JP2007291478A - スパッタリング装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】プラズマ放電空間付近に防着シールドを設けたスパッタリング装置において、安定放電の維持、および防着シールド等のチャンバ内構造物に対するプラズマ構成要素の衝突に起因する膜中への異物混入を抑制するスパッタリング装置を提供する事を目的とするものである。
【解決手段】基板近傍に第1の防着シールド11をフローティング電位で配置し、ターゲット近傍に第2の防着シールド12を接地電位で配置し、第1の防着シールド11のターゲット4と基板6を結ぶ直線に垂直な開口部が、第2の防着シールド12の同開口部よりも大きくすることにより、プラズマ放電空間近傍にある防着シールドへの、プラズマ構成要素の衝突を防ぎ、膜中への異物の混入を抑制した。
【選択図】図1
【解決手段】基板近傍に第1の防着シールド11をフローティング電位で配置し、ターゲット近傍に第2の防着シールド12を接地電位で配置し、第1の防着シールド11のターゲット4と基板6を結ぶ直線に垂直な開口部が、第2の防着シールド12の同開口部よりも大きくすることにより、プラズマ放電空間近傍にある防着シールドへの、プラズマ構成要素の衝突を防ぎ、膜中への異物の混入を抑制した。
【選択図】図1
Description
本発明は、スパッタリング現象を用いて基板に薄膜を形成する際、異常放電の防止およびプラズマ放電空間内の構成部材へのプラズマ中のイオンや電子の衝突に起因する薄膜中への異物の混入防止において有用なスパッタリング装置に関するものである。
従来、スパッタリング装置の中でも特に誘電体薄膜のスパッタリング装置については、放電の安定性向上に関する取り組みが多数行われてきた。誘電体薄膜のスパッタリング装置では、成膜を行うとプラズマ放電空間内にある構造物表面に誘電体膜が付着し、アース面が徐々に減少し、ついには安定した放電を維持できなくなる。そこで、プラズマ放電空間内部にある構造物の形状や配置を工夫して、一部の構造物に誘電体膜が付着しても、安定した放電が維持できるようになってきた。
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1が知られている。
図3は、前記特許文献1に記されている従来の誘電体膜スパッタリング装置における、放電の安定化を実現する構成を示したものである。以下、図を用いて従来例を説明する。
チャンバ2内にカソード3およびアノード5が対向して配置されている。アノード5とカソード3との間のプラズマ放電空間を全周囲にわたり取り囲むようにして円筒状の2枚の防着部材7,8が同心的に配置されている。このうち、内側防着部材8は碍子9を介してチャンバ2に固定されている。外側防着部材7はチャンバ2に直接接触するように固定されている。すなわち接地電位である。内側防着部材8と外側防着部材7は互いにどの部分も接触しないように1〜4mmの間隔で配置されている。この構成により、内側防着部材8はチャンバ2と碍子9を介して固定しているため、フローティング電位に保持することができる。したがって、内側防着部材8に付着したスパッタ粒子に電荷がチャージされても絶縁破壊することが無い。したがって、ゴミまたはパーティクルの発生を防止することができるとともに、絶縁破壊の際に生じるアーキング等の異常放電も防止することができる。
特許第3031364号公報
しかしながら、従来の技術ではアーキング等の巨視的な異常放電の防止には有効であるが、チャンバ内部に配置された防着部材により、放電空間を圧迫された、プラズマの構成要素による微視的な防着部材への衝突に起因する、膜中への異物混入を防止できないという課題を有していた。
本発明は、前記課題を解決するもので、プラズマ放電領域近傍であっても防着シールドを工夫して配置することにより、イオンや電子などのプラズマ構成要素の防着シールドへの衝突に起因する、膜中への異物の混入を防ぐスパッタリング装置を提供する事を目的とするものである。
前記従来の課題を解決するために、本発明のスパッタリング装置では、真空容器の内部に、放電用の電源に接続されたターゲットとフローティング電位に取り付けられた基板が相互に向かい合う位置に配置され、それらの間に、それらを結ぶ軸に沿って放電空間を取り囲むように複数の筒状の防着シールドが載置されたスパッタリング装置において、前記防着シールドのうち基板近傍にある第1の防着シールドがフローティング電位の金属材料で形成され、同ターゲット近傍にある第2の防着シールドが接地電位の金属材料で形成されており、さらに前記第1および第2の防着シールドの形状について、第1の防着シールドのターゲットと基板を結ぶ軸に沿った開口部の面積が、前記第2の防着シールドの同開口部の面積と、等しいかもしくは大きいという形態をとっている。
尚、スパッタリング装置のチャンバ内の構成部材に、極力膜を付着させないようにするために、プラズマ放電空間近傍に防着シールドを設置することが多い。その際、結果としてプラズマ放電に必要な対向電極、すなわちアース面積を制限していることになり、放電が不安定になることは避けられない。そこで、プラズマ中の電子、イオンの挙動をモンテカルロシミュレーションにより計算し、防着シールドへの衝突が局在化しない、かつ極力低減される構成を決定した。
本構成によって、防着シールドへのプラズマ構成要素の衝突を最小に抑えることができ、基板上に形成される膜中への異物、すなわち防着シールドの構成材料の混入を防ぐことができ、薄膜製品の品質を確保することができる。
以下本発明を実施するための最良の方法について、図面を参照しながら説明する。
まず、実施の形態1を用いて、本発明の特に請求項1〜4に記載の発明について図面を参照しながら説明する。
なお、背景の技術において説明したものと同じ構成部材などについては、同じ符号を付与し詳細な説明は省略する。
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1におけるスパッタリング装置の断面図である。
図1は、本発明の実施の形態1におけるスパッタリング装置の断面図である。
図1において、スパッタリング装置1の例えば真空容器となるステンレス製のチャンバ2の内部に、相互に対向するように、ターゲット4と基板6を配置した。例として、誘電体ターゲットを用いた。それらの間に発生するプラズマ放電空間を取り囲むように、ステンレス製の第1の防着シールド11と同じくステンレス製の第2の防着シールド12を配置した。本実施の形態では、ターゲット4および基板6を円形状のものを想定しているので、第1、第2の防着シールド11,12も筒状のものとしている。これはターゲット4や基板6、さらにチャンバ2の形態にあわせて適宜設計されるものである。また、今回第1、第2の防着シールド11,12の表面処理として、比較的安価で簡便に実施することができるガラスビーズブラスト加工を施してある。これは防着シールドの表面積を増加させ、付着する膜の保持力を強化するためである。したがって、成膜する材料や雰囲気温度により表面処理を適宜選定する必要があり、例えば金属合金の溶射処理を行うことが適している場合もある。
また、本実施の形態においては、第1の防着シールド11の外形は円柱筒状とした。一方、よりプラズマ放電空間近傍に防着シールドを設置し、プラズマの安定放電に対して厳しい条件となる構成を説明するために、第2の防着シールド12の外形は円錐台形状のものを用いた。第1の防着シールド11の開口径と、第2の防着シールド12の基板に近い側の開口径は等しく、共に開口部の形状は円形であるので面積も等しい。また基板6側のその開口径および開口面積は、ターゲットの径および面積よりも小さく内包される形状である。
第1の防着シールド11は、基板支持部材23に取り付けられており、電位は基板と同じフローティング電位である。第2の防着シールド12は、ターゲットの周囲に設置されているアースシールド24に取り付けられており、電位は接地電位である。
第1および第2の防着シールドの位置関係(距離)について、本実施の形態ではターゲット4と基板6を結ぶ軸方向に5mmから10mmの近接した間隔の中間的距離となる8mmの間隔をもたせて配置した。
次に、本実施の形態を用いて、実際のスパッタリング処理の流れについて説明する。チャンバ2内に放電用のアルゴンガスを導入機構21により導入し、圧力調整機構(図示していない)により適当な圧力にした後、ターゲット4に接続された高周波電源22を動作させることにより、ターゲット4、基板6、2つの防着シールド11,12に囲まれた空間でプラズマ放電が発生する。ターゲット4近傍で加速されたアルゴンイオンによってターゲット構成材料がスパッタリングされ、基板6に膜が形成される。同時に、防着シールド11,12にも膜が付着する。第1の防着シールド11に付着するものについては、第1の防着シールド11がフローティング電位になっているため、付着した膜表面にたまったチャージにより絶縁破壊を起こすことはない。一方、第2の防着シールド12の内面に誘電体膜が付着すると、放電に寄与するアース面積が徐々に減少する。しかし、第2の防着シールド12外面は膜が付着しないので放電を維持することができる。
前述のとおり、第1の防着シールド11と第2の防着シールド12の開口径は等しくしてあるので、プラズマ中のイオンや電子は、これら開口部のエッジに集中しやすいが、最小限に抑えられている。もし、第1の防着シールド11の開口部面積が、第2の防着シールド12のものより小さければ、第1の防着シールド11の開口部のエッジ付近に、電子やイオンの衝突が集中する。これはモンテカルロシミュレーションでの計算結果とも一致し、さらに実際に基板6に成膜を行ったものを組成分析すると、ステンレス成分が検出されたという事実がある。
今回は、第2の防着シールド12に表面処理を施したステンレス部材を用いたが、防着シールド内面に誘電体膜が付着し始める際のアース面積の変動を避ける場合は、あらかじめ内面に誘電体膜を塗布しておく場合もある。
次に、実施の形態2を用いて、本発明の特に請求項5に記載の発明について図面を参照しながら説明する。なお実施の形態1で説明した事項については詳細な説明を省略する。
(実施の形態2)
図2は、本発明の実施の形態2におけるスパッタリング装置の断面図である。
図2は、本発明の実施の形態2におけるスパッタリング装置の断面図である。
実施の形態1で説明した構成に加えて、第2の防着シールド12を取り囲むようにして、第3の防着シールド13が載置されている。この第3の防着シールド13は第2の防着シールド12と同じくステンレス材料で形成されており、電位も同じくアース電位である。本実施の形態では、第3の防着シールド13は円筒状のものであり、図中の高さ方向の寸法は第2の防着シールド12よりも7mm以上の高さとして5mm高くしている。第3の防着シールド13は、第2の防着シールド12の外面だけではアース面積が不足する場合に用いる。また、第2の防着シールド12よりも若干高さを持たせることで、プラズマ放電が防着シールド外に広がるのを防ぐ役割もある。
本発明にかかるスパッタリング装置は、プラズマの安定放電を維持しつつ、プラズマ放電空間近傍にある構成部材への不要なプラズマ構成要素の衝突を排除することにより膜中への異物混入を防止する働きを有し、誘電体材料のスパッタリングなどの用途として有用である。
1 スパッタリング装置
2 チャンバ
3 カソード
4 ターゲット
5 アノード
6 基板
7 外側防着部材
8 内側防着部材
9 碍子
11 第1の防着シールド
12 第2の防着シールド
13 第3の防着シールド
21 ガス導入機構
22 高周波電源
23 基板支持部材
24 アースシールド
2 チャンバ
3 カソード
4 ターゲット
5 アノード
6 基板
7 外側防着部材
8 内側防着部材
9 碍子
11 第1の防着シールド
12 第2の防着シールド
13 第3の防着シールド
21 ガス導入機構
22 高周波電源
23 基板支持部材
24 アースシールド
Claims (5)
- 真空容器の内部に、放電用の電源に接続されたターゲットとフローティング電位に取り付けられた基板が向かい合う位置に配置され、それらの間に、それらを結ぶ軸に沿って生じる放電空間を取り囲むように複数の筒状の防着シールドが載置されたスパッタリング装置において、
前記防着シールドのうち基板近傍にある第1の防着シールドがフローティング電位の金属材料で形成され、前記ターゲット近傍にある第2の防着シールドが接地電位の金属材料で形成されており、
第1の防着シールドのターゲットと基板を結ぶ軸に沿った開口部の面積が、前記第2の防着シールドの同開口部の面積と等しいか、もしくは大きいことを特徴とするスパッタリング装置。 - 第2の防着シールドの基板側の開口部の面積は、ターゲットの面積より小さいことを特徴とした請求項1に記載のスパッタリング装置。
- 前記第1の防着シールドと第2の防着シールドの距離はターゲットと基板を結ぶ軸方向に、5mmから10mmの間隔を持って載置されていることを特徴とする、請求項1もしくは2に記載のスパッタリング装置。
- 筒状の形状をもつ第2の防着シールドの内面に誘電体の膜が予め塗布されていることを特徴とした請求項1から3のいずれか一つに記載のスパッタリング装置。
- 前記第2の防着シールドを取り囲むようにターゲット近傍に第3の防着シールドを載置したスパッタリング装置において、
第3の防着シールドは第2の防着シールドと同じく接地電位の金属材料で形成されており、ターゲットと基板を結ぶ軸方向の高さが、第2の防着シールドよりも1mm以上高いことを特徴とする、請求項1から4のいずれか1つに記載のスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006123217A JP2007291478A (ja) | 2006-04-27 | 2006-04-27 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006123217A JP2007291478A (ja) | 2006-04-27 | 2006-04-27 | スパッタリング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2007291478A true JP2007291478A (ja) | 2007-11-08 |
Family
ID=38762373
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2006123217A Pending JP2007291478A (ja) | 2006-04-27 | 2006-04-27 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2007291478A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007321226A (ja) * | 2006-06-05 | 2007-12-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタリング装置 |
US11545376B2 (en) * | 2017-01-18 | 2023-01-03 | Applied Materials, Inc. | Plasma parameters and skew characterization by high speed imaging |
-
2006
- 2006-04-27 JP JP2006123217A patent/JP2007291478A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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