JP2000132880A - 情報再生素子及びそれを備える情報記録／再生ヘッド並びに情報再生方法 - Google Patents

情報再生素子及びそれを備える情報記録／再生ヘッド並びに情報再生方法

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JP2000132880A JP10307570A JP30757098A JP2000132880A JP 2000132880 A JP2000132880 A JP 2000132880A JP 10307570 A JP10307570 A JP 10307570A JP 30757098 A JP30757098 A JP 30757098A JP 2000132880 A JP2000132880 A JP 2000132880A
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Koji Matsumoto
幸治 松本
Toru Fujimaki
徹 藤巻
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Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 情報再生素子を備える情報再生ヘッドを用い
て、高密度記録された情報記録媒体を再生する。 【解決手段】 再生ヘッド２はＧＧＧ基板２０上に成長
形成された再生チップ２１を備えている。再生チップ２
１は、組成に特有のストライプ磁区幅よりも小寸法に形
成されており、光磁気ディスク１の一領域からの磁束が
転写される。再生チップ２１の磁区幅方向の寸法は光磁
気ディスク１の最小マーク長よりも大きく、また再生チ
ップ２１は単磁区構造であるので、光磁気ディスク１の
磁束は再生チップ２１の全領域に拡大して転写される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、情報記録媒体に磁
気的に記録された情報を転写する情報再生素子に関し、
さらに、この情報再生素子に転写された情報を磁気光学
効果によって再生する情報再生方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録及び光記録における記録密度は
年々増加しており、その記録再生方法は極めて巧妙にな
りつつあるが、情報記録のさらなる高密度化はますます
要望されている。磁性膜を用いた記録媒体に情報を記録
し、これを再生する手段は種々ある。例えば記録媒体が
磁気ディスクである場合は、情報を磁気的に記録した
後、リングヘッド又は薄膜ヘッドを用いて、記録された
マークから漏れる磁界を検出する。また、記録媒体が光
磁気ディスクである場合は、情報を磁気的に記録（この
場合を特に熱磁気記録という）した後、回折限界程度ま
で絞ったビーム光を媒体に照射し、このとき磁性膜で生
じる磁気光学効果の変化を検出する。
【０００３】さらに、磁性膜を用いた記録媒体に情報を
記録した後、磁性体を備える情報再生素子を近接せしめ
て情報の磁化方向を転写し、情報再生素子に回折限界程
度まで絞ったビーム光を媒体に照射して、磁性体で生じ
る磁気光学効果の変化を検出する方法がある。この方法
では記録媒体に記録された情報は、情報再生素子に転写
されて再生される。
【０００４】図１５は、従来の情報再生素子を用いた再
生方法の説明図である。この情報再生素子は、社団法
人，電子情報通信学会，信学技法，MR97-84,CPM97-176
(1998-03),p.1-p.7『磁性ガーネットを用いた浮上型磁
気ヘッドの信号読み出し特性』にて報告されている。図
中、円内は拡大図示されている。記録ビット１５に情報
が磁気的記録されている磁気記録媒体１４の面上に再生
ヘッドが配されている。再生ヘッドはサスペンション３
でスライダ部１０を支持した浮上型磁気ヘッドである。
スライダ部１０は、ＧＧＧ（ガドリウム・ガリウム・ガ
ーネット）基板１８上に、磁性ガーネット膜１６を結晶
成長させ、その上にチタンからなる反射膜１７、及びＳ
ｉＯ2 からなる保護膜１９を形成して構成されている。
スライダ部１０の保護膜１９側が磁気記録媒体１４に対
面している。
【０００５】この再生ヘッドでは、再生時に、磁気記録
媒体１４から漏れ出る磁束が磁性ガーネット膜１６に転
写され、記録ビット１５，１５…が保持する夫々の磁化
方向が磁性ガーネット膜１６に形成される。磁性ガーネ
ット膜１６にはレーザ光が照射され、磁気光学効果の変
化を検出することにより、転写された情報を再生する。
磁気ガーネットは大きな磁気光学効果を示すために、磁
性ガーネット膜１６から情報を再生することにより、よ
り大きな再生信号を得ることができる。しかしながら、
この再生ヘッドでは、記録波長が２μｍ以下の場合には
再生信号の振幅が大幅に低下し、高密度記録された情報
を再生することができないという問題があった。
【０００６】また、特開昭62−75955 号公報では、ガー
ネット膜を用いた磁気光記録再生ヘッドが提案されてい
る。この磁気光記録再生ヘッドは記録再生機能を有して
おり、面内磁化を示すガーネット膜をヘッドに備え、磁
気記録媒体の情報を転写又は誘導する。そしてガーネッ
ト膜の磁化方向を磁気光学的に再生することにより、高
レベルの再生信号を得ることができる。このように、ガ
ーネット膜を用いた情報再生素子は、他にも種々提案さ
れている（特開昭47−1244号公報，特開昭56−37839 号
公報，特開昭61−214260号公報，特開昭61−214261号公
報，特開平６−325422号公報等）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】磁気光学効果が高いガ
ーネットの情報再生素子を用いて光磁気再生を行なった
場合は、高レベルの再生信号は得られるが、前述したよ
うに、高密度で記録された情報を再生できないという問
題があった。また、前述したどの公報にも、ガーネット
膜の寸法及び磁気特性、ヘッドの寸法などが開示されて
おらず、具体性に欠けるという問題があった。
【０００８】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、単磁区構造を有する磁性体チップを用いて、
高密度記録された情報記録媒体の情報を再生可能に転写
できる情報再生素子を提供することを目的とする。ま
た、この情報再生素子から、高密度記録された情報記録
媒体の情報を再生できる情報再生ヘッド、情報記録再生
ヘッド及び情報再生方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】第１発明に係る情報再生
素子は、情報記録膜に対向配置され、該情報記録膜の再
生すべき磁束を転写する情報再生素子において、単磁区
構造を有する磁性体チップを備えることを特徴とする。
【００１０】磁性体はストライプ磁区を形成し、消磁状
態ではその組成に応じて特有の磁区幅を有している。第
１発明にあっては、磁性体チップの磁区形成方向の寸法
が前記特有の磁区幅よりも小寸法であるので、磁性体チ
ップは単磁区構造を有する。従って、磁性体チップの幅
寸法が、情報記録膜に形成された記録マークよりも大き
い場合は、情報記録膜に形成された記録マークの磁束
が、再生時に磁性体チップに拡大して転写される。そし
て、磁性体チップは全領域で１磁区だけを形成するの
で、磁化方向が反転するときの磁気光学効果の変化を高
精度に検出する。このとき、情報記録膜に形成された最
小の記録マークは磁性体チップよりも小寸法であるが、
再生時の情報記録膜の温度分布及び磁性体チップの情報
記録膜に対する傾斜によって決定された領域が磁性体チ
ップに転写される。
【００１１】第２発明に係る情報再生素子は、第１発明
において、前記磁性体チップは、基板上に成長せしめた
磁性体を、エッチングにより所定の寸法に成形してある
ことを特徴とする。
【００１２】第２発明にあっては、基板となる母材から
結晶成長させるので、磁性体チップはその組成において
正確な磁気特性を有する。また、エッチングにより母材
上に複数の磁性体チップを同時形成し、その後に母材を
各片ごとに切断することにより、多数の情報再生素子を
容易に製造できる。
【００１３】第３発明に係る情報再生素子は、第１又は
第２発明において、前記磁性体チップは、前記情報記録
膜からの磁束を受ける受け面と、転写された磁束を再生
するためのビーム光が照射される照射面とを有し、該照
射面は前記磁束の受け面よりも大面積を有することを特
徴とする。
【００１４】第３発明にあっては、磁束の受け面の寸法
は、情報記録膜に形成された最小の記録マークの寸法に
近くなり、転写磁束の再生のための照射面の寸法は大き
いので、磁束が正確に転写され、且つ、高レベルの再生
信号が得られる。
【００１５】第４発明に係る情報再生素子は、第１乃至
第３発明のいずれかにおいて、前記磁性体チップの前記
情報記録膜からの磁束を受ける受け面に、前記磁束を透
過せしめて前記磁性体チップに転写せしめる透磁性膜を
形成してあることを特徴とする。
【００１６】第４発明にあっては、透磁性膜は高透磁率
を有する磁性膜であり、磁性体チップの一部領域に形成
して情報記録膜に対向せしめることにより、透磁性膜が
最も近接対向した情報記録媒体の記録マークが転写され
るので、情報記録膜の記録マークが微小であっても磁束
が高精度に転写される。
【００１７】第５発明に係る情報再生素子は、第１乃至
第４発明のいずれかにおいて、前記磁性体チップは、希
土類金属，遷移金属及び酸素イオンを含む磁性ガーネッ
ト構造を有する磁性酸化物であることを特徴とする。
【００１８】第５発明にあっては、磁性ガーネット構造
を有する磁性酸化物は磁気光学効果が大きいので、転写
された磁束が大きな信号レベルで再生される。
【００１９】第６発明に係る情報再生素子は、第１乃至
第５発明のいずれかにおいて、前記磁性体チップは、転
写された磁束を再生するためのビーム光が照射される照
射面を有し、該照射面の対向側面に、前記ビーム光を反
射する反射膜をさらに備えることを特徴とする。
【００２０】第６発明にあっては、磁性体チップに入射
したビーム光を反射膜で反射することにより、情報記録
膜側へ透過するビーム光を低減でき、再生信号を得るた
めの受光量が増大する。
【００２１】第７発明に係る情報再生素子は、第１乃至
第６発明のいずれかにおいて、前記磁性体チップは、垂
直磁化容易軸を有する軟磁性膜であることを特徴とす
る。
【００２２】第７発明にあっては、磁性体チップは垂直
磁化容易軸を有するので、情報記録膜に対向配置された
磁性体チップの情報記録膜に対する磁化方向に応じて、
磁性体チップへのビーム光の照射方向を決定する。これ
によって、正確な再生特性を得ることができる。
【００２３】第８発明に係る情報再生ヘッドは、第１乃
至第７発明のいずれかの情報再生素子を備える再生ヘッ
ドであって、前記情報再生素子と、該情報再生素子が取
付けられて、前記情報記録膜を有する情報記録媒体に対
向配置されるスライダとを備えることを特徴とする。
【００２４】第８発明にあっては、スライダが媒体上に
対向配置されることにより、情報再生素子が情報記録膜
に近接対向され、情報が転写，再生される。スライダ
は、情報再生素子の磁性体チップの成長母材をそのまま
用いても良いし、例えば合成樹脂製のスライダ部に母材
と磁性体チップとを取り付けても良い。
【００２５】第９発明に係る情報再生ヘッドは、第１乃
至第７発明のいずれかの情報再生素子を備える再生ヘッ
ドであって、前記情報再生素子と、該情報再生素子が先
端に取付けられて、前記情報記録膜を有する情報記録媒
体に前記先端が対向配置される光導波路とを備えること
を特徴とする。
【００２６】第９発明にあっては、光ファイバのような
光導波路の先端が媒体上に対向配置されることにより、
情報再生素子が情報記録膜に近接対向され、情報が転
写，再生される。
【００２７】第１０発明に係る情報再生ヘッドは、第８
又は第９発明において、前記情報再生素子は、その磁化
容易軸の方向が前記情報記録膜の厚み方向と略平行にな
るべく配してあることを特徴とする。
【００２８】第１０発明にあっては、情報記録膜が垂直
磁化膜又は面内磁化膜である場合に、情報記録膜の漏れ
磁束が閉磁路を形成し、その磁束の垂直成分が磁性体チ
ップに転写されて再生される。
【００２９】第１１発明に係る情報再生ヘッドは、第８
又は第９発明において、前記情報再生素子は、その磁化
容易軸の方向が前記情報記録膜の厚み方向と交わるよう
に配してあることを特徴とする。
【００３０】第１１発明にあっては、情報記録膜が垂直
磁化膜又は面内磁化膜である場合に、情報記録膜の漏れ
磁束が閉磁路を形成し、その磁束の面内成分が磁性体チ
ップに転写されて再生される。
【００３１】第１２発明に係る情報記録再生ヘッドは、
第１乃至第７発明のいずれかの情報再生素子を備え、前
記情報記録膜を有する情報記録媒体を相対移動せしめて
情報を記録再生する記録再生ヘッドであって、前記情報
再生素子と、該情報再生素子が取付けられて前記情報記
録媒体に対向配置されるスライダと、前記情報再生素子
の移動方向の後方側で、前記情報記録媒体に磁界を印加
する磁気ヘッド部とを備えることを特徴とする。
【００３２】第１２発明にあっては、情報記録膜への記
録時に、磁気ヘッド部により情報記録膜へ磁界を印加す
ることにより情報を磁気記録する。または、情報再生素
子にビーム光を照射することにより情報記録膜を加熱
し、磁気ヘッド部により情報記録膜へ磁界を印加して、
情報を光磁気記録する。
【００３３】第１３発明に係る情報記録再生ヘッドは、
第１乃至第７発明のいずれかの情報再生素子を備え、前
記情報記録膜を有する情報記録媒体を相対移動せしめて
情報を記録再生する記録再生ヘッドであって、前記情報
再生素子と、該情報再生素子が取付けられた先端が前記
情報記録媒体に対向配置される光導波路と、該光導波路
の先端に巻回されたコイル部とを備えることを特徴とす
る。
【００３４】第１３発明にあっては、情報記録膜への記
録時に、コイル部により情報記録膜へ磁界を印加するこ
とにより情報を磁気記録する。または、光ファイバのよ
うな光導波路の先端に取付けた情報再生素子にビーム光
を照射することにより情報記録膜を加熱し、コイル部に
より情報記録膜へ磁界を印加して、情報を光磁気記録す
る。
【００３５】第１４発明に係る情報再生方法は、第１乃
至第７発明のいずれかの情報再生素子から情報を再生す
る情報再生方法において、前記情報再生素子が前記情報
記録膜に対向配置される過程と、前記情報記録膜の一領
域の磁束が前記情報再生素子の全領域に転写され、続い
て、前記情報記録膜の前記一領域に隣合う領域の磁束
が、前記情報再生素子の全領域に転写される過程と、前
記情報再生素子にビーム光を照射し、前記情報再生素子
の磁気光学効果の変化を検出する過程とを備えることを
特徴とする。
【００３６】第１４発明にあっては、情報記録膜の一領
域の磁束が単磁区構造を有する磁性体チップの全領域に
転写されるので、情報記録膜に高密度に記録された短い
記録マークが拡大して転写される。また、磁性体チップ
は全領域で１磁区のみを形成するので、再生は磁性体チ
ップの全領域での磁化反転を検出することになり、高レ
ベルの再生信号が得られ、再生特性が向上する。
【００３７】
【発明の実施の形態】以下、本発明をその実施の形態を
示す図面に基づき具体的に説明する。 実施の形態１．図１は、本発明に係る再生装置の構成を
示すブロック図である。再生装置は、本発明の特徴とな
る再生チップ（磁性体チップ）２１を備える再生ヘッド
２と、これを支持するサスペション３と、再生チップ２
１にレーザ光を照射し、その反射光を受光して再生信号
検出系及びサーボ信号検出系に信号を与える光学系とを
備えている。再生ヘッド２は、ＧＧＧ基板２０の上面略
中央に磁性酸化物、例えばＴｂＢｉ2 Ｆｅ4 ＧａＯ12か
らなる再生チップ２１を有している。再生ヘッド２は再
生チップ２１側に光磁気ディスク１を対向せしめ、ＧＧ
Ｇ基板２０がスライダとなってサスペンション３の移動
により光磁気ディスク１の所定位置へ移動する。なお、
再生チップの上面は、例えば透明潤滑層で形成された保
護層（図示せず）で被覆されており、光磁気ディスク１
との摺動時の損傷を防止するようになっている。
【００３８】図１に示すように、レーザ光源６１から出
射されたレーザ光はコリメータレンズ６２及び真正補正
プリズム６３を通って円形の平行光となり、第１のビー
ムスプリッタ６４を介して対物レンズ６５を通り、再生
チップ２１の基面（底面）に集光される。再生チップ２
１で反射されたレーザ光は、再び対物レンズ６５を通
り、第１のビームスプリッタ６４で反射されて第２のビ
ームスプリッタ６６に入射される。第２のビームスプリ
ッタ６６では透過光と反射光とに分けられ、透過光は再
生信号検出のために２分の１波長板６７で偏光方向を回
転した後、第３のビームスプリッタ６８で偏光成分毎に
分けられて各別にフォトダイオードＰＤ２，ＰＤ３で受
光される。フォトダイオードＰＤ２，ＰＤ３からの電気
信号は差動増幅器７１に入力され、再生信号が得られ
る。
【００３９】一方、第２のビームスプリッタ６６の反射
光はフォトダイオードＰＤ１で受光され、フォトダイオ
ードＰＤ１からの電気信号がサーボ信号検出部３２に入
力されてトラッキング制御信号及びフォーカス制御信号
が得られる。これらの制御信号は、サスペンション制御
部３３に入力され、サスペンション制御部３３は、与え
られたトラッキング制御信号及びフォーカス制御信号に
基づいて、サスペンション３をディスク径方向及びディ
スク厚み方向に移動せしめるようになっている。
【００４０】以上の如き構成の再生装置が備える再生ヘ
ッド２の具体的構造及びその製造方法について以下に説
明する。図２は再生ヘッド２の製造の中途過程を示す斜
視図である。再生ヘッド２の製造は、まず、厚さ0.5 ｍ
ｍのＧＧＧ基材２０ａ上に、ＴｂＢｉ2 Ｆｅ4 ＧａＯ12
の磁性ガーネット膜を厚み１μｍまでＬＰＥ（リキッド
フェイズエピタキシー）法で成長させる。次に、磁性ガ
ーネット膜上にレジストを100 ｎｍの厚みで被覆し、密
着露光を行なう。パターン寸法は１μｍ×１μｍであ
る。通常の現像液を用いて現像した後、塩酸に１分間浸
漬してエッチングを行なった。図２はエッチング後の状
態を示している。ＧＧＧ基材２０ａ上に、一辺が１μｍ
の立方体形状のＴｂＢｉ2 Ｆｅ4 ＧａＯ12からなる再生
チップ２１，２１…が所定ピッチで形成されている。
【００４１】このＧＧＧ基材２０ａを１ｍｍ×１ｍｍの
寸法で裁断することにより、ＧＧＧ基板２０上に再生チ
ップ２１が形成された再生ヘッド２が形成される。Ｔｂ
Ｂｉ 2 Ｆｅ4 ＧａＯ12の磁性ガーネット膜は１０Ｏｅ程
度の保磁力を有し、膜面に対して垂直方向に磁化容易軸
を有している。またＴｂＢｉ2 Ｆｅ4 ＧａＯ12は、その
特性上、消磁状態で２μｍのストライプ磁区幅を形成す
る。従って、１μｍ×１μｍ寸法の再生チップ２１の幅
寸法はストライプ磁区幅よりも小さいので、複数の磁区
は形成されず、単磁区構造となる。
【００４２】光磁気ディスク１は、図１に示すように、
基板１１０上に、Ｔｂ22Ｆｅ50Ｃｏ 28からなる２０ｎｍ
の記録層１２とＧｄ23Ｆｅ50Ｃｏ27からなる10ｎｍの再
生層１３とが交換結合する記録膜を備えている。ここ
で、基板１１０はトラックピッチが0.8 μｍのランド／
グルーブ基板であり、溝深さは20ｎｍである。また、Ｔ
ｂ22Ｆｅ50Ｃｏ28膜は室温において保磁力が無限大であ
り、Ｇｄ23Ｆｅ50Ｃｏ27膜は室温において保磁力が200
Ｏｅであり、磁化の値が300 emu/ccである。なお、これ
らの磁性膜は、酸化防止のためにＳｉＮからなる保護膜
が20ｎｍの厚みで形成されている。
【００４３】光磁気ディスク１には、異なる長さの記録
マークが光磁気記録方式により高密度で形成されてお
り、最小の記録マーク寸法は略0.1 μｍである。図１に
示す再生装置を用いて、光磁気ディスク１に記録されて
いる情報を再生する際に、光磁気ディスク１が回転し、
再生ヘッド２が光磁気ディスク１の所定の位置まで移動
する。図３は、再生チップの転写された磁化状態及び再
生波形を示す図である。なお、光ディスク１には再生層
１３の磁化方向のみを示している。再生ヘッド２はＧＧ
Ｇ基板２０をスライダとして用いており、再生チップ２
１の磁化容易軸が光磁気ディスク１の厚み方向に略平行
となるように、再生チップ２１を光磁気ディスク１に対
面させる。
【００４４】図３に示すように、再生チップ２１の磁区
幅方向の寸法は、光磁気ディスク１の最小マーク長より
も大きく、再生チップ２１は単磁区構造であるので、光
磁気ディスク１の記録マークは拡大されて再生チップ２
１に転写される。図３に示すように、光磁気ディスク１
は漏れ磁束により閉磁路を形成しており、磁束の垂直成
分が再生チップ２１に転写される。実線の再生チップ２
１には上向きの磁界が転写されており、光磁気ディスク
１の回転により次の記録マーク、即ち下向きの磁化が転
写され、再生チップ２１は一点鎖線で示す如く磁化反転
する。
【００４５】このように、再生チップ２１よりも小寸法
である光磁気ディスク１の一領域のみが転写されるの
は、レーザ光の照射により光磁気ディスク１に温度分布
が生じ、特定の温度領域にある記録マークが転写される
と考えられる。また、再生ヘッド２はディスク面に対し
て僅かに傾斜しており、再生チップ２１と光磁気ディス
ク１との距離が位置によって異なることから、特定の距
離にある光磁気ディスクの一領域のみが転写されると考
えられる。
【００４６】再生チップ２１に転写された光磁気ディス
ク１の情報を再生し、記録マーク長に対する再生信号の
ＣＮＲを測定した。図４はその結果を示しており、縦軸
はＣＮＲを示し、横軸はマーク長を示している。このと
き、再生ヘッドの浮上量は50ｎｍであり、再生チップ２
１を照射するレーザ光の再生パワーを1.5 ｍＷとした。
グラフから判るように、1.0 μｍから0.15μｍまでのマ
ーク長で５０ｄＢ以上のＣＮＲを示しており、0.15μｍ
よりも小さいマーク長でＣＮＲは低下し、0.1μｍでＣ
ＮＲは略４５ｄＢであった。従って、0.15μｍ程度の短
い記録マークを再生チップ２１の１μｍの単磁区領域に
転写し、再生することができたと言える。このように実
施の形態１では、短い記録マークを高い磁気光学効果を
有する再生チップ２１に確実に転写できるので、十分な
ＣＮＲで再生することができる。また、高い磁気光学効
果を有する再生チップ２１の反射光を用いるので、トラ
ッキング制御が高精度で行なえる。
【００４７】実施の形態２．実施の形態１では、厚み１
μｍの再生チップ２１を１μｍ×１μｍの寸法に形成し
た場合を説明しているが、本実施の形態２では0.5 μｍ
×0.5 μｍの寸法の再生チップを形成し、再生特性を調
べた。再生チップ２１の寸法が異なる他は実施の形態１
と同様であり、その説明を省略する。
【００４８】実施の形態１と同様に、異なる記録マーク
長に対する再生信号のＣＮＲを調べたところ、1.0 μｍ
から0.08μｍのマーク長で47ｄＢを示した。実施の形態
１と比較して全体的にＣＮＲが低いのは、実施の形態２
では再生チップ２１のレーザ光照射面の面積がレーザ光
のスポット面積よりも小さいからであると考えられる。
一方、小さいマーク長で実施の形態１よりもＣＮＲが高
いのは、再生チップ２１の寸法が小さいので、クロスト
ークの影響がさらに小さくなったこと、再生チップ２１
の再生時の磁化反転が迅速に行なわれたことなどが考え
られる。
【００４９】実施の形態３．実施の形態１及び実施の形
態２では、再生チップ２１を直方体形状に成形した場合
を説明しているが、この形状に限るものではない。本実
施の形態３では、再生特性がさらに向上する形状の再生
チップ２１について説明する。図５は実施の形態３の再
生ヘッド２の構造を示す斜視図である。再生チップ２１
ａは縦断面が台形状の四角錐台であり、底面の寸法が１
μｍ×１μｍ、上面の寸法が0.5 μｍ×0.5 μｍであ
る。この形状の再生チップ２１ａを形成する際には、実
施の形態１と同じフォトマスクを用いてレジストを露光
し、現像した後、30％に希釈した希塩酸を用いてエッチ
ングする。このエッチング時のサイドエッチング効果に
より、磁性ガーネットが四角錐台に形成される。なお、
ＧＧＧ基板２０など、その他の構造は実施の形態１と同
様であり、その説明を省略する。
【００５０】小面積を有する上面側を光磁気ディスクに
対面させて磁束を転写し、大面積を有する底面側にレー
ザ光を照射して再生チップ２１ａの磁気光学効果の変化
を検出する。この再生ヘッド２を用いて、異なる長さの
記録マークを形成した光磁気ディスクを再生し、マーク
長に対するＣＮＲを測定した。その結果、比較的長い１
μｍ程度のマーク長に対して50ｄＢのＣＮＲが得られ、
短い0.08μｍのマーク長に対しても49ｄＢが得られた。
このように、再生チップ２１ａのレーザ光の照射面の寸
法を、光磁気ディスク１からの磁束を受ける受け面の寸
法よりも大きくすることにより、短い記録マークに対す
るＣＮＲを高くでき、再生特性を向上することができ
る。
【００５１】実施の形態４，実施の形態３では再生チッ
プを特定の形状に形成した場合を説明しているが、次
に、実施の形態１及び実施の形態２と同様の形状の再生
チップ２１を用いて再生特性を向上させる再生ヘッドに
ついて説明する。図６は実施の形態４の再生ヘッドの構
造を示す斜視図である。上面の面積が１μｍ×１μｍ、
厚み１μｍの立方体の再生チップ２１がＧＧＧ基板２０
上に形成されており、再生チップ２１上面にＮｉＦｅか
らなる軟磁性膜２２が形成されている。ＮｉＦｅからな
る軟磁性膜２２は透磁率が高い透磁性膜であり、0.2 μ
ｍ×0.2 μｍの寸法で再生チップ２１の上面の略中央に
形成されている。
【００５２】軟磁性膜２２を形成する際には、再生チッ
プ２１上にレジストを塗布し、所定寸法のパターンを形
成して露光現像する。次に、抵抗加熱による真空蒸着法
にてＮｉＦｅの軟磁性膜２２を形成しリフトオフする。
再生ヘッドのその他の構成は実施の形態１と同様であ
り、その説明を省略する。図７は、この構成の再生ヘッ
ドを用いた場合の磁化状態を示す図である。再生ヘッド
２は軟磁性膜２２側を光磁気ディスク１に対向せしめて
おり、サスペンション及び再生装置のその他の構成は省
略して示している。図７に示すように、軟磁性膜２２に
対向した光磁気ディスク１の領域の磁束が軟磁性膜２２
を透過して再生チップ２１に転写されている。即ち、再
生チップ２１よりも小寸法の軟磁性膜２２にまず精度良
く転写され、それが再生チップ２１に転写されるので、
短い記録マークでも高精度で再生チップ２１に転写でき
る。
【００５３】この再生ヘッド２を用いて、異なる長さの
記録マークを形成した光磁気ディスクを再生し、マーク
長に対するＣＮＲを測定した。その結果、上述した実施
の形態３と同程度の結果が得られた。すわなち、１μｍ
程度のマーク長に対して50ｄＢのＣＮＲが得られ、0.08
μｍのマーク長に対しても49ｄＢが得られた。このよう
に、再生チップ２１に軟磁性膜２２設けることにより、
短い記録マークに対するＣＮＲを高くでき、再生特性を
向上することができる。また、小さい寸法の軟磁性膜２
２に高精度で転写された磁束を用いてトラッキングを制
御するので、十分なトラッキング性能を得ることができ
る。
【００５４】実施の形態５．図８は、実施の形態５の再
生ヘッドの構造及び再生時の磁化状態を示す図である。
再生チップ２１の上面にＡｌ90Ｃｒ10からなる反射膜２
３が形成されている。反射膜２３は、スパッタリング法
により、再生チップ２１の上面の全領域を覆う寸法で厚
み20ｎｍに形成されている。その他の構成は実施の形態
１と同様であり、その説明を省略する。この反射膜２３
により、再生チップ２１の底面から入射されたレーザ光
が反射され、光磁気ディスク１側への透過量が減少す
る。これにより、レーザ光の再生チップ２１での反射量
が増加し、再生信号のレベルが高くなる。
【００５５】この再生ヘッド２を用いて、異なる長さの
記録マークを形成した光磁気ディスクを再生し、マーク
長に対するＣＮＲを測定した。その結果、１μｍから0.
15μｍまでのマーク長に対して52ｄＢ以上のＣＮＲが得
られた。これは、実施の形態１よりも高いＣＮＲ値であ
る。このように、再生チップ２１に反射膜２３を設ける
ことにより、各マーク長においてＣＮＲを高くでき、再
生特性を向上することができる。また、反射膜２３の膜
厚が20ｎｍであるので、30％程度の光は光磁気ディスク
１側に透過しており、十分なトラッキング性能を得るこ
とができる。
【００５６】実施の形態６．上述した実施の形態１〜実
施の形態５では、再生チップを磁性ガーネットのような
磁性酸化物でＧＧＧ基板上に形成した場合を説明してい
るが、これに限るものではない。ＧＧＧ基板の代わりに
ＳｉＯ2 基板上に再生チップを形成する。再生チップは
Ｃｏのような金属膜を真空蒸着法により30ｎｍの厚みで
形成した。再生チップは、レーザ光に対して50％程度の
反射率と20％程度の透過率を有している。なお、再生チ
ップ及び基板の材質が異なることの他は実施の形態１と
同様であり、説明を省略する。
【００５７】この再生チップを用いて、異なる長さの記
録マークを形成した光磁気ディスクを再生し、マーク長
に対するＣＮＲを測定した。その結果、１μｍのマーク
長で５０ｄＢ、0.15μｍのマーク長で４９ｄＢのＣＮＲ
が得られた。これにより、再生チップに磁性ガーネット
を用いた場合とＣｏを用いた場合とで、同等の再生特性
が得られることが判った。
【００５８】また、再生チップをＧｄＦｅＣｏのような
合金膜で形成した場合についても、その再生特性を調べ
た。Ｇｄ21Ｆｅ50Ｃｏ29膜は厚み30ｎｍで形成されてお
り、酸化防止のためにその両面に厚み10ｎｍのＳｉＮ膜
を形成している。またＧｄ21Ｆｅ50Ｃｏ29膜は、ＴＭリ
ッチ（遷移金属磁化優勢）膜で、保磁力は40Ｏｅを有し
ている。この再生チップを用いた再生特性を測定した結
果、上述したＣｏからなる再生チップのものと同じであ
った。
【００５９】さらに、再生チップを透光性を有する磁性
体で形成した場合も、同様の効果を得ることができる。
例えば、ＧＧＧ基板上にＹＦｅＯ3 のようなオルフェラ
イトを１μｍの厚みで単結晶成長させて再生チップを形
成し、これを用いて上述と同様に再生特性を調べた。そ
の結果、オルフェライトの磁気光学効果が磁性ガーネッ
トよりも小さいために、そのＣＮＲは実施の形態１と比
較して低いが、短い記録マークをＹＦｅＯ3 の再生チッ
プに転写して再生できることが判った。
【００６０】実施の形態７．図９は実施の形態７の再生
ヘッドの構造及び垂直磁化媒体を再生する場合の磁化状
態を示す図である。再生ヘッド２は、反射鏡１１を組み
込んだ合成樹脂製のスライダ部１０の一端にＧＧＧ基板
２０と再生チップ２１とを取付けており、光磁気ディス
ク１が回転した際に、再生チップ２１は再生ヘッド２の
進行方向の後ろ側に位置する。再生チップ２１はＴｂＢ
ｉ2 Ｆｅ4 ＧａＯ12の磁性ガーネット膜であり、ＧＧＧ
基板２０の端縁側に形成されて光磁気ディスク１と近接
対向する。また再生チップ２１は垂直磁化を示し、その
磁化容易軸が光磁気ディスク１の厚み方向と略垂直にな
るように配されている。さらに再生チップ２１は、その
磁区幅方向が光磁気ディスク１の厚み方向になるように
配されている。再生チップ２１の寸法及びその他の構成
は実施の形態１と同様であり、その説明を省略する。
【００６１】図９に示すように、光磁気ディスク１は厚
み方向の磁化容易軸を有する記録膜を備えた垂直磁化媒
体である。光磁気ディスク１に記録された記録マークに
より磁束の閉磁路が形成されている。再生時には光磁気
ディスク１が回転し、再生チップ２１の厚み方向に沿う
側面（磁束の受け面）が閉磁路の面内成分を受けて磁束
が転写される。再生用のレーザ光が反射鏡１１にて反射
され、ＧＧＧ基板２０を通って再生チップ２１の基面
（ＧＧＧ基板２０との境界面）側を照射する。レーザ光
は再生チップ２１で反射し、その反射光を受光して磁気
光学効果の変化を検出する。このとき得られる再生信号
の再生波形を図９に示している。光磁気ディスク１の一
領域のみが再生チップ２１に転写され、この領域は再生
チップ２１の厚みである１μｍよりも小寸法である。こ
の領域は前述したように、レーザ光の照射による光磁気
ディスク１の温度分布と、再生ヘッド２のディスク面に
対する傾斜とによって決定される。
【００６２】図１０は、同構造を有する再生ヘッドで面
内磁化媒体を再生する場合の磁化状態を示す図である。
光磁気ディスク１ａは面内方向の磁化容易軸を有する記
録膜を備えた面内磁化媒体である。光磁気ディスク１ａ
に記録された記録マークにより磁束の閉磁路が形成され
ている。再生時には光磁気ディスク１ａが回転し、再生
チップ２１の厚み方向に沿う側面（磁束の受け面）が閉
磁路の面内成分を受けて、再生チップ２１の厚みの１μ
ｍよりも小寸法である光磁気ディスク１ａの一領域の磁
束が再生チップ２１に、次々に転写される。
【００６３】図９及び図１０に示した再生時のＣＮＲを
測定した結果、いずれの場合も、実施の形態１と同程度
のＣＮＲを得ることができた。従って、再生チップ２１
の磁化容易軸を光磁気ディスクの厚み方向と略垂直に配
した場合に、記録膜が垂直磁化膜であっても、面内磁化
膜であっても、短い記録マークを高精度に再生でき、再
生特性が向上する。また、再生チップ２１において、光
磁気ディスク１からの磁束の受け面の寸法（厚み）が、
レーザ光が照射される面よりも小さい。従って、実施の
形態３と同様に、短い記録マークを高精度に転写でき
る。さらに、実施の形態１のように、再生チップ２１を
磁化容易軸が光磁気ディスク１の厚み方向と略平行にな
るように配した構造と比較して、本実施の形態７はＧＧ
Ｇ基板２０の必要面積を小さくできるので、再生チップ
２１の製造効率を高めることができる。
【００６４】実施の形態８．図１１は、実施の形態８の
再生ヘッドの構造及び再生時の磁化状態を示す図であ
る。ガーネット磁性膜である直方体の再生チップ２１
が、ＧＧＧ基板２０上に基面の寸法が１μｍ×１μｍ、
厚みが１μｍで形成されており、前記基面の対向面にＮ
ｉＦｅからなる軟磁性膜２２が形成されている。軟磁性
膜２２及びその形成方法は実施の形態４と同様であり、
その説明を省略する。また、軟磁性膜２２の他の構成は
実施の形態７と同様であり、説明を省略する。
【００６５】再生ヘッド２は光磁気ディスク１に対向し
ており、サスペンション及び再生装置のその他の構成は
省略して示している。軟磁性膜２２の厚み方向に沿う側
面が光磁気ディスク１に対向しており、この側面に対向
する光磁気ディスク１の領域の磁束が軟磁性膜２２を透
過して再生チップ２１に転写されている。即ち、再生チ
ップ２１の厚みよりも小寸法の厚みの軟磁性膜２２にま
ず精度良く転写され、それが再生チップ２１に転写され
るので、短い記録マークでも再生チップ２１に高精度で
転写できる。
【００６６】この再生ヘッド２を用いて、異なる長さの
記録マークを形成した光磁気ディスクを再生し、マーク
長に対するＣＮＲを測定した。その結果、上述した実施
の形態４と同程度の結果が得られた。
【００６７】実施の形態９．図１２は、実施の形態９の
再生ヘッドの構造及び再生時の磁化状態を示す図であ
る。ＧＧＧ基板２０上に磁性ガーネットの直方体の再生
チップ２１が、基面の寸法が１μｍ×１μｍ、厚みが１
μｍで形成されている。光磁気ディスク１に対向する再
生チップ２１の厚み方向に沿う側面に、ＮｉＦｅからな
る軟磁性膜２２が0.2 μｍ×0.2 μｍの寸法で形成され
ている。軟磁性膜２２及びその形成方法は実施の形態４
と同様であり、その説明を省略する。また、その他の構
成は実施の形態７と同様であり、説明を省略する。
【００６８】再生ヘッド２は光磁気ディスク１に対向し
ており、サスペンション及び再生装置のその他の構成は
省略して示している。軟磁性膜２２が対向する光磁気デ
ィスク１の領域の磁束が軟磁性膜２２を透過して再生チ
ップ２１に転写されている。即ち、光磁気ディスク１の
磁束は、再生チップ２１の厚みよりも小寸法の軟磁性膜
２２にまず精度良く転写され、それが再生チップ２１に
転写されるので、短い記録マークでも再生チップ２１に
高精度で転写できる。
【００６９】この再生ヘッド２を用いて、異なる長さの
記録マークを形成した光磁気ディスクを再生し、マーク
長に対するＣＮＲを測定した。その結果、上述した実施
の形態４と同程度の結果が得られた。
【００７０】実施の形態１０．図１３は実施の形態１０
の記録再生ヘッドの構造及び記録時の状態を示す断面図
である。記録再生ヘッド４は、記録／再生時に光磁気デ
ィスク１に対向配置される。光磁気ディスク１は回転し
ている。薄膜記録ヘッド部４１が再生チップ２１の進行
方向の後ろ側に設けられている。光磁気ディスク１に情
報を記録する場合、磁界変調記録方式で記録する場合
も、光変調記録方式で記録する場合も、記録マークは高
温領域よりも後ろ側、即ち再生チップ２１よりも後ろ側
に形成される。なお、薄膜記録ヘッド部４１は磁気記録
媒体に使用される公知なものであり、図示した構造のも
のに限らない。また、その他の構成は実施の形態７の再
生ヘッドと同様であり、その説明を省略する。
【００７１】このような構成の記録再生ヘッド４を用い
て、光磁気ディスク１に情報を記録する場合は、薄膜記
録ヘッド部４１が光磁気ディスク１に磁界を印加し、レ
ーザ光が反射鏡１１で反射されて再生チップ２１を照射
する。再生チップ２１の照射により光磁気ディスク１が
加熱され、光磁気ディスク１の記録膜に熱磁気的に情報
が記録される。また、再生時には、上述したように、レ
ーザ光を再生チップ２１に照射して、その反射光を受光
し、磁気光学効果の変化を検出する。なお、この記録再
生ヘッド４は熱磁気的記録のみでなく、磁気記録を行な
うことも可能である。また、さらに薄膜再生ヘッド部を
スライダに搭載することにより、レーザ光を照射しつ
つ、薄膜記録ヘッド部が記録した情報の一部又は全部を
薄膜再生ヘッド部で再生することも可能である。
【００７２】実施の形態１１．図１４は実施の形態１１
の記録再生ヘッドの構造及び記録時の状態を示す断面図
である。線状のコア部５１の周囲をクラッド部５２で被
覆した光ファイバ５０は、先端部をＡｌ膜５３で覆って
封止している。この光ファイバ５０のＡｌ膜５３内に、
ＧＧＧ基板２０とその上に形成した再生チップ２１とを
配し、再生チップ２１の周囲にコイル部５４を巻回して
記録再生ヘッド５を構成している。このような構造の記
録再生ヘッド５を用いて光磁気ディスク１に情報を記録
する場合は、光ファイバ５０の先端が光磁気ディスク１
に対向配置され、光磁気ディスク１は回転している。コ
イル部５４が光磁気ディスク１に磁界を印加し、レーザ
光が光ファイバ５０内を伝送して再生チップ２１を照射
する。再生チップ２１の照射により光磁気ディスク１が
加熱され、光磁気ディスク１の記録膜に熱磁気的に情報
が記録される。また再生時には、レーザ光を再生チップ
２１に照射してその反射光をフォトダイオード（図示せ
ず）にて受光し、磁気光学効果の変化を検出する。
【００７３】なお、この記録再生ヘッド５は熱磁気的記
録のみでなく、磁気記録を行なうことも可能である。ま
た、この記録再生ヘッド５からコイル部５４を取り除い
た場合は、再生のみが可能な再生ヘッドとして機能す
る。
【００７４】上述した如く、実施の形態１〜実施の形態
１１では、熱磁気的に情報を記録／再生する光磁気ディ
スク１に記録された情報を再生する場合を説明している
が、これに限るものではない。例えば、磁気的に情報を
記録／再生する磁気ディスクに記録された情報を、磁性
体チップを用いて熱磁気的に再生することができる。
【００７５】また、再生ヘッド２は上述した実施の形態
で説明した構造のものに限らず、再生チップ２１が単磁
区構造であれば、同様の効果を得ることができる。
【００７６】さらに、再生チップ２１の垂直磁化方向が
光磁気ディスク１の厚み方向に略平行である実施の形態
１〜６では、再生チップ２１の磁区幅方向が光磁気ディ
スク１の周方向になるように配した場合を説明している
が、これに限るものではなく、磁区幅方向が光磁気ディ
スク１の径方向になるように配してあっても良い。
【００７７】さらにまた、再生チップ２１の垂直磁化方
向が光磁気ディスク１の厚み方向に略垂直である実施の
形態７〜９では、再生チップ２１の磁区幅方向が光磁気
ディスク１の厚み方向になるように配した場合を説明し
ているが、これに限るものではなく、磁区幅方向が光磁
気ディスク１の径方向になるように配してあっても良
い。
【００７８】さらにまた、上述した実施の形態では、再
生対象となる光磁気ディスク１は記録膜として記録層１
２と再生層１３とを有する場合を説明しているが、この
膜構成に限るものではなく、記録層１２のみを有してい
ても良いし、記録層１２及び再生層１３以外の層を有し
ていても良い。
【００７９】
【発明の効果】以上のように、本発明においては、情報
記録膜に記録された記録マークの一領域が、単磁区構造
を有する磁性体チップの全領域に拡大して転写され、磁
性体チップの転写磁束による磁化反転を磁気光学的に再
生する。従って、情報記録膜に高密度記録された情報を
磁性体チップに正確に転写でき、高レベルの再生信号が
得られる。また、磁性体チップとして高い磁気光学効果
を有する磁性体を用いることにより、大きな磁気光学効
果が得られ、再生特性を向上することができる等、本発
明は優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る再生装置の構成を示すブロック図
である。
【図２】実施の形態１の再生ヘッドの製造過程を示す斜
視図である。
【図３】実施の形態１の再生ヘッドを用いた再生時の磁
化状態及び再生波形を示す図である。
【図４】実施の形態１の再生特性を示すグラフである。
【図５】実施の形態３の再生ヘッドの構造を示す斜視図
である。
【図６】実施の形態４の再生ヘッドの構造を示す斜視図
である。
【図７】実施の形態４の再生ヘッドを用いた再生時の磁
化状態を示す図である。
【図８】実施の形態５の再生ヘッドの構造及び再生時の
磁化状態を示す図である。
【図９】実施の形態７の再生ヘッドの構造及び垂直磁化
媒体を再生する場合の磁化状態を示す図である。
【図１０】実施の形態７の再生ヘッドの構造及び面内磁
化媒体を再生する場合の磁化状態を示す図である。
【図１１】実施の形態８の再生ヘッドの構造及び再生時
の磁化状態を示す図である。
【図１２】実施の形態９の再生ヘッドの構造及び再生時
の磁化状態を示す図である。
【図１３】実施の形態１０の記録再生ヘッドの構造及び
記録時の状態を示す断面図である。
【図１４】実施の形態１１の記録再生ヘッドの構造及び
記録時の状態を示す断面図である。
【図１５】従来の情報再生素子を用いた再生方法の説明
図である。
【符号の説明】
１，１ａ 光磁気ディスク ２ 再生ヘッド ３ サスペンション ４，５ 記録再生ヘッド １０ スライダ部 １１ 反射鏡 １２ 記録層 １３ 再生層 ２０ ＧＧＧ基板 ２１，２１ａ 再生チップ ２２ 軟磁性膜 ２３ 反射膜 ３１ ６９，７０ フォトダイオード ４１ 薄膜記録ヘッド部 ５０ 光ファイバ ５１ コア部 ５２ クラッド部 ５３ Ａｌ膜 ５４ コイル部 ６１ レーザ光源 ６４ 第１のビームスプリッタ ６５ 対物レンズ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5D075 AA08 CC11 CD18 CF03 CF10 EE03 5D091 AA08 CC11 CC17 DD20 DD30

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 情報記録膜に対向配置され、該情報記録
    膜の再生すべき磁束を転写する情報再生素子において、 単磁区構造を有する磁性体チップを備えることを特徴と
    する情報再生素子。
  2. 【請求項２】 前記磁性体チップは、基板上に成長せし
    めた磁性体を、エッチングにより所定の寸法に成形して
    ある請求項１記載の情報再生素子。
  3. 【請求項３】 前記磁性体チップは、前記情報記録膜か
    らの磁束を受ける受け面と、転写された磁束を再生する
    ためのビーム光が照射される照射面とを有し、該照射面
    は前記磁束の受け面よりも大面積を有する請求項１又は
    ２に記載の情報再生素子。
  4. 【請求項４】 前記磁性体チップの前記情報記録膜から
    の磁束を受ける受け面に、前記磁束を透過せしめて前記
    磁性体チップに転写せしめる透磁性膜を形成してある請
    求項１乃至３のいずれかに記載の情報再生素子。
  5. 【請求項５】 前記磁性体チップは、希土類金属，遷移
    金属及び酸素イオンを含む磁性ガーネット構造を有する
    磁性酸化物である請求項１乃至４のいずれかに記載の情
    報再生素子。
  6. 【請求項６】 前記磁性体チップは、転写された磁束を
    再生するためのビーム光が照射される照射面を有し、該
    照射面の対向側面に、前記ビーム光を反射する反射膜を
    さらに備える請求項１乃至５のいずれかに記載の情報再
    生素子。
  7. 【請求項７】 前記磁性体チップは、垂直磁化容易軸を
    有する軟磁性膜である請求項１乃至６のいずれかに記載
    の情報再生素子。
  8. 【請求項８】 請求項１乃至７のいずれかに記載の情報
    再生素子を備える情報再生ヘッドであって、 前記情報再生素子と、該情報再生素子が取付けられて、
    前記情報記録膜を有する情報記録媒体に対向配置される
    スライダとを備えることを特徴とする情報再生ヘッド。
  9. 【請求項９】 請求項１乃至７のいずれかに記載の情報
    再生素子を備える情報再生ヘッドであって、 前記情報再生素子と、該情報再生素子が先端に取付けら
    れて、前記情報記録膜を有する情報記録媒体に前記先端
    が対向配置される光導波路とを備えることを特徴とする
    情報再生ヘッド。
  10. 【請求項１０】 前記情報再生素子は、その磁化容易軸
    の方向が前記情報記録膜の厚み方向と略平行になるべく
    配してある請求項８又は９に記載の情報再生ヘッド。
  11. 【請求項１１】 前記情報再生素子は、その磁化容易軸
    の方向が前記情報記録膜の厚み方向と交わるべく配して
    ある請求項８又は９に記載の情報再生ヘッド。
  12. 【請求項１２】 請求項１乃至７のいずれかに記載の情
    報再生素子を備え、前記情報記録膜を有する情報記録媒
    体を相対移動せしめて情報を記録再生する情報記録再生
    ヘッドであって、 前記情報再生素子と、該情報再生素子が取付けられて前
    記情報記録媒体に対向配置されるスライダと、前記情報
    再生素子の移動方向の後方側で、前記情報記録媒体に磁
    界を印加する磁気ヘッド部とを備えることを特徴とする
    情報記録再生ヘッド。
  13. 【請求項１３】 請求項１乃至７のいずれかに記載の情
    報再生素子を備え、前記情報記録膜を有する情報記録媒
    体を相対移動せしめて情報を記録再生する情報記録再生
    ヘッドであって、 前記情報再生素子と、該情報再生素子が取付けられた先
    端が前記情報記録媒体に対向配置される光導波路と、該
    光導波路の先端に巻回されたコイル部とを備えることを
    特徴とする情報記録再生ヘッド。
  14. 【請求項１４】 請求項１乃至７のいずれかに記載の情
    報再生素子から情報を再生する情報再生方法において、 前記情報再生素子が前記情報記録膜に対向配置される過
    程と、前記情報記録膜の一領域の磁束が前記情報再生素
    子の全領域に転写され、続いて、前記情報記録膜の前記
    一領域に隣合う領域の磁束が、前記情報再生素子の全領
    域に転写される過程と、前記情報再生素子にビーム光を
    照射し、前記情報再生素子の磁気光学効果の変化を検出
    する過程とを備えることを特徴とする情報再生方法。
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