JP2000171631A

JP2000171631A - 偏光子及びそれを用いた光アイソレータ

Info

Publication number: JP2000171631A
Application number: JP10342084A
Authority: JP
Inventors: Yasushi Sato; 恭史佐藤
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1998-12-01
Filing date: 1998-12-01
Publication date: 2000-06-23

Abstract

(57)【要約】【課題】簡便で且つ高精度に位置決めできる偏光子及
びそれを用いた光アイソレータを提供すること。【解決手段】誘電体３中に光吸収異方性を有する金属
体２ａが多数分散配列されて成る偏光子Ｐの少なくとも
一主面に、金属体２ａの光吸収方向と一致する長軸を備
えた形状の位置決め用マーカー５を１箇所以上に形成せ
しめたものとする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信機器、光記
録用機器、センサー等に使用される偏光子に関するもの
であり、特に光通信用機器に用いられる光アイソレータ
に好適に使用される偏光子及びそれを用いた光アイソレ
ータに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の偏光子Ｊの一例を図１４に示す。
この偏光子Ｊは、ガラス５１中に回転楕円体状を成す金
属粒子５２が分散されており、入射光Ｌ１に対して金属
粒子５２の長軸方向の偏光成分を吸収し、短軸方向の偏
光成分をほとんど透過させることで、偏光子として動作
させるものである。

【０００３】このような偏光子Ｊは、光吸収異方性を有
する微細な金属粒子５２をガラス５１中に分散させるこ
とで偏光特性を得るものであり、偏光フィルム等よりも
損失が小さく、しかも耐久性が高いため、光通信の分野
で活用されている。

【０００４】上記偏光子Ｊは、例えば次のようにして作
製される。まず、ハロゲン化銀を含むガラス中に熱処理
によりハロゲン化銀を凝集させ、次いで熱塑性加工によ
り微細なハロゲン化銀粒子の回転楕円体への変形と、該
回転楕円体の長軸方向の配向を同時に行なった後に、ハ
ロゲン化銀を金属銀に還元して偏光特性を生じるように
して偏光子を得る（例えば、特開昭５６−１６９１４０
号公報等を参照、以下、溶融法という）。

【０００５】同じくガラス中に金属微粒子を分散させた
偏光子として、次のようなものが提案されている。すな
わち、ガラス等の誘電体基板上に真空蒸着等の薄膜形成
法を利用して金属を島状に成膜した島状金属粒子の膜
と、ガラス等から成る誘電体膜とを交互に形成し、熱塑
性加工により島状金属粒子に対して異方性を付与した偏
光子が提案されている（以下、薄膜法という）。このよ
うな薄膜法は、上記溶融法と比較すると還元が不要でプ
ロセスが簡便となる等のメリットを有している（例え
ば、１９９０年電子情報通信学会秋期全国大会予稿集Ｃ
−２１２等を参照）。

【０００６】これらの偏光子は、主に図１５に示すよう
な光アイソレータに構成され、光通信、光計測等の分野
で利用される。偏光子Ｊ１と偏光子Ｊ２との間に、ファ
ラデー回転子Ｆを挟み、入射側の偏光子Ｊ１の消光方向
に対し、出射側の偏光子Ｊ２はその消光方向が磁界方向
に対し右ネジ方向に４５度の角度となるように配設され
ている。これにより、入射側の偏光子Ｊ１の消光方向に
対し直交する偏光面を有する入射光Ｋ１は、偏光子Ｊ２
を通過し、その偏光面がファラデー回転子Ｆにより磁界
方向に対し右ネジ方向に４５度回転させられる。この入
射光Ｋ１は出射側偏光子の消光方向に対しても直交する
ので、ほとんど減衰せずに通過し出射光Ｋ２として出射
される。一方、逆光Ｋ３は出射側の偏光子Ｊ２の消光方
向と直交する偏光のみを通過する。この直線偏光は偏光
面がファラデー回転子により磁界方向に対し右ネジ方向
に４５度回転するので、入射側偏光子Ｊ１の消光方向と
同一になり大きく減衰する。

【０００７】以上述べたように、偏光子は光アイソレー
タに好適に利用されるが、組み立て時の消光方向の相対
的な角度合わせは、光アイソレータのアイソレーション
を決定する際のもっとも重要な事項となる。

【０００８】図１６は、消光比４０ｄＢ程度の偏光子に
おいて、入射する直線偏光の偏光方向が偏光子の消光方
向からずれた場合の光減衰量を示したグラフである。光
アイソレータの実装上のずれで考えると、横軸は２つの
偏光子の消光方向の相対角度の４５度からのずれを示す
ことになる。

【０００９】この図からわかるように、例えば消光比４
０ｄＢの偏光子を用いた場合でも、相対角度が１度ずれ
るとアイソレーションは３４ｄＢに劣化してしまう。消
光比４０ｄＢの偏光子を用いて、アイソレーションが３
５ｄＢ以上の光アイソレータを量産する場合は、素子毎
の特性ばらつき等を考慮し、相対角度差は０．５度以下
に抑える必要がある。

【００１０】一般的には、ファラデー回転子も素子毎に
回転角のばらつきがあるので、実際に光アイソレータを
仮組みした状態で光を通し、アイソレーションが最大に
なる状態に位置合わせを行い瞬間的にＹＡＧ溶接等で固
定する。この工程は完成品１つずつ全てに行う必要があ
り、煩雑で高価格化の原因となっていた。

【００１１】この煩雑さの問題を解消するために、偏光
子の消光方向と外形の一辺を予め０度（又は９０度）と
４５度になるように加工しておき、同一平面上に配設す
るだけで偏光子の消光方向が互いに４５度を成すように
したものが提案されている（特開平１０−１８６２８０
号公報を参照）。

【００１２】また、正方形に成形した偏光子の消光方向
と偏光子の外形の１辺が平行に、もう１辺が直交するよ
うに加工しておき、設置面が４５度回転した位置にある
部品に搭載することで、偏光子の消光方向が互いに４５
度異なる方向にしたものも提案されている（特開平１０
−６８９０７号公報を参照）。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上述した溶
融法及び薄膜法で形成した偏光子は、内包する金属粒子
に異方性を持たせるために加熱して引き伸ばす工程が不
可欠であり、この工程の後に切断し、成形することにな
る。したがって、光アイソレータを組み立てる場合に
は、偏光子の外形形状と消光方向は切断、成形時に調整
して、偏光子のホルダに実装しなければならないが、こ
れまで、簡便で且つ精度良く行える偏光子の実装方法が
なかった。

【００１４】また、偏光子に実際に光を通し消光比を測
定しながら方向を決めた後、治具等を工夫してずれない
ように加工器に固定し切削することになるが、現在の技
術では消光比を測定しながら同時に切削を行うことは非
常に困難で、たとえ可能であったとしても作業が煩雑な
り問題である。

【００１５】さらに、上記のような加工では消光比の測
定による位置決めと加工を別に行うため、偏光子の消光
方向と外形の辺との精度は１度程度が限界である。した
がって、上述した０．５度以内の組み立て誤差（相対角
度差）は実質不可能であり、偏光子の消光比が高い場合
でも、光アイソレータとしてのアイソレーションは低く
なり、また高アイソレーションの光アイソレータを生産
するためには、さらに高価な高消光比の偏光子が必要に
なる。

【００１６】以上のような従来の諸問題に鑑み、本発明
では簡便で且つ高精度に位置決めできる偏光子及びそれ
を用いた光アイソレータを提供することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の偏光子は、誘電体中に光吸収異方性を有す
る金属体が多数分散配列されて成る偏光子の少なくとも
一主面に、前記金属体の光吸収方向と一致する長軸を備
えた形状の位置決め用マーカーを１箇所以上に形成せし
めた。

【００１８】また、誘電体中に光吸収異方性を有する金
属体が多数分散配列されて成り外形が曲面を成す偏光子
の側面に、前記金属体の光吸収方向に平行な位置決め用
平面を形成せしめた。

【００１９】ここで特に、位置決め用マーカーが金属
膜、開口、もしくは凸形状を成すことを特徴とする。

【００２０】また、本発明の光アイソレータは、ホルダ
に配設したファラデー回転子の光入射側及び光出射側の
少なくとも一方に、上記偏光子をホルダに対して位置決
め配設して成るものとする。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施形態につい
て、図面に基づき詳細に説明する。

【００２２】本発明の偏光子Ｐの基本構成の斜視図を図
１に示す。同図に示すように偏光子Ｐは、ガラス等から
なる透明な誘電体基板１の一主面上に偏光層４を設けた
ものである。この偏光層４は、熱塑性加工により光吸収
異方性と配向性が付与された金属粒子２ａが誘電体層中
に分散配列された金属粒子層２と誘電体基板１と同一材
質の誘電体層３とが交互に積層されて成るものであり、
この偏光層４の表面に金属等の薄膜により形成された位
置決め用マーカー５が１箇所以上に形成されている。な
お、この位置決め用マーカー５は偏光子Ｐの少なくとも
一主面に形成されていればよい。

【００２３】位置決め用マーカー５は金属体である金属
粒子２ａの光吸収異方性と一致する長軸を備えたもので
あり、金属薄膜、開口、もしくは凸形状を成すものと
し、後熱塑性加工により金属粒子とほぼ同一のアスペク
ト比（長軸長さ／短軸長さ）の形状に形成できる。

【００２４】偏光子Ｐは、偏光層４を構成する金属粒子
２ａが、形状異方性（即ち光吸収異方性）及び配向性を
有することによって偏光子として機能する。例えば、図
１に示すように、Ｘ方向（金属粒子２ａの長軸方向）と
Ｙ方向（金属粒子２ａの短軸方向）の偏光成分を持つ入
射光Ｌ１は、偏光層４を通過することでＸ方向の偏光成
分がほとんど吸収され、出射光Ｌ２はＹ方向に偏光した
光になる。したがってＸ方向が消光方向（光吸収方向）
となる。

【００２５】ここで、位置決め用マーカー５は、熱塑性
加工により金属粒子２ａと同様にして異方性が付与され
るので、Ｘ方向とのずれがほぼ０度であるが、消光方向
と位置決め用マーカー５の長軸方向の角度ずれは０．２
度以下であれば、後記する光アイソレータの組み立て時
における偏光子の位置決めを正確に行うことができ、消
光比がほとんど低下しない。

【００２６】ここで、位置決め用マーカー５は以下のよ
うに活用することができる。まず、光アイソレータ実装
時に位置決め用マーカー５を目安に位置合わせが可能で
あり、特に偏光子の外形が円形状等の曲面を有する場合
に有効である。

【００２７】また、この位置決め用マーカー５を基準に
して、外形の一辺と位置決め用マーカー５が平行になる
ように成形する。従来のように消光比を測定しながら切
削するのは実質上無理であるが、表面の位置決め用マー
カー５をＣＣＤ等でモニターしながら切削方向を調整す
るのは極めて容易である。

【００２８】また、偏光子をはんだ固定する部材（ホル
ダ）に、同様の略長方形の金属パターン（例えば、はん
だ濡れの悪いＳＵＳ部材上にＮｉ／Ａｕ等の針状のめっ
きパターン）を形成すれば、はんだは偏光子上の針状の
位置決め用マーカー５とホルダ上の針状の金属パターン
にのみ濡れるため、偏光子の位置合わせパターンとホル
ダ上の金属パターンのずれが最小になるように、はんだ
の表面張力で自動的にアライメントされる。

【００２９】また、位置決め用マーカー５に作用する表
面張力は、位置決め用マーカー５の外周の長さに比例す
るので、位置決め用マーカー５の外周の長さをＬ（μ
ｍ）とし、偏光子の重さをＭ（ｇ）とし、偏光子に働く
重力の１０倍以上でアライメントする場合、下記式
（Ａ）を満足する位置決め用マーカーを作製すれば、表
面張力で偏光子の位置決めが充分可能である。

【００３０】Ｌ＞１．１×１０⁵×Ｍ・・・（Ａ）ここで、偏光子に働く重力の１０倍以上を基準としたの
は、偏光子によるまさつ等も考慮し、それに打ち勝って
移動させるのに必要な力を導き出すためである。

【００３１】また、金属粒子２ａのアスペクト比と位置
決め用マーカー５のアスペクト比とはほぼ一致するの
で、アスペクト比と消光させる光の中心波長との線形関
係より位置決め用マーカーに偏光子の特性を示すマーカ
ーとしても兼用することができる。

【００３２】次に、偏光子の代表的な作製方法につい
て、以下の工程（１）〜（６）に基づいて説明する。

【００３３】（１）透光性を有する誘電体基板１上に島
状微粒子から成る金属粒子層２をスパッタ法により被着
形成させる工程。

【００３４】（２）誘電体基板１全体を誘電体基板１を
構成する誘電体材料のガラス徐冷点より低い温度で加熱
して、島状微粒子を凝集させて所望の寸法の金属粒子２
ａに成長させる工程。

【００３５】（３）多数の金属粒子２ａから成る層上に
スパッタ法により誘電体層３を膜状に形成させる工程。

【００３６】所望の消光比を得るために、上記（１）か
ら（３）を数回繰り返しすことにより、図２に示すよう
に、誘電体基板１上に偏光層４が形成される。

【００３７】（４）図３に示すように、偏光層４の表面
に微小エッチングによる段差や金属薄膜により直径２０
０μｍ程度の円形位置決め用マーカー５を形成する。

【００３８】（５）次に、ガラス軟化点と除冷点の間の
温度で加熱し一定方向に張力を加えることで延伸せしめ
（熱塑性加工）、偏光層４中に分散した金属粒子２ａに
異方性と配向性を付与する。また、図４に示すように、
表面の円形位置決め用マーカー５も偏光層４中の金属粒
子２ａと全く同一の方向に引き伸ばされた楕円状（針
状）の形状になる。

【００３９】（６）最後に、偏光子Ｐの両主面に洗浄等
を施し、さらに両主面の位置決め用マーカー５を除く領
域に、ＴｉＯ₂，ＳｉＯ₂，ＭｇＯ等の誘電体材料から
なる単層もしくは多層膜からなる反射防止膜を形成す
る。

【００４０】なお、誘電体基板１にはホウ珪酸ガラスの
一種である、ＢＫ−７ガラス（ホーヤ社製、ＳｉＯ₂が
約６９重量％、Ｂ₂Ｏ₃が約１０重量％）、パイレック
スガラス（コーニング社製＃７７４０、ＳｉＯ₂が約８
３重量％、Ｂ₂Ｏ₃が約１３重量％）、石英ガラス等が
好適である。

【００４１】また、金属粒子２ａは、Ｃｕ，Ａｇ，Ａ
ｕ，Ｐｔ，Ｃｒ等が光吸収性が高いため好ましい。特に
Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔは酸化しにくい上に粒子化し易
いのでより好適である。

【００４２】また、位置決め用マーカー５は、予めガラ
ス膜や金属等を略円形に成膜したり、微小な径にエッチ
ングすれば良い。金属を用いる場合は加熱延伸で酸化し
難いＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ等が適当である。また、位置決め
用マーカー５は上記金属膜や開口としての凹部だけでな
く、貫通孔等の開口や凸形状に形成してもよい。

【００４３】また、薄膜法による偏光子を用いて説明し
ているが、溶融法の偏光子に位置決め用マーカーを形成
して適用することも可能である。延伸による工程を含む
ものはすべて本発明の位置決め用マーカーを用いること
ができる。ただし、偏光子表面への金属薄膜によるマー
カーの形成は、薄膜法ならば偏光子作製のための従来の
製造装置の中において、ほとんど工程を増加させること
がないのでより好適である。

【００４４】さらに、熱塑性加工時に、多数の偏光子に
対して位置決め用マーカーを作製でき、個々の偏光子位
置決め用マーカーを形成させる必要がないので、多数の
偏光子の作製を非常に簡便に行うことができる。

【００４５】次に、他の実施形態について説明する。上
記位置決め用マーカーは、金属体の光吸収方向と一致す
る長軸を備えた形状とし、例えば金属膜、開口、もしく
は凸形状を成すものとしたが、特に、円盤状の偏光子な
どのように、曲面を成す偏光子の側面に、偏光層を構成
する金属体の光吸収方向に平行な位置決め用平面を形成
して偏光子としてもよい。

【００４６】そして、光アイソレータを構成するファラ
デー回転子を配設したホルダに、少なくとも偏光子の位
置決め用平面を当接させる平面を備えた支持台を設け、
この支持台と偏光子の位置決め用平面とで、偏光子のフ
ァラデー回転子に対する（ホルダに対する）位置を決定
するようにして、偏光子の消光方向位置を正確に位置決
めできるようにしてもよい。

【００４７】この方法によれば、ホルダに位置合わせ用
のパターンを形成する必要がなく、偏光子をホルダの支
持台に載置するだけで、偏光子の消光比方向位置を正確
に決定することができる。

【００４８】

【実施例】次に具体的な実施例について説明する。

【００４９】〔例１〕図１に示す誘電体基板１，誘電体
薄膜層３に、それぞれホウ珪酸ガラスの一種であるＢＫ
−７を用い、金属粒子２ａとしてＣｕを用いた。また、
位置決め用マーカー５にはＡｕを用いた。

【００５０】まず、各金属粒子層２の厚さは約２４ｎ
ｍ、誘電体薄膜層３の厚さは約２００ｎｍとし、交互に
１０層ずつ成膜し、誘電体基板１上に偏光層４を形成し
た。なお、誘電体薄膜層３は２００℃で成膜した。

【００５１】次に、偏光層４の表面にＡｕ薄膜による直
径２００μｍの円形状の位置決め用マーカー５を対称位
置に形成した。

【００５２】次に、偏光層４を含む誘電体基板１の全体
を、材料であるＢＫ−７の軟化点と徐冷点の間の温度で
ある約６２０℃に加熱し延伸を行い、全体の厚さを約１
／３とした。また、位置決め用マーカー５は長さ１．８
ｍｍ、幅約７０μｍの楕円状もしくは針状に変形させ
た。

【００５３】次に、図５に示す偏光子Ｐ０の両主面（表
裏面）に洗浄を施し、さらに両主面で位置決めマーカー
５を除く領域に、ＴｉＯ₂，ＳｉＯ₂の合計５層からな
る反射防止膜を形成した。このように、反射防止膜を形
成する際に、位置決め用マーカー５上にはマスクを施
し、反射防止膜が付着しないようにしている。これは位
置決め用マーカー５をはんだづけに利用するためであ
る。なお、位置決め用マーカー５はもともと有効径の外
側にあるので、反射防止膜が無くとも問題はない。ま
た、位置決め用マーカー５を形成するためのマスクは、
成膜装置への固定治具をの形状をちょうど位置決め用マ
ーカー上を抑える形状にしたり、テープを貼着したり、
レジストを塗布等してもよく、この際の厳密な位置合わ
せは不要である。

【００５４】最後に、光アイソレータに実装するため
に、直径１．２ｍｍの円盤状に切削した。この切削加工
は、円筒形の金型をワークに押し当て遊離砥粒を流しな
がら超音波加工機で行ったもので、正確に金型形状に切
削できた。

【００５５】〔例２〕例１と同様に、誘電体基板１、誘
電体薄膜層３にそれぞれホウ珪酸ガラスの一種であるＢ
Ｋ−７、金属粒子２ａにＣｕを用い、表面の位置決め用
マーカーにはＡｕを用いた。

【００５６】例１と同様に、各金属粒子層２の厚さは約
２４ｎｍ、誘電体薄膜層３の厚さは約２００ｎｍとし、
交互に１０層ずつ成膜し誘電体基板１上に偏光層４を形
成した後、その表面にＡｕ薄膜による直径２００μｍの
円形の位置決め用マーカー５を形成した。

【００５７】次に、偏光層４を含む誘電体基板１全体
を、材料であるＢＫ−７の軟化点と除冷点の間の温度で
ある約６２０℃に加熱し延伸を行い、全体の厚さを約１
／３とした。

【００５８】次に、偏光子Ｐの両主面（表裏面）に洗浄
を施し、さらに両主面に、ＴｉＯ₂，ＳｉＯ₂から成り
合計５層からなる反射防止膜を形成した。

【００５９】最後に、光アイソレータに実装するために
切削を行うが、位置決め用マーカー５を基準に外形の一
部を位置決め用マーカーと平行に成形した。

【００６０】ここでは、図６，７に示すように、全体を
正方形にし、その一辺が位置決め用マーカーと平行に切
削した偏光子Ｐ１及び、角部に位置決め用マーカーを設
けた偏光子Ｐ２を作製した。

【００６１】〔例３〕図８に後記する光アイソレータＨ
１を構成するＳＵＳ等から成るホルダ７を示す。図９に
は例１の偏光子Ｐ０をホルダ７に実装した光アイソレー
タＨ１である。ホルダ（マウント）７には偏光子搭載用
の搭載用マーカー１１が形成されている。この搭載用マ
ーカー１１は、所定方向が長軸となった針状に形成され
た金属薄膜（Ｎｉ／Ａｕ）の上面にはんだ層を形成して
成る。

【００６２】この搭載用マーカー１１に偏光子Ｐ０の位
置決め用マーカー５を合わせた状態ではんだを溶融させ
れば、はんだの表面張力で自動的にアライメントされ
る。なお、偏光子Ｐ０の固定はホルダ７の偏光子搭載面
を上面として行う。

【００６３】〔例４〕図１０は例２の偏光子Ｐ１，Ｐ２
を例３と同様な材質のホルダ７に搭載した光アイソレー
タＨ２である。ホルダ７には偏光子搭載部８，９、ファ
ラデー回転子搭載部１０を設け、偏光子搭載部８、９の
底部を、偏光子の搭載面と平行な面に形成されている。
偏光子Ｐ１、Ｐ２がそれぞれ位置決め用マーカー５に対
し、その外形が０度と４５度の角度を成し切削されてい
るので、ファラデー回転子１０，偏光子Ｐ１，Ｐ２をそ
れぞれ搭載するだけで自動的に角度合わせが可能であ
る。

【００６４】〔例５〕図１１に示すように、例１に示し
た円盤状の偏光子Ｐ０において、位置決め用マーカー５
を一箇所だけ設け、この位置決め用マーカー５に平行に
切削し（位置決め用マーカー５を通る切削線Ｃまで切削
してもよい）、位置決め用平面１２を形成した偏光子Ｐ
３を作製した。

【００６５】この偏光子Ｐ０を搭載する例３と同様な材
質のホルダ１４の前後両面には、偏光子Ｐ０を搭載する
ための傾斜面１４ａ，１４ｃを正確に形成し、さらに、
偏光子Ｐ３を支持する傾斜面１４ｂを形成したものであ
る。

【００６６】この実施例によれば、ホルダ１４側に偏光
子の搭載用のマーカーを設ける必要がなく、ホルダ側に
支持台となる傾斜面１４ａ，１４ｃを正確に形成すれ
ば、偏光子Ｐ３を正確かつ簡便に位置決めできる。

【００６７】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
偏光子の消光方向（光吸収方向）を示す位置決め用マー
カーを消光比の測定を行うこと無しに簡便に形成でき
る。

【００６８】また、偏光子の消光方向と位置決め用マー
カーとのずれを無くすことができるので、偏光子をホル
ダに精度良く位置合わせして光アイソレータに組み立て
ることが簡便にでき、消光比の低下がないアイソレーシ
ョンの高い優れた光アイソレータを提供できる。

【００６９】また、円盤状の偏光子に対しても消光方向
（光吸収方向）の指示が可能であり、位置決め用マーカ
ーに基づいてホルダに偏光子を精度良く位置合わせする
ことが簡便に行える。

【００７０】さらに、熱塑性加工時に、多数の偏光子に
対して位置決め用マーカーを作製でき、個々の偏光子位
置決め用マーカーを形成させる必要がないので、多数の
偏光子の作製を非常に簡便に行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る偏光子の斜視図である。

【図２】本発明に係る偏光子の位置決め用マーカーの形
成過程を説明するための図であり、偏光子の斜視図であ
る。

【図３】本発明に係る偏光子の位置決め用マーカーの形
成過程を説明するための図であり、偏光子の斜視図であ
る。

【図４】本発明に係る偏光子の位置決め用マーカーの形
成過程を説明するための図であり、偏光子の斜視図であ
る。

【図５】本発明に係る他の偏光子を示す斜視図である。

【図６】本発明に係る他の偏光子を示す斜視図である。

【図７】本発明に係る他の偏光子を示す斜視図である。

【図８】本発明の偏光子を用いた光アイソレータを構成
するホルダを示す斜視図である。

【図９】本発明の偏光子を用いた光アイソレータを示す
斜視図である。

【図１０】本発明の偏光子を用いた他の光アイソレータ
を示す斜視図である。

【図１１】本発明の他の偏光子を用いた光アイソレータ
を構成するホルダを示す斜視図である。

【図１２】本発明の他の偏光子を用いた光アイソレータ
を示す斜視図である。

【図１３】本発明の他の偏光子を用いた他の光アイソレ
ータを示す斜視図である。

【図１４】従来の偏光子の動作を模式的に説明する斜視
図である。

【図１５】従来の偏光子を用いた光アイソレータを示す
断面図である。

【図１６】偏光子に入射する直線偏光の角度ずれと特性
変化を示すグラフである。

【符号の説明】

１：誘電体基板２：金属粒子層２ａ：金属粒子３：誘電体薄膜層４：偏光層５：位置決め用マーカー１２：位置決め用平面Ｆ：ファラデー回転子Ｈ１，Ｈ２：光アイソレータＰ，Ｐ０，Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３：偏光子

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】誘電体中に光吸収異方性を有する金属体
が多数分散配列されて成る偏光子の少なくとも一主面
に、前記金属体の光吸収方向と一致する長軸を備えた形
状の位置決め用マーカーを１箇所以上に形成せしめた偏
光子。
【請求項２】誘電体中に光吸収異方性を有する金属体
が多数分散配列されて成り外形が曲面を成す偏光子の側
面に、前記金属体の光吸収方向に平行な位置決め用平面
を形成せしめた偏光子。
【請求項３】前記位置決め用マーカーが金属膜、開
口、もしくは凸形状を成すことを特徴とする請求項１に
記載の偏光子。
【請求項４】ホルダに配設したファラデー回転子の光
入射側及び光出射側の少なくとも一方に、請求項１又は
請求項２に記載の偏光子を前記ホルダに対して位置決め
配設して成る光アイソレータ。