JP2000144407A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
- Publication number
- JP2000144407A JP2000144407A JP10316617A JP31661798A JP2000144407A JP 2000144407 A JP2000144407 A JP 2000144407A JP 10316617 A JP10316617 A JP 10316617A JP 31661798 A JP31661798 A JP 31661798A JP 2000144407 A JP2000144407 A JP 2000144407A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- deposition
- sputtering apparatus
- cathode
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 スパッタリングにより飛散した粒子がチャン
バの内壁へ付着することを防止できると共に、防着部材
に堆積した粒子の絶縁破壊を防止することができ、更
に、チャンバ内での不要なプラズマ放電を防止すること
ができるスパッタリング装置を提供する。 【解決手段】 チャンバ２と、前記チャンバ２内に相互
に対向して配置されたアノード５及びカソード３と、前
記チャンバ２内に前記アノード５とカソード２との間の
放電領域を取り囲んで配置されたフローティング電位の
内側防着部材８と、前記チャンバ２内における前記内側
防着部材８の外側に配置された前記チャンバ２と同電位
の外側防着部材７と、を有する。
バの内壁へ付着することを防止できると共に、防着部材
に堆積した粒子の絶縁破壊を防止することができ、更
に、チャンバ内での不要なプラズマ放電を防止すること
ができるスパッタリング装置を提供する。 【解決手段】 チャンバ２と、前記チャンバ２内に相互
に対向して配置されたアノード５及びカソード３と、前
記チャンバ２内に前記アノード５とカソード２との間の
放電領域を取り囲んで配置されたフローティング電位の
内側防着部材８と、前記チャンバ２内における前記内側
防着部材８の外側に配置された前記チャンバ２と同電位
の外側防着部材７と、を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に種々の膜
を形成するスパッタリング装置に関し、特に、ごみ及び
パーティクルの発生を防止すると共に、異常放電の発生
を防止するスパッタリング装置に関する。
を形成するスパッタリング装置に関し、特に、ごみ及び
パーティクルの発生を防止すると共に、異常放電の発生
を防止するスパッタリング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、スパッタリング装置は、図２及び
図３に示す構造の装置が知られている。図２に示すよう
に、従来のスパッタリング装置１００は、チャンバ１０
１にカソード１０２及びアノード１０４が対向して配置
されている。カソード１０２には、ターゲット１０３が
設けられている。アノード１０４には、基板１０５が取
付けられている。チャンバ１０１の内壁には防着部材１
０６が沿うように取付けられている。防着部材１０６は
アース電位にあるチャンバ１０１の内壁にボルト等の固
定手段を使用して取付けられているために、チャンバ１
０１と同様なアース電位となる。
図３に示す構造の装置が知られている。図２に示すよう
に、従来のスパッタリング装置１００は、チャンバ１０
１にカソード１０２及びアノード１０４が対向して配置
されている。カソード１０２には、ターゲット１０３が
設けられている。アノード１０４には、基板１０５が取
付けられている。チャンバ１０１の内壁には防着部材１
０６が沿うように取付けられている。防着部材１０６は
アース電位にあるチャンバ１０１の内壁にボルト等の固
定手段を使用して取付けられているために、チャンバ１
０１と同様なアース電位となる。
【０００３】一方、図３に示すように、従来の他のスパ
ッタリング装置１００は、チャンバ１０１にカソード１
０２及びアノード１０４が対向して配置されている。カ
ソード１０１には、ターゲット１０３が設けられてい
る。アノード１０４には、基板１０５が取付けられてい
る。防着部材１０６は、カソード１０１及びアノード１
０４を取り囲むようにチャンバ１０１に接する箇所に碍
子１０７を介して配置されている。この防着部材１０６
は電位をアース電位及びアース電位とは異なり、帯電さ
れるとその帯電位にチャージされるフローティング電位
を選択的に設定することができる。
ッタリング装置１００は、チャンバ１０１にカソード１
０２及びアノード１０４が対向して配置されている。カ
ソード１０１には、ターゲット１０３が設けられてい
る。アノード１０４には、基板１０５が取付けられてい
る。防着部材１０６は、カソード１０１及びアノード１
０４を取り囲むようにチャンバ１０１に接する箇所に碍
子１０７を介して配置されている。この防着部材１０６
は電位をアース電位及びアース電位とは異なり、帯電さ
れるとその帯電位にチャージされるフローティング電位
を選択的に設定することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図２に示す従
来のスパッタリング装置１００は、防着部材１０６がチ
ャンバ１０１の内壁に貼り付けられる構造である。この
ため防着部材１０６はチャンバ１０１の内壁形状にする
必要が生じ、チャンバ１０１の内壁形状に左右され、構
造が複雑になり、部品点数が多くなる。これにより、メ
ンテナンス時間及びコストが掛かるという問題点があっ
た。更に、スパッタ粒子の被膜面積が大きいため、この
防着部材１０１からの再飛散によるゴミ及びパーティク
ルの発生量も多くなるという問題点もある。
来のスパッタリング装置１００は、防着部材１０６がチ
ャンバ１０１の内壁に貼り付けられる構造である。この
ため防着部材１０６はチャンバ１０１の内壁形状にする
必要が生じ、チャンバ１０１の内壁形状に左右され、構
造が複雑になり、部品点数が多くなる。これにより、メ
ンテナンス時間及びコストが掛かるという問題点があっ
た。更に、スパッタ粒子の被膜面積が大きいため、この
防着部材１０１からの再飛散によるゴミ及びパーティク
ルの発生量も多くなるという問題点もある。
【０００５】一方、図３に示す従来の他のスパッタリン
グ装置１００は、防着部材１０６の位置がターゲット１
０３に近くなる分だけ被膜面積は小さくなるが、防着部
材１０６の単位面積当たりに付着する膜厚は図２に示す
スパッタリング装置１００と比較して増加する。また、
防着部材１０６の電位がアース電位の場合には、例え
ば、スパッタリング材料として絶縁材料を使用する場合
には、防着部材１０６に付着したスパッタ粒子（絶縁
膜）は、プラズマの影響を受け次第に電荷を帯びてき
て、材料によって異なるもののある程度以上電荷が溜ま
ると絶縁破壊を生じて防着部材１０６を通じてアースに
流れていく。この絶縁破壊が生じた場合に、異常放電が
発生する。最悪の場合には、ターゲット１０３に対して
割れ、欠けを引き起こす原因となると共に、ゴミを発生
させる原因にもなるという問題点がある。
グ装置１００は、防着部材１０６の位置がターゲット１
０３に近くなる分だけ被膜面積は小さくなるが、防着部
材１０６の単位面積当たりに付着する膜厚は図２に示す
スパッタリング装置１００と比較して増加する。また、
防着部材１０６の電位がアース電位の場合には、例え
ば、スパッタリング材料として絶縁材料を使用する場合
には、防着部材１０６に付着したスパッタ粒子（絶縁
膜）は、プラズマの影響を受け次第に電荷を帯びてき
て、材料によって異なるもののある程度以上電荷が溜ま
ると絶縁破壊を生じて防着部材１０６を通じてアースに
流れていく。この絶縁破壊が生じた場合に、異常放電が
発生する。最悪の場合には、ターゲット１０３に対して
割れ、欠けを引き起こす原因となると共に、ゴミを発生
させる原因にもなるという問題点がある。
【０００６】また、図３に示す従来の他のスパッタリン
グ装置１００において、防着部材１０６の電位がフロー
ティング電位の場合には、防着部材１０６に付着した絶
縁膜の絶縁破壊という現象は防げるものの、カソード１
０２に印加されたＲＦ成分がプラズマ空間を通して防着
部材１０６にも印加され、その結果として、防着部材１
０６とチャンバ１０１との間でプラズマ放電が生じてし
まうことがある。この現象は、カソード１０２への印加
電力量及び防着部材１０６へのスパッタ粒子の付着量に
より発生する。このため、プラズマ放電の発生を予測す
ることは不可能であり、プラズマ放電の発生は不確定で
ある。更に、チャンバ１０１内領域での不要なプラズマ
放電は、印加されたプラズマ放電の電力をロスすること
になり、半導体製造プロセスが不安定なものになってし
まうという問題点もある。
グ装置１００において、防着部材１０６の電位がフロー
ティング電位の場合には、防着部材１０６に付着した絶
縁膜の絶縁破壊という現象は防げるものの、カソード１
０２に印加されたＲＦ成分がプラズマ空間を通して防着
部材１０６にも印加され、その結果として、防着部材１
０６とチャンバ１０１との間でプラズマ放電が生じてし
まうことがある。この現象は、カソード１０２への印加
電力量及び防着部材１０６へのスパッタ粒子の付着量に
より発生する。このため、プラズマ放電の発生を予測す
ることは不可能であり、プラズマ放電の発生は不確定で
ある。更に、チャンバ１０１内領域での不要なプラズマ
放電は、印加されたプラズマ放電の電力をロスすること
になり、半導体製造プロセスが不安定なものになってし
まうという問題点もある。
【０００７】上述の理由により、防着部材１０６の付着
膜の絶縁破壊を防止しつつ、チャンバ１０１内領域での
不要なプラズマ放電が生じない構造を持つスパッタリン
グ装置１００が必要であるという要望が強くある。
膜の絶縁破壊を防止しつつ、チャンバ１０１内領域での
不要なプラズマ放電が生じない構造を持つスパッタリン
グ装置１００が必要であるという要望が強くある。
【０００８】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、スパッタリングにより飛散した粒子がチャ
ンバの内壁へ付着することを防止できると共に、防着部
材に堆積した粒子の絶縁破壊を防止することができ、更
に、チャンバ内での不要なプラズマ放電を防止すること
ができるスパッタリング装置を提供することを目的とす
る。
のであって、スパッタリングにより飛散した粒子がチャ
ンバの内壁へ付着することを防止できると共に、防着部
材に堆積した粒子の絶縁破壊を防止することができ、更
に、チャンバ内での不要なプラズマ放電を防止すること
ができるスパッタリング装置を提供することを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係るスパッタリ
ング装置は、チャンバと、前記チャンバ内に相互に対向
して配置されたアノード及びカソードと、前記チャンバ
内に前記アノードとカソードとの間の放電領域を取り囲
んで配置されたフローティング電位の内側防着部材と、
前記チャンバ内における前記内側防着部材の外側に配置
された前記チャンバと同電位の外側防着部材と、を有す
ることを特徴とする。
ング装置は、チャンバと、前記チャンバ内に相互に対向
して配置されたアノード及びカソードと、前記チャンバ
内に前記アノードとカソードとの間の放電領域を取り囲
んで配置されたフローティング電位の内側防着部材と、
前記チャンバ内における前記内側防着部材の外側に配置
された前記チャンバと同電位の外側防着部材と、を有す
ることを特徴とする。
【００１０】本発明においては、前記内側防着部材は、
碍子を介して前記チャンバに固定されていると共に、前
記外側防着部材は、チャンバに直接接触して固定されて
いることが好ましい。
碍子を介して前記チャンバに固定されていると共に、前
記外側防着部材は、チャンバに直接接触して固定されて
いることが好ましい。
【００１１】また、本発明においては、外側防着部材
は、導電材料で形成することができ、内側防着部材は碍
子を介してチャンバに固定されているときは、導電材料
で形成することができる。また、前記内側防着部材を絶
縁材料で形成するときは、前記碍子を省略できる。
は、導電材料で形成することができ、内側防着部材は碍
子を介してチャンバに固定されているときは、導電材料
で形成することができる。また、前記内側防着部材を絶
縁材料で形成するときは、前記碍子を省略できる。
【００１２】更に、本発明においては、前記内側防着部
材と前記外側防着部材とは、１乃至４ｍｍの間隔をあけ
て配置されていることが好ましい。
材と前記外側防着部材とは、１乃至４ｍｍの間隔をあけ
て配置されていることが好ましい。
【００１３】更にまた、本発明においては、前記内側防
着部材の内側には、更にフローティング電位の１又は複
数の防着部材が配置されている構成とすることができ
る。
着部材の内側には、更にフローティング電位の１又は複
数の防着部材が配置されている構成とすることができ
る。
【００１４】本発明においては、チャンバ内にフローテ
ィング電位の内側防着部材と、チャンバと同電位の外側
防着部材を配置することにより、スパッタリングにより
飛散した粒子は、内部防着部材に付着し、外側防着部材
が帯電してもチャンバと同電位になる。このことによ
り、スパッタリングにより飛散した粒子がチャンバの内
壁へ付着することを防止し、粒子の堆積による防着部材
の絶縁破壊を防止すると共に、チャンバ内での不要なプ
ラズマ放電を防止することができる。
ィング電位の内側防着部材と、チャンバと同電位の外側
防着部材を配置することにより、スパッタリングにより
飛散した粒子は、内部防着部材に付着し、外側防着部材
が帯電してもチャンバと同電位になる。このことによ
り、スパッタリングにより飛散した粒子がチャンバの内
壁へ付着することを防止し、粒子の堆積による防着部材
の絶縁破壊を防止すると共に、チャンバ内での不要なプ
ラズマ放電を防止することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例に係るスパ
ッタリング装置について、添付の図面を参照して具体的
に説明する。図１は、本発明の実施例に係るスパッタリ
ング装置の断面図である。
ッタリング装置について、添付の図面を参照して具体的
に説明する。図１は、本発明の実施例に係るスパッタリ
ング装置の断面図である。
【００１６】本実施例のスパッタリング装置１におい
て、チャンバ２内には中心部にカソード３及びアノード
４が相互に対向して配置されている。カソード２にはス
パッタリングをするためのターゲット４が装着され、ア
ノード５の上には、成膜される基板６が設置されてい
る。チャンバ２内には、アノードとカソードとの間の放
電領域を全周囲に亘り取り囲むようにして、例えば、導
電材料であるステンレスからなる円筒状の２枚の防着部
材７、８が同心的に配置されている。これらの防着部材
７、８のうち、チャンバ２の中心部に近い位置に配置さ
れている内側防着部材８は、碍子９を介してチャンバ２
に固定されている。この内側防着部材８の外側には、外
側防着部材７がチャンバ２に直接接触するように固定さ
れている。また、内側防着部材８と外側防着部材７との
間は、互いにどの部分も接触しないように例えば、１乃
至４ｍｍの間隔をあけて配置されている。即ち、外側防
着部材７はチャンバ２に直接接触するように配置され
て、チャンバと同電位に保持され、内側防着部材８は絶
縁物である碍子を介して固定されて、フローティング電
位に保持されている。なお、チャンバ２は、ＧＮＤ電位
にされている。
て、チャンバ２内には中心部にカソード３及びアノード
４が相互に対向して配置されている。カソード２にはス
パッタリングをするためのターゲット４が装着され、ア
ノード５の上には、成膜される基板６が設置されてい
る。チャンバ２内には、アノードとカソードとの間の放
電領域を全周囲に亘り取り囲むようにして、例えば、導
電材料であるステンレスからなる円筒状の２枚の防着部
材７、８が同心的に配置されている。これらの防着部材
７、８のうち、チャンバ２の中心部に近い位置に配置さ
れている内側防着部材８は、碍子９を介してチャンバ２
に固定されている。この内側防着部材８の外側には、外
側防着部材７がチャンバ２に直接接触するように固定さ
れている。また、内側防着部材８と外側防着部材７との
間は、互いにどの部分も接触しないように例えば、１乃
至４ｍｍの間隔をあけて配置されている。即ち、外側防
着部材７はチャンバ２に直接接触するように配置され
て、チャンバと同電位に保持され、内側防着部材８は絶
縁物である碍子を介して固定されて、フローティング電
位に保持されている。なお、チャンバ２は、ＧＮＤ電位
にされている。
【００１７】次に、本発明の実施例の動作について図１
を参照して説明する。図１に示すようにアノード４の上
に基板５をセットし、チャンバ２内にスパッタリング用
ガス、例えば、Ａｒ等をガス導入口（図示せず）より導
入する。なお、ここでガス流量及びプロセス圧力は別系
統（図示せず）により制御するものとする。
を参照して説明する。図１に示すようにアノード４の上
に基板５をセットし、チャンバ２内にスパッタリング用
ガス、例えば、Ａｒ等をガス導入口（図示せず）より導
入する。なお、ここでガス流量及びプロセス圧力は別系
統（図示せず）により制御するものとする。
【００１８】次に、カソード３にプラズマ放電用電力を
投入する。このプラズマ放電用電力は、チャンバ２とは
別に設置された電源から印加するものである。例えば、
ＲＦスパッタリングを行なう場合には、高周波電源を使
用して印加する。
投入する。このプラズマ放電用電力は、チャンバ２とは
別に設置された電源から印加するものである。例えば、
ＲＦスパッタリングを行なう場合には、高周波電源を使
用して印加する。
【００１９】次に、スパッタリング用ガスを導入し、プ
ラズマ放電用電力を印加した状態で、通常の半導体製造
装置で用いられる放電トリガーをオンにする。そして、
プラズマ放電を開始する。このプラズマ中で励起された
ガスのイオン、例えばＡｒイオンがカソード３に取り付
けられたターゲット４に照射され、スパッタ粒子がター
ゲット４から放射される。このスパッタ粒子はアノード
５上の基板６及び内側防着部材８を被膜する。このスパ
ッタリング装置１においてはプラズマ放電領域は全て内
側防着部材８で囲われているため、スパッタ粒子が被膜
するのは内側防着部材８のみであり外側防着部材７は被
膜されない。
ラズマ放電用電力を印加した状態で、通常の半導体製造
装置で用いられる放電トリガーをオンにする。そして、
プラズマ放電を開始する。このプラズマ中で励起された
ガスのイオン、例えばＡｒイオンがカソード３に取り付
けられたターゲット４に照射され、スパッタ粒子がター
ゲット４から放射される。このスパッタ粒子はアノード
５上の基板６及び内側防着部材８を被膜する。このスパ
ッタリング装置１においてはプラズマ放電領域は全て内
側防着部材８で囲われているため、スパッタ粒子が被膜
するのは内側防着部材８のみであり外側防着部材７は被
膜されない。
【００２０】スパッタ粒子が内側防着部材８に付着した
場合に、スパッタ粒子がプラズマの影響を受け次第に電
荷を帯びて、ある程度以上電荷が溜まっても絶縁破壊を
生じることはない。また、カソード３に印加されたＲＦ
成分は外側防着部材７を通じてグランドに流れていく、
このため、外側防着部材７とチャンバ２は同電位に保た
れる。このことにより、防着部材とチャンバ２又は内側
防着部材８と外側防着部材７との間でプラズマ放電が生
じることはない。そして、この工程は被膜された膜が所
望の膜厚になり次第プラズマ放電電力をオフにして終了
する。
場合に、スパッタ粒子がプラズマの影響を受け次第に電
荷を帯びて、ある程度以上電荷が溜まっても絶縁破壊を
生じることはない。また、カソード３に印加されたＲＦ
成分は外側防着部材７を通じてグランドに流れていく、
このため、外側防着部材７とチャンバ２は同電位に保た
れる。このことにより、防着部材とチャンバ２又は内側
防着部材８と外側防着部材７との間でプラズマ放電が生
じることはない。そして、この工程は被膜された膜が所
望の膜厚になり次第プラズマ放電電力をオフにして終了
する。
【００２１】本実施例においては、内側防着部材７は、
チャンバ２と碍子９を介して固定しているため電位をフ
ローティング電位に保持することができる。このため、
内側防着部材８に付着したスパッタ粒子に電荷がチャー
ジされても絶縁破壊することがない。従って、ゴミ又は
パーティクルの発生を防止することができると共に、絶
縁破壊の場合に生じるアーキング等の異常放電も防止す
ることができる。
チャンバ２と碍子９を介して固定しているため電位をフ
ローティング電位に保持することができる。このため、
内側防着部材８に付着したスパッタ粒子に電荷がチャー
ジされても絶縁破壊することがない。従って、ゴミ又は
パーティクルの発生を防止することができると共に、絶
縁破壊の場合に生じるアーキング等の異常放電も防止す
ることができる。
【００２２】また、本実施例においては、被膜種類によ
ってはスパッタリング用ガスの他に反応性ガス等の添加
ガスを同時に加えることができる。また、印加する電源
は、目的に応じ変更することができ、例えば、ＤＣスパ
ッタリングを行なう場合には、ＤＣ電源を使用すること
ができる。更に、これら電源は単独で使用するのみでは
なく組み合わせて使用することも可能である。
ってはスパッタリング用ガスの他に反応性ガス等の添加
ガスを同時に加えることができる。また、印加する電源
は、目的に応じ変更することができ、例えば、ＤＣスパ
ッタリングを行なう場合には、ＤＣ電源を使用すること
ができる。更に、これら電源は単独で使用するのみでは
なく組み合わせて使用することも可能である。
【００２３】更に、本実施例おいては、外側防着部材７
はチャンバ２と同電位、即ち、アース電位にあるため、
防着部材とチャンバ２の内壁との間で異常放電を引き起
こすことがない。内側防着部材８と外側防着部材７との
間には、間隔が設けられているためにプラズマ放電が生
じない。この間隔は、プロセス圧力及び印加電力により
多少異なるが、通常のスパッタリング装置で使用する条
件範囲では１乃至４ｍｍである。更に、内側防着部材８
に、ステンレス材等の導電材料を使用したが、特にこれ
に限定されるものではなく、例えば、石英又はセラミッ
クス等のフローティング電位を保つのに適した絶縁材料
を使用することができる。このフローティング電位を保
つのに適した絶縁材料で内側防着部材８を形成すること
により、碍子９を使用することなく、チャンバ２に取付
けることができる。
はチャンバ２と同電位、即ち、アース電位にあるため、
防着部材とチャンバ２の内壁との間で異常放電を引き起
こすことがない。内側防着部材８と外側防着部材７との
間には、間隔が設けられているためにプラズマ放電が生
じない。この間隔は、プロセス圧力及び印加電力により
多少異なるが、通常のスパッタリング装置で使用する条
件範囲では１乃至４ｍｍである。更に、内側防着部材８
に、ステンレス材等の導電材料を使用したが、特にこれ
に限定されるものではなく、例えば、石英又はセラミッ
クス等のフローティング電位を保つのに適した絶縁材料
を使用することができる。このフローティング電位を保
つのに適した絶縁材料で内側防着部材８を形成すること
により、碍子９を使用することなく、チャンバ２に取付
けることができる。
【００２４】更にまた、本実施例においては、内側防着
部材８と外側防着部材７との２枚の防着部材を２重に設
ける構成としたが、特にこれに限定されるものではな
く、任意の数の防着部材を設ける構成にすることができ
る。例えば、内側防着部材８の内側のターゲット近傍等
の電荷が溜まりやすい部分に、更にフローティング電位
とした防着部材を配置して、防着部材を３枚設ける構成
にすることもできる。このことにより、より一層ゴミ又
はパーティクルの発生を防止することができると共に、
異常放電を防止することができる。
部材８と外側防着部材７との２枚の防着部材を２重に設
ける構成としたが、特にこれに限定されるものではな
く、任意の数の防着部材を設ける構成にすることができ
る。例えば、内側防着部材８の内側のターゲット近傍等
の電荷が溜まりやすい部分に、更にフローティング電位
とした防着部材を配置して、防着部材を３枚設ける構成
にすることもできる。このことにより、より一層ゴミ又
はパーティクルの発生を防止することができると共に、
異常放電を防止することができる。
【００２５】また、本実施例においては、内側防着部材
８は円筒状のものを使用しているが、本発明は、特にこ
れに限定されるものではなく、アノード５及びカソード
３のプラズマ放電領域を取り囲む形状のものであればよ
く、例えば、角筒状、球状又は楕円体状のもの等を使用
することもできる。
８は円筒状のものを使用しているが、本発明は、特にこ
れに限定されるものではなく、アノード５及びカソード
３のプラズマ放電領域を取り囲む形状のものであればよ
く、例えば、角筒状、球状又は楕円体状のもの等を使用
することもできる。
【００２６】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、チ
ャンバ内に配置されたフローティング電位の内側防着部
材と、チャンバと同電位の外側防着部材を配置すること
により、スパッタリングにより飛散した粒子がチャンバ
の内壁へ付着することを防止し、粒子の堆積による防着
部材の絶縁破壊を防止すると共に、チャンバ内での不要
なプラズマ放電を防止することができる。従って、処理
基板の歩留まりを向上させることができる。
ャンバ内に配置されたフローティング電位の内側防着部
材と、チャンバと同電位の外側防着部材を配置すること
により、スパッタリングにより飛散した粒子がチャンバ
の内壁へ付着することを防止し、粒子の堆積による防着
部材の絶縁破壊を防止すると共に、チャンバ内での不要
なプラズマ放電を防止することができる。従って、処理
基板の歩留まりを向上させることができる。
【図１】本発明の実施例に係るスパッタリング装置の断
面図でる。
面図でる。
【図２】従来のスパッタリング装置を示す断面図であ
る。
る。
【図３】従来の他のスパッタリング装置を示す断面図で
ある。
ある。
１、１００；スパッタリング装置 ２、１０１；チャンバ ３、１０２；カソード ４、１０３；ターゲット ５、１０４；アノード ６、１０５；基板 ７；外側防着部材 ８；内側防着部材 ９、１０７；碍子 １０６；防着部材
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年１０月１８日（１９９９．１０．
１８）
１８）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係るスパッタリ
ング装置は、チャンバと、前記チャンバ内に相互に対向
して配置されたアノード及びカソードと、前記チャンバ
内に前記アノードとカソードとの間の放電領域を取り囲
んで配置されたフローティング電位の内側防着部材と、
前記チャンバ内における前記内側防着部材の外側に配置
された前記チャンバと同電位の外側防着部材と、を有
し、前記内側防着部材と前記外側防着部材とは、１乃至
４ｍｍの間隔をあけて配置されていることを特徴とす
る。
ング装置は、チャンバと、前記チャンバ内に相互に対向
して配置されたアノード及びカソードと、前記チャンバ
内に前記アノードとカソードとの間の放電領域を取り囲
んで配置されたフローティング電位の内側防着部材と、
前記チャンバ内における前記内側防着部材の外側に配置
された前記チャンバと同電位の外側防着部材と、を有
し、前記内側防着部材と前記外側防着部材とは、１乃至
４ｍｍの間隔をあけて配置されていることを特徴とす
る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】本発明においては、チャンバ内にフローテ
ィング電位の内側防着部材と、チャンバと同電位の外側
防着部材とを１乃至４ｍｍの間隔をあけて配置すること
により、スパッタリングにより飛散した粒子は、内部防
着部材に付着し、外側防着部材が帯電してもチャンバと
同電位になる。このことにより、スパッタリングにより
飛散した粒子がチャンバの内壁へ付着することを防止
し、粒子の堆積による防着部材の絶縁破壊を防止すると
共に、チャンバ内での不要なプラズマ放電を防止するこ
とができる。
ィング電位の内側防着部材と、チャンバと同電位の外側
防着部材とを１乃至４ｍｍの間隔をあけて配置すること
により、スパッタリングにより飛散した粒子は、内部防
着部材に付着し、外側防着部材が帯電してもチャンバと
同電位になる。このことにより、スパッタリングにより
飛散した粒子がチャンバの内壁へ付着することを防止
し、粒子の堆積による防着部材の絶縁破壊を防止すると
共に、チャンバ内での不要なプラズマ放電を防止するこ
とができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】本実施例のスパッタリング装置１におい
て、チャンバ２内には中心部にカソード３及びアノード
４が相互に対向して配置されている。カソード２にはス
パッタリングをするためのターゲット４が装着され、ア
ノード５の上には、成膜される基板６が設置されてい
る。チャンバ２内には、アノードとカソードとの間の放
電領域を全周囲に亘り取り囲むようにして、例えば、導
電材料であるステンレスからなる円筒状の２枚の防着部
材７、８が同心的に配置されている。これらの防着部材
７、８のうち、チャンバ２の中心部に近い位置に配置さ
れている内側防着部材８は、碍子９を介してチャンバ２
に固定されている。この内側防着部材８の外側には、外
側防着部材７がチャンバ２に直接接触するように固定さ
れている。また、内側防着部材８と外側防着部材７との
間は、互いにどの部分も接触しないように１乃至４ｍｍ
の間隔をあけて配置されている。即ち、外側防着部材７
はチャンバ２に直接接触するように配置されて、チャン
バと同電位に保持され、内側防着部材８は絶縁物である
碍子を介して固定されて、フローティング電位に保持さ
れている。なお、チャンバ２は、ＧＮＤ電位にされてい
る。
て、チャンバ２内には中心部にカソード３及びアノード
４が相互に対向して配置されている。カソード２にはス
パッタリングをするためのターゲット４が装着され、ア
ノード５の上には、成膜される基板６が設置されてい
る。チャンバ２内には、アノードとカソードとの間の放
電領域を全周囲に亘り取り囲むようにして、例えば、導
電材料であるステンレスからなる円筒状の２枚の防着部
材７、８が同心的に配置されている。これらの防着部材
７、８のうち、チャンバ２の中心部に近い位置に配置さ
れている内側防着部材８は、碍子９を介してチャンバ２
に固定されている。この内側防着部材８の外側には、外
側防着部材７がチャンバ２に直接接触するように固定さ
れている。また、内側防着部材８と外側防着部材７との
間は、互いにどの部分も接触しないように１乃至４ｍｍ
の間隔をあけて配置されている。即ち、外側防着部材７
はチャンバ２に直接接触するように配置されて、チャン
バと同電位に保持され、内側防着部材８は絶縁物である
碍子を介して固定されて、フローティング電位に保持さ
れている。なお、チャンバ２は、ＧＮＤ電位にされてい
る。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２６】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、チ
ャンバ内に配置されたフローティング電位の内側防着部
材と、チャンバと同電位の外側防着部材とを１乃至４ｍ
ｍの間隔をあけて配置することにより、スパッタリング
により飛散した粒子がチャンバの内壁へ付着することを
防止し、粒子の堆積による防着部材の絶縁破壊を防止す
ると共に、チャンバ内での不要なプラズマ放電を防止す
ることができる。従って、処理基板の歩留まりを向上さ
せることができる。
ャンバ内に配置されたフローティング電位の内側防着部
材と、チャンバと同電位の外側防着部材とを１乃至４ｍ
ｍの間隔をあけて配置することにより、スパッタリング
により飛散した粒子がチャンバの内壁へ付着することを
防止し、粒子の堆積による防着部材の絶縁破壊を防止す
ると共に、チャンバ内での不要なプラズマ放電を防止す
ることができる。従って、処理基板の歩留まりを向上さ
せることができる。
Claims (6)
- 【請求項１】 チャンバと、前記チャンバ内に相互に対
向して配置されたアノード及びカソードと、前記チャン
バ内に前記アノードとカソードとの間の放電領域を取り
囲んで配置されたフローティング電位の内側防着部材
と、前記チャンバ内における前記内側防着部材の外側に
配置された前記チャンバと同電位の外側防着部材と、を
有することを特徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項２】 前記内側防着部材は、碍子を介して前記
チャンバに固定されていると共に、前記外側防着部材
は、チャンバに直接接触して固定されていることを特徴
とする請求項１に記載のスパッタリング装置。 - 【請求項３】 前記内側防着部材及び外側防着部材は、
導電材料で形成されていることを特徴とする請求項２に
記載のスパッタリング装置。 - 【請求項４】 前記内側防着部材は、絶縁材料で形成さ
れていることを特徴とする請求項１に記載のスパッタリ
ング装置。 - 【請求項５】 前記内側防着部材と前記外側防着部材と
は、１乃至４ｍｍの間隔をあけて配置されていることを
特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のスパ
ッタリング装置。 - 【請求項６】 前記内側防着部材の内側には、更にフロ
ーティング電位の１又は複数の防着部材が配置されてい
ることを特徴とする請求項１に記載のスパッタリング装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10316617A JP3031364B1 (ja) | 1998-11-06 | 1998-11-06 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10316617A JP3031364B1 (ja) | 1998-11-06 | 1998-11-06 | スパッタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP3031364B1 JP3031364B1 (ja) | 2000-04-10 |
| JP2000144407A true JP2000144407A (ja) | 2000-05-26 |
Family
ID=18079063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10316617A Expired - Fee Related JP3031364B1 (ja) | 1998-11-06 | 1998-11-06 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3031364B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013099061A1 (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-04 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置 |
-
1998
- 1998-11-06 JP JP10316617A patent/JP3031364B1/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013099061A1 (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-04 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置 |
| CN104024471A (zh) * | 2011-12-27 | 2014-09-03 | 佳能安内华股份有限公司 | 溅射装置 |
| JPWO2013099061A1 (ja) * | 2011-12-27 | 2015-04-30 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置 |
| TWI500794B (zh) * | 2011-12-27 | 2015-09-21 | Canon Anelva Corp | Sputtering device |
| CN104024471B (zh) * | 2011-12-27 | 2016-03-16 | 佳能安内华股份有限公司 | 溅射装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3031364B1 (ja) | 2000-04-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1489643B1 (en) | Method and apparatus for ionized physical vapor deposition | |
| US5800688A (en) | Apparatus for ionized sputtering | |
| US6197165B1 (en) | Method and apparatus for ionized physical vapor deposition | |
| US5641375A (en) | Plasma etching reactor with surface protection means against erosion of walls | |
| JP4907124B2 (ja) | スパッタ・コーティング用アノード | |
| WO1999017336A1 (en) | Insulating ceramic coated metallic part in a plasma sputter reactor | |
| EP1913624B1 (en) | Sputtering target with slow-sputter layer under target material | |
| JPH1072665A (ja) | プラズマ反応装置における電気的に浮遊したシールド | |
| WO2001037310A3 (en) | Method and apparatus for ionized physical vapor deposition | |
| JPH1055983A (ja) | ファラデー・スパッタ・シールドを有する誘導結合されたプラズマリアクタ | |
| JPS6134510B2 (ja) | ||
| US20130098757A1 (en) | Sputtering deposition apparatus and adhesion preventing member | |
| JP2004285471A (ja) | アーク噴霧コーティングアプリケーション及び機能を容易にするハードウェア・フィーチャーの設計 | |
| JPH10229058A (ja) | コーティング付き堆積チャンバ装置 | |
| JP3031364B1 (ja) | スパッタリング装置 | |
| JP4673478B2 (ja) | バイアススパッタリング装置及びバイアススパッタリング方法 | |
| JP2832360B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| US20170178875A1 (en) | Insulator target | |
| JPH11315376A (ja) | イオン化スパッタリング装置 | |
| US6110336A (en) | High pressure magnetron cathode assembly and sputtering apparatus utilizing same | |
| JP2854130B2 (ja) | スパッタリングにより基板を被覆するための装置 | |
| JP2002363743A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JP2000226655A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JP3529308B2 (ja) | スパッタ装置及びスパッタ方法 | |
| JP2007291478A (ja) | スパッタリング装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |