JP2000150093A - Ｉｃソケット - Google Patents
ＩｃソケットInfo
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- JP2000150093A JP2000150093A JP10320266A JP32026698A JP2000150093A JP 2000150093 A JP2000150093 A JP 2000150093A JP 10320266 A JP10320266 A JP 10320266A JP 32026698 A JP32026698 A JP 32026698A JP 2000150093 A JP2000150093 A JP 2000150093A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- socket
- loop probe
- shielded loop
- probe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
- G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
- G01R1/0433—Sockets for IC's or transistors
- G01R1/0441—Details
- G01R1/045—Sockets or component fixtures for RF or HF testing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Connecting Device With Holders (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 近年ＩＣの高速化がめざましくなるととも
に、ＩＣから発生する高周波電流がＥＭＩ（不要電磁解
放射）の原因となっている。ＩＣに効果的なＥＭＩ対策
を行うためにはＩＣから出る高周波電流を正確かつ容易
に測定する必要がある。 【解決手段】 微細なシールディドループプローブ１２
をＩＣソケット１１の端子近傍に内蔵する。このＩＣソ
ケット１１にＩＣ１４を装着して外部信号、外部電源を
使って動作させることにより、このＩＣ１４の端子を流
れる高周波電流により端子近傍に磁界が発生する。磁界
から端子を流れる高周波電流を求めることができる。こ
の方法により正確かつ容易に高周波電流を求めることが
でき、効果的なＥＭＩ対策を行うことができる。
に、ＩＣから発生する高周波電流がＥＭＩ（不要電磁解
放射）の原因となっている。ＩＣに効果的なＥＭＩ対策
を行うためにはＩＣから出る高周波電流を正確かつ容易
に測定する必要がある。 【解決手段】 微細なシールディドループプローブ１２
をＩＣソケット１１の端子近傍に内蔵する。このＩＣソ
ケット１１にＩＣ１４を装着して外部信号、外部電源を
使って動作させることにより、このＩＣ１４の端子を流
れる高周波電流により端子近傍に磁界が発生する。磁界
から端子を流れる高周波電流を求めることができる。こ
の方法により正確かつ容易に高周波電流を求めることが
でき、効果的なＥＭＩ対策を行うことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣソケットに関
し、特にその中でも端子近辺にシールディドループプロ
ーブを内蔵したもの、あるいは挿入可能なものに関す
る。
し、特にその中でも端子近辺にシールディドループプロ
ーブを内蔵したもの、あるいは挿入可能なものに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年の電子機器から発生する電磁放射の
多くはＩＣより流れる（またはＩＣに流れこむ）高周波
電流に起因することがわかっている。そのため、電子機
器からのＥＭＩを抑制するには、ＩＣを流れる高周波電
流を測定した上で効果的な対策設計を行うことが不可欠
である。
多くはＩＣより流れる（またはＩＣに流れこむ）高周波
電流に起因することがわかっている。そのため、電子機
器からのＥＭＩを抑制するには、ＩＣを流れる高周波電
流を測定した上で効果的な対策設計を行うことが不可欠
である。
【０００３】しかし、現在の高速化されたＩＣの電流は
周波数が高く、従来の電流プローブやオシロスコープ等
を用いて直接測定することは非常に困難であるのが現状
である。
周波数が高く、従来の電流プローブやオシロスコープ等
を用いて直接測定することは非常に困難であるのが現状
である。
【０００４】そこで、磁界プローブを用いてＩＣから発
生する磁界を測定し、その磁界から電流のタイムドメイ
ンを求める方法が提案されている。（佐々木、原田著、
「プリント回路基板近傍の磁界計測とそのＥＭＣへの応
用」電子情報通信学会信学技報１９９７年１２月ｐ１
０，１１参照）。
生する磁界を測定し、その磁界から電流のタイムドメイ
ンを求める方法が提案されている。（佐々木、原田著、
「プリント回路基板近傍の磁界計測とそのＥＭＣへの応
用」電子情報通信学会信学技報１９９７年１２月ｐ１
０，１１参照）。
【０００５】次に図７を用いて従来の技術を示す。
【０００６】磁界プローブ４６は多層プリント基板製造
プロセスまたは半導体製造プロセスを使って製造されて
おり、３層の導体面とその間の誘電体面からなる。図７
の４１，４２，および４３は導体層でそれぞれ誘電体層
で絶縁されており、これらにより同軸ケーブルを模擬し
た形状になっている。導体層４１及び導体層４３が同軸
ケーブルのＧＮＤにあたり、導体層４２は芯線にあた
る。このようにプリント基板の多層構造によりシールデ
ィドループプローブを形成したものである。これを測定
対象であるプリント基板の配線やＩＣのピンの近傍に固
定治具を用いて固定し、磁界を測定することができる。
プリント基板製造プロセス等を使ってループを形成する
ため、セミリジッドケーブルを使ったループプローブに
比べて寸法を小さく、また被測定対象に近づけることが
でき、結果として高い空間分解能を得ることができる
（玉置、増田、山口著、「多層基板構造による高空間分
解能磁界プローブ」電子情報通信学会信学技報１９９７
年７月ｐ１８図５参照）。
プロセスまたは半導体製造プロセスを使って製造されて
おり、３層の導体面とその間の誘電体面からなる。図７
の４１，４２，および４３は導体層でそれぞれ誘電体層
で絶縁されており、これらにより同軸ケーブルを模擬し
た形状になっている。導体層４１及び導体層４３が同軸
ケーブルのＧＮＤにあたり、導体層４２は芯線にあた
る。このようにプリント基板の多層構造によりシールデ
ィドループプローブを形成したものである。これを測定
対象であるプリント基板の配線やＩＣのピンの近傍に固
定治具を用いて固定し、磁界を測定することができる。
プリント基板製造プロセス等を使ってループを形成する
ため、セミリジッドケーブルを使ったループプローブに
比べて寸法を小さく、また被測定対象に近づけることが
でき、結果として高い空間分解能を得ることができる
（玉置、増田、山口著、「多層基板構造による高空間分
解能磁界プローブ」電子情報通信学会信学技報１９９７
年７月ｐ１８図５参照）。
【０００７】また、磁界を測定するためのプローブとし
て、コイルを用いたものをＩＣソケットに内蔵したもの
が、実開平４−５３５６２号公報に記述されている。
て、コイルを用いたものをＩＣソケットに内蔵したもの
が、実開平４−５３５６２号公報に記述されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】第１の問題点は、正確
な測定を行うためには被測定ピン以外のピンから発生す
る磁界の影響を小さくするために、被測定ピンと、シー
ルディドループプローブ又はコイルとの間隔はＩＣのピ
ン間隔より小さくする必要があるが、従来技術ではシー
ルディドループプローブ又はコイルを被測定ピンの近傍
に設置することが困難である、ということである。
な測定を行うためには被測定ピン以外のピンから発生す
る磁界の影響を小さくするために、被測定ピンと、シー
ルディドループプローブ又はコイルとの間隔はＩＣのピ
ン間隔より小さくする必要があるが、従来技術ではシー
ルディドループプローブ又はコイルを被測定ピンの近傍
に設置することが困難である、ということである。
【０００９】その理由は、測定対象となるＩＣ近辺には
ケーブルやＩＣソケットがあるため、シールディドルー
ププローブを設置する場所を確保するのが困難であるか
らである。また、コイルをＩＣソケットに内蔵したもの
においては、現存のＩＣのピン間隔より小さなコイルを
作成することが困難だからである。
ケーブルやＩＣソケットがあるため、シールディドルー
ププローブを設置する場所を確保するのが困難であるか
らである。また、コイルをＩＣソケットに内蔵したもの
においては、現存のＩＣのピン間隔より小さなコイルを
作成することが困難だからである。
【００１０】第２の問題点は、ＩＣのピン間隔はｍｍ単
位であるから、正確な測定を行うためには０．１ｍｍの
精度でシールディドループプローブを設置する必要があ
るが、従来技術では、シールディドループプローブを正
確に被測定ピンの近傍に設置することが困難であり、ま
た該設置作業が繁雑である、ということである。
位であるから、正確な測定を行うためには０．１ｍｍの
精度でシールディドループプローブを設置する必要があ
るが、従来技術では、シールディドループプローブを正
確に被測定ピンの近傍に設置することが困難であり、ま
た該設置作業が繁雑である、ということである。
【００１１】その理由は、シールディドループプローブ
が測定系と独立しているため、被測定ピンを変更する度
に磁界プローブを手作業で付け替えなければならず、作
業が繁雑になり、シールディドループプローブの位置が
微妙に変化してしまうからである。
が測定系と独立しているため、被測定ピンを変更する度
に磁界プローブを手作業で付け替えなければならず、作
業が繁雑になり、シールディドループプローブの位置が
微妙に変化してしまうからである。
【００１２】
【発明の目的】本発明の目的は、これまで困難であった
ＩＣのピンから発生する磁界の測定を正確かつ容易に行
う手段を提供することを目的としている。
ＩＣのピンから発生する磁界の測定を正確かつ容易に行
う手段を提供することを目的としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明のＩＣソケット
は、ＩＣに電力または信号を供給する端子を有し、前記
端子の近傍にシールディドループプローブを内蔵してい
る。
は、ＩＣに電力または信号を供給する端子を有し、前記
端子の近傍にシールディドループプローブを内蔵してい
る。
【００１４】また、ＩＣに電力または信号を供給する端
子を有し、前記端子の近傍にシールディドループプロー
ブを挿入することも可能である。
子を有し、前記端子の近傍にシールディドループプロー
ブを挿入することも可能である。
【００１５】さらに、ＩＣに電力または信号を供給する
端子を有し、前記端子が樹脂等の絶縁材料で覆われてお
り、前記絶縁材料の表面にシールディドループプローブ
を実装している。
端子を有し、前記端子が樹脂等の絶縁材料で覆われてお
り、前記絶縁材料の表面にシールディドループプローブ
を実装している。
【００１６】
【作用】測定装置であるシールディドループプローブを
予めＩＣソケット内部に内蔵することにより、従来のよ
うに、ＩＣソケット周辺にシールディドループプローブ
を設置する空間を確保する必要はなくなる。また、ＩＣ
ピンの近傍に設置することができるため、正確な測定を
行うことができる。
予めＩＣソケット内部に内蔵することにより、従来のよ
うに、ＩＣソケット周辺にシールディドループプローブ
を設置する空間を確保する必要はなくなる。また、ＩＣ
ピンの近傍に設置することができるため、正確な測定を
行うことができる。
【００１７】また、すでにシールディドループプローブ
が測定系の内部、それも測定ピンの近傍に固定されてい
るので、手作業でシールディドループプローブを設置す
る必要はなくなり、容易かつ正確な測定を行うことがで
きる。
が測定系の内部、それも測定ピンの近傍に固定されてい
るので、手作業でシールディドループプローブを設置す
る必要はなくなり、容易かつ正確な測定を行うことがで
きる。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図面
を参照して詳細に説明する。
を参照して詳細に説明する。
【００１９】図１は本発明の第１の実施の形態を示す断
面図である。また図２はシールディドループプローブ１
２の拡大図である。ここでは一例としてＱＦＰパッケー
ジ用のＩＣソケットを示してある。
面図である。また図２はシールディドループプローブ１
２の拡大図である。ここでは一例としてＱＦＰパッケー
ジ用のＩＣソケットを示してある。
【００２０】本発明のＩＣソケット１１は絶縁材料１９
で構成されており、これに被測定対象であるＩＣ１４を
装着する。ＩＣ１４からのびている被測定ピン１５を測
定端子１３で固定し、外部電源および外部信号によりＩ
Ｃ１４を駆動することにより、測定端子１３にＩＣ１４
の高周波電流２７が流れる。
で構成されており、これに被測定対象であるＩＣ１４を
装着する。ＩＣ１４からのびている被測定ピン１５を測
定端子１３で固定し、外部電源および外部信号によりＩ
Ｃ１４を駆動することにより、測定端子１３にＩＣ１４
の高周波電流２７が流れる。
【００２１】そして、被測定ピン１５以外のピンから発
生する磁界の影響を受けなくするために、内蔵されてい
るシールディドループプローブ１２と測定端子１３の距
離１６はピン間隔１７よりも小さく、また、シールディ
ドループプローブ１２の幅もピン間隔１７よりも小さい
ことが望ましい。
生する磁界の影響を受けなくするために、内蔵されてい
るシールディドループプローブ１２と測定端子１３の距
離１６はピン間隔１７よりも小さく、また、シールディ
ドループプローブ１２の幅もピン間隔１７よりも小さい
ことが望ましい。
【００２２】たとえば、ＱＦＰタイプのＩＣのピン間隔
は０．３ｍｍ〜１．０ｍｍであるので、シールディドル
ーププローブ１２と測定端子１３の距離１６、及びシー
ルディドループプローブの幅は０．３ｍｍ〜１．０ｍｍ
であることが望ましい。
は０．３ｍｍ〜１．０ｍｍであるので、シールディドル
ーププローブ１２と測定端子１３の距離１６、及びシー
ルディドループプローブの幅は０．３ｍｍ〜１．０ｍｍ
であることが望ましい。
【００２３】また、シールディドループプローブ１２の
構成は従来技術と同様である。即ち、３層の導体層とそ
の間の誘電体層からなる。導体層２１，２２，２３はそ
れぞれ誘電体で絶縁されており、これらにより同軸ケー
ブルを模擬した形状となっている。導体層２１および導
体層２３は同軸ケーブルのグランドに相当し、導体層２
２が芯線に相当する。また、図２に示したように、それ
ぞれの導体層がマイクロストリップ線路で略コの字形ま
たは略ロの字形などループを構成した形状となっている
ため、磁界を検出するのに適した形状となっている。こ
のような構成とすることにより、該シールディドループ
プローブは電界成分を打ち消し磁界成分のみを検出する
ことができる。
構成は従来技術と同様である。即ち、３層の導体層とそ
の間の誘電体層からなる。導体層２１，２２，２３はそ
れぞれ誘電体で絶縁されており、これらにより同軸ケー
ブルを模擬した形状となっている。導体層２１および導
体層２３は同軸ケーブルのグランドに相当し、導体層２
２が芯線に相当する。また、図２に示したように、それ
ぞれの導体層がマイクロストリップ線路で略コの字形ま
たは略ロの字形などループを構成した形状となっている
ため、磁界を検出するのに適した形状となっている。こ
のような構成とすることにより、該シールディドループ
プローブは電界成分を打ち消し磁界成分のみを検出する
ことができる。
【００２４】また、シールディドループプローブ１２は
多層プリント基板製造プロセスまたは半導体製造プロセ
スを用いて製造することが可能である。この場合、線
幅、配線間隔ともにｍｍ〜数μｍ単位の精度で製造可能
であるので、シールディドループプローブ１２の幅は数
ｍｍ〜数μｍと非常に小さくすることが可能である。ま
た、鋳型形成技術を用いてシールディドループプローブ
１２を製造することも可能である。この場合は、半導体
パッケージに使用されているリードフレームを製造する
要領で配線部を構成し、これに誘電体層を張り合わせる
ことにより製造可能となる。鋳型形成技術を用いて製造
した場合も半導体製造技術等を用いて製造した場合と同
様に、シールディドループプローブ１２の幅を数ｍｍ〜
数μｍと非常に小さくすることが可能である。
多層プリント基板製造プロセスまたは半導体製造プロセ
スを用いて製造することが可能である。この場合、線
幅、配線間隔ともにｍｍ〜数μｍ単位の精度で製造可能
であるので、シールディドループプローブ１２の幅は数
ｍｍ〜数μｍと非常に小さくすることが可能である。ま
た、鋳型形成技術を用いてシールディドループプローブ
１２を製造することも可能である。この場合は、半導体
パッケージに使用されているリードフレームを製造する
要領で配線部を構成し、これに誘電体層を張り合わせる
ことにより製造可能となる。鋳型形成技術を用いて製造
した場合も半導体製造技術等を用いて製造した場合と同
様に、シールディドループプローブ１２の幅を数ｍｍ〜
数μｍと非常に小さくすることが可能である。
【００２５】以上のシールディドループプローブ１２を
測定端子１３の近傍に内蔵し高周波電流２７から発生す
る磁界２８を測定する。このときのシールディドループ
プローブと測定端子１３の位置関係は図２に示すよう
に、磁界２８がシールディドループプローブ１２の略ロ
の字形の面を多く貫くような位置関係であることが望ま
しい。
測定端子１３の近傍に内蔵し高周波電流２７から発生す
る磁界２８を測定する。このときのシールディドループ
プローブと測定端子１３の位置関係は図２に示すよう
に、磁界２８がシールディドループプローブ１２の略ロ
の字形の面を多く貫くような位置関係であることが望ま
しい。
【００２６】次に、本実施の形態の動作について説明す
る。
る。
【００２７】外部電源、外部信号にてＩＣ１４を動作
し、そのときに高周波電流２７が測定端子１３を流れ
る。その時測定端子１３から発生する磁界２８をシール
ディドループプローブ１２で検出する。シールディドル
ーププローブ１２はコネクタ、ケーブルを介してオシロ
スコープ等の測定装置に接続されており、これにて磁界
を測定することができる。
し、そのときに高周波電流２７が測定端子１３を流れ
る。その時測定端子１３から発生する磁界２８をシール
ディドループプローブ１２で検出する。シールディドル
ーププローブ１２はコネクタ、ケーブルを介してオシロ
スコープ等の測定装置に接続されており、これにて磁界
を測定することができる。
【００２８】また、本実施の形態ではＱＦＰパッケージ
を例として説明したが、本願はＤＩＰ，ＰＧＡまたはＢ
ＧＡ等の他のパッケージにも適用可能である。一例とし
て本発明をＤＩＰパッケージに適用した例を図３に示
す。ＤＩＰとＱＦＰの主な相違点はピンの形状の違いで
あるので、図３に示したようにＤＩＰ型のＩＣのピンの
形状に合わせて測定端子７３の形状を変更することで適
用可能となる。
を例として説明したが、本願はＤＩＰ，ＰＧＡまたはＢ
ＧＡ等の他のパッケージにも適用可能である。一例とし
て本発明をＤＩＰパッケージに適用した例を図３に示
す。ＤＩＰとＱＦＰの主な相違点はピンの形状の違いで
あるので、図３に示したようにＤＩＰ型のＩＣのピンの
形状に合わせて測定端子７３の形状を変更することで適
用可能となる。
【００２９】次に、本発明の第２の実施の形態について
図面を参照して説明する。図４は本発明の第２の実施の
形態を示す斜視図である。
図面を参照して説明する。図４は本発明の第２の実施の
形態を示す斜視図である。
【００３０】第１の実施の形態ではシールディドループ
プローブ１２をＩＣソケット１１に内蔵した形態を示し
たが、ＩＣソケット１１やシールディドループプローブ
１２の大きさの面からシールディドループプローブ１２
を内蔵する個数に制約が生じる場合がある。つまり、被
測定ＩＣのピン間隔が小さい割にシールディドループプ
ローブ１２が大きい場合、すべてのピンに対応したシー
ルディドループプローブ１２を同時に内蔵できない場合
が生じる。
プローブ１２をＩＣソケット１１に内蔵した形態を示し
たが、ＩＣソケット１１やシールディドループプローブ
１２の大きさの面からシールディドループプローブ１２
を内蔵する個数に制約が生じる場合がある。つまり、被
測定ＩＣのピン間隔が小さい割にシールディドループプ
ローブ１２が大きい場合、すべてのピンに対応したシー
ルディドループプローブ１２を同時に内蔵できない場合
が生じる。
【００３１】そこで、第２の実施の形態ではシールディ
ドループプローブ１２を予め内蔵するのではなく、ＩＣ
ソケットにスリットを入れ、測定時にはそのスリットに
シールディドループプローブ１２を挿入することで、す
べてのピンの磁界を測定することができる。
ドループプローブ１２を予め内蔵するのではなく、ＩＣ
ソケットにスリットを入れ、測定時にはそのスリットに
シールディドループプローブ１２を挿入することで、す
べてのピンの磁界を測定することができる。
【００３２】ＩＣソケット５１の側面に複数のスリット
５３を設ける。このスリット５３にシールディドループ
プローブ１２を挿入し、各端子の磁界を測定する。この
スリット５３はシールディドループプローブ１２を先端
まで挿入した際に、第１の実施の形態と同様に図１、図
２に示したような測定に適した位置に固定されることが
望ましい。
５３を設ける。このスリット５３にシールディドループ
プローブ１２を挿入し、各端子の磁界を測定する。この
スリット５３はシールディドループプローブ１２を先端
まで挿入した際に、第１の実施の形態と同様に図１、図
２に示したような測定に適した位置に固定されることが
望ましい。
【００３３】また、第１の実施の形態と同様に第２の実
施の形態においてもＩＣのパッケージタイプはＱＦＰ、
ＤＩＰ、ＰＧＡまたはＢＧＡの何れでも適用可能であ
る。
施の形態においてもＩＣのパッケージタイプはＱＦＰ、
ＤＩＰ、ＰＧＡまたはＢＧＡの何れでも適用可能であ
る。
【００３４】次に本発明の第３の実施の形態について説
明する。図５は本発明の第３の実施の形態を示す断面図
である。
明する。図５は本発明の第３の実施の形態を示す断面図
である。
【００３５】第１の実施の形態、第２の実施の形態のよ
うにシールディドループプローブ１２をＩＣソケットに
内蔵または挿入せずに、ＩＣソケットの表面に実装して
も磁界の検出は可能である。第３の実施の形態はこの場
合である。シールディドループプローブ１２はＩＣソケ
ット６１の表面に実装している。このような構造とした
場合は、ＩＣソケット６１表面を覆う樹脂等の絶縁材料
の厚み６７を薄くすることにより、シールディドループ
プローブ１２と測定端子１３間の距離を小さくし、磁界
測定が可能となる。また、シールディドループプローブ
１２と測定端子１３の位置関係は、第１の実施の形態と
同様に図２に示したような測定に適した位置に固定され
ることが望ましい。
うにシールディドループプローブ１２をＩＣソケットに
内蔵または挿入せずに、ＩＣソケットの表面に実装して
も磁界の検出は可能である。第３の実施の形態はこの場
合である。シールディドループプローブ１２はＩＣソケ
ット６１の表面に実装している。このような構造とした
場合は、ＩＣソケット６１表面を覆う樹脂等の絶縁材料
の厚み６７を薄くすることにより、シールディドループ
プローブ１２と測定端子１３間の距離を小さくし、磁界
測定が可能となる。また、シールディドループプローブ
１２と測定端子１３の位置関係は、第１の実施の形態と
同様に図２に示したような測定に適した位置に固定され
ることが望ましい。
【００３６】また、第３の実施の形態においても、ＩＣ
のパッケージタイプはＱＦＰ、ＤＩＰ、ＰＧＡまたはＢ
ＧＡの何れでも適用可能である。
のパッケージタイプはＱＦＰ、ＤＩＰ、ＰＧＡまたはＢ
ＧＡの何れでも適用可能である。
【００３７】次に、本願のＩＣソケットが実際に使用さ
れる場面について図面を用いて説明する。図６は本発明
のＩＣソケットが使用される場面の一例を示す斜視図で
ある。
れる場面について図面を用いて説明する。図６は本発明
のＩＣソケットが使用される場面の一例を示す斜視図で
ある。
【００３８】まず、ＩＣ等の評価を行うＬＳＩテスター
のテストーボード上に実装して使用する場合について説
明する。
のテストーボード上に実装して使用する場合について説
明する。
【００３９】ＬＳＩテスターボード３４上に本発明のＩ
Ｃソケット１１、５１または６１を実装し、そのＩＣソ
ケット１１、５１または６１に被測定対象であるＩＣ１
４を装着する。シールディドループプローブ１２に接続
されている磁界測定用端子１８は同軸ケーブル３３を介
してオシロスコープ等の測定機器３６と接続する。
Ｃソケット１１、５１または６１を実装し、そのＩＣソ
ケット１１、５１または６１に被測定対象であるＩＣ１
４を装着する。シールディドループプローブ１２に接続
されている磁界測定用端子１８は同軸ケーブル３３を介
してオシロスコープ等の測定機器３６と接続する。
【００４０】次に動作について図２，図６を用いて説明
する。外部電力および外部信号にてＩＣ１４を動作させ
る。そのときＩＣソケット１１、５１または６１の測定
端子１３に高周波電流２７が流れるため、測定端子の近
傍で磁界２８が発生する。その磁界をシールディドルー
ププローブ１２で検出し、オシロスコープ等の測定機器
３６により電圧値として測定される。これより電流波形
を導き出すことができる。
する。外部電力および外部信号にてＩＣ１４を動作させ
る。そのときＩＣソケット１１、５１または６１の測定
端子１３に高周波電流２７が流れるため、測定端子の近
傍で磁界２８が発生する。その磁界をシールディドルー
ププローブ１２で検出し、オシロスコープ等の測定機器
３６により電圧値として測定される。これより電流波形
を導き出すことができる。
【００４１】このとき、ＩＣソケット１１、５１または
６１に内蔵、挿入または実装されているシールディドル
ーププローブ１２はＩＣ１４と回路的に非接触であるた
め、ＩＣ１４の回路動作にはほとんど影響を与えない。
６１に内蔵、挿入または実装されているシールディドル
ーププローブ１２はＩＣ１４と回路的に非接触であるた
め、ＩＣ１４の回路動作にはほとんど影響を与えない。
【００４２】また、上述の例では、本願発明のＩＣソケ
ットをＬＳＩテスターに装着して動作させた例を示し
た。しかし、ＩＣの評価を行う際には実際の製品に実装
した状態で評価を行うのが理想的である。ＬＳＩテスタ
ー上で評価する場合と製品に実装した場合とではＩＣの
端子に負荷する回路のインピーダンスが異なるため、Ｌ
ＳＩテスターでの評価が必ずしも正しいとは言えないか
らである。従って、ＬＳＩテスターではなく、例えば、
パーソナルコンピュータ、ワークステーション又は交換
機等の電子機器上に本願発明のＩＣソケットを組み込
み、評価することも可能である。
ットをＬＳＩテスターに装着して動作させた例を示し
た。しかし、ＩＣの評価を行う際には実際の製品に実装
した状態で評価を行うのが理想的である。ＬＳＩテスタ
ー上で評価する場合と製品に実装した場合とではＩＣの
端子に負荷する回路のインピーダンスが異なるため、Ｌ
ＳＩテスターでの評価が必ずしも正しいとは言えないか
らである。従って、ＬＳＩテスターではなく、例えば、
パーソナルコンピュータ、ワークステーション又は交換
機等の電子機器上に本願発明のＩＣソケットを組み込
み、評価することも可能である。
【００４３】
【発明の効果】第１の効果は、従来に比べてより正確に
ＩＣピン近傍の磁界を測定することができる事である。
ＩＣピン近傍の磁界を測定することができる事である。
【００４４】その理由は、シールディドループプローブ
をＩＣソケットに内蔵、挿入または実装するため、被測
定端子の近傍にシールディドループプローブを設置する
ことができ、また外部のケーブルなどの制約をうけない
からである。
をＩＣソケットに内蔵、挿入または実装するため、被測
定端子の近傍にシールディドループプローブを設置する
ことができ、また外部のケーブルなどの制約をうけない
からである。
【００４５】第２の効果は、ＩＣ近傍の磁界を容易に測
定する事ができることである。
定する事ができることである。
【００４６】その理由は、予めシールディドループプロ
ーブを測定系に組み込んでいるため、測定の度にシール
ディドループプローブを設置する手間が省けるからであ
る。
ーブを測定系に組み込んでいるため、測定の度にシール
ディドループプローブを設置する手間が省けるからであ
る。
【図１】本発明の第１の実施の形態の断面図
【図２】シールディドプローブ拡大図
【図３】本発明の第１の実施の形態をＤＩＰに適用した
断面図
断面図
【図４】本発明の第２の実施の形態の斜視図
【図５】本発明の第３の実施の形態の斜視図
【図６】本発明の使用例
【図７】従来の技術
１１ ＩＣソケット １２ シールディドループプローブ １３ 測定端子 １４ ＩＣ １５ 被測定ピン １６ プローブ−測定端子間の距離 １７ 被測定対象のピン間隔 １８ 磁界測定用端子 １９ 絶縁材料 ２１ シールディドループプローブを構成する導体層 ２２ シールディドループプローブを構成する導体層 ２３ シールディドループプローブを構成する導体層 ２４ スルーホール ２７ 測定端子１３を流れる高周波電流 ２８ 高周波電流２７により発生する磁界 ３３ 同軸ケーブル ３４ テスターボード、またはパーソナルコンピュータ
など電子機器のプリント基板 ３６ オシロスコープなどの測定機器 ４１ シールディドループプローブを構成する導体層 ４２ シールディドループプローブを構成する導体層 ４３ シールディドループプローブを構成する導体層 ４４ テスターボード、またはパーソナルコンピュータ
など電子機器のプリント基板 ４５ プリント基板上の配線 ４６ 磁界プローブ ４７ プリント基板上を流れる電流 ４８ 電流４７により発生する磁界 ５１ ＩＣソケット ５３ スリット ６１ ＩＣソケット ６７ 絶縁材料の厚み ７１ ＩＣソケット ７３ 測定端子 ７４ ＩＣ（ＤＩＰ型） ７５ 被測定ピン
など電子機器のプリント基板 ３６ オシロスコープなどの測定機器 ４１ シールディドループプローブを構成する導体層 ４２ シールディドループプローブを構成する導体層 ４３ シールディドループプローブを構成する導体層 ４４ テスターボード、またはパーソナルコンピュータ
など電子機器のプリント基板 ４５ プリント基板上の配線 ４６ 磁界プローブ ４７ プリント基板上を流れる電流 ４８ 電流４７により発生する磁界 ５１ ＩＣソケット ５３ スリット ６１ ＩＣソケット ６７ 絶縁材料の厚み ７１ ＩＣソケット ７３ 測定端子 ７４ ＩＣ（ＤＩＰ型） ７５ 被測定ピン
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年１０月１日（１９９９．１０．
１）
１）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
Claims (9)
- 【請求項１】ＩＣに電力または信号を供給する端子を有
し、前記端子の近傍にシールディドループプローブを内
蔵していることを特徴とするＩＣソケット。 - 【請求項２】ＩＣに電力または信号を供給する端子を有
し、前記端子の近傍にシールディドループプローブを挿
入可能であることを特徴とするＩＣソケット。 - 【請求項３】ＩＣに電力または信号を供給する端子を有
し、前記端子の近傍にシールディドループプローブを挿
入するためのスリットを有することを特徴とするＩＣソ
ケット。 - 【請求項４】ＩＣに電力または信号を供給する端子を有
し、前記端子が絶縁材料で覆われており、前記絶縁材料
の表面にシールディドループプローブを実装しているこ
とを特徴とするＩＣソケット。 - 【請求項５】シールディドループプローブの構造が３層
の導体面と２層の誘電体面とからなる多層構造となって
おり、マイクロストリップ線路でループを形成した構造
であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載
のＩＣソケット。 - 【請求項６】シールディドループプローブが鋳型形成技
術、プリント基板製造プロセス、または半導体製造プロ
セスを使って微細に製造されていることを特徴とする請
求項１〜５のいずれかに記載のＩＣソケット。 - 【請求項７】シールディドループプローブの幅が約０．
３ｍｍ〜１．０ｍｍと微細化されていることを特徴とす
る請求項１〜６のいずれかに記載のＩＣソケット。 - 【請求項８】ＤＩＰ，ＰＧＡ，ＱＦＰまたはＢＧＡタイ
プのＩＣパッケージのいずれかが装着可能な請求項１〜
７のいずれかに記載のＩＣソケット。 - 【請求項９】ＬＳＩテスター、またはパーソナルコンピ
ュータ、ワークステーション、交換機のいずれかを備え
る電子機器に装着可能、又は装着済みの請求項１〜８の
いずれかに記載のＩＣソケット。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP10320266A JP3139478B2 (ja) | 1998-11-11 | 1998-11-11 | Ｉｃソケット |
| US09/437,681 US6380752B1 (en) | 1998-11-11 | 1999-11-10 | IC socket |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10320266A JP3139478B2 (ja) | 1998-11-11 | 1998-11-11 | Ｉｃソケット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JP3139478B2 JP3139478B2 (ja) | 2001-02-26 |
Family
ID=18119595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10320266A Expired - Fee Related JP3139478B2 (ja) | 1998-11-11 | 1998-11-11 | Ｉｃソケット |
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| Country | Link |
|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013057625A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Nec System Technologies Ltd | 電流測定治具 |
| CN103913609A (zh) * | 2012-12-31 | 2014-07-09 | 深圳浩宁达仪表股份有限公司 | 不受交变外磁场影响的测量仪表及其实现方法 |
| TWI451097B (zh) * | 2012-06-29 | 2014-09-01 | Universal Scient Ind Shanghai | 電磁屏蔽測試裝置 |
| TWI628442B (zh) * | 2016-04-08 | 2018-07-01 | 加斯凱德微科技公司 | 具有受控制測試環境的受屏蔽探針系統 |
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|---|---|---|---|---|
| JP2003121483A (ja) * | 2001-10-18 | 2003-04-23 | Nec Corp | 電界磁界検出素子及び電界磁界計測装置並びに電界磁界計測方法 |
| US20030152153A1 (en) * | 2002-02-14 | 2003-08-14 | Simon Thomas D. | Signaling through electromagnetic couplers |
| US7088198B2 (en) * | 2002-06-05 | 2006-08-08 | Intel Corporation | Controlling coupling strength in electromagnetic bus coupling |
| US6887095B2 (en) * | 2002-12-30 | 2005-05-03 | Intel Corporation | Electromagnetic coupler registration and mating |
| FR2870351B1 (fr) * | 2004-05-14 | 2006-07-14 | Alstom Transport Sa | Dispositif de mesure d'un champ electromagnetique, systeme de commande utilisant ce dispositif et circuit electronique concu pour ce dispositif |
| JP2006024845A (ja) * | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Yamaha Corp | プローブカード及び磁気センサの検査方法 |
| WO2006123998A1 (en) * | 2005-05-17 | 2006-11-23 | Infineon Technologies Ag | A test socket |
| US7710131B1 (en) * | 2007-08-18 | 2010-05-04 | Radiation Monitoring Devices, Inc. | Non-contact circuit analyzer |
| CN102711361A (zh) * | 2011-03-28 | 2012-10-03 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 电路板 |
| US10274515B1 (en) * | 2015-08-07 | 2019-04-30 | Johnstech International Corporation | Waveguide integrated testing |
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|---|---|---|---|---|
| JPH0690222B2 (ja) | 1986-01-31 | 1994-11-14 | 田中貴金属工業株式会社 | 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 |
| JPH0453562A (ja) | 1990-06-21 | 1992-02-21 | Sekisui Chem Co Ltd | 消臭部材 |
| JPH08271579A (ja) | 1995-03-30 | 1996-10-18 | Fujitsu Ltd | Ｉｃソケット及びそれを用いたｉｃ試験方法 |
| US5729898A (en) * | 1995-04-28 | 1998-03-24 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | Method of making electrical socket |
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-
1998
- 1998-11-11 JP JP10320266A patent/JP3139478B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-11-10 US US09/437,681 patent/US6380752B1/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US10281492B2 (en) | 2016-04-08 | 2019-05-07 | Formfactor Beaverton, Inc. | Shielded probe systems with controlled testing environments |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6380752B1 (en) | 2002-04-30 |
| JP3139478B2 (ja) | 2001-02-26 |
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