JP2000171422A - ガス検出センサー - Google Patents

ガス検出センサー

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JP2000171422A
JP2000171422A JP10345501A JP34550198A JP2000171422A JP 2000171422 A JP2000171422 A JP 2000171422A JP 10345501 A JP10345501 A JP 10345501A JP 34550198 A JP34550198 A JP 34550198A JP 2000171422 A JP2000171422 A JP 2000171422A
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detection sensor
diaphragm
sensor
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Tadahiro Omi
忠弘 大見
Koji Kawada
幸司 川田
Shinichi Ikeda
信一 池田
Akihiro Morimoto
明弘 森本
Yukio Minami
幸男 皆見
Katsunori Komehana
克典 米華
Akio Motoiden
晃央 本井傳
Takaaki Enohara
孝明 榎原
Takanori Hirano
孝典 平野
Yuichi Fujii
雄一 藤井
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Fujikin Inc
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ガス検出センサーの構造の簡素化を図ると共
に、H2 OやO2 の存在下に於いて長期に、しかも安定
した高精度な可燃性ガス濃度や酸素ガス濃度の検出が行
なえるようにする。 【解決手段】 可燃性ガスの接触反応によるセンサーの
発熱により可燃性ガスの検出信号を発信するようにした
ガス検出センサーに於いて、被検出ガスが接触流通する
接ガス面に白金コーティング皮膜を有するダイヤフラム
と、前記ダイヤフラムの非接ガス面に異種金属の一端側
を夫々近接せしめて固着した熱電対とから成り、可燃性
ガスの接触反応により加熱される第1検出センサーと;
被検出ガスが接触流通する接ガス面を有するダイヤフラ
ムと、前記ダイヤフラムの非接ガス面に異種金属の一端
側を夫々近接せしめて固着した熱電対とから成り、被検
出ガスの温度を検出する第2検出センサーとから構成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、可燃性ガスや可燃
性ガス内の酸素ガスの検出センサーの改良に関するもの
であり、各種の生産装置や生産設備の保安用、半導体製
造用純水や半導体製造用ガス内の水素の検出等に利用さ
れるものである。
【0002】
【従来の技術】可燃性ガスの検出センサーとしては、従
前から接触反応式(又は接触燃焼式)センサーや半導体
式センサー、熱伝導度式センサーが広く利用されてお
り、その中でも接触反応式センサーは寿命及び安定性に
優れているため、水素等の検出には数多く用いられてい
る。図10は、従前の接触反応式センサーのセンサー素
子Aの一例を示すものであり、白金線(直径約20μ
m)のコイルBに、触媒担体Cとなるアルミナ又はシリ
カアルミナとバインダーとの混合物を焼結し、これに白
金等の触媒Dを担持させることにより構成されている。
【0003】上記センサー素子Aの使用に際しては、図
11に示す如く、センサー素子Aと不活性物質を焼結さ
せた温度補償素子Aoとでブリッジ回路を組み、予かじ
めセンサー素子Aに適当な電圧を加えてこれを約250
℃以上の温度に予熱しておく。そして、この予熱された
センサー素子Aに水素等の可燃性ガスが接触すると、触
媒Dの触媒作用によって水素等が接触反応を起し、セン
サー素子Aが加熱されてその電気抵抗が増大する。その
結果、ブリッジ回路の平衡が崩れて電位差が生じ、指示
計Eの振れの大きさからセンサー素子Aでの発熱量即ち
被検出ガス内の可燃性ガス濃度が読み取られる。
【0004】前記図10のセンサー素子Aは、(イ)可
燃性ガスに対する選択性に優れていること、(ロ)共存
するH2 Oの影響を受け難いこと、(ハ)爆発下限界程
度のガス濃度(水素ガスの場合1〜4%位い)の測定に
適していること等の優れた利点を有している。しかし、
センサー素子の温度を250℃以上に保持しなければな
らず、しかも可燃性ガスの検出中は動作温度が更に上昇
して着火源となる可能性があるため、200メッシュ程
度の金網や焼結金属等でもってセンサー素子Aを覆うこ
とにより、センサー素子Aを防爆構造とする必要があ
り、安全性の点に難点がある。また、この種のセンサー
素子Aは、前述の通り触媒担体C内に触媒Dを担持する
構成となっているため、触媒活性の安定性と云う点に基
本的な問題を抱えている。特に、可燃性ガスの燃焼によ
る触媒のシンターや、一部の不完全燃焼により発生した
カーボンの触媒活性度に及ぼす影響は未だ十分に解析さ
れておらず、高濃度のH2 OやO2 の共存下に於けるこ
の種のセンサー素子Aの使用実績は殆んど見当らない。
更に、この種センサー素子Aは触媒担体Cの内部の洗浄
が困難であり、そのため高清浄度を要求される半導体製
造プロセスに於いては使用できないと云う問題がある。
【0005】このように、高濃度のH2 OやO2 の共存
下に於ける接触反応式可燃性ガス検出センサー素子Aの
使用は、信頼性等の点で大きな問題が残されており、こ
のことは半導体式可燃性ガス検出センサーや熱伝導度式
可燃性ガスセンサーの使用に於いても同様である。ま
た、この種のセンサー素子Aは、原理的には可燃性ガス
中の酸素検出用のセンサーとしても使用可能なものであ
るが、現実には前記信頼性等の問題から実用化されてお
らず、その使用実績も殆ど見当たらない。
【0006】即ち、従前の接触反応式可燃性ガス検出用
センサー素子Aは、使用時間の経過と共に触媒活性度、
即ちH2 ガス検出感度が大きく低下することになり、例
えば半導体製造用水分発生反応炉3の水分取出ライン内
に於ける未反応水素ガス濃度の検出等には、信頼性の点
で到底利用することができない。尚、このことは、前記
した半導体式水素ガス検出用センサーや熱伝導度式水素
ガス検出用センサーの場合も同様であることが、実験に
より確認されている。また、半導体製造用水分発生炉3
に於いては、水素ガス過剰状態で水分を発生させる使い
方をする場合もあり、この場合には、水分取出ライン内
の発生水分+余剰水素雰囲気中の未反応酸素ガスの濃度
を検出する必要があるが、従前のセンサー素子Aは、こ
れ等の場合に利用することが出来ない。
【0007】一方、本件出願人は、従前の接触反応式可
燃性ガス検出用センサー素子Aの問題点を解決するもの
として、先きに図12に示すような構成の可燃性ガス検
出器を開発し、特願平9−186383号としてこれを
公開している。当該可燃性ガス検出器は、可燃性ガス検
出センサー20と検出器本体30等から形成されてお
り、前者の可燃性ガス検出センサー20は白金コーティ
ング触媒を施した第1検出センサー21と被検出ガスの
温度を検出する第2検出センサー22とセンサー保持部
23等から形成されている。また、後者の検出器本体3
0は、第1検出センサー21からの温度信号を検知する
第1温度検出器31、第2検出センサー22からの温度
信号を検知する第2温度検出器32、両者の検出温度を
夫々表示する第1温度表示部33及び第2温度表示部3
4、両者の検出温度の差を検出する温度差検出器35、
検出器35からの差温度を表示する温度差表示部36等
より構成されている。
【0008】そして、前記可燃性ガス検出センサー20
は、通常図13に示すように、ガス供給管37に設けた
防爆用金属メッシュ体38を備えたT字形分岐管39内
へセンサー保持部23を気密状に挿着することにより、
両検出センサー21、22を供給管37内へ配設固定し
た状態で使用に供されている。
【0009】当該可燃性ガス検出器は応答性やガス濃度
の検出精度に優れ、そのうえ検出ガス流量が変った場合
でも簡単に検出値の校正ができると共に、検出感度の経
時変化も比較的少ないと云う優れた実用的効用を奏する
ものである。しかし、当該可燃性ガス検出器にも解決す
べき問題が多く残されており、その中でも特に解決の急
がれる問題は、配管路内を流れる高純度ガスの汚損の防
止と、検出精度の安定性と安全性の確保の点である。
【0010】即ち、高純度ガス内へ挿着する第1検出セ
ンサー21及び第2検出センサー22には熱電対が使用
されており、且つ可燃性ガスの接触反応によって加熱さ
れる第1検出センサー21の外表面にはTiN等のバリ
ヤー皮膜を介して白金触媒皮膜がコーティングされてい
る。ところが、熱電対を形成する金属例えばクロメル・
アルメルとTiN等のバリヤー皮膜との間の固着力は比
較的経年変化を受け易く、その結果第1検出センサー2
1の白金触媒皮膜の脱落によって高純度ガスを汚損した
り、或いは白金触媒皮膜の部分的な剥離によって触媒反
応性が低下したりすることになる。
【0011】また、熱電対として貴金属系統のもの、例
えば白金・ロジウム系の熱電対を使用し、流体そのもの
の温度を検出するための第2検出センサー22の方をT
iN等のバリヤー皮膜によって覆う構成としたガス検出
センサーの場合には、経年変化によるバリヤー皮膜の剥
離脱落は生じない。しかし、貴金属系の熱電対は比較的
高価なうえ、機械的強度や加工性の点にも問題があり、
実用化を図り難いと云う問題がある。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】本願発明は、図12に
示した型式のガス検出センサーに於ける上述の如き問
題、即ち(イ)卑金属系の熱電対を用いた場合には、白
金触媒皮膜と熱電対形成材との間の固着力が経時的に低
下し、白金触媒皮膜の剥離による高純度ガスの汚損や触
媒反応性の低下が生ずること、(ロ)貴金属系の熱電対
を用いた場合には、ガス検出センサーの製造コストの引
下げを図り難いこと及び(ハ)センサーの加工が困難な
上に機械的強度も比較的低く、製造コストの引下げを図
り難いこと等の問題を解決せんとするものであり、高純
度ガスの汚損や検出精度の経年変化を生ぜず、安全性に
も優れ、しかも比較的安価に製造できるようにしたガス
検出センサーを提供せんとするものである。
【0013】
【課題を解決するための手段】本願発明者等は、半導体
の製造に用いる水分発生用反応炉の開発を永年に亘って
進めているが、この水分発生用反応炉の開発の過程に於
いて、ステンレス鋼製の反応炉本体の内壁面に形成した
白金触媒層の安定化、即ち触媒性能の経時変化の防止に
成功をしている。そこで、本願発明者等は水分発生反応
炉に於ける白金触媒層の形成技術を可燃性ガス検出セン
サーへ応用することにより、触媒性能の劣化が少なくて
信頼性が高く、しかも安全性に優れた可燃性ガス検出セ
ンサーを安価に得られることを着想した。また、本願発
明者等は上述の如き着想に基づいて、「熱電対の温度変
化による出力変化」を可燃性ガス濃度の検出要素とする
ことを想定し、各種の型式の熱電対を用いて可燃性ガス
検出センサーとしての諸特性をテストすると共に、その
結果について詳細な検討をした。
【0014】本願発明は上述のような過程を経て創作さ
れたものであり、請求項1に記載の発明は、可燃性ガス
の接触反応によるセンサーの発熱により可燃性ガスの検
出信号を発信するようにしたガス検出センサーに於い
て、被検出ガスが接触流通する接ガス面に白金コーティ
ング皮膜を有するダイヤフラムと、前記ダイヤフラムの
非接ガス面に異種金属の一端側を夫々近接せしめて固着
した熱電対とから成り、可燃性ガスの接触反応により加
熱される第1検出センサーと;被検出ガスが接触流通す
る接ガス面を有するダイヤフラムと、前記ダイヤフラム
の非接ガス面に異種金属の一端側を夫々近接せしめて固
着した熱電対とから成り、被検出ガスの温度を検出する
第2検出センサーとを発明の基本構成とするものであ
る。
【0015】請求項2の発明は、可燃性ガスの接触反応
によるセンサーの発熱により被検出ガス内の酸素ガスの
検出信号を発信するようにしたガス検出センサーに於い
て、被検出ガスが接触流通する接ガス面に白金コーティ
ング皮膜を有するダイヤフラムと、前記ダイヤフラムの
非接ガス面に異種金属の一端側を夫々近接せしめて固着
した熱電対とから成り、可燃性ガスの接触反応により加
熱される第1検出センサーと;被検出ガスが接触流通す
る接ガス面を有するダイヤフラムと、前記ダイヤフラム
の非接ガス面に異種金属の一端側を夫々近接せしめて固
着した熱電対とから成り、被検出ガスの温度を検出する
第2検出センサーとを発明の基本構成とするものであ
る。
【0016】請求項3の発明は、請求項1又は請求項2
の発明に於いて、第1検出センサー及び第2検出センサ
ーのダイヤフラムをステンレス鋼製とすると共に、両ダ
イヤフラムの接ガス面にバリヤー皮膜を形成するように
したものである。
【0017】請求項4の発明は、請求項3の発明に於い
てバリヤー皮膜を、酸化物又は窒化物から成るバリヤー
皮膜としたものである。
【0018】請求項5の発明は、請求項1又は請求項2
の発明に於いて各熱電対を、クロメル・アルメルから成
る熱電対としたものである。
【0019】請求項6の発明は、請求項1又は請求項2
の発明に於いて、被検出ガスの入口及び出口と、入口及
び出口を連通するガス通路と、ガス通路に連通する第1
検出センサー挿入孔及び第2検出センサー挿入孔とを設
けたステンレス鋼センサー本体の前記各検出センサー挿
入孔内へ、第1検出センサーのダイヤフラム及び第2検
出センサーのダイヤフラムをその接ガス面をガス通路側
へ向けて夫々挿着し、前記各挿入孔をダイヤフラムによ
り気密状に密封するようにしたものである。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施形態を説明する。図1は本発明に係る可燃性ガスの検
出センサー2を用いた可燃性ガス検出器のブロック構成
図であり、図2は第1ガス検出センサー5の縦断面図、
図3は第2ガス検出センサー6の縦断面図、図4は第1
ガス検出センサー5のセンサー本体7への取付状態を示
す部分拡大断面図である。
【0021】図1を参照して、本発明に係る可燃性ガス
検出器1は、可燃性ガスの検出センサー2と検出器本体
3と両者の間を連結する接続ケーブル4とから形成され
ている。前記可燃性ガスの検出センサー2は、後述する
ように白金コーティング触媒皮膜備えた第1検出センサ
ー5と、被検出ガスの温度を検出する第2検出センサー
6とセンサー本体7等から形成されている。尚、センサ
ー本体7はステンレス鋼(SUS316L)によりブロ
ック状に形成されており、可燃性ガス入口7a、可燃性
ガス出口7b、可燃性ガス通路7c、第1検出センサー
挿着孔7d、第2検出センサー挿着孔7e等が夫々形成
されている。尚、図1に於いて、7fは配管接続用金
具、7gはセンサー取付用金具、7hはセンサー取付用
ボルトである。
【0022】前記検出器本体3は第1検出センサー5か
らの温度信号を検知する第1温度検出器3a、第2検出
センサー6からの温度信号を検知する第2温度検出器3
b、両者の検出温度を夫々表示する第1温度表示部3c
及び第2温度表示部3d、両者の検出温度の差を検出す
る温度差検出器3e、温度差検出器3eからの差温度を
表示する温度差表示部3f等より構成されている。尚前
記接続ケーブル4はその両端にコネクター部4a、4b
が設けられており、可燃性ガスの検出センサー2と検出
器本体3間を電気的に着脱自在に連結する。また、本実
施態様では、検出器本体3に第1温度表示部3c及び第
2温度表示部3dを備え、両検出センサー5、6の検出
温度を夫々個別に表示するようにしているが、温度差
(可燃性ガス濃度)表示部3fのみを設けたものでもよ
く、或いは温度差表示部3fに可燃性ガス濃度警報発信
部(図示省略)を具備したものであってもよく、検出器
本体3の構成は如何なるものでもよい。
【0023】前記第1検出センサー5は、図2に示すよ
うにステンレス鋼(SUS316L−P・Wメルト)製
のダイヤフラムベース5aと、これと一体的に形成した
ダイヤフラム5bと、ダイヤフラム5bの接ガス面(外
表面)に形成したバリヤー皮膜5cと、バリヤー皮膜5
cの外表面に形成した白金コーティング皮膜5dと、ダ
イヤフラム5bの非接ガス面(裏面側)へ夫々近接せし
めて異種金属の一端側を固着した熱電対5eとから構成
されている。尚、図2に於いて、8は熱電対の保持体で
あり、熱電対5eのシース体5e′を鍔体5e″を介し
て保持固定するものである。
【0024】前記ダイヤフラムベース5bはステンレス
鋼(SUS316L)によりリング状に形成されてお
り、その外周面にはシール用リング(図示省略)の係合
段部5a′が形成されている。また、前記ダイヤフラム
5bはダイヤフラムベース5aと一体に形成されてお
り、厚さ約1mmに形成したものにラッピング研磨等を
施すことにより、厚さ約0.1〜0.3mm(内径約1
0〜20mmφ)に仕上げされている。
【0025】前記バリヤー皮膜5cはTiNにより形成
されており、ダイヤフラム5bの接ガス面に厚さ約2μ
mの厚さのTiN皮膜が形成されている。前記バリヤー
皮膜5cの形成に際しては、先ず、ダイヤフラム5bの
外表面(接ガス面)に適宜の表面処理を施し、ステンレ
ス鋼表面に自然形成されている各種金属の酸化膜や不働
態膜を除去する。次にTiNによるバリヤー皮膜5cの
形成を行なう。本実施態様に於いてはイオンプレーティ
ング工法により厚さ約2μmのTiN皮膜を形成してい
る。尚、前記バリヤー皮膜5cの材質としてはTiNの
外にTiC、TiCN、TiAlN等の窒化膜やCr2
3 、SiO2 等の酸化膜を使用することが可能であ
る。また、バリヤー皮膜5cの厚さは0.1μm〜5μ
m程度が適当である。何故なら、厚さが0.1μm以下
であると、バリヤー機能が十分に発揮されず、また逆
に、厚さが5μmを越えるとバリヤー皮膜そのものの形
成に手数がかかるうえ、加熱時の膨張差等が原因となっ
てバリヤー皮膜の剥離等を生ずる虞れがあるからであ
る。更に、バリヤー皮膜5cの形成方法としては、前記
イオンプレーティング工法以外に、イオンスパッタリン
グ法や真空蒸着法等のPVD法や化学蒸着法(CVD
法)、ホットプレス法、溶射法等を用いることも可能で
ある。
【0026】前記第1検出センサー5のダイヤフラム5
cの接ガス面に設けた白金コーティング皮膜5dは、バ
リヤー皮膜5cの上方に形成された厚さ約0.2μm程
度の白金皮膜であり、前記バリヤー皮膜5cの形成が終
わると、引き続きその上に白金コーティング皮膜8bを
形成する。本実施態様に於いては、イオンプレーティン
グ工法により厚さ約0.2μmの白金コーティング皮膜
5dが形成している。前記白金コーティング皮膜5dの
厚さは0.1μm〜3μm程度が適当である。何故な
ら、厚さが0.1μm以下の場合には、長期に亘って触
媒活性を発揮することが困難となり、また逆に、厚さが
3μm以上になると、白金コーティング皮膜5dの形成
費が高騰するうえ、3μm以上の厚さにしても触媒活性
度やその保持期間にほとんど差がなく、しかも加熱時に
膨張差等によって剥離を生ずる虞れがあるからである。
また、白金コーティング皮膜5dの形成方法は、イオン
プレーティング工法以外にイオンスパッタリング法、真
空蒸着法、化学蒸着法、ホットプレス法等が使用可能で
あり、更に、バリヤー皮膜8aがTiN等の導電性のあ
る物質の時にはメッキ法も使用可能である。
【0027】前記熱電対5eは二つの異種金属A1 ・A
2 から形成されており、両金属A1・A2 の一端側はダ
イヤフラム5cの裏面側(非接ガス面)へ近接状態(約
0.1〜0.2mmの間隔位置)で固着されており、ま
た両金属A1 ・A2 の他端側はシース体5e′により保
護された状態で外部へ引出されている。尚、本実施態様
に於いては、熱電対5eとして卑金属系のアルメル・ク
ロメル系熱電対5eが用いられている。
【0028】前記熱電対保持体8は熱電対5eを保持固
定するものであり、熱電対5eのシース体5e′に設け
た鍔体5e″を当該保持体8へ固定することにより、熱
電対5eのシース体5e′を保持固定する構造としてい
る。尚、熱電対保持体8の構成は、熱電対5eのシース
体5e′を保持固定できるものであれば、如何なる構造
のものであってもよいことは勿論である。
【0029】前記第2検出センサー6は、図3に示す如
く前記第1検出センサー5から白金コーティング皮膜5
dを取り除いただけのものであり、その他の構成は第1
検出センサー5と全く同一である。即ち、図3に於いて
6aはステンレス鋼(SUS316L−P・Wメルト)
製のダイヤフラムベース、6bはダイヤフラム、6cは
バリヤー皮膜、6eは熱電対、6e′はシース体、6
e″は鍔体であり、ダイヤフラム6b、バリヤー皮膜6
c、熱電対6e等は第1検出センサー5の場合と全く同
一である。
【0030】尚、前記図2及び図3実施形態に於いて
は、ダイヤフラム5b、6bをダイヤフラム5a、6a
と夫々一体的に形成しているが、ダイヤフラム5b、6
bをダイヤフラムベース5a、6aと別体として形成
し、両者を溶接等により固着するようにしてもよい。ま
た、図2及び図3の実施形態に於いては、ダイヤフラム
ベース5a、6a及び熱電対保持体8を夫々設ける構成
としているが、ダイヤフラム5b、6bを前記センサー
本体7の各センサー挿着孔7d、7e内へ気密状に夫々
挿着固定できると共に、熱電対5e、6eを堅固に保持
固定すること可能であれば、ダイヤフラムベース5a、
6aや熱電対保持体8を除く構成としてもよいことは勿
論である。更に、図2及び図3の実施形態に於いては、
熱電対5e、6eとしてクロメル・アルメルA1 ・A2
を用いたCA型の卑金属系熱電対を使用しているが、他
の銅−コンスタンタン(CC型)や鉄−コンスタンタン
(CI型)等の熱電対を使用することも勿論可能であ
る。
【0031】また、本実施形態に於いては、図1に示す
如くセンサー本体7をブロック形状に形成し、第1検出
センサー5と第2検出センサー6とを直角状に配置する
と共に、被検出ガスGを先ず第2検出センサー6へ接触
させたあと第1検出センサー5へ接触させるようにして
いるが、これとは逆に、被検出ガスGを先きに第1検出
センサー5へ接触させ、その後に第2検出センサー6へ
接触させるようにすることも可能である。更に本実施形
態に於いては図1に示す如く、第1及び第2検出センサ
ー5、6へ被検出ガスGの流れが衝突するような形態に
両検出センサー5、6を配置しているが、両検出センサ
ーを一列状に並設し、各ダイヤフラム5b、6bの接ガ
ス面に沿って被検出ガスGが流れるような配置にしても
よいことは勿論である。
【0032】図4は、前記図2に示した第1検出センサ
ー5をセンサー本体7へ取り付けした状態を示す拡大部
分縦断面図であり、図4に於いて9はシールリング、7
gはセンサー固定金具、7hは固定用ボルトである。第
1検出センサー5はセンサー本体7の第1検出センサー
挿着孔7d内へシールリング9を介設して挿入され、セ
ンサー固定金具7gにより上方より押圧することによ
り、第1検出センサー5のダイヤフラム5bの接ガス面
(即ち白金コーティング皮膜5dを形成した外表面)を
可燃性ガス通路7c側へ露出せしめ、気密状に第1検出
センサー挿着孔7dを密封した状態で、センサー本体7
側へ固着されている。
【0033】次に、本発明に係る可燃性ガス検出器1の
作動について説明をする。図1を参照して、可燃性ガス
入口7aからセンサー本体7内へ流入した被検出ガスG
は、先ず第2検出センサー6のダイヤフラム6bへ接当
し、引き続き第1検出センサー5側へ向けて流出する。
前記第2検出センサー6のダイヤフラム6bは、バリヤ
ー皮膜6cを通して被検出ガスGの温度とほぼ等しい温
度に加熱される。即ち、熱電対6eにより被検出ガスG
の温度が検出され、第2温度検出器3bへ入力される。
尚、ダイヤフラム6b及びバリヤー皮膜6cは極く薄い
上に約10〜20mmφ程度の面積を有しているため、
熱電対6eによるガス温度検出の応答性は、後述するよ
うに極めて高かいものである。
【0034】また、第2検出センサー6のダイヤフラム
6bの接ガス面はバリヤー皮膜6cにより覆われている
ため、被検出ガスG内に万一H2 等の可燃性ガスが含ま
れていても、所謂接触触媒活性による反応熱は一切発生
せず、その結果、第2検出センサー6は常に被検出ガス
Gのガス温度を示すことになる。更に前記バリヤー皮膜
6cにより、ダイヤフラム6bから被検出ガスG内への
所謂金属拡散は有効に防止されると共に、ダイヤフラム
6bを形成するステンレスの触媒作用も完全に阻止され
る。
【0035】一方、第2検出センサー6を通過したガス
Gは、引き続き第1検出センサー5の方向に流出し、そ
のダイヤフラム5bの接ガス面へ接触する。当該第1検
出センサー5のダイヤフラム5bの接ガス面には、前述
の通り白金コーティング皮膜5dが設けられているた
め、万一被検出ガスG内にH2 等の可燃性ガスが含まれ
ていると、白金コーティング皮膜5dの触媒作用によっ
てH2が活性化され、所謂接触反応が起生することによ
りダイヤフラム5bが加熱される。尚、ダイヤフラム5
bは厚さ0.2mm程度と極めて薄いため、白金コーテ
ィング皮膜5cとの接触触媒反応により生じた熱は早期
に熱電対5eによって検出され、第1温度検出器3aへ
入力されることになる。
【0036】前記第1温度検出器3aの検出値と第2温
度検出器3bの検出値との差は、温度差検出器3eによ
り検出され、両者の温度差から被検出ガス内の可燃性ガ
ス濃度が、温度差表示部(可燃性ガス濃度表示部)3f
に表示されることになる。
【0037】尚、図1の実施態様に於いては、第1検出
センサー5及び第2検出センサー6の各熱電対5e、6
eの出力を検出器本体3の第1温度検出器3a及び第2
温度検出器3bへ入力し、温度差検出器3eによって両
検出器3a、3bの温度差を検出し、当該温度差を可燃
性ガス濃度に換算するようにしているが、検出器本体3
の構成は如何なる型式のものであってもよく、例えば図
5に示すように、第1検出センサー5の熱電対出力と第
2検出センサー6の熱電対出力を夫々逆極性に接続し、
両検出センサー5、6の出力差を電位差計10で読み取
り、当該電位差計10の読みを被検出ガスG内の可燃性
ガス濃度に直接的に換算するようにしてもよい。
【0038】図6及び図7は、O2 含有ガス内のH2
度と第1検出センサー5及び第2検出センサー6の各検
出温度の関係を示す実測図であり、また、図8はH2
有ガス内のO2 濃度と両検出センサー5、6の各検出温
度の関係を示す実測図である。尚、試験に使用した第1
検出センサー5は、ステンレス鋼(SUS316L)ダ
イヤフラム5bの厚さ0.2mm、直径20mmφ、バ
リヤー皮膜5cはTiN皮膜・厚さ2.0μm、白金コ
ーティング皮膜5dの厚さ0.2μm、熱電対5eはア
ルメル・クロメル型、クロメル先端とアルメル先端のダ
イヤフラム5bへの固着間隔0.2mmに夫々設定され
ており、また、第2検出センサー6は、前記第1検出セ
ンサー5から白金コーティング皮膜5dのみを除いたも
のである。
【0039】図6乃至図8からも明らかなように、第1
検出センサー5の検出温度はH2 濃度又はO2 濃度と正
比例の関係を有しており、両検出センサー5、6の出力
差(温度差)から被検出ガスG内のH2 濃度又はO2
度を検出できることが示されている。
【0040】図9は、可燃性ガス検出器1の応答性試験
の結果を示すものであり、N2 800SCCM+O2
00SCCM(ガス温度140℃)の被検出ガスGを検
出中の第1及び第2検出センサー5、6に於いて、H2
濃度を1.0%から4.0%に急上昇させた場合の両検
出センサー5、6の温度検出出力の変化の状況を示す実
測図である。図9からも明らかなように、H2 濃度1.
0%の時の第1検出センサー5の温度出力(約190.
4℃)が約2.3secの間に304.25℃(140
℃(リフランス温度)から322.5℃の90%)に達
することが判る。尚、同じ条件下で、H2 濃度を1%か
ら、3.0%、2.0%及び1.5%に急上昇させた場
合に、第1検出センサー5の温度検出出力が最終温度の
90%に達するまでの時間は、夫々2.4sec、2.
6sec、3.0secであった。
【0041】上記図9からも明らかなように、H2 ガス
濃度が急上昇した場合には、2〜3secの遅れでもっ
てガス濃度の急上昇を検出できることができ、当該ガス
検出センサー2は高い応答性を有するものであることが
確認されている。
【0042】前記図6乃至図8に於いては、可燃性ガス
としてH2 及びO2 を含む被検出ガスGについて、H2
濃度及びO2 濃度の測定を述べたが、本件発明に係るガ
ス検出センサー2は、白金コーティング皮膜と接触して
活性化され、これによって燃焼するガスであれば如何な
る可燃性ガス、例えばCOであっても検出することがで
き、可燃性ガスは水素ガスに限定されるものでないこと
は勿論である。また、本発明に係るガス検出センサーは
前記図8からも明らかなように、可燃性ガス中の酸素濃
度の検出用センサーとしても利用できることは勿論であ
る。
【0043】
【発明の効果】請求項1の発明に於いては、被検出ガス
が接触流通する接ガス面に白金コーティング皮膜を有す
るダイヤフラムと、ダイヤフラムの非接ガス面に異種金
属の一端側を夫々近接せしめて固着した熱電対とから成
る第1検出センサーと;これと同一構造で白金コーティ
ング皮膜の無い第2検出センサーとからガス検出センサ
ーを構成しているため、構造が極めて簡単で、しかも検
出出力と可燃性ガス濃度とが極めてリニアーな関係にあ
る可燃性ガス検出センサーが得られ、半導体製造装置用
水分発生反応炉から取り出された発生水分中の残留水素
等の検出に極めて有用である。
【0044】同様に、請求項2の発明に於いては、可燃
性ガスを含有する被検出ガス内の酸素ガス濃度を高精度
で検出することができ、水分発生反応炉から取り出され
た発生水分中の残留酸素等の検出に有用である。
【0045】また、本発明に於いては、各検出センサー
のダイヤフラムをステンレス鋼製とし、且つその接ガス
面にTiN等のバリヤー皮膜を形成するようにしている
が、バリヤー皮膜とステンレス鋼との固着力は極めて高
かく、しかも固着力の経年変化は殆んど無いことが実証
されている。その結果、本発明に係るガス検出センサー
は、長期に亘って白金コーティング皮膜が安定した触媒
活性を保持すると共に、白金コーティング皮膜やバリヤ
ー皮膜の剥離脱落が発生せず、長期に亘って高精度なガ
ス濃度測定が可能になると共に、高純度ガスの汚損を生
ずることも全く無い。
【0046】更に、センサー本体内へ両検出センサーを
組付けした場合に於いても、ガス流路内へ露出されるの
は上記の通りダイヤフラム上に設けた極めて固着力の強
いバリヤー皮膜又はバリヤー皮膜と白金コーティング皮
膜からなる皮膜層である。その結果、ダイヤフラム5
c、6cが被検出ガスの流速によって機械的な損傷を受
ける虞れは全く無く、長期に亘って安定した高精度なガ
ス濃度測定が行なえるだけでなく、構造も著しく簡単化
でき、所謂検出センサー内のデットスペースを大幅に減
少させることが可能となってガスの置換性が向上する。
本発明は上述の通り優れた実用的効用を奏するものであ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る可燃性ガスの検出センサーを用い
たガス検出器のブロック構成図である。
【図2】第1検出センサーの縦断面図である。
【図3】第2検出センサーの縦断面図である。
【図4】第1検出センサーをセンサー本体へ取付けした
状態を示す縦断面図である。
【図5】可燃性ガス検出器の検出器本体の他の実施形態
を示すブロック線図である。
【図6】本発明に係る検出センサーのH2 濃度とセンサ
ー出力温度との関係の一例を示す線図である。
【図7】H2 濃度とセンサー出力温度との関係の一例を
示す線図である。
【図8】O2 濃度とセンサー出力温度との関係の一例を
示す線図である。
【図9】本発明に係る検出センサーの応答性の一例を示
す線図である。
【図10】従前の接触反応式センサーのセンサー素子の
一例を示すものである。
【図11】図10のセンサー素子を用いた可燃性ガス検
出器の回路図である。
【図12】先出願に係る可燃性ガス検出器の全体構成図
である。
【図13】先願に係る可燃性ガス検出器の取付状態を示
す断面概要図である。
【符号の説明】
1 ・A2 は熱電対用金属、Gは被検出ガス、1は可燃
性ガス検出器、2は検出センサー、3は検出器本体、3
aは第1温度検出器、3bは第2温度検出器、3cは第
1温度表示部、3dは第2温度表示部、3eは温度差検
出器、3fは温度差表示部、4は接続用ケーブル、4a
・4bはコネクター、5は第1検出センサー、5aはダ
イヤフラムベース、5bはダイヤフラム、5cはバリヤ
ー皮膜、5dは白金コーティング皮膜、5eは熱電対、
5e′はシース体、5e″は鍔体、6は第2検出センサ
ー、7はセンサー本体、7aはガス入口、7bはガス出
口、7cはガス通路、7dは第1検出センサー挿着孔、
7eは第2検出センサー挿着孔、7fは配管接続用金
具、7gはセンサー取付用金具、7hはセンサー取付用
ボルト、8は熱電対保持体、9はシールリング、10は
電位差計。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川田 幸司 大阪府大阪市西区立売堀2丁目3番2号 株式会社フジキン内 (72)発明者 池田 信一 大阪府大阪市西区立売堀2丁目3番2号 株式会社フジキン内 (72)発明者 森本 明弘 大阪府大阪市西区立売堀2丁目3番2号 株式会社フジキン内 (72)発明者 皆見 幸男 大阪府大阪市西区立売堀2丁目3番2号 株式会社フジキン内 (72)発明者 米華 克典 大阪府大阪市西区立売堀2丁目3番2号 株式会社フジキン内 (72)発明者 本井傳 晃央 大阪府大阪市西区立売堀2丁目3番2号 株式会社フジキン内 (72)発明者 榎原 孝明 大阪府豊中市春日町2−17−18 オレンジ ハウス神鞍A−3 (72)発明者 平野 孝典 大阪府吹田市千里山松ケ丘6−30 (72)発明者 藤井 雄一 大阪府茨木市南春日丘二丁目13−3−8 Fターム(参考) 2G040 AA03 AB16 BA12 BA23 BB10 CA01 CB02 CB16 DA03 DA12 FA01 GA05 GA07 GB03 HA18 2G060 AA02 AB01 AB05 AB17 AB18 AF02 BA03 BB16 BC02 BD02 HC02 JA01 KA01

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 可燃性ガスの接触反応によるセンサーの
    発熱により可燃性ガスの検出信号を発信するようにした
    ガス検出センサーに於いて、被検出ガスが接触流通する
    接ガス面に白金コーティング皮膜を有するダイヤフラム
    と、前記ダイヤフラムの非接ガス面に異種金属の一端側
    を夫々近接せしめて固着した熱電対とから成り、可燃性
    ガスの接触反応により加熱される第1検出センサーと;
    被検出ガスが接触流通する接ガス面を有するダイヤフラ
    ムと、前記ダイヤフラムの非接ガス面に異種金属の一端
    側を夫々近接せしめて固着した熱電対とから成り、被検
    出ガスの温度を検出する第2検出センサーとから構成し
    たことを特徴とする可燃性ガスのガス検出センサー。
  2. 【請求項2】 可燃性ガスの接触反応によるセンサーの
    発熱により被検出ガス内の酸素ガスの検出信号を発信す
    るようにしたガス検出センサーに於いて、被検出ガスが
    接触流通する接ガス面に白金コーティング皮膜を有する
    ダイヤフラムと、前記ダイヤフラムの非接ガス面に異種
    金属の一端側を夫々近接せしめて固着した熱電対とから
    成り、可燃性ガスの接触反応により加熱される第1検出
    センサーと;被検出ガスが接触流通する接ガス面を有す
    るダイヤフラムと、前記ダイヤフラムの非接ガス面に異
    種金属の一端側を夫々近接せしめて固着した熱電対とか
    ら成り、被検出ガスの温度を検出する第2検出センサー
    とから構成したことを特徴とする酸素ガスのガス検出セ
    ンサー。
  3. 【請求項3】 第1検出センサー及び第2検出センサー
    のダイヤフラムをステンレス鋼製とすると共に、両ダイ
    ヤフラムの接ガス面にバリヤー皮膜を形成するようにし
    た請求項1又は請求項2に記載のガス検出センサー。
  4. 【請求項4】 バリヤー皮膜を酸化物又は窒化物から成
    るバリヤー皮膜とした請求項3に記載のガス検出センサ
    ー。
  5. 【請求項5】 各熱電対をクロメル・アルメルから成る
    熱電対とした請求項1又は請求項2に記載のガス検出セ
    ンサー。
  6. 【請求項6】 被検出ガスの入口及び出口と、入口及び
    出口を連通するガス通路と、ガス通路に連通する第1検
    出センサー挿入孔及び第2検出センサー挿入孔とを設け
    たステンレス鋼製センサー本体の前記各検出センサー挿
    入孔内へ、第1検出センサーのダイヤフラム及び第2検
    出センサーのダイヤフラムをその接ガス面をガス通路側
    へ対向せしめて夫々挿着し、前記各挿入孔をダイヤフラ
    ムにより気密状に密封するようにした請求項1又は請求
    項2に記載のガス検出センサー。
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