JP2000150148A - 有機ｅｌ素子 - Google Patents
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- 229920002396 Polyurea Polymers 0.000 claims abstract description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000012643 polycondensation polymerization Methods 0.000 claims abstract description 3
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims description 53
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 27
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 claims description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 22
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 22
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 13
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 11
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 5
- -1 methylene-diphenyl Chemical group 0.000 abstract description 3
- VESMRDNBVZOIEN-UHFFFAOYSA-N 9h-carbazole-1,2-diamine Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=C(N)C(N)=C3NC2=C1 VESMRDNBVZOIEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 48
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 5
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- BXZOVYAUAVJGOV-UHFFFAOYSA-N 3-n,3-n-diphenylbenzene-1,2,3-triamine Chemical compound NC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1N BXZOVYAUAVJGOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 229920000343 polyazomethine Polymers 0.000 description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Diphenylmethane Diisocyanate Chemical compound C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N nile red Chemical compound C1=CC=C2C3=NC4=CC=C(N(CC)CC)C=C4OC3=CC(=O)C2=C1 VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 2-[2-[(e)-2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl]-6-methylpyran-4-ylidene]propanedinitrile Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1\C=C\C1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCZUWQOJQGCZKG-UHFFFAOYSA-N 9h-carbazole-3,6-diamine Chemical compound C1=C(N)C=C2C3=CC(N)=CC=C3NC2=C1 YCZUWQOJQGCZKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZNZYKNKBJPZETN-WELNAUFTSA-N Dialdehyde 11678 Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C2=C1[C@H](C[C@H](/C(=C/O)C(=O)OC)[C@@H](C=C)C=O)NCC2 ZNZYKNKBJPZETN-WELNAUFTSA-N 0.000 description 1
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003023 Mg-Al Inorganic materials 0.000 description 1
- OSLKEVJRKOQGMJ-UHFFFAOYSA-N N=C=O.N=C=O.C(C=C1)=CC=C1N(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 Chemical compound N=C=O.N=C=O.C(C=C1)=CC=C1N(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 OSLKEVJRKOQGMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGTYCYGFMVPCCV-UHFFFAOYSA-N N=C=O.N=C=O.C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 Chemical compound N=C=O.N=C=O.C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 OGTYCYGFMVPCCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- 125000005442 diisocyanate group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機ＥＬ素子における発光層，正孔輸送層あ
るいは電子輸送層は、低分子系材料からなる蒸着膜、ま
たは、湿式成膜法によって形成された高分子系材料膜に
よって従来より形成されているが、前記の低分子系材料
からなる蒸着膜には再結晶化や凝集化が起こりやすく、
その結果として、素子の劣化が進行しやすい。一方、湿
式成膜法によって高分子系材料膜を成膜すると、１つの
有機ＥＬ素子を作製する際に、高分子系材料膜を成膜す
るためのウエットプロセスと少なくとも陰極を形成する
ためのドライプロセスの両方を行わなければならなくな
るため、有機ＥＬ素子を作製するための手間およびコス
トが増大する。 【解決手段】 正孔輸送層または発光層として機能する
層を蒸着重合膜によって形成する。
るいは電子輸送層は、低分子系材料からなる蒸着膜、ま
たは、湿式成膜法によって形成された高分子系材料膜に
よって従来より形成されているが、前記の低分子系材料
からなる蒸着膜には再結晶化や凝集化が起こりやすく、
その結果として、素子の劣化が進行しやすい。一方、湿
式成膜法によって高分子系材料膜を成膜すると、１つの
有機ＥＬ素子を作製する際に、高分子系材料膜を成膜す
るためのウエットプロセスと少なくとも陰極を形成する
ためのドライプロセスの両方を行わなければならなくな
るため、有機ＥＬ素子を作製するための手間およびコス
トが増大する。 【解決手段】 正孔輸送層または発光層として機能する
層を蒸着重合膜によって形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機ＥＬ素子に関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】蛍光性を有する有機材料を発光材料とし
て用いた有機ＥＬ素子は、図３（ａ）に示すように、透
明基板上１１上に陽極１２，発光層１３，陰極１４が順
次積層された層構成を基本とする薄膜発光素子であり、
無機ＥＬ素子に比べて低電圧で駆動させることができる
等の利点を有することから、表示装置の画素として、あ
るいは、バックライト等の面光源として、その実用化が
進められている。
て用いた有機ＥＬ素子は、図３（ａ）に示すように、透
明基板上１１上に陽極１２，発光層１３，陰極１４が順
次積層された層構成を基本とする薄膜発光素子であり、
無機ＥＬ素子に比べて低電圧で駆動させることができる
等の利点を有することから、表示装置の画素として、あ
るいは、バックライト等の面光源として、その実用化が
進められている。
【０００３】上記の層構成を基本とする有機ＥＬ素子で
は、その特性を向上させるため、図３（ｂ）に示すよう
に、陽極１２と発光層１３との間に正孔輸送層１５が設
けられたり、図３（ｃ）に示すように、発光層１３と陰
極１４との間に電子輸送層１６が設けられたり、あるい
は、図３（ｄ）に示すように、陽極１２と発光層１３と
の間に正孔輸送層１５が設けられると共に発光層１３と
陰極１４との間に電子輸送層１６が設けられたりする。
は、その特性を向上させるため、図３（ｂ）に示すよう
に、陽極１２と発光層１３との間に正孔輸送層１５が設
けられたり、図３（ｃ）に示すように、発光層１３と陰
極１４との間に電子輸送層１６が設けられたり、あるい
は、図３（ｄ）に示すように、陽極１２と発光層１３と
の間に正孔輸送層１５が設けられると共に発光層１３と
陰極１４との間に電子輸送層１６が設けられたりする。
【０００４】有機ＥＬ素子用の透明基板としては、透明
ガラス基板または透明樹脂基板が多用されている。ま
た、陽極としては、Ａｕ等の仕事関数が大きい金属もし
くは合金からなる透明電極、または、ＩＴＯ，Ｓｎ
Ｏ2 ，ＺｎＯ等からなる透明電極が一般に使用されてお
り、当該陽極は、真空蒸着法やスパッタリング法等のド
ライプロセスによって成膜される。そして、陰極として
は、仕事関数が小さい金属，合金またはこれらの混合
物、例えばＣａ，Ａｌ，Ａｌ−Ｌｉ合金，Ｍｇ−Ａｇ合
金，Ｍｇ−Ａｌ合金，Ｍｇ−Ｉｎ合金等からなるものが
一般に使用されており、当該陰極もまた、真空蒸着法や
スパッタリング法等のドライプロセスによって成膜され
る。
ガラス基板または透明樹脂基板が多用されている。ま
た、陽極としては、Ａｕ等の仕事関数が大きい金属もし
くは合金からなる透明電極、または、ＩＴＯ，Ｓｎ
Ｏ2 ，ＺｎＯ等からなる透明電極が一般に使用されてお
り、当該陽極は、真空蒸着法やスパッタリング法等のド
ライプロセスによって成膜される。そして、陰極として
は、仕事関数が小さい金属，合金またはこれらの混合
物、例えばＣａ，Ａｌ，Ａｌ−Ｌｉ合金，Ｍｇ−Ａｇ合
金，Ｍｇ−Ａｌ合金，Ｍｇ−Ｉｎ合金等からなるものが
一般に使用されており、当該陰極もまた、真空蒸着法や
スパッタリング法等のドライプロセスによって成膜され
る。
【０００５】一方、発光層，正孔輸送層および電子輸送
層はそれぞれ有機材料によって形成される。これらの層
は、通常、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミ
ニウム（以下、このものを「Ａｌｑ3 」と略記する。）
やＮ，Ｎ´−ジフェニル−Ｎ，Ｎ´−ビス（３−メチル
フェニル）１，１´−ビフェニル−４，４´−ジアミン
（以下、このものを「ＴＰＤ」と略記する。）によって
代表される低分子系材料からなる蒸着膜によって形成さ
れるが、ポリパラフェニレンビニレン（以下、このもの
を「ＰＰＶ」と略記する。）誘導体によって代表される
高分子系材料をその材料として使用することも試みられ
ている。高分子系材料によって上記の層を形成する際に
は、スピンコート法やディッピング法等のウエットプロ
セスが適用される。
層はそれぞれ有機材料によって形成される。これらの層
は、通常、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミ
ニウム（以下、このものを「Ａｌｑ3 」と略記する。）
やＮ，Ｎ´−ジフェニル−Ｎ，Ｎ´−ビス（３−メチル
フェニル）１，１´−ビフェニル−４，４´−ジアミン
（以下、このものを「ＴＰＤ」と略記する。）によって
代表される低分子系材料からなる蒸着膜によって形成さ
れるが、ポリパラフェニレンビニレン（以下、このもの
を「ＰＰＶ」と略記する。）誘導体によって代表される
高分子系材料をその材料として使用することも試みられ
ている。高分子系材料によって上記の層を形成する際に
は、スピンコート法やディッピング法等のウエットプロ
セスが適用される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】低分子系材料からなる
蒸着膜によって発光層，正孔輸送層あるいは電子輸送層
を形成した有機ＥＬ素子では、前記の蒸着膜の再結晶化
や凝集化によって劣化が進行しやすい。
蒸着膜によって発光層，正孔輸送層あるいは電子輸送層
を形成した有機ＥＬ素子では、前記の蒸着膜の再結晶化
や凝集化によって劣化が進行しやすい。
【０００７】ＰＰＶ誘導体等の高分子系材料を用いれば
その再結晶化や凝集化による素子の劣化を抑制すること
ができるが、当該高分子系材料からなる層の形成は、上
述したようにウエットプロセスによって行われている。
このため、１つの有機ＥＬ素子を作製する際には、高分
子系材料からなる層を成膜するためのウエットプロセス
と少なくとも陰極を形成するためのドライプロセスの両
方を行わなければならなくなる。その結果として、有機
ＥＬ素子を作製するための手間およびコストが増大す
る。
その再結晶化や凝集化による素子の劣化を抑制すること
ができるが、当該高分子系材料からなる層の形成は、上
述したようにウエットプロセスによって行われている。
このため、１つの有機ＥＬ素子を作製する際には、高分
子系材料からなる層を成膜するためのウエットプロセス
と少なくとも陰極を形成するためのドライプロセスの両
方を行わなければならなくなる。その結果として、有機
ＥＬ素子を作製するための手間およびコストが増大す
る。
【０００８】本発明は、劣化が起こりにくいものをドラ
イプロセスのみによって得ることが可能な有機ＥＬ素子
を提供することを目的とする。
イプロセスのみによって得ることが可能な有機ＥＬ素子
を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の有機ＥＬ素子
は、蒸着重合膜を有し、該蒸着重合膜が正孔輸送層また
は発光層として機能することを特徴とするものである。
は、蒸着重合膜を有し、該蒸着重合膜が正孔輸送層また
は発光層として機能することを特徴とするものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、実施例を挙げて本発明を詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１１】（実施例１）まず、片面にＩＴＯ膜が成膜
されているガラス基板（以下、この基板を「ＩＴＯ基
板」という。）を用意した。
されているガラス基板（以下、この基板を「ＩＴＯ基
板」という。）を用意した。
【００１２】次いで、このＩＴＯ基板におけるＩＴＯ膜
上に、１０-4Ｐａの真空中で３，６−ジアミノカルバゾ
−ルと４，４´−ジイソシアン酸メチレンジフェニルと
をそれぞれ１ｎｍ／ｓの蒸着速度の下に同時に蒸着させ
た後、別の真空容器中において２００℃で１時間熱処理
を施して、前記のＩＴＯ膜上に膜厚５０ｎｍの蒸着重合
膜を形成した。なお、同一の真空容器中で熱処理しても
よいであろう。この蒸着重合膜は、下式(III) で表され
る繰返し単位を有するポリウレアである。
上に、１０-4Ｐａの真空中で３，６−ジアミノカルバゾ
−ルと４，４´−ジイソシアン酸メチレンジフェニルと
をそれぞれ１ｎｍ／ｓの蒸着速度の下に同時に蒸着させ
た後、別の真空容器中において２００℃で１時間熱処理
を施して、前記のＩＴＯ膜上に膜厚５０ｎｍの蒸着重合
膜を形成した。なお、同一の真空容器中で熱処理しても
よいであろう。この蒸着重合膜は、下式(III) で表され
る繰返し単位を有するポリウレアである。
【００１３】
【化２】
【００１４】この後、上記の蒸着重合膜上にＭｇ−Ａｇ
合金膜を真空蒸着法によって成膜した。
合金膜を真空蒸着法によって成膜した。
【００１５】当該Ｍｇ−Ａｇ合金膜まで形成することに
より、図１（ａ）に示すように、ガラス基板１上にＩＴ
Ｏ膜２，蒸着重合膜３ａおよびＭｇ−Ａｇ合金膜５が順
次積層されてなる有機ＥＬ素子６ａが得られた。この有
機ＥＬ素子６ａにおいては、前記の蒸着重合膜３ａが正
孔輸送層兼発光層兼電子輸送層として機能すると考えら
れる。
より、図１（ａ）に示すように、ガラス基板１上にＩＴ
Ｏ膜２，蒸着重合膜３ａおよびＭｇ−Ａｇ合金膜５が順
次積層されてなる有機ＥＬ素子６ａが得られた。この有
機ＥＬ素子６ａにおいては、前記の蒸着重合膜３ａが正
孔輸送層兼発光層兼電子輸送層として機能すると考えら
れる。
【００１６】上記の有機ＥＬ素子６ａにおけるＩＴＯ膜
２を陽極として利用し、Ｍｇ−Ａｇ合金膜５を陰極とし
て利用して当該有機ＥＬ素子６ａに直流電圧を印加した
ところ、カルバゾール由来の青色発光が観察された。
２を陽極として利用し、Ｍｇ−Ａｇ合金膜５を陰極とし
て利用して当該有機ＥＬ素子６ａに直流電圧を印加した
ところ、カルバゾール由来の青色発光が観察された。
【００１７】図２は、印加電圧を変化させた時の印加電
圧と青色発光の輝度の関係を示す。横軸は、印加電圧を
単位Ｖで表し、縦軸は青色発光の輝度を単位ｃｄ／ｍ2
で表す。印加電圧１〜１０Ｖの範囲で輝度は１０-2〜１
０-1ｃｄ／ｍ2 程度である。
圧と青色発光の輝度の関係を示す。横軸は、印加電圧を
単位Ｖで表し、縦軸は青色発光の輝度を単位ｃｄ／ｍ2
で表す。印加電圧１〜１０Ｖの範囲で輝度は１０-2〜１
０-1ｃｄ／ｍ2 程度である。
【００１８】（実施例２）実施例１におけるのと全く同
条件の下にＩＴＯ基板上にポリウレアからなる蒸着重合
膜を形成した後、当該蒸着重合膜上に膜厚５０ｎｍのＡ
ｌｑ3 膜を真空蒸着法によって成膜し、更に、当該Ａｌ
ｑ3 膜上にＭｇ−Ａｇ合金膜を真空蒸着法によって成膜
した。
条件の下にＩＴＯ基板上にポリウレアからなる蒸着重合
膜を形成した後、当該蒸着重合膜上に膜厚５０ｎｍのＡ
ｌｑ3 膜を真空蒸着法によって成膜し、更に、当該Ａｌ
ｑ3 膜上にＭｇ−Ａｇ合金膜を真空蒸着法によって成膜
した。
【００１９】当該Ｍｇ−Ａｇ合金膜まで形成することに
より、図１（ｂ）に示すように、ガラス基板１上にＩＴ
Ｏ膜２，蒸着重合膜３ｂ，Ａｌｑ3 膜４およびＭｇ−Ａ
ｇ合金膜５が順次積層されてなる有機ＥＬ素子６ｂが得
られた。
より、図１（ｂ）に示すように、ガラス基板１上にＩＴ
Ｏ膜２，蒸着重合膜３ｂ，Ａｌｑ3 膜４およびＭｇ−Ａ
ｇ合金膜５が順次積層されてなる有機ＥＬ素子６ｂが得
られた。
【００２０】上記の有機ＥＬ素子６ｂにおけるＩＴＯ膜
２を陽極として利用し、Ｍｇ−Ａｇ合金膜５を陰極とし
て利用して当該有機ＥＬ素子６ｂに直流電圧を印加した
ところ、Ａｌｑ3 由来の緑色発光が観察された。
２を陽極として利用し、Ｍｇ−Ａｇ合金膜５を陰極とし
て利用して当該有機ＥＬ素子６ｂに直流電圧を印加した
ところ、Ａｌｑ3 由来の緑色発光が観察された。
【００２１】図２に、このときの印加電圧と輝度の関係
を示す。印加電圧５Ｖから輝度が大きく立ち上がり、印
加電圧１３Ｖで５×１０2 ｃｄ／ｍ2 以上のピークを形
成している。この有機ＥＬ素子６ｂにおいては、前記の
蒸着重合膜３ｂが正孔輸送層として機能し、前記のＡｌ
ｑ3 膜４が発光層兼電子輸送層として機能すると考えら
れる。
を示す。印加電圧５Ｖから輝度が大きく立ち上がり、印
加電圧１３Ｖで５×１０2 ｃｄ／ｍ2 以上のピークを形
成している。この有機ＥＬ素子６ｂにおいては、前記の
蒸着重合膜３ｂが正孔輸送層として機能し、前記のＡｌ
ｑ3 膜４が発光層兼電子輸送層として機能すると考えら
れる。
【００２２】（実施例３）３，６−ジアミノカルバゾ−
ルと４，４´−ジイソシアン酸メチレンジフェニルとを
同時に蒸着させると共に、赤色蛍光色素である４−ジシ
アノメチレン−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−
２−メチル−４Ｈ−ピラン（以下、このものを「ＤＣ
Ｍ」と略記する。）をも同時に蒸着させた以外は実施例
１におけるのと同じ要領で、図１（ｃ）に示すように、
ガラス基板１上にＩＴＯ膜２，蒸着重合膜（ＤＣＭを分
散させたもの）３ｃおよびＭｇ−Ａｇ合金膜５が順次積
層されてなる有機ＥＬ素子６ｃを製造した。
ルと４，４´−ジイソシアン酸メチレンジフェニルとを
同時に蒸着させると共に、赤色蛍光色素である４−ジシ
アノメチレン−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−
２−メチル−４Ｈ−ピラン（以下、このものを「ＤＣ
Ｍ」と略記する。）をも同時に蒸着させた以外は実施例
１におけるのと同じ要領で、図１（ｃ）に示すように、
ガラス基板１上にＩＴＯ膜２，蒸着重合膜（ＤＣＭを分
散させたもの）３ｃおよびＭｇ−Ａｇ合金膜５が順次積
層されてなる有機ＥＬ素子６ｃを製造した。
【００２３】この有機ＥＬ素子６ｃにおける上記の蒸着
重合膜３ｃは、前記の式(III) で表される繰返し単位を
有するポリウレア中にＤＣＭが５wt％分散したものであ
り、当該蒸着重合膜３ｃは正孔輸送層兼発光層兼電子輸
送層として機能すると考えられる。
重合膜３ｃは、前記の式(III) で表される繰返し単位を
有するポリウレア中にＤＣＭが５wt％分散したものであ
り、当該蒸着重合膜３ｃは正孔輸送層兼発光層兼電子輸
送層として機能すると考えられる。
【００２４】上記の有機ＥＬ素子６ｃにおけるＩＴＯ膜
２を陽極として利用し、Ｍｇ−Ａｇ合金膜５を陰極とし
て利用して当該有機ＥＬ素子６ｃに直流電圧を印加した
ところ、ＤＣＭ由来の赤色発光が観察された。
２を陽極として利用し、Ｍｇ−Ａｇ合金膜５を陰極とし
て利用して当該有機ＥＬ素子６ｃに直流電圧を印加した
ところ、ＤＣＭ由来の赤色発光が観察された。
【００２５】図２に、このときの印加電圧と輝度の関係
を示す。印加電圧１〜１３Ｖの範囲で輝度は１×１０-2
〜２×１０-1ｃｄ／ｍ2 程度である。
を示す。印加電圧１〜１３Ｖの範囲で輝度は１×１０-2
〜２×１０-1ｃｄ／ｍ2 程度である。
【００２６】（実施例４）実施例３におけるのと同条件
で蒸着重合膜を形成した以外は実施例２におけるのと同
じ要領で、図１（ｄ）に示すように、ガラス基板１上に
ＩＴＯ膜２，蒸着重合膜（ＤＣＭを分散させたもの）３
ｄ，Ａｌｑ3 膜４およびＭｇ−Ａｇ合金膜５が順次積層
されてなる有機ＥＬ素子６ｄを製造した。
で蒸着重合膜を形成した以外は実施例２におけるのと同
じ要領で、図１（ｄ）に示すように、ガラス基板１上に
ＩＴＯ膜２，蒸着重合膜（ＤＣＭを分散させたもの）３
ｄ，Ａｌｑ3 膜４およびＭｇ−Ａｇ合金膜５が順次積層
されてなる有機ＥＬ素子６ｄを製造した。
【００２７】上記の有機ＥＬ素子６ｄにおけるＩＴＯ膜
２を陽極として利用し、Ｍｇ−Ａｇ合金膜５を陰極とし
て利用して当該有機ＥＬ素子６ｄに直流電圧を印加した
ところ、Ａｌｑ3 由来の緑色発光が観察された。
２を陽極として利用し、Ｍｇ−Ａｇ合金膜５を陰極とし
て利用して当該有機ＥＬ素子６ｄに直流電圧を印加した
ところ、Ａｌｑ3 由来の緑色発光が観察された。
【００２８】図２に、このときの印加電圧と輝度の関係
を示す。印加電圧が６Ｖを越えると輝度は大きく立ち上
がり、印加電圧１６Ｖ付近で輝度は４×１０2 ｃｄ／ｍ
2 程度のピークを形成している。この有機ＥＬ素子６ｄ
における上記の蒸着重合膜３ｄは、正孔輸送層として機
能すると考えられる。
を示す。印加電圧が６Ｖを越えると輝度は大きく立ち上
がり、印加電圧１６Ｖ付近で輝度は４×１０2 ｃｄ／ｍ
2 程度のピークを形成している。この有機ＥＬ素子６ｄ
における上記の蒸着重合膜３ｄは、正孔輸送層として機
能すると考えられる。
【００２９】図２の実験結果において、蒸着重合膜に電
子輸送層としての機能も課した実施例１、３の結果と較
べ、蒸着重合膜を正孔輸送層として用いた実施例２、４
の結果は著しく優れている。
子輸送層としての機能も課した実施例１、３の結果と較
べ、蒸着重合膜を正孔輸送層として用いた実施例２、４
の結果は著しく優れている。
【００３０】（実施例５）３，６−ジアミノカルバゾ−
ルに代えてジアミノＴＰＤを用いた以外は実施例２にお
けるのと同じ要領で、ガラス基板上にＩＴＯ膜，蒸着重
合膜，Ａｌｑ3 膜およびＭｇ−Ａｇ合金膜が順次積層さ
れてなる有機ＥＬ素子を製造した。
ルに代えてジアミノＴＰＤを用いた以外は実施例２にお
けるのと同じ要領で、ガラス基板上にＩＴＯ膜，蒸着重
合膜，Ａｌｑ3 膜およびＭｇ−Ａｇ合金膜が順次積層さ
れてなる有機ＥＬ素子を製造した。
【００３１】この有機ＥＬ素子における上記の蒸着重合
膜は、下式(IV)で表される繰返し単位を有するポリウレ
アである。
膜は、下式(IV)で表される繰返し単位を有するポリウレ
アである。
【００３２】
【化３】
【００３３】上記の有機ＥＬ素子におけるＩＴＯ膜を陽
極として利用し、Ｍｇ−Ａｇ合金膜を陰極として利用し
て当該有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したところ、Ａｌ
ｑ3由来の緑色発光が観察された。当該蒸着重合膜は正
孔輸送層として機能すると考えられる。
極として利用し、Ｍｇ−Ａｇ合金膜を陰極として利用し
て当該有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したところ、Ａｌ
ｑ3由来の緑色発光が観察された。当該蒸着重合膜は正
孔輸送層として機能すると考えられる。
【００３４】（実施例６）３，６−ジアミノカルバゾ−
ルに代えてジアミノトリフェニルアミンを用いた以外は
実施例２におけるのと同じ要領で、ガラス基板上にＩＴ
Ｏ膜，蒸着重合膜，Ａｌｑ3 膜およびＭｇ−Ａｇ合金膜
が順次積層されてなる有機ＥＬ素子を製造した。
ルに代えてジアミノトリフェニルアミンを用いた以外は
実施例２におけるのと同じ要領で、ガラス基板上にＩＴ
Ｏ膜，蒸着重合膜，Ａｌｑ3 膜およびＭｇ−Ａｇ合金膜
が順次積層されてなる有機ＥＬ素子を製造した。
【００３５】この有機ＥＬ素子における上記の蒸着重合
膜は、下式(V) で表される繰返し単位を有するポリウレ
アである。
膜は、下式(V) で表される繰返し単位を有するポリウレ
アである。
【００３６】
【化４】
【００３７】上記の有機ＥＬ素子におけるＩＴＯ膜を陽
極として利用し、Ｍｇ−Ａｇ合金膜を陰極として利用し
て当該有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したところ、Ａｌ
ｑ3由来の緑色発光が観察された。当該蒸着重合膜は正
孔輸送層として機能すると考えられる。
極として利用し、Ｍｇ−Ａｇ合金膜を陰極として利用し
て当該有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したところ、Ａｌ
ｑ3由来の緑色発光が観察された。当該蒸着重合膜は正
孔輸送層として機能すると考えられる。
【００３８】以上、実施例を挙げて本発明を説明した
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。
【００３９】例えば、正孔輸送層として機能する蒸着重
合膜は、正孔輸送性を有する物質、例えばカルバゾー
ル，ＴＰＤ，トリフェニルアミン等に由来する官能基を
繰返し単位中に含むものであればよく、当該蒸着重合膜
の構造の具体例としては、ポリウレア，ポリアゾメチ
ン，ポリイミド，ポリアミド等が挙げられる。
合膜は、正孔輸送性を有する物質、例えばカルバゾー
ル，ＴＰＤ，トリフェニルアミン等に由来する官能基を
繰返し単位中に含むものであればよく、当該蒸着重合膜
の構造の具体例としては、ポリウレア，ポリアゾメチ
ン，ポリイミド，ポリアミド等が挙げられる。
【００４０】これらの蒸着重合膜の中でも、水の生成を
伴わない縮重合反応によって成膜し得る蒸着重合膜、例
えばポリウレアが好ましい。蒸着重合膜を成膜する際に
水が生成すると、この水分によって有機ＥＬ素子が劣化
してしまう危険性がある。
伴わない縮重合反応によって成膜し得る蒸着重合膜、例
えばポリウレアが好ましい。蒸着重合膜を成膜する際に
水が生成すると、この水分によって有機ＥＬ素子が劣化
してしまう危険性がある。
【００４１】上記のポリウレアとしては、実施例で成膜
したものも含め、下記一般式(I)
したものも含め、下記一般式(I)
【００４２】
【化５】
【００４３】で表される繰返し単位を有するものを利用
することができる。
することができる。
【００４４】上記の一般式(I) で表される繰返し単位を
有するポリウレアは、実施例で示した原料を用いる以外
に、下記（Ａ）〜（Ｃ）の組合わせの原料を用いること
により得ることができる。
有するポリウレアは、実施例で示した原料を用いる以外
に、下記（Ａ）〜（Ｃ）の組合わせの原料を用いること
により得ることができる。
【００４５】 （Ａ） ＴＰＤジアミン、 ＴＰＤジイソシアネート Ｈ2 Ｎ−Ｒ−ＮＨ2 ＣＣＮ−Ｒ−ＮＣＣ この場合、上記の一般式(I) においてＲ1 が（ｉ）の官
能基、Ｒ2 が（ｉ）の官能基であるポリウレアが得られ
る。
能基、Ｒ2 が（ｉ）の官能基であるポリウレアが得られ
る。
【００４６】（Ｂ） ジアミノトリフェニルアミン、ト
リフェニルアミンジイソシアネート この場合、上記の一般式(I) においてＲ1 が（ii）の官
能基、Ｒ2 が（ii）の官能基であるポリウレアが得られ
る。
リフェニルアミンジイソシアネート この場合、上記の一般式(I) においてＲ1 が（ii）の官
能基、Ｒ2 が（ii）の官能基であるポリウレアが得られ
る。
【００４７】（Ｃ） ジアミノカルバゾール、カルバゾ
ールジイソシアネート この場合、上記の一般式(I) においてＲ1 が（iii)の官
能基、Ｒ2 が（iii)の官能基であるポリウレアが得られ
る。
ールジイソシアネート この場合、上記の一般式(I) においてＲ1 が（iii)の官
能基、Ｒ2 が（iii)の官能基であるポリウレアが得られ
る。
【００４８】一方、前記のポリアゾメチンとしては、下
記一般式(II)
記一般式(II)
【００４９】
【化６】
【００５０】で表される繰返し単位を有するものを利用
することができる。
することができる。
【００５１】上記の一般式(II)で表される繰返し単位を
有するポリアゾメチンは、下記（ａ）の組合わせの原料
を用いることにより得ることができる。
有するポリアゾメチンは、下記（ａ）の組合わせの原料
を用いることにより得ることができる。
【００５２】(a) ＴＰＤジアルデヒドとジアミノトリフ
ェニルアミン 正孔輸送層として機能する蒸着重合膜は、所望の原料を
蒸着させた後、同じ真空または別の真空雰囲気中におい
て概ね１５０〜２００℃で１〜２時間熱処理することに
より、得ることができる。
ェニルアミン 正孔輸送層として機能する蒸着重合膜は、所望の原料を
蒸着させた後、同じ真空または別の真空雰囲気中におい
て概ね１５０〜２００℃で１〜２時間熱処理することに
より、得ることができる。
【００５３】上記の蒸着重合膜の中には、実施例１で示
したように正孔輸送層兼発光層として機能し得るものも
あるが、発光特性の高い有機ＥＬ素子を得るうえから
は、実施例５で示したように、上記の蒸着重合膜を形成
する際に当該蒸着重合膜中に蛍光色素を分散させて、こ
の蛍光色素に由来する発光を生じる正孔輸送層兼発光層
を形成する方が好ましく、更には、蒸着重合膜とは別に
発光層を形成する方が好ましい。
したように正孔輸送層兼発光層として機能し得るものも
あるが、発光特性の高い有機ＥＬ素子を得るうえから
は、実施例５で示したように、上記の蒸着重合膜を形成
する際に当該蒸着重合膜中に蛍光色素を分散させて、こ
の蛍光色素に由来する発光を生じる正孔輸送層兼発光層
を形成する方が好ましく、更には、蒸着重合膜とは別に
発光層を形成する方が好ましい。
【００５４】蒸着重合膜を形成する際に当該蒸着重合膜
中に蛍光色素を分散させて、この蛍光色素に由来する発
光を生じる正孔輸送層兼発光層を形成しようとする場
合、前記の蛍光色素としては、実施例で用いたＤＣＭ以
外に、クマリン、キナクリドン、ナイルレッド、ルブレ
ン、Ａｌｑ3 等を用いることができる。これらの蛍光色
素の中には、有機ＥＬ素子用の発光材料として単独で用
いた場合には濃度消光によって発光しない材料、例えば
ＤＣＭ、キナクリドン、クマリン、ナイルレッド、ルブ
レンも含まれるが、蒸着重合膜中に分散させる際の濃度
を濃度消光が起こらない濃度とすることにより、当該蛍
光色素に由来する発光を生じる正孔輸送層兼発光層を形
成することが可能になる。
中に蛍光色素を分散させて、この蛍光色素に由来する発
光を生じる正孔輸送層兼発光層を形成しようとする場
合、前記の蛍光色素としては、実施例で用いたＤＣＭ以
外に、クマリン、キナクリドン、ナイルレッド、ルブレ
ン、Ａｌｑ3 等を用いることができる。これらの蛍光色
素の中には、有機ＥＬ素子用の発光材料として単独で用
いた場合には濃度消光によって発光しない材料、例えば
ＤＣＭ、キナクリドン、クマリン、ナイルレッド、ルブ
レンも含まれるが、蒸着重合膜中に分散させる際の濃度
を濃度消光が起こらない濃度とすることにより、当該蛍
光色素に由来する発光を生じる正孔輸送層兼発光層を形
成することが可能になる。
【００５５】正孔輸送層兼発光層として機能し得る蒸着
重合膜上に発光層兼電子輸送層として機能し得る層を別
途形成した場合に、前記の蒸着重合膜と前記別途形成し
た層のどちらが実際に発光層として機能するかは、蛍光
量子収率、キャリア輸送性、分子の最高被占準位（ＨＯ
ＭＯ）、最低空準位（ＬＵＭＯ）に応じて決まる。した
がって、どちらの層（膜）を実際に発光層として利用す
るかは、蛍光量子収率、キャリア輸送性、分子の最高被
占準位（ＨＯＭＯ）、最低空準位（ＬＵＭＯ）に応じて
適宜選択可能である。
重合膜上に発光層兼電子輸送層として機能し得る層を別
途形成した場合に、前記の蒸着重合膜と前記別途形成し
た層のどちらが実際に発光層として機能するかは、蛍光
量子収率、キャリア輸送性、分子の最高被占準位（ＨＯ
ＭＯ）、最低空準位（ＬＵＭＯ）に応じて決まる。した
がって、どちらの層（膜）を実際に発光層として利用す
るかは、蛍光量子収率、キャリア輸送性、分子の最高被
占準位（ＨＯＭＯ）、最低空準位（ＬＵＭＯ）に応じて
適宜選択可能である。
【００５６】本発明の有機ＥＬ素子は、正孔輸送層また
は発光層として機能する上述の蒸着重合膜（正孔輸送層
兼発光層として機能する場合を含む。）を有していれば
よく、他の層としては公知のものを利用することができ
る。ただし、当該蒸着重合膜以外の層としてウエットプ
ロセスによって形成されるものを用いた場合には、前述
したように、目的とする有機ＥＬ素子を得るために要す
る手間およびコストが増大する。したがって、上述の蒸
着重合膜以外の層としては、ドライプロセスによって形
成されるものが好ましい。
は発光層として機能する上述の蒸着重合膜（正孔輸送層
兼発光層として機能する場合を含む。）を有していれば
よく、他の層としては公知のものを利用することができ
る。ただし、当該蒸着重合膜以外の層としてウエットプ
ロセスによって形成されるものを用いた場合には、前述
したように、目的とする有機ＥＬ素子を得るために要す
る手間およびコストが増大する。したがって、上述の蒸
着重合膜以外の層としては、ドライプロセスによって形
成されるものが好ましい。
【００５７】蒸着重合膜以外にどのような層を形成する
かは、目的とする有機ＥＬ素子の用途や当該有機ＥＬ素
子に求められる特性等に応じて適宜選択可能である。
かは、目的とする有機ＥＬ素子の用途や当該有機ＥＬ素
子に求められる特性等に応じて適宜選択可能である。
【００５８】素子の劣化を抑止するという観点からすれ
ば、陽極および陰極以外の全ての層を着蒸着重合膜によ
って形成することが好ましい。一方、発光特性の高い有
機ＥＬ素子を得るという観点からすれば、蒸着重合膜を
正孔輸送層として利用し、当該蒸着重合膜上にＡｌｑ3
等からなる発光層もしくは発光層兼電子輸送層を形成
し、その上に陰極を形成することが好ましい。
ば、陽極および陰極以外の全ての層を着蒸着重合膜によ
って形成することが好ましい。一方、発光特性の高い有
機ＥＬ素子を得るという観点からすれば、蒸着重合膜を
正孔輸送層として利用し、当該蒸着重合膜上にＡｌｑ3
等からなる発光層もしくは発光層兼電子輸送層を形成
し、その上に陰極を形成することが好ましい。
【００５９】上記の蒸着重合膜には再結晶化や凝集化が
起こりにくいので、当該蒸着重合膜以外の層をもドライ
プロセスによって形成することにより、劣化が起こりに
くい有機ＥＬ素子をドライプロセスのみによって得るこ
とができる。その結果として、劣化が起こりにくい有機
ＥＬ素子を、その製造に要する手間およびコストを抑え
つつ得ることが可能になる。さらに、全ての層をドライ
プロセスのみによって形成するようにすれば、異物の混
入を比較的容易に防止することができるので、異物の混
入に起因するダークスポット（非発光部）の発生を容易
に抑制することができる。
起こりにくいので、当該蒸着重合膜以外の層をもドライ
プロセスによって形成することにより、劣化が起こりに
くい有機ＥＬ素子をドライプロセスのみによって得るこ
とができる。その結果として、劣化が起こりにくい有機
ＥＬ素子を、その製造に要する手間およびコストを抑え
つつ得ることが可能になる。さらに、全ての層をドライ
プロセスのみによって形成するようにすれば、異物の混
入を比較的容易に防止することができるので、異物の混
入に起因するダークスポット（非発光部）の発生を容易
に抑制することができる。
【００６０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の有機ＥＬ
素子は、劣化が起こりにくいものをドライプロセスのみ
によって得ることが可能な有機ＥＬ素子である。
素子は、劣化が起こりにくいものをドライプロセスのみ
によって得ることが可能な有機ＥＬ素子である。
【００６１】したがって、本発明によれば、劣化が起こ
りにく有機ＥＬ素子を得ることが容易になる。
りにく有機ＥＬ素子を得ることが容易になる。
【図１】実施例１〜実施例４で製造した有機ＥＬ素子の
層構成を概略的に示す側面図である。
層構成を概略的に示す側面図である。
【図２】実施例１〜実施例４で製造した有機ＥＬ素子つ
いての印加電圧と輝度との関係を示すグラフである。
いての印加電圧と輝度との関係を示すグラフである。
【図３】有機ＥＬ素子の一般的な層構成を概略的に示す
側面図である。
側面図である。
１…ガラス基板、 ２…ＩＴＯ膜（陽極）、３ａ…蒸着
重合膜（正孔輸送層兼発光層）、 ３ｂ…蒸着重合膜
（正孔輸送層）、 ３ｃ…蛍光色素を分散させた蒸着重
合膜（正孔輸送層兼発光層）、 ３ｄ…蛍光色素を分散
させた蒸着重合膜（正孔輸送層）、 ４…Ａｌｑ3 膜
（発光層兼電子輸送層）、 ５…Ｍｇ−Ａｇ合金膜（陰
極）、 ６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ…有機ＥＬ素子
重合膜（正孔輸送層兼発光層）、 ３ｂ…蒸着重合膜
（正孔輸送層）、 ３ｃ…蛍光色素を分散させた蒸着重
合膜（正孔輸送層兼発光層）、 ３ｄ…蛍光色素を分散
させた蒸着重合膜（正孔輸送層）、 ４…Ａｌｑ3 膜
（発光層兼電子輸送層）、 ５…Ｍｇ−Ａｇ合金膜（陰
極）、 ６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ…有機ＥＬ素子
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｄ (72)発明者 小川 昭雄 神奈川県横浜市青葉区荏田西１−３−１ スタンレー電気株式会社技術研究所内 (72)発明者 高山 浩一 神奈川県横浜市青葉区荏田西１−３−１ スタンレー電気株式会社技術研究所内 (72)発明者 赤木 努 神奈川県横浜市青葉区荏田西１−３−１ スタンレー電気株式会社技術研究所内 Ｆターム(参考） 3K007 AB04 AB06 AB11 CA01 CB01 DA01 DB03 EB00 FA01 FA03 4K029 AA11 AA24 BA62 BB02 BC03 BC07 BD01 CA01 DB06
Claims (5)
- 【請求項１】 蒸着重合膜を有し、該蒸着重合膜が正孔
輸送層または発光層として機能することを特徴とする有
機ＥＬ素子。 - 【請求項２】 前記の蒸着重合膜が、水の生成を伴わな
い縮重合反応によって成膜された蒸着重合膜である、請
求項１に記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項３】 前記の蒸着重合膜が、下記一般式(I) 【化１】 で表される繰返し単位を有するポリウレアである、請求
項１または請求項２に記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項４】 前記の蒸着重合膜中に蛍光色素が分散さ
れている、請求項１〜請求項３のいずれかに記載の有機
ＥＬ素子。 - 【請求項５】 前記の蒸着重合膜が正孔輸送層と発光層
とを兼ねている、請求項１〜請求項４のいずれかに記載
の有機ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10317944A JP2000150148A (ja) | 1998-11-09 | 1998-11-09 | 有機ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10317944A JP2000150148A (ja) | 1998-11-09 | 1998-11-09 | 有機ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000150148A true JP2000150148A (ja) | 2000-05-30 |
Family
ID=18093771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10317944A Withdrawn JP2000150148A (ja) | 1998-11-09 | 1998-11-09 | 有機ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000150148A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002110358A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-04-12 | Stanley Electric Co Ltd | 有機発光素子 |
| JP2003045666A (ja) * | 2001-05-23 | 2003-02-14 | Honda Motor Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2006156933A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Kuo-Huang Hsieh | 電子或いは正孔輸送層材料及びその製造方法 |
-
1998
- 1998-11-09 JP JP10317944A patent/JP2000150148A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002110358A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-04-12 | Stanley Electric Co Ltd | 有機発光素子 |
| JP2003045666A (ja) * | 2001-05-23 | 2003-02-14 | Honda Motor Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2006156933A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Kuo-Huang Hsieh | 電子或いは正孔輸送層材料及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060110 |