JP2000164359A - Organic electroluminescent element - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、有機エレクトロ
ルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子とも称する場
合がある。）に関する。さらに詳しくは、民生用および
工業用の表示機器（ディスプレイ）あるいはプリンター
ヘッドの光源等に用いて好適な有機ＥＬ素子に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescence device (hereinafter sometimes referred to as an organic EL device). More specifically, the present invention relates to an organic EL device suitable for use in consumer and industrial display devices (displays) or light sources of printer heads.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、電極間に有機発光層を挟持した有
機ＥＬ素子が、以下に示す理由等から鋭意研究開発され
ている。 （１）完全固体素子であるため、取り扱いや製造が容易
である。 （２）自己発光が可能であるため、発光部材を必要とし
ない。 （３）視認性に優れているため、ディスプレイに好適で
ある。 （４）フルカラー化が容易である。 しかしながら、有機発光層は、有機物であり、陰極から
電子を注入することが容易でなく、また、一般に電子を
輸送しにくいため、劣化しやすく、耐久性に乏しいとい
う問題が見られた。2. Description of the Related Art Organic EL devices having an organic light emitting layer sandwiched between electrodes have been intensively researched and developed for the following reasons. (1) Since it is a completely solid element, it is easy to handle and manufacture. (2) Since self light emission is possible, no light emitting member is required. (3) Since it is excellent in visibility, it is suitable for a display. (4) Easy full color printing. However, since the organic light emitting layer is an organic substance, it is not easy to inject electrons from the cathode, and in general, it is difficult to transport electrons, so that the organic light emitting layer is easily deteriorated and has poor durability.
【０００３】そこで、電子等の注入を容易にするため、
電極間に、有機発光層とともに、無機半導体薄膜層を備
えた有機ＥＬ素子が、例えば、特開平２−１３９８９３
号公報、特開平２−１９６４７５号公報、特開平２−１
９６４７５号公報に開示されている。この公報に開示さ
れた有機ＥＬ素子は、具体的には、陽極上に、カーボ
ン、ゲルマニウム、シリコン、スズ、シリコンカーバイ
ド、チッ化硼素、リン化硼素、チッ化ガリウム等の無機
半導体材料から構成された無機半導体薄膜層を備え、さ
らにその上に有機発光層および陰極を形成してある。In order to facilitate injection of electrons and the like,
An organic EL device provided with an inorganic semiconductor thin film layer together with an organic light emitting layer between electrodes is disclosed in, for example, JP-A-2-139893.
JP, JP-A-2-196475, JP-A-2-1-1
No. 96475. The organic EL device disclosed in this publication is specifically composed of an inorganic semiconductor material such as carbon, germanium, silicon, tin, silicon carbide, boron nitride, boron phosphide, and gallium nitride on the anode. An organic light emitting layer and a cathode are further formed thereon.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、開示さ
れた有機ＥＬ素子において、無機半導体薄膜層を設けた
ことにより、電子注入が部分的に促進されたものの、発
光効率が相対的に低下するという問題が見られた。すな
わち、本来、有機発光層の中央付近で電子と正孔とが再
結合することにより効率的に発光することが望まれるの
に、無機半導体薄膜層を設けたことにより、無機半導体
薄膜層付近で再結合して容易に消光したり、あるいは電
子移動度が小さいために再結合確率が小さく、正孔が通
過しやすいため、有機ＥＬ素子の有機発光層における発
光輝度が低下するという問題が見られた。もちろん、有
機ＥＬ素子の駆動電圧を高くすることにより、発光輝度
をある程度は高めることができるが、有機ＥＬ素子にお
ける発熱量が多くなったり、あるいは耐久性が著しく低
下するという問題が見られた。なお、電子移動度μｅ＞
μｈの物質を利用すれば、この問題は回避できるが、こ
のような物質は正孔注入しづらいので、正孔注入層や正
孔輸送層などを設けることが不可欠であった。また、こ
のような物質は、正孔注入により劣化しやすいという問
題が見られた。However, in the disclosed organic EL device, the provision of the inorganic semiconductor thin film layer partially accelerates the electron injection, but the luminous efficiency is relatively reduced. It was observed. That is, although it is originally desired to efficiently emit light by recombination of electrons and holes near the center of the organic light emitting layer, the provision of the inorganic semiconductor thin film layer makes it possible to emit light near the inorganic semiconductor thin film layer. There is a problem in that the light is easily quenched by recombination, or the recombination probability is low due to low electron mobility, and holes easily pass through, so that the light emission luminance in the organic light emitting layer of the organic EL element is reduced. Was. Of course, by increasing the driving voltage of the organic EL element, the light emission luminance can be increased to some extent. However, there has been a problem that the amount of heat generated in the organic EL element is increased or the durability is significantly reduced. Note that the electron mobility μ e >
By using the material of mu h, but this problem can be avoided, since such materials are difficult to hole injection, it was essential to provide such a hole injection layer and a hole transport layer. In addition, there has been a problem that such a substance is easily deteriorated by hole injection.
【０００５】そこで、本発明の発明者らは上記問題を鋭
意検討したところ、有機ＥＬ素子に無機化合物からなる
電子注入層を設けた場合であっても、有機発光層におけ
る電子移動度（μe）と、正孔移動度（μh）との関係を
考慮することにより、低電圧（例えば、直流１０Ｖ）の
印加であっても発光輝度を維持、あるいは向上させるこ
とができることを見出した。すなわち、本発明は、無機
化合物から構成された電子注入層を備えた、駆動電圧が
低く、しかも発光輝度が高い有機ＥＬ素子を提供するこ
とを目的とする。Therefore, the inventors of the present invention diligently studied the above problem, and found that even when an organic EL element was provided with an electron injection layer made of an inorganic compound, the electron mobility (μ e ) And the hole mobility (μ h ) were considered, and it was found that the light emission luminance could be maintained or improved even when a low voltage (for example, DC 10 V) was applied. That is, an object of the present invention is to provide an organic EL device having an electron injection layer composed of an inorganic compound, having a low driving voltage and a high emission luminance.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明の有機ＥＬ素子に
よれば、少なくとも陽極層、有機発光層、電子注入層お
よび陰極層を順次に積層した構造を有する有機ＥＬ素子
において、電子注入層を無機化合物から構成するととも
に、有機発光層に、電子移動度（μe）および正孔移動
度（μh）について、下記条件（１）および（２）を満
足する有機発光材料を含むことを特徴とする。 （１）μe≧１×１０-7ｃｍ2／Ｖ・ｓｅｃ． （２）μh＞μe＞μh／１０００ このように構成することにより、有機発光層において電
子と、正孔とを効率的に再結合させることができ、低電
圧の電圧印加であっても高い発光輝度を得ることができ
る。なお、有機発光材料における電子移動度（μe）お
よび正孔移動度（μh）は、タイムオブフライト（ＴＯ
Ｆ）法を用いて、１×１０4〜１×１０6Ｖ／ｃｍ・ｓの
直流電圧を印加した条件で測定することができる。According to the organic EL device of the present invention, in an organic EL device having a structure in which at least an anode layer, an organic light emitting layer, an electron injection layer and a cathode layer are sequentially laminated, the electron injection layer is In addition to being composed of an inorganic compound, the organic light emitting layer contains an organic light emitting material satisfying the following conditions (1) and (2) with respect to electron mobility (μ e ) and hole mobility (μ h ). And (1) μ e ≧ 1 × 10 −7 cm 2 / V · sec. (2) μ h > μ e > μ h / 1000 With such a configuration, electrons and holes can be efficiently recombined in the organic light emitting layer, and a low voltage is applied. High emission luminance can be obtained. Note that the electron mobility (μ e ) and the hole mobility (μ h ) of the organic light-emitting material are measured by the time of flight (TO
The measurement can be performed by applying the DC voltage of 1 × 10 4 to 1 × 10 6 V / cm · s using the method F).
【０００７】また、本発明の有機ＥＬ素子を構成するに
あたり、下記一般式（１）〜（３）で表されるスチリル
基を有する芳香族化合物の少なくとも一つを含むことが
好ましい。このように構成することにより、有機発光層
における電子移動度と、正孔移動度との制御がより容易
となり、電子と正孔との再結合性を高め、結果として、
低電圧の印加であってもより高い発光輝度を得ることが
できる。In constituting the organic EL device of the present invention, it is preferable that the organic EL device contains at least one styryl group-containing aromatic compound represented by the following general formulas (1) to (3). With this configuration, the electron mobility in the organic light emitting layer and the control of the hole mobility are more easily controlled, and the recombination between electrons and holes is enhanced, and as a result,
Even when a low voltage is applied, higher emission luminance can be obtained.
【０００８】[0008]
【化５】 Embedded image
【０００９】［一般式（１）中、Ａｒ1は、炭素数が６
〜４０の芳香族基であり、Ａｒ2、Ａｒ3、およびＡｒ4
は、それぞれ水素原子または炭素数が６〜４０の芳香族
基であり、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3、およびＡｒ4の少なく
とも一つは芳香族基であり、縮合数ｎは、１〜６の整数
である。］[In the general formula (1), Ar 1 has 6 carbon atoms.
To 40 aromatic groups, Ar 2 , Ar 3 , and Ar 4
Is a hydrogen atom or an aromatic group having 6 to 40 carbon atoms, at least one of Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 and Ar 4 is an aromatic group, and the condensation number n is 1 to 6 Is an integer. ]
【００１０】[0010]
【化６】 Embedded image
【００１１】［一般式（２）中、Ａｒ5は、炭素数が６
〜４０の芳香族基であり、Ａｒ6およびＡｒ7は、それぞ
れ水素原子または炭素数が６〜４０の芳香族基であり、
Ａｒ5、Ａｒ6およびＡｒ7の少なくとも一つはスチリル
基で置換されており、縮合数ｍは、１〜６の整数であ
る。］[In the general formula (2), Ar 5 has 6 carbon atoms.
An 40 aromatic group, Ar 6 and Ar 7, hydrogen atom or carbon atoms each an aromatic group having 6 to 40,
At least one of Ar 5 , Ar 6 and Ar 7 is substituted with a styryl group, and the condensed number m is an integer of 1 to 6. ]
【００１２】[0012]
【化７】 Embedded image
【００１３】［一般式（３）中、Ａｒ8およびＡｒ
14は、炭素数が６〜４０の芳香族基であり、Ａｒ9〜Ａ
ｒ13は、それぞれ水素原子または炭素数が６〜４０の芳
香族基であり、Ａｒ8〜Ａｒ14の少なくとも一つはスチ
リル基で置換されており、縮合数ｐ、ｑ、ｒ、ｓは、そ
れぞれ０または１である。］[In the general formula (3), Ar 8 and Ar
14 is an aromatic group having 6 to 40 carbon atoms, and Ar 9 to A
r 13 is a hydrogen atom or an aromatic group having 6 to 40 carbon atoms, at least one of Ar 8 to Ar 14 is substituted with a styryl group, and the condensed numbers p, q, r, and s are It is 0 or 1, respectively. ]
【００１４】また、本発明の有機ＥＬ素子を構成するに
あたり、有機発光層に含まれる芳香族化合物のスチリル
基が、下記一般式（４）で表されるスチリル基であるこ
とが好ましい。このように構成することにより、有機発
光層における電子移動度と、正孔移動度との制御がより
容易となるばかりか、有機発光層の耐久性をより向上さ
せることができる。In constituting the organic EL device of the present invention, the styryl group of the aromatic compound contained in the organic light emitting layer is preferably a styryl group represented by the following general formula (4). With this configuration, not only is it easier to control the electron mobility and the hole mobility in the organic light emitting layer, but also the durability of the organic light emitting layer can be further improved.
【００１５】[0015]
【化８】 Embedded image
【００１６】［一般式（４）中、Ａｒ15Ａｒ16、および
Ａｒ17は、それぞれ水素原子または炭素数が６〜４０の
芳香族基である。］[In the general formula (4), Ar 15 Ar 16 and Ar 17 are each a hydrogen atom or an aromatic group having 6 to 40 carbon atoms. ]
【００１７】また、本発明の有機ＥＬ素子を構成するに
あたり、電子注入層における無機化合物が、微結晶また
は非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。このよう
な構成にすると、より均質な薄膜が形成されるために、
ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができ
る。In constituting the organic EL device of the present invention, it is preferable that the inorganic compound in the electron injection layer is a microcrystalline or amorphous insulating thin film. With such a configuration, a more uniform thin film is formed.
Pixel defects such as dark spots can be reduced.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態について具体的に説明する。なお、参照する
図面は、この発明が理解できる程度に各構成成分の大き
さ、形状および配置関係を概略的に示してあるに過ぎな
い。したがって、この発明は図示例にのみ限定されるも
のではない。また、図面では、断面を表すハッチングを
省略する場合がある。Embodiments of the present invention will be specifically described below with reference to the drawings. The drawings referred to merely schematically show the sizes, shapes, and arrangements of the components so that the present invention can be understood. Therefore, the present invention is not limited only to the illustrated example. In the drawings, hatching representing a cross section may be omitted.
【００１９】＜第１の実施形態＞まず、図１を参照し
て、本発明の有機ＥＬ素子における第１の実施形態につ
いて説明する。図１は、有機ＥＬ素子１００の断面図で
あり、陽極層１０、有機発光層１２、電子注入層１４お
よび陰極層１６を、基板上（図示せず。）に順次に積層
した構造を有していることを表している。以下、第１の
実施形態における特徴的な部分である電子注入層１４お
よび有機発光層１２について中心に説明する。したがっ
て、その他の構成部分、例えば、陽極層１０や陰極層１
６の構成や製法については簡単に説明するものとし、言
及していない部分については、有機ＥＬ素子の分野にお
いて一般的に公知な構成や製法を採ることができる。<First Embodiment> First, a first embodiment of the organic EL device of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a cross-sectional view of an organic EL device 100, which has a structure in which an anode layer 10, an organic light emitting layer 12, an electron injection layer 14, and a cathode layer 16 are sequentially laminated on a substrate (not shown). It represents that it is. Hereinafter, the electron injection layer 14 and the organic light emitting layer 12 which are characteristic portions of the first embodiment will be mainly described. Therefore, other components, for example, the anode layer 10 and the cathode layer 1
The configuration and manufacturing method of No. 6 will be briefly described, and the configuration and manufacturing method generally known in the field of the organic EL element can be adopted for the parts not mentioned.
【００２０】（１）電子注入層 第１の実施形態において、電子注入層を無機化合物から
構成することを特徴とする。このように電子注入層を無
機化合物から構成することにより、陰極からの電子の注
入性や耐久性に優れた有機ＥＬ素子とすることができ
る。(1) Electron Injection Layer The first embodiment is characterized in that the electron injection layer is made of an inorganic compound. By forming the electron injection layer from an inorganic compound in this way, an organic EL device having excellent electron injection properties from a cathode and excellent durability can be obtained.
【００２１】また、電子注入層を構成する無機化合物と
して、絶縁体または半導体を使用することが好ましい。
電子注入層が絶縁体や半導体で構成されていれば、電流
のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させるこ
とができる。このような絶縁体としては、アルカリ金属
カルコゲナイド、アルカリ土塁金属カルコゲナイド、ア
ルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土塁金属のハ
ロゲン化物からなる群から選択される少なくとも一つの
金属化合物を使用するのが好ましい。電子注入層がこれ
らのアルカリ金属カルコゲナイド等で構成されていれ
ば、電子注入性をさらに向上させることができる点で好
ましい。It is preferable to use an insulator or a semiconductor as the inorganic compound constituting the electron injection layer.
If the electron injection layer is formed of an insulator or a semiconductor, current leakage can be effectively prevented, and electron injection properties can be improved. As such an insulator, it is preferable to use at least one metal compound selected from the group consisting of alkali metal chalcogenides, alkaline earth metal chalcogenides, halides of alkali metals and halides of alkaline earth metals. It is preferable that the electron injecting layer is composed of such an alkali metal chalcogenide in that the electron injecting property can be further improved.
【００２２】具体的に、好ましいアルカリ金属カルコゲ
ナイドとしては、例えば、Ｌｉ2Ｏ、ＬｉＯ、Ｎａ2Ｓ、
Ｎａ2ＳｅおよびＮａＯが挙げられ、好ましいアルカリ
土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、ＣａＯ、Ｂ
ａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、およびＣａＳｅが挙げ
られる。また、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物と
しては、例えば、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、Ｋ
ＣｌおよびＮａＣｌ等が挙げられる。また、好ましいア
ルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、Ｃａ
Ｆ2 、ＢａＦ2、ＳｒＦ2、ＭｇＦ2およびＢｅＦ2といっ
たフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられ
る。Specifically, preferred alkali metal chalcogenides include, for example, Li 2 O, LiO, Na 2 S,
Na 2 Se and NaO are mentioned, and preferred alkaline earth metal chalcogenides are, for example, CaO, B
aO, SrO, BeO, BaS, and CaSe. Preferred alkali metal halides include, for example, LiF, NaF, KF, LiCl, K
Cl and NaCl. Preferred alkaline earth metal halides include, for example, Ca
Examples include fluorides such as F 2 , BaF 2 , SrF 2 , MgF 2 and BeF 2 , and halides other than fluorides.
【００２３】また、電子注入層を構成する半導体として
は、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌ
ｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、ＳｂおよびＺｎの
少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化
窒化物等の一種単独または二種以上の組み合わせが挙げ
られる。As the semiconductor constituting the electron injection layer, Ba, Ca, Sr, Yb, Al, Ga, In, L
Examples thereof include oxides, nitrides, oxynitrides, and the like containing at least one element of i, Na, Cd, Mg, Si, Ta, Sb, and Zn alone or in combination of two or more.
【００２４】また、電子注入層を構成する無機化合物
が、微結晶または非晶質の絶縁性薄膜であることが好ま
しい。電子注入層がこれらの絶縁性薄膜で構成されてい
れば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポ
ット等の画素欠陥を減少させることができる。なお、こ
のような無機化合物としては、上述したアルカリ金属カ
ルコゲナイド、アルカリ土塁金属カルコゲナイド、アル
カリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土塁金属のハロ
ゲン化物等が挙げられる。It is preferable that the inorganic compound constituting the electron injection layer is a microcrystalline or amorphous insulating thin film. If the electron injection layer is composed of these insulating thin films, a more uniform thin film is formed, so that pixel defects such as dark spots can be reduced. Examples of such inorganic compounds include the above-described alkali metal chalcogenides, alkaline earth metal chalcogenides, halides of alkali metals, and halides of alkaline earth metals.
【００２５】（電子親和力）また、第１実施形態におけ
る電子注入層の電子親和力を１．８〜３．６ｅＶの範囲
内の値とすることが好ましい。電子親和力の値が１．８
ｅＶ未満となると、電子注入性が低下し、駆動電圧の上
昇，発光効率の低下をまねく傾向があり、一方で、電子
親和力の値が３．６ｅＶを超えると、発光効率の低い錯
体が発生しやすくなったり、ブロッキング接合の発生を
効率的に抑制することができる。したがって、電子注入
層の電子親和力を、１．９〜３．０ｅＶの範囲内の値と
することがより好ましく、２．０〜２．５ｅＶの範囲内
の値とすることがさらに好ましい。(Electron Affinity) The electron affinity of the electron injection layer in the first embodiment is preferably set to a value within the range of 1.8 to 3.6 eV. The value of electron affinity is 1.8
If it is less than eV, the electron injecting property tends to decrease, leading to an increase in driving voltage and a decrease in luminous efficiency. On the other hand, when the value of electron affinity exceeds 3.6 eV, a complex having low luminous efficiency is generated. Thus, the occurrence of blocking junction can be suppressed efficiently. Therefore, the electron affinity of the electron injection layer is more preferably set to a value in the range of 1.9 to 3.0 eV, and further preferably set to a value in the range of 2.0 to 2.5 eV.
【００２６】また、電子注入層と有機発光層との電子親
和力の差を１．２ｅＶ以下の値とすることが好ましく、
０．５ｅＶ以下の値とすることがより好ましい。この電
子親和力の差が小さいほど、電子注入層から有機発光層
への電子注入が容易となり、高速応答可能な有機ＥＬ素
子とすることができる。Preferably, the difference in electron affinity between the electron injection layer and the organic light emitting layer is set to a value of 1.2 eV or less,
More preferably, the value is 0.5 eV or less. The smaller the difference in electron affinity, the easier the electron injection from the electron injection layer to the organic light emitting layer, and an organic EL device capable of high-speed response can be obtained.
【００２７】（エネルギーギャップ）また、第１実施形
態における電子注入層のエネルギーギャップ（バンドギ
ャップエネルギー）を２．７ｅＶ以上の値とすることが
好ましく、３．０ｅＶ以上の値とすることがより好まし
い。このように、エネルギーギャップの値を所定値以
上、例えば２．７ｅＶ以上と大きくしておけば、正孔が
有機発光層を超えて電子注入層に移動することが少なく
なる。したがって、正孔と電子との再結合の効率が向上
し、有機ＥＬ素子の発光輝度が高まるとともに、電子注
入層自体が発光することを回避することができる。(Energy Gap) The energy gap (band gap energy) of the electron injection layer in the first embodiment is preferably set to a value of 2.7 eV or more, more preferably 3.0 eV or more. . As described above, when the value of the energy gap is set to a predetermined value or more, for example, 2.7 eV or more, holes are less likely to move beyond the organic light emitting layer to the electron injection layer. Therefore, the efficiency of recombination of holes and electrons is improved, the emission luminance of the organic EL element is increased, and the emission of the electron injection layer itself can be avoided.
【００２８】（電子注入層の構造）次に、無機化合物か
らなる電子注入層の構造について説明する。かかる電子
注入層の構造は特に制限されるものではなく、例えば、
一層構造であっても良く、あるいは、二層構造または三
層構造であっても良い。また、電子注入層の厚さについ
ても特に制限されるものではないが、例えば０．１ｎｍ
〜１０００ｎｍの範囲内の値とするのが好ましい。この
理由は、無機化合物からなる電子注入層の厚さが０．１
ｎｍ未満となると、電子注入性が低下したり、あるいは
機械的強度が低下する場合があるためであり、一方、無
機化合物からなる電子注入層の厚さが１０００ｎｍを超
えると高抵抗となり、有機ＥＬ素子の高速応答が困難と
なったり、あるいは製膜に長時間を要する場合があるた
めである。したがって、無機化合物からなる電子注入層
の厚さを０．５〜１００ｎｍの範囲内の値とするのがよ
り好ましく、１〜５０ｎｍの範囲内の値とするのがさら
に好ましい。(Structure of Electron Injection Layer) Next, the structure of the electron injection layer made of an inorganic compound will be described. The structure of such an electron injection layer is not particularly limited, for example,
It may have a single-layer structure, or may have a two-layer structure or a three-layer structure. The thickness of the electron injection layer is not particularly limited, but may be, for example, 0.1 nm.
It is preferable to set the value within the range of -1000 nm. This is because the thickness of the electron injection layer made of an inorganic compound is 0.1%.
When the thickness is less than 10 nm, the electron injecting property may decrease or the mechanical strength may decrease. On the other hand, when the thickness of the electron injecting layer made of an inorganic compound exceeds 1000 nm, the resistance becomes high, and the organic EL becomes high. This is because high-speed response of the element becomes difficult, or a long time is required for film formation. Therefore, the thickness of the electron injection layer made of an inorganic compound is more preferably set to a value in the range of 0.5 to 100 nm, and even more preferably to a value in the range of 1 to 50 nm.
【００２９】（電子注入層の形成方法）次に、電子注入
層を形成する方法について説明する。電子注入層の形成
方法については、均一な厚さを有する薄膜層として形成
出来れば特に制限されるものではないが、例えば、蒸着
法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の方
法を適用することができる。(Method of Forming Electron Injection Layer) Next, a method of forming the electron injection layer will be described. The method for forming the electron injection layer is not particularly limited as long as it can be formed as a thin film layer having a uniform thickness. For example, a known method such as an evaporation method, a spin coating method, a casting method, and an LB method may be used. Can be applied.
【００３０】（２）有機発光層 （構成材料）有機発光層の構成材料として使用する有機
発光材料は、以下の３つの機能を併せ持つことが好まし
い。 （ａ）電荷の注入機能：電界印加時に陽極あるいは正孔
注入層から正孔を注入することができる一方、陰極層あ
るいは電子注入層から電子を注入することができる機
能。 （ｂ）輸送機能：注入された正孔および電子を電界の力
で移動させる機能。 （ｃ）発光機能：電子と正孔の再結合の場を提供し、こ
れらを発光につなげる機能。(2) Organic Light-Emitting Layer (Constituent Material) The organic light-emitting material used as a constituent material of the organic light-emitting layer preferably has the following three functions. (A) Charge injection function: a function of injecting holes from an anode or a hole injection layer while applying an electric field, while injecting electrons from a cathode layer or an electron injection layer. (B) Transport function: a function of moving injected holes and electrons by the force of an electric field. (C) Light-emitting function: a function of providing a field for recombination of electrons and holes and connecting them to light emission.
【００３１】ただし、上記（ａ）〜（ｃ）の各機能全て
を併せもつことは、必ずしも必要ではなく、例えば正孔
の注入輸送性が電子の注入輸送性より大きく優れている
ものの中にも有機発光材料として好適なものがある。し
たがって、本発明の目的に合致して、有機発光層におけ
る電子の移動が促進されて、有機発光層の中央付近で正
孔と再結合可能な材料であれば好適に使用することがで
きる。すなわち、本発明においては、有機発光材料にお
ける電子移動度をμeとし、正孔移動度をμhとしたとき
に、下記条件（１）および（２）を満足する有機発光材
料であれば良い。ただし、第１の実施形態において、複
数種の発光材料を使用した場合に、少なくとも一つの有
機発光材料が、下記条件（１）および（２）を満足すれ
ば良いが、より好ましくは、全ての有機発光材料が、当
該条件を満足することである。 （１）μe≧１×１０-7ｃｍ2／Ｖ・ｓ （２）μh＞μe＞μh／１０００However, it is not always necessary to have all of the above-mentioned functions (a) to (c). For example, even those having a hole injection / transport property that is larger than an electron injection / transport property are superior. Some organic light emitting materials are suitable. Therefore, in accordance with the object of the present invention, any material can be suitably used as long as the transfer of electrons in the organic light emitting layer is promoted and recombination with holes near the center of the organic light emitting layer. That is, in the present invention, when the electron mobility and the hole mobility of the organic light emitting material are μ e and μ h , respectively, the organic light emitting material may satisfy the following conditions (1) and (2). . However, in the first embodiment, when a plurality of types of light emitting materials are used, at least one organic light emitting material only needs to satisfy the following conditions (1) and (2). The organic light emitting material satisfies the condition. (1) μ e ≧ 1 × 10 −7 cm 2 / V · s (2) μ h > μ e > μ h / 1000
【００３２】ここで、有機発光材料の電子移動度を、１
×１０-7ｃｍ2／Ｖ・ｓ以上の値と制限するのは、これ
未満の値となると、有機ＥＬ素子における高速応答が困
難となったり、発光輝度が低下する場合があるためであ
る。したがって、有機発光材料の電子移動度を、１．１
×１０-7〜２×１０-6ｃｍ2／Ｖ・ｓの範囲内の値とす
るのがより好ましく、１．２×１０-7〜１．０×１０-6
ｃｍ2／Ｖ・ｓの範囲内の値とするのがさらに好まし
い。Here, the electron mobility of the organic light emitting material is set to 1
The reason for limiting the value to × 10 −7 cm 2 / V · s or more is that if the value is less than this value, high-speed response of the organic EL element may become difficult, or the emission luminance may decrease. Therefore, the electron mobility of the organic light emitting material is 1.1
The value is more preferably in the range of × 10 -7 to 2 × 10 -6 cm 2 / V · s, and 1.2 × 10 -7 to 1.0 × 10 -6.
More preferably, the value is in the range of cm 2 / V · s.
【００３３】また、有機発光層における有機発光材料の
正孔移動度よりも、電子移動度を小さく制限しているの
は、この逆となると、有機発光層に使用可能な有機発光
材料が過度に制限される場合があり、また、発光輝度が
低下する場合があるためである。一方、有機発光材料の
電子移動度を、正孔移動度の１／１０００よりも大きく
制限しているのは、電子移動度が過度に小さくなると、
有機発光層の中央付近で正孔と再結合することが困難と
なり、やはり発光輝度が低下する場合があるためであ
る。したがって、有機発光層における有機発光材料の正
孔移動度（μh）と電子移動度（μe）とが、μh／２＞
μe＞μh／５００の関係を満足するのがより好ましく、
μh／３＞μe＞μh／１００の関係を満足するのがさら
に好ましいIn addition, the electron mobility is limited to be smaller than the hole mobility of the organic light emitting material in the organic light emitting layer. If the opposite is true, the organic light emitting material that can be used in the organic light emitting layer becomes excessively large. This is because the light emission luminance may be restricted and the light emission luminance may be reduced. On the other hand, the reason why the electron mobility of the organic light emitting material is limited to be larger than 1/1000 of the hole mobility is that when the electron mobility becomes excessively small,
This is because it becomes difficult to recombine with holes near the center of the organic light emitting layer, and the light emission luminance may also be reduced. Therefore, the hole mobility (μ h ) and the electron mobility (μ e ) of the organic light-emitting material in the organic light-emitting layer are expressed as μ h / 2>
It is more preferable to satisfy the relationship of μ e > μ h / 500,
more preferably to satisfy the μ h / 3> μ e> μ h / 100 Relationship
【００３４】また、第１の実施形態において、有機発光
層に下記一般式（１）〜（３）で表されるスチリル基を
有する芳香族環化合物を使用することが好ましい。この
ようなスチリル基を有する芳香族環化合物を使用するこ
とにより、上述した有機発光層における有機発光材料の
電子移動度および正孔移動度の条件を容易に満足するこ
とができる。なお、芳香族化合物におけるスチリル基と
しては、上述した一般式（４）で表されるスチリル基が
好ましい。In the first embodiment, it is preferable to use an aromatic ring compound having a styryl group represented by the following general formulas (1) to (3) in the organic light emitting layer. By using such an aromatic ring compound having a styryl group, the conditions of the electron mobility and the hole mobility of the organic light emitting material in the organic light emitting layer described above can be easily satisfied. In addition, as the styryl group in the aromatic compound, a styryl group represented by the above general formula (4) is preferable.
【００３５】[0035]
【化９】 Embedded image
【００３６】［一般式（１）中、Ａｒ1は、炭素数が６
〜４０の芳香族基であり、Ａｒ2、Ａｒ3、およびＡｒ4
は、それぞれ水素原子または炭素数が６〜４０の芳香族
基であり、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3、およびＡｒ4の少なく
とも一つは芳香族基であり、縮合数ｎは、１〜６の整数
である。］[In the general formula (1), Ar 1 has 6 carbon atoms.
To 40 aromatic groups, Ar 2 , Ar 3 , and Ar 4
Is a hydrogen atom or an aromatic group having 6 to 40 carbon atoms, at least one of Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 and Ar 4 is an aromatic group, and the condensation number n is 1 to 6 Is an integer. ]
【００３７】[0037]
【化１０】 Embedded image
【００３８】［一般式（２）中、Ａｒ5は、炭素数が６
〜４０の芳香族基であり、Ａｒ6およびＡｒ7は、それぞ
れ水素原子または炭素数が６〜４０の芳香族基であり、
Ａｒ5、Ａｒ6およびＡｒ7の少なくとも一つはスチリル
基で置換されており、縮合数ｍは、１〜６の整数であ
る。］[In the general formula (2), Ar 5 has 6 carbon atoms.
An 40 aromatic group, Ar 6 and Ar 7, hydrogen atom or carbon atoms each an aromatic group having 6 to 40,
At least one of Ar 5 , Ar 6 and Ar 7 is substituted with a styryl group, and the condensed number m is an integer of 1 to 6. ]
【００３９】[0039]
【化１１】 Embedded image
【００４０】［一般式（３）中、Ａｒ8およびＡｒ
14は、炭素数が６〜４０の芳香族基であり、Ａｒ9〜Ａ
ｒ13は、それぞれ水素原子または炭素数が６〜４０の芳
香族基であり、Ａｒ8〜Ａｒ14の少なくとも一つはスチ
リル基で置換されており、縮合数ｐ、ｑ、ｒ、ｓは、そ
れぞれ０または１である。］[In the general formula (3), Ar 8 and Ar
14 is an aromatic group having 6 to 40 carbon atoms, and Ar 9 to A
r 13 is a hydrogen atom or an aromatic group having 6 to 40 carbon atoms, at least one of Ar 8 to Ar 14 is substituted with a styryl group, and the condensed numbers p, q, r, and s are It is 0 or 1, respectively. ]
【００４１】ここで、炭素数が６〜４０の芳香族基のう
ち、好ましい核原子数５〜４０のアリール基としては、
フェニル、ナフチル、アントラニル、フェナンスリル、
ピレニル、コロニル、ビフェニル、ターフェニル、ピロ
ーリル、フラニル、チオフェニル、ベンゾチオフェニ
ル、オキサジアゾリル、ジフェニルアントラニル、イン
ドリル、カルバゾリル、ピリジル、ベンゾキノリル等が
挙げられる。また、好ましい核原子数５〜４０のアリー
レン基としては、フェニレン、ナフチレン、アントラニ
レン、フェナンスリレン、ピレニレン、コロニレン、ビ
フェニレン、ターフェニレン、ピローリレン、フラニレ
ン、チオフェニレン、ベンゾチオフェニレン、オキサジ
アゾリレン、ジフェニルアントラニレン、インドリレ
ン、カルバゾリレン、ピリジレン、ベンゾキノリレン等
が挙げられる。Here, among the aromatic groups having 6 to 40 carbon atoms, preferred aryl groups having 5 to 40 nuclear atoms include:
Phenyl, naphthyl, anthranil, phenanthryl,
Pyrenyl, coronyl, biphenyl, terphenyl, pyrrolyl, furanyl, thiophenyl, benzothiophenyl, oxadiazolyl, diphenylanthranyl, indolyl, carbazolyl, pyridyl, benzoquinolyl and the like. Preferred arylene groups having 5 to 40 nuclear atoms include phenylene, naphthylene, anthranylene, phenanthrylene, pyrenylene, colonylene, biphenylene, terphenylene, pyrrolylene, furanylene, thiophenylene, benzothiophenylene, oxadiazolylene, and diphenylanthranylene. , Indolylene, carbazolylene, pyridylene, benzoquinolylene and the like.
【００４２】なお、炭素数が６〜４０の芳香族基は、さ
らに置換基により置換されていても良く、好ましい置換
基として、炭素数１〜６のアルキル基（エチル基、メチ
ル基、ｉ−プロピル基、ｎ−プロピル基、ｓ−ブチル
基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロペ
ンチル基、シクロヘキシル基等）、炭素数１〜６のアル
コキシ基（エトキシ基、メトキシ基、ｉ−プロポキシ
基、ｎ−プロポキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ
基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロペントキ
シ基、シクロヘキシルオキシ基等）、核原子数５〜４０
のアリール基、核原子数５〜４０のアリール基で置換さ
れたアミノ基、核原子数５〜４０のアリール基を有する
エステル基、炭素数１〜６のアルキル基を有するエステ
ル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子が挙げられ
る。The aromatic group having 6 to 40 carbon atoms may be further substituted by a substituent. Preferred examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms (ethyl group, methyl group, i- Propyl group, n-propyl group, s-butyl group, t-butyl group, pentyl group, hexyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, etc., alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms (ethoxy group, methoxy group, i-propoxy) Group, n-propoxy group, s-butoxy group, t-butoxy group, pentoxy group, hexyloxy group, cyclopentoxy group, cyclohexyloxy group, etc.), 5 to 40 nuclear atoms
An aryl group, an amino group substituted with an aryl group having 5 to 40 nuclear atoms, an ester group having an aryl group having 5 to 40 nuclear atoms, an ester group having an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a cyano group, Examples include a nitro group and a halogen atom.
【００４３】したがって、一般式（１）で表されるスチ
リル基を有する芳香族環化合物としては、具体的に、以
下のような芳香族環化合物が挙げられる。Accordingly, specific examples of the aromatic ring compound having a styryl group represented by the general formula (1) include the following aromatic ring compounds.
【００４４】[0044]
【化１２】 Embedded image
【００４５】[0045]
【化１３】 Embedded image
【００４６】[0046]
【化１４】 Embedded image
【００４７】[0047]
【化１５】 Embedded image
【００４８】[0048]
【化１６】 Embedded image
【００４９】[0049]
【化１７】 Embedded image
【００５０】また、一般式（２）で表されるスチリル基
を有する芳香族環化合物としては、具体的に、以下のよ
うな芳香族環化合物が挙げられる。Further, specific examples of the aromatic ring compound having a styryl group represented by the general formula (2) include the following aromatic ring compounds.
【００５１】[0051]
【化１８】 Embedded image
【００５２】[0052]
【化１９】 Embedded image
【００５３】[0053]
【化２０】 Embedded image
【００５４】[0054]
【化２１】 Embedded image
【００５５】[0055]
【化２２】 Embedded image
【００５６】[0056]
【化２３】 Embedded image
【００５７】[0057]
【化２４】 Embedded image
【００５８】[0058]
【化２５】 Embedded image
【００５９】また、一般式（３）で表されるスチリル基
を有する芳香族環化合物としては、具体的に、以下のよ
うな芳香族環化合物が挙げられる。Specific examples of the aromatic ring compound having a styryl group represented by the general formula (3) include the following aromatic ring compounds.
【００６０】[0060]
【化２６】 Embedded image
【００６１】[0061]
【化２７】 Embedded image
【００６２】[0062]
【化２８】 Embedded image
【００６３】[0063]
【化２９】 Embedded image
【００６４】[0064]
【化３０】 Embedded image
【００６５】[0065]
【化３１】 Embedded image
【００６６】また、有機発光層に、ベンゾチアゾール
系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系等の
蛍光増白剤や、スチリルベンゼン系化合物、８−キノリ
ノール誘導体を配位子とする金属錯体を併用することも
好ましい。また、ジスチリルアリーレン骨格の有機発光
材料、例えば４，４'一ビス（２，２−ジフェニルビニ
ル）ビフェニル）等をホストとし、当該ホストに青色か
ら赤色までの強い蛍光色素、例えばクマリン系あるいは
ホストと同様の蛍光色素をドープしたものを併用するこ
とも好適である。Further, a fluorescent brightener such as benzothiazole, benzimidazole or benzoxazole, or a metal complex having a styrylbenzene compound or an 8-quinolinol derivative as a ligand may be used in combination in the organic light emitting layer. Is also preferred. Further, an organic light-emitting material having a distyrylarylene skeleton such as 4,4′-bis (2,2-diphenylvinyl) biphenyl) is used as a host, and the host is provided with a strong fluorescent dye ranging from blue to red, such as a coumarin-based or host. It is also preferable to use a fluorescent dye doped with the same fluorescent dye as described above.
【００６７】（形成方法）次に、有機発光層を形成する
方法について説明する。かかる形成方法は特に制限され
るものではないが、例えば、蒸着法、スピンコート法、
キャスト法、ＬＢ法等の公知の方法を適用することがで
きる。また、得られる有機ＥＬ素子の特性が均一とな
り、また、製造時間が短縮できることから、電子注入層
と有機発光層とは同一方法で形成することが好ましく、
例えば、電子注入層を蒸着法で製膜する場合には、有機
発光層も蒸着法で製膜することが好ましい。(Forming Method) Next, a method for forming an organic light emitting layer will be described. Although such a forming method is not particularly limited, for example, an evaporation method, a spin coating method,
Known methods such as a casting method and an LB method can be applied. Further, since the characteristics of the obtained organic EL element become uniform and the production time can be shortened, it is preferable that the electron injection layer and the organic light emitting layer are formed by the same method,
For example, when the electron injection layer is formed by an evaporation method, it is preferable that the organic light emitting layer is also formed by an evaporation method.
【００６８】また、有機発光層は、気相状態の材料化合
物から沈着されて形成された薄膜や、溶液状態または液
相状態の材料化合物から固体化されて形成された膜であ
る、分子堆積膜とすることが好ましい。通常、この分子
堆積膜は、ＬＢ法により形成された薄膜（分子累積膜）
とは、凝集構造や高次構造の相違や、それに起因する機
能的な相違により区分することができる。さらには、樹
脂等の結着剤と有機発光材料とを溶剤に溶かして溶液と
した後、これをスピンコート法等により薄膜化すること
によっても、有機発光層を形成することができる。The organic light-emitting layer is a thin film formed by depositing a material compound in a gaseous state or a film formed by solidifying a material compound in a solution state or a liquid state. It is preferable that Usually, this molecular deposition film is a thin film (molecule accumulation film) formed by the LB method.
Can be classified according to the difference between the aggregated structure and the higher-order structure and the functional difference resulting therefrom. Furthermore, the organic light-emitting layer can also be formed by dissolving a binder such as a resin and an organic light-emitting material in a solvent to form a solution, and then thinning the solution by spin coating or the like.
【００６９】（有機発光層の膜厚）このようにして形成
された有機発光層の膜厚については特に制限はなく、状
況に応じて適宜選択することができるが、５ｎｍ〜５μ
ｍの範囲内の値であることが好ましい。この理由は、有
機発光層の膜厚が５ｎｍ未満となると、発光輝度や耐久
性が低下する場合があり、一方、有機発光層の膜厚が５
μｍを超えると、印加電圧の値が高くなる場合があるた
めである。したがって、有機発光層の膜厚を１０ｎｍ〜
３μｍの範囲内の値とすることがより好ましく、２０ｎ
ｍ〜１μｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。(Thickness of Organic Light-Emitting Layer) The thickness of the organic light-emitting layer thus formed is not particularly limited and can be appropriately selected depending on the circumstances.
It is preferably a value within the range of m. The reason is that when the thickness of the organic light emitting layer is less than 5 nm, the light emission luminance and durability may be reduced, while the thickness of the organic light emitting layer is 5 nm.
If the thickness exceeds μm, the value of the applied voltage may increase. Therefore, the thickness of the organic light emitting layer is set to 10 nm or more.
More preferably, the value is within a range of 3 μm.
More preferably, the value is in the range of m to 1 μm.
【００７０】（３）電極 （陽極層）陽極層としては、仕事関数の大きい（例え
ば、４．０ｅＶ以上）金属、合金、電気電導性化合物ま
たはこれらの混合物を使用することが好ましい。具体的
には、インジウムチンオキサイド（ＩＴＯ）、インジウ
ム銅、スズ、酸化亜鉛、金、白金、パラジウム等の１種
を単独で、または２種以上を組み合わせて使用すること
ができる。また、陽極層の厚さも特に制限されるもので
はないが、１０〜１０００ｎｍの範囲内の値とするのが
好ましく、１０〜２００ｎｍの範囲内の値とするのがよ
り好ましい。さらに、陽極層に関しては、有機発光層か
ら発射された光を外部に有効に取り出すことが出来るよ
うに、実質的に透明、より具体的には、光透過率が１０
％以上の値であることが好ましい。(3) Electrode (Anode Layer) As the anode layer, it is preferable to use a metal, an alloy, an electrically conductive compound or a mixture thereof having a large work function (for example, 4.0 eV or more). Specifically, one kind of indium tin oxide (ITO), indium copper, tin, zinc oxide, gold, platinum, palladium and the like can be used alone or in combination of two or more kinds. The thickness of the anode layer is not particularly limited, but is preferably in the range of 10 to 1000 nm, and more preferably in the range of 10 to 200 nm. Further, the anode layer is substantially transparent, more specifically, has a light transmittance of 10 so that light emitted from the organic light emitting layer can be effectively extracted to the outside.
% Is preferable.
【００７１】（陰極層）一方、陰極層には、仕事関数の
小さい（例えば、４．０ｅＶ未満）金属、合金、電気電
導性化合物またはこれらの混合物を使用することが好ま
しい。具体的には、マグネシウム、アルミニウム、イン
ジウム、リチウム、ナトリウム、セシウム、銀等の１種
を単独で、または２種以上を組み合わせて使用すること
ができる。また陰極層の厚さも特に制限されるものでは
ないが、１０〜１０００ｎｍの範囲内の値とするのが好
ましく、１０〜２００ｎｍの範囲内の値とするのがより
好ましい。(Cathode Layer) On the other hand, for the cathode layer, it is preferable to use a metal, an alloy, an electrically conductive compound or a mixture thereof having a small work function (for example, less than 4.0 eV). Specifically, one of magnesium, aluminum, indium, lithium, sodium, cesium, silver and the like can be used alone or in combination of two or more. Also, the thickness of the cathode layer is not particularly limited, but is preferably in the range of 10 to 1000 nm, more preferably in the range of 10 to 200 nm.
【００７２】（４）その他 また、図１には示さないが、有機ＥＬ素子への水分や酸
素の侵入を防止するための封止層を、素子全体を覆うよ
うに設けることも好ましい。好ましい封止層の材料とし
ては、テトラフルオロエチレンと、少なくとも１種のコ
モノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られ
る共重合体；共重合主鎖中に環状構造を有する合フッ素
共重合体；ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチル
メタクリレート、ポリイミド、ポリユリア、ポリテトラ
フルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、
ポリジクロロジフルオロエチレンまたはクロロトリフル
オロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合
体；吸収率１％以上の吸水性物質；吸水率０．１％以下
の防湿性物質；Ｉｎ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ａｕ，Ｃｕ，Ａｇ，
Ａｌ，Ｔｉ，Ｎｉ等の金属；ＭｇＯ，ＳｉＯ，Ｓｉ
Ｏ2，ＧｅＯ，ＮｉＯ，ＣａＯ，ＢａＯ，Ｆｅ2Ｏ，Ｙ2
Ｏ3，ＴｉＯ2等の金属酸化物；ＭｇＦ2，ＬｉＦ，Ａｌ
Ｆ3，ＣａＦ2等の金属フッ化物；パーフルオロアルカ
ン，パーフルオロアミン，パーフルオロポリエーテル等
の液状フッ素化炭素；および当該液状フッ素化炭素に水
分や酸素を吸着する吸着剤を分散させた組成物等が挙げ
られる。(4) Others Although not shown in FIG. 1, it is preferable to provide a sealing layer for preventing moisture and oxygen from entering the organic EL element so as to cover the entire element. Preferred materials for the sealing layer include a copolymer obtained by copolymerizing a monomer mixture containing tetrafluoroethylene and at least one comonomer; a fluorinated copolymer having a cyclic structure in the copolymer main chain. Polyethylene, polypropylene, polymethyl methacrylate, polyimide, polyurea, polytetrafluoroethylene, polychlorotrifluoroethylene,
Polydichlorodifluoroethylene or a copolymer of chlorotrifluoroethylene and dichlorodifluoroethylene; a water-absorbing substance having an absorption of 1% or more; a moisture-proof substance having a water absorption of 0.1% or less; In, Sn, Pb, Au, Cu , Ag,
Metals such as Al, Ti, Ni; MgO, SiO, Si
O 2 , GeO, NiO, CaO, BaO, Fe 2 O, Y 2
Metal oxides such as O 3 and TiO 2 ; MgF 2 , LiF, Al
Metal fluorides such as F 3 and CaF 2 ; liquid fluorinated carbon such as perfluoroalkane, perfluoroamine, and perfluoropolyether; and a composition in which an adsorbent that adsorbs moisture and oxygen is dispersed in the liquid fluorinated carbon. Objects and the like.
【００７３】また、封止層の形成にあたっては、真空蒸
着法、スピンコート法、スパッタリング法、キャスト
法、ＭＢＥ（分子線エピタキシー）法、クラスターイオ
ンビーム蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマ重
合法（高周波励超イオンプレーティング法）、反応性ス
パッタリング法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ
法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法等を適宜採用する
ことができる。In forming the sealing layer, a vacuum evaporation method, a spin coating method, a sputtering method, a casting method, an MBE (molecular beam epitaxy) method, a cluster ion beam evaporation method, an ion plating method, a plasma polymerization method ( RF excitation super-ion plating method), reactive sputtering method, plasma CVD method, laser CVD
Method, thermal CVD method, gas source CVD method, or the like can be appropriately employed.
【００７４】＜第２の実施形態＞次に、図２を参照し
て、この発明の第２の実施形態について説明する。図２
は、第２の実施形態における有機ＥＬ素子１０２の断面
図であり、陽極層１０、正孔注入輸送層１８、発光域１
２、電子注入域１４および陰極層１６を順次に積層した
構造を有している。そして、この有機ＥＬ素子１０２
は、陽極層１０と発光域１２との間に、正孔注入輸送層
１８を挿入してある点を除いては、第１の実施形態の有
機ＥＬ素子１００と同一の構造を有している。したがっ
て、以下の説明は、第２の実施形態における特徴的な部
分である正孔注入輸送層１８についてのものであり、そ
の他の構成部分、例えば電子注入域１４等については、
第１の実施形態と同様の構成とすることができる。<Second Embodiment> Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG.
FIG. 3 is a cross-sectional view of an organic EL element 102 according to a second embodiment, in which an anode layer 10, a hole injection / transport layer 18,
2. It has a structure in which an electron injection region 14 and a cathode layer 16 are sequentially laminated. Then, the organic EL element 102
Has the same structure as the organic EL device 100 of the first embodiment except that a hole injection / transport layer 18 is inserted between the anode layer 10 and the light emitting region 12. . Therefore, the following description is about the hole injection / transport layer 18 which is a characteristic portion of the second embodiment, and other components, for example, the electron injection region 14 and the like,
The configuration can be the same as that of the first embodiment.
【００７５】第２の実施形態における正孔注入輸送層１
８は、正孔注入層と実質的に同じように正孔をスムーズ
に注入する機能を有しているほか、注入された正孔を効
率的に輸送する機能をも有している。したがって、正孔
注入輸送層１８を設けることにより、正孔の注入および
発光域への移動が容易となり、有機ＥＬ素子の高速応答
が可能となる。The hole injection / transport layer 1 according to the second embodiment
8 has a function of smoothly injecting holes substantially in the same manner as the hole injection layer, and also has a function of efficiently transporting injected holes. Therefore, by providing the hole injecting and transporting layer 18, the injection of holes and the movement to the light emitting region are facilitated, and a high-speed response of the organic EL element is possible.
【００７６】ここで、正孔注入輸送層１８は、有機材料
または無機材料で形成されている。好ましい有機材料と
しては、例えば、フタロシアニン化合物、ジアミン化合
物、含ジアミンオリゴマーおよび含チオフェンオリゴマ
ーをあげることができる。また、好ましい無機材料とし
ては、例えば、アモルファスシリコン（α−Ｓｉ）、α
−ＳｉＣ、マイクロクリスタルシリコン（μＣ−Ｓ
ｉ）、μＣ−ＳｉＣ、II−VI族化合物、III −Ｖ族化合
物、非晶質炭素、結晶質炭素およびダイヤモンドをあげ
ることができる。また、正孔輸送層１８は、一層構造に
限らず、例えば、二層構造または三層構造であっても良
く、さらに、正孔輸送層１８の厚さについても特に制限
されるものではないが、例えば０．５ｎｍ〜５μｍの範
囲内の値とするのが好ましい。Here, the hole injection / transport layer 18 is formed of an organic material or an inorganic material. Preferred organic materials include, for example, phthalocyanine compounds, diamine compounds, diamine-containing oligomers and thiophene-containing oligomers. Preferred inorganic materials include, for example, amorphous silicon (α-Si), α
-SiC, microcrystal silicon (μC-S
i), μC-SiC, II-VI compounds, III-V compounds, amorphous carbon, crystalline carbon and diamond. Further, the hole transport layer 18 is not limited to a single-layer structure, and may have, for example, a two-layer structure or a three-layer structure. Further, the thickness of the hole transport layer 18 is not particularly limited. For example, it is preferable to set a value within a range of 0.5 nm to 5 μm.
【００７７】なお、図５に、第２の実施形態の変形例を
示す。第２の実施形態においては、正孔注入輸送層１８
が一層であるのに対して、第２の実施形態の変形例で
は、図５に示されるように、正孔注入輸送層１８が、正
孔輸送層１８ｂと、正孔注入層１８ａとから構成されて
いる点で異なっている。このように構成すると、正孔の
注入効果と輸送効果を分けて担持させることができ、正
孔の注入および発光域への移動がより容易となり、有機
ＥＬ素子１０２ａの高速応答が可能となる。FIG. 5 shows a modification of the second embodiment. In the second embodiment, the hole injection transport layer 18
In the modification of the second embodiment, as shown in FIG. 5, the hole injecting and transporting layer 18 includes a hole transporting layer 18b and a hole injecting layer 18a. It is different in that it is. With such a configuration, the hole injection effect and the transport effect can be separately carried, the injection of the holes and the movement to the light emitting region become easier, and the high-speed response of the organic EL element 102a becomes possible.
【００７８】＜第３の実施形態＞次に、図３を参照し
て、この発明の第３の実施形態について説明する。図３
は、第３の実施形態における有機ＥＬ素子１０４の断面
図であり、陽極層１０、正孔注入輸送層１８、発光域１
２、電子注入域１４、第１の界面層２０および陰極層１
６を順次に積層した構造を有している。<Third Embodiment> Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG.
Is a cross-sectional view of the organic EL element 104 according to the third embodiment, which includes an anode layer 10, a hole injection / transport layer 18, a light emitting region 1;
2, electron injection region 14, first interface layer 20, and cathode layer 1
6 are sequentially laminated.
【００７９】この有機ＥＬ素子は、電子注入域１４と陰
極層１６との間に、第１の界面層２０を挿入してある点
を除いては、第２の実施形態の有機ＥＬ素子１０２と同
一の構造を有している。したがって、以下の説明は、第
３の実施形態における特徴的な部分である第１の界面層
についてのものであり、その他の構成部分については、
第１および第２の実施形態と同様の構成あるいは有機Ｅ
Ｌ素子の分野において一般的に公知な構成とすることが
できる。This organic EL device has the same structure as the organic EL device 102 of the second embodiment except that a first interface layer 20 is inserted between the electron injection region 14 and the cathode layer 16. It has the same structure. Therefore, the following description is about the first interface layer which is a characteristic part in the third embodiment, and the other constituent parts are described below.
The same configuration as the first and second embodiments or the organic E
A configuration generally known in the field of the L element can be used.
【００８０】第３の実施形態における第１の界面層は、
電子注入性を高める機能を有している。したがって、第
１の界面層を設けることにより、電子の注入および発光
域への移動が容易となり、有機ＥＬ素子の高速応答が可
能となる。ここで、第１の界面層は、電子注入性を有す
る材料、例えば、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金
属化合物、アルカリ金属が含有されたアモルファスまた
はアルカリ金属が含有されたマイクロクリスタルを用い
ることが好ましい。より具体的に、好ましいアルカリ金
属化合物としては、例えば、ＬｉＦ、Ｌｉ2Ｏ、ＬｉＯ
およびＬｉＣｌがあげられる。また、好ましいアルカリ
土類金属化合物としては、例えば、ＢａＯ、ＳｒＯ、Ｍ
ｇＯ、ＭｇＦ2 、ＳｒＣｌ2があげられる。また、第１
の界面層は、一層構造に限らず、例えば、二層構造また
構造であっても良い。さらに、第１の界面層の厚さにつ
いても特に制限されるものではないが、例えば０．１ｎ
ｍ〜１０μｍの範囲内の値とするのが好ましい。The first interface layer in the third embodiment is
It has a function to enhance electron injection properties. Therefore, by providing the first interface layer, injection of electrons and movement to the light-emitting region are facilitated, and high-speed response of the organic EL element is enabled. Here, for the first interface layer, it is preferable to use a material having an electron injecting property, for example, an alkali metal compound, an alkaline earth metal compound, an amorphous containing an alkali metal or a microcrystal containing an alkali metal. . More specifically, preferable alkali metal compounds include, for example, LiF, Li 2 O, LiO
And LiCl. Preferred alkaline earth metal compounds include, for example, BaO, SrO, M
gO, MgF 2, SrCl 2, and the like. Also, the first
Is not limited to a single-layer structure, and may be, for example, a two-layer structure or structure. Further, the thickness of the first interface layer is not particularly limited.
Preferably, the value is in the range of m to 10 μm.
【００８１】なお、図６に、第３の実施形態の変形例を
示す。第３の実施形態においては、正孔注入輸送層１８
が一層であるのに対して、第３の実施形態の変形例で
は、図６に示されるように、正孔注入輸送層１８が、正
孔輸送層１８ｂと、正孔注入層１８ａとから構成されて
いる点で異なっている。このように構成すると、正孔の
注入効果と輸送効果を分けて担持させることができ、正
孔の注入および発光域への移動がより容易となり、有機
ＥＬ素子１０４ａの高速応答が可能となる。FIG. 6 shows a modification of the third embodiment. In the third embodiment, the hole injection transport layer 18
In contrast, in the modification of the third embodiment, as shown in FIG. 6, the hole injection transport layer 18 includes a hole transport layer 18b and a hole injection layer 18a. It is different in that it is. With such a configuration, the hole injection effect and the transport effect can be separately carried, the injection of the holes and the movement to the light emitting region become easier, and the high-speed response of the organic EL element 104a becomes possible.
【００８２】＜第４の実施形態＞次に、図４を参照し
て、この発明の第４の実施形態について説明する。図４
は、第４の実施形態における有機ＥＬ素子１０６の断面
図であり、陽極層１０、第２の界面層２４、正孔注入輸
送層１８、発光域１２、電子注入域１４および陰極層１
６を順次に積層した構造を有している。<Fourth Embodiment> Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG.
Is a cross-sectional view of the organic EL element 106 according to the fourth embodiment, which includes an anode layer 10, a second interface layer 24, a hole injection transport layer 18, a light emitting region 12, an electron injection region 14, and a cathode layer 1.
6 are sequentially laminated.
【００８３】この有機ＥＬ素子１０６は、陽極１６と正
孔注入輸送層１８との間に、第２の界面層２４を挿入し
てある点を除いては、第２の実施形態の有機ＥＬ素子１
０２と同一の構造を有する。したがって、以下の説明
は、第４の実施形態における特徴的な部分である陽極１
６と正孔注入輸送層１８との間に設けられた第２の界面
層２４についてのものであり、その他の構成部分につい
ては、第１〜３の実施形態と同様の構成あるいは有機Ｅ
Ｌ素子の分野において一般的に公知な構成とすることが
できる。The organic EL device 106 of the second embodiment is the same as the organic EL device of the second embodiment except that a second interface layer 24 is inserted between the anode 16 and the hole injection / transport layer 18. 1
02 has the same structure. Therefore, the following description is based on the anode 1 which is a characteristic part of the fourth embodiment.
6 and the second interface layer 24 provided between the hole injecting and transporting layer 18, and the other components are the same as those in the first to third embodiments or the organic E
A configuration generally known in the field of the L element can be used.
【００８４】第４の実施形態における第２の界面層２４
は、陽極１６からの正孔注入性を高める機能を有してい
る。したがって、第２の界面層を設けることにより、正
孔の注入および発光域への移動が容易となり、有機ＥＬ
素子の高速応答が可能となる。The second interface layer 24 in the fourth embodiment
Has a function of improving the hole injection property from the anode 16. Therefore, by providing the second interface layer, injection of holes and transfer to the light emitting region are facilitated, and the organic EL
A high-speed response of the device becomes possible.
【００８５】ここで、第２の界面層の構成材料として
は、ポリアニリン、非晶質炭素またはフタロシアニン類
などを用いることができる。また、第２の界面層は、一
層構造に限らず、例えば、二層構造また構造であっても
良い。さらに、第２の界面層の厚さについても特に制限
されるものではないが、例えば０．５ｎｍ〜５μｍの範
囲内の値とするのが好ましい。Here, as a constituent material of the second interface layer, polyaniline, amorphous carbon, phthalocyanines, or the like can be used. Further, the second interface layer is not limited to a single-layer structure, and may have, for example, a two-layer structure or structure. Further, the thickness of the second interface layer is not particularly limited, but is preferably, for example, a value in the range of 0.5 nm to 5 μm.
【００８６】＜第５の実施形態＞次に、図７〜９を参照
して、本発明の第５の実施形態について説明する。第２
の実施形態は、電子注入層等が大面積であっても構成材
料の組成比を均一とし、有機ＥＬ素子の駆動電圧のばら
つきを低下させ、寿命の均一化を図ることができるとと
もに、省スペース可が可能な有機ＥＬ素子の製造方法を
提供するものである。特に、有機発光層における電子移
動度（μe）と正孔移動度（μh）とが、本発明の規定す
る上述した条件（１）および（２）を満足するために
は、二種以上の有機発光材料を均一な組成比で製膜する
ことが好ましいが、第２の実施形態の製造方法によれ
ば、これを容易に達成することができる。<Fifth Embodiment> Next, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. Second
According to the embodiment, even if the electron injection layer or the like has a large area, the composition ratio of the constituent materials is made uniform, the variation in the driving voltage of the organic EL element can be reduced, the life can be made uniform, and the space can be saved. An object of the present invention is to provide a method of manufacturing an organic EL device which is possible. In particular, in order for the electron mobility (μ e ) and the hole mobility (μ h ) in the organic light emitting layer to satisfy the above-mentioned conditions (1) and (2) defined by the present invention, two or more types are required. It is preferable to form a film of the organic light emitting material with a uniform composition ratio, but according to the manufacturing method of the second embodiment, this can be easily achieved.
【００８７】すなわち、第５の実施形態は、図７および
図８に示すような真空蒸着装置２０１を一例として用
い、基板２０３に対向して配置した複数の蒸着源２１２
Ａ〜２１２Ｆから、異なる蒸着材料を同時に蒸発させて
製膜を行う有機ＥＬ素子用薄膜層の蒸着方法であって、
基板２０３に、当該基板２０３を自転させるための回転
軸線２１３Ａを設定し、蒸着源２１２Ａ〜２１２Ｆをそ
れぞれ基板２０３の回転軸線２１３Ａから離れた位置に
配設し、基板２０３を自転させながら蒸着を行うことを
特徴とする。That is, the fifth embodiment uses a vacuum deposition apparatus 201 as shown in FIG. 7 and FIG.
A to 212F, a vapor deposition method of a thin film layer for an organic EL element, in which different vapor deposition materials are simultaneously vaporized to form a film.
A rotation axis 213A for rotating the substrate 203 is set on the substrate 203, and the evaporation sources 212A to 212F are arranged at positions away from the rotation axis 213A of the substrate 203, and the evaporation is performed while rotating the substrate 203. It is characterized by the following.
【００８８】ここで、図７および図８に示す真空蒸着装
置２０１は、真空槽２１０と、この真空槽２１０内の上
部に設置された、基板２０３を固定するための基板ホル
ダ２１１と、この基板ホルダ２１１の下方に対向配置さ
れた、蒸着材料を充填するための複数（６個）の蒸着源
２１２Ａ〜２１２Ｆとを含んで構成されている。この真
空槽２１０は、排気手段（図示せず。）により、内部を
所定の減圧状態に維持できるようになっている。なお、
蒸着源の数は、図面上６つ示されているが、これに限定
されるものではなく、５つ以下であってもよく、あるい
は７つ以上であってもよい。Here, the vacuum evaporation apparatus 201 shown in FIGS. 7 and 8 includes a vacuum chamber 210, a substrate holder 211 for fixing the substrate 203, which is installed in the upper part of the vacuum chamber 210, It comprises a plurality (six) of evaporation sources 212A to 212F, which are arranged below the holder 211 and are opposed to each other, for filling an evaporation material. The inside of the vacuum chamber 210 can be maintained at a predetermined reduced pressure state by an exhaust means (not shown). In addition,
Although the number of vapor deposition sources is shown in the drawing as six, the number is not limited thereto, and may be five or less, or seven or more.
【００８９】また、基板ホルダ２１１は、基板２０３の
周縁部を支持する保持部２１２を備え、真空槽２１０内
で、基板２０３を水平に保持するように構成されてい
る。この基板ホルダ２１１の上面の中央部分には、基板
２０３を回転（自転）させるための回転軸部２１３が垂
直方向に立設されている。この回転軸部２１３には、回
転騒動手段であるモータ２１４が接続され、モータ２１
４の回転動作により、基板ホルダ２１１に保持された基
板２０３が、当該基板ホルダ２１１とともに回転軸部２
１３を回転中心として自転するようになっている。すな
わち、基板２０３の中心には、回転軸部２１３による回
転軸線２１３Ａが垂直方向に設定されている。The substrate holder 211 has a holding portion 212 for supporting the peripheral portion of the substrate 203, and is configured to horizontally hold the substrate 203 in the vacuum chamber 210. At the center of the upper surface of the substrate holder 211, a rotating shaft 213 for rotating (rotating) the substrate 203 is provided upright in the vertical direction. The rotating shaft 213 is connected to a motor 214 serving as a rotation disturbance unit.
4 rotates the substrate 203 held by the substrate holder 211 together with the substrate holder 211 into the rotating shaft 2.
13 rotates around the center of rotation. That is, at the center of the substrate 203, the rotation axis 213A of the rotation shaft 213 is set in the vertical direction.
【００９０】次に、このように構成された真空蒸着装置
２０１を用いて、二種類の有機発光材料（ホスト材料と
ドーパント材料）から、有機発光層１２を基板２０３上
に製膜する方法について、具体的に説明する。まず、図
７に示すような平面正方形状の基板２０３を用意し、こ
の基板２０３を基板ホルダ２１１の保持部２１２に係止
して水平な状態とする。この点、図７に示す基板２０３
が水平状態に保持されているのは、このことを示してい
る。Next, a method for forming the organic light emitting layer 12 on the substrate 203 from two kinds of organic light emitting materials (host material and dopant material) using the vacuum evaporation apparatus 201 configured as described above will be described. This will be specifically described. First, a planar square substrate 203 as shown in FIG. 7 is prepared, and this substrate 203 is engaged with the holding portion 212 of the substrate holder 211 to be in a horizontal state. In this regard, the substrate 203 shown in FIG.
Is held in a horizontal state, which indicates this.
【００９１】ここで、電子注入層１４を製膜するにあた
り、仮想円２２１上で、隣接する二つの蒸着源２１２Ｂ
および２１２Ｃに、ホスト材料とドーパント材料とをそ
れぞれ充填した後、排気手段により、真空槽２１０内を
所定の真空度、例えば１．０×１０-4Ｔｏｒｒになるま
で減圧する。Here, in forming the electron injection layer 14, two adjacent evaporation sources 212B on the virtual circle 221 are formed.
And 212C are filled with a host material and a dopant material, respectively, and then the pressure in the vacuum chamber 210 is reduced to a predetermined degree of vacuum, for example, 1.0 × 10 −4 Torr by an exhaust means.
【００９２】次いで、蒸着源２１２Ｂおよび２１２Ｃを
加熱して、各蒸着源２１２Ｂおよび２１２Ｃからそれぞ
れホスト材料とドーパント材料とを同時に蒸発させると
ともに、モータ２１４を回転騒動させて、基板２０３を
回転軸線２１３Ａに沿って所定速度、例えば１〜１００
ｒｐｍで回転させる。このようにして、基板２０３を自
転させながらホスト材料とドーパント材料とを共蒸着し
て有機発光層１２を製膜する。このとき、図８に示すよ
うに、蒸着源２１２Ｂおよび２１２Ｃは、基板２０３の
回転軸線２１３Ａから、水平方向に所定距離Ｍだけずれ
た位置に設けられているので、基板２０３の回転によ
り、ホスト材料やドーパント材料等の蒸着材料における
基板２０３への入射角度を規則的に変化させることがで
きる。したがって、蒸着材料を基板２０３に対して一様
に付着させることができ、電子注入層１４の膜面内で、
蒸着材料の組成比が均一、例えば、濃度ムラが±１０％
（モル換算）である薄膜層を確実に製膜することができ
る。また、このように蒸着を実施することにより、基板
２０３を公転させなくてもよいので、そのスペースや設
備が不要になり、最小限のスペースで経済的に製膜を行
うことができる。なお、基板を公転させるとは、基板以
外に存在する回転軸の周りを回転させることをいい、自
転させる場合よりも広い空間が必要となる。Next, the evaporation sources 212B and 212C are heated to simultaneously evaporate the host material and the dopant material from the evaporation sources 212B and 212C, respectively, and the motor 214 is caused to rotate and turbulent to move the substrate 203 to the rotation axis 213A. Along a predetermined speed, for example 1-100
Rotate at rpm. Thus, the organic light emitting layer 12 is formed by co-evaporating the host material and the dopant material while rotating the substrate 203. At this time, as shown in FIG. 8, the evaporation sources 212B and 212C are provided at positions shifted from the rotation axis 213A of the substrate 203 by a predetermined distance M in the horizontal direction. The angle of incidence on the substrate 203 of a deposition material such as a dopant or a dopant material can be changed regularly. Therefore, the deposition material can be uniformly attached to the substrate 203, and within the film surface of the electron injection layer 14,
The composition ratio of the deposition material is uniform, for example, the concentration unevenness is ± 10%
A thin film layer (in terms of mol) can be reliably formed. Further, by performing the vapor deposition as described above, the substrate 203 does not need to revolve, so that space and equipment are not required, and the film can be formed economically with a minimum space. Revolving the substrate means rotating around a rotation axis other than the substrate, and requires a larger space than when rotating.
【００９３】また、第２の実施形態の製造方法を実施す
るにあたり、基板２０３の形状は特に限定されないが、
例えば、図７に示すように、基板２０３が短形平板状で
ある場合、この基板２０３の回転軸線２１３Ａを中心と
する仮想円２２１の円周上に沿って複数の蒸着源２１２
Ａ〜２１２Ｆを配設し、仮想円２２１の半径をＭ、基板
２０３の一辺の長さをＬとしたときに、Ｍ＞（１／２）
×Ｌを満足することが望ましい。なお、基板２０３の辺
の長さがそれぞれ同一でなく、異なる場合には、最も長
い辺の長さをＬとする。このように構成することによ
り、複数の蒸着源２１２Ａ〜２１２Ｆから、基板２０３
に対する蒸着材料の入射角度を互いに同一にできるの
で、蒸着材料の組成比をより容易に制御することができ
る。また、このように構成することにより、蒸発材料
が、基板２０３に対して一定の入射角度を以て蒸発され
るため、垂直に入射することがなくなり、膜面内におけ
る組成比の均一性を一層向上させることができる。Further, in carrying out the manufacturing method of the second embodiment, the shape of the substrate 203 is not particularly limited.
For example, as shown in FIG. 7, when the substrate 203 is in the shape of a rectangular flat plate, a plurality of evaporation sources 212 are formed along the circumference of a virtual circle 221 around the rotation axis 213A of the substrate 203.
A to 212F are provided, and when the radius of the virtual circle 221 is M and the length of one side of the substrate 203 is L, M> (1/2)
It is desirable to satisfy × L. When the lengths of the sides of the substrate 203 are not the same but different, the length of the longest side is set to L. With this configuration, the substrate 203 can be supplied from the plurality of evaporation sources 212A to 212F.
Since the angles of incidence of the vapor deposition material with respect to can be made the same, the composition ratio of the vapor deposition material can be more easily controlled. In addition, with this configuration, the evaporating material is evaporated at a constant incident angle with respect to the substrate 203, so that the evaporating material does not enter vertically and the uniformity of the composition ratio in the film plane is further improved. be able to.
【００９４】また、第５の実施形態の製造方法を実施す
るにあたり、図７に示すように、複数の蒸着源２１２Ａ
〜２１２Ｆを、基板２０３の回転軸線２１３Ａを中心と
する仮想円２２１の円周上に配設し、複数の蒸着源２１
２Ａ〜２１２Ｆの配設数（個数）をｎとしたときに、各
蒸着源２１２Ａ〜２１２Ｆを、仮想円２２１の中心から
３６０°／ｎの角度で配設することが好ましい。例え
ば、蒸着源２１２を６個配設する場合には、仮想円２２
１の中心から６０°の角度で配設することが好適であ
る。このように配置すると、基板２０３の各部分に対し
て、複数の蒸着材料を順次重ねるように製膜できるの
で、膜の厚さ方向において、組成比が規則的に異なる薄
膜層を容易に製膜することができる。In implementing the manufacturing method of the fifth embodiment, as shown in FIG.
To 212F are arranged on the circumference of a virtual circle 221 centered on the rotation axis 213A of the substrate 203, and the plurality of evaporation sources 21
When the number (number) of the arrangements 2A to 212F is n, it is preferable that the evaporation sources 212A to 212F are arranged at an angle of 360 ° / n from the center of the virtual circle 221. For example, when six evaporation sources 212 are provided, the virtual circle 22
It is preferable to arrange them at an angle of 60 ° from the center of one. With this arrangement, a plurality of deposition materials can be sequentially formed on each portion of the substrate 203, so that thin film layers having composition ratios that are regularly different in the thickness direction of the film can be easily formed. can do.
【００９５】次に、第５の実施形態の製造方法により製
膜した薄膜層の均一性についてより詳細に説明する。一
例として、ホスト材料としてＡｌｑを用い、ドーパント
材料としてＣｓを用い、図９に示す基板２０３を５ｒｐ
ｍで回転させながら、厚さ約１０００オングストローム
（設定値）の薄膜層を以下の条件で同時蒸着した。 Ａｌｑの蒸著速度： ０．１〜０．３ｎｍ／s Ｃｓの蒸著速度： ０．１〜０．３ｎｍ／s Ａｌｑ／Ｃｓの膜厚：１０００オングストローム（設定
値）Next, the uniformity of the thin film layer formed by the manufacturing method of the fifth embodiment will be described in more detail. As an example, Alq is used as a host material, Cs is used as a dopant material, and the substrate 203 shown in FIG.
While rotating at m, a thin film layer having a thickness of about 1000 angstroms (set value) was co-deposited under the following conditions. Alq steaming speed: 0.1-0.3 nm / s Cs steaming speed: 0.1-0.3 nm / s Alq / Cs film thickness: 1000 Å (set value)
【００９６】次いで、図９に示すガラス基板２０３上の
測定点（４Ａ〜４Ｍ）における得られた薄膜層の膜厚
を、触針式膜厚計を用いて測定するとともに、Ｃｓ／Ａ
ｌ（Ａｌｑ中のＡｌ）組成比（原子比）をＸ線光電子分
光装置（ＸＰＳ）を用いて測定した。なお、図９に示す
ガラス基板２０３上の測定点（４Ａ〜４Ｍ）は、基板２
０３の表面を、予め１６等分して、一辺の長さＰが５０
ｍｍの正方形の区画を設定し、これらの区画における任
意の角部（１３箇所）としたものである。得られた結果
を表１に示す。Next, the thickness of the obtained thin film layer at the measurement points (4A to 4M) on the glass substrate 203 shown in FIG.
The 1 (Al in Alq) composition ratio (atomic ratio) was measured using an X-ray photoelectron spectrometer (XPS). The measurement points (4A to 4M) on the glass substrate 203 shown in FIG.
03 is divided into 16 equal parts in advance, and the length P of one side is 50
mm square sections are set, and arbitrary corners (13 places) in these sections are set. Table 1 shows the obtained results.
【００９７】[0097]
【表１】 [Table 1]
【００９８】一方、２０３を回転させないほかは、第２
の実施形態の製造方法と同様に、厚さ約１０００オング
ストローム（設定値）の薄膜層を形成した。なお、蒸着
条件については、上述したとおりである。次いで、得ら
れた薄膜層の測定点（４Ａ〜４Ｍ）におけるの膜厚およ
びＣｓ／Ａｌの組成比（原子比）を測定し、結果を表２
に示す。On the other hand, except that the 203 is not rotated,
A thin film layer having a thickness of about 1000 angstroms (set value) was formed in the same manner as in the manufacturing method of the embodiment. Note that the evaporation conditions are as described above. Next, the film thickness and the composition ratio (atomic ratio) of Cs / Al at the measurement points (4A to 4M) of the obtained thin film layer were measured.
Shown in
【００９９】[0099]
【表２】 [Table 2]
【０１００】これらの結果から明らかなように、第２の
実施形態の製造方法を用いた場合、基板２０３上の測定
点（４Ａ〜４Ｍ）にて、膜厚が１００８〜１０９３オン
グストロームの範囲内という極めて均一な厚さで、か
つ、Ｃｓ／Ａｌの組成比（原子比）が１．０〜１．１０
の範囲内という極めて均一な組成比である薄膜層が得ら
れたことが確認された。一方、第５の実施形態と異なる
製造方法を用いた場合、基板２０３上の測定点（４Ａ〜
４Ｍ）にて、膜厚が８８４〜１０６７オングストローム
の範囲内の値であり、Ｃｓ／Ａｌの組成比が０．６〜
１．３の範囲内の値であることが確認された。As is apparent from these results, when the manufacturing method of the second embodiment is used, the film thickness is within the range of 1008 to 1093 angstroms at the measurement points (4A to 4M) on the substrate 203. Extremely uniform thickness and Cs / Al composition ratio (atomic ratio) of 1.0 to 1.10
It was confirmed that a thin film layer having a very uniform composition ratio within the range of was obtained. On the other hand, when a manufacturing method different from that of the fifth embodiment is used, measurement points (4A to
4M), the film thickness is a value within the range of 884 to 1067 angstroms, and the Cs / Al composition ratio is 0.6 to
It was confirmed that the value was within the range of 1.3.
【０１０１】[0101]
【実施例】［実施例１］次に、図２および図７、図８を
参照しながら、実施例１の有機ＥＬ素子１０２の構成に
ついて詳細に説明する。[Embodiment 1] Next, the configuration of the organic EL element 102 of Embodiment 1 will be described in detail with reference to FIG. 2, FIG. 7, and FIG.
【０１０２】（１）有機ＥＬ素子の製造準備 実施例１の有機ＥＬ素子１００を製造するにあたって
は、まず、厚さ１．１ｍｍ、縦２５ｍｍ、横７５ｍｍの
透明なガラス基板２２上に、陽極層１０としてインジウ
ムスズオキサイド（ＩＴＯ）からなる厚さ７５ｎｍの透
明電極膜を形成した。以下、このガラス基板１０と陽極
層１０とを併せて基板３０（図７では、基板２０３）と
する。続いて、この基板３０をイソプロピルアルコール
で超音波洗浄し、さらに、Ｎ2（窒素ガス）雰囲気中で
乾燥させた後、ＵＶ（紫外線）およびオゾンを用いて１
０分間洗浄した。(1) Preparation for Production of Organic EL Device In producing the organic EL device 100 of Example 1, first, an anode layer was formed on a transparent glass substrate 22 having a thickness of 1.1 mm, a length of 25 mm and a width of 75 mm. As No. 10, a 75 nm-thick transparent electrode film made of indium tin oxide (ITO) was formed. Hereinafter, the glass substrate 10 and the anode layer 10 are collectively referred to as a substrate 30 (the substrate 203 in FIG. 7). Subsequently, the substrate 30 is subjected to ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol, and further dried in an N 2 (nitrogen gas) atmosphere.
Washed for 0 minutes.
【０１０３】次いで、基板３０を、図８に示すように、
真空蒸着装置２０１における真空槽２１０の基板ホルダ
２１１に装着するとともに、正孔注入輸送層１８を構成
する銅フタロシアニンを蒸着源２１２Ａに、有機発光層
１２の一部を構成する式（８）で表される芳香族化合物
（ＥＭ−１）を蒸着源２１２Ｂに、同様に有機発光層１
２の一部を構成する式（２７）で表される芳香族化合物
（ＤＰＡＶＢｉ）を蒸着源２１２Ｃに、電子注入層１４
を構成する無機化合物（Ｌｉ2Ｏ）を蒸着源２１２Ｄ
に、陰極層１６を構成する金属（Ａｌ）を蒸着源２１２
Ｅにそれぞれ充填した。Next, as shown in FIG.
Attached to the substrate holder 211 of the vacuum chamber 210 in the vacuum evaporation apparatus 201, copper phthalocyanine constituting the hole injection transport layer 18 is used as the evaporation source 212A, and a part of the organic light emitting layer 12 is expressed by the formula (8). The aromatic compound (EM-1) to be used is supplied to the evaporation source
An aromatic compound (DPAVBi) represented by the formula (27), which constitutes a part of the electron injection layer 14, is provided to the evaporation source 212 C.
The inorganic compound (Li 2 O) constituting
The metal (Al) forming the cathode layer 16 is deposited on the
E was filled respectively.
【０１０４】[0104]
【化３２】 Embedded image
【０１０５】（２）有機ＥＬ素子の製造 次いで、真空槽２１０内を、１×１０6Ｔｏｒｒ以下の
真空度になるまで減圧した後、基板３０の陽極層１０上
に、正孔注入輸送層１８、有機発光層１２、電子注入層
１４および陰極層１６をこの順で順次積層して有機ＥＬ
素子１００を得た。なお、このとき、正孔注入輸送層１
８の形成から陰極層１６の形成までの間は、一度も真空
状態を破ることなく有機ＥＬ素子１００を作製した。(2) Manufacture of Organic EL Device Next, the pressure in the vacuum chamber 210 was reduced to a degree of vacuum of 1 × 10 6 Torr or less, and then the hole injection / transport layer 18 was formed on the anode layer 10 of the substrate 30. , An organic light emitting layer 12, an electron injection layer 14, and a cathode layer 16 are sequentially laminated in this order to form an organic EL layer.
The device 100 was obtained. At this time, the hole injection transport layer 1
During the period from the formation of the cathode layer 8 to the formation of the cathode layer 16, the organic EL device 100 was manufactured without breaking the vacuum state.
【０１０６】より具体的には、蒸着源２１２Ａから、正
孔注入層材料としての銅フタロシアニンを蒸発させて、
以下の条件で陽極層１０上に正孔注入輸送層１８を形成
した。 銅フタロシアニンの蒸著速度：０．２ｎｍ／s 銅フタロシアニンの膜厚： ２０ｎｍMore specifically, copper phthalocyanine as a hole injection layer material is evaporated from the evaporation source 212A,
The hole injection / transport layer 18 was formed on the anode layer 10 under the following conditions. Copper phthalocyanine evaporation rate: 0.2 nm / s Copper phthalocyanine film thickness: 20 nm
【０１０７】次いで、蒸着源２１２Ｂおよび蒸着源２１
２Ｃから、以下に示す条件で、それぞれＥＭ−１および
ＤＰＡＶＢｉを同時に蒸発させて、正孔注入層１８上に
電子有機発光層１２を形成した。 ＥＭ−１の蒸著速度： ０．５ｎｍ／s ＤＰＡＶＢｉの蒸著速度： ０．１ｎｍ／s ＥＭ−１／ＤＰＡＶＢｉの膜厚： ６０ｎｍNext, the evaporation source 212B and the evaporation source 21
From 2C, EM-1 and DPAVBi were simultaneously evaporated under the following conditions to form the electron-organic light emitting layer 12 on the hole injection layer 18. Steaming speed of EM-1: 0.5 nm / s Steaming speed of DPAVBi: 0.1 nm / s Film thickness of EM-1 / DPAVBi: 60 nm
【０１０８】なお、同時蒸着するにあたり、実施形態６
に示す方法にしたがった。すなわち、蒸着源２１２Ｂお
よび２１２Ｃは、基板３０（基板２０３）の回転軸線２
１３Ａから、水平方向に３０ｍｍずれた位置にそれぞれ
設けられており、その状態で加熱して、各蒸着源２１２
Ｂおよび２１２ＣからそれぞれＥＭ−１およびＤＰＡＶ
Ｂｉを同時に蒸発させるとともに、モータ２１４を回転
騒動させて、基板２０３を回転軸線２１３Ａに沿って５
ｒｐｍで自転させながら有機発光層１２を製膜した。In the simultaneous vapor deposition, Embodiment 6
According to the method shown in FIG. That is, the evaporation sources 212B and 212C are connected to the rotation axis 2 of the substrate 30 (substrate 203).
13A is provided at a position shifted by 30 mm in the horizontal direction from each of the vapor deposition sources 212A.
EM-1 and DPAV from B and 212C respectively
Bi is evaporated at the same time, and the motor 214 is rotated and disturbed to move the substrate 203 along the rotation axis 213A.
The organic light-emitting layer 12 was formed while rotating at rpm.
【０１０９】次いで、蒸着源２１２Ｄから、以下に示す
条件で、アルカリ金属酸化物であるＬｉ2Ｏを蒸発させ
て、有機発光層１２上に、無機化合物からなる電子注入
層１４を形成した。 Ｌｉ2Ｏの蒸著速度：０．２ｎｍ／s Ｌｉ2Ｏの膜厚： ５ｎｍNext, Li 2 O, which is an alkali metal oxide, was evaporated from the evaporation source 212 D under the conditions described below to form an electron injection layer 14 made of an inorganic compound on the organic light emitting layer 12. Li 2 O evaporation speed: 0.2 nm / s Li 2 O film thickness: 5 nm
【０１１０】最後に、蒸着源２１２Ｅから、以下の条件
でＡｌを蒸発させて、電子注入層１４上に陰極層１６を
形成し、有機ＥＬ素子１０２とした。 Ａｌの蒸著速度： １ｎｍ／s Ａｌの膜厚： ２００ｎｍFinally, the cathode layer 16 was formed on the electron injection layer 14 by evaporating Al from the evaporation source 212E under the following conditions to obtain the organic EL element 102. Al evaporation speed: 1 nm / s Al film thickness: 200 nm
【０１１１】（３）有機ＥＬ素子の評価 得られた有機ＥＬ素子１０２における陰極層１６をマイ
ナス（−）電極、陽極層１０をプラス（＋）電極とし
て、両電極間に１０Ｖの直流電圧を印加した。このとき
の発光輝度は１８０ｃｄ／ｃｍ2であり、発光色は青色
であることを確認した。また、１×１０4〜１×１０6Ｖ
／ｃｍ・ｓの電圧を印加したときの、有機発光層１２に
おける有機発光材料（ＥＭ−１）の電子移動度（μe）
と、正孔移動度（μh）とを、タイムオブフライト（Ｔ
ＯＦ）法を用いてそれぞれ測定し、上述した（１）およ
び（２）の条件を満足することを確認した。(3) Evaluation of Organic EL Device In the obtained organic EL device 102, a negative (−) electrode is used as the cathode layer 16 and a positive (+) electrode is used as the anode layer 10, and a DC voltage of 10 V is applied between both electrodes. did. At this time, the emission luminance was 180 cd / cm 2 , and the emission color was confirmed to be blue. In addition, 1 × 10 4 to 1 × 10 6 V
Electron mobility (μ e ) of the organic light emitting material (EM-1) in the organic light emitting layer 12 when a voltage of / cm · s is applied.
And the hole mobility (μ h ) by the time of flight (T
The measurement was performed using the OF) method, respectively, and it was confirmed that the above-described conditions (1) and (2) were satisfied.
【０１１２】[0112]
【表３】 [Table 3]
【０１１３】［実施例２］次に、この発明の実施例２に
ついて説明する。実施例２の有機ＥＬ素子の構造は、実
施例１の有機ＥＬ素子１０２の構造と同様であり、実施
例１と同様に製造した。ただし、実施例２においては、
実施例１のＥＭ−１の代わりに、式（１７）で表される
ＥＭ−２を用いた。そして、得られた有機ＥＬ素子１０
２に、実施例１と同様に１０Ｖの直流電圧を印加した。
その結果、青色の発光が観察され、その際の発光輝度は
２４０ｃｄ／ｍ2であった。また、実施例１と同様にし
て、有機発光層１２における有機発光材料（ＥＭ−２）
の電子移動度（μe）と、正孔移動度（μh）とをそれぞ
れ測定し、実施例２においても上述した（１）および
（２）の条件を満足することを確認した。Embodiment 2 Next, Embodiment 2 of the present invention will be described. The structure of the organic EL element of Example 2 was the same as the structure of the organic EL element 102 of Example 1, and was manufactured in the same manner as Example 1. However, in Example 2,
EM-2 represented by the formula (17) was used instead of EM-1 of Example 1. Then, the obtained organic EL device 10
2, a DC voltage of 10 V was applied in the same manner as in Example 1.
As a result, blue light emission was observed, and the light emission luminance at that time was 240 cd / m 2 . Further, in the same manner as in Example 1, the organic light emitting material (EM-2) in the organic light emitting layer 12 was used.
The electron mobility (μ e ) and the hole mobility (μ h ) were measured, and it was confirmed that Example 2 also satisfied the conditions (1) and (2) described above.
【０１１４】［実施例３］次に、この発明の実施例３に
ついて説明する。実施例３の有機ＥＬ素子の構造は、実
施例１の有機ＥＬ素子１０２の構造と同様であり、実施
例１と同様に製造した。ただし、実施例３においては、
実施例１のＥＭ−１の代わりに、式（２３）で表される
ＥＭ−３を用いた。そして、得られた有機ＥＬ素子１０
２に、実施例１と同様に１０Ｖの直流電圧を印加した。
その結果、青色の発光が観察され、その際の発光輝度は
２４０ｃｄ／ｍ2であった。また、実施例１と同様にし
て、有機発光層１２における有機発光材料（ＥＭ−３）
の電子移動度（μe）と、正孔移動度（μh）とをそれぞ
れ測定し、実施例３においても上述した（１）および
（２）の条件を満足することを確認した。Third Embodiment Next, a third embodiment of the present invention will be described. The structure of the organic EL element of Example 3 was the same as the structure of the organic EL element 102 of Example 1, and was manufactured in the same manner as Example 1. However, in Example 3,
EM-3 represented by Formula (23) was used instead of EM-1 in Example 1. Then, the obtained organic EL device 10
2, a DC voltage of 10 V was applied in the same manner as in Example 1.
As a result, blue light emission was observed, and the light emission luminance at that time was 240 cd / m 2 . Further, in the same manner as in Example 1, the organic light emitting material (EM-3) in the organic light emitting layer 12 was used.
Was measured for the electron mobility (μ e ) and the hole mobility (μ h ), respectively, and it was confirmed that Example 3 also satisfied the conditions (1) and (2) described above.
【０１１５】［比較例１］次に、比較例１について説明
する。比較例１の有機ＥＬ素子の構造は、実施例１の有
機ＥＬ素子１０２の構造と同様であり、実施例１と同様
に製造した。ただし、比較例３においては、実施例１の
ＥＭ−１の代わりに、下記式（３４）で表されるＥＭ−
４を用いた。そして、得られた有機ＥＬ素子１０２に、
実施例１と同様に１０Ｖの直流電圧を印加した。その結
果、青色の発光が観察されたが、その際の発光輝度は９
０ｃｄ／ｍ2であった。また、実施例１と同様にして、
有機発光層１２における有機発光材料（ＥＭ−４）およ
びＤＰＡＶＢｉの電子移動度（μe）と、正孔移動度
（μh）とをそれぞれ測定し、比較例１においては、上
述した（１）および（２）の条件を満足しないことを確
認した。[Comparative Example 1] Next, Comparative Example 1 will be described. The structure of the organic EL element of Comparative Example 1 was the same as the structure of the organic EL element 102 of Example 1, and was manufactured in the same manner as in Example 1. However, in Comparative Example 3, EM-1 represented by the following formula (34) was used instead of EM-1 in Example 1.
4 was used. Then, in the obtained organic EL element 102,
As in Example 1, a DC voltage of 10 V was applied. As a result, blue light emission was observed.
It was 0 cd / m 2 . Also, in the same manner as in Example 1,
The electron mobility (μ e ) and the hole mobility (μ h ) of the organic light emitting material (EM-4) and DPAVBi in the organic light emitting layer 12 were measured, respectively. It was confirmed that the condition of (2) was not satisfied.
【０１１６】[0116]
【化３３】 Embedded image
【０１１７】[0117]
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、無機化合物から構成された電子注入層を備えた
場合であっても、電子と正孔とが有機発光層において有
効に再結合することができるようになり、駆動電圧が低
くとも、高い発光輝度が得られる有機ＥＬ素子を提供す
ることができるようになった。As described above in detail, according to the present invention, even when an electron injection layer composed of an inorganic compound is provided, electrons and holes are effectively formed in the organic light emitting layer. As a result, recombination can be performed, and an organic EL element that can obtain high emission luminance even when the driving voltage is low can be provided.
【図１】第１の実施形態における有機ＥＬ素子の断面図
である。FIG. 1 is a cross-sectional view of an organic EL device according to a first embodiment.
【図２】第２の実施形態における有機ＥＬ素子の断面図
である。FIG. 2 is a cross-sectional view of an organic EL device according to a second embodiment.
【図３】第３の実施形態における有機ＥＬ素子の断面図
である。FIG. 3 is a cross-sectional view of an organic EL device according to a third embodiment.
【図４】第４の実施形態における有機ＥＬ素子の断面図
である。FIG. 4 is a cross-sectional view of an organic EL device according to a fourth embodiment.
【図５】第２の実施形態の変形例における有機ＥＬ素子
の断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of an organic EL element according to a modification of the second embodiment.
【図６】第３の実施形態の変形例における有機ＥＬ素子
の断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of an organic EL element according to a modification of the third embodiment.
【図７】第５の実施形態における真空蒸着装置の斜視図
である。FIG. 7 is a perspective view of a vacuum evaporation apparatus according to a fifth embodiment.
【図８】第５の実施形態における真空蒸着装置の断面図
である。FIG. 8 is a sectional view of a vacuum evaporation apparatus according to a fifth embodiment.
【図９】基板における測定点の説明に供する図である。FIG. 9 is a diagram provided for describing measurement points on a substrate.
１０ 陽極層 １２ 発光域 １４ 電子注入域 １６ 陰極層 １８ 正孔注入輸送層 ２０ 透光性基板（ガラス基板） ３０ 基板 １００、１０２、１０４ 有機ＥＬ素子 ２０１ 真空蒸着装置 ２０３ 基板 ２１０ 真空槽 ２１１ 基板ホルダ ２１２ 保持部 ２１２Ａ〜２１２Ｆ 蒸着源 ２１３ 回転軸部 ２１３Ａ 回転軸線 ２１４ モータ ２２１ 仮想円 Reference Signs List 10 anode layer 12 light emitting area 14 electron injection area 16 cathode layer 18 hole injection transport layer 20 translucent substrate (glass substrate) 30 substrate 100, 102, 104 organic EL element 201 vacuum evaporation apparatus 203 substrate 210 vacuum tank 211 substrate holder 212 Holder 212A to 212F Evaporation source 213 Rotation axis 213A Rotation axis 214 Motor 221 Virtual circle
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２３Ｃ 28/00 Ｃ２３Ｃ 28/00 Ａ Ｈ０１Ｌ 33/00 Ｈ０１Ｌ 33/00 Ａ Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｈ０５Ｂ 33/22 Ａ Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB06 AB12 AB13 BB01 CA01 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01 FA03 4K044 AA12 AB10 BA01 BA10 BA11 BA12 BA21 BB02 BC02 CA11 CA13 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) C23C 28/00 C23C 28/00 A H01L 33/00 H01L 33/00 A H05B 33/22 H05B 33/22 A F term (reference) 3K007 AB02 AB06 AB12 AB13 BB01 CA01 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01 FA03 4K044 AA12 AB10 BA01 BA10 BA11 BA12 BA21 BB02 BC02 CA11 CA13
Claims (4)
入層および陰極層を順次に積層した構造を有する有機エ
レクトロルミネッセンス素子において、 前記電子注入層を無機化合物から構成するとともに、前
記有機発光層に、電子移動度（μe）および正孔移動度
（μh）について、下記条件（１）および（２）を満足
する有機発光材料を含むことを特徴とする有機エレクト
ロルミネッセンス素子。 （１）μe≧１×１０-7ｃｍ2／Ｖ・ｓ （２）μh＞μe＞μh／１０００1. An organic electroluminescence device having a structure in which at least an anode layer, an organic light emitting layer, an electron injection layer, and a cathode layer are sequentially laminated, wherein the electron injection layer is made of an inorganic compound, and An organic electroluminescence device comprising an organic light-emitting material satisfying the following conditions (1) and (2) with respect to electron mobility (μ e ) and hole mobility (μ h ). (1) μ e ≧ 1 × 10 −7 cm 2 / V · s (2) μ h > μ e > μ h / 1000
（３）で表されるスチリル基を有する芳香族化合物の少
なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１に記載の
有機エレクトロルミネッセンス素子。 【化１】 ［一般式（１）中、Ａｒ1は、炭素数が６〜４０の芳香
族基であり、Ａｒ2、Ａｒ3、およびＡｒ4は、それぞれ
水素原子または炭素数が６〜４０の芳香族基であり、Ａ
ｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3、およびＡｒ4の少なくとも一つは芳
香族基であり、縮合数ｎは、１〜６の整数である。］ 【化２】 ［一般式（２）中、Ａｒ5は、炭素数が６〜４０の芳香
族基であり、Ａｒ6およびＡｒ7は、それぞれ水素原子ま
たは炭素数が６〜４０の芳香族基であり、Ａｒ5、Ａｒ6
およびＡｒ7の少なくとも一つはスチリル基で置換され
ており、縮合数ｍは、１〜６の整数である。］ 【化３】 ［一般式（３）中、Ａｒ8およびＡｒ14は、炭素数が６
〜４０の芳香族基であり、Ａｒ9〜Ａｒ13は、それぞれ
水素原子または炭素数が６〜４０の芳香族基であり、Ａ
ｒ8〜Ａｒ14の少なくとも一つはスチリル基で置換され
ており、縮合数ｐ、ｑ、ｒ、ｓは、それぞれ０または１
である。］2. The organic light emitting layer according to claim 1, wherein the organic light emitting layer has the following general formula (1):
The organic electroluminescence device according to claim 1, comprising at least one of the aromatic compounds having a styryl group represented by (3). Embedded image [In the general formula (1), Ar 1 is an aromatic group having 6 to 40 carbon atoms, and Ar 2 , Ar 3 , and Ar 4 are each a hydrogen atom or an aromatic group having 6 to 40 carbon atoms. And A
At least one of r 1 , Ar 2 , Ar 3 and Ar 4 is an aromatic group, and the condensation number n is an integer of 1 to 6. ] [In the general formula (2), Ar 5 is an aromatic group having 6 to 40 carbon atoms, Ar 6 and Ar 7 are each a hydrogen atom or an aromatic group having 6 to 40 carbon atoms, and Ar 5 5 , Ar 6
And at least one of Ar 7 is substituted with a styryl group, and the condensation number m is an integer of 1 to 6. ] [In the general formula (3), Ar 8 and Ar 14 each have 6 carbon atoms.
Ar 9 to Ar 13 are each a hydrogen atom or an aromatic group having 6 to 40 carbon atoms,
At least one is substituted with a styryl group, condensation number p, q, r, s of r 8 to Ar 14 are each 0 or 1
It is. ]
ッセンス素子において、前記スチリル基が、下記一般式
（４）で表されるスチリル基であることを特徴とする有
機エレクトロルミネッセンス素子。 【化４】 ［一般式（４）中、Ａｒ15Ａｒ16、およびＡｒ17は、そ
れぞれ水素原子または炭素数が６〜４０の芳香族基であ
る。］3. The organic electroluminescent device according to claim 2, wherein the styryl group is a styryl group represented by the following general formula (4). Embedded image [In the general formula (4), Ar 15 Ar 16 and Ar 17 are each a hydrogen atom or an aromatic group having 6 to 40 carbon atoms. ]
機エレクトロルミネッセンス素子において、前記無機化
合物が、微結晶または非晶質の絶縁性薄膜であることを
特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。4. The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the inorganic compound is a microcrystalline or amorphous insulating thin film. .
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