JP2000151281A

JP2000151281A - 電圧制御発振器

Info

Publication number: JP2000151281A
Application number: JP10331973A
Authority: JP
Inventors: Kuichi Kubo; 九一久保; Fumio Asamura; 文雄浅村; Katsuosa Yoshida; 克修吉田; Nagahisa Shibuya; 修寿渋谷; Hisato Takeuchi; 久人竹内; Yoshifumi Miki; 祥文三木
Original assignee: Nihon Dempa Kogyo Co Ltd; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Nihon Dempa Kogyo Co Ltd; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1998-11-06
Filing date: 1998-11-06
Publication date: 2000-05-30

Abstract

(57)【要約】【目的】容量変化を大きくして直線性を向上する、電圧
可変容量素子への電圧印加方法を用いた電圧制御発振器
を提供する。【構成】＋極及び−極に対して逆方向となる制御電圧を
印加して端子間の容量が変化する電圧可変容量素子を発
振ループ内に挿入して発振器の発振周波数を制御する電
圧制御発振器において、前記電圧可変容量素子に定電圧
を付加して＋極の電位を上げ、前記電圧可変容量素子と
前記定電圧との端子間に前記制御電圧を印加し、前記電
圧可変容量素子の端子間に印加される端子間電圧を前記
制御電圧よりも小さくした構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電圧に対して容量が変
化する電圧可変容量素子を用いた電圧制御発振器を利用
分野とし、特に電圧可変容量阻止の電圧に対する容量変
化が直線的に変化する部分を有効利用した電圧制御発振
器に関する。

【０００２】

【従来の技術】（発明の背景）電圧制御発振器は、一般
に、ＰＬＬ（Phace Locked Loop）回路やＡＭ及びＦＭ
変調された信号の復調器等に使用されるが、水晶発振器
等においては例えば周波数温度特性を補償する温度補償
発振器にも適用される。すなわち、温度に応答した電圧
を電圧可変容量素子例えば電圧可変容量ダイオードに印
加して容量の変化により発振周波数を平坦に制御するも
のである。これらのものでは、設計の容易性や広範囲に
わたる温度補償等の観点から、電圧に対する直線性や容
量の変化幅が大きい電圧可変容量ダイオードが求められ
ている。

【０００３】（従来技術の一例）第９図は一従来例を説
明する温度補償発振器の概略図である。温度補償発振器
は、電圧制御発振器１と補償電圧発生器２からなる。電
圧制御発振器１は、水晶発振器３と電圧可変容量ダイオ
ード４からなる。水晶発振器３は、水晶振動子５を誘導
性としたリアクタンス素子として使用し、例えば分割コ
ンデンサＣ1、Ｃ2と共振回路（矢印Ａで示す共振ルー
プ）を形成する。そして、分割コンデンサＣ1、Ｃ2の中
点からの出力をトランジスタＴrにより帰還増幅して、
共振回路の共振状態を維持する所謂コルピッツ発振回路
を構成する。

【０００４】水晶振動子５は例えば常温２５℃近傍に変
曲点を有する３次曲線状「第１１図曲線（イ）」とした
ＡＴカットとする。なお、水晶振動子５を除く回路素子
にも周波数温度特性はあるものの、水晶振動子５の周波
数温度特性が支配的となる。したがって、水晶発振器３
の周波数温度特性は水晶振動子５に依存する。図中にお
ける符号ＶCは定電圧源、ＶCCは電源、ＶOは出力、Ｒ
1、Ｒ2はベースバイアス分割抵抗、Ｒ3はコレクタバイ
アス抵抗、Ｒ4は高周波素子抵抗である。

【０００５】電圧可変容量ダイオード４は、ＰＮ接合面
のＰ形及びＮ形不純物の濃度が急激に変化する超階段の
ダイオードからなり、水晶発振器３の水晶振動子５に直
列に接続する。但し、アノード（＋極）側をアース接地
し、カソード（−極）側を水晶振動子５に接続し、補償
電圧ＶS（＋）は高周波素子抵抗６を経てカソードに印
加される。これにより、電圧可変容量ダイオード４には
電流は生ずることなく、補償電圧ＶSのみが印加されて
端子間の容量が変化する。そして、電圧可変容量ダイオ
ード４の電圧に対する容量特性（電圧容量特性）は、第
１０図に示したように、電圧Ｖが高くなるにつれ容量Ｃ
は指数関数的に減少する。

【０００６】補償電圧発生器２は周囲温度に応答した補
償電圧を発生し、これを電圧可変容量ダイオード４の端
子間に印加する。例えば図示しない温度感応抵抗素子と
してサーミスタ等を使用した回路から形成される。

【０００７】このようなものでは、電圧可変容量ダイオ
ード４の補償電圧ＶSによる容量変化により、共振回路
の共振周波数が変化する。したがって、共振周波数に概
ね等しい発振周波数も変化する。厳格には、水晶振動子
４から見たトランジスタ等を含む発振回路側の直列等価
容量（所謂負荷容量）が変化する。そして、発振周波数
は負荷容量によって決定されるので、結局のところ周波
数温度特性に応じた補償電圧ＶSにより「第１１図曲線
（ロ）」、規格内温度に対して発振周波数を一定にす
る。但し、発振周波数は水晶振動子５の厚みに起因した
共振周波数によって概ね決定され、負荷容量による周波
数変化（ppmオーダ）には限度がある。

【０００８】通常では、電圧可変容量ダイオード４の前
述した指数関数的に変化する電圧容量特性のうちの直線
性の部分を使用する。そして、直線部分の中央を補償電
圧ＶSの基準値ＶS0とし、温度規格の上下限値Ｔ1、Ｔ2
「例えば−３０℃（Ｔ-30、＋７０℃（Ｔ70）」に対応
して、上下限の補償電圧ＶSN、ＶSXを設定する。

【０００９】なお、基準値ＶS0は常温２５℃の補償電圧
である。また、電圧可変容量ダイオード４の端子間容量
は、補償電圧ＶSの基準値ＶS0及び上下限値ＶSN、ＶSX
に応答したＣS0及びＣSN、ＣSXとなる。そして、補償電
圧ＶSに応答した容量変化により、常温を基準とした発
振周波数の上昇又は下降を、補償電圧ＶSの基準値ＶS0
を中心とした増減により容量を制御し、温度変化による
発振周波数の変化を相殺する。

【００１０】

【発明か解決しようとする課題】（従来技術の問題点）
しかしながら、上記構成の温度補償発振器では、電圧容
量特性の直線部分を使用するものの、電圧可変容量ダイ
オード４の容量が最大となる差電圧０の部分及び直線性
に最も優れた差電圧０近傍の部分は使用されていなかっ
た。これは、回路構成上、単一電源回路では０電圧まで
を制御できないことに起因し、前述のように基準値ＶS0
を中心として温度規格の上下限値内における補償電圧Ｖ
Sを設定していた。

【００１１】したがって、このようなものでは、電圧可
変容量ダイオード４の有効利用がなされず、０電圧まで
を制御した場合と比較し、相対的に容量変化が小さくて
電圧に対する容量変化の直線性に欠ける問題があった。
なお、容量変化の小さいものは周波数変化が大きい水晶
発振器３には適用できず、直線性に欠けるものは設計等
をやりにくくする。

【００１２】このことから、例えば第１２図に示したよ
うに±電源６（ａｂ）及び直流増幅器７等を使用し、０
電圧近傍の電圧を制御して電圧可変容量ダイオード４に
０電圧を印加することが考えられる。しかし、この場合
には±の２個の電源を要するともに素子数も増えて小型
化等の問題から現実には採用できない問題があった。

【００１３】（発明の目的）本発明は、容量変化を大き
くして直線性を向上する、電圧可変容量素子への電圧印
加方法を用いた電圧制御発振器を提供することを目的と
する。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は、第１図に基本
原理を示したように、水晶発振器３の水晶振動子５に接
続した電圧可変容量ダイオード４に定電圧Ｅを付加して
アノードの電位を上げ、電圧可変容量ダイオード４と定
電圧Ｅとの端子間に逆方向の制御電圧ＶX（＋）を印加
し、電圧可変容量ダイオード４の端子間に印加される端
子間電圧ＶYを制御電圧ＶXよりも小さくしたことを基本
的な解決手段とする。

【００１５】

【作用】本発明では、定電圧Ｅを設けてアノード側の電
位を上昇させ、電圧可変容量ダイオード４と定電圧Ｅと
の間に制御電圧ＶXを印加する。したがって、定電圧Ｅ
によって制御電圧ＶXは減殺され、電圧可変容量ダイオ
ード４の端子間に印加される端子間電圧ＶYは制御電圧
ＶXよりも小さくなる（ＶY＝ＶX−Ｅ）。したがって、
電圧可変容量ダイオード４の制御電圧ＶXに対する容量
特性は、第２図に示したように、本来の容量特性（前第
図）を定電圧分だけ高電圧側に移行した曲線になる。
このような電圧容量特性であれば、制御電圧ＶXが定電
圧Ｅのときに電圧可変容量ダイオード４の端子間電圧Ｖ
Yを０にすることができる。したがって、端子間電圧ＶY
を０（差電圧０）としたときの最大容量を得ることがで
きるるとともに差電圧０近傍を制御できる。以下、電圧
制御発振器を温度補償発振器に適用した場合を例とした
本発明の各実施例を説明する。

【００１６】

【第１実施例】第３図は電圧制御型とした温度補償発振
器の図である。なお、前従来例図と同一部分には同番号
を付与してその説明は簡略する。温度補償発振器は、前
述したように周囲温度に応答するアース接地（−）され
た補償電圧ＶS（＋）「制御電圧ＶXに相当」を発生して
電圧可変容量ダイオード４のカソード側に＋電圧を印加
する補償電圧発生器２と、水晶振動子５にカソード側を
接続してアノード側をアース接地した電圧可変容量ダイ
オード４と、水晶振動子５に起因して３次曲線状となる
周波数温度特性を有する水晶発振器３とからなる。そし
て、この実施例では、定電圧源ＶC（＋）からの電圧を
分割抵抗７（ａｂ）により分圧して、電圧可変容量ダイ
オード４のアノードとアースとの間に印加する。なお、
符号８は直流を阻止して高周波信号を導通する直流阻止
のコンデンサ（バイパスコンデンサ）である。

【００１７】このようなものでは、電圧可変容量ダイオ
ード４のアノード側の電位が定電圧源の電圧を分圧する
分割抵抗７（ａｂ）によって上昇し、定電圧Ｅを付加さ
れたことになる。したがって、補償電圧発生器２からの
補償電圧ＶSは、前述したように定電圧Ｅ分だけ減殺さ
れ、電圧可変容量ダイオード４の端子間に印加される。

【００１８】したがって、電圧可変容量ダイオード４の
補償電圧ＶS（制御電圧ＶX）に対する容量特性は、前述
したように定電圧Ｅ分だけ高電圧側に移行した曲線にな
る（前第２図）。これにより、定電圧Ｅに等しい逆方向
の補償電圧ＶSを印加することによって端子間電圧ＶXを
０（差電圧を０）に制御でき、最大容量値ＣMを得るこ
とができる。そして、差電圧０近傍の直線性の高い部分
をも制御できる。

【００１９】このようなことから、常温時２５℃の補償
電圧（基準値）ＶS0を直線性の高い差電圧０の方向に移
行して、例えば低温側Ｔ1（−３０℃）の補償電圧ＶSN
を最大容量値ＣMを得る定電圧Ｅに設定することができ
る。このようにすれば、温度補償範囲Ｔ-30〜Ｔ70及び
補償電圧ＶSN〜ＶSXに応答した容量ＣSN〜ＣSXの変化幅
を大きくできる。

【００２０】要するに、このような構成であれば、常温
時の発振周波数ｆ0を設定する補償電圧の基準値ＶS0を
電圧容量特性の直線性の高い部分に設定できて、大きな
容量変化を得ることができる。したがって、設計を容易
にして発振周波数の変化の大きな周波数温度特性を持っ
た水晶発振器３の温度補償を可能にする。

【００２１】なお、この実施例では、補償電圧発生器２
の定電圧ＶCを利用して定電圧Ｅを形成したが、例えば
第４図に示したように発振回路に供給する電源ＶCCに定
電流源ｉを設けて分割抵抗７（ａｂ）に供給してもよ
い。あるいは、発振回路に供給する電源ＶCCを定電圧源
ＶCとして、これから分割抵抗７（ａｂ）供給してもよ
い（未図示）。さらには、定電圧Ｅを電池としてもよ
く、要は安定した定電圧Ｅであればよく、その手段は任
意に決定できる。

【００２２】

【第２実施例】第５図は本発明の第２実施例を説明する
温度補償発振器の図である。前実施例では、発振回路を
コルピッツとして共振回路内の水晶振動子５とアース電
位との間に電圧可変容量ダイオード４を接続したが、こ
の実施例は共振回路を形成する分割コンデンサＣ2を電
圧可変容量ダイオードに置換した場合の例である。

【００２３】すなわち、この例では、分割コンデンサＣ
2を、アノード側をアース電位側とした電圧可変容量ダ
イオード４に置換し、アノード側に定電圧Ｅを印加す
る。そして、直流阻止のコンデンサ８を分割コンデンサ
Ｃ1と出力端との間に設ける。

【００２４】この場合においても、電圧可変容量ダイオ
ード４のアノード側を定電圧Ｅにより上昇させるので、
補償電圧ＶS（制御電圧）に対する電圧容量特性を高電
圧方向に移行させる。したがって、第１実施例と同様
に、補償電圧ＶSの基準値ＶS0を電圧容量特性の直線性
の高い部分に設定できて、大きな容量変化を得ることが
できる。

【００２５】

【第３実施例】第６図は本発明の第３実施例を説明する
温度補償発振器の図である。上記各実施例では、いずれ
も電圧可変容量ダイオードを１個として構成したが、例
えば分割コンデンサＣ1、Ｃ2のいずれをも可変容量ダイ
オード４（ａｂ）として、それぞれの可変容量ダイオー
ド４（ａｂ）のアノード電位を定電圧Ｅにより高めても
よい。なお、図中の符号６は前述同様に高周波阻止抵
抗、同８は直流阻止コンデンサである。

【００２６】この場合においても、電圧可変容量ダイオ
ード４（ａｂ）のアノード側を定電圧Ｅにより上昇させ
るので、補償電圧ＶS（制御電圧）に対する電圧容量特
性を高電圧方向に移行でき、前第１及び第２実施例と同
様に、補償電圧ＶSの基準値ＶS0を電圧容量特性の直線
性の高い部分に設定できて、大きな容量変化を得ること
ができる。

【００２７】そして、この場合には、可変容量ダイオー
ド４（ａｂ）を直列に接続するので、１個の場合よりも
変化幅を大きくできる。例えば一方を固定容量値ａ、他
方を可変容量値Ｘとした場合と、両者を可変容量値Ｘと
して比較すると次になる。すなわち、前者の場合はＸを
ａとして２ａに変化させたとき、ａ／２からａ／３に変
化する（変化量はａ／３）。後者の場合は同様にいずれ
もＸをａとして２ａに変化すると、ａ／２から２ａ／３
に変化する（変化量はａ／２）。したがって、両者とも
に可変値（可変容量ダイオード）とした場合の方が変化
量が多くなり、この分有利となる。

【００２８】なお、この例では、分割コンデンサＣ1、
Ｃ2を可変容量ダイオード４（ａｂ）に置換したが、要
は共振ループあるいは帰還増幅を含む発振ループ内に複
数の可変容量ダイオード４を付加して、容量の変化量が
多くなるようにすればよい。

【００２９】

【第４実施例】上記各実施例では、水晶振動子５と分割
コンデンサＣ（1、2）を直列に接続して、水晶振動子３
と分割コンデンサＣ2をアース電位側として接地したコ
ルピッツ型の発振回路を例としたが、第７図（ａｂ）に
示したように例えば分割コンデンサＣ1、Ｃ2のいずれも
アース接地としたコルピッツ型（通称インバータ発振器
と称される）にも適用できる。なお、第２請求項に相当
する実施例である。

【００３０】要するに、インバータ発振器では、水晶振
動子と分割コンデンサからなる共振回路を形成するが、
水晶振動子５の両端側に分割コンデンサＣ（1、2）を接
続して接地する。これに対し、前述のコルピッツ発振器
では水晶振動子５に直列接続の分割コンデンサＣ（1、
2）を接続し、水晶振動子５と一方の分割コンデンサＣ
２を接地する点で、両者は基本的に相違する。なお、第
７図（ａ）は発振回路図、同図（ｂ）は一般に使用され
る略図で通常電源は省略される。図中の符号７はバイア
ス抵抗である。

【００３１】第８図はこのようなインバータ発振器に本
発明を適用した温度補償発振器の図である。すなわち、
この例では、インバータ発振器の分割コンデンサＣ
（1、2）を前実施例同様に可変容量ダイオード４（ａ
ｂ）に置換したものである。この場合、電圧可変容量ダ
イオード４（ａｂ）のアノード側は、定電圧源ＶCから
の電圧をトランジスタＴrコレクタ及びエミッタ側に設
けた分割抵抗７（ａｂ）によって分圧した定電圧Ｅによ
って高めている。なお、符号は前実施例と同一で、その
説明は省略する。

【００３２】このようなものでも、前実施例と同様に、
電圧可変容量ダイオード４（ａｂ）のアノード側を定電
圧Ｅにより上昇させるので、補償電圧ＶS（制御電圧）
に対する電圧容量特性を高電圧方向に移行でき、補償電
圧ＶSの基準値ＶS0を電圧容量特性の直線性の高い部分
に設定できて、大きな容量変化を得る。そして、第３実
施例と同様に２個の電圧可変容量ダイオード４（ａｂ）
を使用するので、容量の変化幅を大きくできる。

【００３３】さらに、インバータ発振器では、分割コン
デンサＣ1、及びＣ2のそれぞれをアース接地とするの
で、トランジスタＴrのベース及びコレクタとアース間
に水晶振動子５の浮遊容量Ｃ01及びＣ02が発生する。そ
して、浮遊容量Ｃ01及びＣ02は、分割コンデンサＣ1及
びＣ2にそれぞれ並列に接続される。したがって、この
場合には、浮遊容量Ｃ01及びＣ02を取り込んで、発振条
件を決定する分割コンデンサＣ（1、2）の値を設定でき
るので、その設計を容易とする。

【００３４】これに対して、通常のコルピッツ発振器
（前第９図等）では、直列接続した分割コンデンサＣ
（1、2）の一方Ｃ２のみをアース接地とするので、トラ
ンジスタＴrのベースとアース間とに水晶振動子５の浮
遊容量Ｃ01が発生する。そして、浮遊容量Ｃ01は、直列
接続の分割コンデンサＣ（1、2）に並列に接続される。
したがって、この場合には、分割コンデンサＣ（1、2）
に取り込んだ設計を困難にする。また、ベースとアース
とが高周波的に短絡してトランジスタＴrの増幅度を低
下させ、発振条件の一つである負性抵抗の取り得る最大
値を減少させる。さらに、水晶振動子５の浮遊容量Ｃ02
は、電圧可変容量ダイオード４と並列に接続される。し
たがって、容量の変化幅が小さくなってしまう。

【００３５】このことは、本第４実施例で示すインバー
タ発振器の分割コンデンサＣ（1、2）を電圧可変容量ダ
イオード４（ａｂ）に置換した場合でも同様であり、第
１乃至第３実施例の場合よりも、浮遊容量Ｃ01及びＣ02
を取り込んで設計を容易にして負性抵抗の損失を防止で
きる。

【００３６】特に、発振条件を決定する分割コンデンサ
Ｃ（1、2）が容量値の変化する電圧可変容量ダイオード
４（ａｂ）なので、浮遊容量Ｃ01及びＣ02０を予め取り
込んで設計できることは、電圧可変容量ダイオード４
（ａｂ）の容量値が変化しても負性抵抗を発振条件内の
値に設計の段階で容易に制御できる。これに対し、直列
接続の分割コンデンサＣ（1、2）のいずれか又は両方を
電圧可変容量ダイオード４として浮遊容量Ｃ0が並列に
接続した場合には、浮遊容量Ｃ0を予め取り込んだ設計
が困難なので、電圧可変容量ダイオード４の容量値が変
化した場合の負性抵抗を設計の段階で容易に制御できな
いことになる。したがって、上記（００３４）に加え
て、インバータ発振器で本発明の電圧制御発振器を構成
することは、より一層有利となる。

【００３７】なお、第６実施例においては分割コンデン
サＣ（1、2）のいずれをも電圧可変容量ダイオード４
（ａｂ）に置換したが、いずれか一方が電圧可変容量ダ
イオード４ａであったとしてもよいものである。

【００３８】

【他の事項】上記実施例では、電圧制御発振器は水晶振
動子を用いた水晶発振器としたが、これに限らず既存の
例えば他の圧電振動子を用いたものや、ＬＣ発振器等に
も適用できる。なお、ＬＣ発振器の場合は各実施例の水
晶振動子を基本的にインダクタに置換すればよい。温度
補償発振器に適用した場合を述べたが、復調器等に適用
した場合でも同様の効果を奏する。

【００３９】また、電圧可変容量素子はＰＮ接合の電圧
可変容量ダイオードとしたが、これに限らず例えばＰＮ
ＰあるいはＮＰＮ接合からなるトランジスタのコレクタ
とエミッタを共通接続しても、あるいはＦＥＴのドレイ
ンとソースを共通接続して、実質的に＋極（Ｐ）及び−
極からなり逆方向の電圧を印加したとき両極間の容量値
が変化する素子であればよい。

【００４０】要するに、本発明では、電圧可変容量素子
のアノード側（＋極）の電位を定電圧により上昇させ、
電圧容量特性を高電圧側に移行して、端子間の差電圧０
及びその近傍の容量を制御して、直線性に優れて容量変
化を大きくできるようにしたことを基本的な技術思想と
するもので、これらの趣旨の範囲内で適宜自在の変更が
可能であり、本発明はきこれらを技術的範囲から除外す
るものではない。

【００４１】本発明は、発振ループ内に設けられた電圧
可変容量素子の＋極に定電圧を付加して＋極の電位を上
げ、電圧可変容量素子と定電圧Ｅとの端子間に逆方向の
制御電圧を印加し、電圧可変容量素子の端子間に印加さ
れる端子間電圧を制御電圧よりも小さくしたので、容量
変化を大きくして直線性を向上する電圧制御発振器を提
供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の基本原理を説明する電圧制御発振器の
回路図である。

【図２】本発明の作用を説明する電圧容量特性図であ
る。

【図３】本発明の第１実施例を説明する温度補償発振器
の回路図である。

【図４】本発明の第１実施例における他の例を示す温度
補償発振器の回路図である。

【図５】本発明の第２実施例を説明する温度補償発振器
の回路図である。

【図６】本発明の第３実施例を説明する温度補償発振器
の回路図である。

【図７】本発明の第４実施例に適用する水晶発振器の回
路図である。

【図８】本発明の第４実施例を説明する温度補償発振器
の回路図である。

【図９】従来例を説明する温度補償発振器の回路図であ
る。

【図１０】従来例を説明する電圧容量特性図である。

【図１１】水晶発振器の周波数温度特性図及び電圧周波
数特性図である。

【図１２】従来例を説明する温度補償発振器の回路図で
ある。

【符号の説明】

１電圧制御発振器、２補償電圧発生器、３水晶発
振器、４電圧可変容量ダイオード、５水晶振動子、
６高周波阻止抵抗、７直流増幅器、８直流阻止コン
デンサ．

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者吉田克修埼玉県狭山市大字上広瀬1275番地の２日本電波工業株式会社狭山事業所内 (72)発明者渋谷修寿神奈川県川崎市多摩区東三田３−10−１松下電子工業株式会社内 (72)発明者竹内久人神奈川県川崎市多摩区東三田３−10−１松下電子工業株式会社内 (72)発明者三木祥文神奈川県川崎市多摩区東三田３−10−１松下電子工業株式会社内Ｆターム(参考） 5J079 AA04 BA02 BA16 BA17 DA13 FA13 FA14 FA21 FB03 FB11 GA02 GA04 GA09 5J081 AA03 BB09 BB10 CC07 CC13 CC14 CC22 DD03 DD04 DD15 DD24 EE05 FF11 FF17 FF18 FF21 GG01 KK02 KK09 KK22 LL05 MM01 MM03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】＋極及び−極に対して逆方向となる制御電
圧を印加して端子間の容量が変化する電圧可変容量素子
を発振ループ内に挿入して発振器の発振周波数を制御す
る電圧制御発振器において、前記電圧可変容量素子に定
電圧を付加して＋極の電位を上げ、前記電圧可変容量素
子と前記定電圧との端子間に前記制御電圧を印加し、前
記電圧可変容量素子の端子間に印加される端子間電圧を
前記制御電圧よりも小さくしたことを特徴とする電圧制
御発振器。
【請求項２】前記発振器は、インダクタ成分となる水晶
振動子と分割コンデンサからなる共振回路を有し、前記
共振回路は水晶振動子の両端側に前記分割コンデンサを
接続するとともに前記分割コンデンサを接地してなり、
前記分割コンデンサの少なくとも一方を電圧可変容量素
子としたことを特徴とする請求項１記載の電圧制御発振
器。