JP2000171538A - ホールプローブ - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な構成でホール素子センサの温度補償を
行うことができるホールプローブを提供する。 【解決手段】 基板２の先端に配設されたホール素子セ
ンサ３と、基板２のホール素子センサ３の近傍に配設さ
れ、ホール素子センサ３の出力側に直列に接続された温
度補償素子４とを備え、温度補償素子４は、ホール素子
センサ３の出力電圧を直接補償すると共に、ホール素子
センサ３と略同じ温度変化を受け、ホール素子センサ３
の温度補償を良好に行うことが可能となる。
行うことができるホールプローブを提供する。 【解決手段】 基板２の先端に配設されたホール素子セ
ンサ３と、基板２のホール素子センサ３の近傍に配設さ
れ、ホール素子センサ３の出力側に直列に接続された温
度補償素子４とを備え、温度補償素子４は、ホール素子
センサ３の出力電圧を直接補償すると共に、ホール素子
センサ３と略同じ温度変化を受け、ホール素子センサ３
の温度補償を良好に行うことが可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、温度補償回路を備
えたホールプローブに関する。
えたホールプローブに関する。
【０００２】
【従来の技術】ホールプローブは、ホール効果を有する
ホール素子センサを備え、印加された磁界強度に応じた
電圧を出力するもので、磁束計を始めとして各種の磁気
測定器の磁気検出手段に使用されている。このホール素
子センサは、ホール定数（ホール効果によって発生する
電界の強さを定める値）が大きく、且つ温度依存性の小
さいゲルマニウム（Ｇa）や、インジウムとアンチモン
の化合物（ＩnＳb）や、ガリウムと砒素の化合物（Ｇa
Ａs）等の半導体を用いて、なるべく厚さの薄い平板状
に形成されている。
ホール素子センサを備え、印加された磁界強度に応じた
電圧を出力するもので、磁束計を始めとして各種の磁気
測定器の磁気検出手段に使用されている。このホール素
子センサは、ホール定数（ホール効果によって発生する
電界の強さを定める値）が大きく、且つ温度依存性の小
さいゲルマニウム（Ｇa）や、インジウムとアンチモン
の化合物（ＩnＳb）や、ガリウムと砒素の化合物（Ｇa
Ａs）等の半導体を用いて、なるべく厚さの薄い平板状
に形成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
ホール素子センサは、温度依存性の小さいものであって
も通常の回路素子に比べて温度依存性が大きく、例え
ば、温度依存性の最も優れているものでも、その温度係
数が−0.05％／℃程度と大きい。このため、どうしても
温度補償を行うことが必要不可欠である。
ホール素子センサは、温度依存性の小さいものであって
も通常の回路素子に比べて温度依存性が大きく、例え
ば、温度依存性の最も優れているものでも、その温度係
数が−0.05％／℃程度と大きい。このため、どうしても
温度補償を行うことが必要不可欠である。
【０００４】従来のホール素子センサの温度補償は、ホ
ール素子センサの近傍にサーミスタ等の温度補償素子を
配置し、その出力信号により回路側で後処理している。
このように、ホール素子の出力信号を後処理して補償し
ているために回路構成が複雑となるばかりでなく、調整
も困難であり、高価である等の問題がある。本発明は、
上述の点に鑑みてなされたもので、簡単な構成でホール
素子センサの温度補償を行うことができるホールプロー
ブを提供することを目的とする。
ール素子センサの近傍にサーミスタ等の温度補償素子を
配置し、その出力信号により回路側で後処理している。
このように、ホール素子の出力信号を後処理して補償し
ているために回路構成が複雑となるばかりでなく、調整
も困難であり、高価である等の問題がある。本発明は、
上述の点に鑑みてなされたもので、簡単な構成でホール
素子センサの温度補償を行うことができるホールプロー
ブを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１の発明では、基板の先端に配設されたホール
素子センサと、前記基板の前記ホール素子センサの近傍
に配設され、前記ホール素子センサの出力側に直列に接
続された温度補償素子とを備えたことを特徴とする。
に請求項１の発明では、基板の先端に配設されたホール
素子センサと、前記基板の前記ホール素子センサの近傍
に配設され、前記ホール素子センサの出力側に直列に接
続された温度補償素子とを備えたことを特徴とする。
【０００６】温度補償素子は、ホール素子センサの出力
側に直列に接続されていることで、ホール素子センサの
出力電圧を直接補償する。また、温度補償素子は、ホー
ル素子センサの近傍に配置されていることで、当該ホー
ル素子センサと略同じ温度変化を受ける。これにより、
ホール素子センサの温度補償を極めて簡単に、且つ良好
に行うことが可能となる。
側に直列に接続されていることで、ホール素子センサの
出力電圧を直接補償する。また、温度補償素子は、ホー
ル素子センサの近傍に配置されていることで、当該ホー
ル素子センサと略同じ温度変化を受ける。これにより、
ホール素子センサの温度補償を極めて簡単に、且つ良好
に行うことが可能となる。
【０００７】請求項２の発明では、前記ホール素子は、
ガリウムと砒素の化合物（GaAs）で形成されていること
を特徴とする。ホール素子センサをガリウム・砒素タイ
プとすることで、内部抵抗を大きくすることができ、温
度補償用素子の抵抗値と良好にマッチングさせることが
可能となる。これにより、ホール素子センサの温度補償
を直接行うことが可能となる。
ガリウムと砒素の化合物（GaAs）で形成されていること
を特徴とする。ホール素子センサをガリウム・砒素タイ
プとすることで、内部抵抗を大きくすることができ、温
度補償用素子の抵抗値と良好にマッチングさせることが
可能となる。これにより、ホール素子センサの温度補償
を直接行うことが可能となる。
【０００８】請求項３の発明では、前記温度補償素子
は、正の温度係数を有していることを特徴とする。負の
温度係数を有するホール素子センサに正の温度係数を有
する温度補償素子を接続することで、良好な温度補償を
行うことが可能となる。
は、正の温度係数を有していることを特徴とする。負の
温度係数を有するホール素子センサに正の温度係数を有
する温度補償素子を接続することで、良好な温度補償を
行うことが可能となる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施例を図面により
詳細に説明する。図１は、本発明に係るホールプローブ
の平面図、図２は、図１の矢線II−IIに沿う断面図であ
る。図１及び図２においてホールプローブ１は、基板２
と、基板２に設けられたホール素子センサ３及び温度補
償素子４と、ホール素子センサ３及び温度補償素子４を
保護及すると共に基板２を支持するための保護・支持部
材５等により構成されている。基板２は、可撓性を有す
る非磁性及び非電導性を有するエポキシ系の樹脂部材
（例えば、ガラスエポキシ基板）により形成された帯状
の薄板とされ、板厚が約0.1mm、幅が約3.5mm、長さが10
0〜150mm程度とされている。
詳細に説明する。図１は、本発明に係るホールプローブ
の平面図、図２は、図１の矢線II−IIに沿う断面図であ
る。図１及び図２においてホールプローブ１は、基板２
と、基板２に設けられたホール素子センサ３及び温度補
償素子４と、ホール素子センサ３及び温度補償素子４を
保護及すると共に基板２を支持するための保護・支持部
材５等により構成されている。基板２は、可撓性を有す
る非磁性及び非電導性を有するエポキシ系の樹脂部材
（例えば、ガラスエポキシ基板）により形成された帯状
の薄板とされ、板厚が約0.1mm、幅が約3.5mm、長さが10
0〜150mm程度とされている。
【００１０】ホール素子センサ３は、基板２の先端に配
置され、接着剤で固定されている。このホール素子セン
サ３は、セラミックの基板上にホール素子チップが設け
られて形成されており、その外形は、縦2.5mm、横1.7m
m、厚さ0.4〜0.45mm程度とされている。このホール素子
センサ３は、ガリウム−砒素（ＧaＡs）化合物により形
成されており、負の温度係数を有し（−0.05%／℃）、
内部抵抗が約３ＫΩと非常に大きい値とされている。こ
のように内部抵抗が大きいことで後述するように温度補
償素子４により直接温度補償が可能となる。
置され、接着剤で固定されている。このホール素子セン
サ３は、セラミックの基板上にホール素子チップが設け
られて形成されており、その外形は、縦2.5mm、横1.7m
m、厚さ0.4〜0.45mm程度とされている。このホール素子
センサ３は、ガリウム−砒素（ＧaＡs）化合物により形
成されており、負の温度係数を有し（−0.05%／℃）、
内部抵抗が約３ＫΩと非常に大きい値とされている。こ
のように内部抵抗が大きいことで後述するように温度補
償素子４により直接温度補償が可能となる。
【００１１】温度補償素子４は、サーミスタで、正の温
度係数を有している。この温度補償素子４の外形は、長
さ3.2mm、幅1.6mm、厚さ0.2mm程度の大きさとされてい
る。このような温度補償素子として例えば、金属薄膜を
感温膜とした薄膜抵抗温度センサ（抵抗温度係数が＋30
00〜＋5000ppm／℃、抵抗値が100〜10ＫΩの範囲で変
化）がある。この温度補償素子４は、ホール素子センサ
３の近傍、例えば、先端のホール素子センサ３から20mm
程度後方位置に配置され接着剤で固定されている。
度係数を有している。この温度補償素子４の外形は、長
さ3.2mm、幅1.6mm、厚さ0.2mm程度の大きさとされてい
る。このような温度補償素子として例えば、金属薄膜を
感温膜とした薄膜抵抗温度センサ（抵抗温度係数が＋30
00〜＋5000ppm／℃、抵抗値が100〜10ＫΩの範囲で変
化）がある。この温度補償素子４は、ホール素子センサ
３の近傍、例えば、先端のホール素子センサ３から20mm
程度後方位置に配置され接着剤で固定されている。
【００１２】基板２には、４本のリード線としてのパタ
ーン線１１〜１４が形成されており、図３に示すように
パターン線１１、１２にはホール素子センサ３の入力端
子３ａ、３ｂが接続されている。また、ホール素子セン
サ３の一方の出力端子３ｃは、温度補償素子４を介して
パターン線１３に接続され、他方の出力端子３ｄは、パ
ターン線１４に接続されている。即ち、ホール素子セン
サ３の一方の出力端子３ｃに温度補償素子４が直列に接
続されている。
ーン線１１〜１４が形成されており、図３に示すように
パターン線１１、１２にはホール素子センサ３の入力端
子３ａ、３ｂが接続されている。また、ホール素子セン
サ３の一方の出力端子３ｃは、温度補償素子４を介して
パターン線１３に接続され、他方の出力端子３ｄは、パ
ターン線１４に接続されている。即ち、ホール素子セン
サ３の一方の出力端子３ｃに温度補償素子４が直列に接
続されている。
【００１３】保護・支持部材５は、可撓性を有する非磁
性及び非電導性を有するエポキシ系の樹脂部材（例え
ば、ガラスエポキシ基板）とされ、基板２と同じ長さ、
幅を有し、厚みがホール素子センサ３の厚み（0.4〜0.4
5mm）よりも僅かに厚い0.6mm程度とされている。この保
護・支持部材５は、ホール素子センサ３及び温度補償素
子４と対応する位置に、これらよりも僅かに大きい孔５
ａ、５ｂが設けられている。この保護・支持部材５は、
孔５ａ、５ｂにホール素子センサ３、温度補償素子４を
収納して基板２上に載置され、接着剤で貼着される。次
いで、孔５ａ、５ｂがモールド材等により密閉される。
性及び非電導性を有するエポキシ系の樹脂部材（例え
ば、ガラスエポキシ基板）とされ、基板２と同じ長さ、
幅を有し、厚みがホール素子センサ３の厚み（0.4〜0.4
5mm）よりも僅かに厚い0.6mm程度とされている。この保
護・支持部材５は、ホール素子センサ３及び温度補償素
子４と対応する位置に、これらよりも僅かに大きい孔５
ａ、５ｂが設けられている。この保護・支持部材５は、
孔５ａ、５ｂにホール素子センサ３、温度補償素子４を
収納して基板２上に載置され、接着剤で貼着される。次
いで、孔５ａ、５ｂがモールド材等により密閉される。
【００１４】この保護・支持部材５は、基板２に設けら
れているホール素子センサ３及び温度補償素子４、パタ
ーン線１１〜１４を保護すると共に、可撓性を有する薄
い基板２が自重や、ホール素子センサ３及び温度補償素
子４の重みで撓まないように支持している。しかしなが
ら、検査対象物に押し当てた場合には、可撓性により撓
んで折損が防止される。
れているホール素子センサ３及び温度補償素子４、パタ
ーン線１１〜１４を保護すると共に、可撓性を有する薄
い基板２が自重や、ホール素子センサ３及び温度補償素
子４の重みで撓まないように支持している。しかしなが
ら、検査対象物に押し当てた場合には、可撓性により撓
んで折損が防止される。
【００１５】保護・支持部材５は、基板２にホールセン
サ３、温度補償素子４を配置した後当該基板２に貼着す
ることで、基板２に対してホール素子センサ３を正確に
位置決めすることができ、複数本のプローブを使用する
場合、或いは、損傷してプローブを交換した場合におい
ても検査対象物にホール素子センサ３を正確に合わせる
ことができる。更に、保護・支持部材５の板厚を正確に
管理することができ、バラツキを小さくすることができ
る。
サ３、温度補償素子４を配置した後当該基板２に貼着す
ることで、基板２に対してホール素子センサ３を正確に
位置決めすることができ、複数本のプローブを使用する
場合、或いは、損傷してプローブを交換した場合におい
ても検査対象物にホール素子センサ３を正確に合わせる
ことができる。更に、保護・支持部材５の板厚を正確に
管理することができ、バラツキを小さくすることができ
る。
【００１６】勿論、保護・支持部材としては、基板２、
ホール素子センサ３及び温度補償素子４を直接モールド
するようにしてもよい。しかしながら、実施例のように
基板２と別体に保護・支持部材５を形成して貼着するこ
とで、基板２に対するホール素子センサ３を正確に位置
決めすることができ好ましい。このようにして、ホール
プローブ１に温度補償素子４が内蔵され、且つホール素
子センサ３の出力端子に直列に接続される。図３に示す
ようにホールプローブ１は、入力側のパターン線１１、
１２、及び出力側のパターン線１３、１４が図示しない
測定器本体に接続される。そして、前記測定器内部にお
いて出力側のパターン線１３、１４間に負荷抵抗ＲLが
接続される。
ホール素子センサ３及び温度補償素子４を直接モールド
するようにしてもよい。しかしながら、実施例のように
基板２と別体に保護・支持部材５を形成して貼着するこ
とで、基板２に対するホール素子センサ３を正確に位置
決めすることができ好ましい。このようにして、ホール
プローブ１に温度補償素子４が内蔵され、且つホール素
子センサ３の出力端子に直列に接続される。図３に示す
ようにホールプローブ１は、入力側のパターン線１１、
１２、及び出力側のパターン線１３、１４が図示しない
測定器本体に接続される。そして、前記測定器内部にお
いて出力側のパターン線１３、１４間に負荷抵抗ＲLが
接続される。
【００１７】以下に作用を説明する。ホール素子センサ
の内部抵抗が小さいと、温度補償素子の抵抗とマッチン
グをさせることが困難であり、直接温度補償を行うこと
ができない。しかしながら、前述したようにガリウム−
砒素（ＧaＡs）を使用したホール素子センサ３は、内部
抵抗RINが約３ＫΩと大きいことで温度補償素子４の抵
抗（100〜10ＫΩ）にマッチングさせることが可能とな
る。
の内部抵抗が小さいと、温度補償素子の抵抗とマッチン
グをさせることが困難であり、直接温度補償を行うこと
ができない。しかしながら、前述したようにガリウム−
砒素（ＧaＡs）を使用したホール素子センサ３は、内部
抵抗RINが約３ＫΩと大きいことで温度補償素子４の抵
抗（100〜10ＫΩ）にマッチングさせることが可能とな
る。
【００１８】ホールプローブ１は、測定器本体に接続さ
れて、入力端子３ａ、３ｂに所定の電流Ｉが供給され
る。この状態でホール素子センサ３を測定すべき磁界中
に入れると、出力端子３ｃ、３ｄに磁界の強さに応じた
電圧Ｖが発生する。いま、負荷抵抗をＲL、基準温度
（２０℃）におけるホール素子センサ３の内部抵抗をＲ
IN、温度補償素子４の初期抵抗をＲS、ホール素子セン
サ３の起電圧V 1、初期発生電圧をV2とすると、 V2＝｛RL／（RL＋RS＋RIN)｝×V1 そして、温度が基準温度からΔＴ変化したときのホール
素子センサ３の内部抵抗の温度変化分をΔＲ(T)、温度
補償素子４の抵抗の温度変化分をΔＲs(T)、ホール素子
センサ３の起電圧の温度変化分をΔV1、発生電圧をV2と
すると、 V2＝［RL／｛RL＋(RS＋ΔRS(T))｝＋(RIN＋ΔR
(T)）｝］×(V1＋ΔV1) となる。
れて、入力端子３ａ、３ｂに所定の電流Ｉが供給され
る。この状態でホール素子センサ３を測定すべき磁界中
に入れると、出力端子３ｃ、３ｄに磁界の強さに応じた
電圧Ｖが発生する。いま、負荷抵抗をＲL、基準温度
（２０℃）におけるホール素子センサ３の内部抵抗をＲ
IN、温度補償素子４の初期抵抗をＲS、ホール素子セン
サ３の起電圧V 1、初期発生電圧をV2とすると、 V2＝｛RL／（RL＋RS＋RIN)｝×V1 そして、温度が基準温度からΔＴ変化したときのホール
素子センサ３の内部抵抗の温度変化分をΔＲ(T)、温度
補償素子４の抵抗の温度変化分をΔＲs(T)、ホール素子
センサ３の起電圧の温度変化分をΔV1、発生電圧をV2と
すると、 V2＝［RL／｛RL＋(RS＋ΔRS(T))｝＋(RIN＋ΔR
(T)）｝］×(V1＋ΔV1) となる。
【００１９】従って、負荷抵抗RLを適当な値に選定する
ことで、良好な温度補償が可能となる。温度補償素子４
は、ホール素子センサ３の近傍に配置されていること
で、ホール素子センサ３の温度変化と略同じ温度変化を
受け、ホール素子センサ３の温度変化を良好に感知する
ことができる。また、測定の際にホールプローブ１の先
端即ち、ホール素子センサ３の部位が被検査物に押し付
けられて基板２及び保護・支持部材５全体が湾曲した場
合でも、湾曲による影響を受け難く、破損等が防止され
る。
ことで、良好な温度補償が可能となる。温度補償素子４
は、ホール素子センサ３の近傍に配置されていること
で、ホール素子センサ３の温度変化と略同じ温度変化を
受け、ホール素子センサ３の温度変化を良好に感知する
ことができる。また、測定の際にホールプローブ１の先
端即ち、ホール素子センサ３の部位が被検査物に押し付
けられて基板２及び保護・支持部材５全体が湾曲した場
合でも、湾曲による影響を受け難く、破損等が防止され
る。
【００２０】図４は、ホール素子センサ３の温度補償の
実験結果の一例を示し、横軸が温度、縦軸が磁界の変化
分（ホール素子センサ３の不平衡電圧に相当）を表して
いる。図４において直線Ｉは、本発明に係るホールプロ
ーブの特性を示し、温度補償素子４を接続し、且つ負荷
抵抗RL＝7.5ＫΩを接続した場合の特性を示し、温度係
数は、0.0082％／℃であった。直線IIは、温度補償素子
４を接続せず、負荷抵抗RL＝∞における特性を示し、温
度係数は、-0.075％／℃であった。この特性図から明ら
かなように、本発明における温度補償は極めて良好であ
り、温度の影響を極めて小さくすることが可能である。
実験結果の一例を示し、横軸が温度、縦軸が磁界の変化
分（ホール素子センサ３の不平衡電圧に相当）を表して
いる。図４において直線Ｉは、本発明に係るホールプロ
ーブの特性を示し、温度補償素子４を接続し、且つ負荷
抵抗RL＝7.5ＫΩを接続した場合の特性を示し、温度係
数は、0.0082％／℃であった。直線IIは、温度補償素子
４を接続せず、負荷抵抗RL＝∞における特性を示し、温
度係数は、-0.075％／℃であった。この特性図から明ら
かなように、本発明における温度補償は極めて良好であ
り、温度の影響を極めて小さくすることが可能である。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明で
は、ホール素子センサの出力側に温度補償素子を直列に
接続することで、ホール素子センサの出力電圧を直接補
償することができ、回路構成が簡単且つ調整も容易とな
り、コストの低減も図られる。また、温度補償素子をホ
ール素子センサの近傍に配置していることで、ホール素
子センサと略同じ温度変化を感知することができる。こ
れにより、ホール素子センサの温度補償を極めて簡単
に、且つ良好に行うことが可能となる。
は、ホール素子センサの出力側に温度補償素子を直列に
接続することで、ホール素子センサの出力電圧を直接補
償することができ、回路構成が簡単且つ調整も容易とな
り、コストの低減も図られる。また、温度補償素子をホ
ール素子センサの近傍に配置していることで、ホール素
子センサと略同じ温度変化を感知することができる。こ
れにより、ホール素子センサの温度補償を極めて簡単
に、且つ良好に行うことが可能となる。
【００２２】請求項２の発明では、ホール素子センサを
ガリウム・砒素タイプとすることで、内部抵抗を大きく
することができ、温度補償用素子の抵抗値と良好にマッ
チングさせることが可能となり、ホール素子センサの温
度補償を直接行うことが可能となる。請求項３の発明で
は、負の温度係数を有するホール素子センサに正の温度
係数を有する温度補償素子を接続することで、良好な温
度補償を行うことが可能となる。
ガリウム・砒素タイプとすることで、内部抵抗を大きく
することができ、温度補償用素子の抵抗値と良好にマッ
チングさせることが可能となり、ホール素子センサの温
度補償を直接行うことが可能となる。請求項３の発明で
は、負の温度係数を有するホール素子センサに正の温度
係数を有する温度補償素子を接続することで、良好な温
度補償を行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るホールプローブの平面図である。
【図２】図１の矢線II−IIに沿う断面図である。
【図３】図１に示すホールプローブの回路構成図であ
る。
る。
【図４】図３に示すホールプローブの温度特性の一例を
示す特性図である。
示す特性図である。
１ ホールプローブ ２ 基板 ３ ホール素子センサ ４ 温度補償素子 ５ 保護・支持部材 １１〜１４ パターン線 ＲL 負荷抵抗
Claims (3)
- 【請求項１】 基板の先端に配設されたホール素子セン
サと、前記基板の前記ホール素子センサの近傍に配設さ
れ、前記ホール素子センサの出力側に直列に接続された
温度補償素子とを備えたことを特徴とするホールプロー
ブ。 - 【請求項２】 前記ホール素子は、ガリウムと砒素の化
合物（ＧａＡｓ）で形成されていることを特徴とする請
求項１に記載のホールプローブ。 - 【請求項３】 前記温度補償素子は、正の温度係数を有
していることを特徴とする請求項１に記載のホールプロ
ーブ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10348975A JP2000171538A (ja) | 1998-12-08 | 1998-12-08 | ホールプローブ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10348975A JP2000171538A (ja) | 1998-12-08 | 1998-12-08 | ホールプローブ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000171538A true JP2000171538A (ja) | 2000-06-23 |
Family
ID=18400649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10348975A Pending JP2000171538A (ja) | 1998-12-08 | 1998-12-08 | ホールプローブ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000171538A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014115232A (ja) * | 2012-12-11 | 2014-06-26 | Dmt:Kk | 磁気検出プローブ及び磁気検出プローブの製造方法 |
-
1998
- 1998-12-08 JP JP10348975A patent/JP2000171538A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014115232A (ja) * | 2012-12-11 | 2014-06-26 | Dmt:Kk | 磁気検出プローブ及び磁気検出プローブの製造方法 |
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