JP2000138199A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＩＰＡ等の有機溶剤を含む雰囲気における有
機溶剤濃度を均一かつ安定なものとした基板処理装置を
提供する。 【解決手段】 ガス導入管５６からガス導入口３３に流
入したＩＰＡ蒸気のガス流は、広い緩衝空間３７によっ
て急激に減速され、ガス流という形態を維持できず、通
常の拡散運動のみを行う気体に変化する。通常の気体に
変化したＩＰＡ蒸気は、新たに流入したＩＰＡ蒸気によ
って押し上げられ、やがてガス供給口３５から湧き出す
ようにして押し出される。これにより、ガス供給口３５
から湧き出す単位面積当たりのＩＰＡ蒸気の量は均一と
なる。また、ガス導入口３３の断面積よりもガス供給口
３５の断面積の方が著しく広いため、ガス供給口６５か
らはＩＰＡの蒸気が吐出してガス流を形成することはな
く、処理槽２０の上方に形成されたＩＰＡの蒸気を含む
雰囲気がガス流によってかき乱されるおそれもない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、純水による浸漬洗
浄処理が終了した半導体基板、液晶表示装置用ガラス基
板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等
（以下、単に「基板」と称する）をイソプロピルアルコ
ール（以下、「ＩＰＡ」と称する）等の有機溶剤の蒸気
を含む雰囲気中に移動させることによって乾燥処理を行
う基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、上記基板の製造工程において
は、フッ酸等の薬液による処理および純水による洗浄処
理を順次行った後、純水から基板を引き出しつつＩＰＡ
の蒸気を基板の周辺に供給して乾燥処理を行う基板処理
装置が用いられている。

【０００３】しかし、従来から用いられているこのよう
な基板処理装置は、大量のＩＰＡを消費するのに加え
て、スループットも低いものであった。

【０００４】このため、本願発明者は、ＩＰＡを供給す
るノズルを下方に配置するとともに、ＩＰＡの蒸気を上
方に向けて供給し、洗浄処理を行う槽の上方にＩＰＡの
蒸気を含む雰囲気を形成して当該雰囲気中に基板を移動
させることによって乾燥処理を行う技術について案出し
た。この技術によれば、ＩＰＡの消費量増加を抑制する
ことができるとともに、スループットも向上させること
ができる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、ＩＰＡを供
給するノズルを下方に配置した装置においては以下のよ
うな問題が生じる。図７は、ＩＰＡ供給ノズルを下方に
配置した基板処理装置におけるＩＰＡ供給の様子を説明
する図である。

【０００６】処理槽１０２は、薬液および純水によって
複数の基板に表面処理を行う槽である。ＩＰＡ供給ノズ
ル１０１は、処理槽１０２の側方であって処理槽１０２
の上端よりも下方に配置されている。ＩＰＡ供給ノズル
１０１には、複数の吐出孔がその上側に設けられてい
る。そして、図外のＩＰＡ供給源よりＩＰＡ供給ノズル
１０１に導かれたＩＰＡの蒸気が複数の吐出孔よりガス
流として上方へ吐出され、その吐出されたＩＰＡ蒸気に
よって処理槽１０２の上方にＩＰＡの蒸気を含む雰囲気
が形成される。

【０００７】処理槽１０２における純水による洗浄処理
が終了した基板は、処理槽１０２から引き揚げられ、Ｉ
ＰＡの蒸気を含む雰囲気中に移動され、基板面に付着し
た水滴がＩＰＡによって置換される。その後、基板の周
辺が減圧雰囲気とされることによって、基板が完全に乾
燥される。

【０００８】しかしながら、図７に示すように、ＩＰＡ
供給ノズル１０１からＩＰＡの蒸気を吐出するときに、
各吐出孔から吐出されるＩＰＡの蒸気量は一定ではな
く、ＩＰＡ供給ノズル１０１の先端に近い吐出孔ほど吐
出量が多くなるという傾向が生じる。また、吐出孔から
吐出されるＩＰＡの蒸気は上向きのガス流を形成するた
め、そのガス流によってＩＰＡの蒸気を含む雰囲気がか
き乱される。

【０００９】従って、処理槽１０２の上方に形成された
ＩＰＡの蒸気を含む雰囲気内のＩＰＡの濃度は均一では
なく、しかもその濃度はＩＰＡの蒸気のガス流によって
絶えず変化しているのである。その結果、基板の乾燥処
理が安定性を欠くこととなり、乾燥ムラが生じるという
問題が発生する。

【００１０】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、ＩＰＡ等の有機溶剤を含む雰囲気における有機
溶剤濃度を均一かつ安定なものとした基板処理装置を提
供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の発明は、純水による浸漬洗浄処理が終了
した基板を有機溶剤の蒸気を含む雰囲気中に移動させる
ことによって前記基板の乾燥処理を行う基板処理装置で
あって、(a) 純水を貯留し、基板の前記浸漬洗浄処理を
行う処理槽と、(b) 前記処理槽を収容する外槽と、(c)
前記基板処理装置外部から前記外槽内に有機溶剤の蒸気
を導くガス導入管と、(d) 前記処理槽外部であって前記
処理槽の上端よりも下方に配置され、前記ガス導入管に
接続されるガス導入口と、前記外槽内に有機溶剤の蒸気
を供給するガス供給口とを有し、前記ガス導入管から前
記ガス導入口を経て導かれた有機溶剤の蒸気を前記ガス
供給口から供給して前記外槽内に前記有機溶剤の蒸気を
含む雰囲気を形成するガス供給部と、(e) 前記浸漬洗浄
処理が終了した前記基板を前記処理槽から前記有機溶剤
の蒸気を含む雰囲気中に引き揚げる引き揚げ手段と、を
備え、前記ガス供給部に、その内部に前記ガス導入管か
ら導入された有機溶剤の蒸気の流速を減速させる緩衝空
間を持たせ、前記ガス導入口の断面積よりも前記ガス供
給口の断面積の方を広くし、前記ガス導入口を前記ガス
供給部の底部に設け、前記ガス供給口を前記ガス供給部
の上部に設けている。

【００１２】また、請求項２の発明は、請求項１の発明
にかかる基板処理装置において、前記ガス導入口を前記
ガス供給部の底部の中心部に設けている。

【００１３】また、請求項３の発明は、請求項１または
請求項２の発明にかかる基板処理装置において、前記ガ
ス供給部に、前記緩衝空間に前記ガス導入管から導入さ
れた有機溶剤の蒸気を前記ガス供給口に均一に導く整流
部材を備えさせている。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。

【００１５】＜１．第１実施形態＞図１は本発明に係る
基板処理装置の正面図であり、図２、図３はそれぞれ基
板処理装置の平面図、側面図である。なお、図１および
以下の各図には、それらの方向関係を明確にするため、
ＸＹＺ直交座標系を適宜付している。

【００１６】本発明に係る基板処理装置は大別して、外
槽１０と、処理槽２０と、供給ダクト３０と、昇降機構
４０とを備えている。

【００１７】処理槽２０は、フッ酸等の薬液または純水
（以下、これらを総称して「処理液」とする）を貯留し
て基板に順次表面処理を行う槽であり、外槽１０の内部
に収容されている。処理槽２０には、図外の処理液供給
源から供給管（図示省略）を介して処理液を供給するこ
とができる。なお、処理液は処理槽２０の底部から供給
されて処理槽２０の上部から溢れ出るようにされてい
る。

【００１８】昇降機構４０は、処理槽２０に貯留されて
いる処理液に複数の基板Ｗを浸漬させる機構である。昇
降機構４０は、リフター４１と、リフターアーム４２
と、基板Ｗを保持する３本の保持部４３、４４、４５と
を備えている。３本の保持部４３、４４、４５のそれぞ
れには基板Ｗの外縁部がはまり込んで基板Ｗを起立姿勢
にて保持する複数の保持溝が所定間隔にてＸ方向に配列
して設けられている。それぞれの保持溝は、Ｙ方向に沿
って形成された切欠状の溝である。３本の保持部４３、
４４、４５はリフターアーム４２に固設され、リフター
アーム４２はリフター４１によって鉛直方向（Ｚ方向）
に昇降可能に設けられている。

【００１９】このような構成により、昇降機構４０は３
本の保持部４３、４４、４５によってＸ方向に相互に平
行に配列されて保持された複数の基板Ｗを処理槽２０に
貯留されている処理液に浸漬する位置（図１の実線位
置）とその処理液から引き揚げた位置（図１の１点鎖線
位置）との間で昇降させることができる。なお、リフタ
ー４１には、リフターアーム４２を昇降させる機構とし
て、ボールネジを用いた送りネジ機構やプーリとベルト
を用いたベルト機構など種々の機構を採用することが可
能である。また、昇降機構４０が図１の１点鎖線位置に
おいて、装置外部の基板搬送ロボットと基板Ｗの受け渡
しが行えるように、外槽１０の上部にはスライド式開閉
機構（図示省略）が設けられている。

【００２０】供給ダクト３０は、処理槽２０の上端より
も下方に配置されている。第１実施形態においては、供
給ダクト３０は外槽１０内であって処理槽２０の下方か
ら側方周囲全体を覆うように配置されている。供給ダク
ト３０は、処理槽２０に近い側から順に、内側壁３１と
外側壁３２とで構成されている。

【００２１】供給ダクト３０の底部、すなわち外側壁３
２の底部であってその中心部にはガス導入口３３が形成
されている。ガス導入口３３には、ガス導入管５６が接
続されており、そのガス導入管５６は外槽１０の槽壁を
貫通して装置外部のＩＰＡ供給源５５に接続されてい
る。ＩＰＡ供給源５５は、ＩＰＡの蒸気を発生させて、
その蒸気を供給する処理部である。ＩＰＡ供給源５５か
ら供給されたＩＰＡ蒸気はガス導入管５６を介してガス
導入口３３に導かれる。

【００２２】内側壁３１は、四角柱形状の上部と四角錐
形状の下部とを接続した形状を有している。内側壁３１
には処理槽２０から溢れ出た処理液が落下するため、内
側壁３１はその溢れ出た処理液を回収する役割をも有し
ている。なお、内側壁３１によって回収された処理液
は、図示を省略する廃液管によって装置外部に排出され
る。

【００２３】内側壁３１と外側壁３２との間には、ガス
導入管５６から導入されたＩＰＡの蒸気の流速を減速さ
せるための緩衝空間３７が形成されている。緩衝空間３
７によってＩＰＡ蒸気の流速を減速させる意義について
は後述する。

【００２４】また、供給ダクト３０の上部には、内側壁
３１および外側壁３２のそれぞれの上端部の隙間がガス
供給口３５を形成している。ガス導入口３３に導かれた
ＩＰＡの蒸気は、緩衝空間３７を通過してガス供給口３
５から外槽１０内に供給される。ガス供給口３５からの
ＩＰＡ蒸気供給態様についても後述する。

【００２５】ここで、第１実施形態においては、図２に
示すように、処理槽２０の全周囲にガス供給口３５が形
成されるのであり、ガス導入口３３の断面積よりもガス
供給口３５の断面積の方が相当に広いものとなる。

【００２６】本実施形態においては、供給ダクト３０が
ガス供給部に相当し、昇降機構４０が引き揚げ手段に相
当する。

【００２７】次に、上記の基板処理装置における処理の
手順について簡単に説明する。上記基板処理装置におい
て基板Ｗに処理を行うときは、まず、昇降機構４０が図
外の基板搬送ロボットから複数の基板Ｗを受け取る。そ
して、外槽１０が密閉されるとともに、昇降機構４０が
Ｘ方向に平行配列させて保持した基板Ｗを降下させて処
理槽２０に貯留された純水中に浸漬させる。この段階に
おいては、処理槽２０に純水が供給され続けており、処
理槽２０の上端からは純水が溢れ出し続けている。処理
槽２０から溢れ出した純水は内側壁３１に落下して回収
され、装置外に排出される。

【００２８】次に、処理槽２０に貯留された純水に複数
の基板Ｗを浸漬した状態を維持しつつ、処理槽２０に薬
液または純水を順次供給することによりエッチングや洗
浄処理を予め定められた順序に従って進行させる。この
段階においては、処理槽２０の上端から薬液または純水
が溢れ出し続けており、溢れ出した処理液は内側壁３１
に落下して回収される。

【００２９】基板Ｗに対する表面処理が進行すると、や
がて最終の仕上洗浄処理に至る。仕上洗浄処理も通常の
洗浄処理と同じく、処理槽２０内を純水に置換すること
によって行われる。そして、処理槽２０内における浸漬
処理を終了して昇降機構４０が基板Ｗを純水から引き上
げる前に、供給ダクト３０からのＩＰＡ蒸気の供給を開
始するのである。

【００３０】上述の如く、ＩＰＡの蒸気はＩＰＡ供給源
５５からガス導入管５６を介してガス導入口３３に導か
れ、その導入されたＩＰＡの蒸気は供給ダクト３０の内
部、すなわち緩衝空間３７に流入する。ガス導入管５６
を通過中のＩＰＡ蒸気は、一定の速度を有するガス流を
形成している（図１、図３中の実線矢印）のであるが、
ＩＰＡ蒸気のガス流が緩衝空間３７に流入すると、その
流速が急激に減速される。これは、ＩＰＡ蒸気の通過可
能な断面積がガス導入管５６よりも緩衝空間３７におけ
る方が著しく大きいからである。つまり、ガス導入管５
６に沿って一方向に流れていたＩＰＡ蒸気のガス流は、
緩衝空間３７に流入した時点で横方向（進行方向と垂直
な方向）にも拡がることとなり、その結果急激に減速さ
れるのである（図１、図３中の点線矢印）。

【００３１】そして、緩衝空間３７にて減速されたＩＰ
Ａの蒸気は、「ガス流」という形態を維持できず、通常
の拡散運動のみを行う気体となるのである。もっとも、
ガス導入口３３からは、連続的にＩＰＡ蒸気が流入し続
けるため、その新たに流入したＩＰＡ蒸気によって緩衝
空間３７内のＩＰＡ蒸気は順次ガス供給口３５から押し
出されることとなる。このときに、ガス導入口３３の断
面積よりもガス供給口３５の断面積の方が著しく広いた
め、緩衝空間３７内のＩＰＡ蒸気は、ガス導入口３３に
おける流入速度よりも著しく低い速度にて徐々にガス供
給口３５から押し出されるのである。

【００３２】すなわち、供給ダクト３０のガス供給口３
５からのＩＰＡ蒸気の供給は、ガス流を吐出するという
のではなく、ＩＰＡ蒸気をガス供給口３５から上向きに
徐々に湧き出させるという態様によって行われるのであ
る。

【００３３】このようにして供給ダクト３０のガス供給
口３５から供給されたＩＰＡ蒸気は、徐々に外槽１０内
を満たし、やがて処理槽２０の上方に穏やかなＩＰＡの
雰囲気を形成するのである。

【００３４】処理槽２０の上方にＩＰＡの蒸気を含む雰
囲気が形成された後、昇降機構４０が複数の基板Ｗを処
理槽２０内の純水から引き揚げ、ＩＰＡの蒸気を含む雰
囲気まで移動させる。この時点においても、供給ダクト
３０からはＩＰＡ蒸気が供給され続けている。やがて、
基板Ｗはその全体がＩＰＡの蒸気を含む雰囲気中に曝さ
れることとなり、基板Ｗの表面にはＩＰＡ蒸気が凝縮
し、当該表面に付着していた水滴と置換する。

【００３５】その後、基板Ｗが図１中の１点鎖線位置に
まで到達した時点で、基板Ｗの引き揚げが完了する。ま
た、供給ダクト３０からはＩＰＡ蒸気の供給および処理
槽２０への純水供給が停止されるとともに、処理槽２０
内に貯留されていた純水は、図示を省略する急速排出機
構によって急速排水される。その後、外槽１０内を減圧
雰囲気とすることにより、基板Ｗの表面に凝縮していた
ＩＰＡが完全に乾燥する。減圧乾燥処理後の基板Ｗは基
板搬送ロボットに渡されて一連の処理が終了する。な
お、基板Ｗを引き揚げた時点で、その基板Ｗの清浄度が
十分でない場合は、処理槽２０内に再び純水を貯留し、
上記各工程を繰り返すことも可能である。

【００３６】以上説明したように、第１実施形態の基板
処理装置においては、緩衝空間３７にて、ＩＰＡ蒸気が
「ガス流」という形態を維持できず、通常の拡散運動の
みを行う気体となる。従って、緩衝空間３７内における
ＩＰＡ蒸気の濃度は均一なものとなり、ガス供給口３５
から湧き出す単位面積当たりのＩＰＡ蒸気の量も均一と
なる。

【００３７】また、ＩＰＡ蒸気は、外側壁３２の底部の
中心部に設けられたガス導入口３３から流入するため、
ガス供給口３５から湧き出す単位面積当たりのＩＰＡ蒸
気量はより均一なものとなる。さらに、ガス導入口３３
から流入したＩＰＡ蒸気は、四角錐形状の内側壁３１下
部によって四方に均等に分流されるため、ガス供給口３
５から湧き出すＩＰＡ蒸気量の均一性は安定したものと
なる。つまり、第１実施形態の内側壁３１は、緩衝空間
３７にガス導入管５６から導入されたＩＰＡ蒸気をガス
供給口３５に均一に導く整流部材としての役割を果たし
ているのである。

【００３８】ガス供給口３５から湧き出す単位面積当た
りのＩＰＡ蒸気の量が均一になると、処理槽２０の上方
に形成されたＩＰＡ蒸気を含む雰囲気内のＩＰＡの濃度
も均一になる。

【００３９】しかも、ガス導入口３３の断面積よりもガ
ス供給口３５の断面積の方が著しく広いため、ガス供給
口３５からはＩＰＡの蒸気が吐出してガス流を形成する
ことはなく、ＩＰＡの蒸気が徐々に湧き出ているという
状態を維持できるのである。その結果、処理槽２０の上
方に形成されたＩＰＡの蒸気を含む雰囲気がガス供給口
３５から吐出したガス流によってかき乱されるおそれは
ない。

【００４０】従って、処理槽２０の上方に形成されたＩ
ＰＡの蒸気を含む雰囲気内のＩＰＡの濃度は常に均一で
あり、その均一性は非常に安定した状態に保てるのであ
る。そのような均一かつ安定したＩＰＡの蒸気を含む雰
囲気内にて基板Ｗの乾燥処理を行う結果、基板の乾燥処
理が安定したものとなり、乾燥ムラの発生を防止するこ
とができる。

【００４１】また、処理槽２０よりも下方から上方に向
けてＩＰＡの蒸気を供給しているため、ＩＰＡの消費量
増加を抑制することができる。

【００４２】＜２．第２実施形態＞次に、本発明に係る
基板処理装置の第２実施形態について、図４〜図６を参
照しつつ説明する。図４は第２実施形態の基板処理装置
の正面図であり、図５は基板処理装置の平面図である。
また、図６は第２実施形態の供給ダクトを示す図であ
る。

【００４３】第２実施形態の基板処理装置は大別して、
外槽１０と、処理槽２０と、供給ダクト６０と、昇降機
構４０とを備えている。これらのうち、外槽１０、処理
槽２０および昇降機構４０については、上記第１実施形
態と同様であり、同じ符号を付してその説明を省略して
いる。第２実施形態の基板処理装置が第１実施形態と構
成上異なるのは、ガス供給部たる供給ダクト６０の構成
および外槽１０内に側壁１０ａを設けている点である。

【００４４】第２実施形態の供給ダクト６０は、処理槽
２０の上端よりも下方に配置されている。そして、第２
実施形態の供給ダクト６０は外槽１０内であって処理槽
２０のＹ方向の側方両側に配置されている。

【００４５】図６に示すように、供給ダクト６０は、Ｘ
方向に沿って延びる直方体形状の上部と三角柱形状の下
部とを接続した形状を有している。供給ダクト６０の底
部（三角柱形状の底部）であってその中心部には、ガス
導入口６３が形成されている。ガス導入口６３には、ガ
ス導入管５６が接続されており、そのガス導入管５６は
外槽１０の槽壁を貫通して装置外部のＩＰＡ供給源５５
に接続されている。第１実施形態と同様に、ＩＰＡ供給
源５５から供給されたＩＰＡ蒸気はガス導入管５６を介
してガス導入口６３に導かれる。

【００４６】また、供給ダクト６０の上部は、その全体
がガス供給口６５を形成している。第２実施形態におい
ても、図６から明らかなように、ガス導入口６３が供給
ダクト６０の底部の一部に形成されているのに対してガ
ス供給口６５は供給ダクト６０の上部全体に形成されて
いるものであり、ガス導入口６３の断面積よりもガス供
給口６５の断面積の方が広い。

【００４７】さらに、供給ダクト６０は、その内部にパ
ンチング板６１と複数の仕切り板６２とを有している。
パンチング板６１は、上記直方体形状の上部と三角柱形
状の下部との接続部近傍にその法線方向をＺ方向にして
設けられており、平板に多数の孔６１ａを設けた多孔板
である。仕切り板６２は供給ダクト６０の上部に、その
法線方向をＸ方向にして設けられた平板である。図６に
示すように、複数の仕切り板６２の長さは、供給ダクト
６０のＸ方向中心部近傍に位置するものほど（ガス導入
口６３に近いものほど）長くなっており、供給ダクト６
０の端部に近づくに従って（ガス導入口６３から遠くな
るに従って）短くなる。なお、ガス供給口６５は複数の
仕切り板６２によって分割されることとなるが、本明細
書においては、供給ダクト６０の上部全体を１つのガス
供給口６５として扱う。

【００４８】供給ダクト６０の内部には、第１実施形態
と同様に、ガス導入管５６から導入されたＩＰＡの蒸気
の流速を減速させるための緩衝空間６７が形成されてい
る。ガス導入口６３に導かれたＩＰＡの蒸気は、緩衝空
間６７およびパンチング板６１の孔６１ａを通過してガ
ス供給口６５から外槽１０内に供給される。

【００４９】次に、第２実施形態の基板処理装置におけ
る処理について説明する。基板Ｗに対する表面処理を順
次行い、最終の仕上洗浄処理を施した後に供給ダクト６
０からのＩＰＡ蒸気の供給を開始する手順自体は第１実
施形態と同じである。なお、第２実施形態の基板処理装
置においては、処理槽２０から溢れ出した処理液は外槽
１０の底部に落下して回収され、装置外に排出される。

【００５０】第１実施形態と異なるのは、供給ダクト６
０内におけるＩＰＡ蒸気の挙動についてである。ＩＰＡ
の蒸気はＩＰＡ供給源５５からガス導入管５６を介して
ガス導入口６３に導かれ、その導入されたＩＰＡの蒸気
は緩衝空間６７に流入する。ガス導入管５６を通過中の
ＩＰＡ蒸気は、一定の速度を有するガス流を形成してい
る（図６の実線矢印）のであるが、ＩＰＡ蒸気のガス流
が緩衝空間６７に流入すると、その流速が急激に減速さ
れる（図６の実線矢印）。その理由は、上記第１実施形
態におけるのと同じである。但し、第１実施形態におい
ては、緩衝空間３７に流入したＩＰＡ蒸気が３次元的に
拡がるのに対して、第２実施形態ではＸＺ面内にて２次
元的に拡がる点が異なる。

【００５１】緩衝空間６７にて減速されたＩＰＡの蒸気
は、「ガス流」という形態を維持できず、通常の拡散運
動のみを行う気体となる。ガス導入口６３からは、連続
的にＩＰＡ蒸気が流入し続けるため、その新たに流入し
たＩＰＡ蒸気によって緩衝空間６７内のＩＰＡ蒸気は順
次パンチング板６１の孔６１ａから押し出され、やがて
ガス供給口６５から放出されることとなる。このとき
に、ガス導入口６３の断面積よりもガス供給口６５の断
面積の方が著しく広いため、供給ダクト６０内のＩＰＡ
蒸気は、ガス導入口６３における流入速度よりも著しく
低い速度にて徐々にガス供給口３５から押し出されるの
である。なお、ＩＰＡ蒸気がパンチング板６１を通過す
るときにガス流を形成しないようにする必要があるた
め、パンチング板６１に設けられた複数の孔６１ａの総
面積もガス導入口６３の断面積より広くしておく方が好
ましい。

【００５２】従って、第２実施形態においても、供給ダ
クト６０のガス供給口６５からのＩＰＡ蒸気の供給は、
ガス流を吐出するというのではなく、ＩＰＡ蒸気をガス
供給口６５から上向きに徐々に湧き出させるという態様
によって行われるのである。

【００５３】図４に示すように、外槽１０内において側
壁１０ａの上方は開放されており、処理槽２０の両側に
設けられた供給ダクト６０のそれぞれから供給されたＩ
ＰＡ蒸気は側壁１０ａの上方を通過して、処理槽２０の
上方に至り、やがて処理槽２０の上方に穏やかなＩＰＡ
の雰囲気を形成するのである。

【００５４】処理槽２０の上方にＩＰＡの蒸気を含む雰
囲気が形成された後、処理槽２０から複数の基板Ｗが引
き揚げられ、さらにその後減圧乾燥処理が行われる工程
は第１実施形態と同じである。

【００５５】第２実施形態の基板処理装置においても、
緩衝空間６７にて、ＩＰＡ蒸気が「ガス流」という形態
を維持できず、通常の拡散運動のみを行う気体となる。
従って、緩衝空間６７内におけるＩＰＡ蒸気の濃度は均
一なものとなり、ガス供給口６５から湧き出す単位面積
当たりのＩＰＡ蒸気の量も均一となる。

【００５６】また、ＩＰＡ蒸気は、供給ダクト６０の底
部の中心部に設けられたガス導入口６３から流入するた
め、ガス供給口６５から湧き出す単位面積当たりのＩＰ
Ａ蒸気量はより均一なものとなる。

【００５７】また、ＩＰＡ蒸気がパンチング板６１を通
過するときに、複数の孔６１ａに均等に分流されるた
め、ガス供給口６５から湧き出すＩＰＡ蒸気量の均一性
は安定したものとなる。つまり、第２実施形態のパンチ
ング板６１は、緩衝空間６７にガス導入管５６から導入
されたＩＰＡ蒸気をガス供給口６５に均一に導く整流部
材としての役割を果たしているのである。

【００５８】また、第２実施形態の供給ダクト６０にお
いては、ガス供給口６５のうちガス導入口６３の直上の
領域へのＩＰＡ蒸気到達量が多くなる可能性もあるが、
ガス導入口６３に近い仕切り板６２ほど長くしているた
め、供給ダクト６０の中心部近傍ほどＩＰＡ蒸気が通過
する抵抗が大きくなり、その結果、ガス供給口６５から
湧き出す単位面積当たりのＩＰＡ蒸気量は均一なものと
なる。すなわち、仕切り板６２はＩＰＡ蒸気の通過抵抗
部材としての機能を有しているのである。もっとも、パ
ンチング板６１を設けていれば、複数の仕切り板６２は
必ずしも必要ではない。

【００５９】ガス供給口６５から湧き出す単位面積当た
りのＩＰＡ蒸気の量が均一になると、処理槽２０の上方
に形成されたＩＰＡ蒸気を含む雰囲気内のＩＰＡの濃度
も均一になるのは第１実施形態と同様である。

【００６０】そして、ガス導入口６３の断面積よりもガ
ス供給口６５の断面積の方が著しく広いため、ガス供給
口６５からはＩＰＡの蒸気が吐出してガス流を形成する
ことはなく、ＩＰＡの蒸気が徐々に湧き出ているという
状態を維持できるのである。その結果、処理槽２０の上
方に形成されたＩＰＡの蒸気を含む雰囲気がガス供給口
６５から吐出したガス流によってかき乱されるおそれは
ない。

【００６１】また、第２実施形態においては、供給ダク
ト６０と処理槽２０の上方とが側壁１０ａによって遮蔽
されているため、処理槽２０の上方に形成されたＩＰＡ
の蒸気を含む雰囲気がガス供給口６５から湧き出したＩ
ＰＡ蒸気によってかき乱されるというおそれは全くな
い。

【００６２】従って、処理槽２０の上方に形成されたＩ
ＰＡの蒸気を含む雰囲気内のＩＰＡの濃度は常に均一で
あり、その均一性は非常に安定した状態に保てるのであ
る。そのような均一かつ安定したＩＰＡの蒸気を含む雰
囲気内にて基板Ｗの乾燥処理を行う結果、基板の乾燥処
理が安定したものとなり、乾燥ムラの発生を防止するこ
とができる。

【００６３】また、処理槽２０よりも下方から上方に向
けてＩＰＡの蒸気を供給しているため、ＩＰＡの消費量
増加を抑制することができる。

【００６４】＜３．変形例＞以上、本発明の実施の形態
について説明したが、この発明は上記の例に限定される
ものではない。例えば、上記実施形態においては、１つ
の処理槽で薬液に処理および純水による洗浄処理の双方
を行う、いわゆるワンバス式の処理装置であったが、本
発明に係る基板処理装置は、薬液処理および純水洗浄処
理を異なる処理槽で行ういわゆる多槽式の処理装置であ
っても適用可能である。多槽式の処理装置に適用する場
合は、最終の仕上水洗槽に適用することとなる。

【００６５】また、上記実施の形態では、有機溶剤の蒸
気としてＩＰＡの蒸気を使用したが、これに限らず、有
機溶剤の蒸気として、エタノールやメタノール等その他
の有機溶剤を用いてもよい。

【００６６】

【発明の効果】以上、説明したように、請求項１の発明
によれば、ガス供給部がその内部にガス導入管から導入
された有機溶剤の蒸気の流速を減速させる緩衝空間を有
するとともに、ガス導入口の断面積よりもガス供給口の
断面積の方が広く、ガス導入口はガス供給部の底部に設
けられ、ガス供給口はガス供給部の上部に設けられてい
るため、ガス供給口から供給される単位面積当たりの有
機溶剤蒸気の量は均一になるとともに、ガス供給口から
有機溶剤のガス流が吐出されることはなく、その結果、
有機溶剤の蒸気を含む雰囲気における有機溶剤濃度を均
一かつ安定なものとすることができる。

【００６７】また、請求項２の発明によれば、ガス導入
口はガス供給部の底部の中心部に設けられているため、
ガス供給口から供給される単位面積当たりの有機溶剤蒸
気量はより均一なものとなり、有機溶剤の蒸気を含む雰
囲気における有機溶剤濃度の均一性をさらに向上するこ
とができる。

【００６８】また、請求項３の発明によれば、ガス供給
部は緩衝空間にガス導入管から導入された有機溶剤の蒸
気をガス供給口に均一に導く整流部材を備えているた
め、ガス供給口から供給される有機溶剤蒸気量の均一性
を安定したものとすることができ、有機溶剤の蒸気を含
む雰囲気における有機溶剤濃度の均一性をさらに向上す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る基板処理装置の一例の正面図であ
る。

【図２】図１の基板処理装置の平面図である。

【図３】図１の基板処理装置の側面図である。

【図４】本発明に係る基板処理装置の他の例の正面図で
ある。

【図５】図４の基板処理装置の平面図である。

【図６】図４の基板処理装置の供給ダクトを示す図であ
る。

【図７】ＩＰＡ供給ノズルを下方に配置した基板処理装
置におけるＩＰＡ供給の様子を説明する図である。

【符号の説明】

１０ 外槽 ２０ 処理槽 ３０、６０ 供給ダクト ３３、６３ ガス導入口 ３５、６５ ガス供給口 ３７、６７ 緩衝空間 ４０ 昇降機構 ５６ ガス導入管 ６１ パンチング板

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 純水による浸漬洗浄処理が終了した基板
   を有機溶剤の蒸気を含む雰囲気中に移動させることによ
   って前記基板の乾燥処理を行う基板処理装置であって、 (a) 純水を貯留し、基板の前記浸漬洗浄処理を行う処理
   槽と、 (b) 前記処理槽を収容する外槽と、 (c) 前記基板処理装置外部から前記外槽内に有機溶剤の
   蒸気を導くガス導入管と、 (d) 前記処理槽外部であって前記処理槽の上端よりも下
   方に配置され、前記ガス導入管に接続されるガス導入口
   と、前記外槽内に有機溶剤の蒸気を供給するガス供給口
   とを有し、前記ガス導入管から前記ガス導入口を経て導
   かれた有機溶剤の蒸気を前記ガス供給口から供給して前
   記外槽内に前記有機溶剤の蒸気を含む雰囲気を形成する
   ガス供給部と、 (e) 前記浸漬洗浄処理が終了した前記基板を前記処理槽
   から前記有機溶剤の蒸気を含む雰囲気中に引き揚げる引
   き揚げ手段と、を備え、 前記ガス供給部は、その内部に前記ガス導入管から導入
   された有機溶剤の蒸気の流速を減速させる緩衝空間を有
   し、 前記ガス導入口の断面積よりも前記ガス供給口の断面積
   の方が広く、 前記ガス導入口は前記ガス供給部の底部に設けられ、前
   記ガス供給口は前記ガス供給部の上部に設けられている
   ことを特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の基板処理装置において、 前記ガス導入口は前記ガス供給部の底部の中心部に設け
   られていることを特徴とする基板処理装置。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の基板処
   理装置において、 前記ガス供給部は、前記緩衝空間に前記ガス導入管から
   導入された有機溶剤の蒸気を前記ガス供給口に均一に導
   く整流部材を備えることを特徴とする基板処理装置。