JP2000162566A - 磁気光学効果増大素子およびその製造方法 - Google Patents
磁気光学効果増大素子およびその製造方法Info
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- JP2000162566A JP2000162566A JP10336613A JP33661398A JP2000162566A JP 2000162566 A JP2000162566 A JP 2000162566A JP 10336613 A JP10336613 A JP 10336613A JP 33661398 A JP33661398 A JP 33661398A JP 2000162566 A JP2000162566 A JP 2000162566A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フェライトめっき法で高温加熱せずにフェラ
イト膜を作製することにより、磁気光学効果増大率を向
上させた磁気光学効果増大素子を提供する。 【解決手段】 基板上に２種類の誘電体膜４，５，６，
１０，１１，１２を真空蒸着法またはスパッタ法により
交互に積層して第１の誘電体多層反射膜１を作製し、該
誘電体多層反射膜１上にフェライト膜３をフェライトめ
っき法により２０℃以上１００℃以下の温度で作製し、
該フェライト膜３上に２種類の誘電体膜７，８，９，１
３，１４，１５を真空蒸着法またはスパッタ法により交
互に積層して第２の誘電体多層反射膜２を作製すること
により、ファブリペロー共鳴条件を満足させるように構
成したサンドイッチ構造の磁気光学効果増大素子を製造
する。
イト膜を作製することにより、磁気光学効果増大率を向
上させた磁気光学効果増大素子を提供する。 【解決手段】 基板上に２種類の誘電体膜４，５，６，
１０，１１，１２を真空蒸着法またはスパッタ法により
交互に積層して第１の誘電体多層反射膜１を作製し、該
誘電体多層反射膜１上にフェライト膜３をフェライトめ
っき法により２０℃以上１００℃以下の温度で作製し、
該フェライト膜３上に２種類の誘電体膜７，８，９，１
３，１４，１５を真空蒸着法またはスパッタ法により交
互に積層して第２の誘電体多層反射膜２を作製すること
により、ファブリペロー共鳴条件を満足させるように構
成したサンドイッチ構造の磁気光学効果増大素子を製造
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、「ファブリペロー
共鳴条件」や「乱れた積層構造をもつ多層膜中の光局在
効果が発生する条件」を満足させるように構成した磁気
光学効果増大素子の磁気光学効果増大率を向上させる製
造方法および、該製造方法により製造される磁気光学効
果増大素子に関するものである。
共鳴条件」や「乱れた積層構造をもつ多層膜中の光局在
効果が発生する条件」を満足させるように構成した磁気
光学効果増大素子の磁気光学効果増大率を向上させる製
造方法および、該製造方法により製造される磁気光学効
果増大素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気光学効果増大素子の従来例として
は、例えば図１および図２に示す構造のものが提案され
ている。図１に示す従来例（以下、従来例１という）
は、本願発明者が電気学会マグネティックス研究会資
料；MAG-96-168 P1-10（平成８年１１月 埼玉大学）に
論文「光局在による磁気光学ファラデー効果の巨大エン
ハンストメント」（以下、論文１という）として発表し
たものであり、フェライト膜の磁気光学効果を増大させ
るために、２組の誘電体多層反射膜１，２の間にフェラ
イト膜３を挟んだサンドイッチ構造として構成されてい
る。図２に示す従来例（以下、従来例２という）は、本
願発明者が日本応用磁気学会誌21,P187-P192(1997)に、
論文「乱れた積層構造をもつ多層薄膜の光局在化による
磁気光学ファラデー効果の巨大エンハンストメント」
（以下、論文２という）として発表したものであり、厚
さを異ならせたフェライト膜および誘電体膜を交互に積
層した多層膜構造として構成されている。
は、例えば図１および図２に示す構造のものが提案され
ている。図１に示す従来例（以下、従来例１という）
は、本願発明者が電気学会マグネティックス研究会資
料；MAG-96-168 P1-10（平成８年１１月 埼玉大学）に
論文「光局在による磁気光学ファラデー効果の巨大エン
ハンストメント」（以下、論文１という）として発表し
たものであり、フェライト膜の磁気光学効果を増大させ
るために、２組の誘電体多層反射膜１，２の間にフェラ
イト膜３を挟んだサンドイッチ構造として構成されてい
る。図２に示す従来例（以下、従来例２という）は、本
願発明者が日本応用磁気学会誌21,P187-P192(1997)に、
論文「乱れた積層構造をもつ多層薄膜の光局在化による
磁気光学ファラデー効果の巨大エンハンストメント」
（以下、論文２という）として発表したものであり、厚
さを異ならせたフェライト膜および誘電体膜を交互に積
層した多層膜構造として構成されている。
【０００３】従来例１では、誘電体多層反射膜１，２を
それぞれ、屈折率の異なる２種類の誘電体膜である誘電
体膜（Ｉ）；４，５，６，７，８，９および誘電体膜
（II）；１０，１１，１２，１３，１４，１５を交互に
堆積して作製する。上記２種類の誘電体膜（Ｉ）および
（II）としてはＳｉＯ2 ，Ｔａ2 Ｏ5 等の酸化物誘電体
膜を用い、この酸化物誘電体膜は３００℃程度以下の温
度で、真空蒸着法、スパッタ法等によって作製する。そ
の間、従来例１では、２種類の誘電体膜および１種類の
フェライト膜の厚さを調節して「ファブリペロー共鳴条
件」を満足させることによって磁気光学効果を増大させ
ている。
それぞれ、屈折率の異なる２種類の誘電体膜である誘電
体膜（Ｉ）；４，５，６，７，８，９および誘電体膜
（II）；１０，１１，１２，１３，１４，１５を交互に
堆積して作製する。上記２種類の誘電体膜（Ｉ）および
（II）としてはＳｉＯ2 ，Ｔａ2 Ｏ5 等の酸化物誘電体
膜を用い、この酸化物誘電体膜は３００℃程度以下の温
度で、真空蒸着法、スパッタ法等によって作製する。そ
の間、従来例１では、２種類の誘電体膜および１種類の
フェライト膜の厚さを調節して「ファブリペロー共鳴条
件」を満足させることによって磁気光学効果を増大させ
ている。
【０００４】一方、従来例２では、１種類の誘電体膜１
６，１７，１８，１９、２０および１種類のフェライト
膜２１，２２，２３，２４，２５，２６を交互に堆積し
て多層膜構造を作製する。上記１種類の誘電体膜として
はＳｉＯ2 もしくはＴａ2 Ｏ 5 等の酸化物誘電体膜を用
い、この酸化物誘電体膜は３００℃程度以下の温度で、
真空蒸着法、スパッタ法等によって作製する。その間、
従来例２では、各誘電体膜および各フェライト膜の厚さ
を調節して「乱れた積層構造をもつ多層膜中の光局在効
果が発生する条件」を満足させることによって磁気光学
効果を増大させている。
６，１７，１８，１９、２０および１種類のフェライト
膜２１，２２，２３，２４，２５，２６を交互に堆積し
て多層膜構造を作製する。上記１種類の誘電体膜として
はＳｉＯ2 もしくはＴａ2 Ｏ 5 等の酸化物誘電体膜を用
い、この酸化物誘電体膜は３００℃程度以下の温度で、
真空蒸着法、スパッタ法等によって作製する。その間、
従来例２では、各誘電体膜および各フェライト膜の厚さ
を調節して「乱れた積層構造をもつ多層膜中の光局在効
果が発生する条件」を満足させることによって磁気光学
効果を増大させている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】フェライト膜を強磁性
を示す結晶質とするためには、９００℃程度以上に昇温
する必要があるが、例えば５００℃程度に昇温した場合
であっても、酸化物誘電体膜同士および酸化物誘電体膜
とフェライト膜との間で金属イオンの拡散が起こるた
め、酸化物誘電体膜自体および酸化物誘電体膜とフェラ
イト膜との間の磁気光学効果増大現象が著しく低減され
てしまう。したがって、上記のようにして５００℃程度
以上に昇温してフェライト膜を作製した場合には、磁気
光学効果増大素子の滋気光学効果増大率が著しく低減さ
れてしまう。
を示す結晶質とするためには、９００℃程度以上に昇温
する必要があるが、例えば５００℃程度に昇温した場合
であっても、酸化物誘電体膜同士および酸化物誘電体膜
とフェライト膜との間で金属イオンの拡散が起こるた
め、酸化物誘電体膜自体および酸化物誘電体膜とフェラ
イト膜との間の磁気光学効果増大現象が著しく低減され
てしまう。したがって、上記のようにして５００℃程度
以上に昇温してフェライト膜を作製した場合には、磁気
光学効果増大素子の滋気光学効果増大率が著しく低減さ
れてしまう。
【０００６】本発明は、上記問題に着目してなされたも
のであり、磁気光学効果増大率を向上させるようにした
磁気光学効果増大素子およびその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
のであり、磁気光学効果増大率を向上させるようにした
磁気光学効果増大素子およびその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的のため、請求項
１に記載の第１発明は、第１および第２の誘電体多層反
射膜間にフェライト膜を挟んでサンドイッチ構造とする
とともに、ファブリペロー共鳴条件を満足させるように
構成した磁気光学効果増大素子において、前記フェライ
ト膜をフェライトめっき法により２０℃以上１００℃以
下の温度で作製するようにしたことを特徴とする。
１に記載の第１発明は、第１および第２の誘電体多層反
射膜間にフェライト膜を挟んでサンドイッチ構造とする
とともに、ファブリペロー共鳴条件を満足させるように
構成した磁気光学効果増大素子において、前記フェライ
ト膜をフェライトめっき法により２０℃以上１００℃以
下の温度で作製するようにしたことを特徴とする。
【０００８】上記目的のため、請求項２に記載の第２発
明は、誘電体膜およびフェライト膜を順次交互に積層さ
せて多層膜構造とするとともに、乱れた積層構造をもつ
多層膜中の光局在効果が発生する条件を満足させるよう
に構成した磁気光学効果増大素子において、前記フェラ
イト膜をフェライトめっき法により２０℃以上１００℃
以下の温度で作製するようにしたことを特徴とする。
明は、誘電体膜およびフェライト膜を順次交互に積層さ
せて多層膜構造とするとともに、乱れた積層構造をもつ
多層膜中の光局在効果が発生する条件を満足させるよう
に構成した磁気光学効果増大素子において、前記フェラ
イト膜をフェライトめっき法により２０℃以上１００℃
以下の温度で作製するようにしたことを特徴とする。
【０００９】上記目的のため、請求項３に記載の第３発
明は、基板上に２種類の誘電体膜を真空蒸着法またはス
パッタ法により交互に積層して第１の誘電体多層反射膜
を作製し、該第１の誘電体多層膜反射膜上にフェライト
膜を作製し、該フェライト膜上に２種類の誘電体膜を真
空蒸着法またはスパッタ法により交互に積層して第２の
誘電体多層反射膜を作製してサンドイッチ構造とすると
ともに、ファブリペロー共鳴条件を満足させるように磁
気光学効果増大素子を製造するに際し、前記フェライト
膜をフェライトめっき法により２０℃以上１００℃以下
の温度で作製することを特徴とする。
明は、基板上に２種類の誘電体膜を真空蒸着法またはス
パッタ法により交互に積層して第１の誘電体多層反射膜
を作製し、該第１の誘電体多層膜反射膜上にフェライト
膜を作製し、該フェライト膜上に２種類の誘電体膜を真
空蒸着法またはスパッタ法により交互に積層して第２の
誘電体多層反射膜を作製してサンドイッチ構造とすると
ともに、ファブリペロー共鳴条件を満足させるように磁
気光学効果増大素子を製造するに際し、前記フェライト
膜をフェライトめっき法により２０℃以上１００℃以下
の温度で作製することを特徴とする。
【００１０】上記目的のため、請求項４に記載の第４発
明は、基板上にフェライト膜および誘電体膜を順次交互
に積層させて多層膜構造を作製するとともに、乱れた積
層構造をもつ多層膜中の光局在効果が発生する条件を満
足させるように磁気光学効果増大素子を製造するに際
し、前記誘電体膜を真空蒸着法またはスパッタ法により
作製するとともに、前記フェライト膜をフェライトめっ
き法により２０℃以上１００℃以下の温度で作製するこ
とを特徴とする。
明は、基板上にフェライト膜および誘電体膜を順次交互
に積層させて多層膜構造を作製するとともに、乱れた積
層構造をもつ多層膜中の光局在効果が発生する条件を満
足させるように磁気光学効果増大素子を製造するに際
し、前記誘電体膜を真空蒸着法またはスパッタ法により
作製するとともに、前記フェライト膜をフェライトめっ
き法により２０℃以上１００℃以下の温度で作製するこ
とを特徴とする。
【００１１】
【発明の効果】請求項１によれば、ファブリペロー共鳴
条件を満足させるように、第１および第２の誘電体多層
反射膜間にフェライト膜を挟んたサンドイッチ構造に構
成した磁気光学効果増大素子の、フェライト膜は、フェ
ライトめっき法により２０℃以上１００℃以下の温度で
作製するから、誘電体多層反射膜自体ならびに誘電体多
層反射膜およびフェライト膜間の磁気光学効果増大率の
高温加熱に起因する劣化は生じない。したがって、高い
磁気光学効果増大率が確保されることになり、高い性能
指数が得られる磁気光学効果増大素子を実現することが
できる。
条件を満足させるように、第１および第２の誘電体多層
反射膜間にフェライト膜を挟んたサンドイッチ構造に構
成した磁気光学効果増大素子の、フェライト膜は、フェ
ライトめっき法により２０℃以上１００℃以下の温度で
作製するから、誘電体多層反射膜自体ならびに誘電体多
層反射膜およびフェライト膜間の磁気光学効果増大率の
高温加熱に起因する劣化は生じない。したがって、高い
磁気光学効果増大率が確保されることになり、高い性能
指数が得られる磁気光学効果増大素子を実現することが
できる。
【００１２】請求項２によれば、乱れた積層構造をもつ
多層膜中の光局在効果が発生する条件を満足させるよう
に、誘電体膜およびフェライト膜を順次交互に積層させ
て多層膜構造に構成した磁気光学効果増大素子の、フェ
ライト膜は、フェライトめっき法により２０℃以上１０
０℃以下の温度で作製するから、誘電体多層反射膜自体
ならびに誘電体多層反射膜およびフェライト膜間の磁気
光学効果増大率の高温加熱に起因する劣化は生じない。
したがって、高い磁気光学効果増大率が確保されること
になり、高い性能指数が得られる磁気光学効果増大素子
を実現することができる。
多層膜中の光局在効果が発生する条件を満足させるよう
に、誘電体膜およびフェライト膜を順次交互に積層させ
て多層膜構造に構成した磁気光学効果増大素子の、フェ
ライト膜は、フェライトめっき法により２０℃以上１０
０℃以下の温度で作製するから、誘電体多層反射膜自体
ならびに誘電体多層反射膜およびフェライト膜間の磁気
光学効果増大率の高温加熱に起因する劣化は生じない。
したがって、高い磁気光学効果増大率が確保されること
になり、高い性能指数が得られる磁気光学効果増大素子
を実現することができる。
【００１３】請求項３によれば、２種類の誘電体膜を真
空蒸着法またはスパッタ法により交互に積層して構成し
た第１および第２の誘電体多層反射膜間にフェライト膜
を作製して、ファブリペロー共鳴条件を満足させるよう
に磁気光学効果増大素子を作製する際には、該フェライ
ト膜をフェライトめっき法により２０℃以上１００℃以
下の温度で作製するから、誘電体多層反射膜自体ならび
に誘電体多層反射膜およびフェライト膜間の磁気光学効
果増大率の高温加熱に起因する劣化は生じない。したが
って、高い磁気光学効果増大率が確保されることにな
り、高い性能指数が得られる磁気光学効果増大素子の製
造方法を実現することができる。
空蒸着法またはスパッタ法により交互に積層して構成し
た第１および第２の誘電体多層反射膜間にフェライト膜
を作製して、ファブリペロー共鳴条件を満足させるよう
に磁気光学効果増大素子を作製する際には、該フェライ
ト膜をフェライトめっき法により２０℃以上１００℃以
下の温度で作製するから、誘電体多層反射膜自体ならび
に誘電体多層反射膜およびフェライト膜間の磁気光学効
果増大率の高温加熱に起因する劣化は生じない。したが
って、高い磁気光学効果増大率が確保されることにな
り、高い性能指数が得られる磁気光学効果増大素子の製
造方法を実現することができる。
【００１４】請求項４によれば、基板上にフェライト膜
および誘電体膜を順次交互に積層させて多層膜構造を作
製して、乱れた積層構造をもつ多層膜中の光局在効果が
発生する条件を満足させるように磁気光学効果増大素子
を製造する際には、前記フェライト膜をフェライトめっ
き法により２０℃以上１００℃以下の温度で作製するか
ら、誘電体多層反射膜自体ならびに誘電体多層反射膜お
よびフェライト膜間の磁気光学効果増大率の高温加熱に
起因する劣化は生じない。したがって、高い磁気光学効
果増大率が確保されることになり、高い性能指数が得ら
れる磁気光学効果増大素子の製造方法を実現することが
できる。
および誘電体膜を順次交互に積層させて多層膜構造を作
製して、乱れた積層構造をもつ多層膜中の光局在効果が
発生する条件を満足させるように磁気光学効果増大素子
を製造する際には、前記フェライト膜をフェライトめっ
き法により２０℃以上１００℃以下の温度で作製するか
ら、誘電体多層反射膜自体ならびに誘電体多層反射膜お
よびフェライト膜間の磁気光学効果増大率の高温加熱に
起因する劣化は生じない。したがって、高い磁気光学効
果増大率が確保されることになり、高い性能指数が得ら
れる磁気光学効果増大素子の製造方法を実現することが
できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき詳細に説明する。図１は本発明の第１実施形態
の磁気光学効果増大素子の構造を示す断面図である。本
実施形態の磁気光学効果増大素子は、原理的には従来例
１と同一の構造を採用しており、第１の誘電体多層反射
膜１および第２の誘電体多層反射膜２間にフェライト膜
３を挟んだサンドイッチ構造として構成されている。
に基づき詳細に説明する。図１は本発明の第１実施形態
の磁気光学効果増大素子の構造を示す断面図である。本
実施形態の磁気光学効果増大素子は、原理的には従来例
１と同一の構造を採用しており、第１の誘電体多層反射
膜１および第２の誘電体多層反射膜２間にフェライト膜
３を挟んだサンドイッチ構造として構成されている。
【００１６】本実施形態においては、誘電体多層反射膜
１，２をそれぞれ、屈折率の異なる２種類の誘電体膜で
ある誘電体膜（Ｉ）；４，５，６，７，８，９および誘
電体膜（II）；１０，１１，１２，１３，１４，１５を
交互に堆積して作製する。上記２種類の誘電体膜（Ｉ）
および（II）としてはＳｉＯ2 ，Ｔａ2 Ｏ5 等の酸化物
誘電体膜を用い、この酸化物誘電体膜は３００℃程度以
下の温度で、真空蒸着法、スパッタ法等によって作製す
る。その間、本実施形態では、２種類の誘電体膜および
１種類のフェライト膜の厚さを調節して「ファブリペロ
ー共鳴条件」を満足させることによって磁気光学効果を
増大させている（なお、「ファブリペロー共鳴条件を満
足させる膜厚調整方法」に関しては、上述した論文１を
参照のこと）。
１，２をそれぞれ、屈折率の異なる２種類の誘電体膜で
ある誘電体膜（Ｉ）；４，５，６，７，８，９および誘
電体膜（II）；１０，１１，１２，１３，１４，１５を
交互に堆積して作製する。上記２種類の誘電体膜（Ｉ）
および（II）としてはＳｉＯ2 ，Ｔａ2 Ｏ5 等の酸化物
誘電体膜を用い、この酸化物誘電体膜は３００℃程度以
下の温度で、真空蒸着法、スパッタ法等によって作製す
る。その間、本実施形態では、２種類の誘電体膜および
１種類のフェライト膜の厚さを調節して「ファブリペロ
ー共鳴条件」を満足させることによって磁気光学効果を
増大させている（なお、「ファブリペロー共鳴条件を満
足させる膜厚調整方法」に関しては、上述した論文１を
参照のこと）。
【００１７】次に、本実施形態の磁気光学効果増大素子
の製造方法を説明する。まず、図示しない基板上に２種
類の誘電体膜（Ｉ）および（II）を真空蒸着法、スパッ
タ法等により３００℃程度以下の温度で交互に積層して
第１の誘電体多層反射膜１を作製する。次に、第１の誘
電体多層反射膜１上に、フェライトめっき法により２０
℃以上１００℃以下の水溶液中でフェライト膜３を堆積
させる（ここで、温度範囲を２０℃以上１００℃以下に
限定した理由は、水溶液温度が２０℃未満の場合には、
めっき速度が著しく低下し、１００℃以上では水の蒸発
を抑えるためのオートクレーブ容器が必要とされ（煩雑
化され）るからである。その後、フェライト膜３上に、
２種類の誘電体膜（Ｉ）および（II）を真空蒸着法、ス
パッタ法等により交互に積層して第２の誘電体多層反射
膜２を作製して、サンドイッチ構造とする。このような
一連の製造工程の間、ファブリペロー共鳴条件を満足さ
せるように磁気光学効果増大素子の各構成要素の膜厚を
コントロールするものとする。なお、上記製造方法で
は、第１の誘電体多層反射膜１上にフェライト膜３を堆
積させた後に第２の誘電体多層反射膜２を作製したが、
代わりに、第１の誘電体多層膜反射膜１および第２の誘
電体多層反射膜２を所定の隙間が確保されるように予め
作製しておき、その後、誘電体多層反射膜１，２の隙間
にフェライトめっき法により２０℃以上１００℃以下の
水溶液中でフェライト膜３を堆積させてもよい。
の製造方法を説明する。まず、図示しない基板上に２種
類の誘電体膜（Ｉ）および（II）を真空蒸着法、スパッ
タ法等により３００℃程度以下の温度で交互に積層して
第１の誘電体多層反射膜１を作製する。次に、第１の誘
電体多層反射膜１上に、フェライトめっき法により２０
℃以上１００℃以下の水溶液中でフェライト膜３を堆積
させる（ここで、温度範囲を２０℃以上１００℃以下に
限定した理由は、水溶液温度が２０℃未満の場合には、
めっき速度が著しく低下し、１００℃以上では水の蒸発
を抑えるためのオートクレーブ容器が必要とされ（煩雑
化され）るからである。その後、フェライト膜３上に、
２種類の誘電体膜（Ｉ）および（II）を真空蒸着法、ス
パッタ法等により交互に積層して第２の誘電体多層反射
膜２を作製して、サンドイッチ構造とする。このような
一連の製造工程の間、ファブリペロー共鳴条件を満足さ
せるように磁気光学効果増大素子の各構成要素の膜厚を
コントロールするものとする。なお、上記製造方法で
は、第１の誘電体多層反射膜１上にフェライト膜３を堆
積させた後に第２の誘電体多層反射膜２を作製したが、
代わりに、第１の誘電体多層膜反射膜１および第２の誘
電体多層反射膜２を所定の隙間が確保されるように予め
作製しておき、その後、誘電体多層反射膜１，２の隙間
にフェライトめっき法により２０℃以上１００℃以下の
水溶液中でフェライト膜３を堆積させてもよい。
【００１８】本実施形態の磁気光学効果増大素子は、フ
ェライト膜作製時に高温加熱を行わない上記製造方法に
より製造されるため、「ファブリペロ−共鳴」により、
理論上、光吸収を増大させたり反射率を減少させること
なく磁気光学効果を無限大に高めることができ、諸々の
原因による理論からのずれを考慮しても、磁気光学性能
指数が著しく増大する。したがって、本実施形態の磁気
光学効果増大素子は、磁気光学効果を利用した各種の記
憶機器、計測機器、制御機器等（具体例としては、光磁
気ディスク、電流センサ、磁界センサ、ファラデー回転
素子、磁気光学静磁波素子、光ディスプレー素子、光滋
気偏向器、光スイッチ、光アイソレータ、光サーキュレ
ータ等がある）に応用した場合、それらの性能を飛躍的
に高めることができる。
ェライト膜作製時に高温加熱を行わない上記製造方法に
より製造されるため、「ファブリペロ−共鳴」により、
理論上、光吸収を増大させたり反射率を減少させること
なく磁気光学効果を無限大に高めることができ、諸々の
原因による理論からのずれを考慮しても、磁気光学性能
指数が著しく増大する。したがって、本実施形態の磁気
光学効果増大素子は、磁気光学効果を利用した各種の記
憶機器、計測機器、制御機器等（具体例としては、光磁
気ディスク、電流センサ、磁界センサ、ファラデー回転
素子、磁気光学静磁波素子、光ディスプレー素子、光滋
気偏向器、光スイッチ、光アイソレータ、光サーキュレ
ータ等がある）に応用した場合、それらの性能を飛躍的
に高めることができる。
【００１９】図２は本発明の第２実施形態の磁気光学効
果増大素子の構造を示す断面図である。本実施形態の磁
気光学効果増大素子は、原理的には従来例２と同一の構
造を採用しており、フェライト膜および誘電体膜を順次
交互に積層させた多層膜構造として構成されている。
果増大素子の構造を示す断面図である。本実施形態の磁
気光学効果増大素子は、原理的には従来例２と同一の構
造を採用しており、フェライト膜および誘電体膜を順次
交互に積層させた多層膜構造として構成されている。
【００２０】本実施形態においては、１種類の誘電体膜
１６，１７，１８，１９、２０および１種類のフェライ
ト膜２１，２２，２３，２４，２５，２６を交互に堆積
して合計１１層の多層膜構造を作製する。上記１種類の
誘電体膜としてはＳｉＯ2 もしくはＴａ2 Ｏ5 等の酸化
物誘電体膜を用い、この酸化物誘電体膜は３００℃程度
以下の温度で、真空蒸着法、スパッタ法等によって作製
する。上記一連の工程の間、本実施形態では、各誘電体
膜および各フェライト膜の厚さを調節して「乱れた積層
構造をもつ多層膜中の光局在効果が発生する条件」を満
足させることによって磁気光学効果を増大させている
（なお、上記乱れた積層構造をもつ多層膜中の光局在効
果が発生する条件を満足させる膜厚調整方法」に関して
は、上述した論文２を参照のこと）。
１６，１７，１８，１９、２０および１種類のフェライ
ト膜２１，２２，２３，２４，２５，２６を交互に堆積
して合計１１層の多層膜構造を作製する。上記１種類の
誘電体膜としてはＳｉＯ2 もしくはＴａ2 Ｏ5 等の酸化
物誘電体膜を用い、この酸化物誘電体膜は３００℃程度
以下の温度で、真空蒸着法、スパッタ法等によって作製
する。上記一連の工程の間、本実施形態では、各誘電体
膜および各フェライト膜の厚さを調節して「乱れた積層
構造をもつ多層膜中の光局在効果が発生する条件」を満
足させることによって磁気光学効果を増大させている
（なお、上記乱れた積層構造をもつ多層膜中の光局在効
果が発生する条件を満足させる膜厚調整方法」に関して
は、上述した論文２を参照のこと）。
【００２１】次に、本実施形態の磁気光学効果増大素子
の製造方法を説明する。まず、フェライトめっき法によ
り２０℃以上１００℃以下の水溶液中でフェライト膜２
１を図示しない基板上に堆積させる。次に、フェライト
膜２１上に誘電体膜１６を真空蒸着法またはスパッタ法
により３００℃程度以下の温度で作製する。以下同様に
して、フェライト膜２２，誘電体膜１７，フェライト膜
２３，誘電体膜１８，・・・，誘電体膜２０、フェライ
ト膜２６を順次交互に積層させて合計１１層の多層膜構
造を作製する。このような一連の製造工程の間、「乱れ
た積層構造をもつ多層膜中の光局在効果が発生する条
件」を満足させるように磁気光学効果増大素子の各構成
要素の膜厚をコントロールするものとする。
の製造方法を説明する。まず、フェライトめっき法によ
り２０℃以上１００℃以下の水溶液中でフェライト膜２
１を図示しない基板上に堆積させる。次に、フェライト
膜２１上に誘電体膜１６を真空蒸着法またはスパッタ法
により３００℃程度以下の温度で作製する。以下同様に
して、フェライト膜２２，誘電体膜１７，フェライト膜
２３，誘電体膜１８，・・・，誘電体膜２０、フェライ
ト膜２６を順次交互に積層させて合計１１層の多層膜構
造を作製する。このような一連の製造工程の間、「乱れ
た積層構造をもつ多層膜中の光局在効果が発生する条
件」を満足させるように磁気光学効果増大素子の各構成
要素の膜厚をコントロールするものとする。
【００２２】本実施形態の磁気光学効果増大素子は、フ
ェライト膜作製時に高温加熱を行わない上記製造方法に
より製造されるため、「乱れた積層構造をもつ多層膜中
の光局在効果」により、理論上、光吸収を増大させたり
反射率を減少させることなく磁気光学効果を従来例２の
数十倍に高めることができ、諸々の原因による理論から
のずれを考慮しても、磁気光学性能指数が著しく増大す
る。したがって、本実施形態の磁気光学効果増大素子
は、磁気光学効果を利用した各種の記憶機器、計測機
器、制御機器等（具体例としては、光磁気ディスク、電
流センサ、磁界センサ、ファラデー回転素子、磁気光学
静磁波素子、光ディスプレー素子、光滋気偏向器、光ス
イッチ、光アイソレータ、光サーキュレータ等がある）
に応用した場合、それらの性能を飛躍的に高めることが
できる。
ェライト膜作製時に高温加熱を行わない上記製造方法に
より製造されるため、「乱れた積層構造をもつ多層膜中
の光局在効果」により、理論上、光吸収を増大させたり
反射率を減少させることなく磁気光学効果を従来例２の
数十倍に高めることができ、諸々の原因による理論から
のずれを考慮しても、磁気光学性能指数が著しく増大す
る。したがって、本実施形態の磁気光学効果増大素子
は、磁気光学効果を利用した各種の記憶機器、計測機
器、制御機器等（具体例としては、光磁気ディスク、電
流センサ、磁界センサ、ファラデー回転素子、磁気光学
静磁波素子、光ディスプレー素子、光滋気偏向器、光ス
イッチ、光アイソレータ、光サーキュレータ等がある）
に応用した場合、それらの性能を飛躍的に高めることが
できる。
【００２３】なお、上記各実施形態の磁気光学効果増大
素子は、本願発明者が提案した従来例１，２の磁気光学
効果増大素子に、本願発明者が「IEEE Trans.Magn.MAG-
23 P3432-3434(1987) 」に論文「Plating of ferrite f
ilm on 8"disc at 70 ℃ by"spray-spin-coating" meth
od, M.Abe, Y.Tamaura, M.Oishi, T.Saitoh, T.Itohand
M.Gomi 」（以下、論文３という）として発表したフェ
ライトめっき法を適用することにより実現可能と考えら
れる。しかしながら、実際に上記各実施形態の磁気光学
効果増大素子を製造するためには、「従来例１，２の磁
気光学効果増大素子にフェライトめっき法を適用する」
という着想だけでは不十分であり、（１）本願発明者が
発表した論文１，２の理論に基づき磁気光学効果増大素
子の構造および該磁気光学効果増大素子を構成する多層
膜の膜厚を決定し、（２）製造される磁気光学効果増大
素子が実際に前記構造および膜厚を有するものとなるよ
うに、膜厚を正確かつ精密にコントロールしながら多層
膜の各々の膜を作製する必要がある。これらの要件を満
足させることは、以前から「磁気光学効果増大素子」お
よび「フェライトめっき法」の研究開発を続け、上記
（１），（２）の双方に関して高度な技術力を有する本
願発明者によって、初めて実現されたものである。
素子は、本願発明者が提案した従来例１，２の磁気光学
効果増大素子に、本願発明者が「IEEE Trans.Magn.MAG-
23 P3432-3434(1987) 」に論文「Plating of ferrite f
ilm on 8"disc at 70 ℃ by"spray-spin-coating" meth
od, M.Abe, Y.Tamaura, M.Oishi, T.Saitoh, T.Itohand
M.Gomi 」（以下、論文３という）として発表したフェ
ライトめっき法を適用することにより実現可能と考えら
れる。しかしながら、実際に上記各実施形態の磁気光学
効果増大素子を製造するためには、「従来例１，２の磁
気光学効果増大素子にフェライトめっき法を適用する」
という着想だけでは不十分であり、（１）本願発明者が
発表した論文１，２の理論に基づき磁気光学効果増大素
子の構造および該磁気光学効果増大素子を構成する多層
膜の膜厚を決定し、（２）製造される磁気光学効果増大
素子が実際に前記構造および膜厚を有するものとなるよ
うに、膜厚を正確かつ精密にコントロールしながら多層
膜の各々の膜を作製する必要がある。これらの要件を満
足させることは、以前から「磁気光学効果増大素子」お
よび「フェライトめっき法」の研究開発を続け、上記
（１），（２）の双方に関して高度な技術力を有する本
願発明者によって、初めて実現されたものである。
【００２４】
【実施例】（実施例１）図１に示す構造において、共振
（共鳴）波長をλR ＝５２０ｎｍに設定し、２種類の誘
電体膜ＳｉＯ2 （屈折率ｎ＝１．４）およびＴａ2 Ｏ5
（ｎ＝２．１）を合計６層積層した誘電体多層完全反射
膜１，２で、Ｃｏ0.5 Ｆｅ1.5 Ｏ4 なる組成のＣｏフェ
ライト膜（ｎ＝２．０）を挟んでサンドイッチ構造にし
たファブリペロー薄膜光共振素子の各構造パラメータを
計算した。その結果、ＳｉＯ2 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｃｏフェ
ライト膜の厚さはそれぞれ、ｄS ＝９３ｎｍ、ｄT ＝６
２ｎｍ、ｄC ＝１３０ｎｍという結果を得た（表１を参
照のこと）。
（共鳴）波長をλR ＝５２０ｎｍに設定し、２種類の誘
電体膜ＳｉＯ2 （屈折率ｎ＝１．４）およびＴａ2 Ｏ5
（ｎ＝２．１）を合計６層積層した誘電体多層完全反射
膜１，２で、Ｃｏ0.5 Ｆｅ1.5 Ｏ4 なる組成のＣｏフェ
ライト膜（ｎ＝２．０）を挟んでサンドイッチ構造にし
たファブリペロー薄膜光共振素子の各構造パラメータを
計算した。その結果、ＳｉＯ2 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｃｏフェ
ライト膜の厚さはそれぞれ、ｄS ＝９３ｎｍ、ｄT ＝６
２ｎｍ、ｄC ＝１３０ｎｍという結果を得た（表１を参
照のこと）。
【００２５】
【表１】
【００２６】この構造を実現するため、まず、ＢＫ７ガ
ラス基板（３０ｍｍφ×１ｍｍ）上に真空蒸着法により
ＳｉＯ2 膜およびＴａ2 Ｏ5 膜を交互に６層（合計１２
層）堆積させて、誘電体多層完全反射膜１を形成した。
この上にスピンスブレーフェライトめっき法により、反
応液（ＦｅＣｌ2 ＋ＣｏＣｌ2 ）および酸化液（ＮａＮ
Ｏ2 ＋ＣＨ3 ＣＯＯＮＨ4 ）を用いて、温度９０℃、ｐ
Ｈ＝６．９でＣｏフェライト膜３を堆積した。さらに、
このフェライト膜３上に、上記と全く同一構造の誘電体
多層完全反射膜２を真空蒸着法で形成した。なお、「ス
ピンスブレーフェライトめっき法」は、脱気水を用いる
通常のフェライトめっき法の「Ｆｅ2+イオンがＦｅ3+イ
オンとなって水溶液中に沈殿して膜質の劣化を招く」不
具合を改善したものであり、その詳細に関しては、上記
論文３および「東京工業大学 博士論文（工学）」（発
表日；平成７年６月２０日、題名；「高速・低温フェラ
イトメッキ法の開発とその応用）を参照のこと）。
ラス基板（３０ｍｍφ×１ｍｍ）上に真空蒸着法により
ＳｉＯ2 膜およびＴａ2 Ｏ5 膜を交互に６層（合計１２
層）堆積させて、誘電体多層完全反射膜１を形成した。
この上にスピンスブレーフェライトめっき法により、反
応液（ＦｅＣｌ2 ＋ＣｏＣｌ2 ）および酸化液（ＮａＮ
Ｏ2 ＋ＣＨ3 ＣＯＯＮＨ4 ）を用いて、温度９０℃、ｐ
Ｈ＝６．９でＣｏフェライト膜３を堆積した。さらに、
このフェライト膜３上に、上記と全く同一構造の誘電体
多層完全反射膜２を真空蒸着法で形成した。なお、「ス
ピンスブレーフェライトめっき法」は、脱気水を用いる
通常のフェライトめっき法の「Ｆｅ2+イオンがＦｅ3+イ
オンとなって水溶液中に沈殿して膜質の劣化を招く」不
具合を改善したものであり、その詳細に関しては、上記
論文３および「東京工業大学 博士論文（工学）」（発
表日；平成７年６月２０日、題名；「高速・低温フェラ
イトメッキ法の開発とその応用）を参照のこと）。
【００２７】この薄膜光共振素子における光透過率Ｔの
スペクトルは図３（ａ）に示すようになり、設計通り、
波長λR ＝５２０ｎｍをピ−クとする共振特性（ピーク
値Ｔ＝２４％、半値幅△λ＝７ｎｍ）を示している。こ
の共振波長（λR ＝５２０ｎｍ）でファラデー回転角も
図３（ｂ）のように共振ピーク特性を示し、ピーク値は
θF ＝１１．５°であった。また、見かけ上の磁気光学
性能指数はθF ／｛ｌｎ（１／Ｔ）｝＝１１．５ｄｅｇ
であった。なお、堆積したＣｏフェライト膜のみにより
構成した素子におけるファラデー回転角はθF ＝１．３
ｄｅｇであり、性能指数はθF ／ｄα＝５ｄｅｇである
から、本実施形態の薄膜光共振素子は、Ｃｏフェライト
膜のみの構成に比べてファラデー回転角は８．８倍にも
増大し、性能指数は１．６倍になった。
スペクトルは図３（ａ）に示すようになり、設計通り、
波長λR ＝５２０ｎｍをピ−クとする共振特性（ピーク
値Ｔ＝２４％、半値幅△λ＝７ｎｍ）を示している。こ
の共振波長（λR ＝５２０ｎｍ）でファラデー回転角も
図３（ｂ）のように共振ピーク特性を示し、ピーク値は
θF ＝１１．５°であった。また、見かけ上の磁気光学
性能指数はθF ／｛ｌｎ（１／Ｔ）｝＝１１．５ｄｅｇ
であった。なお、堆積したＣｏフェライト膜のみにより
構成した素子におけるファラデー回転角はθF ＝１．３
ｄｅｇであり、性能指数はθF ／ｄα＝５ｄｅｇである
から、本実施形態の薄膜光共振素子は、Ｃｏフェライト
膜のみの構成に比べてファラデー回転角は８．８倍にも
増大し、性能指数は１．６倍になった。
【００２８】（実施例２）図１に示す構造において、共
振波長をλR ＝５６０ｎｍに変更したこと以外は実施例
１と同一設定にしたファブリペロー薄膜光共振素子の各
構造パラメータを計算したところ、ｄS ＝１００ｎｍ、
ｄT ＝６７ｎｍ、ｄC ＝１４０ｎｍという結果を得た
（表２を参照のこと）。
振波長をλR ＝５６０ｎｍに変更したこと以外は実施例
１と同一設定にしたファブリペロー薄膜光共振素子の各
構造パラメータを計算したところ、ｄS ＝１００ｎｍ、
ｄT ＝６７ｎｍ、ｄC ＝１４０ｎｍという結果を得た
（表２を参照のこと）。
【００２９】
【表２】
【００３０】上記のような厚さのＳｉＯ2 膜、Ｔａ2 Ｏ
5 膜およびＣｏフェライト膜を、実施例１と同様の方法
で堆積して薄膜光共振素子を作製した。この薄膜光共振
素子は、図４（ａ）に示した通り、λR ＝５６０ｎｍで
共振特性を示し、ピークで、光透過率Ｔ＝２４％、ファ
ラデー回転角θF ＝１１．６°が得られた。この場合、
Ｃｏフェライト膜のみの構成に対し、ファラデー回転角
の増大率は８．３倍であり、性能指数の増大率は１．６
倍であった。
5 膜およびＣｏフェライト膜を、実施例１と同様の方法
で堆積して薄膜光共振素子を作製した。この薄膜光共振
素子は、図４（ａ）に示した通り、λR ＝５６０ｎｍで
共振特性を示し、ピークで、光透過率Ｔ＝２４％、ファ
ラデー回転角θF ＝１１．６°が得られた。この場合、
Ｃｏフェライト膜のみの構成に対し、ファラデー回転角
の増大率は８．３倍であり、性能指数の増大率は１．６
倍であった。
【００３１】（実施例３）図２に示す構造において、全
体の膜厚を５μｍに設定し、それを１６分割した各層
に、ＳｉＯ2 誘電体膜（以下、Ｓという）もしくは組成
Ｃｏ0.5 Ｆｅ1.5 Ｏ 4 なる組成のフェライト膜（以下、
Ｃという）を配列する全ての組合わせを検討し、かつ単
独のＳ層の厚さｄS および単独のＣ層の厚さｄC の比を
変化させて、波長λR ＝０．８３μｍでファラデー回転
角が増大する組合わせを計算機シミュレーションによっ
て求めた。その結果、ＳｉＯ2 誘電体膜（Ｓ）、Ｃｏフ
ェライト膜（Ｃ）の単独層の厚さをｄS ＝０．３４μ
ｍ、ｄC ＝０．２８μｍとし、これらを（ＣＳＳＣＣＳ
ＣＳＳＣＣＳＣＳＳＣ）の順序で配列した場合にファラ
デー回転角が著しく増大することが判明した。すなわ
ち、Ｃ（０．２８μｍ）Ｓ（０．３４μｍ×２）Ｃ
（０．２８μｍ×２）Ｓ（０．３４μｍ）Ｃ（０．２８
μｍ）Ｓ（０．３４μｍ×２）Ｃ（０．２８μｍ×２）
Ｓ（０．３４μｍ）Ｃ（０．２８μｍ）Ｓ（０．３４μ
ｍ×２）Ｃ（０．２８μｍ）のように、それぞれ厚さの
異なるＣｏフェライト膜およびＳｉＯ2 膜を交互に合計
１１層重ね合わせることによって、ファラデー回転角の
増大が実現できることが分かった（表３を参照のこ
と）。
体の膜厚を５μｍに設定し、それを１６分割した各層
に、ＳｉＯ2 誘電体膜（以下、Ｓという）もしくは組成
Ｃｏ0.5 Ｆｅ1.5 Ｏ 4 なる組成のフェライト膜（以下、
Ｃという）を配列する全ての組合わせを検討し、かつ単
独のＳ層の厚さｄS および単独のＣ層の厚さｄC の比を
変化させて、波長λR ＝０．８３μｍでファラデー回転
角が増大する組合わせを計算機シミュレーションによっ
て求めた。その結果、ＳｉＯ2 誘電体膜（Ｓ）、Ｃｏフ
ェライト膜（Ｃ）の単独層の厚さをｄS ＝０．３４μ
ｍ、ｄC ＝０．２８μｍとし、これらを（ＣＳＳＣＣＳ
ＣＳＳＣＣＳＣＳＳＣ）の順序で配列した場合にファラ
デー回転角が著しく増大することが判明した。すなわ
ち、Ｃ（０．２８μｍ）Ｓ（０．３４μｍ×２）Ｃ
（０．２８μｍ×２）Ｓ（０．３４μｍ）Ｃ（０．２８
μｍ）Ｓ（０．３４μｍ×２）Ｃ（０．２８μｍ×２）
Ｓ（０．３４μｍ）Ｃ（０．２８μｍ）Ｓ（０．３４μ
ｍ×２）Ｃ（０．２８μｍ）のように、それぞれ厚さの
異なるＣｏフェライト膜およびＳｉＯ2 膜を交互に合計
１１層重ね合わせることによって、ファラデー回転角の
増大が実現できることが分かった（表３を参照のこ
と）。
【００３２】
【表３】
【００３３】そこで、実施例１と同様のフェライトめっ
き法および真空蒸着法で上記１１層の交互堆積膜を作製
した。その結果、図５（ｂ）に示すように、波長λR ＝
０．８３μｍにおいてファラデー回転角が鋭い極大ピー
ク（極大値θF ＝−１．３ｄｅｇ）を示し、透過率も図
５（ａ）に示すように鋭い極大ピーク（極大値５４％）
を示した。さらにこの共振波長よりも長波長側で数個所
のサテライトピークも観測された。この場合、Ｃｏフェ
ライト膜のみの構成に対し、波長λR ＝０．８３μｍに
おけるファラデー回転角の増大率は４．５倍であり、磁
気光学性能指数の増大率は１．４倍であった。
き法および真空蒸着法で上記１１層の交互堆積膜を作製
した。その結果、図５（ｂ）に示すように、波長λR ＝
０．８３μｍにおいてファラデー回転角が鋭い極大ピー
ク（極大値θF ＝−１．３ｄｅｇ）を示し、透過率も図
５（ａ）に示すように鋭い極大ピーク（極大値５４％）
を示した。さらにこの共振波長よりも長波長側で数個所
のサテライトピークも観測された。この場合、Ｃｏフェ
ライト膜のみの構成に対し、波長λR ＝０．８３μｍに
おけるファラデー回転角の増大率は４．５倍であり、磁
気光学性能指数の増大率は１．４倍であった。
【図１】本発明の第１実施形態の磁気光学効果増大素子
および従来例の磁気光学効果増大素子の構造を示す断面
図である。
および従来例の磁気光学効果増大素子の構造を示す断面
図である。
【図２】本発明の第２実施形態の磁気光学効果増大素子
および従来例の磁気光学効果増大素子の構造を示す断面
図である。
および従来例の磁気光学効果増大素子の構造を示す断面
図である。
【図３】（ａ），（ｂ）はそれぞれ、図１の構造を有す
る実施例１の磁気光学効果増大素子の光透過率スペクト
ルおよびファラデー回転角の測定結果を示す図である。
る実施例１の磁気光学効果増大素子の光透過率スペクト
ルおよびファラデー回転角の測定結果を示す図である。
【図４】（ａ），（ｂ）はそれぞれ、図１の構造を有す
る実施例２の磁気光学効果増大素子の光透過率スペクト
ルおよびファラデー回転角の測定結果を示す図である。
る実施例２の磁気光学効果増大素子の光透過率スペクト
ルおよびファラデー回転角の測定結果を示す図である。
【図５】（ａ），（ｂ）はそれぞれ、図２の構造を有す
る実施例３の磁気光学効果増大素子の光透過率スペクト
ルおよびファラデー回転角の測定結果を示す図である。
る実施例３の磁気光学効果増大素子の光透過率スペクト
ルおよびファラデー回転角の測定結果を示す図である。
１ 第１の誘電体多層反射膜 ２ 第２の誘電体多層反射膜 ３ フェライト膜 ４〜９ 誘電体膜（Ｉ） ５〜１５ 誘電体膜（ＩＩ） １６〜２０ 誘電体膜 ２１〜２６ フェライト膜
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｆ 10/20 Ｈ０１Ｆ 10/20 10/26 10/26 Ｆターム(参考） 2G017 AA01 AD11 AD14 2H048 GA07 GA13 GA33 GA48 GA51 2H079 AA03 AA13 BA02 CA06 CA08 DA12 EA12 HA16 KA14 KA20 5D075 EE03 FF07 GG01 GG02 GG03 GG16 5E049 AB04 AB09 AC05 BA16 BA22 DB04 DB14
Claims (4)
- 【請求項１】 第１および第２の誘電体多層反射膜間に
フェライト膜を挟んでサンドイッチ構造とするととも
に、ファブリペロー共鳴条件を満足させるように構成し
た磁気光学効果増大素子において、 前記フェライト膜をフェライトめっき法により２０℃以
上１００℃以下の温度で作製するようにしたことを特徴
とする磁気光学効果増大素子。 - 【請求項２】 誘電体膜およびフェライト膜を順次交互
に積層させて多層膜構造とするとともに、乱れた積層構
造をもつ多層膜中の光局在効果が発生する条件を満足さ
せるように構成した磁気光学効果増大素子において、 前記フェライト膜をフェライトめっき法により２０℃以
上１００℃以下の温度で作製するようにしたことを特徴
とする磁気光学効果増大素子。 - 【請求項３】 基板上に２種類の誘電体膜を真空蒸着法
またはスパッタ法により交互に積層して第１の誘電体多
層反射膜を作製し、該第１の誘電体多層膜反射膜上にフ
ェライト膜を作製し、該フェライト膜上に２種類の誘電
体膜を真空蒸着法またはスパッタ法により交互に積層し
て第２の誘電体多層反射膜を作製してサンドイッチ構造
とするとともに、ファブリペロー共鳴条件を満足させる
ように磁気光学効果増大素子を製造するに際し、 前記フェライト膜をフェライトめっき法により２０℃以
上１００℃以下の温度で作製することを特徴とする磁気
光学効果増大素子の製造方法。 - 【請求項４】 基板上にフェライト膜および誘電体膜を
順次交互に積層させて多層膜構造を作製するとともに、
乱れた積層構造をもつ多層膜中の光局在効果が発生する
条件を満足させるように磁気光学効果増大素子を製造す
るに際し、 前記誘電体膜を真空蒸着法またはスパッタ法により作製
するとともに、前記フェライト膜をフェライトめっき法
により２０℃以上１００℃以下の温度で作製することを
特徴とする磁気光学効果増大素子の製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10336613A JP2000162566A (ja) | 1998-11-27 | 1998-11-27 | 磁気光学効果増大素子およびその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000162566A true JP2000162566A (ja) | 2000-06-16 |
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ID=18300975
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|---|---|---|---|
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|---|---|
| JP (1) | JP2000162566A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6813076B2 (en) * | 2001-12-20 | 2004-11-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Faraday rotator, optical isolator, polarizer, and diamond-like carbon thin film |
| JP2009147490A (ja) * | 2007-12-12 | 2009-07-02 | Murata Mfg Co Ltd | バンドパスフィルタ |
| US8233753B2 (en) | 2005-06-29 | 2012-07-31 | Nec Corporation | Electric field sensor, magnetic field sensor, electromagnetic field sensor and electromagnetic field measuring system using these sensors |
| CN106200024A (zh) * | 2016-08-31 | 2016-12-07 | 欧阳征标 | 磁光薄膜磁表面快波光二极管 |
-
1998
- 1998-11-27 JP JP10336613A patent/JP2000162566A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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