JP2000129139A - Production of granular semiconductor sealing material and granular semiconductor sealing material - Google Patents
Production of granular semiconductor sealing material and granular semiconductor sealing materialInfo
- Publication number
- JP2000129139A JP2000129139A JP30610898A JP30610898A JP2000129139A JP 2000129139 A JP2000129139 A JP 2000129139A JP 30610898 A JP30610898 A JP 30610898A JP 30610898 A JP30610898 A JP 30610898A JP 2000129139 A JP2000129139 A JP 2000129139A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sealing material
- granular semiconductor
- coupling agent
- silane coupling
- granular
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、トランスファー成
形により半導体素子を封止する粒状半導体封止材料の製
造方法及び粒状半導体封止材料に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing a granular semiconductor encapsulating material for encapsulating a semiconductor device by transfer molding, and to a granular semiconductor encapsulating material.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体装置等の封止方法として、エポキ
シ樹脂等の封止材料を用いてトランスファー成形により
封止する方法が汎用されている。このトランスファー成
形に用いる封止材料としては、エポキシ樹脂等の熱硬化
性樹脂、硬化剤及び無機充填材等を配合した後、ロール
又は押し出し機等で加熱しながら混練し、その混練物を
シート状に伸ばして冷却した後粉砕したり、混練物を線
状に押し出して冷却しながら切断して封止材料の粉砕物
を形成し、その粉砕物を所定の重量又は体積計量した
後、円柱状の穴があいた金型に挿入し、加圧することに
よって内部の空気を抜きながら円柱状に成形して製造す
るタブレット状の封止材料を用いることが一般に行われ
ている。2. Description of the Related Art As a method of sealing a semiconductor device or the like, a method of sealing by transfer molding using a sealing material such as an epoxy resin is widely used. As a sealing material used in the transfer molding, a thermosetting resin such as an epoxy resin, a curing agent, an inorganic filler, and the like are blended, and then kneaded while heating with a roll or an extruder, and the kneaded material is formed into a sheet. After being cooled and pulverized after cooling, the kneaded material is extruded linearly and cut while cooling to form a pulverized material of the sealing material, and after measuring the predetermined weight or volume of the pulverized material, a cylindrical shape In general, a tablet-shaped sealing material which is inserted into a perforated mold and pressurized to form a column while removing air therein to produce a cylinder is used.
【０００３】そして、トランスファー成形する際には、
そのタブレット状の封止材料をトランスファー成形機に
取り付けられた金型に備えたポットに装填し、加熱して
溶融させた後、プランジャーで加圧して、前記金型が備
えるランナー及びゲートを経由して、半導体素子等が配
置された樹脂成形用のキャビティーに封止材料が送ら
れ、更に加熱することにより封止材料を硬化させて封止
する方法が行われている。When performing transfer molding,
The tablet-shaped sealing material is charged into a pot provided in a mold attached to a transfer molding machine, heated and melted, then pressurized with a plunger, and passed through a runner and a gate provided in the mold. Then, a sealing material is sent to a resin molding cavity in which a semiconductor element and the like are arranged, and the sealing material is cured by heating and sealing is performed.
【０００４】なお、生産性向上のために、一つのポット
から複数のキャビティーに封止材料を送るようランナー
等を形成し、一度の封止で複数の半導体装置等となる部
分を封止する、１ポット方式と呼ばれる方法が従来から
一般に行われている。In order to improve productivity, a runner or the like is formed so as to send a sealing material from one pot to a plurality of cavities, and a portion to be a plurality of semiconductor devices is sealed by one sealing. Conventionally, a method called a one-pot method has been generally performed.
【０００５】近年、半導体装置の信頼性向上のために、
複数のポットを並べて形成することにより、一つのポッ
トと接続するキャビティーの数を減らし、溶融した封止
材料が送られるランナーの長さを短く形成したマルチポ
ット方式と呼ばれる方法が検討されている。このマルチ
ポット方式の場合、溶融した封止材料が送られるランナ
ーの長さを短く設計することができるため、高粘度の封
止材料まで安定して封止することが可能となり、品質が
安定した半導体装置が得られるという効果があり増加し
つつある。In recent years, in order to improve the reliability of semiconductor devices,
By forming a plurality of pots side by side, the number of cavities connected to one pot is reduced, and a method called a multi-pot method in which the length of the runner to which the molten sealing material is sent is shortened is being studied. . In the case of this multi-pot system, since the length of the runner to which the molten sealing material is sent can be designed to be short, it is possible to stably seal even high-viscosity sealing materials, and the quality is stable. The effect that a semiconductor device can be obtained is increasing.
【０００６】しかし、マルチポット方式で封止する際に
用いるタブレット状の封止材料は、従来の１ポット方式
と比較して大きさが小さく、同じ数の半導体装置を封止
しようとするタブレット状の封止材料の数を増やす必要
があり、用いる封止材料の価格が高くなるという問題が
あった。However, a tablet-shaped sealing material used for sealing in a multi-pot method is smaller in size than a conventional one-pot method, and is intended to seal the same number of semiconductor devices. It is necessary to increase the number of sealing materials, and there is a problem that the price of the sealing material to be used increases.
【０００７】そのため、タブレット状の封止材料を用い
ずに、封止材料の粉砕物を用いて、所定量計量してポッ
トに装填し、封止する方法が検討されている。しかし、
封止材料の粉砕物を用いてポットに装填しようとする
と、ホッパーブリッジ等の配管詰まりが発生して計量ば
らつきが発生し、封止して得られる半導体装置が不良と
なる場合があった。 この配管詰まりが発生する原因と
しては、封止材料の粉砕物中に、大きな固まりや微粉末
が混在し、これらが引っ掛かることによって配管等が詰
まることが原因の一つであると考えられている。そのた
め、大きな固まりや微粉末を櫛分けして除き、配管詰ま
りを発生しにくくした封止材料が検討されている。しか
し、一般に微粉末は大きなものに付着しやすいため、櫛
分けではその付着したものが十分には除かれにくく、櫛
分けして微粉末を除いたものであっても、移送中に封止
材料どうしが衝突したり、振動が与えられたりすると、
微粉末が分離する場合があり、この分離した微粉末が配
管詰まりを起こす場合があった。そのため振動等を与え
た場合であっても、微粉末の発生が少ない粒状半導体封
止材料が求められていた。[0007] For this reason, a method of using a pulverized material of the sealing material, measuring a predetermined amount, charging the measured amount into a pot, and sealing without using a tablet-shaped sealing material has been studied. But,
Attempts to load a pot using a pulverized sealing material may cause clogging of a pipe such as a hopper bridge, which may cause a variation in measurement, resulting in a defective semiconductor device obtained by sealing. One of the causes of the clogging of the pipe is considered to be one of the causes of the clogging of the pipe or the like due to the mixture of large lumps and fine powders in the pulverized material of the sealing material, which are caught by these. . For this reason, a sealing material that is less likely to cause clogging of pipes by removing large lumps and fine powders by combing is being studied. However, in general, fine powder is easily adhered to a large object, and therefore, it is difficult to remove the adhered substance by combing. When they collide with each other or are given vibration,
The fine powder may be separated, and the separated fine powder may cause clogging of the pipe. Therefore, there has been a demand for a granular semiconductor encapsulating material that generates less fine powder even when vibration is applied.
【０００８】そこで上記のような微粉末の発生を低減す
るために、樹脂成分及び無機充填材を混練して得られる
粉砕物に、水や離型剤等の液状物を添加して実質的に無
加圧状態で造粒して粒状半導体封止材料を得る技術が提
案されたが、このようにして得られる粒状半導体封止材
料は、従来から用いられているタブレット状の半導体封
止材料と比べて空隙率が高くなるため、このような粒状
半導体封止材料を成形硬化して得られる樹脂硬化物に発
生する未充填部分、内部のボイド、あるいは表面のピン
ホールが増大してしまうという問題があった。Therefore, in order to reduce the generation of the fine powder as described above, a liquid material such as water or a release agent is added to a pulverized product obtained by kneading a resin component and an inorganic filler. A technique for obtaining a granular semiconductor encapsulating material by granulation in a non-pressurized state has been proposed, but the granular semiconductor encapsulating material obtained in this manner is different from a conventionally used tablet-shaped semiconductor encapsulating material. Since the porosity is higher than that, the problem that unfilled portions, internal voids, or surface pinholes generated in a cured resin obtained by molding and curing such a granular semiconductor sealing material increases. was there.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の点に鑑
みてなされたものであり、振動等を与えた場合であって
も、微粉末の発生が少ない粒状半導体封を得ることがで
き、かつこの封止材料の硬化物を成形硬化して得られる
樹脂硬化物の未充填部分、内部のボイド、及び表面のピ
ンホールの発生を抑制することができる、半導体封止材
料の製造方法、及びこの方法にて製造される半導体封止
材料を提供することを目的とするものである。DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and it is possible to obtain a granular semiconductor seal with less generation of fine powder even when vibration is applied. And a method for producing a semiconductor encapsulating material, which can suppress the occurrence of unfilled portions, internal voids, and pinholes on the surface of a resin cured product obtained by molding and curing a cured product of the sealing material, and It is an object of the present invention to provide a semiconductor encapsulating material manufactured by this method.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
の粒状半導体封止材料の製造方法は、樹脂成分及び無機
充填材を混練した後、粉砕して得られる粉砕物１に、下
記化学式（ａ）又は（ｂ）で示される構造を有する液状
ポリシロキサン化合物のうち少なくとも一種を添加した
ものを造粒することを特徴とするものである。According to a first aspect of the present invention, there is provided a method for producing a granular semiconductor encapsulating material, comprising: kneading a resin component and an inorganic filler; It is characterized by granulating a compound to which at least one of the liquid polysiloxane compounds having the structure represented by the chemical formula (a) or (b) is added.
【００１１】[0011]
【化３】 Embedded image
【００１２】[0012]
【化４】 また本発明の請求項２に記載の粒状半導体封止材料の製
造方法は、樹脂成分及び無機充填材を混練した後、粉砕
して得られる粉砕物１に、シランカップリング剤を添加
したものを造粒することを特徴とするものである。Embedded image The method for producing a granular semiconductor encapsulant according to claim 2 of the present invention is a method for kneading a resin component and an inorganic filler, and then pulverizing the pulverized material 1 to which a silane coupling agent is added. It is characterized by granulation.
【００１３】また本発明の請求項３に記載の粒状半導体
封止材料の製造方法は、請求項２の構成に加えて、上記
シランカップリング剤として、メルカプト基を有するも
の及びアミノ基を有するもののうちの少なくとも一方を
用いることを特徴とするものである。According to a third aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a granular semiconductor encapsulating material, wherein the silane coupling agent has a mercapto group and an amino group. At least one of them is used.
【００１４】また本発明の請求項４に記載の粒状半導体
封止材料の製造方法は、請求項１の構成に加えて、上記
化学式（ａ）及び（ｂ）で示される構造を有する液状ポ
リシロキサン化合物の、粉砕物１への添加量の総量を、
粒状半導体封止材料全量に対して０．１〜５重量％とす
ることを特徴とするものである。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method for producing a granular semiconductor encapsulating material, wherein the liquid polysiloxane having the structure represented by the chemical formulas (a) and (b) is added to the structure of the first aspect. The total amount of the compound added to the ground material 1 is
The amount is 0.1 to 5% by weight based on the total amount of the granular semiconductor sealing material.
【００１５】また本発明の請求項５に記載の粒状半導体
封止材料の製造方法は、請求項２又は３の構成に加え
て、シランカップリング剤の、粉砕物１への添加量を、
粒状半導体封止材料全量に対して０．１〜５重量％とす
ることを特徴とするものである。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a granular semiconductor encapsulating material, wherein the amount of the silane coupling agent added to the pulverized material 1 is set to
The amount is 0.1 to 5% by weight based on the total amount of the granular semiconductor sealing material.
【００１６】また発明の請求項６に記載の粒状半導体封
止材料の製造方法は、請求項１乃至５のいずれかの構成
に加えて、樹脂成分として、ビフェニル型エポキシ樹脂
とジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂のうちの少なく
とも一方を含むものを用い、無機充填材の配合量を、樹
脂成分全量に対して８０〜９３重量％とすることを特徴
とする物である。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a method for producing a granular semiconductor encapsulating material, wherein a biphenyl type epoxy resin and a dicyclopentadiene type epoxy resin are used as resin components in addition to any one of the first to fifth aspects. A resin containing at least one of the resins, wherein the compounding amount of the inorganic filler is 80 to 93% by weight based on the total amount of the resin components.
【００１７】また本発明の請求項７に記載の粒状半導体
封止材料は、請求項１乃至６のいずれかの方法にて製造
されて成ることを特徴とするものである。Further, the granular semiconductor encapsulating material according to claim 7 of the present invention is characterized by being produced by the method according to any one of claims 1 to 6.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。Embodiments of the present invention will be described below.
【００１９】本発明に係る粒状半導体封止材料の製造方
法は、樹脂成分及び無機充填材を混練した後、粉砕して
粉砕物を製造し、次いで、その粉砕物を造粒して製造を
行う。 粉砕物の製造に用いる樹脂成分は、熱硬化性樹
脂を必須成分として含有するものである。In the method for producing a granular semiconductor encapsulating material according to the present invention, a resin component and an inorganic filler are kneaded, then pulverized to produce a pulverized product, and then the pulverized product is granulated for production. . The resin component used in the production of the pulverized product contains a thermosetting resin as an essential component.
【００２０】熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂を用
いることが、電気特性及び価格のバランスが優れ好まし
い。エポキシ樹脂としては特に限定するものではなく、
例えばｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフ
ェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキ
シ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノ
ールＦ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式
エポキシ樹脂、ブロム含有エポキシ樹脂等が挙げられ、
これらを単独で用いても、２種類以上を併用してもよ
い。As the thermosetting resin, it is preferable to use an epoxy resin because the balance between electric characteristics and price is excellent. The epoxy resin is not particularly limited,
For example, o-cresol novolak type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, alicyclic epoxy resin, heterocyclic epoxy resin, bromide-containing epoxy resin, etc. And
These may be used alone or in combination of two or more.
【００２１】また、このエポキシ樹脂成分に含有させる
硬化剤としては、例えばフェノールノボラック型樹脂、
クレゾールノボラック型樹脂、フェノールアラルキル型
樹脂、ナフトールアラルキル型樹脂、ジシクロペンタジ
エン型フェノール樹脂、トリフェニルメタン型フェノー
ル樹脂等の各種多価フェノール樹脂を用いることができ
る。これらの硬化剤は、単独で用いても、２種類以上を
併用してもよい。硬化剤の配合量としては、通常エポキ
シ樹脂に対して、当量比で０．５〜１．５、好ましくは
０．８から１．２の範囲で配合されるここでエポキシ樹
脂と硬化剤とからなる樹脂成分の、１５０℃における溶
融粘度は、３ポイズ以下であることが好ましいものであ
る。この溶融粘度が３ポイズを超えると、樹脂成分に無
機充填剤を高充填した場合の樹脂組成物全体の粘度を上
昇させてしまい、成形時の未充填部分、ボイド、ピンホ
ール、ダイシフト、ワイヤスイープ等が発生して、成形
性に悪影響を及ぼすおそれがあるものである。この溶融
粘度は、低ければ低いほど、成形性を向上することがで
き、好ましいものである。As the curing agent contained in the epoxy resin component, for example, a phenol novolak type resin,
Various polyhydric phenol resins such as cresol novolak resin, phenol aralkyl resin, naphthol aralkyl resin, dicyclopentadiene phenol resin, and triphenylmethane phenol resin can be used. These curing agents may be used alone or in combination of two or more. The amount of the curing agent is usually 0.5 to 1.5, preferably 0.8 to 1.2 in an equivalent ratio with respect to the epoxy resin. The melt viscosity of the resin component at 150 ° C. is preferably 3 poise or less. If the melt viscosity exceeds 3 poise, the viscosity of the entire resin composition when the resin component is highly filled with an inorganic filler is increased, and the unfilled portion during molding, voids, pinholes, die shift, wire sweep And the like, which may adversely affect the moldability. The lower the melt viscosity is, the better the moldability can be improved, which is preferable.
【００２２】また、上記の樹脂成分に含有させることが
できる硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホス
フィン等の有機ホスフィン類、１，８−ジアザビシクロ
（５，４，０）ウンデセン−７等の三級アミン類、２−
メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール等のイ
ミダゾール類等を用いることができる。Examples of the curing accelerator that can be contained in the above resin component include organic phosphines such as triphenylphosphine and triacyl-based compounds such as 1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene-7. Secondary amines, 2-
Imidazoles such as methylimidazole and 2-phenylimidazole can be used.
【００２３】また、樹脂成分に含有することができる離
型剤としては、カルナバワックス、ステアリン酸及びそ
の誘導体、モンタン酸及びその誘導体、カルボキシル基
含有ポリオレフィン等を用いることができる。As the release agent that can be contained in the resin component, carnauba wax, stearic acid and its derivatives, montanic acid and its derivatives, carboxyl group-containing polyolefin and the like can be used.
【００２４】また樹脂成分には、必要に応じてシランカ
ップリング剤、難燃剤、着色剤、シリコーン可撓剤等の
添加剤を含有させることができる。ここでシランカップ
リング剤として、メルカプトシランとアミノシランのう
ちの少なくとも一方を、好ましくは樹脂成分に対して
０．０１〜１０重量％含有させると、本発明にて得られ
る粒状半導体封止材料の硬化成形物と、リードフレーム
との密着性を向上することができて好ましい。The resin component may contain additives such as a silane coupling agent, a flame retardant, a colorant, and a silicone flexibilizer, if necessary. When at least one of mercaptosilane and aminosilane is contained as a silane coupling agent, preferably in an amount of 0.01 to 10% by weight based on the resin component, the granular semiconductor sealing material obtained by the present invention can be cured. This is preferable because the adhesion between the molded product and the lead frame can be improved.
【００２５】また無機充填材としては、特に限定するも
のではなく、例えば溶融シリカ、結晶シリカ、アルミ
ナ、マグネシア、窒化ケイ素、窒化ホウ素等を用いるこ
とができ、これらは単独で用いても、２種類以上を併用
してもよい。ここで、無機充填材として溶融シリカを用
いた場合、硬化成形物の線膨張係数を低減させる効果が
大きく、硬化成形物の線膨張係数を半導体素子の線膨張
係数に近づけることができて好ましい。無機充填材の配
合量は、樹脂成分に対して８０〜９３重量％の範囲とす
ることが好ましく、このようにすると、硬化成形物の吸
湿率を低減することができ、本発明の粒状半導体封止材
料にて封止されてなる半導体装置の吸湿耐リフロー性を
向上することができる。The inorganic filler is not particularly limited. For example, fused silica, crystalline silica, alumina, magnesia, silicon nitride, boron nitride and the like can be used. The above may be used in combination. Here, when fused silica is used as the inorganic filler, the effect of reducing the linear expansion coefficient of the cured molded product is great, and the linear expansion coefficient of the cured molded product can be made close to the linear expansion coefficient of the semiconductor element, which is preferable. The compounding amount of the inorganic filler is preferably in the range of 80 to 93% by weight with respect to the resin component. In this case, the moisture absorption of the cured molded product can be reduced, and the granular semiconductor sealing material of the present invention can be reduced. The moisture absorption and reflow resistance of the semiconductor device sealed with the stopper material can be improved.
【００２６】そして、粉砕物の製造にあたっては、上記
樹脂成分及び無機充填材を配合して混練した後、粉砕し
て粉砕物を製造する。この混練及び粉砕する条件として
は特に限定するものではなく、例えば、ヘンシェルミキ
サー等で樹脂成分及び無機充填材を予備混合した後、熱
ロール、二軸ニーダー、押し出し機等で樹脂成分が軟化
する程度に加熱しながら混練を行う。混練する時間とし
ては、樹脂成分の硬化があまり進まない程度で、かつ、
樹脂成分と無機充填材の馴染みが良好となる程度に混練
を行う。次いで冷却しながら、混練物をシート状に伸ば
したり、混練物を線状に押し出した後、ロータリーカッ
ター、ローラーミル、ハンマーミル等を用いて粉砕して
粉砕物を製造する。In the production of a pulverized product, the above resin component and the inorganic filler are blended and kneaded, and then pulverized to produce a pulverized product. Conditions for the kneading and pulverization are not particularly limited.For example, after preliminarily mixing a resin component and an inorganic filler with a Henschel mixer or the like, the degree to which the resin component is softened by a hot roll, a twin-screw kneader, an extruder, or the like. Is kneaded while heating. The time for kneading is such that the curing of the resin component does not progress very much, and
The kneading is performed to such an extent that the familiarity between the resin component and the inorganic filler becomes good. Then, while cooling, the kneaded material is stretched into a sheet, or the kneaded material is extruded into a linear shape, and then pulverized using a rotary cutter, a roller mill, a hammer mill, or the like, to produce a pulverized material.
【００２７】次いで、この粉砕物に、上記化学式
（ａ）、（ｂ）で表される液状ポリシロキサン化合物の
うち少なくとも一種を添加して実質的に無加圧状態で運
動させることにより造粒して粒状半導体封止材料を製造
する。またこの上記化学式（ａ）、（ｂ）で表される液
状ポリシロキサン化合物の代わりに、シランカップリン
グ剤を用いることができるものであり、下記化学式
（ｃ）で示されるメルカプトシランや、下記化学式
（ｄ）で示されるアミノシランを用いることができる。
ここで「実質的に無加圧状態」とは、タブレットを成形
する場合のような、高い成形圧力を印加する場合を除く
とことを意味するものである。Next, at least one of the liquid polysiloxane compounds represented by the above-mentioned chemical formulas (a) and (b) is added to the pulverized material, and the pulverized material is allowed to move under substantially no pressure to granulate. To produce a granular semiconductor sealing material. Further, a silane coupling agent can be used instead of the liquid polysiloxane compound represented by the above chemical formulas (a) and (b), and a mercaptosilane represented by the following chemical formula (c), The aminosilane represented by (d) can be used.
Here, the “substantially no pressure state” means that a case where a high molding pressure is applied such as a case where a tablet is molded is excluded.
【００２８】 (ＣＨ3Ｏ)3ＳｉＣ3Ｈ6ＳＨ （ｃ） Ｒ3−ＳｉＣ3Ｈ6ＮＨ2 （ｄ） Ｒ：ＣＨ3Ｏ 又は Ｃ2Ｈ5Ｏ この液状ポリシロキサン化合物又はシランカップリング
剤を添加して実質的に無加圧状態で運動させることによ
り造粒して粒状半導体封止材料を製造する方法として
は、例えば図ｌに示すような、モーター１２と接続され
た攪拌用の攪拌羽根１１をミキサー本体１３内部に備え
る開放系のミキサー１０を用いて、粉砕物ｌをミキサー
本体１３内部に供給した後、モーター１２を回転させる
ことにより攪拌羽根１１を回転して、粉砕物ｌを攪拌す
る。そして、ミキサー本体１３に設けられた添加物供給
部１５より、液状ポリシロキサン化合物又はシランカッ
プリング剤を添加する。なお液状ポリシロキサン化合物
又はシランカップリング剤の供給は、１回にまとめて添
加してもよく、複数回に分けて添加してもよい。(CH 3 O) 3 SiC 3 H 6 SH (c) R 3 —SiC 3 H 6 NH 2 (d) R: CH 3 O or C 2 H 5 O This liquid polysiloxane compound or silane coupling agent As a method for producing a granular semiconductor encapsulating material by adding and adding and moving it in a substantially non-pressurized state, for example, as shown in FIG. After the crushed material 1 is supplied into the mixer body 13 using the open system mixer 10 having the blade 11 inside the mixer body 13, the stirring blade 11 is rotated by rotating the motor 12, and the crushed material 1 is Stir. Then, a liquid polysiloxane compound or a silane coupling agent is added from an additive supply section 15 provided in the mixer body 13. Note that the supply of the liquid polysiloxane compound or the silane coupling agent may be added all at once, or may be added in multiple portions.
【００２９】また、液状ポリシロキサン化合物又はシラ
ンカップリング剤を添加する場合、この液状ポリシロキ
サン化合物又はシランカップリング剤が水に可溶又は分
散可能である場合は、水溶液又はエマルジョンの状態で
添加することが好ましく、また水に不溶かつ分散不能で
ある場合も、液状の状態で用いることが好ましいもので
あり、このようにすると、液状ポリシロキサン化合物又
はシランカップリング剤を粉砕物１の表面に均一に分散
させやすくなるものである。また液状ポリシロキサン化
合物又はシランカップリング剤と共に、上記樹脂成分と
して配合することができる熱硬化性樹脂等を同時に添加
してもよい。なお、液状とは、室温で液状のものに限定
するものではなく、加熱すると液状化するものを、その
液状化する温度で使用する場合は用いることができる。
また溶剤等の水以外の液状物に溶解又は懸濁することに
より液状化して用いてもよい。When a liquid polysiloxane compound or a silane coupling agent is added, if the liquid polysiloxane compound or the silane coupling agent is soluble or dispersible in water, it is added in the form of an aqueous solution or emulsion. It is also preferable to use in a liquid state even when it is insoluble and dispersible in water. In this case, the liquid polysiloxane compound or the silane coupling agent is uniformly applied to the surface of the pulverized material 1. It is easy to disperse in. Further, a thermosetting resin or the like which can be blended as the above resin component may be added together with the liquid polysiloxane compound or the silane coupling agent. Note that the liquid is not limited to a liquid at room temperature, and a substance that liquefies when heated can be used when used at a temperature at which it liquefies.
Further, it may be liquefied by dissolving or suspending it in a liquid such as a solvent other than water.
【００３０】粉砕物１及びシラン化合物等を攪拌する
と、液状ポリシロキサン化合物又はシランカップリング
剤は粉砕物１の表面に広がる。そして、樹脂成分を溶解
する液状ポリシロキサン化合物又はシランカップリング
剤、あるいは他の添加物を添加した場合には、粉砕物１
表面の樹脂成分のうち、その液状ポリシロキサン化合物
又はシランカップリング剤、あるいは他の添加物に溶解
可能成分が溶解して表面が湿潤化する。この表面が湿潤
化した状態の粉砕物１が攪拌により衝突すると、湿潤化
した部分で接着して造粒が行われる。この工程中で粉砕
物１中の微粉末は、他の粉砕物１に取り込まれて大型化
して微粉末の量が減少し、振動等を与えた場合であって
も、微粉末の発生が少ない粒状半導体封止材料となる。When the pulverized material 1 and the silane compound are stirred, the liquid polysiloxane compound or the silane coupling agent spreads on the surface of the pulverized material 1. When a liquid polysiloxane compound or a silane coupling agent that dissolves the resin component or other additives is added, the pulverized product 1
Among the resin components on the surface, components soluble in the liquid polysiloxane compound, the silane coupling agent, or other additives dissolve, and the surface is moistened. When the pulverized material 1 whose surface is moistened collides by stirring, the wetted portion is adhered and granulated. In this process, the fine powder in the pulverized material 1 is taken into another pulverized material 1 and is enlarged to reduce the amount of the fine powder. Even if vibration is applied, the generation of the fine powder is small. It becomes a granular semiconductor sealing material.
【００３１】またこのようにして製造された粒状半導体
封止材料は、液状ポリシロキサン化合物又はシランカッ
プリング剤により、粒状半導体封止材料を構成する粒子
と空気との間の界面張力が低減され、そのためこの粒状
半導体封止材料を、トランスファ成形等して得られる硬
化成形物中の、未充填部分、内部のボイド、及び表面の
ピンホールの発生を大幅に抑制することができ、半導体
封止材料として優れた特性を有するものである。Further, in the granular semiconductor encapsulant thus manufactured, the interfacial tension between particles constituting the granular semiconductor encapsulant and air is reduced by a liquid polysiloxane compound or a silane coupling agent. Therefore, the generation of unfilled portions, internal voids, and pinholes on the surface of a cured molded product obtained by transfer molding or the like of the granular semiconductor encapsulating material can be significantly suppressed. It has excellent characteristics.
【００３２】次いで粉砕物１に送風し、又は加熱するこ
とにより乾燥すると、粒状半導体封止材料が得られる。Next, when the pulverized material 1 is dried by blowing or heating, a granular semiconductor encapsulating material is obtained.
【００３３】ここで上記の液状ポリシロキサン化合物と
しては、側鎖又は末端変性エポキシシリコーンオイル、
アミノシリコーンオイル、メチルハイドロジェンシリコ
ーンオイル、カルボキシ変性シリコーンオイル、アルキ
ル変性シリコーンオイル等が挙げられるが、これらのう
ち、上記一般式（ａ）に示される側鎖変性エポキシシリ
コーンオイル、又は上記一般式（ｂ）に示される両末端
変性エポキシシリコーンオイルのうち少なくとも一種の
ものを用いると、液状ポリシロキサン化合物と粉砕物と
の相溶性を高くすることができ、成形硬化物への未充填
部分、内部のボイド、及び表面のピンホールの発生を抑
制する効果が高いものである。Here, the liquid polysiloxane compound includes a side chain or terminal-modified epoxy silicone oil,
Examples thereof include amino silicone oil, methyl hydrogen silicone oil, carboxy-modified silicone oil, and alkyl-modified silicone oil. Among these, the side chain-modified epoxy silicone oil represented by the above general formula (a) or the above general formula ( When at least one of the two-terminal-modified epoxy silicone oils shown in b) is used, the compatibility between the liquid polysiloxane compound and the pulverized product can be increased, and the unfilled portion of the molded cured product, the internal The effect of suppressing generation of voids and pinholes on the surface is high.
【００３４】またシランカップリング剤を用いる場合、
特に上記化学式（ｃ）で示されるメルカプトシラン、又
は上記化学式（ｄ）で示されるアミノシランを用いる
と、成形硬化物とリードフレームとの密着性が向上して
好ましい。When a silane coupling agent is used,
In particular, it is preferable to use the mercaptosilane represented by the chemical formula (c) or the aminosilane represented by the chemical formula (d) because the adhesion between the cured product and the lead frame is improved.
【００３５】これらの液状ポリシロキサン化合物又はシ
ランカップリング剤の添加量は、粉砕物１００重量部に
対して０．１〜５．０重量部とすることが好ましく、添
加量が０．１重量部に満たないと成形硬化物中の未充填
部分、内部のボイド、及び表面のピンホールの発生を抑
制する効果が低くなり、また５．０重量部を超えると成
形硬化物とリードフレーム及び半導体チップとの密着性
が低下したり、成形硬化物表面にシリコーン成分のブリ
ードアウトを引き起こして、半導体装置のパッケージを
製造する際にパッケージ汚れが生じたりするおそれがあ
る。The amount of the liquid polysiloxane compound or silane coupling agent to be added is preferably 0.1 to 5.0 parts by weight based on 100 parts by weight of the pulverized material, and the added amount is 0.1 part by weight. If it is less than 5.0 parts, the effect of suppressing the generation of unfilled portions, internal voids and pinholes on the surface of the molded product will be low, and if it exceeds 5.0 parts by weight, the molded product, lead frame and semiconductor chip will be reduced. There is a possibility that the adhesion to the semiconductor device may be reduced, or bleed-out of the silicone component may occur on the surface of the molded cured product, thereby causing package contamination when manufacturing a semiconductor device package.
【００３６】なお、実質的に無加圧状態で運動させる方
法としては、ミキサーを用いて攪拌により運動させる方
法に限定するものではなく、例えば、回転する円筒の中
に、粉砕物を供給し、回転により運動させて造粒しても
よく、水平方向に振動する平板の上に粉砕物を供給し、
振動により運動させて造粒してもよい。The method of moving the material under substantially no pressure is not limited to the method of moving the material by stirring using a mixer. For example, a method of supplying a pulverized material into a rotating cylinder, It may be granulated by moving by rotation, supplying pulverized material on a flat plate vibrating in the horizontal direction,
Granulation may be carried out by motion by vibration.
【００３７】なお、造粒した粒状半導体封止材料の１０
０重量部中に、粒径が０．１〜５ｍｍの粒状半導体封止
材料を８０〜１００重量部、より好ましくは９５〜１０
０重量部含有するように造粒すると好ましい。粒径が
０．１〜５ｍｍの粒状半導体封止材料を８０〜１００重
量部含有する場合は、この粒状半導体封止材料をポット
に装填したとき、配管詰まりが起こりにくいこと、及
び、粒状半導体封止材料と粒状半導体封止材料の間に生
じる隙間が過度に大きくならないため、粒状半導体封止
材料のポットヘの充填性が高いことのバランスが優れ好
ましい。The granulated semiconductor encapsulating material 10
In 0 parts by weight, a granular semiconductor sealing material having a particle size of 0.1 to 5 mm is 80 to 100 parts by weight, more preferably 95 to 10 parts by weight.
It is preferable to granulate so as to contain 0 parts by weight. When the granular semiconductor encapsulating material having a particle size of 0.1 to 5 mm is contained in an amount of 80 to 100 parts by weight, when the granular semiconductor encapsulating material is charged into a pot, clogging of a pipe is unlikely to occur. Since the gap generated between the stopper material and the granular semiconductor sealing material does not become excessively large, the balance between the high filling property of the granular semiconductor sealing material into the pot is excellent and preferable.
【００３８】また、粒状半導体封止材料の安息角が２０
〜４０゜となるように造粒すると好ましい。４０゜を越
える場合は、この封止材料の流動性が低下して計量の安
定性が低下する場合がある。また、２０°未満の封止材
料を作ろうとすると生産性が悪く実用的でない。Further, the angle of repose of the granular semiconductor sealing material is 20.
It is preferable to granulate so as to be up to 40 °. If it exceeds 40 °, the fluidity of the sealing material may decrease, and the measurement stability may decrease. Further, if an attempt is made to produce a sealing material of less than 20 [deg.], The productivity is poor and it is not practical.
【００３９】[0039]
【実施例】以下、本発明を実施例によって詳述する。 （封止材料の粉砕物の製造）下記のエポキシ樹脂、硬化
剤、無機充填材、離型剤、カップリング剤、硬化促進
剤、着色剤及び難燃剤を、表１に示す重量比で配合し
て、樹脂成分を得た。 ・エポキシ樹脂１：２官能ビフェニル型エポキシ樹脂
［油化シェルエポキシ（株）製、エポキシ当量１９５、
１５０℃での溶融粘度０．１ポイズ、品番ＹＸ４０００
Ｈ］ ・エポキシ樹脂２：ジシクロペンタジエン型エポキシ樹
脂[大日本インキ（株）製、エポキシ当量２６０、１５
０℃での溶融粘度０．７ポイズ、品番ＨＰ７２００] ・エポキシ樹脂３：ブロム化エポキシ樹脂[住友化学工
業（株）製、品番ＥＳＢ４００Ｔ］ ・硬化剤：フェノールアラルキル型硬化剤［三井東圧
（株）製、水酸基当量１７５、１５０℃での溶融粘度２
ポイズ、品番ＸＬ２２５−３Ｌ］ ・硬化促進剤：トリフェニルホスフィン［北興化学
（株）製］ ・難燃剤：三酸化二アンチモン[三菱マテリアル（株）
製、品番Ｓｂ２０３−ＮＴ］ ・離型剤：天然カルナバワックス ・カップリング剤１：エポキシシラン［日本ユニカー
（株）製、品番Ａ−１８７］ ・顔料：カーボンブラック[三菱マテリアル（株）製、
品番７５０−Ｂ］ また無機充填剤としては、下記のＳ１〜Ｓ３に示すシリ
カ粒子を、Ｓ１／Ｓ２／Ｓ３＝６／２／２の重量比で混
合したものを用い、このものを、表１に示す配合割合で
上記樹脂成分に配合した。 ・Ｓ１：非晶質シリカ紛［（株）トクヤマ製、真比重
２．２、平均粒径４０μｍ、比表面積０．５ｍ2／ｇ］ ・Ｓ２：非晶質シリカ紛［（株）トクヤマ製、真比重
２．２、平均粒径８μｍ、比表面積１．５ｍ2／ｇ］ ・Ｓ３：非晶質シリカ紛［（株）トクヤマ製、真比重
２．２、平均粒径０．３ｍ、比表面積１５ｍ2／ｇ］ 上記の各原料を混合した後、二軸混練機を用いて温度８
５℃で５分間混練し、次いで冷却した後、カッターミル
で粉砕して封止材料の粉砕物を得た。ここで、各実施例
及び比較例における、樹脂成分の溶融粘度を、ＩＣＩ粘
度計にて測定した。 （実施例１乃至８）粉砕物を、攪拌羽根を内部に備える
開放系のへンシェルミキサー［三井鉱山社製］の内部に
供給した後、攪拌羽根を回転し、次いで、上部より表１
に示す液状ポリシロキサン化合物又はシランカップリン
グ剤を表１に示す重量比で添加した後、４００ｒｐｍで
１０分攪拌して、この液状ポリシロキサン化合物又はシ
ランカップリング剤の一部蒸発させながら造粒を行い、
引き続いて、流動層乾燥機［大川原製作所社製］に移送
した後、１０分間液状ポリシロキサン化合物又はシラン
カップリング剤を乾燥させて粒状半導体封止材料を得
た。The present invention will be described below in detail with reference to examples. (Production of pulverized sealing material) The following epoxy resin, curing agent, inorganic filler, release agent, coupling agent, curing accelerator, coloring agent, and flame retardant are blended in the weight ratio shown in Table 1. Thus, a resin component was obtained. -Epoxy resin 1: bifunctional biphenyl type epoxy resin [Yuika Shell Epoxy Co., Ltd., epoxy equivalent 195,
0.1 poise melt viscosity at 150 ° C, part number YX4000
H] Epoxy resin 2: dicyclopentadiene type epoxy resin [Dainippon Ink Co., Ltd., epoxy equivalent 260, 15
Epoxy resin 3: brominated epoxy resin [manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., part number ESB400T] Curing agent: phenol aralkyl type curing agent [Mitsui Toatsu Co., Ltd.] ), Hydroxyl equivalent 175, melt viscosity at 150 ° C 2
Poise, part number XL225-3L]-Curing accelerator: triphenylphosphine [manufactured by Hokuko Chemical Co., Ltd.]-Flame retardant: diantimony trioxide [Mitsubishi Materials Corporation]
Made, part number Sb203-NT]-Release agent: natural carnauba wax-Coupling agent 1: Epoxy silane [manufactured by Nippon Unicar Co., Ltd., part number A-187]-Pigment: carbon black [manufactured by Mitsubishi Materials Corporation,
Part No. 750-B] Further, as the inorganic filler, a mixture of silica particles represented by the following S1 to S3 at a weight ratio of S1 / S2 / S3 = 6/2/2 is used. The above resin components were blended in the proportions shown in Table 1. S1: Amorphous silica powder [manufactured by Tokuyama Corporation, true specific gravity 2.2, average particle diameter 40 μm, specific surface area 0.5 m 2 / g] S2: Amorphous silica powder [manufactured by Tokuyama Corporation, True specific gravity 2.2, average particle size 8 μm, specific surface area 1.5 m 2 / g] S3: amorphous silica powder [manufactured by Tokuyama Corporation, true specific gravity 2.2, average particle size 0.3 m, specific surface area] 15 m 2 / g] After mixing each of the above-mentioned raw materials, the temperature was adjusted to 8 using a twin-screw kneader.
After kneading at 5 ° C. for 5 minutes and then cooling, the mixture was pulverized by a cutter mill to obtain a pulverized sealing material. Here, the melt viscosity of the resin component in each of Examples and Comparative Examples was measured with an ICI viscometer. (Examples 1 to 8) After the pulverized material was supplied into an open-type Henschel mixer [manufactured by Mitsui Mining Co., Ltd.] having stirring blades therein, the stirring blades were rotated, and then Table 1 was obtained from above.
After adding the liquid polysiloxane compound or silane coupling agent shown in Table 1 in the weight ratio shown in Table 1, the mixture was stirred at 400 rpm for 10 minutes, and the granulation was performed while partially evaporating the liquid polysiloxane compound or silane coupling agent. Do
Subsequently, after transferring to a fluidized bed dryer [manufactured by Okawara Seisakusho], the liquid polysiloxane compound or silane coupling agent was dried for 10 minutes to obtain a granular semiconductor sealing material.
【００４０】ここで液状ポリシロキサン化合物及びシラ
ンカップリング剤としては、以下のものを用いた。 ・液状ポリシロキサン化合物１：一般式（ａ）で示され
る液状の両末端変性エポキシシリコーンオイル［東レダ
ウコーニングシリコーン社製、２５℃での粘度２０セン
チポイズ、商品名ＢＹ１６−８５５］ ・液状ポリシロキサン化合物２：一般式（ｂ）で示され
る液状の側鎖変性エポキシシリコーンオイル[東レダウ
コーニングシリコーン社製、２５℃での粘度８０００セ
ンチポイズ、商品名ＳＦ８４１１] ・カップリング剤１：エポキシシラン[日本ユニカ
（株）製、品番Ａ−１８７］ ・カップリング剤２：化学式（ｃ）で示されるメルカプ
トシラン（東芝シリコーン（株）製、品番ＴＳＬ８３８
０Ｅ） ・カップリング剤３：化学式（ｄ）で示され、式中のＲ
がＣＨ3Ｏあるアミノシラン[日本ユニカ（株）製 品番
Ａ−１００１］ （比較例１）表１に示す組成の粉砕物を、そのまま粒状
半導体封止材料として用いた。 （評価試験） ・ゲルタイム測定 各実施例及び各比較例にて得られた粒状半導体封止材料
のゲルタイムを、（株）オリエンテック製、キュラスト
メーターＶ型（商品名）を用いて、１７５℃の温度で測
定した。その結果、表１に示すように、その結果、表１
に示すように、実施例１乃至８では、比較例と同等のゲ
ルタイムを有することが確認された。 ・スパイラルフロー測定 各実施例及び各比較例にて得られた粒状半導体封止材料
について、ＥＭＭＩ標準に準拠して、スパイラルフロー
専用金型を用い、１７５℃でのトランスファ成形時の試
料の流れ長さを測定した。その結果、表１に示すよう
に、実施例１乃至８では、比較例と同等のスパイラルフ
ローを有することが確認された。 ・成形性測定 ２８ｍｍ×２８ｍｍ×３．２ｍｍｔの１６０ＱＦＰの金
型を用いて、温度１７５℃、注入時間１０秒間、加圧時
間９０秒間、注入圧力７０ｋｇ／ｃｍ2、の条件下にて
各実施例及び各比較例にて得られた粒状半導体封止材料
のトランスファ成形を行った後、１７５℃、６時間の条
件下でアフターキュアーを行って、性能評価用のパッケ
ージ作製した。このパッケージを、（株）キャノン製の
超音波探査装置Ｍ−７００II（商品名）を用いて表裏両
面から測定し、パッケージ内部のボイドを観測した。ま
た実体顕微鏡により、パッケージ表面に発生したφ０．
１ｍｍ以上のピンホール及び未充填部分を観測した。そ
の結果を表１に、分母に試験に供したパッケージ数、分
子に不良が観測されたパッケージ数を表して示す。表１
から判るように、比較例１と比べて、実施例１乃至８で
は、ボイド、ピンホール、及びパッケージの未充填の発
生が抑制されていることが確認された。 ・耐リフロー性試験 シリコンチップを搭載した銅製のフレームを、成形性試
験と同一の条件にてトランスファー成形を行って各実施
例及び各比較例にて得られた粒状半導体封止材料にて封
止することにより、各実施例及び各比較例それぞれにつ
いて、性能評価用のパッケージを１２パッケージ作製し
た。このパッケージを、８５℃、６０％ＲＨの条件下に
１６８時間放置した後、２４５℃以上、３０秒間の条件
下でリフロー処理を行った。処理後のパッケージについ
て、硬化成形物とチップ、フレーム、ダイパットとの剥
離、及び硬化成形物に生じるクラックを観察したとこ
ろ、実施例７、８では、不良の発生が観測されず、耐リ
フロー性が向上していることが確認された。The following were used as the liquid polysiloxane compound and the silane coupling agent. -Liquid polysiloxane compound 1: a liquid double-ended epoxy silicone oil represented by the general formula (a) [manufactured by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd., viscosity at 25C of 20 centipoise, trade name BY16-855]-Liquid polysiloxane compound 2: Liquid side chain-modified epoxy silicone oil represented by the general formula (b) [manufactured by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd., viscosity at 25 ° C .: 8000 centipoise, trade name: SF8411] • Coupling agent 1: epoxy silane [Nihon Yunika ( Co., Ltd., product number A-187] Coupling agent 2: mercaptosilane represented by chemical formula (c) (Toshiba Silicone Co., product number TSL838
0E) • Coupling agent 3: represented by the chemical formula (d),
Aminosilane having CH 3 O [Product No. A-1001 manufactured by Nihon Unica Co., Ltd.] (Comparative Example 1) A pulverized product having a composition shown in Table 1 was directly used as a granular semiconductor sealing material. (Evaluation test)-Gel time measurement The gel time of the granular semiconductor encapsulating material obtained in each of Examples and Comparative Examples was measured at 175 ° C using a Curastometer V type (trade name) manufactured by Orientec Co., Ltd. The temperature was measured at As a result, as shown in Table 1, as a result, Table 1
As shown in Examples 1, it was confirmed that Examples 1 to 8 had the same gel time as the comparative example. Spiral flow measurement For the granular semiconductor encapsulating materials obtained in each of the examples and comparative examples, the flow length of the sample at the time of transfer molding at 175 ° C. using a mold dedicated to spiral flow in accordance with the EMMI standard. Was measured. As a result, as shown in Table 1, it was confirmed that Examples 1 to 8 had the same spiral flow as the comparative example. -Measurement of moldability Using a 28 mm x 28 mm x 3.2 mmt 160 QFP mold, each example was conducted at a temperature of 175 ° C, an injection time of 10 seconds, a pressurization time of 90 seconds, and an injection pressure of 70 kg / cm 2 . After transfer molding of the granular semiconductor encapsulating material obtained in each comparative example, after-curing was performed at 175 ° C. for 6 hours to produce a package for performance evaluation. This package was measured from both the front and back using an ultrasonic probe M-700II (trade name) manufactured by Canon Inc., and the void inside the package was observed. In addition, by a stereoscopic microscope, φ0.
Pinholes of 1 mm or more and unfilled portions were observed. The results are shown in Table 1 in which the number of packages subjected to the test in the denominator and the number of packages in which defects were observed in the numerator are shown. Table 1
As can be seen from the above, it was confirmed that the occurrence of voids, pinholes, and unfilled packages was suppressed in Examples 1 to 8 as compared with Comparative Example 1.・ Reflow resistance test A copper frame on which a silicon chip is mounted is subjected to transfer molding under the same conditions as the moldability test, and sealed with the granular semiconductor sealing material obtained in each of the examples and comparative examples. As a result, 12 packages for performance evaluation were manufactured for each of the examples and the comparative examples. The package was left for 168 hours under the conditions of 85 ° C. and 60% RH, and then subjected to a reflow process at a temperature of 245 ° C. or higher for 30 seconds. When the package after the treatment was observed for peeling of the cured molded product from the chip, the frame, and the die pad, and cracks generated in the cured molded product, no failure was observed in Examples 7 and 8, and the reflow resistance was poor. It has been confirmed that it has improved.
【００４１】[0041]
【表１】 [Table 1]
【００４２】[0042]
【発明の効果】上記のように本発明の請求項１に記載の
粒状半導体封止材料の製造方法は、樹脂成分及び無機充
填材を混練した後、粉砕して得られる粉砕物に、上記化
学式（ａ）又は（ｂ）で示される構造を有する液状ポリ
シロキサン化合物のうち少なくとも一種を添加したもの
を造粒するため、振動等を与えた場合であっても微粉末
の発生が少ない粒状半導体封止材料を得ることができる
ものであり、また液状ポリシロキサン化合物により、粒
状半導体封止材料を構成する粒子と空気との間の界面張
力が低減され、そのためこの粒状半導体封止材料を、ト
ランスファ成形等して得られる硬化成形物中の、未充填
部分、内部のボイド、及び表面のピンホールの発生を大
幅に抑制することができ、半導体封止材料として優れた
特性を有する粒状半導体封止材料を得ることができるも
のである。As described above, in the method for producing a granular semiconductor encapsulating material according to the first aspect of the present invention, a pulverized product obtained by kneading a resin component and an inorganic filler and then pulverizing the same is added to the above-mentioned chemical formula. Since a liquid polysiloxane compound having at least one of the structures shown in (a) or (b) is added, a granular semiconductor encapsulation with less generation of fine powder even when subjected to vibration or the like is performed. The liquid polysiloxane compound reduces the interfacial tension between the particles constituting the granular semiconductor encapsulating material and air. Therefore, the granular semiconductor encapsulating material is formed by transfer molding. In the cured molded product obtained as described above, the generation of unfilled portions, internal voids, and pinholes on the surface can be significantly suppressed, and a granular material having excellent properties as a semiconductor sealing material In which it is possible to obtain a conductive seal material.
【００４３】また本発明の請求項２に記載の粒状半導体
封止材料の製造方法は、樹脂成分及び無機充填材を混練
した後、粉砕して得られる粉砕物に、シランカップリン
グ剤を添加したものを造粒するため、振動等を与えた場
合であっても微粉末の発生が少ない粒状半導体封止材料
を得ることができるものであり、またシランカップリン
グ剤により、粒状半導体封止材料を構成する粒子と空気
との間の界面張力が低減され、そのためこの粒状半導体
封止材料を、トランスファ成形等して得られる硬化成形
物中の、未充填部分、内部のボイド、及び表面のピンホ
ールの発生を大幅に抑制することができ、半導体封止材
料として優れた特性を有する粒状半導体封止材料を得る
ことができるものである。In the method for producing a granular semiconductor encapsulating material according to claim 2 of the present invention, a resin component and an inorganic filler are kneaded, and then a silane coupling agent is added to a pulverized product obtained by pulverization. In order to granulate the material, it is possible to obtain a granular semiconductor encapsulating material with less generation of fine powder even when vibration or the like is applied. The interfacial tension between the constituent particles and the air is reduced, so that this granular semiconductor encapsulant is cured, obtained by transfer molding or the like, in an unfilled portion, internal voids, and surface pinholes. Can be greatly suppressed, and a granular semiconductor sealing material having excellent characteristics as a semiconductor sealing material can be obtained.
【００４４】また本発明の請求項３に記載の粒状半導体
封止材料の製造方法は、請求項２の構成に加えて、上記
シランカップリング剤として、メルカプト基を有するも
の、及びアミノ基を有するもののうちの少なくとも一方
を用いるため、本発明にて製造される粒状半導体封止材
料をトランスファ成形等して得られる成形硬化物とリー
ドフレームとの密着性を向上することができるものであ
る。According to a third aspect of the present invention, there is provided a method for producing a granular semiconductor encapsulating material, wherein the silane coupling agent has a mercapto group and an amino group as the silane coupling agent. Since at least one of them is used, it is possible to improve the adhesiveness between a molded cured product obtained by transfer molding or the like of the granular semiconductor sealing material produced by the present invention and a lead frame.
【００４５】また本発明の請求項４に記載の粒状半導体
封止材料の製造方法は、請求項１の構成に加えて、上記
化学式（ａ）及び（ｂ）で示される構造を有する液状ポ
リシロキサン化合物の、粉砕物への添加量の総量を、粒
状半導体封止材料全量に対して０．１〜５重量％とする
ため、本発明にて製造される粒状半導体封止材料を、ト
ランスファ成形等して得られる硬化成形物中の、未充填
部分、内部のボイド、及び表面のピンホールの発生を更
に抑制することができ、また成形硬化物とリードフレー
ム及び半導体チップとの密着性が低下することを抑制
し、また成形硬化物表面にシリコーン成分のブリードア
ウトを引き起こして、半導体装置のパッケージを製造す
る際にパッケージ汚れが生ることを防ぐことができるも
のである。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method for producing a granular semiconductor encapsulant, wherein the liquid polysiloxane having the structure represented by the chemical formulas (a) and (b) is added to the structure of the first aspect. In order to make the total amount of the compound added to the pulverized material 0.1 to 5% by weight based on the total amount of the granular semiconductor encapsulating material, the granular semiconductor encapsulating material produced by the present invention is subjected to transfer molding or the like. In the cured molded product obtained by the above, the occurrence of unfilled portions, internal voids, and pinholes on the surface can be further suppressed, and the adhesion between the molded cured product and the lead frame and the semiconductor chip is reduced. In addition, it is possible to prevent bleeding out of the silicone component on the surface of the molded cured product, thereby preventing the package from being contaminated when a semiconductor device package is manufactured.
【００４６】また本発明の請求項５に記載の粒状半導体
封止材料の製造方法は、請求項２又は３の構成に加え
て、シランカップリング剤の、粉砕物への添加量を、粒
状半導体封止材料全量に対して０．１〜５重量％とする
ため、本発明にて製造される粒状半導体封止材料を、ト
ランスファ成形等して得られる硬化成形物中の、未充填
部分、内部のボイド、及び表面のピンホールの発生を更
に抑制することができ、また成形硬化物とリードフレー
ム及び半導体チップとの密着性が低下することを抑制
し、また成形硬化物表面にシリコーン成分のブリードア
ウトを引き起こして、半導体装置のパッケージを製造す
る際にパッケージ汚れが生ることを防ぐことができるも
のである。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method for producing a granular semiconductor encapsulating material according to the second or third aspect, wherein the amount of the silane coupling agent added to the pulverized material is reduced. In order to set the content to 0.1 to 5% by weight based on the total amount of the sealing material, the unfilled portion and the inner portion in the cured molded product obtained by transfer molding or the like of the granular semiconductor sealing material produced by the present invention. The formation of voids and pinholes on the surface can be further suppressed, the adhesion of the molded product to the lead frame and the semiconductor chip is prevented from deteriorating, and the bleeding of the silicone component on the molded product surface. It is possible to prevent the package from becoming dirty when producing a package of the semiconductor device by causing an out-of-process.
【００４７】また発明の請求項６に記載の粒状半導体封
止材料の製造方法は、請求項１乃至５のいずれかの構成
に加えて、樹脂成分として、ビフェニル型エポキシ樹脂
とジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂のうちの少なく
とも一方を含むものを用い、無機充填材の配合量を、樹
脂成分全量に対して８０〜９３重量％とするため、本発
明にて製造される粒状半導体封止材料を、トランスファ
成形等して得られる硬化成形物の吸湿率を低減すること
ができ、この粒状半導体封止材料にて封止されてなる半
導体装置の吸湿耐リフロー性を向上することができるま
た本発明の請求項７に記載の粒状半導体封止材料は、請
求項１乃至６のいずれかの方法にて製造されて成るた
め、振動等を与えた場合であっても微粉末の発生が少な
いものであり、また液状ポリシロキサン化合物により、
粒状半導体封止材料を構成する粒子と空気との間の界面
張力が低減され、そのためこの粒状半導体封止材料を、
トランスファ成形等して得られる硬化成形物中の、未充
填部分、内部のボイド、及び表面のピンホールの発生を
大幅に抑制することができ、半導体封止材料として優れ
た特性を有するものである。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a granular semiconductor encapsulating material, wherein a biphenyl type epoxy resin and a dicyclopentadiene type epoxy resin are used as resin components in addition to any one of the first to fifth aspects. In order to use a resin containing at least one of the resins and to adjust the blending amount of the inorganic filler to 80 to 93% by weight with respect to the total amount of the resin components, the granular semiconductor encapsulating material manufactured by the present invention is transferred. It is possible to reduce the moisture absorption of a cured molded product obtained by molding or the like, and to improve the moisture absorption and reflow resistance of a semiconductor device sealed with this granular semiconductor sealing material. Since the granular semiconductor sealing material according to claim 7 is produced by the method according to any one of claims 1 to 6, even if vibration or the like is applied, generation of fine powder is small, Also By Jo polysiloxane compound,
The interfacial tension between the particles constituting the granular semiconductor encapsulating material and air is reduced, so that the granular semiconductor encapsulating material is
In a cured molded product obtained by transfer molding or the like, the occurrence of unfilled portions, internal voids, and pinholes on the surface can be significantly suppressed, and has excellent properties as a semiconductor sealing material. .
【図１】本発明の実施の形態の一例を示す概略断面図で
ある。FIG. 1 is a schematic sectional view showing an example of an embodiment of the present invention.
１ 粉砕物 1 crushed material
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） //(Ｃ０８Ｌ 101/00 83:06） ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) // (C08L 101/00 83:06)
Claims (7)
粉砕して得られる粉砕物に、下記化学式（ａ）又は
（ｂ）で示される構造を有する液状ポリシロキサン化合
物のうち少なくとも一種を添加したものを造粒すること
を特徴とする粒状半導体封止材料の製造方法。 【化１】 【化２】 1. After kneading a resin component and an inorganic filler,
A granular semiconductor encapsulating material characterized by granulating a pulverized product obtained by adding at least one of a liquid polysiloxane compound having a structure represented by the following chemical formula (a) or (b): Manufacturing method. Embedded image Embedded image
粉砕して得られる粉砕物に、シランカップリング剤を添
加したものを造粒することを特徴とする粒状半導体封止
材料の製造方法。2. After kneading the resin component and the inorganic filler,
A method for producing a granular semiconductor encapsulating material, comprising granulating a pulverized product obtained by adding a silane coupling agent to a pulverized product obtained by pulverization.
カプト基を有するもの及びアミノ基を有するもののうち
の少なくとも一方を用いることを特徴とする請求項２に
記載の粒状半導体封止材料の製造方法。3. The method according to claim 2, wherein at least one of a silane coupling agent having a mercapto group and an amino group is used as the silane coupling agent.
構造を有する液状ポリシロキサン化合物の、粉砕物への
添加量の総量を、粒状半導体封止材料全量に対して０．
１〜５重量％とすることを特徴とする請求項１に記載の
粒状半導体封止材料の製造方法。4. The total amount of the liquid polysiloxane compound having the structure represented by the chemical formulas (a) and (b) added to the pulverized product is set to be 0.1 to the total amount of the granular semiconductor sealing material.
The method for producing a granular semiconductor sealing material according to claim 1, wherein the content is 1 to 5% by weight.
加量を、粒状半導体封止材料全量に対して０．１〜５重
量％とすることを特徴とする請求項２又は３に記載の粒
状半導体封止材料の製造方法。5. The method according to claim 2, wherein the amount of the silane coupling agent added to the pulverized material is 0.1 to 5% by weight based on the total amount of the granular semiconductor sealing material. A method for producing a granular semiconductor sealing material.
脂とジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂のうちの少な
くとも一方を含むものを用い、無機充填材の配合量を、
樹脂成分全量に対して８０〜９３重量％とすることを特
徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の粒状半導体
封止材料の製造方法。6. A resin component containing at least one of a biphenyl type epoxy resin and a dicyclopentadiene type epoxy resin, and a compounding amount of an inorganic filler is
The method for producing a granular semiconductor sealing material according to any one of claims 1 to 5, wherein the amount is 80 to 93% by weight based on the total amount of the resin component.
されて成ることを特徴とする粒状半導体封止材料。7. A granular semiconductor encapsulating material produced by the method according to any one of claims 1 to 6.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30610898A JP2000129139A (en) | 1998-10-27 | 1998-10-27 | Production of granular semiconductor sealing material and granular semiconductor sealing material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30610898A JP2000129139A (en) | 1998-10-27 | 1998-10-27 | Production of granular semiconductor sealing material and granular semiconductor sealing material |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000129139A true JP2000129139A (en) | 2000-05-09 |
Family
ID=17953143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30610898A Withdrawn JP2000129139A (en) | 1998-10-27 | 1998-10-27 | Production of granular semiconductor sealing material and granular semiconductor sealing material |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000129139A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002317029A (en) * | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Method for producing epoxy resin molding material and semiconductor device |
| JP2005281401A (en) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Kyocera Chemical Corp | Semiconductor encapsulation material, its manufacturing process, and manufacturing equipment |
| JP2011029638A (en) * | 2009-07-22 | 2011-02-10 | Semikron Elektronik Gmbh & Co Kg | Power semiconductor module having sandwich structure including power semiconductor element |
| JP2014152189A (en) * | 2013-02-05 | 2014-08-25 | Kyocera Chemical Corp | Epoxy resin composition for sealing and semiconductor device using the same |
| JP2017039830A (en) * | 2015-08-19 | 2017-02-23 | 住友ベークライト株式会社 | Method for manufacturing epoxy resin granule for semiconductor sealing, epoxy resin granule for semiconductor sealing, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
| CN114573947A (en) * | 2020-11-30 | 2022-06-03 | 财团法人工业技术研究院 | Siloxane modified resin with epoxy group, packaging material and packaging structure |
-
1998
- 1998-10-27 JP JP30610898A patent/JP2000129139A/en not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002317029A (en) * | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Method for producing epoxy resin molding material and semiconductor device |
| JP4724947B2 (en) * | 2001-04-20 | 2011-07-13 | 住友ベークライト株式会社 | Epoxy resin molding material manufacturing method and semiconductor device |
| JP2005281401A (en) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Kyocera Chemical Corp | Semiconductor encapsulation material, its manufacturing process, and manufacturing equipment |
| JP4647223B2 (en) * | 2004-03-29 | 2011-03-09 | 京セラケミカル株式会社 | Manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor sealing material |
| JP2011029638A (en) * | 2009-07-22 | 2011-02-10 | Semikron Elektronik Gmbh & Co Kg | Power semiconductor module having sandwich structure including power semiconductor element |
| JP2014152189A (en) * | 2013-02-05 | 2014-08-25 | Kyocera Chemical Corp | Epoxy resin composition for sealing and semiconductor device using the same |
| JP2017039830A (en) * | 2015-08-19 | 2017-02-23 | 住友ベークライト株式会社 | Method for manufacturing epoxy resin granule for semiconductor sealing, epoxy resin granule for semiconductor sealing, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
| CN114573947A (en) * | 2020-11-30 | 2022-06-03 | 财团法人工业技术研究院 | Siloxane modified resin with epoxy group, packaging material and packaging structure |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH10292094A (en) | Epoxy resin composition, resin-sealed semiconductor device prepared by using the sane, epoxy resin molding material, and composite epoxy resin tablet | |
| JPH0820673A (en) | Inorganic filler for resin and epoxy resin composition | |
| JP2000129139A (en) | Production of granular semiconductor sealing material and granular semiconductor sealing material | |
| JPH0747682B2 (en) | Epoxy resin composition and cured product thereof | |
| JP3009027B2 (en) | Method for producing epoxy resin composition for semiconductor encapsulation | |
| JP3102276B2 (en) | Method for producing epoxy resin composition and epoxy resin composition for semiconductor encapsulation | |
| JP2001172472A (en) | Epoxy resin composition and semiconductor apparatus | |
| JP2003105064A (en) | Epoxy resin composition for semiconductor sealing and semiconductor device | |
| JP3134791B2 (en) | Granular semiconductor sealing material, method for manufacturing the same, and semiconductor device using the material | |
| JP2576713B2 (en) | Epoxy resin composition and semiconductor device | |
| JP3876944B2 (en) | Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device | |
| JP3132403B2 (en) | Manufacturing method of granular semiconductor sealing material | |
| JPH10173103A (en) | Epoxy resin compsn. for sealing semiconductor | |
| JP2000007894A (en) | Epoxy resin composition and semiconductor device | |
| JP3919162B2 (en) | Epoxy resin composition and semiconductor device | |
| JPH0716946B2 (en) | Method for producing epoxy resin molding material | |
| JP3973139B2 (en) | Epoxy resin composition and semiconductor device | |
| KR102643484B1 (en) | Granule type resin composition for encapsulating a semiconductor device | |
| JP3309688B2 (en) | Method for producing epoxy resin composition | |
| JP3570319B2 (en) | Epoxy resin composition for sealing and semiconductor device | |
| JPH08134330A (en) | Epoxy resin composition for sealing tab and tab device | |
| JP3132404B2 (en) | Manufacturing method of granular semiconductor sealing material | |
| JP2000169676A (en) | Production of epoxy resin molding material and semiconductor apparatus | |
| JP4379972B2 (en) | Epoxy resin composition and semiconductor device | |
| JP2523669B2 (en) | Semiconductor device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060110 |