JP2000156567A - 配線基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】絶縁基体にスルーホール導体を高密度に形成す
ることができない。 【解決手段】感光性セラミックグリーンシート１１の所
定位置に光を照射し所定領域の感光性樹脂組成物を光硬
化させるとともに現像して厚み方向に貫通するスルーホ
ール１３を有する光硬化セラミックシート１１ａを形成
し、次に光硬化セラミックシート１１ａの表面及びスル
ーホール１３内に所定パターンの配線用導体層１５及び
スルーホール用導体層１６を形成し、最後に前記配線用
導体層１５及びスルーホール用導体層１６が形成された
光硬化セラミックシート１１ａを焼成し、絶縁基体１の
内部及び表面に配線導体層２とスルーホール導体層３を
形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は配線基板に関し、特
にスルーホール導体層を有する配線基板に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】従来、例えば半導体素子等の能動部品や
容量素子、抵抗器等の受動部品を多数搭載し、所定の電
子回路を構成するようになした混成集積回路装置は、通
常、酸化アルミニウム質焼結体から成る絶縁基体の内部
及び表面にタングステン、モリブデン等の高融点金属材
料から成る配線導体層及びスルーホール導体層を形成し
た構造の配線基板を準備し、該配線基板の絶縁基体上面
に半導体素子や容量素子、抵抗器等を搭載取着するとと
もに該半導体素子等の電極を前記配線導体層に電気的に
接続することによって形成されている。

【０００３】かかる従来の混成集積回路装置等に使用さ
れる配線基板は一般に、セラミックスの積層技術及びス
クリーン印刷等の厚膜形成技術を採用することによって
製作されており、具体的には以下の方法によって製作さ
れる。

【０００４】即ち、 （１）まず、酸化アルミニウム（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）、酸化珪
素（ＳｉＯ₂ ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カ
ルシウム（ＣａＯ）等から成るセラミックス原料粉末に
有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿物を作り、次にこれ
を従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法
等によりシート状に形成して複数枚のセラミックグリー
ンシート（セラミック生シート）を得る。そして各セラ
ミックグリーンシートの上面側から下面側にかけて金属
製の打ち抜きピンを押圧し、各セラミックグリーンシー
トの所定位置に厚み方向に貫通するスルーホールを形成
する。

【０００５】（２）次に、前記セラミックグリーンシー
トの表面及びスルーホール内に、タングステンやモリブ
デン粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して得た導電ペー
ストをスクリーン印刷法により所定パターンに印刷塗布
する。

【０００６】（３）そして最後に前記導電ペーストを印
刷塗布した各セラミックグリーンシートを上下に積層す
るとともに還元雰囲気中、約１６００℃の温度で焼成
し、セラミックグリーンシートと導電ペーストとを焼結
一体化することによって絶縁基体の内部及び表面に所定
パターンの配線導体層およびスルーホール導体層を形成
した配線基板が完成する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の配線基板においては、スルーホール導体層を形成す
るためのスルーホールがセラミックグリーンシートの上
面側から下面側にかけて金属製の打ち抜きピンを押圧す
ることによって形成されており、該打ち抜きピンは機械
的強度の関係から直径を８０μｍ以下とすることができ
ず、その結果、打ち抜きピンを用いて形成されるスルー
ホール及び該スルーホール内に形成されるスルーホール
導体層は直径が８０μｍ以上となり、スルーホール導体
層を高密度に形成することができないという欠点を有し
ていた。

【０００８】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的はスルーホール導体層を高密度に形成した
小型の配線基板およびその製造方法を提供することにあ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の配線基板は、電
気絶縁材料から成り、直径６０μｍ以下のスルーホール
を有する絶縁基体と、該絶縁基体の内部及び／又は表面
に形成された配線導体層と、前記スルーホール内に形成
されたスルーホール導体層とから成ることを特徴とする
ものである。

【００１０】また、本発明の配線基板の製造方法は、
（１）感光性樹脂組成物にセラミック粉末を分散混入さ
せた複数枚の感光性セラミックグリーンシートを作製す
る工程と、（２）前記感光性セラミックグリーンシート
の所定位置に光を照射し所定領域の感光性樹脂組成物を
光硬化させて厚み方向に貫通するスルーホールを有する
光硬化セラミックシートを作製する工程と、（３）感光
性樹脂組成物に金属粉末を分散混入させた感光性導電ペ
ーストを、前記光硬化セラミックシートの表面及びスル
ーホール内に被着させる工程と、（４）前記感光性導電
ペーストの所定位置に光を照射し、所定領域の感光性樹
脂組成物を光硬化させて光硬化セラミックシートの表面
及びスルーホール内に所定パターンの配線用導体層及び
スルーホール用導体層を形成する工程と、（５）前記配
線用導体層及びスルーホール用導体層が形成された光硬
化セラミックシートを複数枚、上下に積層するとともに
焼成し、セラミックから成る絶縁基体の内部及び表面に
配線導体とスルーホール導体を形成する工程とから成る
ものである。

【００１１】本発明の配線基板によれば、配線導体層や
スルーホール導体層が形成される絶縁基体を例えば感光
性樹脂にセラミック粉末を分散混入させた感光性のセラ
ミックグリーンシートを使用することによって製作した
ことから、セラミックグリーンシートの所定位置に光を
照射し所定領域の感光性樹脂組成物を光硬化させるとと
もに未硬化の領域の感光性樹脂組成物を現像により除去
することによってスルーホールを極めて簡単に、かつ直
径が６０μｍ以下の小さな径に形成することができ、そ
の結果、スルーホール内に形成されるスルーホール導体
層もその直径が６０μｍ以下の小さいものとなり、スル
ーホール導体層を極めて高密度に形成することが可能と
なる。

【００１２】

【発明の実施の形態】次に本発明の配線基板を図１に示
す実施例に基づいて説明する。図１は、本発明の配線基
板の一実施例を示す断面図であり、１は複数の絶縁層を
積層して成る絶縁基体、２は配線導体層、３はスルーホ
ール導体層である。

【００１３】前記絶縁基体１は酸化アルミニウム質焼結
体や窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、ガ
ラスセラミックス焼結体、結晶化ガラス質焼結体等のセ
ラミックス材料からなり、その上面に半導体素子等の能
動部品や容量素子、抵抗器等の受動部品が搭載される。

【００１４】前記絶縁基体１はその表面に所定パターン
の配線導体層２が形成されており、該配線導体層２には
絶縁基体１上面に搭載される半導体素子等の能動部品や
容量素子、抵抗器等の受動部品が電気的に接続される。

【００１５】前記配線導体層２は、例えば、金、銀、白
金、パラジウム、銅、ニッケル、モリブデン、タングス
テンまたはこれらの合金、あるいはこれらを主成分とす
る合金により形成されている。

【００１６】また前記絶縁基体１はその厚み方向に直径
が６０μｍ以下の複数個のスルーホール４が形成されて
おり、該スルーホール４内にはスルーホール導体３が充
填されている。

【００１７】前記スルーホール導体３は絶縁基体１の上
面に形成されている配線導体層２を絶縁基体１の下面側
に引き回し、絶縁基体１上面の配線導体層２を絶縁基体
１の内部に形成されている配線導体層（不図示）に接続
させたり、絶縁基体１上面の配線導体層２を絶縁基体１
の下面側で外部電気回路に電気的に接続させたりする作
用をなす。

【００１８】前記絶縁基体１に形成したスルーホール４
はその直径が６０μｍ以下と小さいことからスルーホー
ル４を絶縁基体１に高密度に形成することができ、同時
にスルーホール４内に形成されるスルーホール導体層３
も極めて高密度に形成することが可能となる。

【００１９】前記スルーホール導体層３は例えば、金、
銀、白金、パラジウム、銅、ニッケル、モリブデン、タ
ングステンまたはこれらの合金、あるいはこれらを主成
分とする合金により形成される。

【００２０】次に、上述の配線基板の製造方法について
図２（ａ）乃至（ｅ）に基づいて説明する。図２（ａ）
乃至（ｅ）は本発明の配線基板の製造方法を説明するた
めの各工程毎の断面図であり、まず図２（ａ）に示す如
く、セラミックグリーンシート１１を形成する。

【００２１】前記セラミックグリーンシート１１はセラ
ミック粉末に、光反応性化合物、光重合開始剤、光重合
促進剤から成る感光性樹脂組成物および必要に応じて有
機バインダー、紫外線吸収剤、熱重合禁止剤、非感光性
ポリマー等を混合して泥漿物を作り、次に前記泥漿物を
ドクターブレード法やカレンダーロール法等によりシー
ト状に成形することによって形成される。

【００２２】前記セラミックグリーンシート１１を形成
する際に用いられるセラミック粉末としてはガラスセラ
ミックス粉末、アルミナ粉末、ムライト粉末、窒化アル
ミニウム粉末、結晶化ガラス粉末等が使用され、例え
ば、ガラスセラミックス粉末が使用される場合には、酸
化マグネシウム（ＭｇＯ）１０．８重量％、酸化アルミ
ニウム（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）２８．０重量％、酸化珪素（Ｓｉ
Ｏ₂ ）４３．８重量％、酸化亜鉛（ＺｎＯ）７．１重量
％、残部がホウ素（Ｂ₂ Ｏ₃ ）から成るガラス成分８０
重量％に対し、酸化珪素（ＳｉＯ₂ ）粉末を２０重量％
としたものが好適に使用される。

【００２３】また前記セラミックグリーンシート１１を
形成する際に用いられる光反応性化合物は光反応性の炭
素−炭素不飽和結合を有するアクリル系またはメタクリ
ル系のモノマーもしくはオリゴマーであり、光硬化して
セラミックグリーンシートを後述する現像液に不溶とな
すことにより、フォトリソグラフ法によるスルーホール
形成を可能とする作用を有し、例えば、１，６ヘキサン
ジオールジアクリレート、トリプロピレングリコールジ
アクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレー
ト、２−（２−エトキシエトキシ）エチルアクリレー
ト、ステアリルアクリレート、テトラヒドラフルフリル
アクリレート、ラウリルアクリレート、２−フェノキシ
エチルアクリレート、イソデシルアクリレート、イソオ
クチルアクリレート、トリデシルアクリレート、カプロ
ラクトンアクリレート、エトキシ化ノニルフェニールア
クリレート、ジンクジアクリレート、１，３ブタンジオ
ールジアクリレート、１．４ブタンジオールジアクリレ
ート、ジエチレングリコールジアクリレート、ポリエチ
レングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコ
ールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリ
レート、エトキシ化ビスフェノールＡジアクリレート、
プロピシ化ネオペンチルグリコールアクリレート、トリ
ス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートトリアク
リレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリアク
リレート、ペンタエリストールトリアクリレート、プロ
ポキシ化トリメチロールプロパントリアクリレート、プ
ロキシ化グリセリルトリアクリレート、ジトリメチロー
ルプロパンテトラアクリレート、ジペンタエリストール
ヒドロキシペンタアクリレート、エトキシ化ペンタエリ
ストールテトラアクリレート、ペンタアクリレートエス
テル及び上記のアクリレートをメタクリレートに置き換
えたものがあり、これらの１種または２種以上を混合し
たものを用いることができる。

【００２４】また前記セラミックグリーンシート１１を
形成する際に用いられる光重合開始剤は紫外線等の光エ
ネルギーによりラジカルを生じ、このラジカルにより光
反応性化合物に光硬化の反応を開始させる作用を有し、
例えば、ベンゾフェノン、ｏ−ベンゾイル安息香酸メチ
ル、４，４−ビス（ジメチルアミン）ベンゾフェノン、
４，４ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４
−ジクロロベンゾフェノン、４−ベンゾイル−４−メチ
ルジフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノ
ン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２，２ジメト
キシ−２−フェニル−２−フェニルアセトフェノン、２
−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン、ｐ−ｔ−
ブチルジクロロアセトフェノン、チオキサントン、２−
メチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２
−イソプロピルチオキサントン、ジエチルチオキサント
ン、ベンジル、ベンジルジメチルケタノール、ベンジル
−メトキシエチルアセタール、ベンゾイン、ベンゾイン
メチルエーテル、ベンゾインブチルエーテル、アントラ
キノン、２−ｔ−ブチルアントラキノン、２−アミルア
ントラキノン、β−クロルアントラキノン、アントロ
ン、ベンゾアントロン、ジベンゾスベロン、メチレンア
ントロン、４−アジドベンザルアセトフェノン、２，６
−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）シクロヘキサノン、
２，６−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）−４−メチル
シクロヘキサノン、２−フェニル−１，２−ブタジオン
−２−（ｏ−メトキシカルボニル）オキシム、１−フェ
ニル−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニ
ル）オキシム、１，３−ジフェニル−プロパントリオン
−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェ
ニル−３−エトキシ−プロパントリオン−２−（ｏ−ベ
ンゾイル）オキシム、ミヒラーケトン、２−メチル−
［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノ−
１−プロパノン、ナフタレンスルホニルクロライド、キ
ノリンスルホニルクロライド、Ｎ−フェニルチオアクリ
ドン、４，４−アゾビスイソビチロニトリル、１−ヒド
ロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、２−ベン
ジル−２ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェ
ニル）−ブタノン−１，２−４ジエチルチオキサント
ン、２，２ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１
−オン、ジフェニルジスルフィド、ベンゾチアゾールジ
スルフィド、トリフェニルホルフィン、カンファーキノ
ン、四臭素化炭素、トリブロモフェニルスルホン、過酸
化ベンゾイン、及び、エオシン、メチレンブルーなどの
光還元性の色素とアスコルビン酸、トリエタノールアミ
ンなどの還元剤の組み合わせなどが挙げられ、上記化合
物中の１種または２種以上を用いることができる。

【００２５】また前記セラミックグリーンシート１１を
形成する際に用いられる光重合促進剤は光反応性化合物
の光硬化の反応を促進する作用を有し、例えば４−ジメ
チルアミノイソアミルベンゾエート、４−ジメチルアミ
ノエチルベンゾエートなどがあり、これらの１種または
２種以上を用いることができる。

【００２６】また前記セラミックグリーンシート１１を
形成する際に用いられる有機バインダーは、セラミック
粉末と結合してこれを有機溶剤中に分散させる作用を有
し、イソブチルメタクリレート（ｉ−ＢＭＡ）とアクリ
ル酸またはメタクリル酸との共重合体を用いることがで
きる。

【００２７】また前記セラミックグリーンシート１１を
形成する際に用いられる紫外線吸収剤は、光硬化の反応
を起こすために照射された紫外線がセラミックグリーン
シートの内部でセラミック粉末により散乱されて不要な
部分まで光硬化させてしまい、例えばスルーホールの形
成精度を劣化させてしまうということを防ぐ作用を有
し、ベンゾトリアゾール系、ベンゾフェノン系、ビンダ
ードアミン系の化合物の１種または２種以上を用いるこ
とができる。

【００２８】また前記セラミックグリーンシート１１を
形成する際に用いられる熱重合禁止剤はフリーラジカル
を吸収する性質があり、セラミックグリーンシートに環
境中から加わる弱い熱エネルギーにより感光性樹脂組成
物の一部から小量のフリーラジカルを生じ、このフリー
ラジカルにより光反応性化合物が部分的に重合して現像
液に溶解し難くなってフォトリソグラフ法によるスルー
ホールの形成が困難になる、ということを防ぐ作用を有
し、例えば、キノン、ハイドロキノン、メチルハイドロ
キノン、ニトロソアルミニウム塩、ハイドロキノンモノ
メチルエーテル、２，６−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾー
ル、２．３−ジメチル−６−ｔ−ブチルフェノールが挙
げられ、これらの１種または２種以上を用いることがで
きる。

【００２９】また前記セラミックグリーンシート１１を
形成する際に用いられる非感光性ポリマーは、光反応性
化合物の作用を補完してセラミック粉末をシート状に成
形することを補助する作用を有し、アクリル酸エステル
共重合体、メタクリル酸エステル共重合体、アクリル酸
エステル−メタクリル酸エステル共重合体等の樹脂にカ
ルボン酸を置換した樹脂を置換した樹脂が挙げられ、例
えば、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタ
クリル酸ｎブチル、メタクリル酸イソブチル、メタクリ
ル酸ｔ−ブチル、メタクリル酸２エチルヘキシル、メタ
クリル酸ラウリル、メタクリル酸トリデシル、メタクリ
ル酸ステアリル、メタクリル酸シクロヘキシル、メタク
リル酸ベンジル、メタクリル酸イソボニル、メタクリル
酸グリシジル、メタクリル酸テトラヒドロフルフリル、
メタクリル酸アリル、メタクリル酸２ヒドロキシエチ
ル、メタクリル酸ヒドロキシプロピル、メタクリル酸２
−メトキシエチル、メタクリル酸２−エトキシエチル、
ジメタクリル酸エチレングリコール、ジメタクリル酸ト
リエチレングリコール、ジメタクリル酸１，３ブチレン
グリコール、ジメタクリル酸１，６ヘキサンジオール、
ジメタクリル酸ポリプロピレングリコール、トリメタク
リル酸トリメチロールプロパン、コハク酸２−メタクリ
ロイルオキシエチル、マレイン酸２−メタクリロイルオ
キシエチル、フタル酸２−メタクリロイルオキシエチ
ル、ヘキサヒドロフタル酸２−メタクリロイルオキシエ
チル、メタクリル酸ジメチルアミノエチル、メタクリル
酸ジエチルアミノエチル、メタクリル酸トリフルオロエ
チル、メタクリル酸ヘプタデカフルオデシル及びこれら
の有機酸をアクリル酸で置き換えたものの共重合体が挙
げられ、置換するカルボン酸としてはアクリル酸、メタ
クリル酸、イタコン酸、クロトン酸、マレイン酸、フマ
ル酸、ビニル酸およびこれらの酸無水物が挙げられる。

【００３０】次に前記セラミックグリーンシート１１の
上面に図２（ｂ）に示す如く、フォトマスクパターン１
２を被着形成する。

【００３１】前記フォトマスクパターン１２は微細加工
が可能なフォトリソグラフィー技術を採用することによ
ってセラミックグリーンシート１１の上面に形成され、
その形状は形成しようとするスルーホールの形状に対応
したものとなっている。

【００３２】次に前記フォトマスクパターン１２が被着
されているセラミックグリーンシート１１に対し、フォ
トマスクパターン１２側から、例えば、約５０〜３００
ｍｊ／ｃｍ² の強度の紫外線を照射し、フォトマスクパ
ターン１２で覆われた紫外線の照射されていない領域、
即ち、未硬化の領域を現像により除去することによって
図２（ｃ）に示す如く、所定位置にスルーホール１３が
形成された光硬化セラミックシート１１ａを得る。

【００３３】前記セラミックグリーンシート１１に紫外
線等の光を照射してスルーホール１３を有する光硬化セ
ラミックシート１１ａを形成した場合、フォトマスクパ
ターン１２が微細加工の可能なフォトリソグラフィー技
術を採用することによって形成されているためスルーホ
ール１３の径は６０μｍ以下の小さな径とすることがで
き、同時にスルーホール１３の形成がフォトマスクパタ
ーンを介して紫外線等の光を照射し、未硬化の領域を現
像で除去するという極めて簡単な作業で行うことができ
る。

【００３４】なお、前記スルーホール１３を形成するた
めの未硬化の感光性樹脂組成物を除去する現像液として
は、例えば、トリエタノールアミン等の有機アルカリの
溶液が使用され、該トリエタノールアミン等の有機アル
カリから成る溶液は未硬化のセラミックグリーンシート
中の有機バインダーの有するカルボキシル基から水素イ
オンを奪い、このカルボキシル基をイオン化することに
より水溶性となし、現像液または洗浄水中に溶解させ
る。

【００３５】また前記スルーホール１３を有する光硬化
セラミックシート１１ａを形成する場合、セラミックグ
リーンシート１１に含有されているセラミック粉末の平
均粒径を約２μｍ（マイクロトラック法でＤ５０）とし
ておくと、紫外線の透過が良好で光硬化を均一に行わせ
ることができる。従って、前記セラミックグリーンシー
ト１１のセラミック粉末はその平均粒径を約２μｍとし
ておくことが好ましい。

【００３６】また前記セラミックグリーンシート１１に
含有されている光反応性化合物は、その添加量をセラミ
ック粉末１００重量部に対して５〜１２重量部としてお
くとスルーホール１２をセラミックグリーンシート１１
の厚み方向に均一に形成することが容易となる。従っ
て、前記セラミックグリーンシート１１に含有されてい
る光反応性化合物はその添加量をセラミック粉末１００
重量部に対して５〜１２重量部としておくことが好まし
い。

【００３７】また前記セラミックグリーンシート１１に
含有されている光重合開始剤は、その添加量をセラミッ
ク粉末１００重量部に対して０．５〜５重量部としてお
くと光硬化の反応をセラミックグリーンシート１１中で
均一に開始させることができる。従って、前記セラミッ
クグリーンシート１１に含有されている光重合開始剤は
その添加量をセラミック粉末１００重量部に対して０．
５〜５重量部としておくことが好ましい。

【００３８】また前記セラミックグリーンシート１１に
含有されている光重合促進剤は、その添加量をセラミッ
ク粉末１００重量部に対して２〜５重量部としておくと
セラミックグリーンシート１１中で均一に光硬化の反応
を促進させることができる。

【００３９】従って、前記セラミックグリーンシート１
１に含有されている光重合促進剤はその添加量をセラミ
ック粉末１００重量部に対して２〜５重量部としておく
ことが好ましい。

【００４０】また前記セラミックグリーンシート１１に
含有される有機バインダーは、その添加量をセラミック
粉末１００重量部に対して１０〜２５重量部としておく
と、セラミック粉末を有機溶剤中に均一に分散させるこ
とが容易であり、また後の焼成の際に容易に分解してセ
ラミックから成る絶縁基体中に残留することがない。

【００４１】従って、前記セラミックグリーンシート１
１に含有される有機バインダーはその添加量をセラミッ
ク粉末１００重量部に対して１０〜２５重量部としてお
くことが好ましい。

【００４２】また前記セラミックグリーンシート１１に
含有される紫外線吸収剤は、その添加量をセラミック粉
末１００重量部に対して０．０１〜２重量部としておく
と紫外線を過度に吸収することなく効果的に吸収し、不
要な部分の光硬化を抑えることができる。従って、前記
セラミックグリーンシート１１に含有される紫外線吸収
剤はその添加量をセラミック粉末１００重量部に対して
０．０１〜２重量部としておくことが好ましい。

【００４３】また前記セラミックグリーンシート１１に
含有される熱重合禁止剤はセラミック粉末１００重量部
に対して０．１〜５重量部の範囲としておくと熱エネル
ギーにより生じた小量のフリーラジカルを効果的に吸収
することができるとともに、光硬化の反応を妨げること
がなく、スルーホール１３を任意の箇所に精度良く形成
することができる。従って、前記セラミックグリーンシ
ート１１に含有される熱重合禁止剤はその添加量をセラ
ミック粉末１００重量部に対して０．１〜５重量部の範
囲としておくことが好ましい。

【００４４】また前記セラミックグリーンシート１１
は、その厚みが１０μｍ未満の場合、機械的強度が弱
く、容易に破断して、取扱いが困難となり、また６０μ
ｍを超えると、光硬化のために照射される紫外線等の光
がセラミックグリーンシートの下面側に到達し難くなっ
てスルーホール１３の形成の解像度が低下する恐れがあ
る。従って、前記セラミックグリーンシート１１は、そ
の厚みを１０〜６０μｍの範囲としておくことが好まし
いそして次に図２（ｄ）に示す如く、前記スルーホール
１３を有する光硬化セラミックシート１１ａの表面およ
びスルーホール１３内に導電ペーストをスクリーン印刷
法等によって所定パターン、所定厚みに被着充填し、配
線用導体層１５およびスルーホール用導体層１６を形成
する。

【００４５】前記導電ペーストは、例えば、金、銀、白
金、パラジウム、銅、ニッケル、モリブデン、タングス
テンまたはこれらの合金、あるいはこれらを主成分とす
る合金から成る金属粉末に、適当な有機溶剤、溶媒を添
加混合することによって形成される。

【００４６】そして最後に前記表面及びスルーホール１
３内に所定パターンの配線用導体層１５及びスルーホー
ル用導体層１６が被着充填された光硬化セラミックシー
ト１１ａを必要に応じて複数枚積層するとともにこれを
約１０００℃の温度で焼成し、各光硬化セラミックシー
ト１１ａ同士及び光硬化セラミックシート１１ａと配線
用導体層１５及びスルーホール用導体層１６を焼結一体
化させることによって図２（ｅ）に示す如く、絶縁基体
１の内部及び表面に配線導体層２とスルーホール導体層
３を有する製品としての配線基板が完成する。

【００４７】この場合、スルーホール用導体層１６はそ
の直径を６０μｍ以下の小さいものに形成することがで
きるためスルーホール導体層３もその直径を６０μｍ以
下の小さいものとなすことができ、スルーホール導体層
３を絶縁基体１に極めて高密度に形成することが可能と
なる。

【００４８】なお本発明は上述の実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能である。

【００４９】

【発明の効果】本発明によれば、配線導体層やスルーホ
ール導体層が形成される絶縁基体を、例えば、感光性樹
脂組成物にセラミック粉末を分散混入させた感光性のセ
ラミックグリーンシートを使用することによって製作し
たことから、セラミックグリーンシートの所定位置に光
を照射し所定領域の感光性樹脂組成物を光硬化させると
ともに未硬化の領域の感光性樹脂組成物を現像により除
去することによってスルーホールを極めて簡単に、かつ
直径が６０μｍ以下の小さな径に形成することができ、
その結果、スルーホール内に形成されるスルーホール導
体層もその直径が６０μｍ以下の小さいものとなり、ス
ルーホール導体層を極めて高密度に形成することが可能
となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の配線基板の一実施例を示す断面図であ
る。

【図２】（ａ）乃至（ｅ）は図１に示す配線基板の製造
方法を説明するための各工程毎の断面図である。

【符号の説明】

１・・・・絶縁基体 ２・・・・配線導体層 ３・・・・スルーホール導体層 ４・・・・スルーホール １１・・・感光性セラミックグリーンシート １１ａ・・光硬化セラミックシート １５・・・配線用導体層 １６・・・スルーホール用導体層

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】電気絶縁材料から成り、直径６０μｍ以下
   のスルーホールを有する絶縁基体と、該絶縁基体の内部
   及び／又は表面に形成された配線導体層と、前記スルー
   ホール内に形成されたスルーホール導体層とから成る配
   線基板。
2. 【請求項２】（１）感光性樹脂組成物にセラミック粉末
   を分散させた感光性セラミックグリーンシートを作製す
   る工程と、（２）前記感光性セラミックグリーンシート
   の所定位置に光を照射し所定領域の感光性樹脂組成物を
   光硬化させるとともに現像して厚み方向に貫通するスル
   ーホールを有する光硬化セラミックシートを形成する工
   程と、（３）金属粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合させ
   た導電ペーストを、前記光硬化セラミックシートの表面
   及びスルーホール内に被着させ光硬化セラミックシート
   の表面及びスルーホール内に所定パターンの配線用導体
   層及びスルーホール用導体層を形成する工程と、（４）
   前記配線用導体層及びスルーホール用導体層が形成され
   た光硬化セラミックシートを焼成し、セラミックから成
   る絶縁基体の内部及び表面に配線導体層とスルーホール
   導体層を形成する工程とから成る配線基板の製造方法。