KR100685398B1 - Organic electro-luminescence device and method for fabricating the same - Google Patents

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Abstract

제 1전극과; 상기 제 1전극 상부에 발광을 위한 유기 발광층을 포함하는 유기막층과; 상기 유기막층 상부에 형성된 제 2전극을 포함하며, 상기 유기 발광층은 전자이동도가 10-6㎠/Vs보다 빠른 호스트/인광 도판트의 혼합매질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자를 제공한다.A first electrode; An organic film layer including an organic light emitting layer for emitting light on the first electrode; And a second electrode formed on the organic layer, wherein the organic light emitting layer is formed of a mixed medium of a host / phosphorescent dopant having an electron mobility greater than 10 −6 cm 2 / Vs. do.

상기 유기 전계 발광 소자는 전자 수송 능력이 뛰어난 저분자 인광 소자를 사용함으로써 정공 억제층이 필요 없는 단순화된 구조와 공정을 도입하였다.The organic electroluminescent device employs a low molecular phosphorescent device having excellent electron transport capability, thereby introducing a simplified structure and process without requiring a hole suppression layer.

인광, 유기 전계 발광 소자, 전자 이동도, 정공 이동도, 유기 발광층, 풀칼라Phosphorescence, organic electroluminescent element, electron mobility, hole mobility, organic light emitting layer, full color

Description

유기 전계 발광 소자의 구조 및 그 제조 방법{organic electro-luminescence device and method for fabricating the same}Structure of organic electroluminescent device and manufacturing method thereof {organic electro-luminescence device and method for fabricating the same}

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 인광형 유기전계발광소자 및 그의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a phosphorescent organic light emitting display device and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 풀칼라 유기전계발광표시장치 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다. 2 is a cross-sectional view illustrating a full color organic light emitting display device and a method of manufacturing the same according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3a 내지 3c는 본 발명의 실시 예에서 호스트/도판트 혼합매질의 유기 발광층에서 전자이동도와 정공이동도가 동일시 되는 전제 조건 하에서 호스트/도판트 혼합매질의 전하이동도에 따른 유기 전계 발광 소자의 전하와 여기자 분포를 나타내는 그래프이다.3A to 3C illustrate an organic electroluminescent device according to charge mobility of a host / dopant mixed medium under the precondition that electron mobility and hole mobility are the same in the organic light emitting layer of the host / dopant mixed medium in an embodiment of the present invention. Graph showing charge and exciton distribution.

도 3d 내지 도 3e는 본 발명의 실시 예에서 유기 발광층의 호스트/도판트 혼합매질내에서 호스트/도판트의 혼합매질의 전자이동도는 10-6㎠/Vs보다 빠르다는 전제하에 전하이동도와 정공이동도의 차이에 따른 유기 전계 발광 소자의 전하와 여기자 분포를 나타내는 그래프이다.3D to 3E are charge mobility and holes under the premise that the electron mobility of the host / dopant mixed medium in the host / dopant mixed medium of the organic light emitting layer is faster than 10 −6 cm 2 / Vs in the embodiment of the present invention. It is a graph showing the charge and exciton distribution of the organic electroluminescent device according to the difference in mobility.

(도면의 주요 부위에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for main parts of drawing)

100 : 절연기판 150 : 박막트랜지스터100: insulating substrate 150: thin film transistor

180 : 제 1 전극 200 : 유기막층180: first electrode 200: organic film layer

200-3R : 적색 인광 유기 발광층 200-3G : 녹색 인광 유기 발광층200-3R: red phosphorescent organic light emitting layer 200-3G: green phosphorescent organic light emitting layer

200-3B : 청색 형광 유기 발광층 210: 제 2 전극200-3B: blue fluorescent organic light emitting layer 210: second electrode

본 발명은 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전자수송 능력이 뛰어난 저분자 인광 소자를 사용함으로써 정공억제층이 필요 없는 인광형 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic electroluminescent device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a phosphorescent organic electroluminescent device and a method of manufacturing the same, which do not require a hole suppression layer by using a low molecular phosphorescent device having excellent electron transport ability.

고도의 정보화 시대가 도래함에 따라 신속, 정확한 정보를 손안에서 얻고자 하는 요구가 많아지면서 가볍고 얇아서 휴대하기가 편하고 정보 처리 속도가 빠른 디스플레이 장치에 대한 개발이 급속하게 이루어지고 있다. 기존의 CRT는 중량, 체적 및 소비전력이 크고, LCD는 공정의 복잡성, 좁은 시야각, 대조비 및 대면적화에 대한 기술적인 한계가 있다. With the advent of the high information age, there is an increasing demand for fast and accurate information in the hand, and the development of a display device that is light and thin, easy to carry, and has high information processing speed is rapidly being made. Conventional CRTs have high weight, volume, and power consumption, and LCDs have technical limitations on process complexity, narrow viewing angles, contrast ratios, and large area.

이에 따라, 유기전계발광소자는 자체발광형으로서 LCD와 같은 백라이트가 필요하지 않아 경량박형이 가능할 뿐만 아니라 공정을 단순화 시킬 수 있으며, 응답속도 또한 CRT와 같은 수준이며, 소비 전력 측면에서도 유리하여 차세대 디스플레이로서 급상승하고 있다.As a result, the organic light emitting diode is self-luminous and does not require a backlight such as an LCD, so it is not only lightweight but also simplifies the process. The response speed is the same as that of the CRT, and it is advantageous in terms of power consumption. As it is soaring.

일반적으로 유기전계발광소자는 양극과 음극사이에 유기 발광층을 포함하고 있어 양극으로부터 공급받은 정공과 음극으로부터 공급받은 전자가 유기 발광층 내 에서 결합하여 전자-정공 쌍인 여기자를 형성하고 다시 상기 여기자가 바닥상태로 돌아오면서 발생되는 에너지에 의해 발광하게 된다. In general, an organic light emitting diode includes an organic light emitting layer between an anode and a cathode, so that holes supplied from an anode and electrons supplied from a cathode are combined in an organic light emitting layer to form an exciton which is an electron-hole pair, and the exciton is then ground. The light emitted by the energy generated by returning to.

여기서 생성되는 여기자는 스핀 결합 형태에 따라 일중항(singlet) 여기자 또는 삼중항(Triplet) 여기자를 형성하는데, 일중항 여기자가 형성될 수 있는 확률은 1/4이며, 삼중항 여기자가 형성될 수 있는 확률은 3/4이다. The excitons generated here form singlet excitons or triplet excitons, depending on the spin bond form, and the probability that singlet excitons can be formed is 1/4, and triplet excitons can be formed. The probability is 3/4.

일반적으로, 유기 분자의 기저 상태는 일중항 상태이므로 일중항 여기자에 의해 빛을 내며 기저상태로 천이할 수 있으며 이를 형광이라 한다. 하지만 삼중항 여기자가 일중항인 기저 상태로 빛을 내며 천이되는 것은 금지되어 있어 75%의 여기자가 낭비되고 있다. 이에 따라 발광층에 스핀-궤도 결합이 큰 인광성 도판트를 사용함으로써 삼중항 상태에서 기저상태로 빛을 내며 천이할 수 있으며 이를 인광이라 한다. 또한 여기된 삼중항 여기자와 일중항 여기자의 에너지 전이가 일어남으로써 발광 수율이 100%에 달할 수도 있다. 이에 따라 형광보다 발광 수율이 뛰어나며 대면적이 가능한 인광형 유기 전계 발광 소자에 대한 관심이 높아지고 있다.In general, since the ground state of an organic molecule is a singlet state, it is possible to transition to the ground state by emitting light by singlet excitons, which is called fluorescence. However, it is forbidden that the triplet excitons shine to the ground state of the singlet, and 75% of the excitons are wasted. Accordingly, by using a phosphorescent dopant having a large spin-orbit coupling in the light emitting layer, the light emitting layer may transition from the triplet state to the ground state, which is called phosphorescence. In addition, the light emission yield may reach 100% due to the energy transfer between the excited triplet excitons and the singlet excitons. Accordingly, interest in phosphorescent organic electroluminescent devices, which have superior light emission yield and large area, can be increased.

일반적으로, 종래의 인광 유기전계발광소자를 풀칼라 소자로서 제작하기 위하여 기판 상에 양극을 증착하고 정공 주입층과 정공수송층까지 공통층으로 증착한 후, 새도우 마스크에 의해 R, G, B를 각각 증착하여 패터닝 한 뒤에 다시 공통층으로 정공 억제층과 전자 주입층을 차례로 증착한후 음극을 증착한다. 기존 R, G는 인광 디바이스로 정공 이동도가 높은 호스트인 경우 정공 억제층이 필요하며, B의 경우에는 아직 인광 디바이스의 특성이 확보되지 않아 상업화에 사용되고 있지 않다.In general, in order to fabricate a conventional phosphorescent organic electroluminescent device as a full color device, an anode is deposited on a substrate, and a hole injection layer and a hole transport layer are deposited as a common layer, and then R, G, and B are respectively covered by a shadow mask. After deposition and patterning, the hole suppression layer and the electron injection layer are sequentially deposited as a common layer, and then the cathode is deposited. Conventional R and G are phosphorescent devices and require a hole suppression layer in the case of a host having high hole mobility, and in the case of B, phosphorescent devices are not yet secured and are not used for commercialization.

상기 인광형 유기전계발광소자는 유기 발광층내에 상기 양극과 상기 음극에서 각각 주입된 정공과 전자가 재결합함으로써 발생된 여기자가 기저 상태로 전환되면서 발생하는 에너지에 의해 발광하게 된다. The phosphorescent organic light emitting device emits light by energy generated when the exciton generated by recombination of holes and electrons injected from the anode and the cathode, respectively, in the organic emission layer is converted into a ground state.

여기서 종래의 인광형 유기전계발광소자에서 유기 발광층내에서 전자 이동도보다 정공 이동도가 크고 삼중항 상태의 수명이 길기 때문에 발광층에서 형성되는 여기자가 넓은 영역에 걸쳐 분포하므로 발광 효율이 떨어진다. 이를 방지하기 위하여 추가적으로 정공 억제층을 포함하여 유기 발광층내에서 여기자가 형성할 수 있도록 유도한다. 이에 따라 종래의 인광형 유기전계발광소자는 정공 억제층을 포함해야 하는 공정이 추가되므로 생산성 저하 및 원가가 상승된다는 단점이 있다.In the conventional phosphorescent organic EL device, since the hole mobility is greater than the electron mobility in the organic light emitting layer and the life time of the triplet state is longer, the excitons formed in the light emitting layer are distributed over a wide area, thereby lowering the light emission efficiency. In order to prevent this, additionally including a hole suppression layer to induce excitons to form in the organic light emitting layer. Accordingly, the conventional phosphorescent organic light emitting device has a disadvantage in that productivity is lowered and costs are increased because a process including a hole suppression layer is added.

한편, 일본 특허 공개 번호 제2000-164359호는 무기 화합물로 구성되어지는 전자 주입층을 포함하는 유기 전계 발광소자에 대해 개시하고 있다. 상기 특허에서는 유기 발광층에서, 전자이동도 ≥ 1× 10-7㎠/Vs에 이르고, 정공이동도 〉전자이동도 〉정공이동도/1000를 만족하는 유기 발광 재료를 포함함으로써 유기 발광층 내부 영역에서 발광이 효율적으로 발생시킬 수 있으며, 구동 전압을 낮출 수 있는 유기 전계 발광 소자를 제공하나, 형광형 유기 전계 발광 소자로서 제한된다.On the other hand, Japanese Patent Laid-Open No. 2000-164359 discloses an organic electroluminescent device comprising an electron injection layer composed of an inorganic compound. In this patent, the organic light emitting layer emits light in the region of the organic light emitting layer by including an organic light emitting material having an electron mobility of ≧ 1 × 10 −7 cm 2 / Vs and satisfying hole mobility ≧ electron mobility ≧ hole mobility / 1000. An organic electroluminescent element which can be generated efficiently and which can lower a driving voltage is provided, but is limited as a fluorescent organic electroluminescent element.

본 발명에서 이루고자 하는 기술적 과제는 상기 문제점을 해결하여 전자수송 능력이 뛰어난 저분자 인광 소자를 이용하여 정공 억제층이 필요 없고 공정이 감소된 유기 전계 발광 소자의 구조 및 그 제조 방법을 제공함에 있다.The technical problem to be solved by the present invention is to solve the above problems by using a low molecular phosphorescent device excellent in electron transport ability to provide a structure and a manufacturing method of an organic electroluminescent device that does not require a hole suppression layer and the process is reduced.

상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은 전자 수송 능력이 뛰어난 저분자 인광 소자로서, 정공 억제층이 필요 없는 단순화된 구조와 공정을 도입한 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공한다.In order to achieve the above technical problem, the present invention provides a method for manufacturing an organic light emitting display device having a low molecular phosphorescent device having excellent electron transport capability and introducing a simplified structure and process without requiring a hole suppression layer.

본 발명은 제 1전극과; 상기 제 1전극 상부에 발광을 위한 유기 발광층을 포함하는 유기막층과; 상기 유기막층 상부에 형성된 제 2전극을 포함하며, 상기 유기 발광층은 전자이동도가 10-6㎠/Vs보다 빠른 호스트/인광 도판트의 혼합매질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공한다.The present invention comprises a first electrode; An organic film layer including an organic light emitting layer for emitting light on the first electrode; And a second electrode formed on the organic layer, wherein the organic light emitting layer is formed of a mixed medium of a host / phosphorescent dopant having an electron mobility greater than 10 −6 cm 2 / Vs and its organic electroluminescent device. It provides a manufacturing method.

또 다른 본 발명은 적색, 녹색 및 청색 화소영역들을 갖는 기판과; 상기 화소영역들 상에 각각 위치하는 제 1 전극들과; 상기 제 1 전극들 상에 각각 위치하는 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층으로 된 유기발광층을 포함하는 유기막층과; 상기 유기막층상에 위치하는 제 2 전극을 포함하며, 상기 유기 발광층 중 하나 이상의 층은 전자이동도가 10-6㎠/Vs보다 빠른 호스트/인광 도판트의 혼합매질로 형성되는 것을 특징으로 하는 풀칼라 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공한다.Yet another aspect of the present invention is directed to a substrate having red, green, and blue pixel regions; First electrodes on the pixel areas, respectively; An organic film layer including an organic light emitting layer comprising a red light emitting layer, a green light emitting layer, and a blue light emitting layer respectively positioned on the first electrodes; A second electrode disposed on the organic layer, wherein at least one of the organic light emitting layers is formed of a mixed medium of a host / phosphorous dopant having an electron mobility greater than 10 −6 cm 2 / Vs. A color organic light emitting display device and a method of manufacturing the same are provided.

여기서, 상기 유기 발광층내에서 호스트/도판트계의 LUMO값의 차이보다 HOMO값의 차이가 더 큰 호스트/도판트계를 도입하여 유기 전계 발광 소자를 제작함으로써 도판트의 트랩에 의한 영향으로 정공에 비해 전자의 이동도가 상대적으로 빠르게 하여 유기 발광층내에서 정공과 전자의 밀도가 균형을 이루게 되어 발광효율을 높일 수 있다. Herein, an organic electroluminescent device is manufactured by introducing a host / dopant system having a larger difference in HOMO value than a difference in LUMO value of a host / dopant system in the organic light emitting layer. The mobility of is relatively fast, so that the density of holes and electrons in the organic light emitting layer is balanced, thereby improving luminous efficiency.

이하, 본 발명에 의한 유기전계발광소자의 구조를 도 1을 참고하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the structure of the organic light emitting display device according to the present invention will be described in detail with reference to FIG. 1.

도 1은 본 발명의 유기전계발광소자를 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view for explaining an organic light emitting display device according to the present invention.

도 1을 참고하면, 제 1전극(10), 상기 제 1전극(10) 상부에 유기 발광층(23)을 포함하는 유기막층(20), 제 2전극(30)을 형성하였다.Referring to FIG. 1, the organic layer 20 including the organic emission layer 23 and the second electrode 30 are formed on the first electrode 10 and the first electrode 10.

상기 제 1전극(10)이 양극일 경우, 일함수가 높은 금속으로서 ITO이거나 IZO로 이루어진 투명전극이거나, Pt, Au, Ir, Cr, Mg, Ag, Ni, Al 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 반사전극일 수 있다. In the case where the first electrode 10 is an anode, a metal having a high work function is a transparent electrode made of ITO or IZO, or in the group consisting of Pt, Au, Ir, Cr, Mg, Ag, Ni, Al, and alloys thereof It may be a selected reflective electrode.

또한, 상기 제 1전극(10)이 음극일 경우, 일함수가 낮은 금속으로서 Mg, Ca, Al, Ag, Ba 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택하되 얇은 두께를 갖는 투명전극이거나, 두꺼운 반사전극일 수 있다. In addition, when the first electrode 10 is a cathode, a metal having a low work function is selected from the group consisting of Mg, Ca, Al, Ag, Ba, and alloys thereof, but is a transparent electrode having a thin thickness or a thick reflective electrode. Can be.

상기 유기 발광층(23)은 상기 제 1전극(10)과 상기 제 2전극(30)의 사이에 위치하며, 상기 두 전극(10,30)에서 각각 주입된 정공과 전자가 재결합함으로써 발생된 여기자가 기저 상태로 전환되면서 발생하는 에너지에 의해 발광하게 된다. 여기서, 유기 발광층(23)은 호스트와 도판트의 혼합막으로 형성되며, 상기 도판트의 농도는 3 내지 50중량%이내인 것이 바람직하다. 상기 유기 발광층(23)내의 호스트/도판트계에서 전자이동도가 정공이동도보다 빠르며, 전자이동도는 10-6㎠/Vs 보다 빠르거나 같은 특성을 가지는 호스트/도판트 혼합매질을 선택한다. 또한, 유기 발광층내에서 형성되는 여기자의 확산거리는 200Å이하인 물질로 형성되어지는 것이 바람직하다. The organic emission layer 23 is positioned between the first electrode 10 and the second electrode 30 and excitons generated by recombination of holes and electrons injected from the two electrodes 10 and 30, respectively. It is emitted by the energy generated by the transition to the ground state. Here, the organic light emitting layer 23 is formed of a mixed film of the host and the dopant, the concentration of the dopant is preferably within 3 to 50% by weight. In the host / dopant system in the organic light emitting layer 23, the electron mobility is faster than the hole mobility and the electron mobility is faster than 10 −6 cm 2 / Vs. In addition, it is preferable that the diffusion distance of the excitons formed in the organic light emitting layer is made of a material of 200 mW or less.

상기 호스트는 아민계 화합물인 TMM-004(COVION사), 3-(4'-tert-부틸페닐)-4-페닐-5-(4'-비페닐)-1,2,4-트리아졸(TAZ) 및 4,4'-N,N'-디카르바졸-비페닐(CBP)로 이루어질 수 있다. 상기 도판트는 Pt, Ir, Tb 및 Eu로 이루어진 군에서 선택되는 한가지 물질을 포함하는 유기금속착물로 선택하되, 각각 선택하여 형성된 호스트/도판트 혼합매질에서의 전하이동도는 정공이동도보다 전자이동도가 빨라야 하며, 전자 이동도가 10-6㎠/Vs보다 빠르거나 같은 조건을 만족해야 한다. 더욱 상세하게는 상기 호스트/도판트 혼합매질은 TMM-004(COVION사)/fac-트리스(2-페닐피리딘)이리듐(Ir(PPy)3으로 이루어지는 것이 바람직하다. 이로써, 정공이 유기 발광층외의 영역인 예를 들면, 전자수송층 등으로 전달되어 발광효율을 저해하는 것을 방지할 수 있다.The host is an amine compound, TMM-004 (COVION Co.), 3- (4'-tert-butylphenyl) -4-phenyl-5- (4'-biphenyl) -1,2,4-triazole ( TAZ) and 4,4'-N, N'-dicarbazole-biphenyl (CBP). The dopant is selected as an organometallic complex including one material selected from the group consisting of Pt, Ir, Tb, and Eu, and the charge mobility in the host / dopant mixed medium formed by selection is electron transfer rather than hole mobility. The degree should be fast and the electron mobility must be faster than or equal to 10 -6 cm 2 / Vs. More specifically, the host / dopant mixture medium is preferably made of TMM-004 (COVION Co.) / Fac-tris (2-phenylpyridine) iridium (Ir (PPy) 3. Thus, holes are formed in a region outside the organic light emitting layer. For example, it can be prevented from being transmitted to the electron transport layer or the like to impair the luminous efficiency.

상기와 같은 구조를 가지는 유기 전계 발광 소자에 순방향의 전압을 가하면 상기 양극에서는 유기막층의 HOMO(highest occupied molecular orbital) 준위로 정공이 주입되고 음극에서는 유기막층의 LUMO(lowest unoccupied molecular orbital)로 전자가 주입되어 서로 상반되는 전극으로 이동하여 상기 발광층에서 주입된 정공과 전자가 결합하여 재결합된 여기자가 기저 상태로 전환되면서 발광하게 된다. 여기서, 유기 발광층의 LUMO(Lowest unoccupied molecular orbital)값의 차이보다 HOMO(Highest occupied molecular orbital)값의 차이가 더 크므로 유기 발광층내에서 정공이 트랩되어 정공이동도가 작아지고 상대적으로 전자이동도가 빠르게 되어 유기 발광층내에서 정공과 전자가 균등한 밀도로 결합하게 됨으로써 발광효율을 증대시킬 수 있다.When a forward voltage is applied to the organic EL device having the structure described above, holes are injected into the organic occupied molecular orbital (HOMO) level of the organic layer, and electrons are injected into the lower unoccupied molecular orbital (LUMO) of the organic layer in the cathode. Injected to move to the opposite electrode to each other, the holes and electrons injected from the light emitting layer is coupled to the recombination excitons are converted to the ground state to emit light. Here, since the difference between the highest occupied molecular orbital (HOMO) value is greater than the difference between the lower unoccupied molecular orbital (LUMO) value of the organic light emitting layer, holes are trapped in the organic light emitting layer, resulting in a smaller hole mobility and a relatively electron mobility. In this case, holes and electrons are combined at an equal density in the organic light emitting layer, thereby increasing luminous efficiency.

상기 제 2 전극(30)이 음극인 경우에 있어서, 상기 유기막층(20)의 상부에 형성되며 일함수가 낮은 도전성의 금속으로 Mg, Ca, Al, Ag 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질로서 얇은 두께를 갖는 투명전극이거나, 두꺼운 두께를 갖는 반사전극으로 형성된다.In the case where the second electrode 30 is a cathode, one selected from the group consisting of Mg, Ca, Al, Ag and alloys thereof is a conductive metal having a low work function formed on the organic layer 20. It is formed of a transparent electrode having a thin thickness as a material of, or a reflective electrode having a thick thickness.

또한, 상기 제 2 전극(30)이 양극인 경우에 있어서, 일함수가 높은 금속으로서, ITO 또는 IZO로 이루어진 투명전극이거나, Pt, Au, Ir, Cr, Mg, Ag, Ni, Al 및 이들의 합금으로 이루어진 반사전극일 수 있다. In addition, when the second electrode 30 is an anode, the metal having a high work function is a transparent electrode made of ITO or IZO, or Pt, Au, Ir, Cr, Mg, Ag, Ni, Al, and these It may be a reflective electrode made of an alloy.

여기서, 상기 유기막층(20)은 정공주입층(21), 정공수송층(22) 및 전자수송층(24)을 더 포함할 수 있다. The organic layer 20 may further include a hole injection layer 21, a hole transport layer 22, and an electron transport layer 24.

상기 정공주입층(21)은 상기 제 1전극(10)의 상부에 위치하며, 상기 제 1전극(10)과 계면 접착력이 높고 이온화 에너지가 낮은 재료로 정공주입층(21)을 형성함으로써 정공 주입을 용이하게 하며 소자의 수명을 증가시킬 수 있다. 상기 정공주입층(21)은 아릴 아민계 화합물, 포피린계의 금속착체 및 스타버스터형 아민류 등으로 이루어질 수 있다. 더욱 상세하게는 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐페닐아미노)트리페틸아미노(m-MTDATA), 1,3,5-트리스[4-(3-메틸페닐페닐아미노)페닐]벤젠(m-MTDATB) 및 프타로시아닌 구리(CuPc) 등으로 이루어질 수 있다.The hole injection layer 21 is positioned on the first electrode 10, and the hole injection layer 21 is formed of a material having a high interfacial adhesion with the first electrode 10 and a low ionization energy to inject holes. To increase the life of the device. The hole injection layer 21 may be made of an aryl amine compound, a porphyrin-based metal complex, and starburst amines. More specifically, 4,4 ', 4 "-tris (3-methylphenylphenylamino) trifetylamino (m-MTDATA), 1,3,5-tris [4- (3-methylphenylphenylamino) phenyl] benzene ( m-MTDATB) and phthalocyanine copper (CuPc) and the like.

상기 정공수송층(22)은 상기 정공주입층(21) 상부에 정공 이동도가 높은 물질로 형성되어 정공을 쉽게 발광층으로 운반시킬 뿐만 아니라 상기 제 2전극(30)으로부터 발생한 전자가 발광영역으로 이동되는 것을 억제시켜 줌으로써 발광효율을 높일수 있는 역할을 한다. 상기 정공수송층(22)은 아릴렌 디아민 유도체, 스타버스트형 화합물, 스피로기를 갖는 비페닐 디아민 유도체 및 사다리형 화합물 등으로 이루어질 수 있다. 더욱 상세하게는 N,N-디페닐-N,N'-비스(4-메틸페닐)-1,1'-바이페닐-4,4'-디아민(TPD)이거나 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB)일 수 있다.The hole transport layer 22 is formed of a material having a high hole mobility on the hole injection layer 21 to not only transport holes to the light emitting layer, but also electrons generated from the second electrode 30 are moved to the light emitting region. By suppressing the role to increase the luminous efficiency. The hole transport layer 22 may be made of an arylene diamine derivative, a starburst compound, a biphenyl diamine derivative having a spiro group, a ladder compound, and the like. More specifically N, N-diphenyl-N, N'-bis (4-methylphenyl) -1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (TPD) or 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPB).

상기 전자수송층(24)은 상기 유기 발광층(23) 상부에 적층되며 전자가 잘 수용될 수 있는 금속화합물로 이루어지며 제 2전극(30)으로부터 공급된 전자를 안정하게 수송할 수 있는 특성이 우수한 8-하이드로퀴놀린 알루미늄염(Alq3)으로 이루어질 수 있다.The electron transport layer 24 is stacked on top of the organic light emitting layer 23 and is made of a metal compound that can accommodate electrons well, and has excellent characteristics of stably transporting electrons supplied from the second electrode 30. -Hydroquinoline aluminum salt (Alq3).

여기서, 상기 유기막층(20)은 진공 증착, 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 브레이드, 잉크젯 프린팅 및 레이저열전사 등의 통상적인 방법을 통하여 형성될 수 있다.Here, the organic layer 20 may be formed through conventional methods such as vacuum deposition, spin coating, dip coating, doctor braid, inkjet printing and laser thermal transfer.

한편, 본발명에서는 풀칼라 유기전계발광소자를 구현함에 있어서, 적색, 녹색 및 청색 발광층이 상기와 같은 조건을 부합하는 호스트/도판트 물질을 사용하여 형성함으로써 발광 효율도 뛰어나며, 부가적인 정공 억제층이 필요 없는 풀칼라 유기전계발광소자를 형성할 수 있다. 따라서, 적색, 녹색 및 청색 발광층의 경우에는 호스트/도판트 혼합 매질을 유기 발광층내에서 전자이동도가 10-6㎠/Vs보다 빠른 호스트 및 인광 도판트를 사용하여 제조할 수 있다. 그러나, 인광재료를 사용하여 형성한 청색발광층의 경우, 그의 수명특성이 매우 불량한 것으로 밝혀지고 있다.Meanwhile, in the present invention, in implementing the full-color organic light emitting diode, the red, green, and blue light emitting layers are formed using a host / dopant material satisfying the above conditions, so that the luminous efficiency is excellent, and an additional hole suppression layer is provided. The full color organic electroluminescent element which does not need this can be formed. Thus, in the case of red, green and blue light emitting layers, host / dopant mixture media can be prepared using host and phosphorescent dopants having an electron mobility of greater than 10 −6 cm 2 / Vs in the organic light emitting layer. However, in the case of the blue light emitting layer formed using the phosphorescent material, its life characteristics have been found to be very poor.

따라서, 본 발명에서는 풀칼라 유기전계발광소자를 구현함에 있어, 적색 발 광층과 녹색 발광층의 경우 수명특성이 양호할 뿐 아니라 효율이 우수한 인광발광층으로 형성하고, 청색의 경우 수명특성을 고려하여 형광발광층으로 형성한다.Therefore, in the present invention, in implementing the full-color organic light emitting device, the red light emitting layer and the green light emitting layer not only have good life characteristics but also form a phosphorescent layer having excellent efficiency, and in the case of blue, a fluorescent light emitting layer in consideration of the life characteristic To form.

이하, 본 발명에 의한 풀칼라 유기전계발광소자의 구조를 도 2를 참고하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the structure of the full-color organic light emitting device according to the present invention will be described in detail with reference to FIG. 2.

도 2는 본 발명의 풀칼라 유기전계발광소자를 설명하기 위한 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating a full color organic light emitting display device according to the present invention.

도 2를 참고하면, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 단위화소영역들을 갖는 기판(100)을 제공한다. 상기 기판(100) 상에 버퍼층(105)을 형성하는 것이 바람직하다. 상기 버퍼층(105) 상에 통상적인 방법에 의하여 반도체층(110), 게이트 절연막(115), 게이트(120), 층간절연막(125) 및 소오스/드레인 전극(130)을 형성함으로써 구동 박막트랜지스터(150)를 형성한다. 상기 게이트(120)를 형성함에 있어서, 데이터 라인(135)을 함께 형성한다.Referring to FIG. 2, a substrate 100 having red (R), green (G), and blue (B) unit pixel regions is provided. It is preferable to form the buffer layer 105 on the substrate 100. The driving thin film transistor 150 may be formed on the buffer layer 105 by forming the semiconductor layer 110, the gate insulating layer 115, the gate 120, the interlayer insulating layer 125, and the source / drain electrode 130 by a conventional method. ). In forming the gate 120, the data line 135 is formed together.

이어서, 상기 구동 박막트랜지스터(150)가 형성된 기판 상에 패시베이션 절연막(160)을 형성하고, 상기 패시베이션 절연막(160) 내에 상기 화소구동 박막트랜지스터(150)의 소오스/드레인 전극들(130) 중 어느 하나를 노출시키는 비아홀을 형성한다. 상기 패시베이션 절연막(160)은 실리콘 질화막으로 형성하는 것이 바람직하다. 또한 상기 패시베이션 절연막(170) 상에 평탄화막을 더 포함할 수 있다.Subsequently, a passivation insulating layer 160 is formed on the substrate on which the driving thin film transistor 150 is formed, and any one of the source / drain electrodes 130 of the pixel driving thin film transistor 150 is formed in the passivation insulating layer 160. Form a via hole exposing the. The passivation insulating layer 160 is preferably formed of a silicon nitride film. In addition, a planarization layer may be further included on the passivation insulating layer 170.

이어서, 상기 비아홀이 형성된 기판 상에 제 1 전극물질을 적층하고, 이를 패터닝하여 각각의 단위화소영역에 제 1 전극(180)을 형성한다.Subsequently, a first electrode material is stacked on the substrate on which the via hole is formed and patterned to form a first electrode 180 in each unit pixel region.

상기 제 1전극(180)은 양극일 경우에 있어서, 일함수가 높은 금속으로서 ITO이거나 IZO로 이루어진 투명전극이거나, Pt, Au, Ir, Cr, Mg, Ag, Ni, Al 및 이들 의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 반사전극일 수 있다. When the first electrode 180 is an anode, a metal having a high work function is a transparent electrode made of ITO or IZO, or made of Pt, Au, Ir, Cr, Mg, Ag, Ni, Al, and an alloy thereof. It may be a reflective electrode selected from the group.

또한, 상기 제 1전극(180)이 음극일 경우, 일함수가 낮은 금속으로서 Mg, Ca, Al, Ag, Ba 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택하되 얇은 두께를 갖는 투명전극이거나, 두꺼운 반사전극일 수 있다. In addition, when the first electrode 180 is a cathode, a metal having a low work function is selected from the group consisting of Mg, Ca, Al, Ag, Ba, and alloys thereof. Can be.

이어서, 상기 제 1 전극(180) 상에 상기 제 1 전극(180)의 표면 일부를 노출시키는 개구부(195)를 갖는 화소정의막(pixel defining layer;190)을 형성하는 것이 바람직하다. 상기 개구부(195)를 갖는 화소정의막(190)은 발광영역을 정의하는 역할을 한다. 상기 화소정의막(190)은 아크릴계 수지, 벤조사이클로부텐(BCB) 및 폴리이미드(PI)로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 물질로 형성하는 것이 바람직하다.Subsequently, it is preferable to form a pixel defining layer 190 having an opening 195 exposing a part of the surface of the first electrode 180 on the first electrode 180. The pixel defining layer 190 having the opening 195 serves to define a light emitting area. The pixel defining layer 190 may be formed of one material selected from the group consisting of acrylic resin, benzocyclobutene (BCB), and polyimide (PI).

이어서, 상기 개구부(195) 내에 노출된 제 1 전극(190)을 포함한 기판 전면에 적어도 유기 발광층을 포함하는 유기막층(200)을 형성하되, 상기 적색 단위화소영역(R) 상에는 적색 인광을 방출하는 적색 인광발광층(200-3R), 상기 녹색 단위화소영역(G) 상에는 녹색 인광을 방출하는 녹색 인광발광층(200-3G), 상기 청색 단위화소영역(B) 상에는 청색 인광을 방출하는 청색 인광발광층(200-3B)을 각각 형성한다.Subsequently, an organic layer 200 including at least an organic emission layer is formed on the entire surface of the substrate including the first electrode 190 exposed in the opening 195, and emits red phosphorescence on the red unit pixel region R. A red phosphorescent layer 200-3R, a green phosphorescent layer 200-3G emitting green phosphorescence on the green unit pixel region G, and a blue phosphorescent layer emitting blue phosphorescence on the blue unit pixel region B ( 200-3B), respectively.

상기 적색 인광발광층(200-3R)은 상기 호스트는 아민계 화합물인 TMM-004(COVION사), 3-(4'-tert-부틸페닐)-4-페닐-5-(4'-비페닐)-1,2,4-트리아졸(TAZ) 및 4,4'-N,N'-디카르바졸-비페닐(CBP)로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 적색 인광발광층(200R)은 도판트 물질로서 비스(2-2-벤조[4,5-a]티에닐)피리딘네이토-N,C3)이리듐(Ⅲ)(Ir(BTPy)3), 비스(2-2-벤조[4,5-a]티에닐)피리딘네이토-N,C3)이리듐(아세틸아세토네이트)(btp2Ir(acac)), 비스(1-페닐이소퀴놀린)아세틸아세토네이트 이리듐(piqIr(acac)), 비스 (1-페닐퀴놀린)아세틸아세토네이트 이리듐(pqIr(acac)), 트리스(1-페틸퀴놀린 이리듐)(pqIr) 및 옥타에틸포피린 플랜티늄(PtOEP)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것이 바람직하다.The red phosphorescent layer (200-3R) is the host is an amine compound TMM-004 (COVION company), 3- (4'-tert-butylphenyl) -4-phenyl-5- (4'-biphenyl) -1,2,4-triazole (TAZ) and 4,4'-N, N'-dicarbazole-biphenyl (CBP). In addition, the red phosphorescent layer 200R is bis (2-2-benzo [4,5-a] thienyl) pyridineneito-N, C3) iridium (III) (Ir (BTPy) 3 ) as a dopant material. , Bis (2-2-benzo [4,5-a] thienyl) pyridinenato-N, C3) iridium (acetylacetonate) (btp2Ir (acac)), bis (1-phenylisoquinoline) acetylacetonate In the group consisting of iridium (piqIr (acac), bis (1-phenylquinoline) acetylacetonate iridium (pqIr (acac)), tris (1-pentylquinoline iridium) (pqIr) and octaethylporphyrin plantinium (PtOEP) It is preferable to include at least one selected.

상기 녹색 인광발광층(200-3G)은 상기 호스트는 아민계 화합물인 TMM-004(COVION사), 3-(4'-tert-부틸페닐)-4-페닐-5-(4'-비페닐)-1,2,4-트리아졸(TAZ) 및 4,4'-N,N'-디카르바졸-비페닐(CBP)로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 녹색 인광발광층(200-3G)은 도판트 물질로서 fac-트리스(2-페닐피리딘)이리듐((Ir(PPy)3 또는 비스(2-페닐피리딘네이토-N,C2')이리듐(아세틸-아세토네이트)(ppy2Ir(acac))를 포함하는 것이 바람직하다. In the green phosphorescent layer 200-3G, the host is an amine compound TMM-004 (COVION Co.), 3- (4'-tert-butylphenyl) -4-phenyl-5- (4'-biphenyl) -1,2,4-triazole (TAZ) and 4,4'-N, N'-dicarbazole-biphenyl (CBP). In addition, the green phosphorescent layer 200-3G is fac-tris (2-phenylpyridine) iridium ((Ir (PPy) 3 or bis (2-phenylpyridineneito-N, C 2 ′) iridium (2) as a dopant material. Acetyl-acetonate) (ppy2Ir (acac)).

상기 청색 인광발광층(200-3R)은 상기 호스트는 아민계 화합물인 TMM-004(COVION사), 3-(4'-tert-부틸페닐)-4-페닐-5-(4'-비페닐)-1,2,4-트리아졸(TAZ) 및 4,4'-N,N'-디카르바졸-비페닐(CBP)로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 청색 인광발광층(200-3R)은 도판트 물질로서 fac-트리스(2-(4,5'-디플로로페틸피리딘)이리듐(Firppy) 또는 비스[(4,6-디-플로르페닐)-피리디네이토-N,C2']피코리네이트(FIrpic)를 포함하는 것이 바람직하다.The blue phosphorescent layer 200-3R includes TMM-004 (COVION Co., Ltd.), 3- (4'-tert-butylphenyl) -4-phenyl-5- (4'-biphenyl), wherein the host is an amine compound. -1,2,4-triazole (TAZ) and 4,4'-N, N'-dicarbazole-biphenyl (CBP). In addition, the blue phosphorescent layer 200-3R may be a fac-tris (2- (4,5'-difluoropentylpyridine) iridium or bis [(4,6-di-fluorophenyl) as a dopant material. ) -Pyridinato-N, C2 '] picolinate (FIrpic).

여기서, 각각 선택하여 형성된 호스트/도판트 혼합매질에서의 전하이동도는 정공이동도보다 전자이동도가 빨라야 하며, 전자 이동도가 10-6㎠/Vs보다 빠르거나 같은 조건을 만족해야 한다. 또한 상기 유기발광층내의 도판트의 농도는 3 내지 50중량%이내인 것이 바람직하다. Here, the charge mobility in the host / dopant mixed medium, which is selected and formed, must be faster than the hole mobility, and the electron mobility must be faster than 10 −6 cm 2 / Vs or satisfy the same condition. In addition, the concentration of the dopant in the organic light emitting layer is preferably within 3 to 50% by weight.

그러나, 청색 인광 물질로 이루어진 유기발광소자는 그 수명이 매우 떨어지는 단점이 있어, 청색 인광 물질을 청색 형광 물질로 대체할 수 있다.However, an organic light emitting device made of a blue phosphor has a disadvantage in that its life is very short, so that the blue phosphor can be replaced with a blue phosphor.

상기 청색 형광발광층(200-3B)은 DPVBi, 스피로-DPVBi, 스피로-6P, 디스틸벤제(DSB), 디스티릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자 및 PPV계 고분자로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 물질을 포함하는 것이 바람직하다.The blue fluorescent layer 200-3B is one selected from the group consisting of DPVBi, Spiro-DPVBi, Spiro-6P, Distylbenze (DSB), Distyrylarylene (DSA), PFO-based polymer and PPV-based polymer. It is preferable to include the substance.

이로써, 유기 발광층내에서 전자이동도가 정공이동도보다 빠르게 함으로써, 정공이 유기 발광층외의 영역인 예를 들면, 전자수송층 등으로 전달되어 발광효율이 저해되는 것을 방지할 수 있다.As a result, the electron mobility in the organic light emitting layer is faster than the hole mobility, thereby preventing the hole from being transmitted to the electron transport layer or the like that is outside the organic light emitting layer, thereby preventing the luminous efficiency from being impaired.

이어서, 상기 각 단위화소영역별로 상기 유기 발광층을 포함하는 유기막층(200) 상에 제 2전극을 형성한다. 상기 제 2 전극(210)이 음극인 경우에 있어서, 상기 유기막층(200)의 상부에 형성되며 일함수가 낮은 도전성의 금속으로 Mg, Ca, Al, Ag 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질로서 얇은 두께를 갖는 투명전극이거나, 두꺼운 두께를 갖는 반사전극으로 형성된다.Subsequently, a second electrode is formed on the organic layer 200 including the organic emission layer for each unit pixel region. In the case where the second electrode 210 is a cathode, one selected from the group consisting of Mg, Ca, Al, Ag, and alloys thereof is a conductive metal having a low work function formed on the organic layer 200. It is formed of a transparent electrode having a thin thickness as a material of, or a reflective electrode having a thick thickness.

또한, 상기 제 2 전극(200)이 양극인 경우에 있어서, 일함수가 높은 금속으로서, ITO 또는 IZO로 이루어진 투명전극이거나, Pt, Au, Ir, Cr, Mg, Ag, Ni, Al 및 이들의 합금으로 이루어진 반사전극일 수 있다. In addition, when the second electrode 200 is an anode, the metal having a high work function is a transparent electrode made of ITO or IZO, or Pt, Au, Ir, Cr, Mg, Ag, Ni, Al, and the like. It may be a reflective electrode made of an alloy.

여기서, 상기 유기막층(200)은 정공주입층(200-1), 정공수송층(200-2) 및 전자수송층(200-4)중에서 하나 이상을 더 포함할 수 있다. The organic layer 200 may further include at least one of a hole injection layer 200-1, a hole transport layer 200-2, and an electron transport layer 200-4.

상기 정공주입층(200-1)은 상기 제 1전극(180), 즉 양극의 상부에 위치하며, 상기 양극(180)과 계면 접착력이 높고 이온화 에너지가 낮은 재료로 정공주입층(200-1)을 형성함으로써 정공 주입을 용이하게 하며 소자의 수명을 증가시킬 수 있다. 상기 정공주입층(200-1)은 아릴 아민계 화합물, 포피린계의 금속착체 및 스타버스터형 아민류 등으로 이루어질 수 있다. 더욱 상세하게는 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐페닐아미노)트리페틸아미노(m-MTDATA), 1,3,5-트리스[4-(3-메틸페닐페닐아미노)페닐]벤젠(m-MTDATB) 및 프타로시아닌 구리(CuPc) 등으로 이루어질 수 있다.The hole injection layer 200-1 is positioned above the first electrode 180, that is, the anode, and the hole injection layer 200-1 is made of a material having high interface adhesion with the anode 180 and low ionization energy. It is possible to facilitate hole injection and increase the lifetime of the device. The hole injection layer 200-1 may be formed of an aryl amine compound, a porphyrin-based metal complex, and starburst amines. More specifically, 4,4 ', 4 "-tris (3-methylphenylphenylamino) trifetylamino (m-MTDATA), 1,3,5-tris [4- (3-methylphenylphenylamino) phenyl] benzene ( m-MTDATB) and phthalocyanine copper (CuPc) and the like.

상기 정공수송층(200-2)은 상기 정공주입층(200-1) 상부에 정공 이동도가 높은 물질로 형성되어 정공을 쉽게 발광층으로 운반시킬 뿐만 아니라 상기 음극(210)으로부터 발생한 전자에 대한 본 층으로의 주입을 억제함으로써 발광효율을 높일 수 있는 역할을 한다. 상기 정공수송층(200-2)은 아릴렌 디아민 유도체, 스타버스트형 화합물, 스피로기를 갖는 비페닐 디아민 유도체 및 사다리형 화합물등으로 이루어질 수 있다. 더욱 상세하게는 N,N-디페닐-N,N'-비스(4-메틸페닐)-1,1'-바이페닐-4,4'-디아민(TPD)이거나 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB)일 수 있다.The hole transport layer 200-2 is formed of a material having high hole mobility on the hole injection layer 200-1 to easily transport holes to the light emitting layer, as well as the main layer for electrons generated from the cathode 210. By suppressing the injection into the role to increase the luminous efficiency. The hole transport layer 200-2 may include an arylene diamine derivative, a starburst compound, a biphenyl diamine derivative having a spiro group, a ladder compound, and the like. More specifically N, N-diphenyl-N, N'-bis (4-methylphenyl) -1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (TPD) or 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPB).

상기 전자수송층(200-4)은 상기 유기 발광층(200-3) 상부에 적층되며 전자가 잘 수용할 수 있는 금속화합물로 이루어지며 음극(210)으로부터 공급된 전자를 안정하게 수송할 수 있는 특성이 우수한 8-하이드로퀴놀린 알루미늄염(Alq3)으로 이루어질 수 있다.The electron transport layer 200-4 is stacked on the organic light emitting layer 200-3 and is made of a metal compound that can accommodate electrons well, and has a property of stably transporting electrons supplied from the cathode 210. Excellent 8-hydroquinoline aluminum salt (Alq3).

여기서, 상기 유기막층(200)은 진공 증착, 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 브레이드, 잉크젯 프린팅 및 레이저열전사 등의 통상적인 방법을 통하여 증착될 수 있다.The organic layer 200 may be deposited by a conventional method such as vacuum deposition, spin coating, dip coating, doctor braid, inkjet printing, and laser thermal transfer.

그리고 나서, 상부 메탈캔과 같은 봉지재로 밀봉함으로써 풀칼라 유기 전계 발광 표시 장치를 제조할 수 있다.Then, the full color organic light emitting display device may be manufactured by sealing with an encapsulant such as an upper metal can.

이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 단, 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이지 본 발명이 이들만으로 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples. However, an Example is for illustrating this invention and this invention is not limited only to these.

<실시예 1, 실시예 2 및 비교예 1 내지 비교예 3><Example 1, Example 2 and Comparative Examples 1 to 3>

ITO가 증착된 기판상부에 4,4',4'-트리스(3-메틸페닐테닐아미노)트리페닐아민(MTDATA)을 30nm로 진공 증착함으로써 정공주입층을 형성한 후, 상기 정공주입층 상부에 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB)을 30nm로 진공 증착하여 정공수송층을 형성하였다. 상기 정공수송층 상부에 <표1>에 제시된 호스트/도판트의 혼합매질을 20nm로 진공 증착하여 유기 발광층을 형성하였다. 여기서, 호스트는 전자수송능력이 뛰어난 아민계 화합물로서 TMM-004(COVION사), 4,4'-N,N'-디카르바졸-비페닐(CBP) 및 4,4',4"-트리스(N-카르바졸)트리페닐아민(TCTA)이며, 상기 도판트는 fac-트리스(2-페닐피리딘)이리듐(Ir(PPy)3 및 비스(2-2-벤조[4,5-a]티에닐)피리딘네이토-N,C3)이리듐(Ⅲ)Ir(BTPy)3) 7 중량%로 도핑 되어 있다. 이어서, 유기 발광층 상부에 8-하이드로퀴놀린 알루미늄염(Alq3)을 20nm로 적층하여 전자수송층으로 적층하고, 상기 전자수송층 상부에 음극을 적층한 뒤 유리로 봉지하여 유기전계발광소자를 제작하였다. 4,4 ', 4'-tris (3-methylphenyltenylamino) triphenylamine (MTDATA) was vacuum-deposited at 30 nm on the substrate on which ITO was deposited to form a hole injection layer, and then 4 above the hole injection layer. , 4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPB) was vacuum deposited at 30 nm to form a hole transport layer. The organic light emitting layer was formed by vacuum depositing a mixed medium of the host / dopant shown in Table 1 on the hole transport layer at 20 nm. Here, the host is an amine compound having excellent electron transport ability, TMM-004 (COVION Co.), 4,4'-N, N'-dicarbazole-biphenyl (CBP) and 4,4 ', 4 "-tris (N-carbazole) triphenylamine (TCTA), the dopant being fac-tris (2-phenylpyridine) iridium (Ir (PPy) 3 and bis (2-2-benzo [4,5-a] thienyl ) Pyridine Neato-N, C3) Iridium (III) Ir (BTPy) 3 ) 7 wt% Next, an 8-hydroquinoline aluminum salt (Alq3) was deposited at 20 nm on the organic light emitting layer to form an electron transport layer. The organic light emitting device was manufactured by stacking the cathode on the electron transport layer and encapsulating the cathode.

Figure 112006089823639-pat00010
Figure 112006089823639-pat00010

<비교예 4><Comparative Example 4>

ITO가 증착된 기판상부에 4,4',4'-트리스(3-메틸페닐테닐아미노)트리페닐아민(MTDATA)을 30nm로 적층함으로써 정공주입층을 형성한 후, 상기 정공주입층 상부에 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB)을 30nm로 적층하여 정공수송층을 형성하였다. 상기 정공수송층의 상부에 호스트(host)/도판트(dopant)의 혼합매질을 20nm로 적층하여 유기 발광층을 형성하였다. 여기서, 호스트는 4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐(CBP)이며, 상기 도판트는 비스(2-2-벤조[4,5-a]티에닐)피리딘네이토-N,C3)이리듐(Ⅲ)Ir(BTPy)3을 7 중량%로 도핑하였다. 이어서, 상기 유기 발광층의 상부에 Balq를 5nm의 두께로 적층하여 정공억제층을 형성한 뒤, 유기 발광층 상부에 8-하이드로퀴놀린 알루미늄염(Alq3)을 20nm로 적층하여 전자수송층으로 적층하고, 상기 전자수송층 상부에 캐소드를 적층한 뒤 유리로 봉지하여 유기전계발광소자를 제작하였다. 4,4 ', 4'-tris (3-methylphenyltenylamino) triphenylamine (MTDATA) was laminated on the substrate on which ITO was deposited at 30 nm to form a hole injection layer, and then 4,4 above the hole injection layer. 4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPB) was laminated at 30 nm to form a hole transport layer. The organic light emitting layer was formed by stacking a host / dopant mixed medium at 20 nm on the hole transport layer. Wherein the host is 4,4'-N, N'-dicarbazole-biphenyl (CBP) and the dopant is bis (2-2-benzo [4,5-a] thienyl) pyridinenate-N, C3) iridium (III) Ir (BTPy) 3 was doped at 7% by weight. Subsequently, a hole suppression layer is formed by stacking Balq on top of the organic light emitting layer at a thickness of 5 nm, and then 8-hydroquinoline aluminum salt (Alq3) is stacked at 20 nm on the organic light emitting layer and stacked as an electron transport layer. The cathode was laminated on the transport layer and encapsulated with glass to fabricate an organic light emitting display device.

Figure 112004037207715-pat00002
Figure 112004037207715-pat00002

<표2>에서와 같이 정공억제층이 없는 본 발명(실시예1)의 인광소자는 정공억제층이 있는 기존 인광소자(비교예4)보다 요구휘도에서의 구동전압이 작아지면서 발광효율은 종래의 인광소자와 동일하였으며, 색좌표도 거의 동일함을 볼 수 있다.As shown in Table 2, the phosphorescent device of the present invention (Example 1) without the hole suppression layer has a lower driving voltage at the required luminance than the conventional phosphorescent device with the hole suppression layer (Comparative Example 4), and thus the luminous efficiency is improved. It is the same as the phosphorescent device of, and the color coordinates can be seen to be almost the same.

도 3a 내지 도 3c는 호스트/도판트 혼합매질의 유기 발광층에서 전자이동도와 정공이동도가 동일시 되는 전제조건하에서 호스트/도판트 혼합매질의 전하이동도에 따른 유기 전계 발광 소자의 전하와 여기자 분포를 나타낸 것이다. 3A to 3C illustrate the charge and exciton distributions of the organic electroluminescent device according to the charge mobility of the host / dopant mixed medium under the precondition that the electron mobility and the hole mobility are the same in the organic light emitting layer of the host / dopant mixed medium. It is shown.

도 3a 내지 도 3c에서와 같이 호스트/도판트의 혼합매질의 전자이동도와 정공이동도가 비슷한 경우에 있어서 여기자 형성의 최대 영역은 주발광 영역에서 발생되지만 호스트/도판트 혼합매질의 전자이동도가 10-6㎠/Vs보다 느릴 경우에 있어서는 여기자가 형성되는 영역이 넓어지며 주발광 영역외에서 발생되는 여기자의 양도 증가함을 알 수 있다.In the case where the electron mobility and the hole mobility of the host / dopant mixed medium are similar to those of FIGS. 3A to 3C, the maximum region of exciton formation occurs in the main emission region, but the electron mobility of the host / dopant mixed medium is increased. When it is slower than 10 −6 cm 2 / Vs, it can be seen that the area where excitons are formed is widened and the amount of excitons generated outside the main emission area is also increased.

여기서, 주발광영역이라 함은 HTL과 EML의 경계면으로부터 EML층으로 100Å이내까지의 거리를 말한다. Here, the main emission region refers to the distance from the interface between the HTL and the EML to within 100 μs of the EML layer.

도 3a를 참조하면, 상기 호스트/도판트 혼합매질의 전자이동도가 10-6㎠/Vs일때 주발광영역에서 형성되는 여기자의 최대 밀도가 3.7×1022m-3이며, EML/ETL계면에서 형성되는 여기자의 밀도는 1.1×1022m-3이므로 주발광영역에서 형성되는 여기자의 최대 밀도에 대해 EML/ETL계면에서 형성되는 여기자의 밀도는 약 30%가 존재하므로 정공억제층을 필요로 하지 않는다. 반면에 도 3b에서와 같이, 호스트/도판트 혼합매질의 전자이동도가 10-7㎠/Vs일때 주발광영역에서는 최대 형성되는 여기자의 밀도는 8.3×1021m-3이며 EML/ETL 계면에서 형성되는 여기자의 밀도는 4.2×1021m-3이므로 주발광영역에서 형성되는 여기자의 최대 밀도에 대해 EML/ETL계면에서 형성되는 여기자의 밀도는 50% 이상 존재하여 여기자가 형성되는 영역도 증가함을 알 수 있다. 여기서 상기 유기 발광층내에서 여기자의 확산거리가 200Å 이하이므로 전자수송층내에서 여기자가 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 호스트/도판트 혼합매질의 전자이동도가 10-7㎠/Vs일때는 발광 효율을 높이기 위해 정공억제층을 필수적으로 형성해야 한다. 또한, 도 3c에서와 같이 호스트/도판트 혼합매질의 전자이동도가 10-8㎠/Vs일 때도 마찬가지로 주발광영역에서의 최대 형성되는 여기자의 밀도는 1.6×1021m-3이며 주발광영역에서 형성되는 여기자의 밀도는 1×1021m-3이므로 주발광영역에서 형성되는 여기자의 최대 밀도에 대해 EML/ETL 계면에서 형성되는 여기자의 밀도는 55% 이상 존재하므로 필히 정공억제층을 필요로 한다.Referring to FIG. 3A, when the electron mobility of the host / dopant mixture medium is 10 −6 cm 2 / Vs, the maximum density of excitons formed in the main emission region is 3.7 × 10 22 m −3 , and in the EML / ETL interface. Since the density of excitons formed is 1.1 × 10 22 m -3 , the density of excitons formed in the EML / ETL interface is about 30% with respect to the maximum density of excitons formed in the main emission region. Do not. On the other hand, as shown in FIG. 3B, when the electron mobility of the host / dopant mixture medium is 10 −7 cm 2 / Vs, the density of the excitons formed in the main emission region is 8.3 × 10 21 m −3, and at the EML / ETL interface. The density of excitons formed is 4.2 × 10 21 m -3 It can be seen that the density of excitons formed in the EML / ETL interface is 50% or more with respect to the maximum density of excitons formed in the main emission region, thereby increasing the region in which excitons are formed. Here, since the diffusion distance of the excitons in the organic light emitting layer is 200 Å or less, excitons may be formed in the electron transport layer. Accordingly, when the electron mobility of the host / dopant mixture medium is 10 −7 cm 2 / Vs, a hole suppression layer must be formed in order to increase luminous efficiency. Also, as shown in FIG. 3C, when the electron mobility of the host / dopant mixture medium is 10 −8 cm 2 / Vs, the density of the excitons formed in the main emission region is 1.6 × 10 21 m −3, and the main emission region is the same. Since the density of excitons formed at is 1 × 10 21 m -3 , the density of excitons formed at the EML / ETL interface is greater than 55% with respect to the maximum density of excitons formed in the main emission region. Therefore, a hole suppression layer is required. do.

이에 따라, 호스트/도판트 혼합매질의 전자이동도가 10-6㎠/Vs이하로 느려짐에 따라 EML/ETL의 계면에서 생성되는 여기자의 양이 증가하며, 여기자가 생성되는 영역도 증가하게 되므로 발광효율을 높이기 위해서는 정공 억제층을 필수적으로 형성해야 한다.Accordingly, as the electron mobility of the host / dopant mixture medium decreases to 10 −6 cm 2 / Vs or less, the amount of excitons generated at the interface of the EML / ETL increases, and the area in which excitons are generated also increases. In order to increase the efficiency, it is necessary to form a hole suppression layer.

도 3a 및 도 3d 내지 3e는 유기 발광층의 호스트/도판트 혼합매질내에서 전 하이동도와 정공이동도의 차이에 따른 유기 전계 발광 소자의 전하와 여기자 분포를 나타낸 것으로서, 그 전제조건은 호스트/도판트의 혼합매질의 전자이동도는 10-6㎠/Vs보다 빠른 물질로 형성한다. 3A and 3D to 3E illustrate the charge and exciton distribution of the organic EL device according to the difference between the total high mobility and the hole mobility in the host / dopant mixed medium of the organic light emitting layer. The electron mobility of the mixed media of the substrate is formed of a material faster than 10 −6 cm 2 / Vs.

도 3a를 참조하면, 상기 호스트/도판트 혼합매질의 전자이동도와 정공이동도가 같을때 주발광영역에서의 최대 형성되는 여기자의 밀도에 대해 EML/ETL 계면에서 형성되는 여기자의 밀도가 약 30%가 존재하므로 정공억제층을 필요로 하지 않는다.Referring to FIG. 3A, when the electron mobility and the hole mobility of the host / dopant mixture medium are the same, the density of excitons formed at the EML / ETL interface is about 30% relative to the density of the excitons formed in the main emission region. Is present and does not require a hole suppression layer.

또한, 도 3d에서와 같이 상기 호스트/도판트 혼합매질의 유기 발광층에서 상기 호스트/도판트 혼합매질의 유기 발광층에서 전자이동도가 정공이동도보다 빠르면 주발광영역에서 90% 이상의 여기자가 형성되는 것을 알 수 있으며, 반면에 도 3e에서와 같이 상기 호스트/도판트 혼합매질의 유기 발광층에서 정공이동도가 전자이동도보다 빠를 경우에 있어서는 주발광영역에서는 2%의 여기자가 형성되고, 오히려 EML/ETL 계면에서 98%의 여기자가 형성되는 것으로 보아 필수적으로 정공억제층을 형성해야 한다.In addition, as shown in FIG. 3D, when the electron mobility is faster than the hole mobility in the organic light emitting layer of the host / dopant mixture medium, excitons of 90% or more are formed in the main emission region. On the other hand, in the case where the hole mobility is faster than the electron mobility in the organic light emitting layer of the host / dopant mixed medium as shown in Figure 3e, 2% exciton is formed in the main emission region, rather EML / ETL Since 98% of excitons are formed at the interface, it is necessary to form a hole suppression layer.

이에 따라 호스트/도판트 혼합매질에서의 전자이동도는 10-6㎠/Vs보다 빠르게 형성하며, 호스트/도판트 혼합매질에서의 전자이동도는 정공이동도보다 빠르거나 같아야 한다. Accordingly, the electron mobility in the host / dopant mixture medium is faster than 10 −6 cm 2 / Vs, and the electron mobility in the host / dopant mixture medium should be faster than or equal to the hole mobility.

또한, 도 3a, 도 3b 및 도 3d에서와 같이 여기자가 형성되는 영역은 0 내지 50Å의 두께로 형성되므로 상기 유기 발광층의 두께는 1000Å 이하로 적층할 수 있다. 더욱 바람직하게는 발광층은 400Å 이하로 형성한다.In addition, as shown in FIGS. 3A, 3B, and 3D, the region in which the exciton is formed is formed to a thickness of 0 to 50 GPa, so that the thickness of the organic light emitting layer may be stacked to 1000 GPa or less. More preferably, the light emitting layer is formed at 400 kPa or less.

이에 따라, 호스트/도판트 혼합매질의 유기 발광층내에서 전자이동도는 10-6㎠/Vs보다 빠르며, 또한 호스트/도판트 혼합매질내에서 정공이동도보다 전자이동도가 빠르거나 같을 경우에 주발광영역내에서 여기자가 좁은 영역에서 형성되며, 여기자의 확산거리가 200Å이하가 되면 정공억제층의 제공 없이 발광효율을 높일 수 있다.Accordingly, the electron mobility in the organic light emitting layer of the host / dopant mixture medium is faster than 10 -6 cm 2 / Vs, and the electron mobility is faster or the same as the hole mobility in the host / dopant mixture medium. In the light emitting region, excitons are formed in a narrow region, and when the diffusion distance of the excitons is 200 m or less, the luminous efficiency can be increased without providing the hole suppression layer.

상술한 바와 같이 본 발명에 따르면 유기 발광층의 정공과 전자의 전하이동도를 조절함으로써 정공이 전자 수송층으로 투입되는 것을 방지하고 부가적인 정공억제층을 필요로 하지 않는 유기전계발광소자를 제조함에 있어서 증착 공정을 줄일 수 있으며 상기와 같은 문제점을 해결함으로써 제품의 원가 절감 및 생산성을 향상시킬 수 있다. As described above, according to the present invention, by controlling the charge mobility of holes and electrons in the organic light emitting layer, deposition is prevented from being introduced into the electron transport layer and in the manufacture of an organic light emitting device that does not require an additional hole suppression layer. The process can be reduced and the cost reduction and productivity of the product can be improved by solving the above problems.

Claims (57)

제 1전극과; A first electrode; 상기 제 1전극 상부에 발광을 위한 유기 발광층을 포함하는 유기막층과; An organic film layer including an organic light emitting layer for emitting light on the first electrode; 상기 유기막층 상부에 형성된 제 2전극을 포함하며, A second electrode formed on the organic layer; 상기 유기 발광층은 전자이동도가 10-6㎠/Vs보다 빠른 호스트/인광 도판트의 혼합매질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.And the organic light emitting layer is formed of a mixed medium of a host / phosphorescent dopant having an electron mobility of greater than 10 −6 cm 2 / Vs. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유기막층은 정공주입층, 정공수송층, 전자주입층 및 전자수송층으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.The organic layer is an organic electroluminescent device comprising at least one selected from the group consisting of a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer and an electron transport layer. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유기 발광층의 전하 이동도는 전자 이동도가 정공이동도에 비해 빠르거나 같은 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.The charge mobility of the organic light emitting layer is an organic electroluminescent device, characterized in that the electron mobility is faster or the same as the hole mobility. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유기 발광층은 호스트와 도판트의 혼합막으로서 도판트의 농도가 3 내지 50중량% 이내인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.The organic light emitting layer is a mixed film of the host and the dopant, the organic EL device, characterized in that the concentration of the dopant is within 3 to 50% by weight. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 호스트는 전자수송성 아민계 화합물, 3-(4'-tert-부틸페닐)-4-페닐-5-(4'-바이페닐)-1,2,4-트리아졸(TAZ) 및 4,4'-N,N'-디카르바졸-비페닐(CBP)로 이루어진 군에서 선택되는 한가지 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.The host is an electron transporting amine compound, 3- (4'-tert-butylphenyl) -4-phenyl-5- (4'-biphenyl) -1,2,4-triazole (TAZ) and 4,4 An organic electroluminescent device, which is formed of one material selected from the group consisting of '-N, N'-dicarbazole-biphenyl (CBP). 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 도판트는 Pt, Ir, Tb 및 Eu로 이루어진 군에서 선택되는 한가지 물질을 포함하는 유기금속착물로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.The dopant is an organic electroluminescent device, characterized in that formed of an organometallic complex containing one material selected from the group consisting of Pt, Ir, Tb and Eu. 제 5항 또는 제 6항에 있어서,The method according to claim 5 or 6, 상기 호스트/도판트는 호스트 물질인 전자수송성 아민계 화합물에 Ir(PPy)3 또는 Ir(BTPy)3를 7 중량%로 도핑하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.The host / dopant is formed by doping Ir (PPy) 3 or Ir (BTPy) 3 to 7 wt% of an electron transporting amine compound as a host material. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 유기 발광층은 정공 수송층과 유기 발광층의 경계면에서부터 0 내지 100Å 이내에서 여기자가 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.The organic light emitting device is characterized in that the exciton is formed within 0 to 100 kHz from the interface between the hole transport layer and the organic light emitting layer. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유기 발광층의 두께는 50 내지 1000Å 이하인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.The organic light emitting device has a thickness of 50 to 1000 Pa or less. 제 9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 유기 발광층의 두께는 50 내지 400Å 이하인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.The organic light emitting device has a thickness of 50 to 400 kPa or less. 제 1전극을 형성하는 단계와; Forming a first electrode; 상기 제 1전극 상부에 발광을 위한 유기 발광층을 포함하는 유기막층을 형성하는 단계와; Forming an organic film layer including an organic light emitting layer for emitting light on the first electrode; 상기 유기막층 상부에 제 2전극을 형성하는 단계를 포함하며, Forming a second electrode on the organic layer; 상기 유기 발광층은 전자이동도가 10-6㎠/Vs보다 빠른 호스트/인광 도판트의 혼합매질로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.The organic light emitting layer is a method of manufacturing an organic electroluminescent device, characterized in that the electron mobility is formed of a mixed medium of a host / phosphor dopant faster than 10 -6 cm 2 / Vs. 제 11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 제 1 전극은 양극 또는 음극인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법. The first electrode is a method of manufacturing an organic EL device, characterized in that the anode or cathode. 제 11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 유기막층은 정공주입층, 정공수송층, 전자주입층 및 전자수송층으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.The organic film layer is a method of manufacturing an organic electroluminescent device further comprises at least one selected from the group consisting of a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer and an electron transport layer. 제 11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 유기 발광층은 전자 이동도가 10-6㎠/Vs 보다 빠르며, 발광층의 전하 이동도는 전자 이동도가 정공이동도에 비해 빠르거나 같은 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.The organic light emitting layer has a faster electron mobility than 10 -6 cm 2 / Vs, the charge mobility of the light emitting layer is a method of manufacturing an organic electroluminescent device, characterized in that the electron mobility is made faster or the same as the hole mobility. 제 11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 호스트/도판트는 호스트 물질인 전자수송성 아민계 화합물에 Ir(PPy)3 또는 Ir(piq)3를 7 중량%로 도핑하여 형성된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.The host / dopant is a method of manufacturing an organic electroluminescent device, characterized in that by doping Ir (PPy) 3 or Ir (piq) 3 to 7% by weight of the electron transporting amine compound of the host material. 제 11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 유기 발광층의 두께는 50 내지 1000Å 이하로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.The organic light emitting layer has a thickness of 50 to 1000 Pa or less, characterized in that the manufacturing method of the organic EL device. 제 11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 유기 발광층의 두께는 50 내지 400Å 이하로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.The organic light emitting layer has a thickness of 50 to 400 Pa or less, characterized in that the manufacturing method of the organic EL device. 제 11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 유기막층은 열 진공 증착, 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 브레이드, 잉크젯 프린팅 및 레이저열전사로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 방법을 통하여 증착되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.The organic film layer is a method of manufacturing an organic electroluminescent device, characterized in that the deposition by any one method selected from the group consisting of thermal vacuum deposition, spin coating, dip coating, doctor braid, inkjet printing and laser thermal transfer. 제 1전극과;A first electrode; 상기 제 1전극 상부에 발광을 위한 유기 발광층을 포함하는 유기막층과;An organic film layer including an organic light emitting layer for emitting light on the first electrode; 상기 유기막층 상부에 형성된 제 2전극을 포함하며, A second electrode formed on the organic layer; 상기 제 1전극 방향의 유기 발광층의 경계면으로부터 100Å 이내에서 형성된 최대의 여기자의 밀도에 대해 상기 제 2전극 방향의 유기 발광층의 경계면에서 형성되는 여기자의 밀도가 50% 이하로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.Wherein the density of excitons formed at the boundary surface of the organic light emitting layer in the second electrode direction is 50% or less with respect to the density of the maximum excitons formed within 100 kPa from the boundary surface of the organic light emitting layer in the first electrode direction. EL device. 제 19항에 있어서,The method of claim 19, 상기 유기막층은 정공주입층, 정공수송층, 전자주입층 및 전자수송층으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.The organic layer is an organic electroluminescent device further comprises one or more selected from the group consisting of a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer and an electron transport layer. 제 19항에 있어서,The method of claim 19, 상기 유기 발광층의 전하 이동도는 전자 이동도가 정공이동도에 비해 빠르거나 같은 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.The charge mobility of the organic light emitting layer is an organic electroluminescent device, characterized in that the electron mobility is faster or the same as the hole mobility. 제 19항에 있어서,The method of claim 19, 상기 유기 발광층은 호스트와 도판트의 혼합막으로서 도판트의 농도가 3 내지 50 중량% 이내인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.The organic light emitting layer is a mixed film of the host and the dopant, the organic EL device, characterized in that the concentration of the dopant is within 3 to 50% by weight. 제 19항에 있어서,The method of claim 19, 상기 호스트는 전자수송성 아민계 화합물, 3-(4'-tert-부틸페닐)-4-페닐-5-(4'-바이페닐)-1,2,4-트리아졸(TAZ) 및 4,4'-N,N'-디카르바졸-비페닐(CBP)로 이루어진 군에서 선택되는 한가지 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.The host is an electron transporting amine compound, 3- (4'-tert-butylphenyl) -4-phenyl-5- (4'-biphenyl) -1,2,4-triazole (TAZ) and 4,4 An organic electroluminescent device, which is formed of one material selected from the group consisting of '-N, N'-dicarbazole-biphenyl (CBP). 제 19항에 있어서,The method of claim 19, 상기 도판트는 Pt, Ir, Tb 및 Eu로 이루어진 군에서 선택되는 한가지 물질을 포함하는 유기금속착물로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.The dopant is an organic electroluminescent device, characterized in that formed of an organometallic complex containing one material selected from the group consisting of Pt, Ir, Tb and Eu. 제 23항 또는 제 24항에 있어서,The method according to claim 23 or 24, 상기 호스트/도판트는 호스트 물질인 전자수송성 아민계 화합물에 Ir(PPy)3 또는 Ir(piq)3를 7 중량%로 도핑하여 형성된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.The host / dopant is formed by doping Ir (PPy) 3 or Ir (piq) 3 to 7% by weight of the electron transporting amine compound of the host material. 제 19항에 있어서,The method of claim 19, 상기 유기 발광층의 두께는 50 내지 1000Å 이하인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.The organic light emitting device has a thickness of 50 to 1000 Pa or less. 제 26항에 있어서,The method of claim 26, 상기 유기 발광층의 두께는 50 내지 400Å 이하인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자The organic light emitting layer has a thickness of 50 to 400 Pa or less. 적색, 녹색 및 청색 화소영역들을 갖는 기판과;A substrate having red, green and blue pixel regions; 상기 화소영역들 상에 각각 위치하는 제 1 전극들과;First electrodes on the pixel areas, respectively; 상기 제 1 전극들 상에 각각 위치하는 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층으로 된 유기 발광층을 포함하는 유기막층과;An organic film layer including an organic light emitting layer comprising a red light emitting layer, a green light emitting layer, and a blue light emitting layer, respectively positioned on the first electrodes; 상기 유기막층상에 위치하는 제 2 전극을 포함하며, A second electrode on the organic layer; 상기 유기 발광층중에서 1층 이상의 층은 전자이동도가 10-6㎠/Vs보다 빠른 호스트/인광 도판트의 혼합매질로 형성되는 것을 특징으로 하는 풀칼라 유기 전계 발광 표시 장치.At least one layer of the organic light emitting layer is formed of a mixed medium of a host / phosphor dopant having an electron mobility of more than 10 -6 cm 2 / Vs. 제 28항에 있어서,The method of claim 28, 상기 유기막층은 정공주입층, 정공수송층, 전자주입층 및 전자수송층으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 풀칼라 유기 전계 발광 표시 장치.The organic layer is a full-color organic light emitting display device further comprises at least one selected from the group consisting of a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer and an electron transport layer. 제 28항에 있어서,The method of claim 28, 상기 유기 발광층의 전하 이동도는 전자 이동도가 정공이동도에 비해 빠르거나 같은 것을 특징으로 하는 풀칼라 유기 전계 발광 표시 장치.Full charge organic light emitting display device, characterized in that the charge mobility of the organic light emitting layer is faster than or equal to the hole mobility. 제 28항에 있어서,The method of claim 28, 상기 유기 발광층은 호스트와 도판트의 혼합막으로서 도판트의 농도가 3 내지 50 중량% 이내인 것을 특징으로 하는 풀칼라 유기 전계 발광 표시 장치.The organic light emitting layer is a mixture of a host and a dopant, the dopant concentration is within 3 to 50% by weight, full-color organic light emitting display device. 제 28항에 있어서,The method of claim 28, 상기 호스트는 전자수송성 아민계 화합물, 3-(4'-tert-부틸페닐)-4-페닐-5-(4'-바이페닐)-1,2,4-트리아졸(TAZ) 및 4,4'-N,N'-디카르바졸-비페닐(CBP)로 이루어진 군에서 선택되는 한가지 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 풀칼라 유기 전계 발광 표시 장치.The host is an electron transporting amine compound, 3- (4'-tert-butylphenyl) -4-phenyl-5- (4'-biphenyl) -1,2,4-triazole (TAZ) and 4,4 Full color organic electroluminescent display device, characterized in that formed of one material selected from the group consisting of '-N, N'-dicarbazole-biphenyl (CBP). 제 28항에 있어서,The method of claim 28, 상기 도판트는 Pt, Ir, Tb 및 Eu로 이루어진 군에서 선택되는 한가지 물질을 포함하는 유기금속착물로 형성되는 것을 특징으로 하는 풀칼라 유기 전계 발광 표시 장치.And the dopant is formed of an organometallic complex including one material selected from the group consisting of Pt, Ir, Tb, and Eu. 제 33항에 있어서,The method of claim 33, 상기 적색 발광층은 도판트 물질로서 비스(2-2-벤조[4,5-a]티에닐)피리딘네이토-N,C3)이리듐(Ⅲ)(Ir(BTPy)3), 비스(2-2-벤조[4,5-a]티에닐)피리딘네이토-N,C3)이리듐(아세틸아세토네이트)(btp2Ir(acac)), 비스(1-페닐이소퀴놀린)아세틸아세토네이트 이리듐(piqIr(acac)), 비스 (1-페닐퀴놀린)아세틸아세토네이트 이리듐(pqIr(acac)), 트리스(1-페틸퀴놀린 이리듐)(pqIr) 및 옥타에틸포피린 플랜티늄(PtOEP)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 풀칼라 유기 전계 발광 표시 장치.The red light-emitting layer is a bis (2-2-benzo [4,5-a] thienyl) pyridineneito-N, C3) iridium (III) (Ir (BTPy) 3 ), bis (2-2) as a dopant material. -Benzo [4,5-a] thienyl) pyridinateito-N, C3) iridium (acetylacetonate) (btp2Ir (acac)), bis (1-phenylisoquinoline) acetylacetonate iridium (piqIr (acac) ), Bis (1-phenylquinoline) acetylacetonate iridium (pqIr (acac)), tris (1-pentylquinoline iridium) (pqIr) and octaethylporphyrin planinium (PtOEP) Full color organic electroluminescent display. 제 33항에 있어서,The method of claim 33, 상기 녹색 발광층은 도판트 물질로서 fac-트리스(2-페닐피리딘)이리듐((Ir(PPy)3 또는 비스(2-페닐피리딘네이토-N,C2')이리듐(아세틸-아세토네이트)(ppy2Ir(acac))로 이루어지는 것을 특징으로 하는 풀칼라 유기 전계 발광 표시 장치.The green light-emitting layer is made of fac-tris (2-phenylpyridine) iridium ((Ir (PPy) 3 or bis (2-phenylpyridineneito-N, C2 ′) iridium (acetyl-acetonate)) ppy2Ir ( acac)) full color organic light emitting display device. 제 33항에 있어서,The method of claim 33, 상기 청색 발광층은 도판트 물질로서 fac-트리스(2-(4,5'-디플로로페틸피리딘)이리듐(Firppy) 또는 비스[(4,6-디-플로르페닐)-피리디네이토-N,C2']피코리네이트(FIrpic)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 풀칼라 유기 전계 발광 표시 장치.The blue light emitting layer may be a fac-tris (2- (4,5'-difluoropentylpyridine) iridium or bis [(4,6-di-fluorophenyl) -pyridinate-N as a dopant material. And C2 '] picolinate (FIrpic). 제 28항에 있어서,The method of claim 28, 상기 적색 유기 발광층은 호스트 물질인 전자수송성 아민계 화합물에 Ir(piq)3를 7 중량%로 도핑하여 형성되는 것을 특징으로 하는 풀칼라 유기 전계 발광 표시 장치.The red organic light emitting layer is formed by doping Ir (piq) 3 to 7 wt% of an electron transporting amine compound as a host material. 제 28항에 있어서,The method of claim 28, 상기 녹색 유기 발광층은 호스트 물질인 전자수송성 아민계 화합물에 Ir(PPy)3를 7 중량%로 도핑하여 형성되는 것을 특징으로 하는 풀칼라 유기 전계 발광 표시 장치.And the green organic light emitting layer is formed by doping Ir (PPy) 3 to 7 wt% with an electron transporting amine compound as a host material. 제 28항에 있어서, The method of claim 28, 상기 유기 발광층은 정공수송층과 유기 발광층의 경계면으로부터 0 내지 100Å내에서 여기자가 형성되는 것을 특징으로 하는 풀칼라 유기 전계 발광 표시 장치.The organic light emitting layer is a full-color organic light emitting display device, characterized in that the exciton is formed within 0 to 100 kHz from the interface between the hole transport layer and the organic light emitting layer. 제 28항에 있어서,The method of claim 28, 상기 유기 발광층의 두께는 50 내지 1000Å 이하인 것을 특징으로 하는 풀칼라 유기 전계 발광 표시 장치.The organic light emitting display device has a thickness of 50 to 1000 GPa or less. 제 40항에 있어서,The method of claim 40, 상기 유기 발광층의 두께는 50 내지 400Å 이하인 것을 특징으로 하는 풀칼라 유기 전계 발광 표시 장치.The organic light emitting display device has a thickness of 50 to 400 GPa or less. 제 28항에 있어서,The method of claim 28, 상기 청색 발광층은 DPVBi, 스피로-DPVBi, 스피로-6P, 디스틸벤제(DSB), 디스티릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자 및 PPV계 고분자로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 물질을 포함하는 청색 형광 발광층인 것을 특징으로 하는 풀칼라 유기 전계 발광 표시 장치.The blue light emitting layer is blue fluorescent material comprising one material selected from the group consisting of DPVBi, Spiro-DPVBi, Spiro-6P, distilbene (DSB), distyrylarylene (DSA), PFO-based polymer and PPV-based polymer A full color organic light emitting display device, characterized in that the light emitting layer. 적색, 녹색 및 청색의 단위화소영역들을 구비한 기판을 제공하고,Providing a substrate having unit pixel regions of red, green, and blue, 상기 화소영역들 상에 각각 제 1 전극들을 형성하고,Forming first electrodes on the pixel regions, 상기 제 1 전극들 상에 적색 인광발광층, 녹색 인광발광층 및 청색 형광발광층으로 된 유기 발광층을 포함하는 유기막층을 형성하고,Forming an organic layer on the first electrodes including an organic light emitting layer including a red phosphorescent light emitting layer, a green phosphorescent light emitting layer, and a blue fluorescent light emitting layer, 상기 각각 유기막층상에 제 2 전극을 형성하되, 상기 유기 발광층중에서 1 이상의 층은 전자이동도가 10-6㎠/Vs보다 빠른 호스트/인광 도판트의 혼합매질로 형성하는 것을 특징으로 하는 풀칼라 유기전계발광소자의 제조방법.A second electrode is formed on each of the organic film layers, wherein at least one layer of the organic light emitting layer is formed of a mixed medium of a host / phosphorous dopant having an electron mobility of 10 −6 cm 2 / Vs or faster. Method for manufacturing an organic light emitting device. 제 43항에 있어서,The method of claim 43, 상기 유기막층은 정공주입층, 정공수송층, 전자주입층 및 전자수송층으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 풀칼라 유기전계발광 소자의 제조방법.The organic layer is a method of manufacturing a full-color organic electroluminescent device further comprises at least one selected from the group consisting of a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer and an electron transport layer. 제 43항에 있어서,The method of claim 43, 상기 유기 발광층의 전하 이동도는 전자 이동도가 정공이동도에 비해 빠르거나 같은 것을 특징으로 하는 풀칼라 유기전계발광소자의 제조방법.The charge mobility of the organic light emitting layer is a method of manufacturing a full color organic light emitting device, characterized in that the electron mobility is faster or the same as the hole mobility. 제 43항에 있어서,The method of claim 43, 상기 유기 발광층은 호스트와 도판트의 혼합막으로서 도판트의 농도가 3 내지 50 중량% 이내인 것을 특징으로 하는 풀칼라 유기전계발광소자의 제조방법.The organic light emitting layer is a mixed film of the host and the dopant, the concentration of the dopant is within 3 to 50% by weight manufacturing method of a full color organic light emitting device. 제 43항에 있어서,The method of claim 43, 상기 호스트는 전자수송성 아민계 화합물, 3-(4'-tert-부틸페닐)-4-페닐-5-(4'-바이페닐)-1,2,4-트리아졸(TAZ) 및 4,4'-N,N'-디카르바졸-비페닐(CBP)로 이루 어진 군에서 선택되는 한가지 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 풀칼라 유기 전계 발광 표시 장치의 제조방법.The host is an electron transporting amine compound, 3- (4'-tert-butylphenyl) -4-phenyl-5- (4'-biphenyl) -1,2,4-triazole (TAZ) and 4,4 A method of manufacturing a full color organic electroluminescent display device, characterized in that it is formed of one material selected from the group consisting of '-N, N'-dicarbazole-biphenyl (CBP). 제 43항에 있어서,The method of claim 43, 상기 도판트는 Pt, Ir, Tb 및 Eu로 이루어진 군에서 선택되는 한가지 물질을 포함하는 유기금속착물로 형성되는 것을 특징으로 하는 풀칼라 유기전계발광소자의 제조방법.The dopant is a method of manufacturing a full color organic electroluminescent device, characterized in that formed of an organometallic complex containing one material selected from the group consisting of Pt, Ir, Tb and Eu. 제 48항에 있어서,The method of claim 48, 상기 적색 발광층은 도판트 물질로서 비스(2-2-벤조[4,5-a]티에닐)피리딘네이토-N,C3)이리듐(Ⅲ)(Ir(BTPy)3), 비스(2-2-벤조[4,5-a]티에닐)피리딘네이토-N,C3)이리듐(아세틸아세토네이트)(btp2Ir(acac)), 비스(1-페닐이소퀴놀린)아세틸아세토네이트 이리듐(piqIr(acac)), 비스 (1-페닐퀴놀린)아세틸아세토네이트 이리듐(pqIr(acac)), 트리스(1-페틸퀴놀린 이리듐)(pqIr) 및 옥타에틸포피린 플랜티늄(PtOEP)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 풀칼라 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.The red light-emitting layer is a bis (2-2-benzo [4,5-a] thienyl) pyridineneito-N, C3) iridium (III) (Ir (BTPy) 3 ), bis (2-2) as a dopant material. -Benzo [4,5-a] thienyl) pyridinateito-N, C3) iridium (acetylacetonate) (btp2Ir (acac)), bis (1-phenylisoquinoline) acetylacetonate iridium (piqIr (acac) ), Bis (1-phenylquinoline) acetylacetonate iridium (pqIr (acac)), tris (1-pentylquinoline iridium) (pqIr) and octaethylporphyrin planinium (PtOEP) The manufacturing method of the full color organic electroluminescent display characterized by the above-mentioned. 제 48항에 있어서,The method of claim 48, 상기 녹색 발광층은 도판트 물질로서 fac-트리스(2-페닐피리딘)이리듐((Ir(PPy)3 또는 비스(2-페닐피리딘네이토-N,C2')이리듐(아세틸-아세토네이트)(ppy2Ir(acac))로 이루어지는 것을 특징으로 하는 풀칼라 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.The green light-emitting layer is made of fac-tris (2-phenylpyridine) iridium ((Ir (PPy) 3 or bis (2-phenylpyridineneito-N, C2 ′) iridium (acetyl-acetonate)) ppy2Ir ( acac)). A method for manufacturing a full color organic light emitting display device. 제 48항에 있어서,The method of claim 48, 상기 청색 발광층은 도판트 물질로서 fac-트리스(2-(4,5'-디플로로페틸피리딘)이리듐(Firppy) 또는 비스[(4,6-디-플로르페닐)-피리디네이토-N,C2']피코리네이트(FIrpic)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 풀칼라 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.The blue light emitting layer may be a fac-tris (2- (4,5'-difluoropentylpyridine) iridium or bis [(4,6-di-fluorophenyl) -pyridinate-N as a dopant material. , C2 '] picolinate (FIrpic). A manufacturing method of a full color organic electroluminescent display device. 제 43항에 있어서,The method of claim 43, 상기 적색 유기 발광층은 호스트 물질인 전자수송성 아민계 화합물에 Ir(piq)3를 7 중량%로 도핑하여 형성된 것을 특징으로 하는 풀칼라 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.And the red organic light emitting layer is formed by doping Ir (piq) 3 to 7% by weight of an electron transporting amine compound as a host material. 제 43항에 있어서,The method of claim 43, 상기 녹색 유기 발광층은 전자수송성 아민계 화합물에 Ir(PPy)3를 7 중량%로 도핑하여 형성된 것을 특징으로 하는 풀칼라 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.And the green organic light emitting layer is formed by doping Ir (PPy) 3 to 7% by weight of an electron transporting amine compound. 제 43항에 있어서,The method of claim 43, 상기 유기 발광층의 두께는 50 내지 1000Å 이하인 것을 특징으로 하는 풀칼라 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.The thickness of the organic light emitting layer is 50 to 1000 GPa or less manufacturing method of a full color organic light emitting display device. 제 54항에 있어서,The method of claim 54, 상기 유기 발광층의 두께는 50 내지 400Å 이하인 것을 특징으로 하는 풀칼라 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.The thickness of the organic light emitting layer is 50 to 400 Pa or less manufacturing method of a full color organic light emitting display device. 제 43항에 있어서,The method of claim 43, 상기 청색 발광층은 DPVBi, 스피로-DPVBi, 스피로-6P, 디스틸벤제(DSB), 디스티릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자 및 PPV계 고분자로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 물질을 포함하는 청색 형광 발광층인 것을 특징으로 하는 풀칼라 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.The blue light emitting layer is blue fluorescent material comprising one material selected from the group consisting of DPVBi, Spiro-DPVBi, Spiro-6P, distilbene (DSB), distyrylarylene (DSA), PFO-based polymer and PPV-based polymer A manufacturing method of a full color organic electroluminescent display device, characterized in that the light emitting layer. 제 43항에 있어서,The method of claim 43, 상기 유기막층은 진공 증착, 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 브레이드, 잉크젯 프린팅 및 레이저열전사로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 풀칼라 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.And the organic layer is formed by any one method selected from the group consisting of vacuum deposition, spin coating, dip coating, doctor braid, inkjet printing, and laser thermal transfer.
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