JP2000164927A - 窒化ガリウム系化合物半導体、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子、およびこれらの製造方法 - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子、およびこれらの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ｐ型の窒化ガリウム系化合物半導体における
キャリア密度の向上、抵抗の低減化を図ることができる
ようにする。 【解決手段】 本発明による窒化ガリウム系化合物半導
体３は、窒化ガリウム系化合物半導体（ＩｎX ＡｌY Ｇ
ａ1-X-Y Ｎ）（但し、０≦Ｘ，０≦Ｙ，Ｘ＋Ｙ＝１）で
あって、アクセプタ不純物としてホウ素（Ｂ）を原子濃
度〔Ｂ〕が、１×１０15ｃｍ-3≦〔Ｂ〕≦２×１０20ｃ
ｍ-3をもって添加されてｐ型とされた構成とする。
キャリア密度の向上、抵抗の低減化を図ることができる
ようにする。 【解決手段】 本発明による窒化ガリウム系化合物半導
体３は、窒化ガリウム系化合物半導体（ＩｎX ＡｌY Ｇ
ａ1-X-Y Ｎ）（但し、０≦Ｘ，０≦Ｙ，Ｘ＋Ｙ＝１）で
あって、アクセプタ不純物としてホウ素（Ｂ）を原子濃
度〔Ｂ〕が、１×１０15ｃｍ-3≦〔Ｂ〕≦２×１０20ｃ
ｍ-3をもって添加されてｐ型とされた構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、窒化ガリウム系化
合物半導体、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子、お
よびこれら製造方法に係わる。
合物半導体、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子、お
よびこれら製造方法に係わる。
【０００２】
【従来の技術】現在、窒化ガリウム系化合物半導体で
は、マグネシウム（Ｍｇ）を添加することで、ｐ型化さ
れた窒化ガリウム系化合物半導体を得ている。しかし、
そのキャリア密度は高々１０18ｃｍ-3程度であり、Ａｌ
Y Ｇａ1-Y Ｎ（０≦Ｙ≦１）などの混晶では、そのキャ
リア密度はアルミニウム（Ａｌ）組成の増加と共に減少
する。
は、マグネシウム（Ｍｇ）を添加することで、ｐ型化さ
れた窒化ガリウム系化合物半導体を得ている。しかし、
そのキャリア密度は高々１０18ｃｍ-3程度であり、Ａｌ
Y Ｇａ1-Y Ｎ（０≦Ｙ≦１）などの混晶では、そのキャ
リア密度はアルミニウム（Ａｌ）組成の増加と共に減少
する。
【０００３】ところで、半導体発光素子においては、低
抵抗のｐ型層を形成することは、駆動電圧、電流の低減
化につながることから、低抵抗ｐ型層の実現が強く期待
されている。
抵抗のｐ型層を形成することは、駆動電圧、電流の低減
化につながることから、低抵抗ｐ型層の実現が強く期待
されている。
【０００４】そして、現在ＭＯＣＶＤ（Metalorganic C
hemical Vapor Deposition: 有機金属気相成長）法で形
成されるＭｇ添加のＧａＮあるいは上記ＡｌY Ｇａ1-Y
Ｎ（０≦Ｙ≦１）は、その成膜の後、これを高温でのア
ニールや、電子線照射することによって１０18ｃｍ-3程
度のキャリア密度が得られるに過ぎない。これは、結晶
中に取り込まれる水素（Ｈ）とマグネシウム（Ｍｇ）と
の結合が、アニールによって解離するためであると理解
されている。
hemical Vapor Deposition: 有機金属気相成長）法で形
成されるＭｇ添加のＧａＮあるいは上記ＡｌY Ｇａ1-Y
Ｎ（０≦Ｙ≦１）は、その成膜の後、これを高温でのア
ニールや、電子線照射することによって１０18ｃｍ-3程
度のキャリア密度が得られるに過ぎない。これは、結晶
中に取り込まれる水素（Ｈ）とマグネシウム（Ｍｇ）と
の結合が、アニールによって解離するためであると理解
されている。
【０００５】しかし、このような高温アニールや、電子
線照射を行っても、そのキャリア密度は、上述した１０
18ｃｍ-3程度のキャリア密度が得られるに過ぎない。こ
れはＭｇのアクセプタ準位が２００ｍｅＶ程度という深
い準位であることや、結晶中のＭｇに歪みが生じること
などに原因があると考えられている。このことは、ＭＢ
Ｅ（Molecular Beam Epitaxy: 分子線エピタキシー）法
で成膜された結晶中に水素を含まないＭｇ添加の窒化ガ
リウム（ＧａＮ）についても１０18ｃｍ-3程度のキャリ
ア密度しか得られないことからも類推される。
線照射を行っても、そのキャリア密度は、上述した１０
18ｃｍ-3程度のキャリア密度が得られるに過ぎない。こ
れはＭｇのアクセプタ準位が２００ｍｅＶ程度という深
い準位であることや、結晶中のＭｇに歪みが生じること
などに原因があると考えられている。このことは、ＭＢ
Ｅ（Molecular Beam Epitaxy: 分子線エピタキシー）法
で成膜された結晶中に水素を含まないＭｇ添加の窒化ガ
リウム（ＧａＮ）についても１０18ｃｍ-3程度のキャリ
ア密度しか得られないことからも類推される。
【０００６】また、Ｍｇと同族元素であるベリリウム
（Ｂｅ）は、そのアクセプタ準位が、Ｍｇより、かなり
浅い６０ｍｅＶ程度と考えられているが、この場合にお
いても、Ｍｇ添加の窒化ガリウム（ＧａＮ）以上のキャ
リア密度は得られていない。同様に、亜鉛（Ｚｎ）の添
加も試みられているが、ｐ型になっていない。
（Ｂｅ）は、そのアクセプタ準位が、Ｍｇより、かなり
浅い６０ｍｅＶ程度と考えられているが、この場合にお
いても、Ｍｇ添加の窒化ガリウム（ＧａＮ）以上のキャ
リア密度は得られていない。同様に、亜鉛（Ｚｎ）の添
加も試みられているが、ｐ型になっていない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、窒化
ガリウム系化合物半導体、例えば窒化ガリウム系化合物
半導体発光素子、例えば半導体レーザにおいて、そのク
ラッド層をＡｌY Ｇａ1- Y Ｎの混晶によって構成する場
合、所要のバンドギャップを得ることができるようにＡ
ｌの組成Ｙを大きくするとキャリア密度が低下すること
から、このクラッド層の抵抗が高くなり、これによって
半導体レーザの駆動電圧が上がるなどの不都合を来す。
ガリウム系化合物半導体、例えば窒化ガリウム系化合物
半導体発光素子、例えば半導体レーザにおいて、そのク
ラッド層をＡｌY Ｇａ1- Y Ｎの混晶によって構成する場
合、所要のバンドギャップを得ることができるようにＡ
ｌの組成Ｙを大きくするとキャリア密度が低下すること
から、このクラッド層の抵抗が高くなり、これによって
半導体レーザの駆動電圧が上がるなどの不都合を来す。
【０００８】本発明においては、ｐ型の窒化ガリウム系
化合物半導体におけるキャリア密度の向上を図り、例え
ば半導体レーザのクラッド層における、その抵抗の低減
化を図ることができるようにすることを目的とする。
化合物半導体におけるキャリア密度の向上を図り、例え
ば半導体レーザのクラッド層における、その抵抗の低減
化を図ることができるようにすることを目的とする。
【０００９】すなわち、本発明においては、窒化ガリウ
ム系化合物半導体（ＩｎX ＡｌY Ｇａ1-X-Y Ｎ）（但
し、０≦Ｘ，０≦Ｙ，Ｘ＋Ｙ＝１）にアクセプタ性不純
物として等原子価不純物のホウ素（Ｂ）を添加する。
ム系化合物半導体（ＩｎX ＡｌY Ｇａ1-X-Y Ｎ）（但
し、０≦Ｘ，０≦Ｙ，Ｘ＋Ｙ＝１）にアクセプタ性不純
物として等原子価不純物のホウ素（Ｂ）を添加する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明による窒化ガリウ
ム系化合物半導体は、窒化ガリウム系化合物半導体（Ｉ
ｎX ＡｌY Ｇａ1-X-Y Ｎ）（但し、０≦Ｘ，０≦Ｙ，Ｘ
＋Ｙ＝１）であって、アクセプタ不純物としてホウ素
（Ｂ）を原子濃度〔Ｂ〕が、１×１０15ｃｍ-3≦〔Ｂ〕
≦２×１０20ｃｍ-3をもって添加されてｐ型とされた構
成とする。
ム系化合物半導体は、窒化ガリウム系化合物半導体（Ｉ
ｎX ＡｌY Ｇａ1-X-Y Ｎ）（但し、０≦Ｘ，０≦Ｙ，Ｘ
＋Ｙ＝１）であって、アクセプタ不純物としてホウ素
（Ｂ）を原子濃度〔Ｂ〕が、１×１０15ｃｍ-3≦〔Ｂ〕
≦２×１０20ｃｍ-3をもって添加されてｐ型とされた構
成とする。
【００１１】また、本発明による窒化ガリウム系化合物
半導体発光素子は、その窒化ガリウム系化合物半導体
（ＩｎX ＡｌY Ｇａ1-X-Y Ｎ）（但し、０≦Ｘ，０≦
Ｙ，Ｘ＋Ｙ＝１）によるｐ型層の少なくとも１層が、ア
クセプタ不純物としてホウ素（Ｂ）を原子濃度〔Ｂ〕
が、１×１０15ｃｍ-3≦〔Ｂ〕≦２×１０20ｃｍ-3に添
加されて構成とする。
半導体発光素子は、その窒化ガリウム系化合物半導体
（ＩｎX ＡｌY Ｇａ1-X-Y Ｎ）（但し、０≦Ｘ，０≦
Ｙ，Ｘ＋Ｙ＝１）によるｐ型層の少なくとも１層が、ア
クセプタ不純物としてホウ素（Ｂ）を原子濃度〔Ｂ〕
が、１×１０15ｃｍ-3≦〔Ｂ〕≦２×１０20ｃｍ-3に添
加されて構成とする。
【００１２】そして、本発明による窒化ガリウム系化合
物半導体発光素子は、添加されたホウ素（Ｂ）の活性化
により、その窒化ガリウム系化合物半導体（ＩｎX Ａｌ
Y Ｇａ1-X-Y Ｎ）（但し、０≦Ｘ，０≦Ｙ，Ｘ＋Ｙ＝
１）によるｐ型層の少なくとも１層を、アクセプタ濃度
ＮA とドナー濃度ＮD の差〔ＮA −ＮD 〕が、１×１０
15ｃｍ-3≦〔ＮA −ＮD 〕≦５×１０19ｃｍ-3に選定さ
れる。この〔ＮA −ＮD〕の測定は、いわゆるＣＶ（容
量−電圧）測定およびホール測定によって確認された。
物半導体発光素子は、添加されたホウ素（Ｂ）の活性化
により、その窒化ガリウム系化合物半導体（ＩｎX Ａｌ
Y Ｇａ1-X-Y Ｎ）（但し、０≦Ｘ，０≦Ｙ，Ｘ＋Ｙ＝
１）によるｐ型層の少なくとも１層を、アクセプタ濃度
ＮA とドナー濃度ＮD の差〔ＮA −ＮD 〕が、１×１０
15ｃｍ-3≦〔ＮA −ＮD 〕≦５×１０19ｃｍ-3に選定さ
れる。この〔ＮA −ＮD〕の測定は、いわゆるＣＶ（容
量−電圧）測定およびホール測定によって確認された。
【００１３】また、本発明による窒化ガリウム系化合物
半導体の製造方法は、基体上に、窒化ガリウム系化合物
半導体（ＩｎX ＡｌY Ｇａ1-X-Y Ｎ）（但し、０≦Ｘ，
０≦Ｙ，Ｘ＋Ｙ＝１）を成膜するものであって、その成
膜にあたり、アクセプタ不純物としてホウ素（Ｂ）を、
原子濃度〔Ｂ〕が、１×１０15ｃｍ-3≦〔Ｂ〕≦２×１
０20ｃｍ-3となるように添加してｐ型の窒化ガリウム系
化合物半導体を得る。
半導体の製造方法は、基体上に、窒化ガリウム系化合物
半導体（ＩｎX ＡｌY Ｇａ1-X-Y Ｎ）（但し、０≦Ｘ，
０≦Ｙ，Ｘ＋Ｙ＝１）を成膜するものであって、その成
膜にあたり、アクセプタ不純物としてホウ素（Ｂ）を、
原子濃度〔Ｂ〕が、１×１０15ｃｍ-3≦〔Ｂ〕≦２×１
０20ｃｍ-3となるように添加してｐ型の窒化ガリウム系
化合物半導体を得る。
【００１４】また、本発明による窒化ガリウム系化合物
半導体発光素子の製造方法は、この発光素子を構成する
ｐ型層の少なくとも１層の成膜に当たり、アクセプタ不
純物としてホウ素（Ｂ）を、原子濃度〔Ｂ〕が、１×１
０15ｃｍ-3≦〔Ｂ〕≦２×１０20ｃｍ-3となるように添
加して成膜する。
半導体発光素子の製造方法は、この発光素子を構成する
ｐ型層の少なくとも１層の成膜に当たり、アクセプタ不
純物としてホウ素（Ｂ）を、原子濃度〔Ｂ〕が、１×１
０15ｃｍ-3≦〔Ｂ〕≦２×１０20ｃｍ-3となるように添
加して成膜する。
【００１５】上述の各アクセプタ不純物は、ホウ素
（Ｂ）と共に、他の不純物を添加することができる。こ
の場合の、他の不純物は、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛
（Ｚｎ）の少なくともいずれかを用いることができる。
（Ｂ）と共に、他の不純物を添加することができる。こ
の場合の、他の不純物は、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛
（Ｚｎ）の少なくともいずれかを用いることができる。
【００１６】上述のホウ素が添加された窒化ガリウム系
化合物半導体、またこれによる半導体発光素子における
ｐ型半導体層は、キャリア密度を必要十分に選定するこ
とができ、低抵抗化をはかることができる。これは、等
原子価不純物であるホウ素（Ｂ）を添加することで、ｐ
型窒化ガリウム系化合物半導体を得るものであり、この
ようにすることによって、このホウ素（Ｂ）が、軽元素
であるがために、浅いアクセプタ準位が形成されること
からキャリア密度を高めることができ、低抵抗ｐ型窒化
ガリウム系化合物半導体を構成することができるもので
ある。
化合物半導体、またこれによる半導体発光素子における
ｐ型半導体層は、キャリア密度を必要十分に選定するこ
とができ、低抵抗化をはかることができる。これは、等
原子価不純物であるホウ素（Ｂ）を添加することで、ｐ
型窒化ガリウム系化合物半導体を得るものであり、この
ようにすることによって、このホウ素（Ｂ）が、軽元素
であるがために、浅いアクセプタ準位が形成されること
からキャリア密度を高めることができ、低抵抗ｐ型窒化
ガリウム系化合物半導体を構成することができるもので
ある。
【００１７】また、このホウ素（Ｂ）と共に、他の不純
物例えばＭｇやＺｎ等のアクセプタ性不純物を添加する
ことにより、ホウ素（Ｂ）の添加によって発生する歪み
が緩和がなされ、より活性化率が高められ、キャリア密
度が向上し、低抵抗化を図ることができる。
物例えばＭｇやＺｎ等のアクセプタ性不純物を添加する
ことにより、ホウ素（Ｂ）の添加によって発生する歪み
が緩和がなされ、より活性化率が高められ、キャリア密
度が向上し、低抵抗化を図ることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】前述したように、本発明による半
導体は、窒化ガリウム系化合物半導体（Ｉｎ X ＡｌY Ｇ
ａ1-X-Y Ｎ）（但し、０≦Ｘ，０≦Ｙ，Ｘ＋Ｙ＝１）で
あって、アクセプタ不純物としてホウ素（Ｂ）を原子濃
度〔Ｂ〕が、１×１０15ｃｍ-3≦〔Ｂ〕≦２×１０20ｃ
ｍ-3をもって添加されてｐ型とされた構成とする。
導体は、窒化ガリウム系化合物半導体（Ｉｎ X ＡｌY Ｇ
ａ1-X-Y Ｎ）（但し、０≦Ｘ，０≦Ｙ，Ｘ＋Ｙ＝１）で
あって、アクセプタ不純物としてホウ素（Ｂ）を原子濃
度〔Ｂ〕が、１×１０15ｃｍ-3≦〔Ｂ〕≦２×１０20ｃ
ｍ-3をもって添加されてｐ型とされた構成とする。
【００１９】また、本発明による窒化ガリウム系化合物
半導体発光素子は、ｐ型半導体層が、上述した窒化ガリ
ウム系化合物半導体（ＩｎX ＡｌY Ｇａ1-X-Y Ｎ）（但
し、０≦Ｘ，０≦Ｙ，Ｘ＋Ｙ＝１）であって、アクセプ
タ不純物としてホウ素（Ｂ）を原子濃度〔Ｂ〕が、１×
１０15ｃｍ-3≦〔Ｂ〕≦２×１０20ｃｍ-3をもって添加
されてｐ型とされた構成とする。そして、このホウ素
（Ｂ）の添加によって、その窒化ガリウム系化合物半導
体（ＩｎX ＡｌY Ｇａ1-X-Y Ｎ）（但し、０≦Ｘ，０≦
Ｙ，Ｘ＋Ｙ＝１）によるｐ型層の少なくとも１層が、ア
クセプタ濃度ＮA とドナー濃度ＮD の差〔ＮA −Ｎ D 〕
は、１×１０15ｃｍ-3≦〔ＮA −ＮD 〕≦５×１０19ｃ
ｍ-3に選定される。
半導体発光素子は、ｐ型半導体層が、上述した窒化ガリ
ウム系化合物半導体（ＩｎX ＡｌY Ｇａ1-X-Y Ｎ）（但
し、０≦Ｘ，０≦Ｙ，Ｘ＋Ｙ＝１）であって、アクセプ
タ不純物としてホウ素（Ｂ）を原子濃度〔Ｂ〕が、１×
１０15ｃｍ-3≦〔Ｂ〕≦２×１０20ｃｍ-3をもって添加
されてｐ型とされた構成とする。そして、このホウ素
（Ｂ）の添加によって、その窒化ガリウム系化合物半導
体（ＩｎX ＡｌY Ｇａ1-X-Y Ｎ）（但し、０≦Ｘ，０≦
Ｙ，Ｘ＋Ｙ＝１）によるｐ型層の少なくとも１層が、ア
クセプタ濃度ＮA とドナー濃度ＮD の差〔ＮA −Ｎ D 〕
は、１×１０15ｃｍ-3≦〔ＮA −ＮD 〕≦５×１０19ｃ
ｍ-3に選定される。
【００２０】図面を参照して本発明の実施の形態を説明
するが、本発明は図示の例に限られるものではない。図
１は、基体１上にバッファー層２を介して、本発明によ
る窒化ガリウム系化合物半導体（ＩｎX ＡｌY Ｇａ
1-X-Y Ｎ）（但し、０≦Ｘ，０≦Ｙ，Ｘ＋Ｙ＝１）３を
成膜した場合である。
するが、本発明は図示の例に限られるものではない。図
１は、基体１上にバッファー層２を介して、本発明によ
る窒化ガリウム系化合物半導体（ＩｎX ＡｌY Ｇａ
1-X-Y Ｎ）（但し、０≦Ｘ，０≦Ｙ，Ｘ＋Ｙ＝１）３を
成膜した場合である。
【００２１】基体１は、例えばサファイア、ＳｉＣ、Ｚ
ｎＯ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、スピネル、ＧａＮ等の、窒化ガ
リウム系化合物半導体と格子定数が近い単結晶基板、例
えば（０００１）結晶面によるサファイア基体を用いる
ことができる。
ｎＯ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、スピネル、ＧａＮ等の、窒化ガ
リウム系化合物半導体と格子定数が近い単結晶基板、例
えば（０００１）結晶面によるサファイア基体を用いる
ことができる。
【００２２】この基体１上に、形成するバッファ層２
は、例えばＧａＮ、ＡｌＮ、ＧａＡｌＮ等を基体温度を
４００℃〜７００℃とする低温で、厚さ１０〜１００ｎ
ｍ程度に例えばＭＯＣＶＤ法によってエピタキシャル成
長する。
は、例えばＧａＮ、ＡｌＮ、ＧａＡｌＮ等を基体温度を
４００℃〜７００℃とする低温で、厚さ１０〜１００ｎ
ｍ程度に例えばＭＯＣＶＤ法によってエピタキシャル成
長する。
【００２３】その後、このバッファ層２上に、ホウ素
（Ｂ）を、原子濃度〔Ｂ〕が、１×１０15ｃｍ-3≦
〔Ｂ〕≦２×１０20ｃｍ-3をもって添加されたｐ型の上
述の窒化ガリウム系化合物半導体３を例えば厚さ１〜２
μｍにエピタキシャル成長した。この半導体３のＭＯＣ
ＶＤ法によるエピタキシャル成長は、例えばIII族原料
としてＴＭＧ（トリ・メチル・ガリウム）、ＴＭＡ（ト
リ・メチル・アルミニウム）、ＴＭＩ（トリ・メチル・
インジウム）等を用い、窒素（Ｎ）の原料としてはアン
モニア（ＮＨ3 ）等を用いることができる。また、アク
セプタ不純物のホウ素（Ｂ）の原料としては、ＴＭＢ
（トリ・メチル・ボロン）、あるいはＴＥＢ（トリ・エ
チル・ボロン）を用いることができる。そして、この場
合、基体温度は、例えば７００℃〜１２００℃とする。
（Ｂ）を、原子濃度〔Ｂ〕が、１×１０15ｃｍ-3≦
〔Ｂ〕≦２×１０20ｃｍ-3をもって添加されたｐ型の上
述の窒化ガリウム系化合物半導体３を例えば厚さ１〜２
μｍにエピタキシャル成長した。この半導体３のＭＯＣ
ＶＤ法によるエピタキシャル成長は、例えばIII族原料
としてＴＭＧ（トリ・メチル・ガリウム）、ＴＭＡ（ト
リ・メチル・アルミニウム）、ＴＭＩ（トリ・メチル・
インジウム）等を用い、窒素（Ｎ）の原料としてはアン
モニア（ＮＨ3 ）等を用いることができる。また、アク
セプタ不純物のホウ素（Ｂ）の原料としては、ＴＭＢ
（トリ・メチル・ボロン）、あるいはＴＥＢ（トリ・エ
チル・ボロン）を用いることができる。そして、この場
合、基体温度は、例えば７００℃〜１２００℃とする。
【００２４】半導体３のエピタキシャル成長は、ＭＯＣ
ＶＤ法に限られるものではなく、例えばＨＶＰＥ（Hydr
ide Vapor-Phase Epitaxy)法によって形成することがで
き、この場合は、不純物原料ガスとしてはＢ2 Ｈ6 等を
用いることができる。また、ＭＢＥ（Molecular Beam E
pitaxy: 分子線エピタキシー）法によって形成する場合
は、Ｂ元素等を、１２００℃〜１８００℃に電子線加熱
することによってドープすることができる。
ＶＤ法に限られるものではなく、例えばＨＶＰＥ（Hydr
ide Vapor-Phase Epitaxy)法によって形成することがで
き、この場合は、不純物原料ガスとしてはＢ2 Ｈ6 等を
用いることができる。また、ＭＢＥ（Molecular Beam E
pitaxy: 分子線エピタキシー）法によって形成する場合
は、Ｂ元素等を、１２００℃〜１８００℃に電子線加熱
することによってドープすることができる。
【００２５】このようにして半導体３の成膜を行って
後、必要に応じて、例えば４００℃〜１０００℃、例え
ば８００℃の加熱アニール、あるいは電子線照射による
アニールを行ってキャリアの活性化を行う。
後、必要に応じて、例えば４００℃〜１０００℃、例え
ば８００℃の加熱アニール、あるいは電子線照射による
アニールを行ってキャリアの活性化を行う。
【００２６】このようにしてドープされたホウ素（Ｂ）
は、窒化ガリウム系化合物半導体においては、Ｇａなど
のIII族の原子位置に位置する。このように、Ｇａなど
のIII族の原子と置換されたホウ素（Ｂ）は、表１の、
J.C.Phillipsによって求められた各元素の陰性度で示す
ように、Ｇａに対して大きな電気陰性度をもつために、
ホウ素（Ｂ）元素に電子を捕獲し、１価のアクセプタと
なり、半導体３がｐ型を呈することになる。因みに、こ
のような例は、これまでに、窒素（Ｎ）添加リン化ガリ
ウム（ＧａＰ）や酸素（Ｏ）添加ＺｎＳｅ等で確認され
ている。
は、窒化ガリウム系化合物半導体においては、Ｇａなど
のIII族の原子位置に位置する。このように、Ｇａなど
のIII族の原子と置換されたホウ素（Ｂ）は、表１の、
J.C.Phillipsによって求められた各元素の陰性度で示す
ように、Ｇａに対して大きな電気陰性度をもつために、
ホウ素（Ｂ）元素に電子を捕獲し、１価のアクセプタと
なり、半導体３がｐ型を呈することになる。因みに、こ
のような例は、これまでに、窒素（Ｎ）添加リン化ガリ
ウム（ＧａＰ）や酸素（Ｏ）添加ＺｎＳｅ等で確認され
ている。
【００２７】
【表１】
【００２８】また、ホウ素（Ｂ）は、一般的にアクセプ
タ不純物として用いられるＭｇに比して軽元素であるた
め、ベリリウム（Ｂｅ）と同様に、浅いアクセプタ準位
が形成される。したがって、アクセプタの活性化率が上
がったり、キャリア濃度の高い半導体３を得ることがで
きる。
タ不純物として用いられるＭｇに比して軽元素であるた
め、ベリリウム（Ｂｅ）と同様に、浅いアクセプタ準位
が形成される。したがって、アクセプタの活性化率が上
がったり、キャリア濃度の高い半導体３を得ることがで
きる。
【００２９】また、上述の半導体３に、アクセプタ不純
物としてのホウ素（Ｂ）以外の元素をドープすることが
でき、このようにすることによって、ホウ素（Ｂ）を添
加することによる結晶中の歪みの緩和を図ることができ
る。すなわち、ホウ素（Ｂ）は、Ｇａに比し、結合半径
が小さいことから、Ｇａに置換してＢが導入されること
によって結晶中に歪みを生じ、アクセプタの活性化が充
分になされないおそれがあることから、表２の、J.C.Ph
illipsによって求められた各元素の結合半径に示される
ように、Ｇａより結合半径が大きい元素、例えばＭｇ、
あるいは／および亜鉛等のアクセプタ不純物をホウ素
（Ｂ）と同時に添加することによって結晶中の歪みを緩
和することができ、よりアクセプタの活性率が高めら
れ、よりｐ型半導体の低抵抗化が図られる。
物としてのホウ素（Ｂ）以外の元素をドープすることが
でき、このようにすることによって、ホウ素（Ｂ）を添
加することによる結晶中の歪みの緩和を図ることができ
る。すなわち、ホウ素（Ｂ）は、Ｇａに比し、結合半径
が小さいことから、Ｇａに置換してＢが導入されること
によって結晶中に歪みを生じ、アクセプタの活性化が充
分になされないおそれがあることから、表２の、J.C.Ph
illipsによって求められた各元素の結合半径に示される
ように、Ｇａより結合半径が大きい元素、例えばＭｇ、
あるいは／および亜鉛等のアクセプタ不純物をホウ素
（Ｂ）と同時に添加することによって結晶中の歪みを緩
和することができ、よりアクセプタの活性率が高めら
れ、よりｐ型半導体の低抵抗化が図られる。
【００３０】
【表２】
【００３１】上述した本発明による窒化ガリウム系化合
物半導体は、各種半導体素子等に用いることができるも
のであるが、特に窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
に用いて、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層のキャリ
ア濃度の向上を図ることができる。
物半導体は、各種半導体素子等に用いることができるも
のであるが、特に窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
に用いて、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層のキャリ
ア濃度の向上を図ることができる。
【００３２】そして、上述の本発明による窒化ガリウム
系化合物半導体におけるホウ素（Ｂ）の添加量は、この
窒化ガリウム系化合物半導体の使用目的に応じてその原
子濃度〔Ｂ〕を、１×１０15ｃｍ-3≦〔Ｂ〕≦２×１０
20ｃｍ-3の範囲で添加することによって必要十分のキャ
リア濃度、すなわちアクセプタ濃度ＮA とドナー濃度Ｎ
D の差〔ＮA −ＮD 〕が、１×１０15ｃｍ-3≦〔ＮA −
ＮD 〕≦５×１０19ｃｍ-3を得ることができる。
系化合物半導体におけるホウ素（Ｂ）の添加量は、この
窒化ガリウム系化合物半導体の使用目的に応じてその原
子濃度〔Ｂ〕を、１×１０15ｃｍ-3≦〔Ｂ〕≦２×１０
20ｃｍ-3の範囲で添加することによって必要十分のキャ
リア濃度、すなわちアクセプタ濃度ＮA とドナー濃度Ｎ
D の差〔ＮA −ＮD 〕が、１×１０15ｃｍ-3≦〔ＮA −
ＮD 〕≦５×１０19ｃｍ-3を得ることができる。
【００３３】次に、本発明による窒化ガリウム系化合物
半導体とその製造方法によって半導体発光素子を構成す
る場合の例を説明する。
半導体とその製造方法によって半導体発光素子を構成す
る場合の例を説明する。
【００３４】図２は、本発明による窒化ガリウム系化合
物半導体発光素子の一例の概略断面図である。この例
は、ＳＣＨ−ＭＱＷ（Separate Confinement Heterostr
ucture-Multi Quantum Well)構造の半導体レーザを構成
した場合で、本発明による製造方法の例とともに説明す
る。
物半導体発光素子の一例の概略断面図である。この例
は、ＳＣＨ−ＭＱＷ（Separate Confinement Heterostr
ucture-Multi Quantum Well)構造の半導体レーザを構成
した場合で、本発明による製造方法の例とともに説明す
る。
【００３５】基体１１が、用意される。この基体１１
は、前述したと同様に、例えばサファイア、ＳｉＣ、Ｚ
ｎＯ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、スピネル、ＧａＮ等の、窒化ガ
リウム系化合物半導体と格子定数が近い単結晶基板、例
えば（０００１）結晶面によるサファイア基体を用いる
ことができる。
は、前述したと同様に、例えばサファイア、ＳｉＣ、Ｚ
ｎＯ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、スピネル、ＧａＮ等の、窒化ガ
リウム系化合物半導体と格子定数が近い単結晶基板、例
えば（０００１）結晶面によるサファイア基体を用いる
ことができる。
【００３６】この基体１１上に、例えばＧａＮバッファ
層１２を、例えば基体温度５００℃の低温で、５０ｎｍ
の厚さにエピタキシャル成長し、続いて基体温度を１０
００℃に上昇させ、例えばシリコン（Ｓｉ）ドープのＧ
ａＮによるｎ型の第１コンタクト層１３を５μｍの厚さ
に形成し、この上に、例えば厚さ２μｍのＳｉドープの
ｎ型のＡｌＧａＮによる第１クラッド層１４をエピタキ
シャル成長し、更にこの上にＳＣＨ−ＭＱＷ構造の活性
層３０、例えば厚さ２μｍのホウ素（Ｂ）ドープのｐ型
のＡｌＧａＮによる第２クラッド層１８、例えば厚さ１
００ｎｍのホウ素（Ｂ）ドープのｐ型のＧａＮによる第
２コンタクト層１９とを順次エピタキシャル成長する。
層１２を、例えば基体温度５００℃の低温で、５０ｎｍ
の厚さにエピタキシャル成長し、続いて基体温度を１０
００℃に上昇させ、例えばシリコン（Ｓｉ）ドープのＧ
ａＮによるｎ型の第１コンタクト層１３を５μｍの厚さ
に形成し、この上に、例えば厚さ２μｍのＳｉドープの
ｎ型のＡｌＧａＮによる第１クラッド層１４をエピタキ
シャル成長し、更にこの上にＳＣＨ−ＭＱＷ構造の活性
層３０、例えば厚さ２μｍのホウ素（Ｂ）ドープのｐ型
のＡｌＧａＮによる第２クラッド層１８、例えば厚さ１
００ｎｍのホウ素（Ｂ）ドープのｐ型のＧａＮによる第
２コンタクト層１９とを順次エピタキシャル成長する。
【００３７】ＳＣＨ−ＭＱＷ構造の活性層３０は、例え
ば厚さ１００ｎｍのＳｉドープのｎ型のＧａＮによる第
１ガイド層１５、ＧａＩｎＮによる例えば３層の量子井
戸層と、これら間に配置される２層の例えばＧａＮによ
る量子障壁層とが繰り返し積層されて成るＭＱＷ層１６
と、例えば厚さ１００ｎｍのホウ素（Ｂ）ドープのｐ型
のＧａＮによる第２ガイド層１７とがエピタキシャル成
長されて成る。
ば厚さ１００ｎｍのＳｉドープのｎ型のＧａＮによる第
１ガイド層１５、ＧａＩｎＮによる例えば３層の量子井
戸層と、これら間に配置される２層の例えばＧａＮによ
る量子障壁層とが繰り返し積層されて成るＭＱＷ層１６
と、例えば厚さ１００ｎｍのホウ素（Ｂ）ドープのｐ型
のＧａＮによる第２ガイド層１７とがエピタキシャル成
長されて成る。
【００３８】これら半導体層１２〜１９のエピタキシャ
ル成長は、前述した例えばＭＯＣＶＤ、ＭＢＥ、ＨＶＰ
Ｅ法によって連続的に形成することもできる。
ル成長は、前述した例えばＭＯＣＶＤ、ＭＢＥ、ＨＶＰ
Ｅ法によって連続的に形成することもできる。
【００３９】その後、これら半導体層１２〜１９が積層
された積層半導体層を、例えば図２において紙面と直交
する方向にストライプ状に残してその１側、あるいは両
側にｎ型の第１コンタクト層１３を露出させる溝２０
を、例えばエッチングによって形成する。
された積層半導体層を、例えば図２において紙面と直交
する方向にストライプ状に残してその１側、あるいは両
側にｎ型の第１コンタクト層１３を露出させる溝２０
を、例えばエッチングによって形成する。
【００４０】一方、ストライプ状に残された積層半導体
層の、上層のｐ型のコンタクト層１９に例えば厚さ０．
２μｍのＳｉＯ2 による絶縁層２３をＣＶＤ法等によっ
て形成し、これに、上記ストライプ方向に沿って延びる
コンタクト窓２３Ｗを、例えばフォトリソグラフィによ
るパターンエッチングによって穿設する。そして、この
コンタクト窓２３Ｗを通じて、第２電極２２をオーミッ
クにコンタクトし、溝２０の底部に露出された第１コン
タクト層１３に、第１電極２１をオーミックコンタクト
する。
層の、上層のｐ型のコンタクト層１９に例えば厚さ０．
２μｍのＳｉＯ2 による絶縁層２３をＣＶＤ法等によっ
て形成し、これに、上記ストライプ方向に沿って延びる
コンタクト窓２３Ｗを、例えばフォトリソグラフィによ
るパターンエッチングによって穿設する。そして、この
コンタクト窓２３Ｗを通じて、第２電極２２をオーミッ
クにコンタクトし、溝２０の底部に露出された第１コン
タクト層１３に、第１電極２１をオーミックコンタクト
する。
【００４１】第１電極２１は、例えばＴｉ、Ｐｔ、Ａｕ
を順次スパッタリング等によって被着し、第２電極は２
２は、例えばＮｉ、Ｐｔ、Ａｕを順次スパッタリング等
によって被着形成することができる。
を順次スパッタリング等によって被着し、第２電極は２
２は、例えばＮｉ、Ｐｔ、Ａｕを順次スパッタリング等
によって被着形成することができる。
【００４２】上述のそれぞれホウ素（Ｂ）をドープした
各ｐ型半導体層の第２ガイド層１７、第２クラッド層１
８、第２コンタクト層１９は、それぞれホウ素（Ｂ）の
添加量は、この窒化ガリウム系化合物半導体の使用目的
に応じてその原子濃度〔Ｂ〕を、１×１０15ｃｍ-3≦
〔Ｂ〕≦２×１０20ｃｍ-3の範囲で添加することによっ
てそれぞれの層においてアクセプタ濃度ＮA とドナー濃
度ＮD の差〔ＮA −ＮD〕が、５×１０15ｃｍ-3≦〔Ｎ
A −ＮD 〕≦５×１０19ｃｍ-3を得ることができた。こ
れにより、それぞれのｐ型半導体層において必要とする
キャリア濃度に対応してホウ素（Ｂ）の添加量の選定が
なされる。
各ｐ型半導体層の第２ガイド層１７、第２クラッド層１
８、第２コンタクト層１９は、それぞれホウ素（Ｂ）の
添加量は、この窒化ガリウム系化合物半導体の使用目的
に応じてその原子濃度〔Ｂ〕を、１×１０15ｃｍ-3≦
〔Ｂ〕≦２×１０20ｃｍ-3の範囲で添加することによっ
てそれぞれの層においてアクセプタ濃度ＮA とドナー濃
度ＮD の差〔ＮA −ＮD〕が、５×１０15ｃｍ-3≦〔Ｎ
A −ＮD 〕≦５×１０19ｃｍ-3を得ることができた。こ
れにより、それぞれのｐ型半導体層において必要とする
キャリア濃度に対応してホウ素（Ｂ）の添加量の選定が
なされる。
【００４３】尚、図２で説明した発光素子は、ＳＣＨ−
ＭＱＷ構造のレーザであるが、本発明は、この例に限ら
れるものではなく、活性層が単層量子井戸構造によると
か、あるいはＤＨ（Double Hetero)構造によるとか、種
々の構成による半導体レーザ、発光ダイオード等に適用
することができる。
ＭＱＷ構造のレーザであるが、本発明は、この例に限ら
れるものではなく、活性層が単層量子井戸構造によると
か、あるいはＤＨ（Double Hetero)構造によるとか、種
々の構成による半導体レーザ、発光ダイオード等に適用
することができる。
【００４４】また、上述の基体１あるいは１１上にエピ
タキシャル成長する各半導体層のエピタキシャル成長方
法としては、ＭＯＣＶＤ、ＭＢＥ、ＨＶＰＥのみなら
ず、そのほか、周知の各種エピタキシャル成長方法、例
えばＭＯＭＢＥ、ＭＥＥ（Migration Enhanced Epitax
y) 、ＬＰＥ(Liquid Phase Epitaxy)、ＡＬＥ(Atomic L
ayer Epitaxy)等種々のエピタキシャル成長法によっ
て、連続的に形成することもできるし、これら各成長方
法を組み合わせてエピタキシャル成長することができ
る。
タキシャル成長する各半導体層のエピタキシャル成長方
法としては、ＭＯＣＶＤ、ＭＢＥ、ＨＶＰＥのみなら
ず、そのほか、周知の各種エピタキシャル成長方法、例
えばＭＯＭＢＥ、ＭＥＥ（Migration Enhanced Epitax
y) 、ＬＰＥ(Liquid Phase Epitaxy)、ＡＬＥ(Atomic L
ayer Epitaxy)等種々のエピタキシャル成長法によっ
て、連続的に形成することもできるし、これら各成長方
法を組み合わせてエピタキシャル成長することができ
る。
【００４５】
【発明の効果】上述したように、本発明においては、窒
化ガリウム系化合物半導体において、等原子価不純物で
あるホウ素（Ｂ）を添加することで、ｐ型窒化ガリウム
系化合物半導体を得るものであり、このようにすること
によって、このホウ素（Ｂ）が、軽元素であるがため
に、浅いアクセプタ準位が形成される。したがって、従
来のＭｇ等によるドーパントを用いる場合に比し、キャ
リア密度を高めることができ、低抵抗ｐ型窒化ガリウム
系化合物半導体を構成することができる。
化ガリウム系化合物半導体において、等原子価不純物で
あるホウ素（Ｂ）を添加することで、ｐ型窒化ガリウム
系化合物半導体を得るものであり、このようにすること
によって、このホウ素（Ｂ）が、軽元素であるがため
に、浅いアクセプタ準位が形成される。したがって、従
来のＭｇ等によるドーパントを用いる場合に比し、キャ
リア密度を高めることができ、低抵抗ｐ型窒化ガリウム
系化合物半導体を構成することができる。
【００４６】また、このホウ素（Ｂ）と共に、他の不純
物例えばＭｇやＺｎ等のアクセプタ性不純物を添加する
ことにより、歪みの緩和がなされることにより、より低
抵抗化を図ることができる。
物例えばＭｇやＺｎ等のアクセプタ性不純物を添加する
ことにより、歪みの緩和がなされることにより、より低
抵抗化を図ることができる。
【００４７】したがって、この本発明による窒化ガリウ
ム系化合物半導体によってｐ型層を構成した本発明によ
る発光半導体素子によれば、その直列抵抗の低減化を図
ることができることによって駆動電圧の低減化を図るこ
とができる。そして、ｐ型のコンタクト層のキャリア密
度の向上によってｐ型側の電極（第２電極２２）の良好
なオーミックコンタクトを行うことができ、此処におけ
る接触抵抗の低減化を図ることができ、駆動電圧の低減
化を図ることができる。また、ｐ型クラッド層（第２ク
ラッド層１８）の低抵抗化が図られることから、その組
成、ＩｎX ＡｌY Ｇａ1-X-Y Ｎ例えばＡｌY Ｇａ1-Y Ａ
ｓにおけるＡｌ組成Ｙを大きくすることが可能となり、
光閉じ込め効率を高めることができ、駆動電流の低減化
を図ることができる。上述したことから、消費電流の低
減化が図られ、また素子の発熱を減少させることができ
ることから、窒化ガリウム系化合物半導体素子、例えば
半導体レーザにおける長寿命化を図ることができる。
ム系化合物半導体によってｐ型層を構成した本発明によ
る発光半導体素子によれば、その直列抵抗の低減化を図
ることができることによって駆動電圧の低減化を図るこ
とができる。そして、ｐ型のコンタクト層のキャリア密
度の向上によってｐ型側の電極（第２電極２２）の良好
なオーミックコンタクトを行うことができ、此処におけ
る接触抵抗の低減化を図ることができ、駆動電圧の低減
化を図ることができる。また、ｐ型クラッド層（第２ク
ラッド層１８）の低抵抗化が図られることから、その組
成、ＩｎX ＡｌY Ｇａ1-X-Y Ｎ例えばＡｌY Ｇａ1-Y Ａ
ｓにおけるＡｌ組成Ｙを大きくすることが可能となり、
光閉じ込め効率を高めることができ、駆動電流の低減化
を図ることができる。上述したことから、消費電流の低
減化が図られ、また素子の発熱を減少させることができ
ることから、窒化ガリウム系化合物半導体素子、例えば
半導体レーザにおける長寿命化を図ることができる。
【図１】本発明による窒化ガリウム系化合物半導体の一
例を示す概略断面図である。
例を示す概略断面図である。
【図２】本発明による窒化ガリウム系化合物半導体発光
素子の一例を示す概略断面図である。
素子の一例を示す概略断面図である。
１・・・基体、２・・・バッファ層、３・・・窒化ガリ
ウム系化合物半導体、１１・・・基体、１２・・・バッ
ファ層、１３・・・第１コンタクト層、１４・・・第１
クラッド層、１５・・・第１ガイド層、１６・・・ＭＱ
Ｗ層、１７・・・第２ガイド層、１８・・・第２クラッ
ド層、１９・・・第２コンタクト層、２０・・・溝、２
１・・・第１電極、２２・・・第２電極、２３・・・絶
縁層、２３Ｗ・・・コンタクト窓、３０・・・活性層
ウム系化合物半導体、１１・・・基体、１２・・・バッ
ファ層、１３・・・第１コンタクト層、１４・・・第１
クラッド層、１５・・・第１ガイド層、１６・・・ＭＱ
Ｗ層、１７・・・第２ガイド層、１８・・・第２クラッ
ド層、１９・・・第２コンタクト層、２０・・・溝、２
１・・・第１電極、２２・・・第２電極、２３・・・絶
縁層、２３Ｗ・・・コンタクト窓、３０・・・活性層
Claims (13)
- 【請求項１】 窒化ガリウム系化合物半導体（ＩｎX Ａ
ｌY Ｇａ1-X-Y Ｎ）（但し、０≦Ｘ，０≦Ｙ，Ｘ＋Ｙ＝
１）であって、 アクセプタ不純物としてホウ素（Ｂ）を原子濃度〔Ｂ〕
が、１×１０15ｃｍ-3≦〔Ｂ〕≦２×１０20ｃｍ-3をも
って添加されてｐ型とされたことを特徴とする窒化ガリ
ウム系化合物半導体。 - 【請求項２】 上記アクセプタ不純物として、上記ホウ
素（Ｂ）と共に、他の不純物が添加されてｐ型とされた
ことを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合
物半導体。 - 【請求項３】 上記他の不純物が、マグネシウム（Ｍ
ｇ）、亜鉛（Ｚｎ）の少なくともいずれかを含むことを
特徴とする請求項２に記載の窒化ガリウム系化合物半導
体。 - 【請求項４】 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子で
あって、 その窒化ガリウム系化合物半導体（ＩｎX ＡｌY Ｇａ
1-X-Y Ｎ）（但し、０≦Ｘ，０≦Ｙ，Ｘ＋Ｙ＝１）によ
るｐ型層の少なくとも１層が、アクセプタ不純物として
ホウ素（Ｂ）を原子濃度〔Ｂ〕が、１×１０15ｃｍ-3≦
〔Ｂ〕≦２×１０ 20ｃｍ-3に添加されて成ることを特徴
とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。 - 【請求項５】 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子で
あって、 その窒化ガリウム系化合物半導体（ＩｎX ＡｌY Ｇａ
1-X-Y Ｎ）（但し、０≦Ｘ，０≦Ｙ，Ｘ＋Ｙ＝１）によ
るｐ型層の少なくとも１層が、アクセプタ濃度Ｎ A とド
ナー濃度ＮD の差〔ＮA −ＮD 〕が、１×１０15ｃｍ-3
≦〔ＮA −ＮD 〕≦５×１０19ｃｍ-3に選定されて成る
ことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素
子。 - 【請求項６】 上記アクセプタ不純物として、上記ホウ
素（Ｂ）と共に、他の不純物が添加されてｐ型とされた
ことを特徴とする請求項４に記載の窒化ガリウム系化合
物半導体発光素子。 - 【請求項７】 上記他の不純物が、マグネシウム（Ｍ
ｇ）、亜鉛（Ｚｎ）の少なくともいずれかを含むことを
特徴とする請求項４に記載の窒化ガリウム系化合物半導
体発光素子。 - 【請求項８】 基体上に、窒化ガリウム系化合物半導体
（ＩｎX ＡｌY Ｇａ1-X- Y Ｎ）（但し、０≦Ｘ，０≦
Ｙ，Ｘ＋Ｙ＝１）を成膜する窒化ガリウム系化合物半導
体の製造方法であって、 上記成膜にあたり、アクセプタ不純物としてホウ素
（Ｂ）を、原子濃度〔Ｂ〕が、１×１０15ｃｍ-3≦
〔Ｂ〕≦２×１０20ｃｍ-3となるように添加してｐ型の
窒化ガリウム系化合物半導体を得ることを特徴とする窒
化ガリウム系化合物半導体の製造方法。 - 【請求項９】 上記ｐ型不純物として、上記ホウ素
（Ｂ）と共に、他の不純物を添加してｐ型の窒化ガリウ
ム系化合物半導体を得ることを特徴とする請求項８に記
載の窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。 - 【請求項１０】 上記他の不純物がマグネシウム（Ｍ
ｇ）、亜鉛（Ｚｎ）の少なくともいずれかを含むことを
特徴とする請求項９に記載の窒化ガリウム系化合物半導
体の製造方法。 - 【請求項１１】 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
の製造方法であって、 その窒化ガリウム系化合物半導体（ＩｎX ＡｌY Ｇａ
1-X-Y Ｎ）（但し、０≦Ｘ，０≦Ｙ，Ｘ＋Ｙ＝１）によ
るｐ型層の少なくとも１層の成膜に当たり、 アクセプタ不純物としてホウ素（Ｂ）を、原子濃度
〔Ｂ〕が、１×１０15ｃｍ -3≦〔Ｂ〕≦２×１０20ｃｍ
-3となるように添加して成膜することを特徴とする窒化
ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項１２】 上記アクセプタ不純物として、上記ホ
ウ素（Ｂ）と共に、他の不純物を添加して上記ｐ型層を
成膜することを特徴とする請求項１１に記載の窒化ガリ
ウム系化合物半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項１３】 上記他の不純物がマグネシウム（Ｍ
ｇ）、亜鉛（Ｚｎ）の少なくともいずれかを含むことを
特徴とする請求項１１に記載の窒化ガリウム系化合物半
導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33289798A JP2000164927A (ja) | 1998-11-24 | 1998-11-24 | 窒化ガリウム系化合物半導体、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子、およびこれらの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33289798A JP2000164927A (ja) | 1998-11-24 | 1998-11-24 | 窒化ガリウム系化合物半導体、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子、およびこれらの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000164927A true JP2000164927A (ja) | 2000-06-16 |
Family
ID=18260029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33289798A Pending JP2000164927A (ja) | 1998-11-24 | 1998-11-24 | 窒化ガリウム系化合物半導体、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子、およびこれらの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000164927A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101193573B1 (ko) | 2007-03-23 | 2012-10-23 | 가부시끼가이샤 도꾸야마 | Ｐ형 ⅲ족 질화물 반도체 및 ⅲ족 질화물 반도체 소자 |
-
1998
- 1998-11-24 JP JP33289798A patent/JP2000164927A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101193573B1 (ko) | 2007-03-23 | 2012-10-23 | 가부시끼가이샤 도꾸야마 | Ｐ형 ⅲ족 질화물 반도체 및 ⅲ족 질화물 반도체 소자 |
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