JP2000156559A - ビアホール部を有する基板へのレジスト層の形成方法 - Google Patents
ビアホール部を有する基板へのレジスト層の形成方法Info
- Publication number
- JP2000156559A JP2000156559A JP33009698A JP33009698A JP2000156559A JP 2000156559 A JP2000156559 A JP 2000156559A JP 33009698 A JP33009698 A JP 33009698A JP 33009698 A JP33009698 A JP 33009698A JP 2000156559 A JP2000156559 A JP 2000156559A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- substrate
- via hole
- resist layer
- viahole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ビアホール部を有する基板において、ビアホ
ールの穴埋め及びレジスト膜の形成における工数を低減
させる。 【解決手段】 ビアホール部を有する基板へ液状レジス
トを用いてレジスト層を形成する方法において、該液状
レジストの粘性をチキソトロピックインデックスで１．
５〜４．０に調整し、静電霧化塗装又はエアー霧化塗装
によって粒径が１〜１００μmの範囲で基板に乾燥膜厚
でビアホールの深さの１／５以上且つ１０μm以上に塗
着させた後、乾燥させることを特徴とするビアホール部
を有する基板へのレジスト層の形成方法。
ールの穴埋め及びレジスト膜の形成における工数を低減
させる。 【解決手段】 ビアホール部を有する基板へ液状レジス
トを用いてレジスト層を形成する方法において、該液状
レジストの粘性をチキソトロピックインデックスで１．
５〜４．０に調整し、静電霧化塗装又はエアー霧化塗装
によって粒径が１〜１００μmの範囲で基板に乾燥膜厚
でビアホールの深さの１／５以上且つ１０μm以上に塗
着させた後、乾燥させることを特徴とするビアホール部
を有する基板へのレジスト層の形成方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ビアホール部を有
する基板へのレジスト層の形成方法及びビアホール部を
有するプリント配線基板の製造方法に関する。
する基板へのレジスト層の形成方法及びビアホール部を
有するプリント配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及びその課題】従来、ビアホール部を有す
る基板を製造する場合、液状レジストをシルクスクリー
ン法、又はロールコーター塗装法で直接基板に塗装する
と、このビアホール部に気泡が混入し、露光工程やその
後の熱処理により膜の破泡などの不具合が生じていた。
る基板を製造する場合、液状レジストをシルクスクリー
ン法、又はロールコーター塗装法で直接基板に塗装する
と、このビアホール部に気泡が混入し、露光工程やその
後の熱処理により膜の破泡などの不具合が生じていた。
【０００３】通常、ビアホール部を有する基板へのレジ
ストの塗布はスクリーン印刷法によって行われている
が、この方法では、ビアホール部に穴埋めレジストを穴
埋め塗布した後に、表面に液状レジストを塗布する工法
であり、非常に工数がかかるという問題があった。
ストの塗布はスクリーン印刷法によって行われている
が、この方法では、ビアホール部に穴埋めレジストを穴
埋め塗布した後に、表面に液状レジストを塗布する工法
であり、非常に工数がかかるという問題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らはビ
アホール部を有する基板に液状レジストを形成する方法
において、穴埋めレジスト（インク）を使用せずに、工
程を大幅に短縮できる方法を得るべく鋭意研究を行った
結果、液状レジストを、静電霧化塗装又はエアー霧化塗
装により、所定の粒子径で塗装することにより、ビアホ
ール部を有する基板にレジスト膜を形成することができ
ることを見い出し本発明を完成するに至った。
アホール部を有する基板に液状レジストを形成する方法
において、穴埋めレジスト（インク）を使用せずに、工
程を大幅に短縮できる方法を得るべく鋭意研究を行った
結果、液状レジストを、静電霧化塗装又はエアー霧化塗
装により、所定の粒子径で塗装することにより、ビアホ
ール部を有する基板にレジスト膜を形成することができ
ることを見い出し本発明を完成するに至った。
【０００５】かくして、本発明に従えば、 １．ビアホール部を有する基板へ液状レジストを用いて
レジスト層を形成する方法において、該液状レジストの
粘性をチキソトロピックインデックスで１．５〜４．０
に調整し、静電霧化塗装又はエアー霧化塗装によって粒
径が１〜１００μmの範囲で基板に乾燥膜厚でビアホー
ルの深さの１／５以上且つ１０μm以上に塗着させた
後、乾燥させることを特徴とするビアホール部を有する
基板へのレジスト層の形成方法が提供される。
レジスト層を形成する方法において、該液状レジストの
粘性をチキソトロピックインデックスで１．５〜４．０
に調整し、静電霧化塗装又はエアー霧化塗装によって粒
径が１〜１００μmの範囲で基板に乾燥膜厚でビアホー
ルの深さの１／５以上且つ１０μm以上に塗着させた
後、乾燥させることを特徴とするビアホール部を有する
基板へのレジスト層の形成方法が提供される。
【０００６】かくして、本発明に従えば、 ２．前項１により形成されたビアホール部を有する基板
上のレジスト層に、パターン状に露光を行い、ついで現
像、エッチング及び必要に応じて残存レジスト層の除去
を行うことを特徴とするビアホール部を有するプリント
配線基板の製造方法が提供される。
上のレジスト層に、パターン状に露光を行い、ついで現
像、エッチング及び必要に応じて残存レジスト層の除去
を行うことを特徴とするビアホール部を有するプリント
配線基板の製造方法が提供される。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明において使用するビアホー
ル部を有する基板としては、表面及びビアホール部内面
に導電性皮膜を形成してなる基板を挙げることができ、
例えば電気絶縁性のガラス−エポキシ板などのプラスチ
ック板やプラスチックフィルムなどの表面に、銅、アル
ミニウムなどの金属箔を接着することによって、あるい
は銅などの金属又は酸化インジウム−錫（ＩＴＯ）に代
表される導電性酸化物などの化合物を真空蒸着や化学蒸
着などの方法で導電性皮膜を形成することによって、表
面を導電性とした基材に、ビアホール部を設けビアホー
ル部内面に、例えば銅メッキなどの方法によって導電性
皮膜を形成してなる基板、ならびに金属などの導電体パ
ターンを形成した基板上に絶縁性樹脂層を設け、この樹
脂層にレーザー加工又は写真法などにより穴開けを行
い、ついで銅メッキなどの方法によってビアホール部内
面を含む絶縁性樹脂層表面に導電性皮膜を形成してなる
基板などを挙げることができる。
ル部を有する基板としては、表面及びビアホール部内面
に導電性皮膜を形成してなる基板を挙げることができ、
例えば電気絶縁性のガラス−エポキシ板などのプラスチ
ック板やプラスチックフィルムなどの表面に、銅、アル
ミニウムなどの金属箔を接着することによって、あるい
は銅などの金属又は酸化インジウム−錫（ＩＴＯ）に代
表される導電性酸化物などの化合物を真空蒸着や化学蒸
着などの方法で導電性皮膜を形成することによって、表
面を導電性とした基材に、ビアホール部を設けビアホー
ル部内面に、例えば銅メッキなどの方法によって導電性
皮膜を形成してなる基板、ならびに金属などの導電体パ
ターンを形成した基板上に絶縁性樹脂層を設け、この樹
脂層にレーザー加工又は写真法などにより穴開けを行
い、ついで銅メッキなどの方法によってビアホール部内
面を含む絶縁性樹脂層表面に導電性皮膜を形成してなる
基板などを挙げることができる。
【０００８】ここで言うビアホールは、ブラインドホー
ルとも呼ばれ、一般に直径が３０〜２００μm、深さは
１０μ〜１００μmの非貫通穴のことであり、基板表面
から、裏側まで突き抜けていない穴を意味する。このよ
うな基板は、銅メッキなどにより導電性皮膜を形成して
いる基板や金属などの導電体パターンを形成した基板に
絶縁性樹脂などを設け、この樹脂にレーザー加工やフォ
ト法などにより穴開けを行い、ついで銅メッキなどによ
りビアホール部内の絶縁性樹脂表面に導電性皮膜を形成
しているものを挙げることができる。
ルとも呼ばれ、一般に直径が３０〜２００μm、深さは
１０μ〜１００μmの非貫通穴のことであり、基板表面
から、裏側まで突き抜けていない穴を意味する。このよ
うな基板は、銅メッキなどにより導電性皮膜を形成して
いる基板や金属などの導電体パターンを形成した基板に
絶縁性樹脂などを設け、この樹脂にレーザー加工やフォ
ト法などにより穴開けを行い、ついで銅メッキなどによ
りビアホール部内の絶縁性樹脂表面に導電性皮膜を形成
しているものを挙げることができる。
【０００９】本発明方法において、上記ビアホール部を
有する基板上に塗装する液状レジストは、プリント基板
形成に使用できる液状レジストであればよく、ネガ型フ
ォトレジスト、ポジ型フォトレジストのいずれも使用す
ることができる。
有する基板上に塗装する液状レジストは、プリント基板
形成に使用できる液状レジストであればよく、ネガ型フ
ォトレジスト、ポジ型フォトレジストのいずれも使用す
ることができる。
【００１０】該液状レジストは、ビアホール内に塗装に
より良好に穴埋めされ、また基板表面に均一なレジスト
層を形成するためには、粘性がチキソトロピックインデ
ックス（Ｂ型回転粘度計で６rpmでの粘度と６０rpmでの
粘度の比）で１．５〜４．０、好ましくは２．０〜３．
０の範囲にあることが必要である。
より良好に穴埋めされ、また基板表面に均一なレジスト
層を形成するためには、粘性がチキソトロピックインデ
ックス（Ｂ型回転粘度計で６rpmでの粘度と６０rpmでの
粘度の比）で１．５〜４．０、好ましくは２．０〜３．
０の範囲にあることが必要である。
【００１１】チキソトロピックインデックス（Ｔｉ）が
１．５未満ではレジスト液がたれ易くなり、他方４．０
を超えると流動性が低下し、更にスプレー時の粒径を１
００μm以下に調整することが困難となり、ビアホール
内の穴埋めがうまくできなくなるという問題がある。
１．５未満ではレジスト液がたれ易くなり、他方４．０
を超えると流動性が低下し、更にスプレー時の粒径を１
００μm以下に調整することが困難となり、ビアホール
内の穴埋めがうまくできなくなるという問題がある。
【００１２】本発明において、ビアホールの穴埋めと基
板へのレジスト層の形成を良好に行うには、塗布する液
状レジストの粒径がビアホールの直径より小さい範囲で
ある１〜１００μm、好ましくは５〜７０μmの範囲にす
る必要がある。このような粒径範囲で液状レジストを目
的のとおりに塗布するには液状レジストの粘性を上記の
ように調整して静電霧化塗装又はエアー霧化塗装によっ
て行うことが必要である。
板へのレジスト層の形成を良好に行うには、塗布する液
状レジストの粒径がビアホールの直径より小さい範囲で
ある１〜１００μm、好ましくは５〜７０μmの範囲にす
る必要がある。このような粒径範囲で液状レジストを目
的のとおりに塗布するには液状レジストの粘性を上記の
ように調整して静電霧化塗装又はエアー霧化塗装によっ
て行うことが必要である。
【００１３】また、ビアホールの穴埋めと基板へのレジ
スト層の形成を良好に同時に行うにはレジスト層の乾燥
膜厚をビアホールの深さの１／５以上且つ１０μm以上
にすることが必要である。すなわち、通常の回路パター
ンの銅細線の高さ１５〜６０μm、幅３０〜３００μm上
に１０μm以上の膜厚を確保することができる。
スト層の形成を良好に同時に行うにはレジスト層の乾燥
膜厚をビアホールの深さの１／５以上且つ１０μm以上
にすることが必要である。すなわち、通常の回路パター
ンの銅細線の高さ１５〜６０μm、幅３０〜３００μm上
に１０μm以上の膜厚を確保することができる。
【００１４】また、本発明において、静電霧化塗装又は
エアー霧化塗装により液状レジストを基板に塗着させた
際の、塗着したレジストの２５℃における粘度が５０〜
５，０００ポアズ、好ましくは１００〜３，０００ポア
ズで、しかも塗着したレジストの固形分が５０〜９０重
量％、好ましくは６０〜８０重量％となるものであるこ
とが好ましい。
エアー霧化塗装により液状レジストを基板に塗着させた
際の、塗着したレジストの２５℃における粘度が５０〜
５，０００ポアズ、好ましくは１００〜３，０００ポア
ズで、しかも塗着したレジストの固形分が５０〜９０重
量％、好ましくは６０〜８０重量％となるものであるこ
とが好ましい。
【００１５】上記液状レジストとして使用できるネガ型
フォトレジストの代表例としては、光照射により架橋又
は重合しうる感光性基を含有する光硬化性樹脂と照射光
に対し有効な光重合開始剤系との組合せ及びこの組合せ
に、更にエチレン性不飽和化合物を加えた従来から公知
の組合せを挙げることができる。
フォトレジストの代表例としては、光照射により架橋又
は重合しうる感光性基を含有する光硬化性樹脂と照射光
に対し有効な光重合開始剤系との組合せ及びこの組合せ
に、更にエチレン性不飽和化合物を加えた従来から公知
の組合せを挙げることができる。
【００１６】前記液状レジストとして使用できるポジ型
フォトレジストの代表例としては、例えば、アクリル樹
脂などの基体樹脂にキノンジアドスルホン酸をスルホン
酸エステル結合を介して基体樹脂に結合させた樹脂を主
成分とする組成物（特開昭６１−２０６２９３号公報参
照）、カルボキシル基及び場合によりフェノール性水酸
基を含む重合体、多ビニルエーテル化合物及び酸発生化
合物からなる組成物（特開平７−１４６５５２号公報参
照）など従来公知の組成物を挙げることができる。
フォトレジストの代表例としては、例えば、アクリル樹
脂などの基体樹脂にキノンジアドスルホン酸をスルホン
酸エステル結合を介して基体樹脂に結合させた樹脂を主
成分とする組成物（特開昭６１−２０６２９３号公報参
照）、カルボキシル基及び場合によりフェノール性水酸
基を含む重合体、多ビニルエーテル化合物及び酸発生化
合物からなる組成物（特開平７−１４６５５２号公報参
照）など従来公知の組成物を挙げることができる。
【００１７】本発明においては、液状レジストを静電霧
化塗装又はエアー霧化塗装によって塗装するので、微粒
化されたレジスト粒子が基板に向かって飛行中にかなり
の溶剤成分が蒸発するので基板に塗着したレジストの固
形分はかなり高くなる。また微粒化された塗料粒子とし
て塗着するので、ビアホール部の内部に塗着する際にビ
アホール部の内部の空気と効果的に置換されビアホール
部の内部に空気が残存しにくくなり、ビアホール部の内
部に残存する空気による悪影響を受けることなく良好な
レジスト膜を形成することができる。更に静電による塗
装の場合塗着効率が高く、ビアホール部の内部やコーナ
ー部にも十分に塗着する。
化塗装又はエアー霧化塗装によって塗装するので、微粒
化されたレジスト粒子が基板に向かって飛行中にかなり
の溶剤成分が蒸発するので基板に塗着したレジストの固
形分はかなり高くなる。また微粒化された塗料粒子とし
て塗着するので、ビアホール部の内部に塗着する際にビ
アホール部の内部の空気と効果的に置換されビアホール
部の内部に空気が残存しにくくなり、ビアホール部の内
部に残存する空気による悪影響を受けることなく良好な
レジスト膜を形成することができる。更に静電による塗
装の場合塗着効率が高く、ビアホール部の内部やコーナ
ー部にも十分に塗着する。
【００１８】本発明においてプリント配線基板を製造す
るには、本発明によって得られたビアホール部を有する
基板のレジスト層を露光、現像によりレジストパターン
を形成し、ついでエッチング、必要に応じて残存レジス
ト層の除去を行えばよい。本発明のプリント配線基板の
製造方法について以下に述べる。
るには、本発明によって得られたビアホール部を有する
基板のレジスト層を露光、現像によりレジストパターン
を形成し、ついでエッチング、必要に応じて残存レジス
ト層の除去を行えばよい。本発明のプリント配線基板の
製造方法について以下に述べる。
【００１９】本発明のレジスト層の形成方法によって得
られたビアホール部を有する基板のレジスト層にパター
ン状に活性光線を露光し、ついで現像を行ってレジスト
パターンを基板上に形成する。パターン状に活性光線を
露光する方法としては、例えば、ネガ型又はポジ型のフ
ォトマスクを介して活性光線を照射する方法、レーザー
走査による直接描画法などによって行うことができる。
られたビアホール部を有する基板のレジスト層にパター
ン状に活性光線を露光し、ついで現像を行ってレジスト
パターンを基板上に形成する。パターン状に活性光線を
露光する方法としては、例えば、ネガ型又はポジ型のフ
ォトマスクを介して活性光線を照射する方法、レーザー
走査による直接描画法などによって行うことができる。
【００２０】露光に使用し得る活性光線としては、紫外
線、可視光線、レーザー光（例えば可視光レーザー、紫
外線レーザー）などが挙げられ、その照射量は通常、１
〜５００mj/cm2、好ましくは３〜２００mj/cm2の範囲内
が適当である。また上記活性光線の照射源としては、従
来から光硬化性レジストへの光照射のために使用されて
いるものが同様に使用可能であり、超高圧水銀ランプ、
高圧水銀ランプ、アルゴンレーザー、エキシマレーザー
などが挙げられる。
線、可視光線、レーザー光（例えば可視光レーザー、紫
外線レーザー）などが挙げられ、その照射量は通常、１
〜５００mj/cm2、好ましくは３〜２００mj/cm2の範囲内
が適当である。また上記活性光線の照射源としては、従
来から光硬化性レジストへの光照射のために使用されて
いるものが同様に使用可能であり、超高圧水銀ランプ、
高圧水銀ランプ、アルゴンレーザー、エキシマレーザー
などが挙げられる。
【００２１】上記露光によって、レジスト層がネガ型で
ある場合には露光部が硬化され、未露光部が現像によっ
て除去され、一方、レジスト層がポジ型である場合には
露光部が分解、イオン形成などにより現像液に溶解され
やすくなり、露光部が現像によって除去される。
ある場合には露光部が硬化され、未露光部が現像によっ
て除去され、一方、レジスト層がポジ型である場合には
露光部が分解、イオン形成などにより現像液に溶解され
やすくなり、露光部が現像によって除去される。
【００２２】現像は、露光されたレジストを、レジスト
に応じた現像液、例えば、酸現像液、アルカリ現像液、
水もしくは有機溶剤に浸漬する方法、又はレジストにこ
れらの現像液をスプレーする方法などによってレジスト
を洗浄することによって行うことができる。現像条件は
特に限定されるものではないが、通常、１５〜４０℃で
１５秒〜５分の範囲で行うことが好ましい。
に応じた現像液、例えば、酸現像液、アルカリ現像液、
水もしくは有機溶剤に浸漬する方法、又はレジストにこ
れらの現像液をスプレーする方法などによってレジスト
を洗浄することによって行うことができる。現像条件は
特に限定されるものではないが、通常、１５〜４０℃で
１５秒〜５分の範囲で行うことが好ましい。
【００２３】上記のようにして得られるレジストパター
ンが形成された基板は、レジストパターンが形成されて
いない露出部の導電性皮膜をエッチングすることにより
回路パターンが形成される。このエッチングは、基板上
の導電性皮膜の種類などに応じて選択されたエッチング
剤を用いて行うことができる。例えば導電性皮膜が銅で
ある場合には、塩化第二銅などの酸性エッチング液、ア
ンモニア系エッチング液などを用いて行うことができ
る。このエッチングによって現像工程により露出した部
分の導電性皮膜を除去することができる。本発明におい
ては、ビアホール部の内部やコーナー部においてもレジ
スト層が十分に形成されているのでエッチング工程でビ
アホール部の内部やコーナー部の銅が溶解することがな
く断線を起こすことがない。
ンが形成された基板は、レジストパターンが形成されて
いない露出部の導電性皮膜をエッチングすることにより
回路パターンが形成される。このエッチングは、基板上
の導電性皮膜の種類などに応じて選択されたエッチング
剤を用いて行うことができる。例えば導電性皮膜が銅で
ある場合には、塩化第二銅などの酸性エッチング液、ア
ンモニア系エッチング液などを用いて行うことができ
る。このエッチングによって現像工程により露出した部
分の導電性皮膜を除去することができる。本発明におい
ては、ビアホール部の内部やコーナー部においてもレジ
スト層が十分に形成されているのでエッチング工程でビ
アホール部の内部やコーナー部の銅が溶解することがな
く断線を起こすことがない。
【００２４】上記エッチング工程後、必要に応じて残存
するレジスト層が除去される。残存レジスト膜の除去
は、レジスト膜を溶解するが、基板及び基板表面の回路
パターンである導電性皮膜を実質的に侵すことのない溶
剤を用いて行うことができ、例えば、アルカリ又は酸の
水溶液や各種の有機溶剤を使用することができる。
するレジスト層が除去される。残存レジスト膜の除去
は、レジスト膜を溶解するが、基板及び基板表面の回路
パターンである導電性皮膜を実質的に侵すことのない溶
剤を用いて行うことができ、例えば、アルカリ又は酸の
水溶液や各種の有機溶剤を使用することができる。
【００２５】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に具体的に説
明する。
明する。
【００２６】実施例１ 関西ペイント（株）製、「ゾンネアルソルダーＰＡ−５
０００Ｇ」（商品名、紫外線硬化型ネガ型液状レジス
ト）を用いて、直径１００μm、深さ５０μmのビアホー
ル部を有する基板に、関西ペイント（株）製、静電霧化
塗装装置「Ｕコーター」を用いて、以下の塗装条件でレ
ジスト層の形成を行った。
０００Ｇ」（商品名、紫外線硬化型ネガ型液状レジス
ト）を用いて、直径１００μm、深さ５０μmのビアホー
ル部を有する基板に、関西ペイント（株）製、静電霧化
塗装装置「Ｕコーター」を用いて、以下の塗装条件でレ
ジスト層の形成を行った。
【００２７】Ｔｉ値：２．５、粘度：２００センチポイ
ズ（２５℃）、ガン数：３（５０cm間隔で３つのガンが
並んでおり、片面を３つのガンで塗装する。）、コンベ
ア速度１．５m/min、吐出量１００cc/min（１ガンあた
り）、高電圧：−４０kV、ベル回転数：１８，０００rp
m、レシプロ速度：１５m/min、乾燥膜厚：４０μm、粒
子径：５〜５０μm。
ズ（２５℃）、ガン数：３（５０cm間隔で３つのガンが
並んでおり、片面を３つのガンで塗装する。）、コンベ
ア速度１．５m/min、吐出量１００cc/min（１ガンあた
り）、高電圧：−４０kV、ベル回転数：１８，０００rp
m、レシプロ速度：１５m/min、乾燥膜厚：４０μm、粒
子径：５〜５０μm。
【００２８】上記条件にて、ビアホール部を有する基板
を塗装し、その後８０℃×３０分、露光１５０mj/cm2、
ポストキュア１５０℃×１時間行った。その後、レペラ
ー処理２６０℃×３０秒行ったが破損はまったくなかっ
た。また、クロスセクションをとり、電子顕微鏡で観察
したが、気泡は見られなかった。更に、銅細線上の膜厚
も１０μm以上の膜厚が確保できていた。
を塗装し、その後８０℃×３０分、露光１５０mj/cm2、
ポストキュア１５０℃×１時間行った。その後、レペラ
ー処理２６０℃×３０秒行ったが破損はまったくなかっ
た。また、クロスセクションをとり、電子顕微鏡で観察
したが、気泡は見られなかった。更に、銅細線上の膜厚
も１０μm以上の膜厚が確保できていた。
【００２９】比較例１ 関西ペイント（株）製、「ゾンネアルソルダーＰＡ−５
０００Ｇ」（商品名、紫外線硬化型ネガ型液状レジス
ト）を用いて、直径１００μm、深さ５０μmのビアホー
ル部を有する基板に、関西ペイント（株）製、静電霧化
塗装装置「Ｕコーター」を用いて、以下の塗装条件でレ
ジスト層の形成を行った。実施例において、粒子径：２
０〜１５０μm、粘度：３００センチポイズ（２５
℃）、ガン数：２、コンベア速度１．５m/min、吐出量
１５０cc/min、乾燥膜厚：４５μmとして塗装した。そ
の結果、ビアホール部が中心のハジキのような状態にな
り、外観不良となった。また、穴内のクロスセクション
をとったが、約１０％程度に気泡が混入していた。
０００Ｇ」（商品名、紫外線硬化型ネガ型液状レジス
ト）を用いて、直径１００μm、深さ５０μmのビアホー
ル部を有する基板に、関西ペイント（株）製、静電霧化
塗装装置「Ｕコーター」を用いて、以下の塗装条件でレ
ジスト層の形成を行った。実施例において、粒子径：２
０〜１５０μm、粘度：３００センチポイズ（２５
℃）、ガン数：２、コンベア速度１．５m/min、吐出量
１５０cc/min、乾燥膜厚：４５μmとして塗装した。そ
の結果、ビアホール部が中心のハジキのような状態にな
り、外観不良となった。また、穴内のクロスセクション
をとったが、約１０％程度に気泡が混入していた。
【００３０】
【発明の効果】本発明においては、静電霧化塗装又はエ
アー霧化塗装によって液状レジストのチキソトロピック
インデックス、粒径などが一定範囲内となるように単一
工程で塗装することによって、ビアホール内部や基板表
面においても十分な膜厚を有するレジスト膜を形成する
ことができる。
アー霧化塗装によって液状レジストのチキソトロピック
インデックス、粒径などが一定範囲内となるように単一
工程で塗装することによって、ビアホール内部や基板表
面においても十分な膜厚を有するレジスト膜を形成する
ことができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H025 AA00 AB15 AC01 AC08 AD01 AD03 EA04 EA10 FA17 FA40 FA48 2H096 AA26 CA12 EA02 EA04 GA08 HA17 JA04 LA02 LA17 5E314 AA27 BB11 CC03 DD06 DD07 EE01 FF01 GG26
Claims (3)
- 【請求項１】 ビアホール部を有する基板へ液状レジス
トを用いてレジスト層を形成する方法において、該液状
レジストの粘性をチキソトロピックインデックスで１．
５〜４．０に調整し、静電霧化塗装又はエアー霧化塗装
によって粒径が１〜１００μmの範囲で基板に乾燥膜厚
でビアホールの深さの１／５以上且つ１０μm以上に塗
着させた後、乾燥させることを特徴とするビアホール部
を有する基板へのレジスト層の形成方法。 - 【請求項２】 静電霧化塗装又はエアー霧化塗装により
基板に塗着したレジストの粘度が１００〜３，０００ポ
アズで、且つ塗着したレジストの固形分が６０〜８０重
量％である請求項１記載の形成方法。 - 【請求項３】 請求項１により形成されたビアホール部
を有する基板上のレジスト層に、パターン状に露光を行
い、ついで現像、エッチング及び必要に応じて残存レジ
スト層の除去を行うことを特徴とするビアホール部を有
するプリント配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33009698A JP2000156559A (ja) | 1998-11-20 | 1998-11-20 | ビアホール部を有する基板へのレジスト層の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33009698A JP2000156559A (ja) | 1998-11-20 | 1998-11-20 | ビアホール部を有する基板へのレジスト層の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000156559A true JP2000156559A (ja) | 2000-06-06 |
Family
ID=18228755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33009698A Pending JP2000156559A (ja) | 1998-11-20 | 1998-11-20 | ビアホール部を有する基板へのレジスト層の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000156559A (ja) |
-
1998
- 1998-11-20 JP JP33009698A patent/JP2000156559A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5444050B2 (ja) | ソルダーレジストパターンの形成方法 | |
| KR20200000700U (ko) | 프린트 배선판 | |
| JP5255545B2 (ja) | ソルダーレジストの形成方法 | |
| US5112440A (en) | Method for making metallic patterns | |
| JPS62232989A (ja) | 基板上の回路線の形成方法 | |
| JP2000156559A (ja) | ビアホール部を有する基板へのレジスト層の形成方法 | |
| JPH05273766A (ja) | 回路板 | |
| JP2015046519A (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JP2001242618A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP5249890B2 (ja) | ソルダーレジストの形成方法 | |
| JP3209290U (ja) | プリント配線板 | |
| JP6656027B2 (ja) | ソルダーレジストパターンの形成方法 | |
| JP2000156556A (ja) | スルーホール部を有する基板へのレジスト層形成方法及びプリント配線基板の製造方法 | |
| JPH07336020A (ja) | 導体パターンの形成方法 | |
| JPS6032360B2 (ja) | 電導性金属層上にハンダのパタ−ンを形成する方法 | |
| GB2230871A (en) | Making metal patterns. | |
| JPH0484136A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP3153571B2 (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JP3058882B2 (ja) | 一時的表面被覆用組成物 | |
| JP2017033989A (ja) | ソルダーレジスト層の形成方法 | |
| JPH0997977A (ja) | ブラインドスルーホール部を有するプリント基板の製造方法 | |
| WO1991003770A1 (en) | Resists | |
| JPH1093221A (ja) | ブラインドスルーホール部を有する基板へのレジスト層の形成方法 | |
| JP2706306B2 (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JPH09312459A (ja) | スルーホールを有するプリント基板の製造方法 |