JP2000150148A - 有機el素子 - Google Patents
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- 229920002396 Polyurea Polymers 0.000 claims abstract description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000012643 polycondensation polymerization Methods 0.000 claims abstract description 3
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims description 53
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 27
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 claims description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 22
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 22
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 13
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 11
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 5
- -1 methylene-diphenyl Chemical group 0.000 abstract description 3
- VESMRDNBVZOIEN-UHFFFAOYSA-N 9h-carbazole-1,2-diamine Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=C(N)C(N)=C3NC2=C1 VESMRDNBVZOIEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 48
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 5
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- BXZOVYAUAVJGOV-UHFFFAOYSA-N 3-n,3-n-diphenylbenzene-1,2,3-triamine Chemical compound NC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1N BXZOVYAUAVJGOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 229920000343 polyazomethine Polymers 0.000 description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Diphenylmethane Diisocyanate Chemical compound C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N nile red Chemical compound C1=CC=C2C3=NC4=CC=C(N(CC)CC)C=C4OC3=CC(=O)C2=C1 VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 2-[2-[(e)-2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl]-6-methylpyran-4-ylidene]propanedinitrile Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1\C=C\C1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCZUWQOJQGCZKG-UHFFFAOYSA-N 9h-carbazole-3,6-diamine Chemical compound C1=C(N)C=C2C3=CC(N)=CC=C3NC2=C1 YCZUWQOJQGCZKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZNZYKNKBJPZETN-WELNAUFTSA-N Dialdehyde 11678 Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C2=C1[C@H](C[C@H](/C(=C/O)C(=O)OC)[C@@H](C=C)C=O)NCC2 ZNZYKNKBJPZETN-WELNAUFTSA-N 0.000 description 1
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003023 Mg-Al Inorganic materials 0.000 description 1
- OSLKEVJRKOQGMJ-UHFFFAOYSA-N N=C=O.N=C=O.C(C=C1)=CC=C1N(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 Chemical compound N=C=O.N=C=O.C(C=C1)=CC=C1N(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 OSLKEVJRKOQGMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGTYCYGFMVPCCV-UHFFFAOYSA-N N=C=O.N=C=O.C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 Chemical compound N=C=O.N=C=O.C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 OGTYCYGFMVPCCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- 125000005442 diisocyanate group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機EL素子における発光層,正孔輸送層あ
るいは電子輸送層は、低分子系材料からなる蒸着膜、ま
たは、湿式成膜法によって形成された高分子系材料膜に
よって従来より形成されているが、前記の低分子系材料
からなる蒸着膜には再結晶化や凝集化が起こりやすく、
その結果として、素子の劣化が進行しやすい。一方、湿
式成膜法によって高分子系材料膜を成膜すると、1つの
有機EL素子を作製する際に、高分子系材料膜を成膜す
るためのウエットプロセスと少なくとも陰極を形成する
ためのドライプロセスの両方を行わなければならなくな
るため、有機EL素子を作製するための手間およびコス
トが増大する。 【解決手段】 正孔輸送層または発光層として機能する
層を蒸着重合膜によって形成する。
るいは電子輸送層は、低分子系材料からなる蒸着膜、ま
たは、湿式成膜法によって形成された高分子系材料膜に
よって従来より形成されているが、前記の低分子系材料
からなる蒸着膜には再結晶化や凝集化が起こりやすく、
その結果として、素子の劣化が進行しやすい。一方、湿
式成膜法によって高分子系材料膜を成膜すると、1つの
有機EL素子を作製する際に、高分子系材料膜を成膜す
るためのウエットプロセスと少なくとも陰極を形成する
ためのドライプロセスの両方を行わなければならなくな
るため、有機EL素子を作製するための手間およびコス
トが増大する。 【解決手段】 正孔輸送層または発光層として機能する
層を蒸着重合膜によって形成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機EL素子に関
する。
する。
【0002】
【従来の技術】蛍光性を有する有機材料を発光材料とし
て用いた有機EL素子は、図3(a)に示すように、透
明基板上11上に陽極12,発光層13,陰極14が順
次積層された層構成を基本とする薄膜発光素子であり、
無機EL素子に比べて低電圧で駆動させることができる
等の利点を有することから、表示装置の画素として、あ
るいは、バックライト等の面光源として、その実用化が
進められている。
て用いた有機EL素子は、図3(a)に示すように、透
明基板上11上に陽極12,発光層13,陰極14が順
次積層された層構成を基本とする薄膜発光素子であり、
無機EL素子に比べて低電圧で駆動させることができる
等の利点を有することから、表示装置の画素として、あ
るいは、バックライト等の面光源として、その実用化が
進められている。
【0003】上記の層構成を基本とする有機EL素子で
は、その特性を向上させるため、図3(b)に示すよう
に、陽極12と発光層13との間に正孔輸送層15が設
けられたり、図3(c)に示すように、発光層13と陰
極14との間に電子輸送層16が設けられたり、あるい
は、図3(d)に示すように、陽極12と発光層13と
の間に正孔輸送層15が設けられると共に発光層13と
陰極14との間に電子輸送層16が設けられたりする。
は、その特性を向上させるため、図3(b)に示すよう
に、陽極12と発光層13との間に正孔輸送層15が設
けられたり、図3(c)に示すように、発光層13と陰
極14との間に電子輸送層16が設けられたり、あるい
は、図3(d)に示すように、陽極12と発光層13と
の間に正孔輸送層15が設けられると共に発光層13と
陰極14との間に電子輸送層16が設けられたりする。
【0004】有機EL素子用の透明基板としては、透明
ガラス基板または透明樹脂基板が多用されている。ま
た、陽極としては、Au等の仕事関数が大きい金属もし
くは合金からなる透明電極、または、ITO,Sn
O2 ,ZnO等からなる透明電極が一般に使用されてお
り、当該陽極は、真空蒸着法やスパッタリング法等のド
ライプロセスによって成膜される。そして、陰極として
は、仕事関数が小さい金属,合金またはこれらの混合
物、例えばCa,Al,Al−Li合金,Mg−Ag合
金,Mg−Al合金,Mg−In合金等からなるものが
一般に使用されており、当該陰極もまた、真空蒸着法や
スパッタリング法等のドライプロセスによって成膜され
る。
ガラス基板または透明樹脂基板が多用されている。ま
た、陽極としては、Au等の仕事関数が大きい金属もし
くは合金からなる透明電極、または、ITO,Sn
O2 ,ZnO等からなる透明電極が一般に使用されてお
り、当該陽極は、真空蒸着法やスパッタリング法等のド
ライプロセスによって成膜される。そして、陰極として
は、仕事関数が小さい金属,合金またはこれらの混合
物、例えばCa,Al,Al−Li合金,Mg−Ag合
金,Mg−Al合金,Mg−In合金等からなるものが
一般に使用されており、当該陰極もまた、真空蒸着法や
スパッタリング法等のドライプロセスによって成膜され
る。
【0005】一方、発光層,正孔輸送層および電子輸送
層はそれぞれ有機材料によって形成される。これらの層
は、通常、トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミ
ニウム(以下、このものを「Alq3 」と略記する。)
やN,N´−ジフェニル−N,N´−ビス(3−メチル
フェニル)1,1´−ビフェニル−4,4´−ジアミン
(以下、このものを「TPD」と略記する。)によって
代表される低分子系材料からなる蒸着膜によって形成さ
れるが、ポリパラフェニレンビニレン(以下、このもの
を「PPV」と略記する。)誘導体によって代表される
高分子系材料をその材料として使用することも試みられ
ている。高分子系材料によって上記の層を形成する際に
は、スピンコート法やディッピング法等のウエットプロ
セスが適用される。
層はそれぞれ有機材料によって形成される。これらの層
は、通常、トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミ
ニウム(以下、このものを「Alq3 」と略記する。)
やN,N´−ジフェニル−N,N´−ビス(3−メチル
フェニル)1,1´−ビフェニル−4,4´−ジアミン
(以下、このものを「TPD」と略記する。)によって
代表される低分子系材料からなる蒸着膜によって形成さ
れるが、ポリパラフェニレンビニレン(以下、このもの
を「PPV」と略記する。)誘導体によって代表される
高分子系材料をその材料として使用することも試みられ
ている。高分子系材料によって上記の層を形成する際に
は、スピンコート法やディッピング法等のウエットプロ
セスが適用される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】低分子系材料からなる
蒸着膜によって発光層,正孔輸送層あるいは電子輸送層
を形成した有機EL素子では、前記の蒸着膜の再結晶化
や凝集化によって劣化が進行しやすい。
蒸着膜によって発光層,正孔輸送層あるいは電子輸送層
を形成した有機EL素子では、前記の蒸着膜の再結晶化
や凝集化によって劣化が進行しやすい。
【0007】PPV誘導体等の高分子系材料を用いれば
その再結晶化や凝集化による素子の劣化を抑制すること
ができるが、当該高分子系材料からなる層の形成は、上
述したようにウエットプロセスによって行われている。
このため、1つの有機EL素子を作製する際には、高分
子系材料からなる層を成膜するためのウエットプロセス
と少なくとも陰極を形成するためのドライプロセスの両
方を行わなければならなくなる。その結果として、有機
EL素子を作製するための手間およびコストが増大す
る。
その再結晶化や凝集化による素子の劣化を抑制すること
ができるが、当該高分子系材料からなる層の形成は、上
述したようにウエットプロセスによって行われている。
このため、1つの有機EL素子を作製する際には、高分
子系材料からなる層を成膜するためのウエットプロセス
と少なくとも陰極を形成するためのドライプロセスの両
方を行わなければならなくなる。その結果として、有機
EL素子を作製するための手間およびコストが増大す
る。
【0008】本発明は、劣化が起こりにくいものをドラ
イプロセスのみによって得ることが可能な有機EL素子
を提供することを目的とする。
イプロセスのみによって得ることが可能な有機EL素子
を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の有機EL素子
は、蒸着重合膜を有し、該蒸着重合膜が正孔輸送層また
は発光層として機能することを特徴とするものである。
は、蒸着重合膜を有し、該蒸着重合膜が正孔輸送層また
は発光層として機能することを特徴とするものである。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、実施例を挙げて本発明を詳
細に説明する。
細に説明する。
【0011】(実施例1)まず、片面にITO膜が成膜
されているガラス基板(以下、この基板を「ITO基
板」という。)を用意した。
されているガラス基板(以下、この基板を「ITO基
板」という。)を用意した。
【0012】次いで、このITO基板におけるITO膜
上に、10-4Paの真空中で3,6−ジアミノカルバゾ
−ルと4,4´−ジイソシアン酸メチレンジフェニルと
をそれぞれ1nm/sの蒸着速度の下に同時に蒸着させ
た後、別の真空容器中において200℃で1時間熱処理
を施して、前記のITO膜上に膜厚50nmの蒸着重合
膜を形成した。なお、同一の真空容器中で熱処理しても
よいであろう。この蒸着重合膜は、下式(III) で表され
る繰返し単位を有するポリウレアである。
上に、10-4Paの真空中で3,6−ジアミノカルバゾ
−ルと4,4´−ジイソシアン酸メチレンジフェニルと
をそれぞれ1nm/sの蒸着速度の下に同時に蒸着させ
た後、別の真空容器中において200℃で1時間熱処理
を施して、前記のITO膜上に膜厚50nmの蒸着重合
膜を形成した。なお、同一の真空容器中で熱処理しても
よいであろう。この蒸着重合膜は、下式(III) で表され
る繰返し単位を有するポリウレアである。
【0013】
【化2】
【0014】この後、上記の蒸着重合膜上にMg−Ag
合金膜を真空蒸着法によって成膜した。
合金膜を真空蒸着法によって成膜した。
【0015】当該Mg−Ag合金膜まで形成することに
より、図1(a)に示すように、ガラス基板1上にIT
O膜2,蒸着重合膜3aおよびMg−Ag合金膜5が順
次積層されてなる有機EL素子6aが得られた。この有
機EL素子6aにおいては、前記の蒸着重合膜3aが正
孔輸送層兼発光層兼電子輸送層として機能すると考えら
れる。
より、図1(a)に示すように、ガラス基板1上にIT
O膜2,蒸着重合膜3aおよびMg−Ag合金膜5が順
次積層されてなる有機EL素子6aが得られた。この有
機EL素子6aにおいては、前記の蒸着重合膜3aが正
孔輸送層兼発光層兼電子輸送層として機能すると考えら
れる。
【0016】上記の有機EL素子6aにおけるITO膜
2を陽極として利用し、Mg−Ag合金膜5を陰極とし
て利用して当該有機EL素子6aに直流電圧を印加した
ところ、カルバゾール由来の青色発光が観察された。
2を陽極として利用し、Mg−Ag合金膜5を陰極とし
て利用して当該有機EL素子6aに直流電圧を印加した
ところ、カルバゾール由来の青色発光が観察された。
【0017】図2は、印加電圧を変化させた時の印加電
圧と青色発光の輝度の関係を示す。横軸は、印加電圧を
単位Vで表し、縦軸は青色発光の輝度を単位cd/m2
で表す。印加電圧1〜10Vの範囲で輝度は10-2〜1
0-1cd/m2 程度である。
圧と青色発光の輝度の関係を示す。横軸は、印加電圧を
単位Vで表し、縦軸は青色発光の輝度を単位cd/m2
で表す。印加電圧1〜10Vの範囲で輝度は10-2〜1
0-1cd/m2 程度である。
【0018】(実施例2)実施例1におけるのと全く同
条件の下にITO基板上にポリウレアからなる蒸着重合
膜を形成した後、当該蒸着重合膜上に膜厚50nmのA
lq3 膜を真空蒸着法によって成膜し、更に、当該Al
q3 膜上にMg−Ag合金膜を真空蒸着法によって成膜
した。
条件の下にITO基板上にポリウレアからなる蒸着重合
膜を形成した後、当該蒸着重合膜上に膜厚50nmのA
lq3 膜を真空蒸着法によって成膜し、更に、当該Al
q3 膜上にMg−Ag合金膜を真空蒸着法によって成膜
した。
【0019】当該Mg−Ag合金膜まで形成することに
より、図1(b)に示すように、ガラス基板1上にIT
O膜2,蒸着重合膜3b,Alq3 膜4およびMg−A
g合金膜5が順次積層されてなる有機EL素子6bが得
られた。
より、図1(b)に示すように、ガラス基板1上にIT
O膜2,蒸着重合膜3b,Alq3 膜4およびMg−A
g合金膜5が順次積層されてなる有機EL素子6bが得
られた。
【0020】上記の有機EL素子6bにおけるITO膜
2を陽極として利用し、Mg−Ag合金膜5を陰極とし
て利用して当該有機EL素子6bに直流電圧を印加した
ところ、Alq3 由来の緑色発光が観察された。
2を陽極として利用し、Mg−Ag合金膜5を陰極とし
て利用して当該有機EL素子6bに直流電圧を印加した
ところ、Alq3 由来の緑色発光が観察された。
【0021】図2に、このときの印加電圧と輝度の関係
を示す。印加電圧5Vから輝度が大きく立ち上がり、印
加電圧13Vで5×102 cd/m2 以上のピークを形
成している。この有機EL素子6bにおいては、前記の
蒸着重合膜3bが正孔輸送層として機能し、前記のAl
q3 膜4が発光層兼電子輸送層として機能すると考えら
れる。
を示す。印加電圧5Vから輝度が大きく立ち上がり、印
加電圧13Vで5×102 cd/m2 以上のピークを形
成している。この有機EL素子6bにおいては、前記の
蒸着重合膜3bが正孔輸送層として機能し、前記のAl
q3 膜4が発光層兼電子輸送層として機能すると考えら
れる。
【0022】(実施例3)3,6−ジアミノカルバゾ−
ルと4,4´−ジイソシアン酸メチレンジフェニルとを
同時に蒸着させると共に、赤色蛍光色素である4−ジシ
アノメチレン−6−(p−ジメチルアミノスチリル)−
2−メチル−4H−ピラン(以下、このものを「DC
M」と略記する。)をも同時に蒸着させた以外は実施例
1におけるのと同じ要領で、図1(c)に示すように、
ガラス基板1上にITO膜2,蒸着重合膜(DCMを分
散させたもの)3cおよびMg−Ag合金膜5が順次積
層されてなる有機EL素子6cを製造した。
ルと4,4´−ジイソシアン酸メチレンジフェニルとを
同時に蒸着させると共に、赤色蛍光色素である4−ジシ
アノメチレン−6−(p−ジメチルアミノスチリル)−
2−メチル−4H−ピラン(以下、このものを「DC
M」と略記する。)をも同時に蒸着させた以外は実施例
1におけるのと同じ要領で、図1(c)に示すように、
ガラス基板1上にITO膜2,蒸着重合膜(DCMを分
散させたもの)3cおよびMg−Ag合金膜5が順次積
層されてなる有機EL素子6cを製造した。
【0023】この有機EL素子6cにおける上記の蒸着
重合膜3cは、前記の式(III) で表される繰返し単位を
有するポリウレア中にDCMが5wt%分散したものであ
り、当該蒸着重合膜3cは正孔輸送層兼発光層兼電子輸
送層として機能すると考えられる。
重合膜3cは、前記の式(III) で表される繰返し単位を
有するポリウレア中にDCMが5wt%分散したものであ
り、当該蒸着重合膜3cは正孔輸送層兼発光層兼電子輸
送層として機能すると考えられる。
【0024】上記の有機EL素子6cにおけるITO膜
2を陽極として利用し、Mg−Ag合金膜5を陰極とし
て利用して当該有機EL素子6cに直流電圧を印加した
ところ、DCM由来の赤色発光が観察された。
2を陽極として利用し、Mg−Ag合金膜5を陰極とし
て利用して当該有機EL素子6cに直流電圧を印加した
ところ、DCM由来の赤色発光が観察された。
【0025】図2に、このときの印加電圧と輝度の関係
を示す。印加電圧1〜13Vの範囲で輝度は1×10-2
〜2×10-1cd/m2 程度である。
を示す。印加電圧1〜13Vの範囲で輝度は1×10-2
〜2×10-1cd/m2 程度である。
【0026】(実施例4)実施例3におけるのと同条件
で蒸着重合膜を形成した以外は実施例2におけるのと同
じ要領で、図1(d)に示すように、ガラス基板1上に
ITO膜2,蒸着重合膜(DCMを分散させたもの)3
d,Alq3 膜4およびMg−Ag合金膜5が順次積層
されてなる有機EL素子6dを製造した。
で蒸着重合膜を形成した以外は実施例2におけるのと同
じ要領で、図1(d)に示すように、ガラス基板1上に
ITO膜2,蒸着重合膜(DCMを分散させたもの)3
d,Alq3 膜4およびMg−Ag合金膜5が順次積層
されてなる有機EL素子6dを製造した。
【0027】上記の有機EL素子6dにおけるITO膜
2を陽極として利用し、Mg−Ag合金膜5を陰極とし
て利用して当該有機EL素子6dに直流電圧を印加した
ところ、Alq3 由来の緑色発光が観察された。
2を陽極として利用し、Mg−Ag合金膜5を陰極とし
て利用して当該有機EL素子6dに直流電圧を印加した
ところ、Alq3 由来の緑色発光が観察された。
【0028】図2に、このときの印加電圧と輝度の関係
を示す。印加電圧が6Vを越えると輝度は大きく立ち上
がり、印加電圧16V付近で輝度は4×102 cd/m
2 程度のピークを形成している。この有機EL素子6d
における上記の蒸着重合膜3dは、正孔輸送層として機
能すると考えられる。
を示す。印加電圧が6Vを越えると輝度は大きく立ち上
がり、印加電圧16V付近で輝度は4×102 cd/m
2 程度のピークを形成している。この有機EL素子6d
における上記の蒸着重合膜3dは、正孔輸送層として機
能すると考えられる。
【0029】図2の実験結果において、蒸着重合膜に電
子輸送層としての機能も課した実施例1、3の結果と較
べ、蒸着重合膜を正孔輸送層として用いた実施例2、4
の結果は著しく優れている。
子輸送層としての機能も課した実施例1、3の結果と較
べ、蒸着重合膜を正孔輸送層として用いた実施例2、4
の結果は著しく優れている。
【0030】(実施例5)3,6−ジアミノカルバゾ−
ルに代えてジアミノTPDを用いた以外は実施例2にお
けるのと同じ要領で、ガラス基板上にITO膜,蒸着重
合膜,Alq3 膜およびMg−Ag合金膜が順次積層さ
れてなる有機EL素子を製造した。
ルに代えてジアミノTPDを用いた以外は実施例2にお
けるのと同じ要領で、ガラス基板上にITO膜,蒸着重
合膜,Alq3 膜およびMg−Ag合金膜が順次積層さ
れてなる有機EL素子を製造した。
【0031】この有機EL素子における上記の蒸着重合
膜は、下式(IV)で表される繰返し単位を有するポリウレ
アである。
膜は、下式(IV)で表される繰返し単位を有するポリウレ
アである。
【0032】
【化3】
【0033】上記の有機EL素子におけるITO膜を陽
極として利用し、Mg−Ag合金膜を陰極として利用し
て当該有機EL素子に直流電圧を印加したところ、Al
q3由来の緑色発光が観察された。当該蒸着重合膜は正
孔輸送層として機能すると考えられる。
極として利用し、Mg−Ag合金膜を陰極として利用し
て当該有機EL素子に直流電圧を印加したところ、Al
q3由来の緑色発光が観察された。当該蒸着重合膜は正
孔輸送層として機能すると考えられる。
【0034】(実施例6)3,6−ジアミノカルバゾ−
ルに代えてジアミノトリフェニルアミンを用いた以外は
実施例2におけるのと同じ要領で、ガラス基板上にIT
O膜,蒸着重合膜,Alq3 膜およびMg−Ag合金膜
が順次積層されてなる有機EL素子を製造した。
ルに代えてジアミノトリフェニルアミンを用いた以外は
実施例2におけるのと同じ要領で、ガラス基板上にIT
O膜,蒸着重合膜,Alq3 膜およびMg−Ag合金膜
が順次積層されてなる有機EL素子を製造した。
【0035】この有機EL素子における上記の蒸着重合
膜は、下式(V) で表される繰返し単位を有するポリウレ
アである。
膜は、下式(V) で表される繰返し単位を有するポリウレ
アである。
【0036】
【化4】
【0037】上記の有機EL素子におけるITO膜を陽
極として利用し、Mg−Ag合金膜を陰極として利用し
て当該有機EL素子に直流電圧を印加したところ、Al
q3由来の緑色発光が観察された。当該蒸着重合膜は正
孔輸送層として機能すると考えられる。
極として利用し、Mg−Ag合金膜を陰極として利用し
て当該有機EL素子に直流電圧を印加したところ、Al
q3由来の緑色発光が観察された。当該蒸着重合膜は正
孔輸送層として機能すると考えられる。
【0038】以上、実施例を挙げて本発明を説明した
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。
【0039】例えば、正孔輸送層として機能する蒸着重
合膜は、正孔輸送性を有する物質、例えばカルバゾー
ル,TPD,トリフェニルアミン等に由来する官能基を
繰返し単位中に含むものであればよく、当該蒸着重合膜
の構造の具体例としては、ポリウレア,ポリアゾメチ
ン,ポリイミド,ポリアミド等が挙げられる。
合膜は、正孔輸送性を有する物質、例えばカルバゾー
ル,TPD,トリフェニルアミン等に由来する官能基を
繰返し単位中に含むものであればよく、当該蒸着重合膜
の構造の具体例としては、ポリウレア,ポリアゾメチ
ン,ポリイミド,ポリアミド等が挙げられる。
【0040】これらの蒸着重合膜の中でも、水の生成を
伴わない縮重合反応によって成膜し得る蒸着重合膜、例
えばポリウレアが好ましい。蒸着重合膜を成膜する際に
水が生成すると、この水分によって有機EL素子が劣化
してしまう危険性がある。
伴わない縮重合反応によって成膜し得る蒸着重合膜、例
えばポリウレアが好ましい。蒸着重合膜を成膜する際に
水が生成すると、この水分によって有機EL素子が劣化
してしまう危険性がある。
【0041】上記のポリウレアとしては、実施例で成膜
したものも含め、下記一般式(I)
したものも含め、下記一般式(I)
【0042】
【化5】
【0043】で表される繰返し単位を有するものを利用
することができる。
することができる。
【0044】上記の一般式(I) で表される繰返し単位を
有するポリウレアは、実施例で示した原料を用いる以外
に、下記(A)〜(C)の組合わせの原料を用いること
により得ることができる。
有するポリウレアは、実施例で示した原料を用いる以外
に、下記(A)〜(C)の組合わせの原料を用いること
により得ることができる。
【0045】 (A) TPDジアミン、 TPDジイソシアネート H2 N−R−NH2 CCN−R−NCC この場合、上記の一般式(I) においてR1 が(i)の官
能基、R2 が(i)の官能基であるポリウレアが得られ
る。
能基、R2 が(i)の官能基であるポリウレアが得られ
る。
【0046】(B) ジアミノトリフェニルアミン、ト
リフェニルアミンジイソシアネート この場合、上記の一般式(I) においてR1 が(ii)の官
能基、R2 が(ii)の官能基であるポリウレアが得られ
る。
リフェニルアミンジイソシアネート この場合、上記の一般式(I) においてR1 が(ii)の官
能基、R2 が(ii)の官能基であるポリウレアが得られ
る。
【0047】(C) ジアミノカルバゾール、カルバゾ
ールジイソシアネート この場合、上記の一般式(I) においてR1 が(iii)の官
能基、R2 が(iii)の官能基であるポリウレアが得られ
る。
ールジイソシアネート この場合、上記の一般式(I) においてR1 が(iii)の官
能基、R2 が(iii)の官能基であるポリウレアが得られ
る。
【0048】一方、前記のポリアゾメチンとしては、下
記一般式(II)
記一般式(II)
【0049】
【化6】
【0050】で表される繰返し単位を有するものを利用
することができる。
することができる。
【0051】上記の一般式(II)で表される繰返し単位を
有するポリアゾメチンは、下記(a)の組合わせの原料
を用いることにより得ることができる。
有するポリアゾメチンは、下記(a)の組合わせの原料
を用いることにより得ることができる。
【0052】(a) TPDジアルデヒドとジアミノトリフ
ェニルアミン 正孔輸送層として機能する蒸着重合膜は、所望の原料を
蒸着させた後、同じ真空または別の真空雰囲気中におい
て概ね150〜200℃で1〜2時間熱処理することに
より、得ることができる。
ェニルアミン 正孔輸送層として機能する蒸着重合膜は、所望の原料を
蒸着させた後、同じ真空または別の真空雰囲気中におい
て概ね150〜200℃で1〜2時間熱処理することに
より、得ることができる。
【0053】上記の蒸着重合膜の中には、実施例1で示
したように正孔輸送層兼発光層として機能し得るものも
あるが、発光特性の高い有機EL素子を得るうえから
は、実施例5で示したように、上記の蒸着重合膜を形成
する際に当該蒸着重合膜中に蛍光色素を分散させて、こ
の蛍光色素に由来する発光を生じる正孔輸送層兼発光層
を形成する方が好ましく、更には、蒸着重合膜とは別に
発光層を形成する方が好ましい。
したように正孔輸送層兼発光層として機能し得るものも
あるが、発光特性の高い有機EL素子を得るうえから
は、実施例5で示したように、上記の蒸着重合膜を形成
する際に当該蒸着重合膜中に蛍光色素を分散させて、こ
の蛍光色素に由来する発光を生じる正孔輸送層兼発光層
を形成する方が好ましく、更には、蒸着重合膜とは別に
発光層を形成する方が好ましい。
【0054】蒸着重合膜を形成する際に当該蒸着重合膜
中に蛍光色素を分散させて、この蛍光色素に由来する発
光を生じる正孔輸送層兼発光層を形成しようとする場
合、前記の蛍光色素としては、実施例で用いたDCM以
外に、クマリン、キナクリドン、ナイルレッド、ルブレ
ン、Alq3 等を用いることができる。これらの蛍光色
素の中には、有機EL素子用の発光材料として単独で用
いた場合には濃度消光によって発光しない材料、例えば
DCM、キナクリドン、クマリン、ナイルレッド、ルブ
レンも含まれるが、蒸着重合膜中に分散させる際の濃度
を濃度消光が起こらない濃度とすることにより、当該蛍
光色素に由来する発光を生じる正孔輸送層兼発光層を形
成することが可能になる。
中に蛍光色素を分散させて、この蛍光色素に由来する発
光を生じる正孔輸送層兼発光層を形成しようとする場
合、前記の蛍光色素としては、実施例で用いたDCM以
外に、クマリン、キナクリドン、ナイルレッド、ルブレ
ン、Alq3 等を用いることができる。これらの蛍光色
素の中には、有機EL素子用の発光材料として単独で用
いた場合には濃度消光によって発光しない材料、例えば
DCM、キナクリドン、クマリン、ナイルレッド、ルブ
レンも含まれるが、蒸着重合膜中に分散させる際の濃度
を濃度消光が起こらない濃度とすることにより、当該蛍
光色素に由来する発光を生じる正孔輸送層兼発光層を形
成することが可能になる。
【0055】正孔輸送層兼発光層として機能し得る蒸着
重合膜上に発光層兼電子輸送層として機能し得る層を別
途形成した場合に、前記の蒸着重合膜と前記別途形成し
た層のどちらが実際に発光層として機能するかは、蛍光
量子収率、キャリア輸送性、分子の最高被占準位(HO
MO)、最低空準位(LUMO)に応じて決まる。した
がって、どちらの層(膜)を実際に発光層として利用す
るかは、蛍光量子収率、キャリア輸送性、分子の最高被
占準位(HOMO)、最低空準位(LUMO)に応じて
適宜選択可能である。
重合膜上に発光層兼電子輸送層として機能し得る層を別
途形成した場合に、前記の蒸着重合膜と前記別途形成し
た層のどちらが実際に発光層として機能するかは、蛍光
量子収率、キャリア輸送性、分子の最高被占準位(HO
MO)、最低空準位(LUMO)に応じて決まる。した
がって、どちらの層(膜)を実際に発光層として利用す
るかは、蛍光量子収率、キャリア輸送性、分子の最高被
占準位(HOMO)、最低空準位(LUMO)に応じて
適宜選択可能である。
【0056】本発明の有機EL素子は、正孔輸送層また
は発光層として機能する上述の蒸着重合膜(正孔輸送層
兼発光層として機能する場合を含む。)を有していれば
よく、他の層としては公知のものを利用することができ
る。ただし、当該蒸着重合膜以外の層としてウエットプ
ロセスによって形成されるものを用いた場合には、前述
したように、目的とする有機EL素子を得るために要す
る手間およびコストが増大する。したがって、上述の蒸
着重合膜以外の層としては、ドライプロセスによって形
成されるものが好ましい。
は発光層として機能する上述の蒸着重合膜(正孔輸送層
兼発光層として機能する場合を含む。)を有していれば
よく、他の層としては公知のものを利用することができ
る。ただし、当該蒸着重合膜以外の層としてウエットプ
ロセスによって形成されるものを用いた場合には、前述
したように、目的とする有機EL素子を得るために要す
る手間およびコストが増大する。したがって、上述の蒸
着重合膜以外の層としては、ドライプロセスによって形
成されるものが好ましい。
【0057】蒸着重合膜以外にどのような層を形成する
かは、目的とする有機EL素子の用途や当該有機EL素
子に求められる特性等に応じて適宜選択可能である。
かは、目的とする有機EL素子の用途や当該有機EL素
子に求められる特性等に応じて適宜選択可能である。
【0058】素子の劣化を抑止するという観点からすれ
ば、陽極および陰極以外の全ての層を着蒸着重合膜によ
って形成することが好ましい。一方、発光特性の高い有
機EL素子を得るという観点からすれば、蒸着重合膜を
正孔輸送層として利用し、当該蒸着重合膜上にAlq3
等からなる発光層もしくは発光層兼電子輸送層を形成
し、その上に陰極を形成することが好ましい。
ば、陽極および陰極以外の全ての層を着蒸着重合膜によ
って形成することが好ましい。一方、発光特性の高い有
機EL素子を得るという観点からすれば、蒸着重合膜を
正孔輸送層として利用し、当該蒸着重合膜上にAlq3
等からなる発光層もしくは発光層兼電子輸送層を形成
し、その上に陰極を形成することが好ましい。
【0059】上記の蒸着重合膜には再結晶化や凝集化が
起こりにくいので、当該蒸着重合膜以外の層をもドライ
プロセスによって形成することにより、劣化が起こりに
くい有機EL素子をドライプロセスのみによって得るこ
とができる。その結果として、劣化が起こりにくい有機
EL素子を、その製造に要する手間およびコストを抑え
つつ得ることが可能になる。さらに、全ての層をドライ
プロセスのみによって形成するようにすれば、異物の混
入を比較的容易に防止することができるので、異物の混
入に起因するダークスポット(非発光部)の発生を容易
に抑制することができる。
起こりにくいので、当該蒸着重合膜以外の層をもドライ
プロセスによって形成することにより、劣化が起こりに
くい有機EL素子をドライプロセスのみによって得るこ
とができる。その結果として、劣化が起こりにくい有機
EL素子を、その製造に要する手間およびコストを抑え
つつ得ることが可能になる。さらに、全ての層をドライ
プロセスのみによって形成するようにすれば、異物の混
入を比較的容易に防止することができるので、異物の混
入に起因するダークスポット(非発光部)の発生を容易
に抑制することができる。
【0060】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の有機EL
素子は、劣化が起こりにくいものをドライプロセスのみ
によって得ることが可能な有機EL素子である。
素子は、劣化が起こりにくいものをドライプロセスのみ
によって得ることが可能な有機EL素子である。
【0061】したがって、本発明によれば、劣化が起こ
りにく有機EL素子を得ることが容易になる。
りにく有機EL素子を得ることが容易になる。
【図1】実施例1〜実施例4で製造した有機EL素子の
層構成を概略的に示す側面図である。
層構成を概略的に示す側面図である。
【図2】実施例1〜実施例4で製造した有機EL素子つ
いての印加電圧と輝度との関係を示すグラフである。
いての印加電圧と輝度との関係を示すグラフである。
【図3】有機EL素子の一般的な層構成を概略的に示す
側面図である。
側面図である。
1…ガラス基板、 2…ITO膜(陽極)、3a…蒸着
重合膜(正孔輸送層兼発光層)、 3b…蒸着重合膜
(正孔輸送層)、 3c…蛍光色素を分散させた蒸着重
合膜(正孔輸送層兼発光層)、 3d…蛍光色素を分散
させた蒸着重合膜(正孔輸送層)、 4…Alq3 膜
(発光層兼電子輸送層)、 5…Mg−Ag合金膜(陰
極)、 6a,6b,6c,6d…有機EL素子
重合膜(正孔輸送層兼発光層)、 3b…蒸着重合膜
(正孔輸送層)、 3c…蛍光色素を分散させた蒸着重
合膜(正孔輸送層兼発光層)、 3d…蛍光色素を分散
させた蒸着重合膜(正孔輸送層)、 4…Alq3 膜
(発光層兼電子輸送層)、 5…Mg−Ag合金膜(陰
極)、 6a,6b,6c,6d…有機EL素子
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05B 33/22 H05B 33/22 D (72)発明者 小川 昭雄 神奈川県横浜市青葉区荏田西1−3−1 スタンレー電気株式会社技術研究所内 (72)発明者 高山 浩一 神奈川県横浜市青葉区荏田西1−3−1 スタンレー電気株式会社技術研究所内 (72)発明者 赤木 努 神奈川県横浜市青葉区荏田西1−3−1 スタンレー電気株式会社技術研究所内 Fターム(参考) 3K007 AB04 AB06 AB11 CA01 CB01 DA01 DB03 EB00 FA01 FA03 4K029 AA11 AA24 BA62 BB02 BC03 BC07 BD01 CA01 DB06
Claims (5)
- 【請求項1】 蒸着重合膜を有し、該蒸着重合膜が正孔
輸送層または発光層として機能することを特徴とする有
機EL素子。 - 【請求項2】 前記の蒸着重合膜が、水の生成を伴わな
い縮重合反応によって成膜された蒸着重合膜である、請
求項1に記載の有機EL素子。 - 【請求項3】 前記の蒸着重合膜が、下記一般式(I) 【化1】 で表される繰返し単位を有するポリウレアである、請求
項1または請求項2に記載の有機EL素子。 - 【請求項4】 前記の蒸着重合膜中に蛍光色素が分散さ
れている、請求項1〜請求項3のいずれかに記載の有機
EL素子。 - 【請求項5】 前記の蒸着重合膜が正孔輸送層と発光層
とを兼ねている、請求項1〜請求項4のいずれかに記載
の有機EL素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10317944A JP2000150148A (ja) | 1998-11-09 | 1998-11-09 | 有機el素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10317944A JP2000150148A (ja) | 1998-11-09 | 1998-11-09 | 有機el素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000150148A true JP2000150148A (ja) | 2000-05-30 |
Family
ID=18093771
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10317944A Withdrawn JP2000150148A (ja) | 1998-11-09 | 1998-11-09 | 有機el素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000150148A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002110358A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-04-12 | Stanley Electric Co Ltd | 有機発光素子 |
JP2003045666A (ja) * | 2001-05-23 | 2003-02-14 | Honda Motor Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2006156933A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Kuo-Huang Hsieh | 電子或いは正孔輸送層材料及びその製造方法 |
-
1998
- 1998-11-09 JP JP10317944A patent/JP2000150148A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002110358A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-04-12 | Stanley Electric Co Ltd | 有機発光素子 |
JP2003045666A (ja) * | 2001-05-23 | 2003-02-14 | Honda Motor Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2006156933A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Kuo-Huang Hsieh | 電子或いは正孔輸送層材料及びその製造方法 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060110 |