JP2000150457A - 透明導電性膜のエッチング方法 - Google Patents
透明導電性膜のエッチング方法Info
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- JP2000150457A JP2000150457A JP31781298A JP31781298A JP2000150457A JP 2000150457 A JP2000150457 A JP 2000150457A JP 31781298 A JP31781298 A JP 31781298A JP 31781298 A JP31781298 A JP 31781298A JP 2000150457 A JP2000150457 A JP 2000150457A
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- aqueous solution
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Abstract
(57)【要約】
【課題】透明導電性膜のエッチングで精度が良好で、エ
ッチング速度が大きいパターニングができるエッチング
方法を提供する。 【解決手段】ガラス基板上の酸化錫を含む透明導電性膜
のパターニングにおいて、塩基性薬剤でエッチングし、
さらにジカルボン酸含有薬剤でエッチングする。
ッチング速度が大きいパターニングができるエッチング
方法を提供する。 【解決手段】ガラス基板上の酸化錫を含む透明導電性膜
のパターニングにおいて、塩基性薬剤でエッチングし、
さらにジカルボン酸含有薬剤でエッチングする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスク
プレイなどに必要とするガラス基板上の酸化錫を含む透
明導電性膜のパターニングのエッチング方法に関する。
プレイなどに必要とするガラス基板上の酸化錫を含む透
明導電性膜のパターニングのエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】酸化錫を含む透明導電性膜のパターニン
グは、亜鉛粉末＋塩酸で酸化錫膜をエッチングする方法
がある。更に、特開平５−６２９６６号公報では、蓚酸
の飽和水溶液をエッチング液に用いる方法が提案されて
いる。また、特開平１０−９１０８４号公報では、ハロ
ゲンイオンを含む酸性水溶液を用いてエッチング後、ハ
ロゲン化アルカリ金属塩の水溶液で処理する方法が提案
されている。
グは、亜鉛粉末＋塩酸で酸化錫膜をエッチングする方法
がある。更に、特開平５−６２９６６号公報では、蓚酸
の飽和水溶液をエッチング液に用いる方法が提案されて
いる。また、特開平１０−９１０８４号公報では、ハロ
ゲンイオンを含む酸性水溶液を用いてエッチング後、ハ
ロゲン化アルカリ金属塩の水溶液で処理する方法が提案
されている。
【０００３】しかし、塩酸等のハロゲンイオンを用いて
透明導電性膜をソフトエッチングする方法では、パター
ニングの精度、小さなエッチング速度、塩化物が残留す
る問題がある。また、蓚酸を用いる方法では、エッチン
グ速度が小さい問題がある。
透明導電性膜をソフトエッチングする方法では、パター
ニングの精度、小さなエッチング速度、塩化物が残留す
る問題がある。また、蓚酸を用いる方法では、エッチン
グ速度が小さい問題がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来技術に
おける上記したような問題を解決するためのエッチング
方法を提供することにある。
おける上記したような問題を解決するためのエッチング
方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、ガラス基
板上の酸化錫を含む透明導電性膜のパターニングにおい
て鋭意研究を重ねた結果、塩基性還元無機物を含有する
薬剤でエッチングした後、ジカルボン酸を含有する薬剤
でエッチングすれば、エッチング速度と精度が向上する
ことを見出し本発明に到達した。すなわち、本発明は、
ガラス基板上に成膜された酸化錫を含む透明導電性膜の
パターニングにおいて、（１）塩基性無機物質を含有す
る水溶液でエッチングする工程、そして、（２）ジカル
ボン酸を含有する水溶液でエッチングする工程からなる
エッチング方法に関するものである。
板上の酸化錫を含む透明導電性膜のパターニングにおい
て鋭意研究を重ねた結果、塩基性還元無機物を含有する
薬剤でエッチングした後、ジカルボン酸を含有する薬剤
でエッチングすれば、エッチング速度と精度が向上する
ことを見出し本発明に到達した。すなわち、本発明は、
ガラス基板上に成膜された酸化錫を含む透明導電性膜の
パターニングにおいて、（１）塩基性無機物質を含有す
る水溶液でエッチングする工程、そして、（２）ジカル
ボン酸を含有する水溶液でエッチングする工程からなる
エッチング方法に関するものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の透明導電性膜は、酸化錫
を蒸着法、スパッタ法、イオンプレティング法、ＣＶＤ
法などの方法でガラス基板上に１００〜５０００Åの厚
みで成膜されて形成される。この酸化錫膜はＳｎＯ2-X
（Ｘは１〜２）の化学式で示される酸化物からなる膜で
ある。膜には、この酸化錫以外に他の酸化物が混じって
もよい。酸化錫を含む透明導電性膜は、光透過率が７０
％以上、比抵抗が１×１０-1Ωｃｍ以下の膜である。
を蒸着法、スパッタ法、イオンプレティング法、ＣＶＤ
法などの方法でガラス基板上に１００〜５０００Åの厚
みで成膜されて形成される。この酸化錫膜はＳｎＯ2-X
（Ｘは１〜２）の化学式で示される酸化物からなる膜で
ある。膜には、この酸化錫以外に他の酸化物が混じって
もよい。酸化錫を含む透明導電性膜は、光透過率が７０
％以上、比抵抗が１×１０-1Ωｃｍ以下の膜である。
【０００７】プラズマディスプレイの場合、この透明導
電性膜は小さな画素で表示するために、１０〜１０００
μｍの微細な電極パターンが必要になる。この電極パタ
ーンは、導電性膜上に感光性材料が塗布し、パターンが
描かれたフォトマスクを通して、電磁波や電子線をレジ
ストに照射する。その後、現像液で現像し、レジストパ
ターンを得る。レジストで保護されていない部分を塩基
性還元無機物を含有する溶液でエッチングし、更に、ジ
カルボン酸を含有する水溶液でエッチングで導電性膜を
除去し、形成する。ここで用いるレジストは、本発明の
アルカリ性に耐えられる感光材料であり、炭化水素性不
飽和化合物系である合成ゴム系の感光材料を用いる。
電性膜は小さな画素で表示するために、１０〜１０００
μｍの微細な電極パターンが必要になる。この電極パタ
ーンは、導電性膜上に感光性材料が塗布し、パターンが
描かれたフォトマスクを通して、電磁波や電子線をレジ
ストに照射する。その後、現像液で現像し、レジストパ
ターンを得る。レジストで保護されていない部分を塩基
性還元無機物を含有する溶液でエッチングし、更に、ジ
カルボン酸を含有する水溶液でエッチングで導電性膜を
除去し、形成する。ここで用いるレジストは、本発明の
アルカリ性に耐えられる感光材料であり、炭化水素性不
飽和化合物系である合成ゴム系の感光材料を用いる。
【０００８】本発明の第１段階で用いる薬剤は、主に酸
化錫膜のエッチングに使用するための塩基性物質の水溶
液であり、他の溶媒を添加しても良い。この薬剤に使用
する塩基性無機物質は、その水溶液のＰＨが７以上、好
ましくはＰＨ８〜１４を示す無機物である。具体的に
は、苛性ソーダ、炭酸ソーダの塩基物質、更には、ボラ
ン類、ヒドロほう酸リチウム類、亜ジチオン酸塩類、ナ
トリウムボロハイドライドなどの還元性塩基物質であ
り、０．１〜７０重量％の濃度で使用する。これらの塩
基性物質に還元塩基性物質を混合すれば、エッチング速
度が増大する。
化錫膜のエッチングに使用するための塩基性物質の水溶
液であり、他の溶媒を添加しても良い。この薬剤に使用
する塩基性無機物質は、その水溶液のＰＨが７以上、好
ましくはＰＨ８〜１４を示す無機物である。具体的に
は、苛性ソーダ、炭酸ソーダの塩基物質、更には、ボラ
ン類、ヒドロほう酸リチウム類、亜ジチオン酸塩類、ナ
トリウムボロハイドライドなどの還元性塩基物質であ
り、０．１〜７０重量％の濃度で使用する。これらの塩
基性物質に還元塩基性物質を混合すれば、エッチング速
度が増大する。
【０００９】本発明の第２段階で使用する薬剤は、酸化
錫膜のエッチングと共に第１段階のエッチングで残留し
ている薬剤を中和除去するためのものであり、ジカルボ
ン酸の水溶液である。この薬剤に用いるジカルボン酸
は、炭素数が１〜８のジカルボン酸である。具体的に
は、蓚酸、マロン酸、琥珀酸であり、０．１重量％〜各
ジカルボン酸の飽和濃度で使用する。これらの薬剤に他
の物質を添加してもよい。
錫膜のエッチングと共に第１段階のエッチングで残留し
ている薬剤を中和除去するためのものであり、ジカルボ
ン酸の水溶液である。この薬剤に用いるジカルボン酸
は、炭素数が１〜８のジカルボン酸である。具体的に
は、蓚酸、マロン酸、琥珀酸であり、０．１重量％〜各
ジカルボン酸の飽和濃度で使用する。これらの薬剤に他
の物質を添加してもよい。
【００１０】エッチング時の薬剤は、所定のエッチング
速度が得られる温度で使用し、一般的に３０〜１００℃
である。本発明の薬剤を用いるエッチングの方法は、リ
ッピング法、スプレー法などがあり特に特定するもので
なく、併用することもある。
速度が得られる温度で使用し、一般的に３０〜１００℃
である。本発明の薬剤を用いるエッチングの方法は、リ
ッピング法、スプレー法などがあり特に特定するもので
なく、併用することもある。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例および比較例について
述べ、本発明をより具体的に説明する。なお、濃度は重
量％である。
述べ、本発明をより具体的に説明する。なお、濃度は重
量％である。
【００１２】実施例１〜２０、比較例１〜４ （１）成膜 厚みが１０００Åと３０００Åの酸化錫透明導電性膜を
無アルカリガラス基板（厚み：１．０ｍｍ）にスパッタ
法で次の条件で成膜した。 真空度：１×１０-2 torr 温 度：１５０〜２００℃ （２）膜特性 スパッタ法で成膜をした酸化膜は、表１に示す光透過
率、比抵抗であった。
無アルカリガラス基板（厚み：１．０ｍｍ）にスパッタ
法で次の条件で成膜した。 真空度：１×１０-2 torr 温 度：１５０〜２００℃ （２）膜特性 スパッタ法で成膜をした酸化膜は、表１に示す光透過
率、比抵抗であった。
【００１３】
【表１】
【００１４】（３）レジストパタ−ニングの形成 表１の成膜をしたガラス基板の酸化膜面にレジスト液を
ロールコーターで塗付し、９０℃温風の２０分でプレベ
ークした。プレベーク後のレジストの厚みは、平均３μ
ｍであた。その後、パターンを描いたフォトマスクを通
して波長が３５０〜４５０nmの光線をレジストに照射、
露光した。その後、２３℃の現像液に振動を与えながら
浸漬し、現像し、水洗後、１１０℃で２５分間乾燥し
た。なお、使用したレジスト液、現像液は、東京応化製
ＥＰＰＲを使用した。
ロールコーターで塗付し、９０℃温風の２０分でプレベ
ークした。プレベーク後のレジストの厚みは、平均３μ
ｍであた。その後、パターンを描いたフォトマスクを通
して波長が３５０〜４５０nmの光線をレジストに照射、
露光した。その後、２３℃の現像液に振動を与えながら
浸漬し、現像し、水洗後、１１０℃で２５分間乾燥し
た。なお、使用したレジスト液、現像液は、東京応化製
ＥＰＰＲを使用した。
【００１５】（４）エッチングとレジストの剥離 レジストパターニングされたガラス基板の酸化膜面に表
２に示す液で表４に示す条件でスプレーによる方法で第
１段階のエッチングした。その後、表３と表５に示す薬
剤と条件でスプレーによる方法で第２段階のエッチング
をした。エッチング後、酸化膜上のレジストを炭化水素
系の溶剤で剥離した。
２に示す液で表４に示す条件でスプレーによる方法で第
１段階のエッチングした。その後、表３と表５に示す薬
剤と条件でスプレーによる方法で第２段階のエッチング
をした。エッチング後、酸化膜上のレジストを炭化水素
系の溶剤で剥離した。
【００１６】
【表２】第１段階エッチング使用薬剤
【００１７】
【表３】第２段階エッチング使用薬剤
【００１８】
【表４】
【００１９】
【表５】
【００２０】比較例では、実施例と同一の成膜基板を用
い、スプレーにより表６のエッチング条件でエッチング
した。 エッチング用薬剤組成−１：塩酸３５％１００重量部＋亜鉛末１００重量部 薬剤組成−２：蓚酸２５重量部＋水７５重量部
い、スプレーにより表６のエッチング条件でエッチング
した。 エッチング用薬剤組成−１：塩酸３５％１００重量部＋亜鉛末１００重量部 薬剤組成−２：蓚酸２５重量部＋水７５重量部
【００２１】
【表６】
【００２２】（５）パターニングの状況 実施例区の酸化膜は、欠け、剥離、クラック、エッチ残
りなどのパターニング不良が見られなかった。一方、比
較例区では、欠けなどのパターニングの不良が見られ
た。
りなどのパターニング不良が見られなかった。一方、比
較例区では、欠けなどのパターニングの不良が見られ
た。
【００２３】（６）残留残査 実施例の酸化膜表面の元素をＥＰＭＡで分析したとこ
ろ、ＮａとＢなどが殆ど残留してなかった。一方、比較
例では塩素が検出された。
ろ、ＮａとＢなどが殆ど残留してなかった。一方、比較
例では塩素が検出された。
【００２４】
【発明の効果】本発明により、パターニングなく、大き
なエッチング速度が得られる。
なエッチング速度が得られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K057 WA10 WB01 WB11 WE11 WE14 WE21 WE22 WG06 WM04 WN01 4M104 AA10 BB36 CC01 DD64 HH14 5C027 AA03 5C040 GC06 GC19 JA07 JA14 JA15 KA04 KA20 KB26 KB30 MA23 MA26 5F043 AA26 BB18 CC01 CC16 DD07 DD30 GG04 GG10
Claims (3)
- 【請求項１】 ガラス基板上に成膜された酸化錫を含む
透明導電性膜のパターニングにおいて、（１）塩基性無
機物質を含有する水溶液でエッチングする工程、そし
て、（２）ジカルボン酸を含有する水溶液でエッチング
する工程からなるエッチング方法。 - 【請求項２】 塩基性無機物質がボラン類、ヒドロほう
酸塩類、亜ジチオン酸塩類、ナトリウムボロハイドライ
ド、炭酸塩類又は苛性ソーダである請求項１記載のエッ
チング方法。 - 【請求項３】 ジカルボン酸が蓚酸、マロン酸又は琥珀
酸である請求項１記載のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31781298A JP2000150457A (ja) | 1998-11-09 | 1998-11-09 | 透明導電性膜のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31781298A JP2000150457A (ja) | 1998-11-09 | 1998-11-09 | 透明導電性膜のエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000150457A true JP2000150457A (ja) | 2000-05-30 |
Family
ID=18092328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31781298A Pending JP2000150457A (ja) | 1998-11-09 | 1998-11-09 | 透明導電性膜のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000150457A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002007200A1 (fr) * | 2000-07-14 | 2002-01-24 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compositions de gravure |
-
1998
- 1998-11-09 JP JP31781298A patent/JP2000150457A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002007200A1 (fr) * | 2000-07-14 | 2002-01-24 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compositions de gravure |
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