JP2000133648A - 絶縁膜形成用塗布液 - Google Patents
絶縁膜形成用塗布液Info
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- JP2000133648A JP2000133648A JP10302733A JP30273398A JP2000133648A JP 2000133648 A JP2000133648 A JP 2000133648A JP 10302733 A JP10302733 A JP 10302733A JP 30273398 A JP30273398 A JP 30273398A JP 2000133648 A JP2000133648 A JP 2000133648A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子デバイスを含む種々の基板に絶縁膜を形
成せしめる塗布液であって、低誘電率を有し、かつ耐熱
性及び密着性に優れた絶縁膜形成用塗布液を提供する。 【解決手段】 下記の（Ａ）及び（Ｂ）を含有する絶縁
膜形成用塗布液。 （Ａ）：樹脂鎖中に下記一般式（１）で示される構造単
位を含有する可溶性樹脂 （Ｒ1及びＲ2は、独立して、水素原子、炭素数１〜６の
アルキル基、炭素数５〜６のシクロアルキル基又はアリ
ール基を示し、Ｘは１５０℃以上で架橋反応を生じる熱
硬化基を示し、ｎは１〜２の整数を示す。） （Ｂ）：有機溶剤
成せしめる塗布液であって、低誘電率を有し、かつ耐熱
性及び密着性に優れた絶縁膜形成用塗布液を提供する。 【解決手段】 下記の（Ａ）及び（Ｂ）を含有する絶縁
膜形成用塗布液。 （Ａ）：樹脂鎖中に下記一般式（１）で示される構造単
位を含有する可溶性樹脂 （Ｒ1及びＲ2は、独立して、水素原子、炭素数１〜６の
アルキル基、炭素数５〜６のシクロアルキル基又はアリ
ール基を示し、Ｘは１５０℃以上で架橋反応を生じる熱
硬化基を示し、ｎは１〜２の整数を示す。） （Ｂ）：有機溶剤
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁膜形成用塗布
液に関するものである。更に詳しくは、本発明は、電子
デバイスを含む種々の基板に絶縁膜を形成せしめる塗布
液であって、低誘電率を有し、かつ耐熱性及び密着性に
優れた絶縁膜形成用塗布液に関するものである。
液に関するものである。更に詳しくは、本発明は、電子
デバイスを含む種々の基板に絶縁膜を形成せしめる塗布
液であって、低誘電率を有し、かつ耐熱性及び密着性に
優れた絶縁膜形成用塗布液に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの高速化はそれを構成するトラン
ジスタの微細化によって達成される。近年、この微細化
により配線間隔が縮小することにより、配線を伝達する
信号の遅延（配線遅延）や隣接配線間のクロスストロー
クが顕著になり、これがＬＳＩ自体の高性能化を妨げる
重大な問題となることが懸念されている。
ジスタの微細化によって達成される。近年、この微細化
により配線間隔が縮小することにより、配線を伝達する
信号の遅延（配線遅延）や隣接配線間のクロスストロー
クが顕著になり、これがＬＳＩ自体の高性能化を妨げる
重大な問題となることが懸念されている。
【０００３】この問題を解決する方法としては配線間を
埋める絶縁膜の比誘電率を下げることが検討されてい
る。従来、絶縁膜として使用されていたＳＯＧ（Spin o
n Glass）膜、ＣＶＤ（化学蒸着法；Chemical Vapor De
position）膜は比誘電率が３．５〜４であり、このＣＶ
Ｄ膜にフッ素を添加したＳｉＯＦ膜に関しても、比誘電
率は３．２〜３．７程度であり、充分な比誘電率とは言
えない。配線間距離が０．１８μｍ以下では比誘電率が
３．０以下の絶縁膜が必要とされている（月刊Semicond
uctor World１９９６．２月号，８９頁）。この観点か
ら有機樹脂膜を絶縁膜として使用することにより、低誘
電率化を狙うことが検討されている。しかしながら、一
般に有機樹脂では耐熱性・密着性が充分でないといった
問題点がある。
埋める絶縁膜の比誘電率を下げることが検討されてい
る。従来、絶縁膜として使用されていたＳＯＧ（Spin o
n Glass）膜、ＣＶＤ（化学蒸着法；Chemical Vapor De
position）膜は比誘電率が３．５〜４であり、このＣＶ
Ｄ膜にフッ素を添加したＳｉＯＦ膜に関しても、比誘電
率は３．２〜３．７程度であり、充分な比誘電率とは言
えない。配線間距離が０．１８μｍ以下では比誘電率が
３．０以下の絶縁膜が必要とされている（月刊Semicond
uctor World１９９６．２月号，８９頁）。この観点か
ら有機樹脂膜を絶縁膜として使用することにより、低誘
電率化を狙うことが検討されている。しかしながら、一
般に有機樹脂では耐熱性・密着性が充分でないといった
問題点がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】かかる事情のなか、本
発明が解決しようとする課題は、電子デバイスを含む種
々の基板に絶縁膜を形成せしめる塗布液であって、低誘
電率を有し、かつ耐熱性及び密着性に優れた絶縁膜形成
用塗布液に関するものである。本発明によると、たとえ
ば、４００℃以上の耐熱性、６ｋＰａ以上の密着性及び
３．０以下の比誘電率が可能である。
発明が解決しようとする課題は、電子デバイスを含む種
々の基板に絶縁膜を形成せしめる塗布液であって、低誘
電率を有し、かつ耐熱性及び密着性に優れた絶縁膜形成
用塗布液に関するものである。本発明によると、たとえ
ば、４００℃以上の耐熱性、６ｋＰａ以上の密着性及び
３．０以下の比誘電率が可能である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、下
記の（Ａ）及び（Ｂ）を含有する絶縁膜形成用塗布液に
係るものである。 （Ａ）：樹脂鎖中に下記一般式（１）で示される構造単
位を含有する可溶性樹脂 （Ｒ1及びＲ2は、独立して、水素原子、炭素数１〜６の
アルキル基、炭素数５〜６のシクロアルキル基又はアリ
ール基を示し、Ｘは１５０℃以上で架橋反応を生じる熱
硬化基を示し、ｎは１〜２の整数を示す。） （Ｂ）：有機溶剤
記の（Ａ）及び（Ｂ）を含有する絶縁膜形成用塗布液に
係るものである。 （Ａ）：樹脂鎖中に下記一般式（１）で示される構造単
位を含有する可溶性樹脂 （Ｒ1及びＲ2は、独立して、水素原子、炭素数１〜６の
アルキル基、炭素数５〜６のシクロアルキル基又はアリ
ール基を示し、Ｘは１５０℃以上で架橋反応を生じる熱
硬化基を示し、ｎは１〜２の整数を示す。） （Ｂ）：有機溶剤
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の（Ａ）は、樹脂鎖中に前
記一般式（１）で示される構造単位を含有する可溶性樹
脂である。
記一般式（１）で示される構造単位を含有する可溶性樹
脂である。
【０００７】前記一般式（１）において、Ｒ1及びＲ
2は、独立して、水素原子、炭素数１〜６のアルキル
基、炭素数５〜６のシクロアルキル基又はアリール基を
示し、Ｘは１５０℃以上で架橋反応を生じる熱硬化基を
示し、ｎは１〜２の整数を示す。
2は、独立して、水素原子、炭素数１〜６のアルキル
基、炭素数５〜６のシクロアルキル基又はアリール基を
示し、Ｘは１５０℃以上で架橋反応を生じる熱硬化基を
示し、ｎは１〜２の整数を示す。
【０００８】Ｘで表される熱硬化基としては、たとえ
ば、アリル基、アリルオキシ基、アリルエステル基、ア
セチレン基等の不飽和結合を含有する官能基、トリメト
キシシリル基、トリエトキシシリル基、トリフェニキシ
シリル基、トリエトキシシリルメチル基、トリエトキシ
シリルエチル基、トリエトキシシリルプロピル基、トリ
エトキシシリルブチル基、トリエトキシシリルエトキシ
メチル基等の下記一般式（２）で示されるトリアルコキ
シシリル基を含有する官能基、ビスマレイミド基、５−
ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸イミド基等の活性
二重結合を有するイミド基、シアネート基、シアナミン
基等の活性シアン結合を有する官能基、ベンゾシクロブ
テン基、ジベンゾシクロブテン基があげられる。 （Ｒ3は、同一又は異なって、炭素数１〜４のアルキル
基又はフェニル基を示す。）
ば、アリル基、アリルオキシ基、アリルエステル基、ア
セチレン基等の不飽和結合を含有する官能基、トリメト
キシシリル基、トリエトキシシリル基、トリフェニキシ
シリル基、トリエトキシシリルメチル基、トリエトキシ
シリルエチル基、トリエトキシシリルプロピル基、トリ
エトキシシリルブチル基、トリエトキシシリルエトキシ
メチル基等の下記一般式（２）で示されるトリアルコキ
シシリル基を含有する官能基、ビスマレイミド基、５−
ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸イミド基等の活性
二重結合を有するイミド基、シアネート基、シアナミン
基等の活性シアン結合を有する官能基、ベンゾシクロブ
テン基、ジベンゾシクロブテン基があげられる。 （Ｒ3は、同一又は異なって、炭素数１〜４のアルキル
基又はフェニル基を示す。）
【０００９】Ｘとしては、製造上容易である点から、ア
リル基又は前記一般式（２）で示されるアルコキシシリ
ル基が好ましい。すなわち、樹脂原料であるフェノール
誘導体に対し、たとえばアリルクロリド、アリルブロミ
ド、２−アリルオキシエチルクロリド等をｎ−ブチルリ
チウム触媒条件でアリル基をフェノール誘導体に結合さ
せることによってＸがアリル基であるモノマーを入手す
ることは容易であり、かつ、アリル基を導入した該モノ
マーにトリエトキシシランを縮合せしめる方法あるいは
ビニルトリエトキシシランをグラフト重合せしめる方法
等により、Ｘが一般式（２）の構造を有する官能基とす
ることができる。
リル基又は前記一般式（２）で示されるアルコキシシリ
ル基が好ましい。すなわち、樹脂原料であるフェノール
誘導体に対し、たとえばアリルクロリド、アリルブロミ
ド、２−アリルオキシエチルクロリド等をｎ−ブチルリ
チウム触媒条件でアリル基をフェノール誘導体に結合さ
せることによってＸがアリル基であるモノマーを入手す
ることは容易であり、かつ、アリル基を導入した該モノ
マーにトリエトキシシランを縮合せしめる方法あるいは
ビニルトリエトキシシランをグラフト重合せしめる方法
等により、Ｘが一般式（２）の構造を有する官能基とす
ることができる。
【００１０】（Ａ）としては、機械的強度及び溶剤溶解
性の観点から、下記一般式（３）で示される構造単位及
び下記一般式（４）で示される構造単位を含むものが好
ましい。すなわち、一般式（３）は熱硬化基が分子内に
集中することにより、剛直な分子構造を生じるため、機
械的強度に優れ、かつ工業的に安価に入手可能なｏ−ア
リルフェノールあるいは２，６−ジアリルフェノールか
ら容易に樹脂鎖内に導入可能であるため、好ましい。更
に、一般式（４）を構造単位として、導入することによ
り、前記機械的強度を低下させずに、溶剤溶解性に優れ
た樹脂を得ることができる。 （Ｒ1、Ｒ2及びｎは前記のとおりであり、Ｒ4及びＲ
5は、独立して、水素原子、炭素数１〜６のアルキル
基、炭素数５〜６のシクロアルキル基又はアリール基を
示す。）
性の観点から、下記一般式（３）で示される構造単位及
び下記一般式（４）で示される構造単位を含むものが好
ましい。すなわち、一般式（３）は熱硬化基が分子内に
集中することにより、剛直な分子構造を生じるため、機
械的強度に優れ、かつ工業的に安価に入手可能なｏ−ア
リルフェノールあるいは２，６−ジアリルフェノールか
ら容易に樹脂鎖内に導入可能であるため、好ましい。更
に、一般式（４）を構造単位として、導入することによ
り、前記機械的強度を低下させずに、溶剤溶解性に優れ
た樹脂を得ることができる。 （Ｒ1、Ｒ2及びｎは前記のとおりであり、Ｒ4及びＲ
5は、独立して、水素原子、炭素数１〜６のアルキル
基、炭素数５〜６のシクロアルキル基又はアリール基を
示す。）
【００１１】上記の場合、［３］／（［３］＋［４］）
が０．０５〜０．３であることが好ましい。ただし、
［３］は（Ａ）における請求項４記載の一般式（３）で
示される構造単位の含有量（モル）を示し、［４］は
（Ａ）における請求項４記載の一般式（４）で示される
構造単位の含有量（モル）を示す。上記の比率が過小で
あると比誘電率が３．０を超え、耐熱性が悪化する場合
があり、一方該比率が過大であると有機性が上がるた
め、密着性が６．０ｋＰａを下回る場合がある。
が０．０５〜０．３であることが好ましい。ただし、
［３］は（Ａ）における請求項４記載の一般式（３）で
示される構造単位の含有量（モル）を示し、［４］は
（Ａ）における請求項４記載の一般式（４）で示される
構造単位の含有量（モル）を示す。上記の比率が過小で
あると比誘電率が３．０を超え、耐熱性が悪化する場合
があり、一方該比率が過大であると有機性が上がるた
め、密着性が６．０ｋＰａを下回る場合がある。
【００１２】前記の一般式（４）のＲ4及びＲ5の少なく
とも一が第３級ブチル基であることが、更に溶剤溶解性
の観点から好ましい。
とも一が第３級ブチル基であることが、更に溶剤溶解性
の観点から好ましい。
【００１３】（Ａ）を製造する方法としては、次の方法
をあげることができる。たとえば、 （１）銅ピリジン錯体、銅エチレンジアミン錯体等の銅
錯体又は鉄ピリジン錯体、鉄ピコリン錯体等の鉄錯体を
触媒とする酸化重合法 （２）銅ピリジン錯体を触媒としたウルマン反応重合法 （３）塩化テトラブチルアンモニウム等の４級アンモニ
ウム基を有する界面活性剤を相間移動触媒とした脱ハロ
ゲン化水素重合法 があげられる。
をあげることができる。たとえば、 （１）銅ピリジン錯体、銅エチレンジアミン錯体等の銅
錯体又は鉄ピリジン錯体、鉄ピコリン錯体等の鉄錯体を
触媒とする酸化重合法 （２）銅ピリジン錯体を触媒としたウルマン反応重合法 （３）塩化テトラブチルアンモニウム等の４級アンモニ
ウム基を有する界面活性剤を相間移動触媒とした脱ハロ
ゲン化水素重合法 があげられる。
【００１４】上記の製造方法において、（３）は反応性
が低く、重合せしめるのに長時間を必要とし、（２）の
ウルマン反応重合法は一般に１５０℃以上の加熱を必要
とし、熱硬化基Ｘの変性が生じるので好ましくないた
め、酸化重合法が最も適している。更に比誘電率の観点
から、銅錯体を触媒とした酸化重合で合成する方法が好
ましい。該樹脂の重合方法としては銅錯体あるいは鉄錯
体等を触媒として用いることにより達成可能であるが、
鉄錯体の場合は製造後の触媒除去が著しく困難であり、
触媒由来のイオン不純物は比誘電率を悪化させる。
が低く、重合せしめるのに長時間を必要とし、（２）の
ウルマン反応重合法は一般に１５０℃以上の加熱を必要
とし、熱硬化基Ｘの変性が生じるので好ましくないた
め、酸化重合法が最も適している。更に比誘電率の観点
から、銅錯体を触媒とした酸化重合で合成する方法が好
ましい。該樹脂の重合方法としては銅錯体あるいは鉄錯
体等を触媒として用いることにより達成可能であるが、
鉄錯体の場合は製造後の触媒除去が著しく困難であり、
触媒由来のイオン不純物は比誘電率を悪化させる。
【００１５】本発明の（Ｂ）は、有機溶剤であり、好ま
しい具体例として、ケトン溶剤，エステル溶剤及びアル
キレングリコールモノアルキルエーテルアセテート溶剤
をあげることができる。
しい具体例として、ケトン溶剤，エステル溶剤及びアル
キレングリコールモノアルキルエーテルアセテート溶剤
をあげることができる。
【００１６】本発明の絶縁膜形成用塗布液は、上記の
（Ａ）及び（Ｂ）を含有するものである。
（Ａ）及び（Ｂ）を含有するものである。
【００１７】絶縁膜形成用塗布液中の（Ａ）の含有量
は、５〜３０重量％であることが好ましい。該含有量が
過少であると塗布時の膜厚が著しく薄くなることから、
たとえば、半導体デバイス製造での絶縁膜に必要な膜厚
を得るためには複数回の塗布が必要となる場合があり、
一方該含有量が過多であると塗布液自体の粘度が著しく
高くなり、塗布ムラが生じる場合がある。
は、５〜３０重量％であることが好ましい。該含有量が
過少であると塗布時の膜厚が著しく薄くなることから、
たとえば、半導体デバイス製造での絶縁膜に必要な膜厚
を得るためには複数回の塗布が必要となる場合があり、
一方該含有量が過多であると塗布液自体の粘度が著しく
高くなり、塗布ムラが生じる場合がある。
【００１８】
【実施例】本発明を詳細に説明するため以下に実施例を
記すが、この実施例によって本発明の範囲は何ら制限さ
れるものではない。
記すが、この実施例によって本発明の範囲は何ら制限さ
れるものではない。
【００１９】実施例１ １ｌ４ツ口フラスコに塩化第１銅 ０．７１ｇ（７．２
ｍｍｏｌ）、ピリジン１４２ｇ（１．８ｍｏｌ）及びト
ルエン７６ｇを仕込み、空気を通じながら室温下で攪拌
した。次いで空気を通じたまま、２，６−キシレノール
３９．７ｇ（３５２ｍｍｏｌ）、２，２−ビス（４−
ヒドロキシ−３−アリルフェニル）プロピル１１．１ｇ
（３６ｍｍｏｌ）をトルエン７６ｇに溶解した溶液を仕
込み、内温を４０℃に上昇させ、１時間攪拌した。次い
で、２，６−ジ-t-ブチルフェノール２．２ｇ（１１ｍ
ｍｏｌ）を添加し、更に同温度で３０分間攪拌を続け
た。得られた反応溶液を１０ｍｌの濃塩酸を添加したメ
タノール１．２ｌに滴下し、樹脂を析出させた。得られ
た樹脂を塩化メチレン４５０ｇに溶解させ、メタノール
０．６ｌに滴下することにより、再沈殿を行った後、メ
タノール洗浄、水洗、最後にまたメタノール洗浄を行
い、ウェットケーキとして４５．０ｇの製品を得た
（（３）／（（３）＋（４））＝０．０９）。次いで、
この結晶をシクロヘキサノンに固形分１５％になるよう
に溶解し、更に硬化触媒としてt-ブトキシパーオキシド
を樹脂固形分に対し、０．１％添加・溶解した。次い
で、０．２μmフィルターでろ過し、塗布液を調整し
た。得られた塗布液を４インチシリコンウェハーに回転
数２５００ｒｐｍでスピンコート（ミカサ製スピンナー
１Ｈ−３６０型）し、１５０℃でベークした後、窒素気
流下３５０℃で３０分間焼成を行うことにより塗布膜を
形成させた。膜厚は光学式膜厚計（ナノメトリック社製
ナノスペック２１０型）で測定し、数回重ね塗りを行
い、膜厚１．２μｍでクラックの有無を光学顕微鏡で観
察した。比誘電率は周波数１ＭＨｚで水銀プローブ法
（日本ＳＳＭ ４９５型）で測定した。絶縁耐圧は同様
に水銀プローブ法により、印加電流密度１ｍＡ／ｃｍ2
で測定した。密着性はシリコンウェハー（Ｓｉ）だけで
なくチタン（Ｔｉ）、アルミ（Ａｌ）をシリコンウェハ
ー上に成膜されたウェハーにも同様に塗布・焼成し、セ
バスチャン試験（ＱｕａｄＧｒｏｕｐ製セバスチャン
Ｖ）で測定した。耐熱性は塗布液を１５０℃で１時間乾
燥させた固形分残渣を熱重量分析計（島津製 ＤＴＧ−
５０型）で０．１％重量減温度を求めた。得られた物性
を表１に示す。
ｍｍｏｌ）、ピリジン１４２ｇ（１．８ｍｏｌ）及びト
ルエン７６ｇを仕込み、空気を通じながら室温下で攪拌
した。次いで空気を通じたまま、２，６−キシレノール
３９．７ｇ（３５２ｍｍｏｌ）、２，２−ビス（４−
ヒドロキシ−３−アリルフェニル）プロピル１１．１ｇ
（３６ｍｍｏｌ）をトルエン７６ｇに溶解した溶液を仕
込み、内温を４０℃に上昇させ、１時間攪拌した。次い
で、２，６−ジ-t-ブチルフェノール２．２ｇ（１１ｍ
ｍｏｌ）を添加し、更に同温度で３０分間攪拌を続け
た。得られた反応溶液を１０ｍｌの濃塩酸を添加したメ
タノール１．２ｌに滴下し、樹脂を析出させた。得られ
た樹脂を塩化メチレン４５０ｇに溶解させ、メタノール
０．６ｌに滴下することにより、再沈殿を行った後、メ
タノール洗浄、水洗、最後にまたメタノール洗浄を行
い、ウェットケーキとして４５．０ｇの製品を得た
（（３）／（（３）＋（４））＝０．０９）。次いで、
この結晶をシクロヘキサノンに固形分１５％になるよう
に溶解し、更に硬化触媒としてt-ブトキシパーオキシド
を樹脂固形分に対し、０．１％添加・溶解した。次い
で、０．２μmフィルターでろ過し、塗布液を調整し
た。得られた塗布液を４インチシリコンウェハーに回転
数２５００ｒｐｍでスピンコート（ミカサ製スピンナー
１Ｈ−３６０型）し、１５０℃でベークした後、窒素気
流下３５０℃で３０分間焼成を行うことにより塗布膜を
形成させた。膜厚は光学式膜厚計（ナノメトリック社製
ナノスペック２１０型）で測定し、数回重ね塗りを行
い、膜厚１．２μｍでクラックの有無を光学顕微鏡で観
察した。比誘電率は周波数１ＭＨｚで水銀プローブ法
（日本ＳＳＭ ４９５型）で測定した。絶縁耐圧は同様
に水銀プローブ法により、印加電流密度１ｍＡ／ｃｍ2
で測定した。密着性はシリコンウェハー（Ｓｉ）だけで
なくチタン（Ｔｉ）、アルミ（Ａｌ）をシリコンウェハ
ー上に成膜されたウェハーにも同様に塗布・焼成し、セ
バスチャン試験（ＱｕａｄＧｒｏｕｐ製セバスチャン
Ｖ）で測定した。耐熱性は塗布液を１５０℃で１時間乾
燥させた固形分残渣を熱重量分析計（島津製 ＤＴＧ−
５０型）で０．１％重量減温度を求めた。得られた物性
を表１に示す。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【発明の効果】以上、説明したように本発明により、電
子デバイスを含む種々の基板に絶縁膜を形成せしめる塗
布液であって、低誘電率を有し、かつ耐熱性及び密着性
に優れた絶縁膜形成用塗布液を提供することができた。
本発明によると、たとえば、４００℃以上の耐熱性、６
ｋＰａ以上の密着性及び３．０以下の比誘電率が可能で
ある。
子デバイスを含む種々の基板に絶縁膜を形成せしめる塗
布液であって、低誘電率を有し、かつ耐熱性及び密着性
に優れた絶縁膜形成用塗布液を提供することができた。
本発明によると、たとえば、４００℃以上の耐熱性、６
ｋＰａ以上の密着性及び３．０以下の比誘電率が可能で
ある。
Claims (9)
- 【請求項１】 下記の（Ａ）及び（Ｂ）を含有する絶縁
膜形成用塗布液。 （Ａ）：樹脂鎖中に下記一般式（１）で示される構造単
位を含有する可溶性樹脂 （Ｒ1及びＲ2は、独立して、水素原子、炭素数１〜６の
アルキル基、炭素数５〜６のシクロアルキル基又はアリ
ール基を示し、Ｘは１５０℃以上で架橋反応を生じる熱
硬化基を示し、ｎは１〜２の整数を示す。） （Ｂ）：有機溶剤 - 【請求項２】 請求項１記載の一般式（１）において、
Ｘがアリル基又は下記一般式（２）で示されるアルコキ
シシリル基である請求項１記載の絶縁膜形成用塗布液。 （Ｒ3は、同一又は異なって、炭素数１〜４のアルキル
基又はフェニル基を示す。） - 【請求項３】 請求項１記載の一般式（１）において、
Ｘがアリル基である請求項１記載の絶縁膜形成用塗布
液。 - 【請求項４】 （Ａ）が、下記一般式（３）で示される
構造単位及び一般式（４）で示される構造単位を含む請
求項１記載の絶縁膜形成用塗布液。 （Ｒ1、Ｒ2及びｎは請求項１記載のとおりであり、Ｒ4
及びＲ5は、独立して、水素原子、炭素数１〜６のアル
キル基、炭素数５〜６のシクロアルキル基又はアリール
基を示す。） - 【請求項５】 （Ａ）において、［３］／（［３］＋
［４］）が０．０５〜０．３である請求項４記載の絶縁
膜形成用塗布液。ただし、［３］は（Ａ）における請求
項４記載の一般式（３）で示される構造単位の含有量
（モル）を示し、［４］は（Ａ）における請求項４記載
の一般式（４）で示される構造単位の含有量（モル）を
示す。 - 【請求項６】 請求項４記載の一般式（４）のＲ4及び
Ｒ5の少なくとも一が第３級ブチル基である請求項４記
載の絶縁膜形成用塗布液。 - 【請求項７】 （Ａ）が、銅錯体を触媒とした酸化重合
で合成される芳香族ポリエーテルである請求項１記載の
縁膜形成用塗布液。 - 【請求項８】 （Ｂ）が、ケトン溶剤，エステル溶剤又
はアルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテー
ト溶剤である請求項１記載の絶縁膜形成用塗布液。 - 【請求項９】 絶縁膜形成用塗布液中の（Ａ）の含有量
が５〜３０重量％である請求項１記載の絶縁膜形成用塗
布液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10302733A JP2000133648A (ja) | 1998-10-23 | 1998-10-23 | 絶縁膜形成用塗布液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10302733A JP2000133648A (ja) | 1998-10-23 | 1998-10-23 | 絶縁膜形成用塗布液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000133648A true JP2000133648A (ja) | 2000-05-12 |
Family
ID=17912507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10302733A Pending JP2000133648A (ja) | 1998-10-23 | 1998-10-23 | 絶縁膜形成用塗布液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000133648A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6989420B2 (en) | 2001-11-30 | 2006-01-24 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Coating liquid for producing insulating film having low dielectric constant |
| JP2011137161A (ja) * | 2002-09-26 | 2011-07-14 | Hitachi Chem Co Ltd | ボラジン系樹脂組成物、絶縁被膜及びその形成方法 |
| CN113698592A (zh) * | 2021-09-06 | 2021-11-26 | 洛阳理工学院 | 一种可固化聚苯醚树脂及其制备方法 |
| CN113773632A (zh) * | 2021-09-06 | 2021-12-10 | 洛阳理工学院 | 一种含可固化聚苯醚树脂的组合物及其应用 |
-
1998
- 1998-10-23 JP JP10302733A patent/JP2000133648A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6989420B2 (en) | 2001-11-30 | 2006-01-24 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Coating liquid for producing insulating film having low dielectric constant |
| JP2011137161A (ja) * | 2002-09-26 | 2011-07-14 | Hitachi Chem Co Ltd | ボラジン系樹脂組成物、絶縁被膜及びその形成方法 |
| CN113698592A (zh) * | 2021-09-06 | 2021-11-26 | 洛阳理工学院 | 一种可固化聚苯醚树脂及其制备方法 |
| CN113773632A (zh) * | 2021-09-06 | 2021-12-10 | 洛阳理工学院 | 一种含可固化聚苯醚树脂的组合物及其应用 |
| CN113698592B (zh) * | 2021-09-06 | 2023-11-14 | 洛阳理工学院 | 一种可固化聚苯醚树脂及其制备方法 |
| CN113773632B (zh) * | 2021-09-06 | 2023-11-14 | 洛阳理工学院 | 一种含可固化聚苯醚树脂的组合物及其应用 |
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