切削などで形成したもリブ形状の凸
型母型、平面基板にドライフィルムを貼り付けてフォト
リソ法により形成した凸型母型などが有効である。

【００３２】また、請求項１２のシリコーンゴム凹版
は、以下のようなリブ形状の凸型母型から転写して形成
することができるので、所望のリブ形状パターンに合わ
せて適宜選択して凸型母型を作成することができる。金
属ロールに旋盤切削により形成したリブ形状の凸型母
型、平板に切削などで形成したもリブ形状の凸型母型、
平面基板にドライフィルムを貼り付けてフォトリソ法に
より形成した凸型母型などが有効である。

【００３３】また、請求項１３の感光性を有するリブガ
ラスペーストは紫外線により硬化するものが一般的であ
るが、可視光で硬化するものであっても構わない、また
赤外線で硬化するものであっても構わない。

【００３４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を詳細
に説明する。

【００３５】排気管接続用穴がある低膨張率ガラス基板
を洗浄・乾燥する。スクリーン印刷法で感光性電極ペー
ストをベタで塗布・乾燥し、Ag電極ペースト層を設け
る。続いて、縦型露光機にてガラスマスクをプロキシで
合わせて、露光する。ガラスマスクの電極パターンは端
子取りだし部とプラズマセル部のアノードおよびカソー
ド電極の全てである。次にコンベア式スプレー現像機に
より、現像を行い、水洗し乾燥してパターンを形成し
た。焼成炉にてAg電極を焼成した。

【００３６】スルファミン酸Niメッキ浴を用いて、プラ
ズマセル部のカソード部分に電解メッキにより、Niを設
けた。

【００３７】プラズマチャンネル端部での異常放電の防
止のためににカバーガラスペーストをスクリーン印刷に
て塗布する。その後プラズマセルの壁となるリブをスク
リーン印刷法により２０回塗布・ 乾燥し、焼成する。リ
ブの高さを均一且つ上端面を平滑にするためリブ頂部を
サンドペーパーにて研磨する。研磨渣が残らないよう
に、十分洗浄する。

【００３８】

【実施例】以下、本発明を実施例で説明する。

【００３９】＜実施例１＞請求項８に基づく製造方法に
より、４２”ＶＧＡプラズマアドレス液晶パネルの背面
板（リブ間隔が１．０９２ｍｍピッチ）を実際に作製し
た。以下にパネルの作成工程図の図４を参考にしながら
詳細を説明する。

【００４０】排気管接続用穴がある低膨張率ガラス基板
を洗浄・乾燥する。感光性電極ペーストとして、太陽イ
ンキ製造の感光性Ag電極ペーストＴＲ２９１２を用い
る。次にスクリーン印刷法でこのペーストをベタで塗布
・乾燥し、１２μｍのAg電極ペースト層を設ける。続い
て、縦型露光機にてガラスマスクをプロキシで合わせ
て、１０００ｍｊ／ｃｍ２露光する。ガラスマスクの電
極パターンは端子取りだし部とプラズマセル部のアノー
ドおよびカソード電極の全てである。尚、プラズマセル
部の電極幅は５０μｍである。次にコンベア式スプレー
現像機により、２３℃の0.4wt%Na2CO3 水溶液にて、ス
プレー圧力0.1MPaで5 分間現像を行い、水洗し乾燥して
パターンを形成した。焼成炉にて５８０℃で３０分保持
してAg電極を焼成した。尚、焼成後のAg電極の厚さは約
５μｍ、幅は約４０μｍである。抵抗は放電部約１００
０ｍｍで２００Ω程度となる。従って、抵抗値としては
十分に仕様を達成している。

【００４１】スルファミン酸Niメッキ浴を用いて、プラ
ズマセル部のカソード部分に電解メッキにより、Niを概
ね５μｍの厚さとした。これにより、カソード電極の高
さは約１０μｍとなり、幅は約５０μｍとなる。

【００４２】プラズマチャンネル端部での異常放電の防
止のためににカバーガラスペーストをスクリーン印刷に
て塗布する。その後プラズマセルの壁となるリブを１０
０μｍ幅で、スクリーン印刷法により２０回塗布・ 乾燥
し、２５０μｍ程度まで積層した後、５８０℃にて焼成
する。リブの高さを２００μｍで±２μｍ以内で均一且
つ上端面を平滑にするためリブ頂部をサンドペーパーに
て研磨する。研磨渣が残らないように、十分洗浄する。

【００４３】＜実施例２＞請求項９に基づく製造方法に
より、４２”ＨＤＴＶプラズマアドレス液晶パネルの背
面板（リブ間隔が０．４８５ｍｍピッチ）を実際に作製
した。以下にパネルの作成工程図の図５を参考にしなが
ら詳細を説明する。

【００４４】排気管接続用穴がある低膨張率ガラス基板
を洗浄・乾燥する。感光性電極ペーストとして、太陽イ
ンキ製造の感光性Ag電極ペーストＴＲ２９１２を用い
る。次にスクリーン印刷法でこのペーストをベタで塗布
・乾燥し、１２μｍのAg電極ペースト層を設ける。続い
て、縦型露光機にてガラスマスクをプロキシで合わせ
て、１０００ｍｊ／ｃｍ２露光する。ガラスマスクの電
極パターンは端子取りだし部とプラズマセル部のアノー
ドおよびカソード電極の全てである。尚、プラズマセル
部の電極幅は５０μｍである。次にコンベア式スプレー
現像機により、２３℃の0.4wt%Na2CO3 水溶液にて、ス
プレー圧力0.1MPaで5 分間現像を行い、水洗し乾燥して
パターンを形成した。焼成炉にて５８０℃で３０分保持
してAg電極を焼成した。尚、焼成後のAg電極の厚さは約
５μｍ、幅は約４０μｍである。抵抗は放電部約１００
０ｍｍで２００Ω程度となる。従って、抵抗値としては
十分に仕様を達成している。

【００４５】スルファミン酸Niメッキ浴を用いて、プラ
ズマセル部のカソード部分に電解メッキにより、Niを概
ね５μｍの厚さとした。これにより、カソード電極の高
さは約１０μｍとなり、幅は約５０μｍとなる。プラズ
マチャンネル端部での異常放電の防止のためににカバー
ガラスペーストをスクリーン印刷にて塗布する。焼成炉
にて５８０℃で３０分保持してカバーガラスを焼成し
た。

【００４６】この電極付きガラス基板に５０μｍドライ
フィルム（日本合成化学製ＮＥＦ１５０）をラミネータ
ーにより５枚張り合わせて２５０μｍの厚さとする。続
いて、縦型露光機にてガラスマスクをプロキシで合わせ
て、電極とのアライメントをして、３００ｍｊ／ｃｍ２
で露光する。ガラスマスクの電極とのアライメントマー
ク付きであり、リブ幅は８０μｍである。次にコンベア
式スプレー現像機により、２３℃の1.0wt%Na2CO3 水溶
液にて、スプレー圧力0.2MPaで4 分間現像を行い、水洗
し乾燥してパターンを形成した。これにより、形成した
凹部にガラスペーストをスクリーン印刷法で埋め込み、
真空脱泡し、８０℃で溶剤の乾燥を行い、さらに埋め込
み、脱泡、乾燥を繰り返し、気泡が混入しないようにし
た。ペーストを１６０℃で硬化させて、不要部分をサン
ドペーパーにて研磨し、除去する。次にドライフィルム
を４５℃の５wt%NaOH 水溶液に１２分間ディップした
後、４５℃の水中に３分間ディップして膨潤剥離する。
最後に焼成炉にて５８０℃で３０分保持してリブをを焼
成した。この結果、４２”基板の全面に渡って均一なリ
ブの高さ（２００μｍで±２μｍ以内）をおよびリブ頂
部の平滑性も実現された。さらに電極とのアライメント
精度も±５μｍ以内と問題なく、ＨＤＴＶ仕様を満足す
る背面板が作製できた。また、開口率も６５％となる。

【００４７】＜実施例３＞請求項１０に基づく製造方法
により、４２”ＨＤＴＶプラズマアドレス液晶パネルの
背面板（リブ間隔が０．４８５ｍｍピッチ）を実際に作
製した。以下にパネルの作成工程図の図６を参考にしな
がら詳細を説明する。尚、電極基板に異常放電防止用の
カバーガラスを形成、焼成するまでの工程は全く変わら
ないので省略する。

【００４８】精密機械工作にて先端幅７０μｍリブ形状
の凹部を有すプレス用金型に、フッ素処理を施して離型
性を良くしてから、リブペーストを塗布する。この上に
シリコーン処理したフィルムを挟み、プレスしてペース
トを凹部に埋め込む。フィルムを１８０度剥離した後、
ドクターで不要部のペーストを除去する。

【００４９】一方、カバーガラス焼成済み電極付きガラ
ス基板に厚さ１０μｍの粘着材を貼り付ける。ここで上
記ペーストを埋め込んだ金型とこのガラス基板をアライ
メントしプレス転写する。最後に焼成炉にて５８０℃で
３０分保持してリブをを焼成した。この結果、４２”基
板の全面に渡って均一なリブの高さ（２００μｍで±２
μｍ以内）をおよびリブ頂部の平滑性も実現された。さ
らに電極とのアライメント精度も±５μｍ以内と問題な
く、ＨＤＴＶ仕様を満足する背面板が作製できた。

【００５０】＜実施例４＞請求項１１に基づく製造方法
により、４２”ＨＤＴＶプラズマアドレス液晶パネルの
背面板（リブ間隔が０．４８５ｍｍピッチ）を実際に作
製した。以下にパネルの作成工程図の図７を参考にしな
がら詳細を説明する。尚、電極基板に異常放電防止用の
カバーガラスを形成、焼成するまでの工程は全く変わら
ないので省略する。

【００５１】先端がプラズマセル形状を有するバイトに
て、金属ロールに旋盤切削したリブ形状（先端幅７０μ
ｍ）の凸型母型ロールに紫外線硬化型アクリル系樹脂を
塗布して、ＰＥＴフィルムにニップロールにて密着し、
紫外線を照射して硬化させて、所望の凹版ができる。こ
の凹版にリブペーストを塗布し、ブレードで不要部のペ
ーストを除去する。

【００５２】一方、カバーガラス焼成済み電極付きガラ
ス基板と、上記ペーストを埋め込んだ凹版をアライメン
トしプレス転写する。未乾燥でガラスペーストの濡れ性
が凹版よりガラス基板の方がよいものを選定してあるの
で、ガラス基板にペーストはガラス基板に転写する。最
後に焼成炉にて５８０℃で３０分保持してリブを焼成し
た。この結果、４２”基板の全面に渡って均一なリブの
高さ（２００μｍで±２μｍ以内）をおよびリブ頂部の
平滑性も実現された。さらに電極とのアライメント精度
も±５μｍ以内と問題なく、ＨＤＴＶ仕様を満足する背
面板が作製できた。

【００５３】＜実施例５＞請求項１２に基づく製造方法
により、４２”ＨＤＴＶプラズマアドレス液晶パネルの
背面板（リブ間隔が０．４８５ｍｍピッチ）を実際に作
製した。以下にパネルの作成工程図の図８を参考にしな
がら詳細を説明する。尚、電極基板に異常放電防止用の
カバーガラスを形成、焼成するまでの工程は全く変わら
ないので省略する。

【００５４】先端が７０μｍ幅のリブ形状を有するバイ
トにて、金属ロールに旋盤切削したリブ形状の凹型母型
ロールに紫外線硬化型アクリル系樹脂を塗布して、ＰＥ
Ｔフィルムにニップロールにて密着し、紫外線を照射し
て硬化させて、凸型母型を作製する。これに型取り用の
シリコーンゴムを真空脱泡し塗布し真空プレス機の下面
にセットする。一方、裏打ち材となる0.2mm の厚さのス
テンレス鋼板を上記プレス機の上面に電磁石で固定す
る。真空引き後にプレスし、放置してゴムの硬化させ
る。この結果できたシリコーンゴム凹版に紫外線硬化型
のリブペーストを塗布し、ブレードで不要部のペースト
を除去する。

【００５５】一方、カバーガラス焼成済み電極付きガラ
ス基板と、上記ペーストを埋め込んだ凹版をアライメン
トしプレスし、紫外線を照射して上記リブペーストを硬
化させる。シリコーンゴム凹版の離型性とゴム変形によ
りペーストはガラス基板に転写する。最後に焼成炉にて
５８０℃で３０分保持してリブをを焼成した。この結
果、４２”基板の全面に渡って均一なリブの高さ（２０
０μｍで±２μｍ以内）をおよびリブ頂部の平滑性も実
現された。さらに電極とのアライメント精度も±５μｍ
以内と問題なく、ＨＤＴＶ仕様を満足する背面板が作製
できた。 また、開口率も６５％となる。

【００５６】＜実施例６＞請求項１３に基づく製造方法
により、４２”ＨＤＴＶプラズマアドレス液晶パネルの
背面板（リブ間隔が０．４８５ｍｍピッチ）を実際に作
製した。以下にパネルの作成工程図の図９を参考にしな
がら詳細を説明する。尚、電極基板に異常放電防止用の
カバーガラスを形成、焼成するまでの工程は全く変わら
ないので省略する。

【００５７】カバーガラス焼成済み電極付きガラス基板
上に、紫外線硬化型のリブガラスペーストをスクリーン
印刷機でベタ印刷して溶剤乾燥する（乾燥厚さ５０μ
ｍ）。続いて、縦型露光機にてガラスマスクをプロキシ
で合わせて、電極とのアライメントをして、３００ｍｊ
／ｃｍ２で露光する。ガラスマスクの電極とのアライメ
ントマーク付きであり、リブ幅は７０μｍである。さら
にこれを５回繰り返して、２５０μｍとする。次にコン
ベア式スプレー現像機により、２３℃の1.0wt%Na2CO3
水溶液にて、スプレー圧力0.2MPaで4 分間現像を行い、
水洗し乾燥してリブパターンを形成した。最後に焼成炉
にて５８０℃で３０分保持してリブをを焼成した。この
結果、４２”基板の全面に渡って均一なリブの高さ（２
００μｍで±２μｍ以内）をおよびリブ頂部の平滑性も
実現された。さらに電極とのアライメント精度も±５μ
ｍ以内と問題なく、ＨＤＴＶ仕様を満足する背面板が作
製できた。 また、開口率も６５％となる。

【００５８】

【発明の効果】以上詳しく説明したとおり、本発明によ
る製造方法で電極を形成すれば下記のような効果が現れ
る。Niカソードの幅を細く出来るため、開口率がアップ
するので、結果とプラズマアドレス液晶パネルが明るく
なる。Niカソードの高さを１０μｍと低くできるため、
スクリーン印刷法によるリブ形成法以外にアライメント
精度の良い製造方法が適用できるので、これまでスクリ
ーン印刷法では難しかった４２”ＨＤＴＶ仕様（0.485m
m ピッチ）の背面板を安定的に製造する事ができる。ま
た、リブ高さを均一しやすい製造方法を適用することも
できるため、歩留まり、および製品の安定性が増す。

【図面の簡単な説明】

【図１】プラズマアドレス液晶パネルの構造を説明する
斜視図である。

【図２】プラズマアドレス液晶パネルの構造を説明する
パネルの部分断面図である。

【図３】プラズマアドレス液晶パネル背面板の従来の工
程図である。

【図４】本発明の実施例１を説明するプラズマアドレス
液晶パネル背面板の工程図である。

【図５】本発明の実施例２を説明するプラズマアドレス
液晶パネル背面板の工程図である。

【図６】本発明の実施例３を説明するプラズマアドレス
液晶パネル背面板の工程図である。

【図７】本発明の実施例４を説明するプラズマアドレス
液晶パネル背面板の工程図である。

【図８】本発明の実施例５を説明するプラズマアドレス
液晶パネル背面板の工程図である。

【図９】本発明の実施例６を説明するプラズマアドレス
液晶パネル背面板の工程図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H089 HA36 QA16 TA02 5C040 FA02 FA09 GB03 GB08 GC03 GC18 GC19 GF02 GF19 JA02 JA08 JA12 JA15 JA17 JA19 JA20 JA22 KA01 KA08 KB17 KB19 LA11 LA16 MA03 MA22 MA23 MA25

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】背面ガラス基板上にアノード電極、カソー
   ド電極、リブを設け、これと対向させて薄板ガラスを封
   止したプラズマアドレス液晶パネルにおいて、プラズマ
   セルのカソード電極としてフォトリソ法により下地電極
   を形成し、その上にNiメッキを施すことを特徴とするプ
   ラズマアドレス液晶パネルの背面板。
2. 【請求項２】前記アノード電極が前記下地電極と同じ材
   料からなる請求項１記載のプラズマアドレス液晶パネル
   の背面板。
3. 【請求項３】前記下地電極が感光性Agペーストを用いて
   形成された請求項１又は２に記載のプラズマアドレス液
   晶パネルの背面板。
4. 【請求項４】前記Niメッキが無電解メッキである請求項
   １〜３に記載のプラズマアドレス液晶パネルの背面板。
5. 【請求項５】前記Niメッキが電解メッキである請求項１
   〜３に記載のプラズマアドレス液晶パネルの背面板。
6. 【請求項６】請求項１〜５のいずれかに記載のプラズマ
   アドレス液晶パネルの背面板を製造する方法であって、
   背面ガラス基板上にアノード電極およびカソード電極用
   の感光性電極ペーストをベタ塗布して、フォトリソ法に
   よりパターニングした後、電極ペーストを焼成し、プラ
   ズマセルのカソード電極として必要な部分にNiメッキを
   施し、リブを形成することを特徴とするプラズマアドレ
   ス液晶パネルの背面板製造方法。
7. 【請求項７】請求項１〜５のいずれかに記載のプラズマ
   アドレス液晶パネルの背面板を製造する方法であって、
   背面ガラス基板上にアノード電極およびカソード電極用
   の感光性電極ペーストをベタ塗布して、フォトリソ法に
   よりパターニングした後、リブを形成し、電極ペースト
   とリブを同時に焼成した後に、プラズマセルのカソード
   電極として必要な部分にNiメッキを施すことを特徴とす
   るプラズマアドレス液晶パネルの背面板製造方法。
8. 【請求項８】請求項６、７のいずれかに記載のプラズマ
   アドレス液晶パネルの背面板を製造する方法において、
   リブを形成する方法がスクリーン印刷方法であることを
   特徴とするプラズマアドレス液晶パネルの背面板製造方
   法。
9. 【請求項９】請求項６、７のいずれかに記載のプラズマ
   アドレス液晶パネルの背面板を製造する方法において、
   リブを形成する方法が感光性レジストを用いた埋め込み
   法であることを特徴とするプラズマアドレス液晶パネル
   の背面板製造方法。
10. 【請求項１０】請求項６、７のいずれかに記載のプラズ
    マアドレス液晶パネルの背面板を製造する方法におい
    て、リブを形成する方法が金型もしくはセラミクス型を
    用いたプレス法であることを特徴とするプラズマアドレ
    ス液晶パネルの背面板製造方法。
11. 【請求項１１】請求項６、７のいずれかに記載のプラズ
    マアドレス液晶パネルの背面板を製造する方法におい
    て、リブを形成する方法が電離放射線硬化性樹脂シート
    凹版を用いた転写法であることを特徴とするプラズマア
    ドレス液晶パネルの背面板製造方法。
12. 【請求項１２】請求項６、７のいずれかに記載のプラズ
    マアドレス液晶パネルの背面板を製造する方法におい
    て、リブを形成する方法がシリコーンゴム凹版を用いた
    転写法であることを特徴とするプラズマアドレス液晶パ
    ネルの背面板製造方法。
13. 【請求項１３】請求項６、７のいずれかに記載のプラズ
    マアドレス液晶パネルの背面板を製造する方法におい
    て、リブを形成する方法が、感光性を有するリブガラス
    ペーストをベタ印刷後にフォトリソ法で形成する方法で
    あることを特徴とするプラズマアドレス液晶パネルの背
    面板製造方法。