JP2000149678A - 透明導電性膜のエッチング液 - Google Patents
透明導電性膜のエッチング液Info
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- JP2000149678A JP2000149678A JP10313304A JP31330498A JP2000149678A JP 2000149678 A JP2000149678 A JP 2000149678A JP 10313304 A JP10313304 A JP 10313304A JP 31330498 A JP31330498 A JP 31330498A JP 2000149678 A JP2000149678 A JP 2000149678A
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- JP
- Japan
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- film
- etching
- conductive film
- resist
- basic
- Prior art date
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/211—SnO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
- C03C2218/32—After-treatment
- C03C2218/328—Partly or completely removing a coating
- C03C2218/33—Partly or completely removing a coating by etching
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- Organic Chemistry (AREA)
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- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】透明導電性膜のエッチングで精度が良好で、エ
ッチング速度が大きいパターニングができるエッチング
液を提供する。 【解決手段】ガラス基板上の酸化錫を含む透明導電性膜
のパターニングにおいて、塩基性薬剤でエッチングす
る。
ッチング速度が大きいパターニングができるエッチング
液を提供する。 【解決手段】ガラス基板上の酸化錫を含む透明導電性膜
のパターニングにおいて、塩基性薬剤でエッチングす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスク
プレイなどに使用されるガラス基板上の酸化錫を含む透
明導電性膜のパターニングのエッチング液に関する。
プレイなどに使用されるガラス基板上の酸化錫を含む透
明導電性膜のパターニングのエッチング液に関する。
【０００２】
【従来の技術】酸化錫を含む透明導電性膜のパターニン
グは、亜鉛粉末＋塩酸で酸化錫膜をエッチングする方法
がある。更に、特開平５−６２９６６号公報では、蓚酸
の飽和水溶液をエッチング液に用いる方法が提案されて
いる。また、特開平１０−９１０８４号公報では、ハロ
ゲンイオンを含む酸性水溶液を用いてエッチング後、ハ
ロゲン化アルカリ金属塩の水溶液で処理する方法が提案
されている。しかし、何れもパターニングの精度がでな
い問題やエッチング速度が小さく、ハロゲンが残留する
問題があった。
グは、亜鉛粉末＋塩酸で酸化錫膜をエッチングする方法
がある。更に、特開平５−６２９６６号公報では、蓚酸
の飽和水溶液をエッチング液に用いる方法が提案されて
いる。また、特開平１０−９１０８４号公報では、ハロ
ゲンイオンを含む酸性水溶液を用いてエッチング後、ハ
ロゲン化アルカリ金属塩の水溶液で処理する方法が提案
されている。しかし、何れもパターニングの精度がでな
い問題やエッチング速度が小さく、ハロゲンが残留する
問題があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来技術に
おける上記したような課題を解決するためのエッチング
液を提供することにある。
おける上記したような課題を解決するためのエッチング
液を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、ガラス基
板上の酸化錫を含む透明導電性膜のパターニングのエッ
チングにおいて鋭意研究を重ねた結果、塩基性還元無機
物を含む薬剤でエッチングすれば、エッチング速度の増
大と精度が向上することを見出し本発明に到達した。す
なわち、本発明は、ガラス基板上に成膜された酸化錫を
含む透明導電性膜をパターニングするためのＰＨ８以上
の塩基性エッチング液に関するものである。
板上の酸化錫を含む透明導電性膜のパターニングのエッ
チングにおいて鋭意研究を重ねた結果、塩基性還元無機
物を含む薬剤でエッチングすれば、エッチング速度の増
大と精度が向上することを見出し本発明に到達した。す
なわち、本発明は、ガラス基板上に成膜された酸化錫を
含む透明導電性膜をパターニングするためのＰＨ８以上
の塩基性エッチング液に関するものである。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明の透明導電性膜は、酸化錫
を蒸着法、スパッタ法、イオンプレティング法、ＣＶＤ
法などの方法でガラス基板上に１００〜５０００Åの厚
みで成膜されて形成される。この酸化錫膜はＳｎＯ2-X
（Ｘは１〜２）の化学式で示される酸化物からなる膜で
ある。膜には、この酸化錫以外に他の酸化物が混じって
も差し支えがない。酸化錫を含む透明導電性膜は、光透
過率が７０％以上、比抵抗が１×１０-1Ωｃｍ以下の膜
である。
を蒸着法、スパッタ法、イオンプレティング法、ＣＶＤ
法などの方法でガラス基板上に１００〜５０００Åの厚
みで成膜されて形成される。この酸化錫膜はＳｎＯ2-X
（Ｘは１〜２）の化学式で示される酸化物からなる膜で
ある。膜には、この酸化錫以外に他の酸化物が混じって
も差し支えがない。酸化錫を含む透明導電性膜は、光透
過率が７０％以上、比抵抗が１×１０-1Ωｃｍ以下の膜
である。
【０００６】プラズマディスクプレイの場合、この透明
導電性膜は小さな画素で表示するために、１０〜１００
０μｍの微細な電極パターンが必要になる。この電極パ
ターンは、導電性膜上に感光性材料を塗布し、パターン
が描かれたフォトマスクを通して、電磁波や電子線をレ
ジストに照射する。その後、現像液で現像してレジスト
パターンを得る。その後、レジストで保護されていない
部分を塩基性還元無機物を含む薬剤によるソフトエッチ
ングで導電性膜を除去し、形成する。ここで用いるレジ
ストは、本発明のアルカリ性に耐えられる感光材料であ
り、炭化水素性不飽和化合物系である合成ゴム系の感光
材料を用いる。
導電性膜は小さな画素で表示するために、１０〜１００
０μｍの微細な電極パターンが必要になる。この電極パ
ターンは、導電性膜上に感光性材料を塗布し、パターン
が描かれたフォトマスクを通して、電磁波や電子線をレ
ジストに照射する。その後、現像液で現像してレジスト
パターンを得る。その後、レジストで保護されていない
部分を塩基性還元無機物を含む薬剤によるソフトエッチ
ングで導電性膜を除去し、形成する。ここで用いるレジ
ストは、本発明のアルカリ性に耐えられる感光材料であ
り、炭化水素性不飽和化合物系である合成ゴム系の感光
材料を用いる。
【０００７】本発明の薬剤は、主に酸化錫を含んだ酸化
膜のエッチングに使用するためのものであり、塩基性の
水溶液であり、他の溶媒を添加しても良い。この薬剤に
使用する塩基性の薬剤は、ＰＨが７以上、好ましくはＰ
Ｈ８〜１４である。具体的には苛性ソーダ、炭酸ソーダ
などの塩基性物質、更には、ボラン類、ヒドロほう酸リ
チウム類、亜ジチオン酸塩類、ナトリウムボロハイドラ
イドなどの還元性塩基物質であり、０．１〜７０重量％
の濃度で使用する。これらの塩基性物質に還元性塩基物
質を混合すればエッチング速度が増大する。
膜のエッチングに使用するためのものであり、塩基性の
水溶液であり、他の溶媒を添加しても良い。この薬剤に
使用する塩基性の薬剤は、ＰＨが７以上、好ましくはＰ
Ｈ８〜１４である。具体的には苛性ソーダ、炭酸ソーダ
などの塩基性物質、更には、ボラン類、ヒドロほう酸リ
チウム類、亜ジチオン酸塩類、ナトリウムボロハイドラ
イドなどの還元性塩基物質であり、０．１〜７０重量％
の濃度で使用する。これらの塩基性物質に還元性塩基物
質を混合すればエッチング速度が増大する。
【０００８】エッチング時の薬剤は、所定のエッチング
速度が得られる温度で使用し、一般的に２０〜９０℃で
ある。本発明の薬剤を用いるエッチングの方法は、リッ
ピング法、スプレー法などがあり特に特定するものでな
く、併用することもある。
速度が得られる温度で使用し、一般的に２０〜９０℃で
ある。本発明の薬剤を用いるエッチングの方法は、リッ
ピング法、スプレー法などがあり特に特定するものでな
く、併用することもある。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例および比較例について
述べ、本発明をより具体的に説明する。なお、濃度は重
量％である。
述べ、本発明をより具体的に説明する。なお、濃度は重
量％である。
【００１０】実施例１〜１２、比較例１〜４ （１）成膜 厚みが１０００Åと３０００Åの酸化錫透明導電性膜を
無アルカリガラス基板（厚み：１．０ｍｍ）にスパッタ
法で次の条件で成膜した。 真空度：１×１０-2ｔｏｒｒ 温 度：１５０〜２００℃ （２）膜特性 スパッタ法で成膜をした酸化膜は、表１に示す光透過
率、比抵抗であった。
無アルカリガラス基板（厚み：１．０ｍｍ）にスパッタ
法で次の条件で成膜した。 真空度：１×１０-2ｔｏｒｒ 温 度：１５０〜２００℃ （２）膜特性 スパッタ法で成膜をした酸化膜は、表１に示す光透過
率、比抵抗であった。
【００１１】
【表１】
【００１２】（３）レジストパタ−ニングの形成 表１のガラス基板の酸化膜面にレジスト液をロールコー
ターで塗付し、９０℃温風の２０分でプレベークした。
プレベーク後のレジストの厚みは、平均３μｍであた。
その後、パターンを描いたフォトマスクを通して波長３
５０〜４５０ｎｍの光線をレジストに照射、露光した。
その後、２５℃の現像液に振動を与えながら浸漬し、現
像し、水洗後、１１０℃で２５分間乾燥した。尚、使用
したレジスト液、現像液は、東京応化製ＥＰＰＲを使用
した。
ターで塗付し、９０℃温風の２０分でプレベークした。
プレベーク後のレジストの厚みは、平均３μｍであた。
その後、パターンを描いたフォトマスクを通して波長３
５０〜４５０ｎｍの光線をレジストに照射、露光した。
その後、２５℃の現像液に振動を与えながら浸漬し、現
像し、水洗後、１１０℃で２５分間乾燥した。尚、使用
したレジスト液、現像液は、東京応化製ＥＰＰＲを使用
した。
【００１３】（４）エッチング用薬剤 レジストパターニングされたガラス基板の酸化膜面のエ
ッチングに使用した本発明の水溶液である薬剤を表２に
示す。比較例の薬剤を表３に示す。
ッチングに使用した本発明の水溶液である薬剤を表２に
示す。比較例の薬剤を表３に示す。
【００１４】
【表２】
【００１５】
【表３】
【００１６】（５）エッチングとレジストの剥離 レジストパターニングされたガラス基板の酸化膜面に薬
剤をスプレーし、表４に示す条件で速度が比較例と比べ
て大きいエッチングができた。エッチング後、酸化膜上
のレジストを炭化水素系の溶剤で剥離した。
剤をスプレーし、表４に示す条件で速度が比較例と比べ
て大きいエッチングができた。エッチング後、酸化膜上
のレジストを炭化水素系の溶剤で剥離した。
【００１７】
【表４】
【００１８】（６）パターニングの状況 実施例の酸化膜のパターニングは、欠け、剥離、クラッ
ク、エッチ残りなどの不良が見られなかった。一方、比
較例では、欠けなどのパターニングの不良が見られた。
ク、エッチ残りなどの不良が見られなかった。一方、比
較例では、欠けなどのパターニングの不良が見られた。
【００１９】
【発明の効果】本発明により、パターニング欠陥が低減
され、パターン形成を再現性良く行うことができる。
され、パターン形成を再現性良く行うことができる。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K057 WB11 WE22 WE30 WG02 WG03 WG06 WN01 5G323 CA01
Claims (3)
- 【請求項１】 ガラス基板上に成膜された酸化錫を含む
透明導電性膜をパターニングするためのＰＨ７以上の塩
基性エッチング液。 - 【請求項２】 ボラン類、ヒドロほう酸塩類、亜ジチオ
ン酸塩類、ナトリウムボロハイドライド、炭酸塩類また
は苛性ソーダを用いる請求項１記載の塩基性エッチング
液。 - 【請求項３】 ガラス基板上に成膜された酸化錫を含む
透明導電性膜をパターニングするエッチング液として、
ＰＨ７以上の塩基性エッチング液を用いるエッチング方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10313304A JP2000149678A (ja) | 1998-11-04 | 1998-11-04 | 透明導電性膜のエッチング液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10313304A JP2000149678A (ja) | 1998-11-04 | 1998-11-04 | 透明導電性膜のエッチング液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000149678A true JP2000149678A (ja) | 2000-05-30 |
Family
ID=18039617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10313304A Pending JP2000149678A (ja) | 1998-11-04 | 1998-11-04 | 透明導電性膜のエッチング液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000149678A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5115476B2 (ja) * | 2006-05-18 | 2013-01-09 | 旭硝子株式会社 | 透明電極付きガラス基板とその製造方法 |
-
1998
- 1998-11-04 JP JP10313304A patent/JP2000149678A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5115476B2 (ja) * | 2006-05-18 | 2013-01-09 | 旭硝子株式会社 | 透明電極付きガラス基板とその製造方法 |
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