JP2000149320A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 波長４００ｎｍ〜５００ｎｍのレーザーで良
好な記録および再生が可能な追記型光記録媒体を提供す
る。 【解決手段】 基板上に少なくとも記録層と反射層を有
する光記録媒体において、記録層中に下記一般式（１）
で示される化合物を含有する光記録媒体。 【化１】 〔式中、Ｑ¹〜Ｑ⁸、Ｌ¹〜Ｌ⁴、Ｒ¹，Ｒ²は明細書記載の
置換基を示し、Ｚは酸素原子又は硫黄原子を示し、ｎは
０又は１である。〕

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体に関す
るものであり、特に青色レーザー光により記録・再生可
能である化合物含有の追記型光記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】基板上に反射層を有する光記録媒体とし
てコンパクトディスク（以下、ＣＤと略す）規格に対応
した追記可能なＣＤ−Ｒ（CD-Recordable）が広く普及
している。ＣＤ−Ｒの記録容量は０．６５ＧＢ程度であ
るが、情報量の飛躍的増加に伴い、情報記録媒体に対す
る高密度化および大容量化への要求は高まっている。

【０００３】記録および再生用レーザーの短波長化によ
りビームスポットを小さくすることができ、高密度な光
記録が可能になる。最近では、光ディスクシステムに利
用される短波長半導体レーザーの開発が進み、波長６８
０ｎｍ、６５０ｎｍおよび６３５ｎｍの赤色半導体レー
ザーが実用化されている〔例えば、日経エレクトロニク
ス、No. 592、p. 65、1993年10月11日号〕。これらの半
導体レーザーを用い、２時間以上の動画をデジタル記録
したＤＶＤが実用化されている。ＤＶＤは再生専用媒体
であるため、この容量に対応する追記型光記録媒体（Ｄ
ＶＤ−Ｒ）の開発も進んでいる。

【０００４】さらに、超高密度の記録が可能となる波長
４００ｎｍ〜５００ｎｍの青色半導体レーザーの開発も
急速に進んでおり〔例えば、日経エレクトロニクス、N
o. 708 、p. 117、1998年1月26日号〕、それに対応した
追記型光記録媒体の開発も行われている。

【０００５】追記型光記録媒体の記録層にレーザー光を
照射し、記録層に物理変化や化学変化を生じさせること
でピットを形成させるとき、化合物の光学定数、分解挙
動が良好なピットを形成させるための重要な要素とな
る。分解しづらいものは感度が低下し、分解が激しいか
または変化しやすいものはピット間および半径方向への
影響が大きくなり、信頼性のあるピット形成が困難にな
る。従来のＣＤ−Ｒ媒体は、超高密度記録で用いられる
青色半導体レーザー波長では、記録層の屈折率も低く、
消衰係数も適度な値ではないため、反射率の低下、エラ
ーレートの増大、ジッターの増大により、良好な記録・
再生ができない。従って、記録層に用いる化合物には青
色半導体レーザーに対する光学的性質、分解挙動の適切
な化合物を選択する必要がある。しかし、実際に提案さ
れている化合物の例は、特開平７−３０４２５６号公報
などに記載のポルフィリン化合物など、ごく限られた例
しかないため、その開発が急務となっている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、波長
４００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲から選択されるレーザー
光で良好な記録および再生が可能な超高密度記録に適し
た化合物を記録層に有する光記録媒体を提供することに
ある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。すなわち、本発明は、基板上に少なくとも記
録層および反射層を有する光記録媒体において、記録層
中に一般式（１）

【０００８】

【化２】

【０００９】〔式中、Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴はそれぞれ独
立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換または
無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アル
コキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、ア
ルケニル基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、ア
ラルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルアミノ基、
アラルキルアミノ基、アリールアミノ基、アルケニルア
ミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキ
ルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、
アルケニルオキシカルボニル基、アルキルアミノカルボ
ニル基、複素環基、アルキルスルホニル基、アリールス
ルホニル基を表し、Ｑ¹、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵、Ｑ⁶、Ｑ
⁷、Ｑ⁸はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シ
アノ基、置換または無置換のアルキル基、アラルキル
基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、
アリールオキシ基、アルケニル基、アルケニルオキシ
基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ
基、アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、アリール
アミノ基、アルケニルアミノ基、アシル基、アルコキシ
カルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリー
ルオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル
基、アルキルアミノカルボニル基、複素環基を表し、Ｒ
¹、Ｒ²はそれぞれ独立に水素原子、酸素原子、置換また
は無置換のアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、
アリール基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキ
シカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケ
ニルオキシカルボニル基を表し、Ｒ¹とＲ²は互いに連結
して環を形成しても良い。また、Ｚは酸素原子または硫
黄原子を表し、ｎは０または１を表す。〕で示される化
合物を含有する光記録媒体であり、特には、波長４００
ｎｍ〜５００ｎｍの範囲から選択されるレーザー光に対
して記録および再生が可能である新規な光記録媒体に関
するものである。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明の具体的構成について以下
に説明する。

【００１１】この光記録媒体は基板１、記録層２、反射
層３および保護層４が順次積層している４層構造を有し
ている。これを図１に示すように単板で用いてもよく、
図２に示すようにＤＶＤのように接着層５で貼り合わせ
ても良い。

【００１２】基板の材質としては、基本的には記録光お
よび再生光の波長で透明であればよい。例えば、ポリカ
ーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メ
チル等のアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹
脂等の高分子材料やガラス等の無機材料が利用される。
これらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に
成形される。必要に応じて、基板表面に案内溝やピット
を形成することもある。このような案内溝やピットは、
基板の成形時に付与することが望ましいが、基板の上に
紫外線硬化樹脂層を用いて付与することもできる。

【００１３】本発明においては、基板上に記録層を設け
るが、本発明の記録層は、一般式（１）で示される化合
物を含有するものである。

【００１４】本発明の記録層に含有される一般式（１）
で示される化合物について、以下に具体例を詳細に述べ
る。

【００１５】式（１）中、Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴、Ｑ¹、
Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵、Ｑ⁶、Ｑ⁷、Ｑ⁸、Ｒ¹、Ｒ²で示さ
れる基としては、ポリカーボネート、アクリル、エポキ
シ、ポリオレフィン基板などへの塗布による加工性の良
好な基を選択して用いることができる。

【００１６】式（１）中、Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴で示され
る基として、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原
子、ヨウ素原子などのハロゲン原子またはシアノ基が挙
げられる。

【００１７】式（１）中、Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴で示され
る置換または無置換のアルキル基としては、直鎖または
分岐または環状の無置換アルキル基、ハロゲン原子、ヒ
ドロキシ基、ニトロ基、シアノ基、アルコキシ基、アシ
ル基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリ
ールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル
基、アルケニルオキシカルボニル基、アルコキシカルボ
ニルオキシ基、ジアルキルアミノ基、アシルアミノ基、
アルキルスルホンアミノ基、アルキルスルホニル基、ア
リールスルホニル基、複素環基等の置換基群より選択し
た置換基で置換したアルキル基などが挙げられる。

【００１８】置換または無置換の直鎖または分岐または
環状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−
プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓ
ｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−
ペンチル基、ｉｓｏ−ペンチル基、２−メチルブチル
基、１−メチルブチル基、ネオペンチル基、１,２−ジ
メチルプロピル基、１,１−ジメチルプロピル基、シク
ロペンチル基、ｎ−ヘキシル基、４−メチルペンチル
基、３−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１
−メチルペンチル基、３，３−ジメチルブチル基、２，
３−ジメチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、
２，２−ジメチルブチル基、１,２−ジメチルブチル
基、１,１−ジメチルブチル基、３−エチルブチル基、
２−エチルブチル基、１−エチルブチル基、１，２，２
−トリメチルブチル基、１，１，２−トリメチルブチル
基、１−エチル−２−メチルプロピル基、シクロヘキシ
ル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メ
チルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘ
キシル基、２，４−ジメチルペンチル基、ｎ−オクチル
基、２−エチルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル
基、２，５，５−トリメチルペンチル基、２，４−ジメ
チルヘキシル基、２，２，４−トリメチルペンチル基、
３，５，５−トリメチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ
−デシル基、４−エチルオクチル基、４−エチル−４，
５−メチルヘキシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシ
ル基、１，３，５，７−テトラエチルオクチル基、４−
ブチルオクチル基、６，６−ジエチルオクチル基、ｎ−
トリデシル基、６−メチル−４−ブチルオクチル基、ｎ
−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、３，５−ジメ
チルヘプチル基、２，６−ジメチルヘプチル基、２，４
−ジメチルヘプチル基、２，２，５，５−テトラメチル
ヘキシル基、１−シクロペンチル−２，２−ジメチルプ
ロピル基、１−シクロヘキシル−２，２−ジメチルプロ
ピル基などの炭素数１〜１５の無置換アルキル基；

【００１９】クロロメチル基、クロロエチル基、ブロモ
エチル基、ヨードエチル基、ジクロロメチル基、フルオ
ロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエ
チル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２，２，
２−トリクロロエチル基、１，１，１，３，３，３−ヘ
キサフルオロ−２−プロピル基、ノナフルオロブチル
基、パーフルオロデシル基等のハロゲン原子で置換した
炭素数１〜１０のアルキル基；２−ヒドロキシエチル
基、２−ヒドロキシメチル基、４−ヒドロキシエチル
基、２−ヒドロキシ−３−メトキシプロピル基、２−ヒ
ドロキシ−３−クロロプロピル基、２−ヒドロキシ−３
−エトキシプロピル基、３−ブトキシ−２−ヒドロキシ
プロピル基、２−ヒドロキシ−３−シクロヘキシルオキ
シプロピル基、２−ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロ
キシブチル基、４−ヒドロキシデカリル−２−オキシ基
などのヒドロキシ基で置換した炭素数１〜１０のアルキ
ル基；ヒドロキシメトキシメチル基、ヒドロキシエトキ
シエチル基、２−（２’−ヒドロキシ−１’−メチルエ
トキシ）−１−メチルエチル基、２−（３’−フルオロ
−２’−ヒドロキシプロポキシ）エチル基、２−（３’
−クロロ−２’−ヒドロキシプロポキシ）エチル基、ヒ
ドロキシブトキシシクロヘキシルオキシ基などのヒドロ
キシアルコキシ基で置換した炭素数２〜１０のアルキル
基；ヒドロキシメトキシメトキシメチル基、ヒドロキシ
エトキシエトキシエチル基、［２’−（２’−ヒドロキ
−１’−メチルエトキシ）−１’−メチルエトキシ］エ
トキシエチル基、［２’−（２’−フルオロ−１’−ヒ
ドロキシエトキシ）−１’−メチルエトキシ］エトキシ
エチル基、［２’−（２’−クロロ−１’−ヒドロキシ
エトキシ）−１’−メチルエトキシ］エトキシエチル基
などのヒドロキシアルコキシアルコキシ基で置換した炭
素数３〜１０のアルキル基；シアノメチル基、２−シア
ノエチル基、４−シアノエチル基、２−シアノ−３−メ
トキシプロピル基、２−シアノ−３−クロロプロピル
基、２−シアノ−３−エトキシプロピル基、３−ブトキ
シ−２−シアノプロピル基、２−シアノ−３−シクロヘ
キシルプロピル基、２−シアノプロピル基、２−シアノ
ブチル基などのシアノ基で置換した炭素数２〜１０のア
ルキル基；

【００２０】メトキシメチル基、エトキシメチル基、プ
ロポキシメチル基、ブトキシメチル基、メトキシエチル
基、エトキシエチル基、プロポキシエチル基、ブトキシ
エチル基、ｎ−ヘキシルオキシエチル基、４−メチルペ
ントキシエチル基、１，３−ジメチルブトキシエチル
基、２−エチルヘキシルオキシエチル基、ｎ−オクチル
オキシエチル基、３，５，５−トリメチルヘキシルオキ
シエチル基、２−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルプロポ
キシエチル基、３−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルブチ
ルオキシエチル基、２−エトキシ−１−メチルエチル
基、３−メトキシブチル基、３，３，３−トリフルオロ
プロポキシエチル基、３，３，３−トリクロロプロポキ
シエチル基などのアルコキシ基で置換した炭素数２〜１
５のアルキル基；メトキシメトキシメチル基、メトキシ
エトキシエチル基、エトキシエトキシエチル基、プロポ
キシエトキシエチル基、ブトキシエトキシエチル基、シ
クロヘキシルオキシエトキシエチル基、デカリルオキシ
プロポキシエトキシ基、１，２−ジメチルプロポキシエ
トキシエチル基、３−メチル−１−ｉｓｏ−ブチルブト
キシエトキシエチル基、２−メトキシ−１−メチルエト
キシエチル基、２−ブトキシ−１−メチルエトキシエチ
ル基、２−（２’−エトキシ−１’−メチルエトキシ）
−１−メチルエチル基、３，３，３−トリフルオロプロ
ポキシエトキシエチル基、３，３，３−トリクロロプロ
ポキシエトキシエチル基などのアルコキシアルコキシ基
で置換した炭素数３〜１５のアルキル基；メトキシメト
キシメトキシメチル基、メトキシエトキシエトキシエチ
ル基、エトキシエトキシエトキシエチル基、ブトキシエ
トキシエトキシエチル基、シクロヘキシルオキシ、プロ
ポキシプロポキシプロポキシ基、２，２，２−トリフル
オロエトキシエトキシエトキシエチル基、２，２，２−
トリクロロエトキシエトキシエトキシエチル基などのア
ルコキシアルコキシアルコキシ基で置換した炭素数４〜
１５のアルキル基；

【００２１】ホルミルメチル基、２−オキソブチル基、
３−オキソブチル基、４−オキソブチル基、１，３−ジ
オキソ−２−シクロヘキシル基、２−オキソ−５−ｔ−
ブチル−１−シクロヘキシル基等のアシル基で置換した
炭素数２〜１０のアルキル基；ホルミルオキシメチル
基、アセトキシエチル基、プロピオニルオキシエチル
基、ブタノイルオキシエチル基、バレリルオキシエチル
基、２−エチルヘキサノイルオキシエチル基、３，５，
５−トリメチルヘキサノイルオキシエチル基、３，５，
５−トリメチルヘキサノイルオキシヘキシル基、３−フ
ルオロブチリルオキシエチル基、３−クロロブチリルオ
キシエチル基などのアシルオキシ基で置換した炭素数２
〜１５のアルキル基；ホルミルオキシメトキシメチル
基、アセトキシエトキシエチル基、プロピオニルオキシ
エトキシエチル基、バレリルオキシエトキシエチル基、
２−エチルヘキサノイルオキシエトキシエチル基、３，
５，５−トリメチルヘキサノイルオキシブトキシエチル
基、３，５，５−トリメチルヘキサノイルオキシエトキ
シエチル基、２−フルオロプロピオニルオキシエトキシ
エチル基、２−クロロプロピオニルオキシエトキシエチ
ル基などのアシルオキシアルコキシ基で置換した炭素数
３〜１５のアルキル基；

【００２２】アセトキシメトキシメトキシメチル基、ア
セトキシエトキシエトキシエチル基、プロピオニルオキ
シエトキシエトキシエチル基、バレリルオキシエトキシ
エトキシエチル基、２−エチルヘキサノイルオキシエト
キシエトキシエチル基、３，５，５−トリメチルヘキサ
ノイルオキシエトキシエトキシエチル基、２−フルオロ
プロピオニルオキシエトキシエトキシエチル基、２−ク
ロロプロピオニルオキシエトキシエトキシエチル基など
のアシルオキシアルコキシアルコキシ基で置換した炭素
数５〜１５のアルキル基；メトキシカルボニルメチル
基、エトキシカルボニルメチル基、ブトキシカルボニル
メチル基、メトキシカルボニルエチル基、エトキシカル
ボニルエチル基、ブトキシカルボニルエチル基、ｐ−エ
チルシクロヘキシルオキシカルボニルシクロヘキシル
基、２，２，３，３−テトラフルオロプロポキシカルボ
ニルメチル基、２，２，３，３−テトラクロロプロポキ
シカルボニルメチル基などのアルコキシカルボニル基で
置換した炭素数３〜１５のアルキル基；

【００２３】フェノキシカルボニルメチル基、フェノキ
シカルボニルエチル基、４−ｔ−ブチルフェノキシカル
ボニルエチル基、ナフチルオキシカルボニルメチル基、
ビフェニルオキシカルボニルエチル基などのアリールオ
キシカルボニル基で置換した炭素数８〜１５のアルキル
基；ベンジルオキシカルボニルメチル基、ベンジルオキ
シカルボニルエチル基、フェネチルオキシカルボニルメ
チル基、４−シクロヘキシルオキシベンジルオキシカル
ボニルメチル基などの炭素数９〜１５のアラルキルオキ
シカルボニル基；ビニルオキシカルボニルメチル基、ビ
ニルオキシカルボニルエチル基、アリルオキシカルボニ
ルメチル基、オクテノキシカルボニルメチル基などのア
ルケニルオキシカルボニル基で置換した炭素数４〜１０
のアルキル基；メトキシカルボニルオキシエチル基、エ
トキシカルボニルオキシエチル基、ブトキシカルボニル
オキシエチル基、２，２，２−トリフルオロエトキシカ
ルボニルオキシエチル基、２，２，２−トリクロロエト
キシカルボニルオキシエチル基などの炭素数３〜１５の
アルコキシカルボニルオキシ基で置換したアルキル基；
メトキシメトキシカルボニルオキシメチル基、メトキシ
エトキシカルボニルオキシエチル基、エトキシエトキシ
カルボニルオキシエチル基、ブトキシエトキシカルボニ
ルオキシエチル基、２，２，２−トリフルオロエトキシ
エトキシカルボニルオキシエチル基、２，２，２−トリ
クロロエトキシエトキシカルボニルオキシエチル基など
のアルコキシアルコキシカルボニルオキシ基で置換した
炭素数４〜１５のアルキル基；

【００２４】ジメチルアミノメチル基、ジエチルアミノ
メチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノメチル基、ジ−ｎ−ヘ
キシルアミノメチル基、ジ−ｎ−オクチルアミノメチル
基、ジ−ｎ−デシルアミノメチル基、Ｎ−イソアミル−
Ｎ−メチルアミノメチル基、ピペリジノメチル基、ジ
（メトキシメチル）アミノメチル基、ジ（メトキシエチ
ル）アミノメチル基、ジ（エトキシメチル）アミノメチ
ル基、ジ（エトキシエチル）アミノメチル基、ジ（プロ
ポキシエチル）アミノメチル基、ジ（ブトキシエチル）
アミノメチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチ
ル）アミノメチル基、ジメチルアミノエチル基、ジエチ
ルアミノエチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノエチル基、ジ
−ｎ−ヘキシルアミノエチル基、ジ−ｎ−オクチルアミ
ノエチル基、ジ−ｎ−デシルアミノエチル基、Ｎ−イソ
アミル−Ｎ−メチルアミノエチル基、ピペリジノエチル
基、ジ（メトキシメチル）アミノエチル基、ジ（メトキ
シエチル）アミノエチル基、ジ（エトキシメチル）アミ
ノエチル基、ジ（エトキシエチル）アミノエチル基、ジ
（プロポキシエチル）アミノエチル基、ジ（ブトキシエ
チル）アミノエチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキ
シエチル）アミノエチル基、ジメチルアミノプロピル
基、ジエチルアミノプロピル基、ジ−ｎ−ブチルアミノ
プロピル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノプロピル基、ジ−
ｎ−オクチルアミノプロピル基、ジ−ｎ−デシルアミノ
プロピル基、Ｎ−イソアミル−Ｎ−メチルアミノプロピ
ル基、ピペリジノプロピル基、ジ（メトキシメチル）ア
ミノプロピル基、ジ（メトキシエチル）アミノプロピル
基、ジ（エトキシメチル）アミノプロピル基、ジ（エト
キシエチル）アミノプロピル基、ジ（プロポキシエチ
ル）アミノプロピル基、ジ（ブトキシエチル）アミノプ
ロピル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチル）ア
ミノプロピル基、ジメチルアミノブチル基、ジエチルア
ミノブチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノブチル基、ジ−ｎ
−ヘキシルアミノブチル基、ジ−ｎ−オクチルアミノブ
チル基、ジ−ｎ−デシルアミノブチル基、Ｎ−イソアミ
ル−Ｎ−メチルアミノブチル基、ピペリジノブチル基、
ジ（メトキシメチル）アミノブチル基、ジ（メトキシエ
チル）アミノブチル基、ジ（エトキシメチル）アミノブ
チル基、ジ（エトキシエチル）アミノブチル基、ジ（プ
ロポキシエチル）アミノブチル基、ジ（ブトキシエチ
ル）アミノブチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシ
エチル）アミノブチル基等のジアルキルアミノ基が置換
した炭素数３〜２０のアルキル基；

【００２５】アセチルアミノメチル基、アセチルアミノ
エチル基、プロピオニルアミノエチル基、ブタノイルア
ミノエチル基、シクロヘキサンカルボニルアミノエチル
基、ｐ−メチルシクロヘキサンカルボニルアミノエチル
基、スクシンイミノエチル基などのアシルアミノ基で置
換した炭素数３〜１０のアルキル基；メチルスルホンア
ミノメチル基、メチルスルホンアミノエチル基、エチル
スルホンアミノエチル基、プロピルスルホンアミノエチ
ル基、オクチルスルホンアミノエチル基などのアルキル
スルホンアミノ基で置換した炭素数２〜１０のアルキル
基；メチルスルホニルメチル基、エチルスルホニルメチ
ル基、ブチルスルホニルメチル基、メチルスルホニルエ
チル基、エチルスルホニルエチル基、ブチルスルホニル
エチル基、２−エチルヘキシルスルホニルエチル基、
２，２，３，３−テトラフルオロプロピルスルホニルメ
チル基、２，２，３，３−テトラクロロプロピルスルホ
ニルメチル基などのアルキルスルホニル基で置換した炭
素数２〜１０のアルキル基；ベンゼンスルホニルメチル
基、ベンゼンスルホニルエチル基、ベンゼンスルホニル
プロピル基、ベンゼンスルホニルブチル基、トルエンス
ルホニルメチル基、トルエンスルホニルエチル基、トル
エンスルホニルプロピル基、トルエンスルホニルブチル
基、キシレンスルホニルメチル基、キシレンスルホニル
エチル基、キシレンスルホニルプロピル基、キシレンス
ルホニルブチル基などのアリールスルホニル基で置換し
た炭素数７〜１２のアルキル基；

【００２６】チアジアゾリノメチル基、ピロリノメチル
基、ピロリジノメチル基、ピラゾリジノメチル基、イミ
ダゾリジノメチル基、オキサゾリル基、トリアゾリノメ
チル基、モルホリノメチル基、インドーリノメチル基、
ベンズイミダゾリノメチル基、カルバゾリノメチル基な
どの複素環基で置換した炭素数２〜１３のアルキル基等
が挙げられる。

【００２７】式（１）中、Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴で示され
る置換または無置換のアラルキル基の例としては、前記
に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアラルキル
基であり、好ましくは、ベンジル基、ニトロベンジル
基、シアノベンジル基、ヒドロキシベンジル基、メチル
ベンジル基、トリフルオロメチルベンジル基、ナフチル
メチル基、ニトロナフチルメチル基、シアノナフチルメ
チル基、ヒドロキシナフチルメチル基、メチルナフチル
メチル基、トリフルオロメチルナフチルメチル基、フル
オレン−９−イルエチル基などの炭素数７〜１５のアラ
ルキル基等が挙げられる。

【００２８】式（１）中、Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴で示され
る置換または無置換のアリール基の例としては、前記に
挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアリール基で
あり、好ましくは、フェニル基、ニトロフェニル基、シ
アノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メチルフェニ
ル基、トリフルオロメチルフェニル基、ナフチル基、ニ
トロナフチル基、シアノナフチル基、ヒドロキシナフチ
ル基、メチルナフチル基、トリフルオロメチルナフチル
基、メトキシカルボニルフェニル基、４−（５’−メチ
ルベンゾキサゾール−２’−イル）フェニル基、ジブチ
ルアミノカルボニルフェニル基などの炭素数６〜１５の
アリール基等が挙げられる。

【００２９】式（１）中、Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴で示され
る置換または無置換のアルコキシ基の例としては、メト
キシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキ
シ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブ
トキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ
基、イソペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ
基、ｓｅｃ−ペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ
基、ｎ−ヘキシルオキシ基、１−メチルペンチルオキシ
基、２−メチルペンチルオキシ基、３−メチルペンチル
オキシ基、４−メチルペンチルオキシ基、１，１−ジメ
チルブトキシ基、１，２−ジメチルブトキシ基、１，３
−ジメチルブトキシ基、２，３−ジメチルブトキシ基、
１，１，２−トリメチルプロポキシ基、１，２，２−ト
リメチルプロポキシ基、１−エチルブトキシ基、２−エ
チルブトキシ基、１−エチル−２−メチルプロポキシ
基、シクロヘキシルオキシ基、メチルシクロペンチルオ
キシ基、ｎ−へプチルオキシ基、１−メチルヘキシルオ
キシ基、２−メチルヘキシルオキシ基、３−メチルヘキ
シルオキシ基、４−メチルヘキシルオキシ基、５−メチ
ルヘキシルオキシ基、１，１−ジメチルペンチルオキシ
基、１，２−ジメチルペンチルオキシ基、１，３−ジメ
チルペンチルオキシ基、１，４−ジメチルペンチルオキ
シ基、２，２−ジメチルペンチルオキシ基、２，３−ジ
メチルペンチルオキシ基、２，４−ジメチルペンチルオ
キシ基、３，３−ジメチルペンチルオキシ基、３，４−
ジメチルペンチルオキシ基、１−エチルペンチルオキシ
基、２−エチルペンチルオキシ基、３−エチルペンチル
オキシ基、１，１，２−トリメチルブトキシ基、１，
１，３−トリメチルブトキシ基、１，２，３−トリメチ
ルブトキシ基、１，２，２−トリメチルブトキシ基、
１，３，３−トリメチルブトキシ基、２，３，３−トリ
メチルブトキシ基、１−エチル−１−メチルブトキシ
基、１−エチル−２−メチルブトキシ基、１−エチル−
３−メチルブトキシ基、２−エチル−１−メチルブトキ
シ基、２−エチル−３−メチルブトキシ基、１−ｎ−プ
ロピルブトキシ基、１−イソプロピルブトキシ基、１−
イソプロピル−２−メチルプロポキシ基、メチルシクロ
ヘキシルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、１−メチル
ヘプチルオキシ基、２−メチルヘプチルオキシ基、３−
メチルヘプチルオキシ基、４−メチルヘプチルオキシ
基、５−メチルヘプチルオキシ基、６−メチルヘプチル
オキシ基、１，１−ジメチルヘキシルオキシ基、１，２
−ジメチルヘキシルオキシ基、１，３−ジメチルヘキシ
ルオキシ基、１，４−ジメチルヘキシルオキシ基、１，
５−ジメチルヘキシルオキシ基、２，２−ジメチルヘキ
シルオキシ基、２，３−ジメチルヘキシルオキシ基、
２，４−ジメチルヘキシルオキシ基、２，５−ジメチル
ヘキシルオキシ基、３，３−ジメチルヘキシルオキシ
基、３，４−ジメチルヘキシルオキシ基、３，５−ジメ
チルヘキシルオキシ基、４，４−ジメチルヘキシルオキ
シ基、４，５−ジメチルヘキシルオキシ基、１−エチル
ヘキシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、３−
エチルヘキシルオキシ基、４−エチルヘキシルオキシ
基、１−ｎ−プロピルペンチルオキシ基、２−ｎ−プロ
ピルペンチルオキシ基、１−イソプロピルペンチルオキ
シ基、２−イソプロピルペンチルオキシ基、１−エチル
−１−メチルペンチルオキシ基、１−エチル−２−メチ
ルペンチルオキシ基、１−エチル−３−メチルペンチル
オキシ基、１−エチル−４−メチルペンチルオキシ基、
２−エチル−１−メチルペンチルオキシ基、２−エチル
−２−メチルペンチルオキシ基、２−エチル−３−メチ
ルペンチルオキシ基、２−エチル−４−メチルペンチル
オキシ基、３−エチル−１−メチルペンチルオキシ基、
３−エチル−２−メチルペンチルオキシ基、３−エチル
−３−メチルペンチルオキシ基、３−エチル−４−メチ
ルペンチルオキシ基、１，１，２−トリメチルペンチル
オキシ基、１，１，３−トリメチルペンチルオキシ基、
１，１，４−トリメチルペンチルオキシ基、１，２，２
−トリメチルペンチルオキシ基、１，２，３−トリメチ
ルペンチルオキシ基、１，２，４−トリメチルペンチル
オキシ基、１，３，４−トリメチルペンチルオキシ基、
２，２，３−トリメチルペンチルオキシ基、２，２，４
−トリメチルペンチルオキシ基、２，３，４−トリメチ
ルペンチルオキシ基、１，３，３−トリメチルペンチル
オキシ基、２，３，３−トリメチルペンチルオキシ基、
３，３，４−トリメチルペンチルオキシ基、１，４，４
−トリメチルペンチルオキシ基、２，４，４−トリメチ
ルペンチルオキシ基、３，４，４−トリメチルペンチル
オキシ基、１−ｎ−ブチルブトキシ基、１−イソブチル
ブトキシ基、１−ｓｅｃ−ブチルブトキシ基、１−ｔｅ
ｒｔ−ブチルブトキシ基、２−ｔｅｒｔ−ブチルブトキ
シ基、１−ｎ−プロピル−１−メチルブトキシ基、１−
ｎ−プロピル−２−メチルブトキシ基、１−ｎ−プロピ
ル−３−メチルブトキシ基、１−イソプロピル−１−メ
チルブトキシ基、１−イソプロピル−２−メチルブトキ
シ基、１−イソプロピル−３−メチルブトキシ基、１，
１−ジエチルブトキシ基、１，２−ジエチルブトキシ
基、１−エチル−１，２−ジメチルブトキシ基、１−エ
チル−１，３−ジメチルブトキシ基、１−エチル−２，
３−ジメチルブトキシ基、２−エチル−１，１−ジメチ
ルブトキシ基、２−エチル−１，２−ジメチルブトキシ
基、２−エチル−１，３−ジメチルブトキシ基、２−エ
チル−２，３−ジメチルブトキシ基、１，２−ジメチル
シクロヘキシルオキシ基、１，３−ジメチルシクロヘキ
シルオキシ基、１，４−ジメチルシクロヘキシルオキシ
基、エチルシクロヘキシルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ
基、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ基、ｎ−デ
シルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシル
オキシ基、１−アダマンチルオキシ基、ｎ−ペンタデカ
ニルオキシ基等の炭素数１〜１５の直鎖、分岐又は環状
の無置換アルコキシ基；

【００３０】メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ
基、エトキシエトキシ基、ｎ−プロポキシエトキシ基、
イソプロポキシエトキシ基、ｎ−ブトキシエトキシ基、
イソブトキシエトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシエトキシ
基、ｓｅｃ−ブトキシエトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ
エトキシ基、イソペンチルオキシエトキシ基、ｔｅｒｔ
−ペンチルオキシエトキシ基、ｓｅｃ−ペンチルオキシ
エトキシ基、シクロペンチルオキシエトキシ基、ｎ−ヘ
キシルオキシエトキシ基、エチルシクロヘキシルオキシ
エトキシ基、ｎ−ノニルオキシエトキシ基、３，５，５
−トリメチルヘキシルオキシエトキシ基、３，５，５−
トリメチルヘキシルオキシブトキシ基、ｎ−デシルオキ
シエトキシ基、ｎ−ウンデシルオキシエトキシ基、ｎ−
ドデシルオキシエトキシ基、３−メトキシプロポキシ
基、３−エトキシプロポキシ基、３−（ｎ−プロポキ
シ）プロポキシ基、２−イソプロポキシプロポキシ基、
２−メトキシブトキシ基、２−エトキシブトキシ基、２
−（ｎ−プロポキシ）ブトキシ基、４−イソプロポキシ
ブトキシ基、デカリルオキシエトキシ基、アダマンチル
オキシエトキシ基等の、アルコキシ基で置換した炭素数
２〜１５のアルコキシ基；

【００３１】メトキシメトキシメトキシ基、エトキシメ
トキシメトキシ基、プロポキシメトキシメトキシ基、ブ
トキシメトキシメトキシ基、メトキシエトキシメトキシ
基、エトキシエトキシメトキシ基、プロポキシエトキシ
メトキシ基、ブトキシエトキシメトキシ基、メトキシプ
ロポキシメトキシ基、エトキシプロポキシメトキシ基、
プロポキシプロポキシメトキシ基、ブトキシプロポキシ
メトキシ基、メトキシブトキシメトキシ基、エトキシブ
トキシメトキシ基、プロポキシブトキシメトキシ基、ブ
トキシブトキシメトキシ基、メトキシメトキシエトキシ
基、エトキシメトキシエトキシ基、プロポキシメトキシ
エトキシ基、ブトキシメトキシエトキシ基、メトキシエ
トキシエトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基、プロ
ポキシエトキシエトキシ基、ブトキシエトキシエトキシ
基、メトキシプロポキシエトキシ基、エトキシプロポキ
シエトキシ基、プロポキシプロポキシエトキシ基、ブト
キシプロポキシエトキシ基、メトキシブトキシエトキシ
基、エトキシブトキシエトキシ基、プロポキシブトキシ
エトキシ基、ブトキシブトキシエトキシ基、メトキシメ
トキシプロポキシ基、エトキシメトキシプロポキシ基、
プロポキシメトキシプロポキシ基、ブトキシメトキシプ
ロポキシ基、メトキシエトキシプロポキシ基、エトキシ
エトキシプロポキシ基、プロポキシエトキシプロポキシ
基、ブトキシエトキシプロポキシ基、メトキシプロポキ
シプロポキシ基、エトキシプロポキシプロポキシ基、プ
ロポキシプロポキシプロポキシ基、ブトキシプロポキシ
プロポキシ基、メトキシブトキシプロポキシ基、エトキ
シブトキシプロポキシ基、プロポキシブトキシプロポキ
シ基、ブトキシブトキシプロポキシ基、メトキシメトキ
シブトキシ基、エトキシメトキシブトキシ基、プロポキ
シメトキシブトキシ基、ブトキシメトキシブトキシ基、
メトキシエトキシブトキシ基、エトキシエトキシブトキ
シ基、プロポキシシエトキシブトキシ基、ブトキシエト
キシブトキシ碁、メトキシプロポキシブトキシ基、エト
キシプロポキシブトキシ基、プロポキシプロポキシブト
キシ基、ブトキシプロポキシブトキシ基、メトキシブト
キシブトキシ基、エトキシブトキシブトキシ基、プロポ
キシブトキシブトキシ基、ブトキシブトキシブトキシ
基、４−エチルシクロへキシルオキシエトキシエトキシ
基、（２−エチル−１−へキシルオキシ）エトキシプロ
ポキシ基、４−（３，５，５−トリメチルヘキシルオキ
シブトキシエトキシ基等の、アルコキシアルコキシ基で
置換した直鎖、分岐または環状の炭素数３〜１５のアル
コキシ基；

【００３２】メトキシカルボニルメトキシ基、エトキシ
カルボニルメトキシ基、ｎ−プロポキシカルボニルメト
キシ基、イソプロポキシカルボニルメトキシ基、４’−
エチルシクロヘキシルオキシカルボニルメトキシ基等の
アルコキシカルボニル基で置換した炭素数３〜１０のア
ルコキシ基；アセチルメトキシ基、エチルカルボニルメ
トキシ基、オクチルカルボニルメトキシ基等のアシル基
で置換した炭素数３〜１０のアルコキシ基；アセチルオ
キシメチル基、アセチルオキシエチル基、アセチルオキ
シヘキシルオキシ基、ブタノイルオキシシクロヘキシル
オキシ基などのアシルオキシ基で置換した炭素数３〜１
０のアルコキシ基；

【００３３】ジメチルアミノメトキシ基、２−ジメチル
アミノエトキシ基、２−（２−ジメチルアミノエトキ
シ）エトキシ基、４−ジメチルアミノブトキシ基、１−
ジメチルアミノプロパン−２−イルオキシ基、３−ジメ
チルアミノプロポキシ基、２−ジメチルアミノ−２−メ
チルプロポキシ基、２−ジエチルアミノエトキシ基、２
−（２−ジエチルアミノエトキシ）エトキシ基、３−ジ
エチルアミノプロポキシ基、１−ジエチルアミノプロポ
キシ基、２−ジイソプロピルアミノエトキシ基、２−
（ジ−ｎ−ブチルアミノ）エトキシ基、２−ピペリジル
エトキシ基、４−（ジ−ｎ−ヘキシルアミノ）プロピル
基等のジアルキルアミノ基で置換した炭素数３〜１５の
アルコキシ基；ジメチルアミノメトキシメトキシ基、ジ
メチルアミノエトキシエトキシ基、ジメチルアミノエト
キシプロポキシ基、ジエチルアミノエトキシプロポキシ
基、４−（２’−ジイソブチルアミノプロポキシ）ブト
キシオキシ基等のジアルキルアミノアルコキシ基で置換
した炭素数４〜１５のアルコキシ基；２−メチルチオメ
トキシ基、２−メチルチオエトキシ基、２−エチルチオ
エトキシ基、２−ｎ−プロピルチオエトキシ基、２−イ
ソプロピルチオエトキシ基、２−ｎ−ブチルチオエトキ
シ基、２−イソブチルチオエトキシ基、３，５，５−ト
リメチルヘキシルオキシヘキシルオキシ基等のアルキル
チオ基で置換した炭素数２〜１５のアルコキシ基；等が
挙げられ、好ましくは、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−
プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ
基、ｉｓｏ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブ
トキシ基、ｎ−ペントキシ基、ｉｓｏ−ペントキシ基、
ネオペントキシ基、２−メチルブトキシ基、２−エチル
ヘキシルオキシ基、３，５，５−トリメチルヘキシルオ
キシ基、デカリル基などの炭素数１〜１０のアルコキシ
基が挙げられる。

【００３４】式（１）中、Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴で示され
る置換または無置換のアラルキルオキシ基の例として
は、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するア
ラルキルオキシ基であり、好ましくは、ベンジルオキシ
基、ニトロベンジルオキシ基、シアノベンジルオキシ
基、ヒドロキシベンジルオキシ基、メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメチルベンジルオキシ基、ナフチル
メトキシ基、ニトロナフチルメトキシ基、シアノナフチ
ルメトキシ基、ヒドロキシナフチルメトキシ基、メチル
ナフチルメトキシ基、トリフルオロメチルナフチルメト
キシ基、フルオレン−９−イルエトキシ基などの炭素数
７〜１５のアラルキルオキシ基等が挙げられる。

【００３５】式（１）中、Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴で示され
る置換または無置換のアリールオキシ基の例としては、
前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアリー
ルオキシ基であり、好ましくは、フェノキシ基、２−メ
チルフェノキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−ｔ−
ブチルフェノキシ基、２−メトキシフェノキシ基、４−
ｉｓｏ−プロピルフェノキシ基、ナフトキシ基などの炭
素数６〜１０のアリールオキシ基が挙げられる。

【００３６】式（１）中、Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴で示され
る置換または無置換のアルケニル基の例としては、前記
に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアルケニル
基であり、好ましくは、ビニル基、プロペニル基、１−
ブテニル基、ｉｓｏ−ブテニル基、１−ペンテニル基、
２−ペンテニル基、２−メチル−１−ブテニル基、３−
メチル−１−ブテニル基、２−メチル−２−ブテニル
基、２，２−ジシアノビニル基、２−シアノ−２−メチ
ルカルボキシルビニル基、２−シアノ−２−メチルスル
ホンビニル基、スチリル基、４−フェニル−２ブテニル
基などの炭素数２〜１０のアルケニル基が挙げられる。

【００３７】式（１）中、Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴で示され
る置換または無置換のアルケニルオキシ基の例として
は、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するア
ルケニルオキシ基であり、好ましくは、ビニルオキシ
基、プロペニルオキシ基、１−ブテニルオキシ基、ｉｓ
ｏ−ブテニルオキシ基、１−ペンテニルオキシ基、２−
ペンテニルオキシ基、２−メチル−１−ブテニルオキシ
基、３−メチル−１−ブテニルオキシ基、２−メチル−
２−ブテニルオキシ基、２，２−ジシアノビニルオキシ
基、２−シアノ−２−メチルカルボキシルビニルオキシ
基、２−シアノ−２−メチルスルホンビニルオキシ基、
スチリルオキシ基、４−フェニル−２ブテニルオキシ基
などの炭素数２〜１０のアルケニルオキシ基が挙げられ
る。

【００３８】式（１）中、Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴で示され
る置換または無置換のアルキルチオ基の例としては、前
記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアルキル
チオ基であり、好ましくは、メチルチオ基、エチルチオ
基、ｎ−プロピルチオ基、ｉｓｏ−プロピルチオ基、ｎ
−ブチルチオ基、ｉｓｏ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチ
ルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｉ
ｓｏ−ペンチルチオ基、ネオペンチルチオ基、２−メチ
ルブチルチオ基、メチルカルボキシルエチルチオ基、２
−エチルヘキシル基、３，５，５−トリメチルヘキシル
チオ基、デカリルチオ基などの炭素数１〜１０のアルキ
ルチオ基が挙げられる。

【００３９】式（１）中、Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴で示され
る置換または無置換のアラルキルチオ基の例としては、
前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアラル
キルチオ基であり、好ましくは、ベンジルチオ基、ニト
ロベンジルチオ基、シアノベンジルチオ基、ヒドロキシ
ベンジルチオ基、メチルベンジルチオ基、トリフルオロ
メチルベンジルチオ基、ナフチルメチルチオ基、ニトロ
ナフチルメチルチオ基、シアノナフチルメチルチオ基、
ヒドロキシナフチルメチルチオ基、メチルナフチルメチ
ルチオ基、トリフルオロメチルナフチルメチルチオ基、
フルオレン−９−イルエチルチオ基などの炭素数７〜１
２のアラルキルチオ基等が挙げられる。

【００４０】式（１）中、Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴で示され
る置換または無置換のアリールチオ基の例としては前記
に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアリールチ
オ基であり、好ましくは、フェニルチオ基、４−メチル
フェニルチオ基、２−メトキシフェニルチオ基、４−ｔ
−ブチルフェニルチオ基、ナフチルチオ基等の炭素数６
〜１０のアリールチオ基などが挙げられる。

【００４１】式（１）中、Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴で示され
る置換または無置換のアルキルアミノ基の例としては、
前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアルキ
ルアミノ基であり、好ましくは、メチルアミノ基、エチ
ルアミノ基、プロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ペン
チルアミノ基、ヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、
オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、シク
ロヘキシルアミノ基、３，５，５−トリメチルヘキシル
アミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基などの炭素
数１〜１０のモノアルキルアミノ基や、ジメチルアミノ
基、ジエチルアミノ基、メチルエチルアミノ基、ブチル
アミノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ジ（アセチル
オキシエチル）アミノ基、ジ（プロピオニルオキシエチ
ル）アミノ基などの炭素数２〜１０のジアルキルアミノ
基が挙げられる。

【００４２】式（１）中、Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴で示され
る置換または無置換のアラルキルアミノ基の例として
は、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するア
ラルキルアミノ基であり、好ましくは、ベンジルアミノ
基、フェネチルアミノ基、３−フェニルプロピルアミノ
基、４−エチルベンジルアミノ基、４−イソプロピルベ
ンジルアミノ基などの炭素数７〜１０のモノアラルキル
アミノ基や、ジベンジルアミノ基、ジフェネチルアミノ
基、ビス（４−エチルベンジル）アミノ基、ビス（４−
イソプロピルベンジル）アミノ基などの炭素数１４〜２
０のジアラルキルアミノ基が挙げられる。

【００４３】式（１）中、Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴で示され
る置換または無置換のアリールアミノ基の例としては、
前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアリー
ルアミノ基であり、好ましくは、アニリノ基、ナフチル
アミノ基、トルイジノ基、キシリジノ基、エチルフェニ
ルアミノ基、イソプロピルフェニルアミノ基、メトキシ
フェニルアミノ基、エトキシエチルアミノ基、クロロア
ニリノ基、アセチルアニリノ基、メトキシカルボニルア
ニリノ基、エトキシカルボニルアニリノ基、プロポキシ
カルボニルアニリノ基など、炭素数６〜１０のモノアリ
ールアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ
基、Ｎ−フェニル−Ｎ−トリルアミノ基などの炭素数１
２〜１４のジアリールアミノ基が挙げられる。

【００４４】式（１）中、Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴で示され
る置換または無置換のアルケニルアミノ基の例として
は、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するア
ルケニルアミノ基であり、好ましくは、アリルアミノ
基、ブテニルアミノ基、ペンテニルアミノ基、ヘキセニ
ルアミノ基、シクロヘキセニルアミノ基、オクタジエニ
ルアミノ基、アダマンテニルアミノ基などの炭素数３〜
１０のモノアルケニルアミノ基、ジアリルアミノ基、ジ
ブテニルアミノ基、ジペンテニルアミノ基、ジヘキセニ
ルアミノ基などの炭素数６〜１２のジアルケニルアミノ
基が挙げられる。

【００４５】式（１）中、Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴で示され
る置換または無置換のアシル基の例としては、前記に挙
げたアルキル基と同様な置換基を有するアシル基であ
り、好ましくは、ホルミル基、メチルカルボニル基、エ
チルカルボニル基、ｎ−プロピルカルボニル基、ｉｓｏ
−プロピルカルボニル基、ｎ−ブチルカルボニル基、ｉ
ｓｏ−ブチルカルボニル基、ｓｅｃ−ブチルカルボニル
基、ｔ−ブチルカルボニル基、ｎ−ペンチルカルボニル
基、ｉｓｏ−ペンチルカルボニル基、ネオペンチルカル
ボニル基、２−メチルブチルカルボニル基、フェナシル
基、メチルフェナシル基、エチルフェナシル基、トリル
カルボニル基、プロピルフェナシル基、４−ｔ−ブチル
フェナシル基、ニトロベンジルカルボニル基、３−ブト
キシ−２−ナフトイル基、シンナモイル基などの炭素数
１〜１５のアシル基が挙げられる。

【００４６】式（１）中、Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴で示され
る置換または無置換のアルコキシカルボニル基の例とし
ては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有する
アルコキシカルボニル基であり、好ましくはメトキシカ
ルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカ
ルボニル基、ｉｓｏ−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブ
トキシカルボニル基、ｉｓｏ−ブトキシカルボニル基、
ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニ
ル基、ｎ−ペントキシカルボニル基、ｉｓｏ−ペントキ
シカルボニル基、ネオペントキシカルボニル基、２−ペ
ントキシカルボニル基、２−エチルヘキシルオキシカル
ボニル基、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシカル
ボニル基、デカリルオキシカルボニル基、シクロヘキシ
ルオキシカルボニル基などの炭素数２〜１１のアルコキ
シカルボニル基が挙げられる。

【００４７】式（１）中、Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴で示され
る置換または無置換のアラルキルオキシカルボニル基の
例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を
有するアラルキルオキシカルボニル基であり、好ましく
は、ベンジルオキシカルボニル基、ニトロベンジルオキ
シカルボニル基、シアノベンジルオキシカルボニル基、
ヒドロキシベンジルオキシカルボニル基、メチルベンジ
ルオキシカルボニル基、トリフルオロメチルベンジルオ
キシカルボニル基、ナフチルメトキシカルボニル基、ニ
トロナフチルメトキシカルボニル基、シアノナフチルメ
トキシカルボニル基、ヒドロキシナフチルメトキシカル
ボニル基、メチルナフチルメトキシカルボニル基、トリ
フルオロメチルナフチルメトキシカルボニル基、フルオ
レン−９−イルエトキシカルボニル基などの炭素数８〜
１６のアラルキルオキシカルボニル基等が挙げられる。

【００４８】式（１）中、Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴で示され
る置換または無置換のアリールオキシカルボニル基の例
としては、前記に挙げたアリール基と同様な置換基を有
するアリールオキシカルボニル基であり、好ましくは、
フェノキシカルボニル基、２−メチルフェノキシカルボ
ニル基、４−メチルフェノキシカルボニル基、４−ｔ−
ブチルフェノキシカルボニル基、２−メトキシフェノキ
シカルボニル基、４−ｉｓｏ−プロピルフェノキシカル
ボニル基、ナフトキシカルボニル基などの炭素数７〜１
１のアリールオキシカルボニル基が挙げられる。

【００４９】式（１）中、Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴で示され
る置換または無置換のアルケニルオキシカルボニル基の
例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を
有するアルケニルオキシカルボニル基であり、好ましく
は、ビニルオキシカルボニル基、プロペニルオキシカル
ボニル基、１−ブテニルオキシカルボニル基、ｉｓｏ−
ブテニルオキシカルボニル基、１−ペンテニルオキシカ
ルボニル基、２−ペンテニルオキシカルボニル基、２−
メチル−１−ブテニルオキシカルボニル基、３−メチル
−１−ブテニルオキシカルボニル基、２−メチル−２−
ブテニルオキシカルボニル基、２，２−ジシアノビニル
オキシカルボニル基、２−シアノ−２−メチルカルボキ
シルビニルオキシカルボニル基、２−シアノ−２−メチ
ルスルホンビニルオキシカルボニル基、スチリルオキシ
カルボニル基、４−フェニル−２−ブテニルオキシカル
ボニル基などの炭素数３〜１１のアルケニルオキシカル
ボニル基が挙げられる。

【００５０】式（１）中、Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴で示され
る置換または無置換のアルキルアミノカルボニル基の例
としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有
するアルキルアミノカルボニル基であり、好ましくは、
メチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル
基、プロピルアミノカルボニル基、ブチルアミノカルボ
ニル基、ペンチルアミノカルボニル基、ヘキシルアミノ
カルボニル基、ヘプチルアミノカルボニル基、オクチル
アミノカルボニル基、ノニルアミノカルボニル基、３，
５，５−トリメチルヘキシルアミノカルボニル基、２−
エチルヘキシルアミノカルボニル基等の炭素数２〜１０
のモノアルキルアミノカルボニル基；ジメチルアミノカ
ルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基、ジプロピル
アミノカルボニル基、ジブチルアミノカルボニル基、ジ
ペンチルアミノカルボニル基、ジヘキシルアミノカルボ
ニル基、ジヘプチルアミノカルボニル基、ジオクチルア
ミノカルボニル基、ピペリジノカルボニル基、モルホリ
ノカルボニル基、４−メチルピペラジノカルボニル基、
４−エチルピペラジノカルボニル基等の炭素数３〜２０
のジアルキルアミノカルボニル基が挙げられる。

【００５１】式（１）中、Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴で示され
る置換または無置換の複素環基の例としては、前記に挙
げたアルキル基と同様な置換基を有する複素環基であ
り、好ましくは、フラニル基、ピロリル基、３−ピロリ
ノ基、ピロリジノ基、１，３−オキソラニル基、ピラゾ
リル基、２−ピラゾリニル基、ピラゾリジニル基、イミ
ダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、１，２，
３−オキサジアゾリル基、１，２，３−トリアゾリル
基、１，２，４−トリアゾリル基、１，３，４−チアジ
アゾリル基、４Ｈ−ピラニル基、ピリジニル基、ピペリ
ジニル基、ジオキサニル基、モルホリニル基、ピリダジ
ニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピペラジニル
基、トリアジニル基、ベンゾフラニル基、インドーリル
基、チオナフセニル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾ
チアゾリル基、プリニル基、キノリニル基、イソキノリ
ニル基、クマリニル基、シンノリニル基、キノキサリニ
ル基、ジベンゾフラニル基、カルバゾリル基、フェナン
トロニリル基、フェノチアジニル基、フラボニル基など
の無置換複素環基、あるいは以下の置換基、即ち、

【００５２】フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素
原子、シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基、ブ
チル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチ
ル基、デシル基、メトキシメチル基、エトキシエチル
基、エトキシエチル基、トリフルオロメチル基等のアル
キル基；ベンジル基、フェネチル基などのアラルキル
基；フェニル基、トリル基、ナフチル基、キシリル基、
メシル基、クロロフェニル基、メトキシフェニル基等の
アリール基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、
ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチ
ルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシ
ルオキシ基、２−エチルヘキシル基、３，５，５−トリ
メチルヘキシルオキシ基等のアルコキシ基；ベンジルオ
キシ基、フェネチルオキシ基などのアラルキル基；フェ
ノキシ基、トリルオキシ基、ナフトキシ基、キシリルオ
キシ基、メシルオキシ基、クロロフェノキシ基、メトキ
シフェノキシ基等のアリールオキシ基；ビニル基、アリ
ル基、ブテニル基、ブタジエニル基、ペンテニル基、オ
クテニル基等のアルケニル基；ビニルオキシ基、アリル
オキシ基、ブテニルオキシ基、ブタジエニルオキシ基、
ペンテニルオキシ基、オクテニルオキシ基等のアルケニ
ルオキシ基；

【００５３】メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチ
オ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ
基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、デシルチオ基、
メトキシメチルチオ基、エトキシエチルチオ基、エトキ
シエチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等のアルキ
ルチオ基；ベンジルチオ基、フェネチルチオ基などのア
ラルキルチオ基；フェニルチオ基、トリルチオ基、ナフ
チルチオ基、キシリルチオ基、メシルチオ基、クロロフ
ェニルチオ基、メトキシフェニルチオ基等のアリールチ
オ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピ
ルアミノ基、ジブチルアミノ基等のジアルキルアミノ
基；アセチル基、プロピオニル基、ブタノイル基等のア
シル基；

【００５４】メトキシカルボニル基、エトキシカルボニ
ル基等のアルコキシカルボニル基；ベンジルオキシカル
ボニル基、フェネチルオキシカルボニル基等のアラルキ
ルオキシカルボニル基；フェノキシカルボニル基、トリ
ルオキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、キシ
リルオキシカルボニル基、メシルオキシカルボニル基、
クロロフェノキシカルボニル基、メトキシフェノキシカ
ルボニル基等のアリールオキシカルボニル基；ビニルオ
キシカルボニル基、アリルオキシカルボニル基、ブテニ
ルオキシカルボニル基、ブタジエニルオキシカルボニル
基、ペンテニルオキシカルボニル基、オクテニルオキシ
カルボニル基等のアルケニルオキシカルボニル基；メチ
ルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル基、プ
ロピルアミノカルボニル基、ブチルアミノカルボニル
基、ペンチルアミノカルボニル基、ヘキシルアミノカル
ボニル基、ヘプチルアミノカルボニル基、オクチルアミ
ノカルボニル基、ノニルアミノカルボニル基、３，５，
５−トリメチルヘキシルアミノカルボニル基、２−エチ
ルヘキシルアミノカルボニル基等の炭素数２〜１０のモ
ノアルキルアミノカルボニル基や、ジメチルアミノカル
ボニル基、ジエチルアミノカルボニル基、ジプロピルア
ミノカルボニル基、ジブチルアミノカルボニル基、ジペ
ンチルアミノカルボニル基、ジヘキシルアミノカルボニ
ル基、ジヘプチルアミノカルボニル基、ジオクチルアミ
ノカルボニル基、ピペリジノカルボニル基、モルホリノ
カルボニル基、４−メチルピペラジノカルボニル基、４
−エチルピペラジノカルボニル基等の炭素数３〜２０の
ジアルキルアミノカルボニル基等のアルキルアミノカル
ボニル基；

【００５５】フラニル基、ピロリル基、３−ピロリノ
基、ピロリジノ基、１，３−オキソラニル基、ピラゾリ
ル基、２−ピラゾリニル基、ピラゾリジニル基、イミダ
ゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、１，２，３
−オキサジアゾリル基、１，２，３−トリアゾリル基、
１，２，４−トリアゾリル基、１，３，４−チアジアゾ
リル基、４Ｈ−ピラニル基、ピリジニル基、ピペリジニ
ル基、ジオキサニル基、モルホリニル基、ピリダジニル
基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピペラジニル基、
トリアジニル基、ベンゾフラニル基、インドーリル基、
チオナフセニル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾチア
ゾリル基、プリニル基、キノリニル基、イソキノリニル
基、クマリニル基、シンノリニル基、キノキサリニル
基、ジベンゾフラニル基、カルバゾリル基、フェナント
ロニリル基、フェノチアジニル基、フラボニル基等の複
素環基；などの置換基により置換した複素環基が挙げら
れる。

【００５６】式（１）中、Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴で示され
る置換または無置換のアルキルスルホニル基の例として
は、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するア
ルキルスルホニル基であり、好ましくは、メチルスルホ
ニル基、エチルスルホニル基、ｎ−プロピルスルホニル
基、イソプロピルスルホニル基、ｎ−ブチル基スルホニ
ル基、イソブチルスルホニル基、ｔ−ブチルスルホニル
基、ｎ−ペンチルスルホニル基、イソアミルスルホニル
基、ｔ−アミルスルホニル基、シクロペンチルスルホニ
ル基、ｎ−ヘキシルスルホニル基、シクロヘキシルスル
ホニル基、ｎ−ヘプチルスルホニル基、ｎ−オクチルス
ルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、３，
５，５−トリメチルシクロヘキシルスルホニル基、ｎ−
ノニルスルホニル基、ｎ−デシルスルホニル基、デカリ
ルスルホニル基、アダマンチルスルホニル基、トリフル
オロメチルスルホニル基、などの炭素数１〜１０のアル
キルスルホニル基が挙げられる。

【００５７】式（１）中、Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴で示され
る置換または無置換のアリールスルホニル基の例として
は、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するア
リールスルホニル基であり、好ましくは、フェニルスル
ホニル基、トリルスルホニル基、キシリルスルホニル
基、イソプロピルフェニルスルホニル基、ｔ−ブチルフ
ェニルスルホニル基、フルオロフェニルスルホニル基、
クロロフェニルスルホニル基、トリフルオロメチルフェ
ニルスルホニル基などの炭素数６〜１０のアリールスル
ホニル基が挙げられる。

【００５８】式（１）中、Ｑ¹、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵、
Ｑ⁶、Ｑ⁷、Ｑ⁸で示される、ハロゲン原子；置換または
無置換のアルキル基；置換または無置換のアラルキル
基；置換または無置換のアリール基；置換または無置換
のアルコキシ基；置換または無置換のアラルキルオキシ
基；置換または無置換のアリールオキシ基；置換または
無置換のアルケニル基；置換または無置換のアルケニル
オキシ基；置換または無置換のアルキルチオ基；置換ま
たは無置換のアラルキルチオ基；置換または無置換のア
リールチオ基；置換または無置換のアルキルアミノ基；
置換または無置換のアラルキルアミノ基；置換または無
置換のアリールアミノ基；置換または無置換のアルケニ
ルアミノ基；置換または無置換のアシル基；置換または
無置換のアルコキシカルボニル基；置換または無置換の
アラルキルオキシカルボニル基；置換または無置換のア
リールオキシカルボニル基；置換または無置換のアルケ
ニルオキシカルボニル基；置換または無置換のアルキル
アミノカルボニル基；置換または無置換の複素環基；と
しては、式（１）中のＬ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴で示される、
ハロゲン原子；置換または無置換のアルキル基；置換ま
たは無置換のアラルキル基；置換または無置換のアリー
ル基；置換または無置換のアルコキシ基；置換または無
置換のアラルキルオキシ基；置換または無置換のアリー
ルオキシ基；置換または無置換のアルケニル基；置換ま
たは無置換のアルケニルオキシ基；置換または無置換の
アルキルチオ基；置換または無置換のアラルキルチオ
基；置換または無置換のアリールチオ基；置換または無
置換のアルキルアミノ基；置換または無置換のアラルキ
ルアミノ基；置換または無置換のアリールアミノ基；置
換または無置換のアルケニルアミノ基；置換または無置
換のアシル基；置換または無置換のアルコキシカルボニ
ル基；置換または無置換のアラルキルオキシカルボニル
基；置換または無置換のアリールオキシカルボニル基；
置換または無置換のアルケニルオキシカルボニル基；置
換または無置換のアルキルアミノカルボニル基；置換ま
たは無置換の複素環基；と同様の基が挙げられる。

【００５９】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²で示される、置換ま
たは無置換のアルキル基；置換または無置換のアラルキ
ル基；置換または無置換のアルケニル基；置換または無
置換のアリール基；置換または無置換のアルコキシカル
ボニル基；置換または無置換のアラルキルオキシカルボ
ニル基；置換または無置換のアリールオキシカルボニル
基；置換または無置換のアルケニルオキシカルボニル
基；としては、式（１）中のＬ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴で示さ
れる、置換または無置換のアルキル基；置換または無置
換のアラルキル基；置換または無置換のアルケニル基；
置換または無置換のアリール基；置換または無置換のア
ルコキシカルボニル基；置換または無置換のアラルキル
オキシカルボニル基；置換または無置換のアリールオキ
シカルボニル基；置換または無置換のアルケニルオキシ
カルボニル基；と同様の基が挙げられる。

【００６０】また、Ｒ¹とＲ²は互いに連結して下記のよ
うな環を形成しても良い。

【００６１】

【化３】 具体例としては、下記に示す炭素数４〜１３の環が挙げ
られる。

【００６２】

【化４】

【００６３】本発明の一般式（１）で示される化合物の
合成法としては、例えば、式（２）

【００６４】

【化５】

【００６５】〔式中のＲ¹、Ｒ²、Ｑ¹、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴、
Ｑ⁵、Ｑ⁶、Ｑ⁷、Ｑ⁸およびｎは、式（１）中のＲ¹、
Ｒ²、Ｑ¹、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵、Ｑ⁶、Ｑ⁷、Ｑ⁸および
ｎと同一の意を表す。〕で示されるカルボン酸を１，３
−ジメチルイミダゾリジン−２−オン、あるいは１−メ
チル−２−ピロリドンなどのアミド系溶媒中で、塩化チ
オニルなどを作用させて酸塩化物を形成した後に、式
（３）

【００６６】

【化６】

【００６７】〔式中のＬ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴およびＺは、
式（１）中のＬ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴およびＺと同一の意を
表す。〕で示されるアニリン誘導体と反応することで容
易に得ることができる。

【００６８】また、式（４）

【００６９】

【化７】

【００７０】〔式中のＱ¹、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵、Ｑ⁶、
Ｑ⁷、Ｑ⁸およびｎは、式（１）中のＱ ¹、Ｑ²、Ｑ³、
Ｑ⁴、Ｑ⁵、Ｑ⁶、Ｑ⁷、Ｑ⁸およびｎと同一の意を表
す。〕で示されるカルボン酸を１，３−ジメチルイミダ
ゾリジン−２−オン、あるいは１−メチル−２−ピロリ
ドンなどのアミド系溶媒中で、塩化チオニルなどを作用
させて酸塩化物を形成した後に、式（３）のアニリン誘
導体と反応して式（５）

【００７１】

【化８】

【００７２】〔式中のＱ¹、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵、Ｑ⁶、
Ｑ⁷、Ｑ⁸、Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴、Ｚおよびｎは、式
（１）中のＱ¹、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵、Ｑ⁶、Ｑ⁷、Ｑ⁸、
Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴、Ｚおよびｎと同一の意を表す。〕
で示される本発明記載のニトロ化合物を得ることがで
き、必要に応じて、水硫化ナトリウム、水素等の一般的
に用いられる還元剤を使用してニトロ基を還元して本発
明記載の式（６）

【００７３】

【化９】

【００７４】〔式中のＱ¹、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵、Ｑ⁶、
Ｑ⁷、Ｑ⁸、Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴、Ｚおよびｎは、式
（１）中のＱ¹、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵、Ｑ⁶、Ｑ⁷、Ｑ⁸、
Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴、Ｚおよびｎと同一の意を表す。〕
で示されるアミノ基を有する化合物を得、さらに式
（７）および／または式（８） Ｇ−Ｘ （７）， Ｇ’−Ｘ’ （８） 〔式中のＧおよびＧ’は、式（１）中のＲ¹、Ｒ²で示さ
れる置換または無置換のアルキル基、アラルキル基、ア
ルケニル基、アリール基、アルコキシカルボニル基、ア
ラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニ
ル基、アルケニルオキシカルボニル基と同一の基を表
し、ＸおよびＸ’は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子な
どのハロゲン原子を示す。〕で示される、有機ハロゲン
化合物を式（６）のアミノ基と反応することで、式
（１）の化合物を得ることができる。

【００７５】あるいは、式（６）のアミノ基を有する化
合物と、式（９） Ｘ”−Ｇ”−Ｘ''' （９） 〔式中のＧ”は、式（１）中のＲ¹、Ｒ²が互いに連結し
た基と同一の意を示し、Ｘ”およびＸ'''は塩素原子、
臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子を示す。〕示
される二価の有機ハロゲン化合物を反応させることで、
式（１０）

【００７６】

【化１０】

【００７７】〔式中のＱ¹、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵、Ｑ⁶、
Ｑ⁷、Ｑ⁸、Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴、Ｚおよびｎは、式
（１）中のＱ¹、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵、Ｑ⁶、Ｑ⁷、Ｑ⁸、
Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴、Ｚおよびｎと同一の意を表し、式
中のＧ”は、式（９）中のＧ”と同一の意を表す。〕で
示される、本発明記載の化合物を得ることができる。

【００７８】一般式（１）で示される化合物の具体例に
ついては、表１に記載する化合物（１−１）〜（１−１
２２）のものが挙げられる。

【００７９】

【表１】

【００８０】

【表２】

【００８１】

【表３】

【００８２】

【表４】

【００８３】

【表５】

【００８４】

【表６】

【００８５】

【表７】

【００８６】

【表８】

【００８７】

【表９】

【００８８】

【表１０】

【００８９】

【表１１】

【００９０】

【表１２】

【００９１】

【表１３】

【００９２】

【表１４】

【００９３】

【表１５】

【００９４】

【表１６】

【００９５】また、記録特性などの改善のために、波長
３５０ｎｍ〜５５０ｎｍに吸収極大を持ち、４００ｎｍ
〜５００ｎｍでの屈折率が大きい前記以外の化合物と混
合しても良い。具体的には、シアニン化合物、スクアリ
リウム系化合物、ナフトキノン系化合物、アントラキノ
ン系化合物、テトラピラポルフィラジン系化合物、イン
ドフェノール系化合物、ピリリウム系化合物、チオピリ
リウム系化合物、アズレニウム系化合物、トリフェニル
メタン系化合物、キサンテン系化合物、インダスレン系
化合物、インジゴ系化合物、チオインジゴ系化合物、メ
ロシアニン系化合物、チアジン系化合物、アクリジン系
化合物、オキサジン系化合物、ジピロメテン系化合物な
どがあり、複数の化合物の混合であっても良い。これら
の化合物の混合割合は、０．１〜３０％程度である。

【００９６】記録層を成膜する際に、必要に応じて前記
の化合物に、クエンチャー、化合物熱分解促進剤、紫外
線吸収剤、接着剤などを混合するか、あるいは、そのよ
うな効果を有する化合物を前記化合物の置換基として導
入することも可能である。

【００９７】クエンチャーの具体例としては、アセチル
アセトナート系、ビスジチオ−α−ジケトン系やビスフ
ェニルジチオール系などのビスジチオール系、チオカテ
コナール系、サリチルアルデヒドオキシム系、チオビス
フェノレート系などの金属錯体が好ましい。また、アミ
ン系も好適である。

【００９８】化合物熱分解促進剤としては、熱減量分析
（ＴＧ分析）などにより、化合物の熱分解の促進が確認
できるのもであれば特に限定されず、例えば、金属系ア
ンチノッキング剤、メタロセン化合物、アセチルアセト
ナト系金属錯体などの金属化合物が挙げられる。金属系
アンチノッキング剤の例としては、四エチル鉛、その他
の鉛系化合物、シマントレン[Mn(C₅H₅)(CO)₃]などのＭ
ｎ系化合物、また、メタロセン化合物の例としては、鉄
ビスシクロペンタジエニル錯体（フェロセン）をはじ
め、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｒｕ、
Ｒｈ、Ｚｒ、Ｌｕ、Ｔａ、Ｗ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｓｃ、Ｙな
どのビスシクロペンタジエニル錯体がある。なかでもフ
ェロセン、ルテノセン、オスモセン、ニッケロセン、チ
タノセンおよびそれらの誘導体は良好な熱分解促進効果
がある。

【００９９】その他、鉄系金属化合物として、メタロセ
ンの他に、ギ酸鉄、シュウ酸鉄、ラウリル酸鉄、ナフテ
ン酸鉄、ステアリン酸鉄、酢酸鉄などの有機酸鉄化合
物、アセチルアセトナート鉄錯体、フェナントロリン鉄
錯体、ビスピリジン鉄錯体、エチレンジアミン鉄錯体、
エチレンジアミン四酢酸鉄錯体、ジエチレントリアミン
鉄錯体、ジエチレングリコールジメチルエーテル鉄錯
体、ジホスフィノ鉄錯体、ジメチルグリオキシマート鉄
錯体などのキレート鉄錯体、カルボニル鉄錯体、シアノ
鉄錯体、アンミン鉄錯体などの鉄錯体、塩化第一鉄、塩
化第二鉄、臭化第一鉄、臭化第二鉄などのハロゲン化
鉄、あるいは、硝酸鉄、硫酸鉄などの無機鉄塩類、さら
には、酸化鉄などが挙げられる。ここで用いる熱分解促
進剤は有機溶剤に可溶で、かつ、耐湿熱性及び耐光性の
良好なものが望ましい。

【０１００】上述した各種のクエンチャー及び化合物熱
分解促進剤は、必要に応じて、１種類で用いても、他種
類を混合して用いても良い。

【０１０１】さらに、必要に応じて、バインダー、レベ
リング剤、消泡剤などの添加物質を加えても良い。好ま
しいバインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリ
ビニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロー
ス、ケトン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウ
レタン樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネー
ト、ポリオレフィンなどが挙げられる。

【０１０２】記録層を基板の上に成膜する際に、基板の
耐溶剤性や反射率、記録感度などを向上させるために、
基板の上に無機物やポリマーからなる層を設けても良
い。

【０１０３】ここで、記録層における一般式（１）で示
される化合物の含有量は、３０％以上、好ましくは６０
％以上である。尚、実質的に１００％であることも好ま
しい。

【０１０４】記録層を設ける方法は、例えば、スピンコ
ート法、スプレー法、キャスト法、浸漬法などの塗布
法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法などが挙げら
れるが、スピンコート法が簡便で好ましい。

【０１０５】スピンコート法などの塗布法を用いる場合
には、一般式（１）で示される化合物を１〜４０重量
％、好ましくは３〜３０重量％となるように溶媒に溶解
あるいは分散させた塗布液を用いるが、この際、溶媒は
基板にダメージを与えないものを選ぶことが好ましい。
例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコ
ール、オクタフルオロペンタノール、アリルアルコー
ル、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、テトラフル
オロプロパノールなどのアルコール系溶媒、ヘキサン、
ヘプタン、オクタン、デカン、シクロヘキサン、メチル
シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシク
ロヘキサンなどの脂肪族または脂環式炭化水素系溶媒、
トルエン、キシレン、ベンゼンなどの芳香族炭化水素系
溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、テトラクロロエタ
ン、ジブロモエタンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒、
ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソプロピル
エーテル、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、アセト
ン、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノンなどの
ケトン系溶媒、酢酸エチル、乳酸メチルなどのエステル
系溶媒、水などが挙げられる。これらは単独で用いても
良く、あるいは、複数混合しても良い。

【０１０６】なお、必要に応じて、記録層の化合物を高
分子薄膜などに分散して用いたりすることもできる。

【０１０７】また、基板にダメージを与えない溶媒を選
択できない場合は、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着
法などが有効である。

【０１０８】記録層の膜厚は、３０ｎｍ〜１０００ｎｍ
であるが、好ましくは５０ｎｍ〜３００ｎｍである。記
録層の膜厚を５０ｎｍより薄くすると、熱拡散が大きい
ため記録できないか、記録信号に歪が発生する上、信号
振幅が小さくなる場合がある。また、膜厚が３００ｎｍ
より厚い場合は反射率が低下し、再生信号特性が悪化す
る場合がある。

【０１０９】次に記録層の上に、好ましくは５０ｎｍ〜
３００ｎｍの厚さの反射層を形成する。反射率を高める
ためや密着性をよくするために、記録層と反射層の間に
反射増幅層や接着層を設けることができる。反射層の材
料としては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例
えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐ
ｔ、Ｔａ、ＣｒおよびＰｄの金属を単独あるいは合金に
して用いることが可能である。この中でもＡｕ、Ａｌ、
Ａｇは反射率が高く反射層の材料として適している。こ
れ以外でも下記のものを含んでいても良い。例えば、Ｍ
ｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属お
よび半金属を挙げることができる。また、Ａｕを主成分
とするものは反射率の高い反射層が容易に得られるため
好適である。ここで主成分というのは含有率が５０％以
上のものをいう。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈
折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層と
して用いることも可能である。

【０１１０】反射層を形成する方法としては、例えば、
スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真
空蒸着法などが挙げられる。また、基板の上や反射層の
下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上など
のために公知の無機系または有機系の中間層、接着層を
設けることもできる。

【０１１１】さらに、反射層の上に形成する保護層の材
料としては反射層を外力から保護するものであれば特に
限定しない。有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化
性樹脂、電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂などを挙
げることができる。また、無機物質としては、Ｓｉ
Ｏ₂、ＳｉＯ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＭｇＦ₂、ＡｌＮ、ＳｎＯ₂な
どが挙げられる。熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などは適
当な溶媒に溶解して塗布液を調製した後にこの塗布液を
塗布し、乾燥することによって形成することができる。
紫外線硬化性樹脂はそのままもしくは適当な溶媒に溶解
して塗布液を調製した後にこの塗布液を塗布し、紫外線
を照射して硬化させることによって形成することができ
る。紫外線硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアク
リレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリ
レートなどのアクリレート樹脂を用いることができる。
これらの材料は単独であるいは混合して用いても良く、
１層だけでなく多層膜にして用いても良い。

【０１１２】保護層の形成の方法としては、記録層と同
様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッ
タ法や化学蒸着法などの方法が用いられるが、この中で
もスピンコート法が好ましい。

【０１１３】保護層の膜厚は、一般には０．１μｍ〜１
００μｍの範囲であるが、本発明においては、３μｍ〜
３０μｍであり、より好ましくは、５μｍ〜２０μｍで
ある。

【０１１４】保護層の上にさらにレーベルなどの印刷を
行うこともできる。

【０１１５】また、反射層面に保護シートまたは基板を
貼り合せせる、あるいは反射層面相互を内側とし対向さ
せ、光記録媒体２枚を貼り合せせるなどの手段を用いて
も良い。

【０１１６】基板鏡面側に、表面保護やごみ等の付着防
止のために紫外線硬化性樹脂、無機系薄膜等を成膜して
も良い。

【０１１７】ここで、本発明で言う波長４００ｎｍ〜５
００ｎｍのレーザーは、特に制限はないが、例えば、可
視光領域の広範囲で波長選択のできる色素レーザーや波
長４４５ｎｍのヘリウムカドミウムレーザー、波長４８
８ｎｍのアルゴンレーザー、波長約４１０ｎｍのＧａＮ
系半導体レーザー、波長約８５０ｎｍの赤外線レーザー
の第２高調波４２５ｎｍを発振する半導体レーザーなど
が挙げられる。本発明では、これらから選択される１波
長または複数波長において高密度記録および再生が可能
となる。

【０１１８】

【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れによりなんら限定されるものではない。

【０１１９】実施例１ 一般式（１）で表される化合物のうち、化合物（１−
１）０．２ｇをジアセトンアルコール１０ｍｌに溶解
し、化合物溶液を調製した。

【０１２０】ポリカーボネート樹脂製で連続した案内溝
（トラックピッチ：０．７μｍ）を有する外径１２０ｍ
ｍ、厚さ０．６ｍｍの円盤状の基板上に、この化合物溶
液を回転数２０００ｒｐｍでスピンコートし、７０℃で
３時間乾燥して記録層を形成した。

【０１２１】この記録層の上に島津製作所製スパッタ装
置を用いてＡｕをスパッタし、厚さ１００ｎｍの反射層
を形成した。スパッタガスには、アルゴンガスを用い
た。スパッタ条件は、スパッタパワー０．５Ａ、スパッ
タガス圧１．０×１０^-3ｔｏｒｒで行った。

【０１２２】さらに、反射層の上に、紫外線硬化樹脂Ｓ
Ｄ−３０１（大日本インキ化学工業製）をスピンコート
した後、前記基板と同様な案内溝のない基板をのせ、紫
外線照射して基板を貼り合わせ、光記録媒体を作製し
た。

【０１２３】以上のようにして記録層が形成された光記
録媒体について、以下のようにピットの書き込みを行っ
た。

【０１２４】４３０ｎｍの青色高調波変換レーザーヘッ
ド（ＮＡ＝０．６５）を搭載したパルステック工業製光
ディスク評価装置（ＤＤＵ−１０００）及びＫＥＮＷＯ
ＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、最短ピットが０．
４μｍのＥＦＭ変調信号を、線速度５．６ｍ／ｓ、レー
ザーパワー１０ｍＷで記録した。記録後、同評価装置を
用いてレーザー出力を０．５ｍＷにして信号を再生し
た。なお、再生の際はイコライゼーション処理を施し
た。

【０１２５】反射率、エラーレート及びジッターを測定
した結果、反射率４５％、エラーレート１０ｃｐｓ、ジ
ッター９．６％であり、良好な値を示した。

【０１２６】また、この記録した媒体について、加速劣
化試験（湿度８５％ＲＨ、８０℃で１００時間）を行
い、試験後の反射率、エラーレート及びジッターを測定
した結果、初期値よりの反射率変化２％、エラーレート
変化１ｃｐｓ、ジッター変化０．６％と変化は小さく、
優れた耐久性を有することが確認された。

【０１２７】実施例２〜５ 記録層に化合物（１−２）〜（１−５）を用いること以
外は実施例１と同様にして光記録媒体を作製し、ピット
を書き込んで記録した後、信号再生を行った。いずれの
場合も、初期の反射率４０％以上、エラーレート１１ｃ
ｐｓ以下、ジッター１０％以下と良好な値を示した。

【０１２８】また、加速劣化試験後の反射率の変化は２
％以下、エラーレートの変化は２ｃｐｓ以下、ジッター
の変化は１％以下と小さく、優れた耐久性を有すること
が確認された。

【０１２９】表２に実施例１〜５における加速劣化試験
前後の反射率、エラーレート及びジッター値を示した。

【０１３０】

【表１７】

【０１３１】実施例６〜２６ 記録層に化合物（１−６）〜（１−２６）を用いること
以外は実施例１と同様にして光記録媒体を作製し、ピッ
トを書き込んで記録した後、信号再生を行った。いずれ
の場合も、反射率４０％以上、エラーレート１１ｃｐｓ
以下、ジッター１０％以下と良好な値を示した。

【０１３２】また、加速劣化試験後の反射率の変化は２
％以下、エラーレートの変化は２ｃｐｓ以下、ジッター
の変化は１％以下と小さく、優れた耐久性を有すること
が確認された。

【０１３３】実施例２７〜３１ 記録層にベンゾオキサゾール化合物(1-27)〜(1-31)を用
いること以外は実施例１と同様にして光記録媒体を作製
し、ピットを書き込んで記録した後、信号再生を行っ
た。その結果、反射率４０％以上、エラーレート１１ｃ
ｐｓ以下、ジッター１０％以下と良好な値を示した。

【０１３４】また実施例１と同様に加速劣化試験を行っ
た結果、初期値よりの反射率変化２％以下、エラーレー
ト変化２ｃｐｓ以下、ジッター変化１％以下と小さく、
優れた耐久性を有することが確認された。

【０１３５】表３に実施例２７〜３１における加速劣化
試験前後の反射率、エラーレート及びジッター値を示し
た。

【０１３６】

【表１８】

【０１３７】実施例３２〜６１ 記録層に化合物（１−３２）〜（１−６１）を用いるこ
と以外は実施例１と同様にして光記録媒体を作製し、ピ
ットを書き込んで記録した後、信号再生を行った。いず
れの場合も、反射率４０％以上、エラーレート１１ｃｐ
ｓ以下、ジッター１０％以下と良好な値を示した。

【０１３８】また、加速劣化試験後の反射率の変化は２
％以下、エラーレートの変化は２ｃｐｓ以下、ジッター
の変化は１％以下と小さく、優れた耐久性を有すること
が確認された。

【０１３９】実施例６２〜６６ 記録層にベンゾチアゾール化合物（１−６２）〜（１−
６６）を用いること以外は実施例１と同様にして光記録
媒体を作製し、ピットを書き込んで記録した後、信号再
生を行った。その結果、反射率４０％以上、エラーレー
ト１１ｃｐｓ以下、ジッター１０％以下と良好な値を示
した。

【０１４０】また実施例１と同様に加速劣化試験を行っ
た結果、初期値よりの反射率変化２％以下、エラーレー
ト変化２ｃｐｓ以下、ジッター変化１％以下と小さく、
優れた耐久性を有することが確認された。

【０１４１】表４に実施例６２〜６６における加速劣化
試験前後の反射率、エラーレート及びジッター値を示し
た。

【０１４２】

【表１９】

【０１４３】実施例６７〜９２ 記録層に化合物（１−６７）〜（１−９２）を用いるこ
と以外は実施例１と同様にして光記録媒体を作製し、ピ
ットを書き込んで記録した後、信号再生を行った。いず
れの場合も、反射率４０％以上、エラーレート１１ｃｐ
ｓ以下、ジッター１０％以下と良好な値を示した。

【０１４４】また、加速劣化試験後の反射率の変化は２
％以下、エラーレートの変化は２ｃｐｓ以下、ジッター
の変化は１％以下と小さく、優れた耐久性を有すること
が確認された。

【０１４５】実施例９３〜９７ 記録層にベンゾチアゾール化合物（１−９３）〜（１−
９７）を用いること以外は実施例１と同様にして光記録
媒体を作製し、ピットを書き込んで記録した後、信号再
生を行った。その結果、反射率４０％以上、エラーレー
ト１１ｃｐｓ以下、ジッター１０％以下と良好な値を示
した。

【０１４６】また実施例１と同様に加速劣化試験を行っ
た結果、初期値よりの反射率変化２％以下、エラーレー
ト変化２ｃｐｓ以下、ジッター変化１％以下と小さく、
優れた耐久性を有することが確認された。

【０１４７】表５に実施例９３〜９７における加速劣化
試験前後の反射率、エラーレート及びジッター値を示し
た。

【０１４８】

【表２０】

【０１４９】実施例９８〜１２２ 記録層に化合物（１−９８）〜（１−１２２）を用いる
こと以外は実施例１と同様にして光記録媒体を作製し、
ピットを書き込んで記録した後、信号再生を行った。い
ずれの場合も、反射率４０％以上、エラーレート１１ｃ
ｐｓ以下、ジッター１０％以下と良好な値を示した。

【０１５０】また、加速劣化試験後の反射率の変化は２
％以下、エラーレートの変化は２ｃｐｓ以下、ジッター
の変化は１％以下と小さく、優れた耐久性を有すること
が確認された。

【０１５１】実施例１２３ 実施例（１）で用いた化合物（１−１）０．２ｇの代わ
りに、化合物（１−２６）０．０５ｇ、化合物（１−３
６）０．０５ｇ、化合物（１−８６）０．０５ｇおよび
化合物（１−１００）０．０５ｇを用いた以外は実施例
１と同様にして光記録媒体を作製し、ピットを書き込ん
で記録した後、信号再生を行った。その結果、反射率４
７％、エラーレート９ｃｐｓ、ジッター９．２％と良好
な値を示した。

【０１５２】また、加速劣化試験後の反射率の変化は２
％、エラーレートの変化は１ｃｐｓ、ジッターの変化は
０．４％と小さく、優れた耐久性を有することが確認さ
れた。

【０１５３】実施例１２４ 実施例（１）で用いた化合物（１−１）０．２ｇの代わ
りに、化合物(1-36)０．１ｇおよび（１−６３）０．１
ｇを用いること以外は実施例１と同様にして光記録媒体
を作製し、ピットを書き込んで記録した後、信号再生を
行った。その結果、反射率４７％、エラーレート９ｃｐ
ｓ、ジッター９．２％と良好な値を示した。

【０１５４】また、加速劣化試験後の反射率の変化は１
％、エラーレートの変化は１ｃｐｓ、ジッターの変化は
０．４％と小さく、優れた耐久性を有することが確認さ
れた。

【０１５５】実施例１〜１２４に記載されるように、本
発明の光記録媒体は、いずれも高反射率を有し、記録特
性および耐久性に優れている。

【０１５６】このことから、本発明で規定する構造の化
合物を含有する記録層は、青色レーザーによる信号記録
が可能であり、本発明の光記録媒体は青色レーザーを記
録再生に用いる光記録媒体に用いることができる。

【０１５７】

【発明の効果】本発明によれば、一般式（１）で示され
る化合物を記録層として用いることにより、高密度光記
録媒体として非常に注目されている波長４００ｎｍ〜５
００ｎｍのレーザーで記録および再生が可能な追記型光
記録媒体を提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る光記録媒体の層構成の一例を示す
断面構造図である。

【図２】本発明に係る光記録媒体の層構成の一例を示す
断面構造図である。

【符号の説明】

１：基板 ２：記録層 ３：反射層 ４：保護層 ５：接着層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 塚原 宇 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 (72)発明者 西本 泰三 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 (72)発明者 三沢 伝美 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 (72)発明者 詫摩 啓輔 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 Ｆターム(参考） 2H111 EA03 EA12 EA22 EA25 EA32 EA43 FA01 FA12 FB42 4C063 AA03 BB09 CC75 DD52 DD62 EE10 5D029 JA04 JB47 JC02 JC17

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に少なくとも記録層および反射層
   を有する光記録媒体において、記録層中に一般式（１）
   で示される化合物を含有する光記録媒体。 【化１】 〔式中、Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴はそれぞれ独立に、水素原
   子、ハロゲン原子、シアノ基、置換または無置換のアル
   キル基、アラルキル基、アリール基、アルコキシ基、ア
   ラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニル基、
   アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ
   基、アリールチオ基、アルキルアミノ基、アラルキルア
   ミノ基、アリールアミノ基、アルケニルアミノ基、アシ
   ル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカル
   ボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオ
   キシカルボニル基、アルキルアミノカルボニル基、複素
   環基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基を
   表し、Ｑ¹、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵、Ｑ⁶、Ｑ⁷、Ｑ⁸はそれ
   ぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換
   または無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール
   基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキ
   シ基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アルキルチ
   オ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルア
   ミノ基、アラルキルアミノ基、アリールアミノ基、アル
   ケニルアミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、
   アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボ
   ニル基、アルケニルオキシカルボニル基、アルキルアミ
   ノカルボニル基、複素環基を表し、Ｒ¹、Ｒ²はそれぞれ
   独立に水素原子、酸素原子、置換または無置換のアルキ
   ル基、アラルキル基、アルケニル基、アリール基、アル
   コキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、
   アリールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボ
   ニル基を表し、Ｒ¹とＲ²は互いに連結して環を形成して
   も良い。また、Ｚは酸素原子または硫黄原子を表し、ｎ
   は０または１を表す。〕
2. 【請求項２】 波長４００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲から
   選択されるレーザー光に対して記録および再生が可能で
   ある請求項１の光記録媒体。