JP2000128849A - フェニルナフタレン誘導体及びその製造方法 - Google Patents
フェニルナフタレン誘導体及びその製造方法Info
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- JP2000128849A JP2000128849A JP10303879A JP30387998A JP2000128849A JP 2000128849 A JP2000128849 A JP 2000128849A JP 10303879 A JP10303879 A JP 10303879A JP 30387998 A JP30387998 A JP 30387998A JP 2000128849 A JP2000128849 A JP 2000128849A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｎ相の上限温度を悪化させないか、あるいは
上昇させることができ、且つしきい値電圧を低下させる
液晶化合物を提供し、これを用いた、広いＮ相温度範囲
と低電圧駆動性を有する液晶組成物を提供する。 【解決手段】 一般式（Ｉ） 【化１】 （Ｒ：Ｃ数１〜１２のアルキル、Ｃ数２〜１２のアルケ
ニル、アルコキシルアルキル、Ｌ：−ＣＨ2ＣＨ2−、単
結合、ｎ：０、１、環Ａ：トランス-1,4-シクロへキシ
レン、Ｆ原子で置換可能な１，４−フェニレン、Ｘ：Ｈ
原子、Ｆ原子）の化合物、その製造方法、これを含有す
る液晶組成物、これを用いた液晶素子。
上昇させることができ、且つしきい値電圧を低下させる
液晶化合物を提供し、これを用いた、広いＮ相温度範囲
と低電圧駆動性を有する液晶組成物を提供する。 【解決手段】 一般式（Ｉ） 【化１】 （Ｒ：Ｃ数１〜１２のアルキル、Ｃ数２〜１２のアルケ
ニル、アルコキシルアルキル、Ｌ：−ＣＨ2ＣＨ2−、単
結合、ｎ：０、１、環Ａ：トランス-1,4-シクロへキシ
レン、Ｆ原子で置換可能な１，４−フェニレン、Ｘ：Ｈ
原子、Ｆ原子）の化合物、その製造方法、これを含有す
る液晶組成物、これを用いた液晶素子。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は新規液晶性化合物で
あるフェニルナフタレン誘導体とその製造方法及びそれ
を含有する液晶組成物に関する。これらは電気光学的液
晶表示用、特に低電圧駆動が可能なネマチック液晶材料
として有用である。
あるフェニルナフタレン誘導体とその製造方法及びそれ
を含有する液晶組成物に関する。これらは電気光学的液
晶表示用、特に低電圧駆動が可能なネマチック液晶材料
として有用である。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子は、時計、電卓をはじめと
して、各種測定機器、自動車用パネル、ワードプロセッ
サー、電子手帳、プリンター、コンピューター、テレビ
等に用いられるようになっている。液晶表示方式として
は、その代表的なものにＴＮ（捩れネマチック）型、Ｓ
ＴＮ（超捩れネマチック）型、ＤＳ（動的光散乱）型、
ＧＨ（ゲスト・ホスト）型あるいはＦＬＣ（強誘電性液
晶）等があり、また駆動方式としても従来のスタティッ
ク駆動からマルチプレックス駆動が一般的になり、さら
に単純マトリックス方式、最近ではアクティブマトリッ
クス方式が実用化されている。
して、各種測定機器、自動車用パネル、ワードプロセッ
サー、電子手帳、プリンター、コンピューター、テレビ
等に用いられるようになっている。液晶表示方式として
は、その代表的なものにＴＮ（捩れネマチック）型、Ｓ
ＴＮ（超捩れネマチック）型、ＤＳ（動的光散乱）型、
ＧＨ（ゲスト・ホスト）型あるいはＦＬＣ（強誘電性液
晶）等があり、また駆動方式としても従来のスタティッ
ク駆動からマルチプレックス駆動が一般的になり、さら
に単純マトリックス方式、最近ではアクティブマトリッ
クス方式が実用化されている。
【０００３】これらの表示方式や駆動方式に応じて、液
晶材料としても種々の特性が要求されている。その中
で、低電圧駆動性は、最近特に重要な要求特性となって
おり、そのためには閾値電圧（Ｖｔｈ）が低い必要があ
る。また、室温を含む広い温度範囲で駆動が可能である
ことも重要である。
晶材料としても種々の特性が要求されている。その中
で、低電圧駆動性は、最近特に重要な要求特性となって
おり、そのためには閾値電圧（Ｖｔｈ）が低い必要があ
る。また、室温を含む広い温度範囲で駆動が可能である
ことも重要である。
【０００４】液晶素子において、閾値電圧の自乗は、誘
電率異方性に逆比例し、弾性定数に比例することは、よ
く知られている。従って、閾値電圧を低減させるために
は、液晶組成物の誘電率異方性（Δε）を大きくしなけ
ればならず、そのためには、Δεの大きな化合物（Ｐ型
液晶）が必要である。Ｐ型液晶の代表的なものとして
は、分子末端にシアノ基を有する化合物を挙げることが
できる。シアノ基を有する液晶性化合物としては、例え
ば一般式（Ａ）
電率異方性に逆比例し、弾性定数に比例することは、よ
く知られている。従って、閾値電圧を低減させるために
は、液晶組成物の誘電率異方性（Δε）を大きくしなけ
ればならず、そのためには、Δεの大きな化合物（Ｐ型
液晶）が必要である。Ｐ型液晶の代表的なものとして
は、分子末端にシアノ基を有する化合物を挙げることが
できる。シアノ基を有する液晶性化合物としては、例え
ば一般式（Ａ）
【０００５】
【化６】
【０００６】で表されるシアノビフェニル誘導体（式
中、Ｒaは直鎖状アルキル基を表す。）等が用いられて
きた。しかしながら、式（Ａ）の化合物は、閾値電圧を
大きく低下させることはできるが、そのものの液晶性が
低いため、液晶組成物を調製した際に、ネマチック相上
限温度（ＴN-I点）を低下させてしまう欠点があった。
中、Ｒaは直鎖状アルキル基を表す。）等が用いられて
きた。しかしながら、式（Ａ）の化合物は、閾値電圧を
大きく低下させることはできるが、そのものの液晶性が
低いため、液晶組成物を調製した際に、ネマチック相上
限温度（ＴN-I点）を低下させてしまう欠点があった。
【０００７】また、液晶性の高いシアノ基を有する液晶
化合物としては、例えば一般式（Ｂ）
化合物としては、例えば一般式（Ｂ）
【０００８】
【化７】
【０００９】で表されるテルフェニル誘導体（式中、Ｒ
bは直鎖状アルキル基を表す。）等が用いられてきた。
確かに、式（Ｂ）の化合物は、ＴN-I点を大きく上昇さ
せ、Δεを大きくすることができる。しかしながら、式
（Ｂ）の化合物の弾性定数は非常に大きく、そのため、
前述の関係から、閾値電圧については大きく改善するこ
とは困難である。
bは直鎖状アルキル基を表す。）等が用いられてきた。
確かに、式（Ｂ）の化合物は、ＴN-I点を大きく上昇さ
せ、Δεを大きくすることができる。しかしながら、式
（Ｂ）の化合物の弾性定数は非常に大きく、そのため、
前述の関係から、閾値電圧については大きく改善するこ
とは困難である。
【００１０】式（Ａ）の化合物及び式（Ｂ）の化合物の
中間的な性質を有するシアノ基を有する液晶化合物とし
て、一般式（Ｃ）
中間的な性質を有するシアノ基を有する液晶化合物とし
て、一般式（Ｃ）
【００１１】
【化８】
【００１２】で表されるフェニルナフタレン誘導体（式
中、Ｒcは直鎖状アルキル基を表す。）が知られている
（Gray.G.W.,Lacey.D.:Mol.Cryst.Liq.Crest.99,123 (1
983)）。しかしながら、本発明者らが検討したところで
は、式（Ｃ）の化合物は、ＴN- I点を上昇させ、Δεを
大きくすることはができるが、閾値電圧についての改善
効果は、あまり優れたものではない。
中、Ｒcは直鎖状アルキル基を表す。）が知られている
（Gray.G.W.,Lacey.D.:Mol.Cryst.Liq.Crest.99,123 (1
983)）。しかしながら、本発明者らが検討したところで
は、式（Ｃ）の化合物は、ＴN- I点を上昇させ、Δεを
大きくすることはができるが、閾値電圧についての改善
効果は、あまり優れたものではない。
【００１３】従って、ＴN-Iを悪化させないか、あるい
は上昇させることができ、且つ閾値電圧を低下させるこ
とのできる液晶化合物が求められている。
は上昇させることができ、且つ閾値電圧を低下させるこ
とのできる液晶化合物が求められている。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、以上の目的に応じるため、ネマチック相上
限温度が比較的高く、大きな誘電率異方性を有するシア
ノ系のフェニルナフタレン誘導体である液晶性化合物を
提供し、さらにこれを用いて、広いネマチック相温度範
囲と低電圧駆動性を有する液晶組成物を提供することに
ある。
する課題は、以上の目的に応じるため、ネマチック相上
限温度が比較的高く、大きな誘電率異方性を有するシア
ノ系のフェニルナフタレン誘導体である液晶性化合物を
提供し、さらにこれを用いて、広いネマチック相温度範
囲と低電圧駆動性を有する液晶組成物を提供することに
ある。
【００１５】即ち、前記課題を解決するための手段とし
て、 １．一般式（Ｉ）
て、 １．一般式（Ｉ）
【００１６】
【化９】 （式中、Ｒは炭素原子数１〜１２のアルキル基、又は炭
素原子数２〜１２のアルケニル基あるいはアルコキシル
アルキル基を表し、Ｌは−ＣＨ2ＣＨ2−又は単結合を表
し、ｎは０又は１を表し、環Ａはトランス−１，４−シ
クロへキシレン基、又はフッ素原子で置換されいてもよ
い１，４−フェニレン基を表し、Ｘは水素原子又はフッ
素原子を表す。）で表されるフェニルナフタレン誘導
体。
素原子数２〜１２のアルケニル基あるいはアルコキシル
アルキル基を表し、Ｌは−ＣＨ2ＣＨ2−又は単結合を表
し、ｎは０又は１を表し、環Ａはトランス−１，４−シ
クロへキシレン基、又はフッ素原子で置換されいてもよ
い１，４−フェニレン基を表し、Ｘは水素原子又はフッ
素原子を表す。）で表されるフェニルナフタレン誘導
体。
【００１７】２．一般式（Ｉ）において、ｎが０を表す
ところの上記１記載のフェニルナフタレン誘導体。 ３．一般式（Ｉ）において、ｎが１を表し、Ｌが単結合
を表し、環Ａがトランス−１，４−シクロへキシレン基
を表すところの上記１記載のフェニルナフタレン誘導
体。 ４．一般式（Ｉ）において、Ｒが炭素原子数２〜７の直
鎖状アルキル基又は炭素原子数４〜７の３−アルケニル
基を表すところの上記１、２又は３記載のフェニルナフ
タレン誘導体。
ところの上記１記載のフェニルナフタレン誘導体。 ３．一般式（Ｉ）において、ｎが１を表し、Ｌが単結合
を表し、環Ａがトランス−１，４−シクロへキシレン基
を表すところの上記１記載のフェニルナフタレン誘導
体。 ４．一般式（Ｉ）において、Ｒが炭素原子数２〜７の直
鎖状アルキル基又は炭素原子数４〜７の３−アルケニル
基を表すところの上記１、２又は３記載のフェニルナフ
タレン誘導体。
【００１８】５．一般式（ＩＩ）
【００１９】
【化１０】 （式中、Ｒは炭素原子数１〜１２のアルキル基、又は炭
素原子数２〜１２のアルケニル基あるいはアルコキシル
アルキル基を表し、Ｌは−ＣＨ2ＣＨ2−又は単結合を表
し、ｎは０又は１を表し、環Ａはトランス−１，４−シ
クロへキシレン基、又はフッ素原子で置換されいてもよ
い１，４−フェニレン基を表し、Ｘは水素原子又はフッ
素原子を表す。）で表されるトリフラートを遷移金属触
媒存在下に、シアン化合物と反応させることを特徴とす
る上記１記載の一般式（Ｉ）で表されるナフタレン誘導
体の製造方法。 ６．一般式（ＩＩ）においてＸが水素原子を表すところ
の上記５記載の製造方法。
素原子数２〜１２のアルケニル基あるいはアルコキシル
アルキル基を表し、Ｌは−ＣＨ2ＣＨ2−又は単結合を表
し、ｎは０又は１を表し、環Ａはトランス−１，４−シ
クロへキシレン基、又はフッ素原子で置換されいてもよ
い１，４−フェニレン基を表し、Ｘは水素原子又はフッ
素原子を表す。）で表されるトリフラートを遷移金属触
媒存在下に、シアン化合物と反応させることを特徴とす
る上記１記載の一般式（Ｉ）で表されるナフタレン誘導
体の製造方法。 ６．一般式（ＩＩ）においてＸが水素原子を表すところ
の上記５記載の製造方法。
【００２０】７．一般式（ＩＩＩ）
【００２１】
【化１１】 （式中、Ｒは炭素原子数１〜１２のアルキル基、又は炭
素原子数２〜１２のアルケニル基あるいはアルコキシル
アルキル基を表し、Ｌは−ＣＨ2ＣＨ2−又は単結合を表
し、ｎは０又は１を表し、環Ａはトランス−１，４−シ
クロへキシレン基、又はフッ素原子で置換されいてもよ
い１，４−フェニレン基を表し、Ｘは水素原子又はフッ
素原子を表す。）で表される化合物をアルキルリチウム
でリチオ化し、次いで二酸化炭素と反応させることによ
り、一般式（ＩＶ）
素原子数２〜１２のアルケニル基あるいはアルコキシル
アルキル基を表し、Ｌは−ＣＨ2ＣＨ2−又は単結合を表
し、ｎは０又は１を表し、環Ａはトランス−１，４−シ
クロへキシレン基、又はフッ素原子で置換されいてもよ
い１，４−フェニレン基を表し、Ｘは水素原子又はフッ
素原子を表す。）で表される化合物をアルキルリチウム
でリチオ化し、次いで二酸化炭素と反応させることによ
り、一般式（ＩＶ）
【００２２】
【化１２】 （式中、Ｒは炭素原子数１〜１２のアルキル基、又は炭
素原子数２〜１２のアルケニル基あるいはアルコキシル
アルキル基を表し、Ｌは−ＣＨ2ＣＨ2−又は単結合を表
し、ｎは０又は１を表し、環Ａはトランス−１，４−シ
クロへキシレン基、又はフッ素原子で置換されいてもよ
い１，４−フェニレン基を表し、Ｘは水素原子又はフッ
素原子を表す。）で表される安息香酸誘導体を得て、こ
れをハロゲン化剤で安息香酸クロリドとし、アンモニア
と反応させアミドとし、これを脱水剤と反応させること
を特徴とする上記１記載の一般式（Ｉ）で表されるナフ
タレン誘導体の製造方法。 ８．一般式（ＩＩＩ）においてＸがフッ素原子を表すと
ころの上記７記載の製造方法。
素原子数２〜１２のアルケニル基あるいはアルコキシル
アルキル基を表し、Ｌは−ＣＨ2ＣＨ2−又は単結合を表
し、ｎは０又は１を表し、環Ａはトランス−１，４−シ
クロへキシレン基、又はフッ素原子で置換されいてもよ
い１，４−フェニレン基を表し、Ｘは水素原子又はフッ
素原子を表す。）で表される安息香酸誘導体を得て、こ
れをハロゲン化剤で安息香酸クロリドとし、アンモニア
と反応させアミドとし、これを脱水剤と反応させること
を特徴とする上記１記載の一般式（Ｉ）で表されるナフ
タレン誘導体の製造方法。 ８．一般式（ＩＩＩ）においてＸがフッ素原子を表すと
ころの上記７記載の製造方法。
【００２３】９．一般式（Ｖ）
【００２４】
【化１３】 （式中、Ｒは炭素原子数１〜１２のアルキル基、又は炭
素原子数２〜１２のアルケニル基あるいはアルコキシル
アルキル基を表し、Ｌは−ＣＨ2ＣＨ2−又は単結合を表
し、ｎは０又は１を表し、環Ａはトランス−１，４−シ
クロへキシレン基、又はフッ素原子で置換されいてもよ
い１，４−フェニレン基を表し、Ｘは水素原子又はフッ
素原子を表し、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3及びＸ4はそれぞれ独立的
に水素原子又は炭素原子数１〜５のアルキル基を表
す。）で表される２−オキサゾリン誘導体を脱水剤と反
応させることを特徴とする上記１記載の一般式（Ｉ）で
表されるナフタレン誘導体の製造方法。 １０．上記１記載の一般式（Ｉ）で表される化合物を含
有する液晶組成物。 １１．上記１０記載の液晶組成物を構成要素とする液晶
素子。を前記課題を解決するための手段として見出し
た。
素原子数２〜１２のアルケニル基あるいはアルコキシル
アルキル基を表し、Ｌは−ＣＨ2ＣＨ2−又は単結合を表
し、ｎは０又は１を表し、環Ａはトランス−１，４−シ
クロへキシレン基、又はフッ素原子で置換されいてもよ
い１，４−フェニレン基を表し、Ｘは水素原子又はフッ
素原子を表し、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3及びＸ4はそれぞれ独立的
に水素原子又は炭素原子数１〜５のアルキル基を表
す。）で表される２−オキサゾリン誘導体を脱水剤と反
応させることを特徴とする上記１記載の一般式（Ｉ）で
表されるナフタレン誘導体の製造方法。 １０．上記１記載の一般式（Ｉ）で表される化合物を含
有する液晶組成物。 １１．上記１０記載の液晶組成物を構成要素とする液晶
素子。を前記課題を解決するための手段として見出し
た。
【００２５】
【課題を解決するための手段】以下に本発明の一例につ
いて説明する。
いて説明する。
【００２６】本発明は、上記課題を解決するために、一
般式（Ｉ）
般式（Ｉ）
【００２７】
【化１４】
【００２８】で表されるフェニルナフタレン誘導体を提
供する。
供する。
【００２９】式中、Ｒは炭素原子数１〜１２のアルキル
基、又は炭素原子数２〜１２のアルケニル基あるいはア
ルコキシルアルキル基を表すが、炭素原子数１〜７の直
鎖状アルキル基又は炭素原子数２〜７の直鎖状アルケニ
ル基が好ましく、特に炭素原子数２〜５の直鎖状アルキ
ル基又は炭素原子数２〜４のアルケニル基が好ましい。
Ｌは−ＣＨ2ＣＨ2−又は単結合を表し、ｎは０又は１を
表し、ｎが１のときには、環Ａはトランス−１，４−シ
クロへキシレン基、又はフッ素原子で置換されいてもよ
い１，４−フェニレン基を表すが、トランス−１，４−
シクロヘキシレン基が好ましい。Ｘは水素又はフッ素原
子を表すが、フッ素原子が好ましい。
基、又は炭素原子数２〜１２のアルケニル基あるいはア
ルコキシルアルキル基を表すが、炭素原子数１〜７の直
鎖状アルキル基又は炭素原子数２〜７の直鎖状アルケニ
ル基が好ましく、特に炭素原子数２〜５の直鎖状アルキ
ル基又は炭素原子数２〜４のアルケニル基が好ましい。
Ｌは−ＣＨ2ＣＨ2−又は単結合を表し、ｎは０又は１を
表し、ｎが１のときには、環Ａはトランス−１，４−シ
クロへキシレン基、又はフッ素原子で置換されいてもよ
い１，４−フェニレン基を表すが、トランス−１，４−
シクロヘキシレン基が好ましい。Ｘは水素又はフッ素原
子を表すが、フッ素原子が好ましい。
【００３０】一般式（Ｉ）の化合物は例えば以下のよう
な方法により製造することができる。
な方法により製造することができる。
【００３１】（製法Ａ） 一般式（ＩＩ）
【００３２】
【化１５】
【００３３】（式中、Ｒ、環Ａ、Ｌ、ｎ及びＸは一般式
（Ｉ）におけると同じ意味を表す。）で表されるトリフ
ラートをパラジウム(0)錯体、パラジウム（II）錯体、
ニッケル(0)錯体、ニッケル(II)錯体等の遷移金属触媒
存在下に、シアン化カリウム、シアン化ナトリウム、シ
アン化銅(I)等のシアン化合物と反応させることにより
得ることができる。ここで遷移金属触媒としてはテトラ
キストリフェニルホスフィンパラジウム(0)等のパラジ
ウム(0)錯体が最も好ましい。反応溶媒は、トルエン、
キシレン等の炭化水素類、テトラヒドロフラン（ＴＨ
Ｆ）、ジメトキシエタン（ＤＭＥ）等のエーテル類、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルス
ルホキシド（ＤＭＳＯ）、ヘキサメチルリン酸トリアミ
ド（ＨＭＰＡ）等の非プロトン性極性溶媒類、あるいは
これらの混合溶媒等が用いられるが非プロトン性極性溶
媒類が好ましい。
（Ｉ）におけると同じ意味を表す。）で表されるトリフ
ラートをパラジウム(0)錯体、パラジウム（II）錯体、
ニッケル(0)錯体、ニッケル(II)錯体等の遷移金属触媒
存在下に、シアン化カリウム、シアン化ナトリウム、シ
アン化銅(I)等のシアン化合物と反応させることにより
得ることができる。ここで遷移金属触媒としてはテトラ
キストリフェニルホスフィンパラジウム(0)等のパラジ
ウム(0)錯体が最も好ましい。反応溶媒は、トルエン、
キシレン等の炭化水素類、テトラヒドロフラン（ＴＨ
Ｆ）、ジメトキシエタン（ＤＭＥ）等のエーテル類、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルス
ルホキシド（ＤＭＳＯ）、ヘキサメチルリン酸トリアミ
ド（ＨＭＰＡ）等の非プロトン性極性溶媒類、あるいは
これらの混合溶媒等が用いられるが非プロトン性極性溶
媒類が好ましい。
【００３４】本発明は一般式（Ｉ）で表される化合物の
製造方法の第１としてこのように対応するトリフラート
を直接シアノ化することを特徴とする方法を提供するも
のであり、本方法は一般式（Ｉ）に於いてＸが水素原子
を表す化合物の場合に於いて特に適している。
製造方法の第１としてこのように対応するトリフラート
を直接シアノ化することを特徴とする方法を提供するも
のであり、本方法は一般式（Ｉ）に於いてＸが水素原子
を表す化合物の場合に於いて特に適している。
【００３５】ここで、一般式（ＩＩ）のトリフラートは
対応するメトキシ体（ＶＩ）
対応するメトキシ体（ＶＩ）
【００３６】
【化１６】
【００３７】（式中、Ｒ、環Ａ、Ｌ、ｎ、及びＸは一般
式（Ｉ）におけると同じ意味を表す。）から以下の工程
に基づいて製造することができる。
式（Ｉ）におけると同じ意味を表す。）から以下の工程
に基づいて製造することができる。
【００３８】即ち、メトキシ体（ＶＩ）を臭化水素酸、
無水塩化アルミニウム、三臭化ホウ素又はトリメチルヨ
ードシラン等を用いて、脱メチル化することにより一般
式（ＶＩＩ）
無水塩化アルミニウム、三臭化ホウ素又はトリメチルヨ
ードシラン等を用いて、脱メチル化することにより一般
式（ＶＩＩ）
【００３９】
【化１７】
【００４０】（式中、Ｒ、環Ａ、Ｌ、ｎ、及びＸは一般
式（Ｉ）におけると同じ意味を表す。）で表されるフェ
ノール誘導体を得る。これをピリジンあるいはトリエチ
ルアミン等の塩基存在下に、トリフルオロメタンスルホ
ン酸無水物又はトリフルオロメタンスルホン酸クロリド
と反応させることにより、一般式（ＩＩ）のトリフラー
トを得ることができる。
式（Ｉ）におけると同じ意味を表す。）で表されるフェ
ノール誘導体を得る。これをピリジンあるいはトリエチ
ルアミン等の塩基存在下に、トリフルオロメタンスルホ
ン酸無水物又はトリフルオロメタンスルホン酸クロリド
と反応させることにより、一般式（ＩＩ）のトリフラー
トを得ることができる。
【００４１】メトキシ体（ＶＩ）はその一般式における
環Ａ、Ｌ、及びｎに応じて以下のようにして製造するこ
とができる。
環Ａ、Ｌ、及びｎに応じて以下のようにして製造するこ
とができる。
【００４２】（イ）ｎ＝０の場合 ６−ブロモ−２−メトキシナフタレン（ＶＩＩ）
【００４３】
【化１８】
【００４４】と一般式（ＶＩＩＩ）
【００４５】
【化１９】
【００４６】（式中、Ｒは一般式（Ｉ）におけると同じ
意味を表し、Ｙは塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を
表す。）で表されるグリニャール反応剤をニッケル(0)
錯体、ニッケル(II)錯体等の遷移金属触媒存在下に反応
させることにより、一般式（ＩＸａ）
意味を表し、Ｙは塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を
表す。）で表されるグリニャール反応剤をニッケル(0)
錯体、ニッケル(II)錯体等の遷移金属触媒存在下に反応
させることにより、一般式（ＩＸａ）
【００４７】
【化２０】
【００４８】（式中、Ｒは一般式（Ｉ）におけると同じ
意味を表す。）で表される２−メトキシナフタレン誘導
体を得る。これを臭化水素酸、無水塩化アルミニウム、
三臭化ホウ素又はトリメチルヨードシラン等を用いて、
脱メチル化し、一般式（Ｘａ）
意味を表す。）で表される２−メトキシナフタレン誘導
体を得る。これを臭化水素酸、無水塩化アルミニウム、
三臭化ホウ素又はトリメチルヨードシラン等を用いて、
脱メチル化し、一般式（Ｘａ）
【００４９】
【化２１】
【００５０】（式中、Ｒは一般式（Ｉ）におけると同じ
意味を表す。）で表される２−ナフトール誘導体を得
る。これをピリジンあるいはトリエチルアミン等の塩基
存在下に、トリフルオロメタンスルホン酸無水物又はト
リフルオロメタンスルホン酸クロリドと反応させること
により、一般式（ＸＩａ）
意味を表す。）で表される２−ナフトール誘導体を得
る。これをピリジンあるいはトリエチルアミン等の塩基
存在下に、トリフルオロメタンスルホン酸無水物又はト
リフルオロメタンスルホン酸クロリドと反応させること
により、一般式（ＸＩａ）
【００５１】
【化２２】
【００５２】（式中、Ｒは一般式（Ｉ）におけると同じ
意味を表す。）で表されるトリフラートを得ることがで
きる。このトリフラートを一般式（ＸＩＩａ）
意味を表す。）で表されるトリフラートを得ることがで
きる。このトリフラートを一般式（ＸＩＩａ）
【００５３】
【化２３】
【００５４】（式中、Ｒは一般式（Ｉ）におけると同じ
意味を表す。）で表されるグリニャール反応剤とパラジ
ウム(0)錯体、パラジウム(II)錯体、ニッケル(0)錯体、
ニッケル(II)錯体等の遷移金属触媒存在下に反応させる
ことにより、一般式（ＶＩ）で表される化合物のうち、
ｎ＝０であるところの一般式（ＶＩａ）
意味を表す。）で表されるグリニャール反応剤とパラジ
ウム(0)錯体、パラジウム(II)錯体、ニッケル(0)錯体、
ニッケル(II)錯体等の遷移金属触媒存在下に反応させる
ことにより、一般式（ＶＩ）で表される化合物のうち、
ｎ＝０であるところの一般式（ＶＩａ）
【００５５】
【化２４】
【００５６】（式中、Ｒは一般式（Ｉ）におけると同じ
意味を表す。）の化合物を得ることができる。
意味を表す。）の化合物を得ることができる。
【００５７】（ロ）ｎ＝１でかつＬが単結合、環Ａがト
ランス−１，４−シクロヘキシレン基を表す場合 ６−ブロモ−２−メトキシナフタレン（ＶＩＩ）とマグ
ネシウムから調製したグリニャール反応剤を一般式（Ｘ
ＩＩＩａ）
ランス−１，４−シクロヘキシレン基を表す場合 ６−ブロモ−２−メトキシナフタレン（ＶＩＩ）とマグ
ネシウムから調製したグリニャール反応剤を一般式（Ｘ
ＩＩＩａ）
【００５８】
【化２５】
【００５９】（式中、Ｒは一般式（Ｉ）におけると同じ
意味を表す。）で表されるシクロヘキサンノン誘導体と
反応させ、得られたシクルヘキサノール誘導体をｐ−ト
ルエンスルホン酸等の酸触媒存在下に脱水させることに
より、一般式（ＸＩＶａ）
意味を表す。）で表されるシクロヘキサンノン誘導体と
反応させ、得られたシクルヘキサノール誘導体をｐ−ト
ルエンスルホン酸等の酸触媒存在下に脱水させることに
より、一般式（ＸＩＶａ）
【００６０】
【化２６】
【００６１】（式中、Ｒは一般式（Ｉ）におけると同じ
意味を表す。）で表されるシクロヘキセン誘導体を得
る。これをパラジウム炭素等の遷移金属触媒存在下に、
接触還元し、得られたシス／トランスの混合物から、必
要に応じて塩基存在下にトランス体への異性化を行った
後、トランス体を分離することによって、一般式（ＩＸ
ｂ）
意味を表す。）で表されるシクロヘキセン誘導体を得
る。これをパラジウム炭素等の遷移金属触媒存在下に、
接触還元し、得られたシス／トランスの混合物から、必
要に応じて塩基存在下にトランス体への異性化を行った
後、トランス体を分離することによって、一般式（ＩＸ
ｂ）
【００６２】
【化２７】
【００６３】（式中、Ｒは一般式（Ｉ）におけると同じ
意味を表す。）で表される化合物を得る。以下、ｎ＝０
の場合と同様にして一般式（ＶＩ）で表される化合物の
うち、ｎ＝１でかつＬが単結合、環Ａがトランス−１，
４−シクロヘキシレン基を表すところの一般式（ＶＩ
ｂ）
意味を表す。）で表される化合物を得る。以下、ｎ＝０
の場合と同様にして一般式（ＶＩ）で表される化合物の
うち、ｎ＝１でかつＬが単結合、環Ａがトランス−１，
４−シクロヘキシレン基を表すところの一般式（ＶＩ
ｂ）
【００６４】
【化２８】
【００６５】（式中、Ｒは一般式（Ｉ）におけると同じ
意味を表す。）を得ることができる。
意味を表す。）を得ることができる。
【００６６】（ハ）ｎ＝１でかつ、Ｌが単結合、環Ａが
フッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン
基を表す場合 ６−ブロモ−２−メトキシナフタレン（ＶＩＩ）と一般
式（ＸＶ）
フッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン
基を表す場合 ６−ブロモ−２−メトキシナフタレン（ＶＩＩ）と一般
式（ＸＶ）
【００６７】
【化２９】
【００６８】（式中、Ｒは一般式（Ｉ）におけると同じ
意味を表し、環Ｂはフッ素原子で置換されていてもよい
１，４−フェニレン基を表す。）で表されるフェニルホ
ウ酸誘導体をパラジウム(0)錯体、パラジウム(II)錯
体、ニッケル(0)錯体、ニッケル(II)錯体等の遷移金属
触媒存在下に反応させることにより、一般式（ＩＸｃ）
意味を表し、環Ｂはフッ素原子で置換されていてもよい
１，４−フェニレン基を表す。）で表されるフェニルホ
ウ酸誘導体をパラジウム(0)錯体、パラジウム(II)錯
体、ニッケル(0)錯体、ニッケル(II)錯体等の遷移金属
触媒存在下に反応させることにより、一般式（ＩＸｃ）
【００６９】
【化３０】
【００７０】（式中、Ｒは一般式（Ｉ）におけると同じ
意味を表し、環Ｂはフッ素原子で置換されていてもよい
１，４−フェニレン基を表す。）で表される化合物を得
る。以下、ｎ＝０の場合と同様にして一般式（ＶＩ）で
表される化合物のうち、ｎ＝０でかつ、Ｌが単結合、環
Ａがフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニ
レン基を表すところの（ＶＩｃ）
意味を表し、環Ｂはフッ素原子で置換されていてもよい
１，４−フェニレン基を表す。）で表される化合物を得
る。以下、ｎ＝０の場合と同様にして一般式（ＶＩ）で
表される化合物のうち、ｎ＝０でかつ、Ｌが単結合、環
Ａがフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニ
レン基を表すところの（ＶＩｃ）
【００７１】
【化３１】
【００７２】（式中、Ｒは一般式（Ｉ）におけると同じ
意味を表し、環Ｂはフッ素原子で置換されていてもよい
１，４−フェニレン基を表す。）の化合物を得ることが
できる。
意味を表し、環Ｂはフッ素原子で置換されていてもよい
１，４−フェニレン基を表す。）の化合物を得ることが
できる。
【００７３】（ニ）ｎ＝１でかつＬが−ＣＨ2ＣＨ2−を
表す場合 前述にロ）において、（ＸＩＩＩａ）のシクロヘキサノ
ン誘導体に換えて、一般式（ＸＩＩＩｂ）
表す場合 前述にロ）において、（ＸＩＩＩａ）のシクロヘキサノ
ン誘導体に換えて、一般式（ＸＩＩＩｂ）
【００７４】
【化３２】
【００７５】（式中、Ｒ及び環Ａは一般式（Ｉ）におけ
ると同じ意味を表す。）で表されるアルデヒドを用いた
他は同様にして、一般式（ＶＩ）で表される化合物のう
ち、ｎ＝１でかつＬが−ＣＨ2ＣＨ2−を表すところの
（ＶＩｄ）
ると同じ意味を表す。）で表されるアルデヒドを用いた
他は同様にして、一般式（ＶＩ）で表される化合物のう
ち、ｎ＝１でかつＬが−ＣＨ2ＣＨ2−を表すところの
（ＶＩｄ）
【００７６】
【化３３】
【００７７】（式中、Ｒ及び環Ａは一般式（Ｉ）におけ
ると同じ意味を表す。）を得ることができる。
ると同じ意味を表す。）を得ることができる。
【００７８】（製法Ｂ） 一般式（ＩＩＩ）
【００７９】
【化３４】
【００８０】（式中、Ｒ、環Ａ、Ｌ、ｎ及びＸは一般式
（Ｉ）におけると同じ意味を表す。）で表されるフルオ
ロベンゼン誘導体をアルキルリチウムによりリチオ化
し、次いで二酸化炭素を反応させることにより一般式
（ＩＶ）
（Ｉ）におけると同じ意味を表す。）で表されるフルオ
ロベンゼン誘導体をアルキルリチウムによりリチオ化
し、次いで二酸化炭素を反応させることにより一般式
（ＩＶ）
【００８１】
【化３５】
【００８２】（式中、Ｒ、環Ａ、Ｌ、ｎ及びＸは一般式
（Ｉ）におけると同じ意味を表す。）で表される安息香
酸誘導体を得る。ここでアルキルリチウムとしては、市
販のｎ−ブチルリチウムあるいはメチルリチウムを用い
ることができ、ｎ−ブチルリチウムが特に好ましい。こ
の安息香酸誘導体に塩素化剤を反応させて安息香酸クロ
リドとし、次いでアンモニアと反応させることにより対
応するアミドを得る。ここで塩素化剤としては塩化チオ
ニル、塩化スルフリル、三塩化リン、五塩化リン、オキ
シ塩化リン等を用いることができるが塩化チオニルが好
ましい。次に、得られたアミドを脱水剤と反応させるこ
とにより、一般式（Ｉ）の化合物を得ることができる。
脱水剤としては、塩化チオニル、塩化スルフリル、三塩
化リン、五塩化リン、オキシ塩化リン等が好ましい。
（Ｉ）におけると同じ意味を表す。）で表される安息香
酸誘導体を得る。ここでアルキルリチウムとしては、市
販のｎ−ブチルリチウムあるいはメチルリチウムを用い
ることができ、ｎ−ブチルリチウムが特に好ましい。こ
の安息香酸誘導体に塩素化剤を反応させて安息香酸クロ
リドとし、次いでアンモニアと反応させることにより対
応するアミドを得る。ここで塩素化剤としては塩化チオ
ニル、塩化スルフリル、三塩化リン、五塩化リン、オキ
シ塩化リン等を用いることができるが塩化チオニルが好
ましい。次に、得られたアミドを脱水剤と反応させるこ
とにより、一般式（Ｉ）の化合物を得ることができる。
脱水剤としては、塩化チオニル、塩化スルフリル、三塩
化リン、五塩化リン、オキシ塩化リン等が好ましい。
【００８３】本発明は、一般式（Ｉ）で表される化合物
の製造方法の第２としてこのように対応するフルオロベ
ンゼン誘導体から、安息香酸誘導体を経てさらに直接シ
アノ化することを特徴とする方法を提供するものであ
り、本方法は一般式（Ｉ）に於いてＸがフッ素原子を表
す化合物の場合に於いて特に適している。
の製造方法の第２としてこのように対応するフルオロベ
ンゼン誘導体から、安息香酸誘導体を経てさらに直接シ
アノ化することを特徴とする方法を提供するものであ
り、本方法は一般式（Ｉ）に於いてＸがフッ素原子を表
す化合物の場合に於いて特に適している。
【００８４】ここで、一般式（ＩＩＩ）のフルオロベン
ゼン誘導体は製法Ａに於いて、グリニャール反応剤（Ｘ
ＩＩａ）に換えて、一般式（ＸＩＩｂ）
ゼン誘導体は製法Ａに於いて、グリニャール反応剤（Ｘ
ＩＩａ）に換えて、一般式（ＸＩＩｂ）
【００８５】
【化３６】
【００８６】（式中、Ｘは一般式（Ｉ）に於けると同じ
意味を表す。）で表されるグリニャール反応剤を用い、
同様にして得ることができる。
意味を表す。）で表されるグリニャール反応剤を用い、
同様にして得ることができる。
【００８７】（製法Ｃ） 一般式（Ｖ）
【００８８】
【化３７】
【００８９】（式中、Ｒ、環Ａ、Ｌ、ｎ及びＸは一般式
（Ｉ）におけると同じ意味を表し、Ｘ 1、Ｘ2、Ｘ3及び
Ｘ4はそれぞれ独立的に水素原子又は炭素原子数１から
５のアルキル基を表す。）で表されるオキサゾリン誘導
体を脱水剤と反応させることにより一般式（Ｉ）の化合
物を得ることができる。脱水剤としては塩化チオニル、
塩化スルフリル、三塩化リン、五塩化リン、オキシ塩化
リン等を用いることができるがオキシ塩化リンが特に好
ましい。
（Ｉ）におけると同じ意味を表し、Ｘ 1、Ｘ2、Ｘ3及び
Ｘ4はそれぞれ独立的に水素原子又は炭素原子数１から
５のアルキル基を表す。）で表されるオキサゾリン誘導
体を脱水剤と反応させることにより一般式（Ｉ）の化合
物を得ることができる。脱水剤としては塩化チオニル、
塩化スルフリル、三塩化リン、五塩化リン、オキシ塩化
リン等を用いることができるがオキシ塩化リンが特に好
ましい。
【００９０】本発明は、一般式（Ｉ）で表される化合物
の製造方法の第３としてこのように対応するオキサゾリ
ン誘導体を直接シアノ化することを特徴とする方法を提
供するものであり、本方法は一般式（Ｉ）に於いてＸが
フッ素原子あるいは水素原子を表すいずれの場合にも適
している。
の製造方法の第３としてこのように対応するオキサゾリ
ン誘導体を直接シアノ化することを特徴とする方法を提
供するものであり、本方法は一般式（Ｉ）に於いてＸが
フッ素原子あるいは水素原子を表すいずれの場合にも適
している。
【００９１】ここで、一般式（ＩＩＩ）のフルオロベン
ゼン誘導体は製法Ａに於いて、グリニャール反応剤（Ｘ
ＩＩａ）
ゼン誘導体は製法Ａに於いて、グリニャール反応剤（Ｘ
ＩＩａ）
【００９２】
【化３８】
【００９３】（式中、Ｘ、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3及びＸ4は一般
式（Ｖ）の於けると同じ意味を表す。）で表されるグリ
ニャール反応剤を用いることにより同様にして得ること
ができる。
式（Ｖ）の於けると同じ意味を表す。）で表されるグリ
ニャール反応剤を用いることにより同様にして得ること
ができる。
【００９４】斯くして製造される、本発明の代表的な化
合物（Ｉ）の具体例をその相転移温度とともに第１表に
まとめて示す。
合物（Ｉ）の具体例をその相転移温度とともに第１表に
まとめて示す。
【００９５】
【表１】
【００９６】（表中、Ｃは結晶相を、Ｎはネマチック相
を、Ｉは等方性液体相を、（ ）内はその相がモノトロ
ピックであることをそれぞれ表す。）
を、Ｉは等方性液体相を、（ ）内はその相がモノトロ
ピックであることをそれぞれ表す。）
【００９７】一般式（Ｉ）の化合物を液晶組成物中に添
加することにより得られる優れた効果は以下の通りであ
る。
加することにより得られる優れた効果は以下の通りであ
る。
【００９８】第１表中に示された式（Ｉ−１）
【００９９】
【化３９】
【０１００】の化合物２０重量％及び現在汎用されてい
るホスト液晶組成物（Ｈ）
るホスト液晶組成物（Ｈ）
【０１０１】
【化４０】
【０１０２】８０重量％からなる液晶組成物（Ｈ−１）
を調製した。
を調製した。
【０１０３】ここでホスト液晶（Ｈ）の物性値ならびに
それを用いて作製した液晶素子の電気光学的特性値は以
下の通りである。
それを用いて作製した液晶素子の電気光学的特性値は以
下の通りである。
【０１０４】 ネマチック相温度範囲 ＜−４０〜５５℃ 誘電率異方性（Δε）： ６．７ 閾値電圧（Ｖｔｈ） ： １．６０Ｖ
【０１０５】ここで、閾値電圧（Ｖｔｈ）は厚さ８μｍ
のＴＮセルに封入して２０℃で測定した値である。
のＴＮセルに封入して２０℃で測定した値である。
【０１０６】これに対して、本発明の（Ｈ−１）の物性
値ならびにそれを用いて作成した液晶素子の電気光学的
特性値は以下の通りとなった。
値ならびにそれを用いて作成した液晶素子の電気光学的
特性値は以下の通りとなった。
【０１０７】 ネマチック相温度範囲 −７０〜５９℃ 誘電率異方性（Δε）： ８．２ 閾値電圧（Ｖｔｈ） ： １．２２Ｖ
【０１０８】従って、本発明に関わる式（Ｉ−１）の化
合物を添加することにより、ネマチック相上限温度（Ｔ
N-I）を４°上昇させることができたうえに、低温域は
−７０℃までと大きく拡大している。また、式（Ｉ−
１）化合物の添加により誘電率異方性を増大させ、閾値
電圧を０．３８Ｖも大きく低減させていることがわか
る。
合物を添加することにより、ネマチック相上限温度（Ｔ
N-I）を４°上昇させることができたうえに、低温域は
−７０℃までと大きく拡大している。また、式（Ｉ−
１）化合物の添加により誘電率異方性を増大させ、閾値
電圧を０．３８Ｖも大きく低減させていることがわか
る。
【０１０９】次に、第１表中に示された式（Ｉ−２）
【０１１０】
【化４１】
【０１１１】の化合物５重量％及びホスト液晶組成物
（Ｈ）９５重量％からなる液晶組成物（Ｈ−２）を調製
した。この組成物の物性値ならびにそれを用いて作成し
た液晶素子の電気光学的特性値は以下の通りとなった。
（Ｈ）９５重量％からなる液晶組成物（Ｈ−２）を調製
した。この組成物の物性値ならびにそれを用いて作成し
た液晶素子の電気光学的特性値は以下の通りとなった。
【０１１２】 ネマチック相温度範囲 −７０〜５４℃ 誘電率異方性（Δε）： ７．７ 閾値電圧（Ｖｔｈ） ： １．２２Ｖ
【０１１３】従って、本発明に関わる式（Ｉ−２）の化
合物を添加することにより、ネマチック相上限温度（Ｔ
N-I）については１℃低下させてしまうものの、低温域
は−７０℃まで大きく拡大している。また、式（Ｉ−
２）の化合物を５％といった少量の添加にもかかわら
ず、誘電率異方性を増大させ、閾値電圧を０．３８Ｖも
大きく低減させていることがわかる。
合物を添加することにより、ネマチック相上限温度（Ｔ
N-I）については１℃低下させてしまうものの、低温域
は−７０℃まで大きく拡大している。また、式（Ｉ−
２）の化合物を５％といった少量の添加にもかかわら
ず、誘電率異方性を増大させ、閾値電圧を０．３８Ｖも
大きく低減させていることがわかる。
【０１１４】これに対して前述のビフェニル誘導体（Ａ
−１）
−１）
【０１１５】
【化４２】
【０１１６】の化合物２０重量％及びホスト液晶（Ｈ）
８０重量％からなる組成物（ＨＲ−１）を調製したとこ
ろ、ネマチック相上限温度（ＴN-I）は４９℃と降下し
てしまい、閾値電圧は、１．４７Ｖまでしか低減させる
ことができなかった。
８０重量％からなる組成物（ＨＲ−１）を調製したとこ
ろ、ネマチック相上限温度（ＴN-I）は４９℃と降下し
てしまい、閾値電圧は、１．４７Ｖまでしか低減させる
ことができなかった。
【０１１７】次に、前述のターフェニル誘導体（Ｂ−
１）
１）
【０１１８】
【化４３】
【０１１９】の化合物２０重量％及びホスト液晶（Ｈ）
８０重量％からなる組成物（ＨＲ−２）を調製した。こ
の組成物のネマチック相上限温度（ＴN-I）は８７℃と
大きく上昇させているが、同時にその融点（ＴC-N）も
２３℃と大きく上昇させている。また、閾値電圧は、
１．８６Ｖとなり、むしろ悪化させていることがわか
る。
８０重量％からなる組成物（ＨＲ−２）を調製した。こ
の組成物のネマチック相上限温度（ＴN-I）は８７℃と
大きく上昇させているが、同時にその融点（ＴC-N）も
２３℃と大きく上昇させている。また、閾値電圧は、
１．８６Ｖとなり、むしろ悪化させていることがわか
る。
【０１２０】さらに、前述のフェニルナフタレン誘導体
（Ｃ−１）
（Ｃ−１）
【０１２１】
【化４４】
【０１２２】の化合物２０重量％及びホスト液晶（Ｈ）
８０重量％からなる組成物（ＨＲ−３）を調製した。こ
の組成物のネマチック相上限温度（ＴN-I）は７０℃と
上昇させているが、閾値電圧は、１．７８Ｖとなり、む
しろ悪化させている。
８０重量％からなる組成物（ＨＲ−３）を調製した。こ
の組成物のネマチック相上限温度（ＴN-I）は７０℃と
上昇させているが、閾値電圧は、１．７８Ｖとなり、む
しろ悪化させている。
【０１２３】以上のように、広い温度範囲と、低い閾値
電圧を兼ね備えた液晶組成物を得る上において、本発明
に関わる式（Ｉ−１）の化合物及び式（Ｉ−２）の化合
物は従来の化合物より優れた効果を有していることがわ
かる。
電圧を兼ね備えた液晶組成物を得る上において、本発明
に関わる式（Ｉ−１）の化合物及び式（Ｉ−２）の化合
物は従来の化合物より優れた効果を有していることがわ
かる。
【０１２４】従って、一般式（Ｉ）の化合物は、他のネ
マチック液晶化合物との混合物の状態で、ＴＮ型あるい
はＳＴＮ型等の電界効果型表示セル用として、特に温度
範囲が広く低電圧駆動が可能な液晶材料として好適に使
用することができる。本発明はこのように一般式（Ｉ）
で表される化合物の少なくとも１種類をその構成成分と
して含有する液晶組成物をも提供するものである。
マチック液晶化合物との混合物の状態で、ＴＮ型あるい
はＳＴＮ型等の電界効果型表示セル用として、特に温度
範囲が広く低電圧駆動が可能な液晶材料として好適に使
用することができる。本発明はこのように一般式（Ｉ）
で表される化合物の少なくとも１種類をその構成成分と
して含有する液晶組成物をも提供するものである。
【０１２５】この組成物中において、一般式（Ｉ）の化
合物と混合して使用することのできるネマチック液晶化
合物の好ましい代表例としては、例えば、４−置換安息
香酸４−置換フェニル、４−置換シクロヘキサンカルボ
ン酸４−置換フェニル、４−置換シクロヘキサンカルボ
ン酸４’−置換ビフェニリル、４−（４−置換シクロヘ
キサンカルボニルオキシ）安息香酸４−置換フェニル、
４−（４−置換シクロヘキシル）安息香酸４−置換フェ
ニル、４−（４−置換シクロヘキシル）安息香酸４−置
換シクロヘキシル、４，４’−置換ビフェニル、１−
（４−置換シクロヘキシル）−４−置換ベンゼン、４，
４’−置換ビシクロヘキサン、１−［２−（４−置換シ
クロヘキシル）エチル］−４−置換ベンゼン、１−（４
−置換シクロヘキシル）−２−（４−置換シクロヘキシ
ル）エタン、４，４”−置換ターフェニル、４−（４−
置換シクロヘキシル）−４’−置換ビフェニル、４−
［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４’−置
換ビフェニル、４−（４−置換フェニル）−４’−置換
ビシクロヘキサン、４−［２−（４−置換シクロヘキシ
ル）エチル］−４’−置換ビフェニル、４−［２−（４
−置換シクロヘキシル）エチル］シクロヘキシル−４’
−置換ベンゼン、４−［２−（４−置換フェニル）エチ
ル］−４’−置換ビシクロヘキサン、１−（４−置換フ
ェニルエチニル）−４−置換ベンゼン、１−（４−置換
フェニルエチニル）−４−（４−置換シクロヘキシル）
ベンゼン、２−（４−置換フェニル）−５−置換ピリミ
ジン、２−（４’−置換ビフェニリル）−５−置換ピリ
ミジン及び上記各化合物においてベンゼン環が側方置換
基を有する化合物等を挙げることができる。
合物と混合して使用することのできるネマチック液晶化
合物の好ましい代表例としては、例えば、４−置換安息
香酸４−置換フェニル、４−置換シクロヘキサンカルボ
ン酸４−置換フェニル、４−置換シクロヘキサンカルボ
ン酸４’−置換ビフェニリル、４−（４−置換シクロヘ
キサンカルボニルオキシ）安息香酸４−置換フェニル、
４−（４−置換シクロヘキシル）安息香酸４−置換フェ
ニル、４−（４−置換シクロヘキシル）安息香酸４−置
換シクロヘキシル、４，４’−置換ビフェニル、１−
（４−置換シクロヘキシル）−４−置換ベンゼン、４，
４’−置換ビシクロヘキサン、１−［２−（４−置換シ
クロヘキシル）エチル］−４−置換ベンゼン、１−（４
−置換シクロヘキシル）−２−（４−置換シクロヘキシ
ル）エタン、４，４”−置換ターフェニル、４−（４−
置換シクロヘキシル）−４’−置換ビフェニル、４−
［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４’−置
換ビフェニル、４−（４−置換フェニル）−４’−置換
ビシクロヘキサン、４−［２−（４−置換シクロヘキシ
ル）エチル］−４’−置換ビフェニル、４−［２−（４
−置換シクロヘキシル）エチル］シクロヘキシル−４’
−置換ベンゼン、４−［２−（４−置換フェニル）エチ
ル］−４’−置換ビシクロヘキサン、１−（４−置換フ
ェニルエチニル）−４−置換ベンゼン、１−（４−置換
フェニルエチニル）−４−（４−置換シクロヘキシル）
ベンゼン、２−（４−置換フェニル）−５−置換ピリミ
ジン、２−（４’−置換ビフェニリル）−５−置換ピリ
ミジン及び上記各化合物においてベンゼン環が側方置換
基を有する化合物等を挙げることができる。
【０１２６】
【実施例】以下に本発明の実施例を示し、本発明を更に
説明する。しかし、本発明はこれらの実施例に限定され
るものではない。
説明する。しかし、本発明はこれらの実施例に限定され
るものではない。
【０１２７】化合物の構造は、核磁気共鳴スペクトル
（ＮＭＲ）、質量スペクトル（ＭＳ）及び赤外吸収スペ
クトル（ＩＲ）により確認した。組成物の「％」は「重
量％」を表す。
（ＮＭＲ）、質量スペクトル（ＭＳ）及び赤外吸収スペ
クトル（ＩＲ）により確認した。組成物の「％」は「重
量％」を表す。
【０１２８】（実施例１） ２−（３−フルオロ−４−
シアノフェニル）−６−プロピルナフタレン（第１表中
の式（Ｉ−１）の化合物）合成 （１−ａ） ２−プロピル−６−メトキシナフタレンの
合成
シアノフェニル）−６−プロピルナフタレン（第１表中
の式（Ｉ−１）の化合物）合成 （１−ａ） ２−プロピル−６−メトキシナフタレンの
合成
【０１２９】
【化４５】
【０１３０】マグネシウム１５．０ｇをテトラヒドロフ
ラン３０ｍｌに懸濁し、１−ブロモプロパン６８ｇのテ
トラヒドロフラン３４０ｍｌ溶液をテトラヒドロフラン
が穏やかに還流する速さで滴下した。さらに１時間撹拌
後、過剰のマグネシウムを濾別し、６−ブロモ−２−メ
トキシナフタレン１００ｇ及びビス（ジフェニルホスフ
ィノエタン）ジクロロニッケル(II)０．６ｇのテトラヒ
ドロフラン４００ｍｌ溶液に室温で滴下した。さらに１
時間撹拌後、水２００ｍｌを加えた。トルエン８００ｍ
ｌで抽出し、水、飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリ
ウムで乾燥した。溶媒を溜去し、２−プロピル−６−メ
トキシナフタレン８４．０ｇを得た。
ラン３０ｍｌに懸濁し、１−ブロモプロパン６８ｇのテ
トラヒドロフラン３４０ｍｌ溶液をテトラヒドロフラン
が穏やかに還流する速さで滴下した。さらに１時間撹拌
後、過剰のマグネシウムを濾別し、６−ブロモ−２−メ
トキシナフタレン１００ｇ及びビス（ジフェニルホスフ
ィノエタン）ジクロロニッケル(II)０．６ｇのテトラヒ
ドロフラン４００ｍｌ溶液に室温で滴下した。さらに１
時間撹拌後、水２００ｍｌを加えた。トルエン８００ｍ
ｌで抽出し、水、飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリ
ウムで乾燥した。溶媒を溜去し、２−プロピル−６−メ
トキシナフタレン８４．０ｇを得た。
【０１３１】（１−ｂ） ６−プロピル−２−ナフトー
ルの合成
ルの合成
【０１３２】
【化４６】
【０１３３】２−プロピル−６−メトキシナフタレン８
４．０ｇに酢酸２６０ｍｌ及び４８％臭化水素酸２６０
ｍｌを加え１２時間加熱還流させた。室温まで放冷し、
水５００ｍｌを加え、析出した結晶を濾過した。得られ
た結晶を水で良く洗滌し、減圧下で乾燥し、６−プロピ
ル−２−ナフトール７２．０ｇを得た。
４．０ｇに酢酸２６０ｍｌ及び４８％臭化水素酸２６０
ｍｌを加え１２時間加熱還流させた。室温まで放冷し、
水５００ｍｌを加え、析出した結晶を濾過した。得られ
た結晶を水で良く洗滌し、減圧下で乾燥し、６−プロピ
ル−２−ナフトール７２．０ｇを得た。
【０１３４】（１−ｃ） トリフルオロメタンスルホン
酸６−プロピルナフタレン−２−イルの合成
酸６−プロピルナフタレン−２−イルの合成
【０１３５】
【化４７】
【０１３６】６−プロピル−２−ナフトール２０．０ｇ
にジクロロメタン１００ｍｌとトリフルオロメタンスル
ホン酸無水物３６．４ｇを加え、５℃に冷却した。２０
℃を越えない速さでピリジン１２．７ｇのジクロロメタ
ン５０ｍｌ溶液を滴下した。滴下後、撹拌しながら室温
に戻し、水１５０ｍｌを加えた。有機層を水、飽和食塩
水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を溜
去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶媒：ジ
クロロメタン）で精製し、トリフルオロメタンスルホン
酸６−プロピルナフタレン−２−イル３３．９ｇを得
た。
にジクロロメタン１００ｍｌとトリフルオロメタンスル
ホン酸無水物３６．４ｇを加え、５℃に冷却した。２０
℃を越えない速さでピリジン１２．７ｇのジクロロメタ
ン５０ｍｌ溶液を滴下した。滴下後、撹拌しながら室温
に戻し、水１５０ｍｌを加えた。有機層を水、飽和食塩
水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を溜
去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶媒：ジ
クロロメタン）で精製し、トリフルオロメタンスルホン
酸６−プロピルナフタレン−２−イル３３．９ｇを得
た。
【０１３７】（１−ｅ） ２−（３−フルオロ−４−メ
トキシフェニル）−６−プロピルナフタレンの合成
トキシフェニル）−６−プロピルナフタレンの合成
【０１３８】
【化４８】
【０１３９】マグネシウム３．２ｇをテトラヒドロフラ
ン５ｍｌに懸濁し、２−フルオロ−４−ブロモアニソー
ル２４．０ｇのテトラヒドロフラン１００ｍｌ溶液をテ
トラヒドロフランが穏やかに還流する速さで滴下した。
室温で１時間撹拌後、過剰のマグネシウムを濾別し、ト
リフルオロメタンスルホン酸６−プロピルナフタレン−
２−イル３０．０ｇとテトラキス（トリフェニルホスフ
ィン）パラジウム(0)２．２ｇのテトラヒドロフラン１
２０ｍｌ溶液に室温で滴下した。室温で１時間撹拌後、
水２００ｍｌを加えた。トルエン２００ｍｌで抽出し、
水、飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し
た。溶媒を溜去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー（トルエン）で精製し、２−（３−フルオロ−４−メ
トキシフェニル）−６−プロピルナフタレン２７．０ｇ
を得た。
ン５ｍｌに懸濁し、２−フルオロ−４−ブロモアニソー
ル２４．０ｇのテトラヒドロフラン１００ｍｌ溶液をテ
トラヒドロフランが穏やかに還流する速さで滴下した。
室温で１時間撹拌後、過剰のマグネシウムを濾別し、ト
リフルオロメタンスルホン酸６−プロピルナフタレン−
２−イル３０．０ｇとテトラキス（トリフェニルホスフ
ィン）パラジウム(0)２．２ｇのテトラヒドロフラン１
２０ｍｌ溶液に室温で滴下した。室温で１時間撹拌後、
水２００ｍｌを加えた。トルエン２００ｍｌで抽出し、
水、飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し
た。溶媒を溜去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー（トルエン）で精製し、２−（３−フルオロ−４−メ
トキシフェニル）−６−プロピルナフタレン２７．０ｇ
を得た。
【０１４０】（１−ｆ） ２−フルオロ−４−（６−プ
ロピルナフタレン−２−イル）フェノールの合成
ロピルナフタレン−２−イル）フェノールの合成
【０１４１】
【化４９】
【０１４２】２−（３−フルオロ−４−メトキシフェニ
ル）−６−プロピルナフタレン２５．０ｇに酢酸２５０
ｍｌ及び４８％臭化水素酸２５０ｍｌを加え３６時間加
熱還流させた。室温まで放冷し、水５００ｍｌを加え、
析出した結晶を濾過した。得られた結晶を水で良く洗滌
し、減圧下で乾燥し、２−（３−フルオロ−４−ヒドロ
キシフェニル）−６−プロピルナフタレン２１．２ｇを
得た。
ル）−６−プロピルナフタレン２５．０ｇに酢酸２５０
ｍｌ及び４８％臭化水素酸２５０ｍｌを加え３６時間加
熱還流させた。室温まで放冷し、水５００ｍｌを加え、
析出した結晶を濾過した。得られた結晶を水で良く洗滌
し、減圧下で乾燥し、２−（３−フルオロ−４−ヒドロ
キシフェニル）−６−プロピルナフタレン２１．２ｇを
得た。
【０１４３】（１−ｇ） トリフルオロメタンスルホン
酸２−フルオロ−４−（６−プロピルナフタレン−２−
イル）フェニルの合成
酸２−フルオロ−４−（６−プロピルナフタレン−２−
イル）フェニルの合成
【０１４４】
【化５０】
【０１４５】２−（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェ
ニル）−６−プロピルナフタレン２１．０ｇにジクロロ
メタン２００ｍｌとトリフルオロメタンスルホン酸無水
物２５．４ｇを加え、５℃に冷却した。２０℃を越えな
い速さでピリジン８．９ｇのジクロロメタン４０ｍｌ溶
液を滴下した。滴下後、撹拌しながら室温に戻し、水１
００ｍｌを加えた。有機層を水、飽和食塩水で洗滌し、
無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を溜去し、シリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー（溶媒：ジクロロメタ
ン）で精製し、トリフルオロメタンスルホン酸２−フル
オロ−４−（６−プロピルナフタレン−２−イル）フェ
ニル３１．０ｇを得た。
ニル）−６−プロピルナフタレン２１．０ｇにジクロロ
メタン２００ｍｌとトリフルオロメタンスルホン酸無水
物２５．４ｇを加え、５℃に冷却した。２０℃を越えな
い速さでピリジン８．９ｇのジクロロメタン４０ｍｌ溶
液を滴下した。滴下後、撹拌しながら室温に戻し、水１
００ｍｌを加えた。有機層を水、飽和食塩水で洗滌し、
無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を溜去し、シリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー（溶媒：ジクロロメタ
ン）で精製し、トリフルオロメタンスルホン酸２−フル
オロ−４−（６−プロピルナフタレン−２−イル）フェ
ニル３１．０ｇを得た。
【０１４６】（１−ｇ） ２−（３−フルオロ−４−シ
アノフェニル）−６−プロピルナフタレン（第１表中の
式（Ｉ−１）の化合物）の合成
アノフェニル）−６−プロピルナフタレン（第１表中の
式（Ｉ−１）の化合物）の合成
【０１４７】
【化５１】
【０１４８】トリフルオロメタンスルホン酸２−フルオ
ロ−４−（６−プロピルナフタレン−２−イル）フェニ
ル２０．０ｇをテトラヒドロフラン８０ｍｌに溶解し、
シアン化カリウム４．０ｇ及びテトラキス（トリフェニ
ルホスフィン）パラジウム(0)３．３ｇを加え３６時間
加熱還流させた。室温まで放冷し、水５０ｍｌを加え、
酢酸エチル１００ｍｌで抽出した。有機層を水、飽和食
塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を
溜去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶媒：
トルエン）で精製し、２−（３−フルオロ−４−シアノ
フェニル）−６−プロピルナフタレン１３．２ｇを得
た。さらにエタノールから再結晶し、精製物８．０ｇを
得た。相転移温度は第１表にまとめて示した。
ロ−４−（６−プロピルナフタレン−２−イル）フェニ
ル２０．０ｇをテトラヒドロフラン８０ｍｌに溶解し、
シアン化カリウム４．０ｇ及びテトラキス（トリフェニ
ルホスフィン）パラジウム(0)３．３ｇを加え３６時間
加熱還流させた。室温まで放冷し、水５０ｍｌを加え、
酢酸エチル１００ｍｌで抽出した。有機層を水、飽和食
塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を
溜去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶媒：
トルエン）で精製し、２−（３−フルオロ−４−シアノ
フェニル）−６−プロピルナフタレン１３．２ｇを得
た。さらにエタノールから再結晶し、精製物８．０ｇを
得た。相転移温度は第１表にまとめて示した。
【０１４９】同様にして以下の化合物を得る。
【０１５０】２−（３−フルオロ−４−シアノフェニ
ル）−６−エチルナフタレン ２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−６−ブチ
ルナフタレン ２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−６−ペン
チルナフタレン ２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−６−（３
−ブテニル）ナフタレン
ル）−６−エチルナフタレン ２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−６−ブチ
ルナフタレン ２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−６−ペン
チルナフタレン ２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−６−（３
−ブテニル）ナフタレン
【０１５１】（実施例２） ２−（３，５−ジフルオロ
−４−シアノフェニル）−６−プロピルナフタレン（第
１表中の式（Ｉ−２）の化合物）の合成
−４−シアノフェニル）−６−プロピルナフタレン（第
１表中の式（Ｉ−２）の化合物）の合成
【０１５２】（２−ａ） ２−（３，５−ジフルオロフ
ェニル）−６−プロピルナフタレンの合成
ェニル）−６−プロピルナフタレンの合成
【０１５３】
【化５２】
【０１５４】マグネシウム３．２ｇをテトラヒドロフラ
ン５ｍｌに懸濁し、３，５−ジフルオロ−１−ブロモベ
ンゼン２３．０ｇのテトラヒドロフラン１００ｍｌ溶液
をテトラヒドロフランが穏やかに還流する速さで滴下し
た。室温で１時間撹拌後、過剰のマグネシウムを濾別
し、トリフルオロメタンスルホン酸６−プロピルナフタ
レン−２−イル２９．０ｇとテトラキス（トリフェニル
ホスフィン）パラジウム(0)１．１ｇのテトラヒドロフ
ラン１２０ｍｌ溶液に室温で滴下した。室温で１時間撹
拌後、水２００ｍｌを加えた。トルエン２００ｍｌで抽
出し、水、飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで
乾燥した。溶媒を溜去し、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー（ヘキサン）で精製し、２−（３，５−ジフル
オロフェニル）−６−プロピルナフタレン２４．６ｇを
得た。
ン５ｍｌに懸濁し、３，５−ジフルオロ−１−ブロモベ
ンゼン２３．０ｇのテトラヒドロフラン１００ｍｌ溶液
をテトラヒドロフランが穏やかに還流する速さで滴下し
た。室温で１時間撹拌後、過剰のマグネシウムを濾別
し、トリフルオロメタンスルホン酸６−プロピルナフタ
レン−２−イル２９．０ｇとテトラキス（トリフェニル
ホスフィン）パラジウム(0)１．１ｇのテトラヒドロフ
ラン１２０ｍｌ溶液に室温で滴下した。室温で１時間撹
拌後、水２００ｍｌを加えた。トルエン２００ｍｌで抽
出し、水、飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで
乾燥した。溶媒を溜去し、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー（ヘキサン）で精製し、２−（３，５−ジフル
オロフェニル）−６−プロピルナフタレン２４．６ｇを
得た。
【０１５５】（２−ｂ） ２，６−ジフルオロ−４−
（６−プロピルナフタレン−２−イル）安息香酸の合成
（６−プロピルナフタレン−２−イル）安息香酸の合成
【０１５６】
【化５３】
【０１５７】２−（３，５−ジフルオロフェニル）−６
−プロピルナフタレン２４．６ｇをテトラヒドロフラン
１００ｍｌに溶解し、−７０℃に冷却した。ｎ−ブチル
リチウム、ｎ−ヘキサン溶液（１．５３ｍｏｌ／ｌ）７
０ｍｌを液温が−６０℃以下を保つ速度で滴下した。さ
らに３０分撹拌後、二酸化炭素を液温が−６０℃以下を
保つ速度で系内に導入した。発熱が収まった後、室温に
戻し、１０％塩酸５０ｍｌを加え、酢酸エチル２５０ｍ
ｌで抽出した。有機層を水、飽和食塩水で洗滌し、無水
硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を溜去し、２，６−ジ
フルオロ−４−（６−プロピルナフタレン−２−イル）
安息香酸２９．０ｇを得た。
−プロピルナフタレン２４．６ｇをテトラヒドロフラン
１００ｍｌに溶解し、−７０℃に冷却した。ｎ−ブチル
リチウム、ｎ−ヘキサン溶液（１．５３ｍｏｌ／ｌ）７
０ｍｌを液温が−６０℃以下を保つ速度で滴下した。さ
らに３０分撹拌後、二酸化炭素を液温が−６０℃以下を
保つ速度で系内に導入した。発熱が収まった後、室温に
戻し、１０％塩酸５０ｍｌを加え、酢酸エチル２５０ｍ
ｌで抽出した。有機層を水、飽和食塩水で洗滌し、無水
硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を溜去し、２，６−ジ
フルオロ−４−（６−プロピルナフタレン−２−イル）
安息香酸２９．０ｇを得た。
【０１５８】（２−ｃ） ２−（３，５−ジフルオロ−
４−シアノフェニル）−６−プロピルナフタレン（第１
表中の式（Ｉ−２）の化合物）の合成
４−シアノフェニル）−６−プロピルナフタレン（第１
表中の式（Ｉ−２）の化合物）の合成
【０１５９】
【化５４】
【０１６０】２，６−ジフルオロ−４−（６−プロピル
ナフタレン−２−イル）安息香酸２９．０ｇに１，２−
ジクロロエタン１２０ｍｌ、塩化チオニル１６．０ｇ及
びピリジン数滴を加え６時間加熱還流させた。室温まで
放冷し、減圧下、溶媒及び過剰の塩化チオニルを溜去
し、ジクロロメタン１５０ｍｌを加え１０℃以下に冷却
した。撹拌下、液温を２０℃以下に保つ速度で、アンモ
ニアを液中に導入した。発熱が収まった後、減圧下に溶
媒を溜去し、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１５０ｍｌ
を加え１０℃以下に冷却した。液温が１０℃以下を保つ
速度でオキシ塩化リン２７．０ｇを滴下した。室温に戻
し、溶液を砕いた氷に注ぎ、析出した結晶を濾過した。
得られた結晶を水でよく洗滌し、減圧下で乾燥した。シ
リカゲルカラムクロマトグラフィー（溶媒：トルエン）
で精製し、２−（３，５−ジフルオロ−４−シアノフェ
ニル）−６−プロピルナフタレン２１．３ｇを得た。さ
らにエタノールから再結晶し、精製物１３．７ｇを得
た。相転移温度は第１表にまとめて示した。
ナフタレン−２−イル）安息香酸２９．０ｇに１，２−
ジクロロエタン１２０ｍｌ、塩化チオニル１６．０ｇ及
びピリジン数滴を加え６時間加熱還流させた。室温まで
放冷し、減圧下、溶媒及び過剰の塩化チオニルを溜去
し、ジクロロメタン１５０ｍｌを加え１０℃以下に冷却
した。撹拌下、液温を２０℃以下に保つ速度で、アンモ
ニアを液中に導入した。発熱が収まった後、減圧下に溶
媒を溜去し、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１５０ｍｌ
を加え１０℃以下に冷却した。液温が１０℃以下を保つ
速度でオキシ塩化リン２７．０ｇを滴下した。室温に戻
し、溶液を砕いた氷に注ぎ、析出した結晶を濾過した。
得られた結晶を水でよく洗滌し、減圧下で乾燥した。シ
リカゲルカラムクロマトグラフィー（溶媒：トルエン）
で精製し、２−（３，５−ジフルオロ−４−シアノフェ
ニル）−６−プロピルナフタレン２１．３ｇを得た。さ
らにエタノールから再結晶し、精製物１３．７ｇを得
た。相転移温度は第１表にまとめて示した。
【０１６１】同様にして以下の化合物を得る。
【０１６２】２−（３，５−ジフルオロ−４−シアノフ
ェニル）−６−エチルナフタレン ２−（３，５−ジフルオロ−４−シアノフェニル）−６
−ブチルナフタレン ２−（３，５−ジフルオロ−４−シアノフェニル）−６
−ペンチルナフタレン ２−（３，５−ジフルオロ−４−シアノフェニル）−６
−（３−ブテニル）ナフタレン
ェニル）−６−エチルナフタレン ２−（３，５−ジフルオロ−４−シアノフェニル）−６
−ブチルナフタレン ２−（３，５−ジフルオロ−４−シアノフェニル）−６
−ペンチルナフタレン ２−（３，５−ジフルオロ−４−シアノフェニル）−６
−（３−ブテニル）ナフタレン
【０１６３】（実施例３）液晶組成物の調製（１） 現在汎用されているホスト液晶（Ｈ）
【０１６４】
【化５５】
【０１６５】を調製した。この組成物の物性値ならび
に、これを用いて作製したＴＮセル（セル厚８μｍ）の
閾値電圧（Ｖｔｈ）の２０℃における測定値は以下の通
りであった。
に、これを用いて作製したＴＮセル（セル厚８μｍ）の
閾値電圧（Ｖｔｈ）の２０℃における測定値は以下の通
りであった。
【０１６６】 ネマチック相温度範囲 ＜−４０〜５５℃ 誘電率異方性（Δε）： ６．７ 閾値電圧（Ｖｔｈ）： １．６０Ｖ
【０１６７】次に、このホスト液晶（Ｈ）の８０％及び
実施例１で得た本発明の化合物である式（Ｉ−１）
実施例１で得た本発明の化合物である式（Ｉ−１）
【０１６８】
【化５６】
【０１６９】の化合物２０％からなる液晶組成物（Ｈ−
１）を調製し、同様に測定したところ以下の通りであっ
た。
１）を調製し、同様に測定したところ以下の通りであっ
た。
【０１７０】 ネマチック相温度範囲 −７０〜５９℃ 誘電率異方性（Δε）： ８．２ 閾値電圧（Ｖｔｈ）： １．２２Ｖ 以上から、マチック相上限温度は５９℃に上昇し、融点
は−７０℃まで低下した。さらに、誘電率異方性を増大
させ、閾値電圧を大きく低減させていることがわかる。
は−７０℃まで低下した。さらに、誘電率異方性を増大
させ、閾値電圧を大きく低減させていることがわかる。
【０１７１】（実施例４） 液晶組成物の調製（２） ホスト液晶（Ｈ）の９５％及び実施例２で得た本発明の
化合物である式（Ｉ−２）
化合物である式（Ｉ−２）
【０１７２】
【化５７】
【０１７３】の化合物５％からなる液晶組成物（Ｈ−
２）を調製し、同様に測定したところ以下の通りであっ
た。
２）を調製し、同様に測定したところ以下の通りであっ
た。
【０１７４】 ネマチック相温度範囲 −７０〜５４℃ 誘電率異方性（Δε）： ７．７ 閾値電圧（Ｖｔｈ）： １．２２Ｖ
【０１７５】以上から、ネマチック相上限温度は殆ど変
わらないが、融点が大きく低下していることがわかる。
また。５％といった少ない添加量にもかかわらず、誘電
率異方性を増大させ、閾値電圧を大きく低減させている
ことがわかる。
わらないが、融点が大きく低下していることがわかる。
また。５％といった少ない添加量にもかかわらず、誘電
率異方性を増大させ、閾値電圧を大きく低減させている
ことがわかる。
【０１７６】（比較例１）ホスト液晶（Ｈ）８０％及び
ビフェニル誘導体である式（Ａ−１）
ビフェニル誘導体である式（Ａ−１）
【０１７７】
【化５８】
【０１７８】の化合物２０％からなる液晶組成物（ＨＲ
−１）を調製し、同様に測定したところ以下の通りであ
った。
−１）を調製し、同様に測定したところ以下の通りであ
った。
【０１７９】 ネマチック相温度範囲 −７０〜４９℃ 誘電率異方性（Δε）： ７．３ 閾値電圧（Ｖｔｈ）： １．４７Ｖ
【０１８０】以上から、ネマチック相上限温度が大きく
低下してしまった。また、誘電率異方性を増大させてい
るにもかかわらず、閾値電圧は、あまり低下していない
ことがわかる。
低下してしまった。また、誘電率異方性を増大させてい
るにもかかわらず、閾値電圧は、あまり低下していない
ことがわかる。
【０１８１】（比較例２）ホスト液晶（Ｈ）の８０％及
びターフェニル誘導体である式（Ｂ−１）
びターフェニル誘導体である式（Ｂ−１）
【０１８２】
【化５９】
【０１８３】の化合物２０％からなる液晶組成物（ＨＲ
−２）を調製し、同様に測定したところ以下の通りであ
った。
−２）を調製し、同様に測定したところ以下の通りであ
った。
【０１８４】 ネマチック相温度範囲 ２３〜８７℃ 誘電率異方性（Δε）： ８．９ 閾値電圧（Ｖｔｈ）： １．８６Ｖ
【０１８５】以上から、ネマチック相上限温度を大きく
上昇させているが、同時に融点も大きく上昇させてしま
っている。また、誘電率異方性を増大させてはいるにも
かかわらず、閾値電圧については、逆に上昇させてしま
っていることがわかる。
上昇させているが、同時に融点も大きく上昇させてしま
っている。また、誘電率異方性を増大させてはいるにも
かかわらず、閾値電圧については、逆に上昇させてしま
っていることがわかる。
【０１８６】（比較例３）ホスト液晶（Ｈ）の８０％及
びフェニルナフタレン誘導体である式（Ｃ−１）
びフェニルナフタレン誘導体である式（Ｃ−１）
【０１８７】
【化６０】
【０１８８】の化合物２０％からなる液晶組成物（ＨＲ
−３）を調製し、同様に測定したところ以下の通りであ
った。
−３）を調製し、同様に測定したところ以下の通りであ
った。
【０１８９】 ネマチック相温度範囲 −７０〜７０℃ 誘電率異方性（Δε）： ７．８ 閾値電圧（Ｖｔｈ）： １．７８Ｖ
【０１９０】以上から、ネマチック相上限温を上昇さ
せ、融点も大きく低下していることがわかる。しかしな
がら、誘電率異方性を増大させてはいるものの、閾値電
圧の低減効果は、本発明に関わる式（Ｉ−１）の化合物
及び式（Ｉ−２）の化合物に及ばないことがわかる。
せ、融点も大きく低下していることがわかる。しかしな
がら、誘電率異方性を増大させてはいるものの、閾値電
圧の低減効果は、本発明に関わる式（Ｉ−１）の化合物
及び式（Ｉ−２）の化合物に及ばないことがわかる。
【０１９１】以上のように、広い温度範囲と、低い閾値
電圧を兼ね備えた液晶組成物を得る上において、本発明
に関わる式（Ｉ−１）の化合物及び式（Ｉ−２）の化合
物は、従来の化合物より優れた効果を有していることが
理解できる。
電圧を兼ね備えた液晶組成物を得る上において、本発明
に関わる式（Ｉ−１）の化合物及び式（Ｉ−２）の化合
物は、従来の化合物より優れた効果を有していることが
理解できる。
【０１９２】
【発明の効果】本発明により提供されるフェニルナフタ
レン誘導体は、液晶性及び現在汎用の液晶化合物あるい
は組成物との相溶性に極めて優れる。従って、これを従
来の液晶組成物に添加することにより、低温域から高温
域まで広い温度範囲を有する液晶組成物を容易に得るこ
とができる。また、誘電率異方性が大きくその添加によ
り閾値電圧の低減化をはかることが可能である。さら
に、実施例にも示したように工業的にも製造が容易であ
り、無色で化学的にも安定である。従って、これを含有
する液晶組成物は実用的液晶として、特に温度範囲が広
く低電圧駆動を必要とする液晶表示用として極めて有用
である。
レン誘導体は、液晶性及び現在汎用の液晶化合物あるい
は組成物との相溶性に極めて優れる。従って、これを従
来の液晶組成物に添加することにより、低温域から高温
域まで広い温度範囲を有する液晶組成物を容易に得るこ
とができる。また、誘電率異方性が大きくその添加によ
り閾値電圧の低減化をはかることが可能である。さら
に、実施例にも示したように工業的にも製造が容易であ
り、無色で化学的にも安定である。従って、これを含有
する液晶組成物は実用的液晶として、特に温度範囲が広
く低電圧駆動を必要とする液晶表示用として極めて有用
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｆターム(参考） 4H006 AA01 AB64 AC22 AC46 AC54 BA02 BA21 BA25 BA44 BA48 BB11 BB15 BB20 BB22 BB24 BB26 BE41 BE56 BE62 BJ50 BM71 FC52 FC54 FE74 QN16 TB03 4H027 BA01 BD01 BD02 BD04 BD05 BD09 CL01 CM04 DK04 4H039 CA70 CD30
Claims (11)
- 【請求項１】 一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒは炭素原子数１〜１２のアルキル基、又は炭
素原子数２〜１２のアルケニル基あるいはアルコキシル
アルキル基を表し、Ｌは−ＣＨ2ＣＨ2−又は単結合を表
し、ｎは０又は１を表し、環Ａはトランス−１，４−シ
クロへキシレン基、又はフッ素原子で置換されいてもよ
い１，４−フェニレン基を表し、Ｘは水素原子又はフッ
素原子を表す。）で表されるフェニルナフタレン誘導
体。 - 【請求項２】 一般式（Ｉ）において、ｎが０を表すと
ころの請求項１記載のフェニルナフタレン誘導体。 - 【請求項３】 一般式（Ｉ）において、ｎが１を表し、
Ｌが単結合を表し、環Ａがトランス−１，４−シクロへ
キシレン基を表すところの請求項１記載のフェニルナフ
タレン誘導体。 - 【請求項４】 一般式（Ｉ）において、Ｒが炭素原子数
２〜７の直鎖状アルキル基又は炭素原子数４〜７の３−
アルケニル基を表すところの請求項１、２又は３記載の
フェニルナフタレン誘導体。 - 【請求項５】 一般式（ＩＩ） 【化２】 （式中、Ｒは炭素原子数１〜１２のアルキル基、又は炭
素原子数２〜１２のアルケニル基あるいはアルコキシル
アルキル基を表し、Ｌは−ＣＨ2ＣＨ2−又は単結合を表
し、ｎは０又は１を表し、環Ａはトランス−１，４−シ
クロへキシレン基、又はフッ素原子で置換されいてもよ
い１，４−フェニレン基を表し、Ｘは水素原子又はフッ
素原子を表す。）で表されるトリフラートを遷移金属触
媒存在下に、シアン化合物と反応させることを特徴とす
る請求項１記載の一般式（Ｉ）で表されるナフタレン誘
導体の製造方法。 - 【請求項６】 一般式（ＩＩ）においてＸが水素原子を
表すところの請求項５記載の製造方法。 - 【請求項７】 一般式（ＩＩＩ） 【化３】 （式中、Ｒは炭素原子数１〜１２のアルキル基、又は炭
素原子数２〜１２のアルケニル基あるいはアルコキシル
アルキル基を表し、Ｌは−ＣＨ2ＣＨ2−又は単結合を表
し、ｎは０又は１を表し、環Ａはトランス−１，４−シ
クロへキシレン基、又はフッ素原子で置換されいてもよ
い１，４−フェニレン基を表し、Ｘは水素原子又はフッ
素原子を表す。）で表される化合物をアルキルリチウム
でリチオ化し、次いで二酸化炭素と反応させることによ
り、一般式（ＩＶ） 【化４】 （式中、Ｒは炭素原子数１〜１２のアルキル基、又は炭
素原子数２〜１２のアルケニル基あるいはアルコキシル
アルキル基を表し、Ｌは−ＣＨ2ＣＨ2−又は単結合を表
し、ｎは０又は１を表し、環Ａはトランス−１，４−シ
クロへキシレン基、又はフッ素原子で置換されいてもよ
い１，４−フェニレン基を表し、Ｘは水素原子又はフッ
素原子を表す。）で表される安息香酸誘導体を得て、こ
れをハロゲン化剤で安息香酸クロリドとし、アンモニア
と反応させアミドとし、これを脱水剤と反応させること
を特徴とする請求項１記載の一般式（Ｉ）で表されるナ
フタレン誘導体の製造方法。 - 【請求項８】 一般式（ＩＩＩ）においてＸがフッ素原
子を表すところの請求項７記載の製造方法。 - 【請求項９】 一般式（Ｖ） 【化５】 （式中、Ｒは炭素原子数１〜１２のアルキル基、又は炭
素原子数２〜１２のアルケニル基あるいはアルコキシル
アルキル基を表し、Ｌは−ＣＨ2ＣＨ2−又は単結合を表
し、ｎは０又は１を表し、環Ａはトランス−１，４−シ
クロへキシレン基、又はフッ素原子で置換されいてもよ
い１，４−フェニレン基を表し、Ｘは水素原子又はフッ
素原子を表し、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3及びＸ4はそれぞれ独立的
に水素原子又は炭素原子数１〜５のアルキル基を表
す。）で表される２−オキサゾリン誘導体を脱水剤と反
応させることを特徴とする請求項１記載の一般式（Ｉ）
で表されるナフタレン誘導体の製造方法。 - 【請求項１０】 請求項１記載の一般式（Ｉ）で表され
る化合物を含有する液晶組成物。 - 【請求項１１】 請求項１０記載の液晶組成物を構成要
素とする液晶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10303879A JP2000128849A (ja) | 1998-10-26 | 1998-10-26 | フェニルナフタレン誘導体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10303879A JP2000128849A (ja) | 1998-10-26 | 1998-10-26 | フェニルナフタレン誘導体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000128849A true JP2000128849A (ja) | 2000-05-09 |
Family
ID=17926382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10303879A Pending JP2000128849A (ja) | 1998-10-26 | 1998-10-26 | フェニルナフタレン誘導体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000128849A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000204162A (ja) * | 1998-12-09 | 2000-07-25 | Dow Corning Corp | シロキサンの重合方法 |
| WO2015199061A1 (ja) * | 2014-06-26 | 2015-12-30 | Dic株式会社 | 液晶組成物及びこれを用いた液晶表示素子 |
-
1998
- 1998-10-26 JP JP10303879A patent/JP2000128849A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000204162A (ja) * | 1998-12-09 | 2000-07-25 | Dow Corning Corp | シロキサンの重合方法 |
| WO2015199061A1 (ja) * | 2014-06-26 | 2015-12-30 | Dic株式会社 | 液晶組成物及びこれを用いた液晶表示素子 |
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