JP2000128693A - 半導体材料を保護するための装置および方法 - Google Patents
半導体材料を保護するための装置および方法Info
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- C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体材料を保護するための装置および方法
を提供する。 【解決手段】 半導体材料が、超純水と半導体粒子とか
らなる安定した氷からなる表面上に存在する。 【効果】 半導体材料の汚染が回避される。
を提供する。 【解決手段】 半導体材料が、超純水と半導体粒子とか
らなる安定した氷からなる表面上に存在する。 【効果】 半導体材料の汚染が回避される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体材料を保護
するための装置および半導体材料を保護するための方法
に関する。
するための装置および半導体材料を保護するための方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】太陽電池または電子部材、例えばメモリ
ーエレメントまたはマイクロプロセッサーを製造するた
めには、純度の高い半導体材料が必要である。従って有
害な不純物の濃度をできる限り低く維持する試みがなさ
れている。すでに高純度で製造された半導体材料が、そ
の後の目的製品への加工の過程で改めて汚染されること
がしばしば観察される。従って本来の純度を取り戻すた
めに、再度にわたる高価な清浄工程が必要である。例え
ば半導体材料の結晶格子中に組み込まれている外来金属
原子は、電荷分布を妨害し、かつその後の部材の機能を
低下させるか、またはその損傷につながる場合がある。
そのため特に金属不純物による半導体材料の汚染を回避
しなくてはならない。このことは特にエレクトロニクス
産業において群を抜いて半導体材料として最も頻繁に使
用されるシリコンに該当する。高純度のシリコンは、例
えば易揮発性の、ひいては精製するべきシリコン化合
物、例えばトリクロロシランの蒸留プロセスを経由した
熱分解により容易に得られる。最も頻繁に使用されるシ
ーメンス法によって高純度のシリコンを製造するため
に、石英製の反応器で、トリクロロシランと水素とから
なる混合物を、細いシリコン棒を介して導通し、これを
直接的な電流通過により約１１００℃に加熱する。この
場合、多結晶シリコンが、一般的な直径７０〜３００ｍ
ｍおよび長さ５００〜２５００ｍｍを有する棒の形で生
じる。多結晶シリコンは、ルツボから引き上げられた単
結晶の製造、帯状物およびシートの製造、または多結晶
太陽電池ベース材料を製造するために使用される。
ーエレメントまたはマイクロプロセッサーを製造するた
めには、純度の高い半導体材料が必要である。従って有
害な不純物の濃度をできる限り低く維持する試みがなさ
れている。すでに高純度で製造された半導体材料が、そ
の後の目的製品への加工の過程で改めて汚染されること
がしばしば観察される。従って本来の純度を取り戻すた
めに、再度にわたる高価な清浄工程が必要である。例え
ば半導体材料の結晶格子中に組み込まれている外来金属
原子は、電荷分布を妨害し、かつその後の部材の機能を
低下させるか、またはその損傷につながる場合がある。
そのため特に金属不純物による半導体材料の汚染を回避
しなくてはならない。このことは特にエレクトロニクス
産業において群を抜いて半導体材料として最も頻繁に使
用されるシリコンに該当する。高純度のシリコンは、例
えば易揮発性の、ひいては精製するべきシリコン化合
物、例えばトリクロロシランの蒸留プロセスを経由した
熱分解により容易に得られる。最も頻繁に使用されるシ
ーメンス法によって高純度のシリコンを製造するため
に、石英製の反応器で、トリクロロシランと水素とから
なる混合物を、細いシリコン棒を介して導通し、これを
直接的な電流通過により約１１００℃に加熱する。この
場合、多結晶シリコンが、一般的な直径７０〜３００ｍ
ｍおよび長さ５００〜２５００ｍｍを有する棒の形で生
じる。多結晶シリコンは、ルツボから引き上げられた単
結晶の製造、帯状物およびシートの製造、または多結晶
太陽電池ベース材料を製造するために使用される。
【０００３】これらの製品を製造するために、固体のシ
リコンをルツボ中で溶融させる必要がある。ルツボの高
い充填度を達成し、かつこのようにして溶融をできる限
り効率的に行うために、前記の多結晶シリコン棒を溶融
前に粉砕し、かつ引き続き分級しなくてはならない。こ
のことは通常、常に半導体材料の表面上の汚染と結びつ
いている。というのは粉砕を金属性の破砕工具、例えば
ジョークラッシャー、ロールクラッシャー、ハンマーま
たはノミを用いて、例えば鋼またはプラスチックの材料
からなる台の上で行うからである。その後の分級工程も
また通常、金属またはプラスチックからなるふるいを用
いて行われる。粉砕工程および分級工程中に、このよう
にしてシリコンは工具および台からの金属または炭素に
より汚染される。この汚染を排除するために、破片を溶
融する前に、高価で、かつコストのかかる表面清浄、例
えばＨＦ／ＨＮＯ3を用いたエッチングを行わなくては
ならない。
リコンをルツボ中で溶融させる必要がある。ルツボの高
い充填度を達成し、かつこのようにして溶融をできる限
り効率的に行うために、前記の多結晶シリコン棒を溶融
前に粉砕し、かつ引き続き分級しなくてはならない。こ
のことは通常、常に半導体材料の表面上の汚染と結びつ
いている。というのは粉砕を金属性の破砕工具、例えば
ジョークラッシャー、ロールクラッシャー、ハンマーま
たはノミを用いて、例えば鋼またはプラスチックの材料
からなる台の上で行うからである。その後の分級工程も
また通常、金属またはプラスチックからなるふるいを用
いて行われる。粉砕工程および分級工程中に、このよう
にしてシリコンは工具および台からの金属または炭素に
より汚染される。この汚染を排除するために、破片を溶
融する前に、高価で、かつコストのかかる表面清浄、例
えばＨＦ／ＨＮＯ3を用いたエッチングを行わなくては
ならない。
【０００４】従って、粉砕の際の汚染を回避するため
に、シリコン土台およびシリコンからなるか、またはシ
リコン被覆を有する工具もまた使用される。分級工程の
場合もまた、シリコンからなるふるいまたはシリコン被
覆したふるいが従来の技術水準である。しかしこれら
は、力をかけることにより、粉砕工程（ハンマーでの衝
撃）の間、または分級工程の際に損傷するか、または破
壊され、かつ交換しなくてはならなくなる。破砕ならび
に過篩の際の土台は、平均して約１０〜１５回の装入
（約１０〜１５ｔに相当）に耐える。引き続き、土台の
破片が販売するべき材料に達しないように、砕けた塊
（約３０％）を交換しなくてはならない。
に、シリコン土台およびシリコンからなるか、またはシ
リコン被覆を有する工具もまた使用される。分級工程の
場合もまた、シリコンからなるふるいまたはシリコン被
覆したふるいが従来の技術水準である。しかしこれら
は、力をかけることにより、粉砕工程（ハンマーでの衝
撃）の間、または分級工程の際に損傷するか、または破
壊され、かつ交換しなくてはならなくなる。破砕ならび
に過篩の際の土台は、平均して約１０〜１５回の装入
（約１０〜１５ｔに相当）に耐える。引き続き、土台の
破片が販売するべき材料に達しないように、砕けた塊
（約３０％）を交換しなくてはならない。
【０００５】さらにこれらのシリコン製の土台を廃棄処
理しなくてはならず、このことはさらなるコストの原因
となる。というのもこの材料は亀裂が入っているか、あ
るいは望ましくない破砕サイズに粉砕されてしまってお
り、従ってもはや販売することができないからである。
このような土台の製造は、シリコンの付加的な析出、成
形部材の製造の際の機械的な加工および例えばＨＦ／Ｈ
ＮＯ3を用いたエッチングによるコストのかかる清浄を
必要とする。
理しなくてはならず、このことはさらなるコストの原因
となる。というのもこの材料は亀裂が入っているか、あ
るいは望ましくない破砕サイズに粉砕されてしまってお
り、従ってもはや販売することができないからである。
このような土台の製造は、シリコンの付加的な析出、成
形部材の製造の際の機械的な加工および例えばＨＦ／Ｈ
ＮＯ3を用いたエッチングによるコストのかかる清浄を
必要とする。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の課題
は、従来技術の欠点を克服し、かつ粉砕、分級または運
搬の際の半導体材料の付加的な汚染を回避するための装
置および方法を提供することである。
は、従来技術の欠点を克服し、かつ粉砕、分級または運
搬の際の半導体材料の付加的な汚染を回避するための装
置および方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の対象は、半導体
材料を保護するための装置において、半導体材料が、超
純水と半導体粒子とからなる安定した氷からなる表面上
に存在することを特徴とする、半導体材料を保護するた
めの装置である。
材料を保護するための装置において、半導体材料が、超
純水と半導体粒子とからなる安定した氷からなる表面上
に存在することを特徴とする、半導体材料を保護するた
めの装置である。
【０００８】安定した氷層を製造する半導体材料は、有
利には本発明による装置により保護されるべきものと同
じ材料である。
利には本発明による装置により保護されるべきものと同
じ材料である。
【０００９】半導体材料の例は、シリコン、ゲルマニウ
ムまたはヒ化ガリウムであり、その際、シリコン、特に
超純粋多結晶シリコンが有利である。
ムまたはヒ化ガリウムであり、その際、シリコン、特に
超純粋多結晶シリコンが有利である。
【００１０】本発明による装置は、超純水と半導体材料
の粒子とから製造することができる安定した氷から形成
される。この安定した氷は、有利には担体、例えば鋼、
プラスチック、半導体材料、例えばシリコンまたはその
他の適切な材料からなる土台の表面上に存在している。
特に純水と半導体粒子とからなる安定した氷は、自立ブ
ロックを形成してもよい。
の粒子とから製造することができる安定した氷から形成
される。この安定した氷は、有利には担体、例えば鋼、
プラスチック、半導体材料、例えばシリコンまたはその
他の適切な材料からなる土台の表面上に存在している。
特に純水と半導体粒子とからなる安定した氷は、自立ブ
ロックを形成してもよい。
【００１１】この安定した氷は、担体、例えば鋼、プラ
スチック、半導体材料、例えば有利にはシリコンまたは
その他の適切な材料からなる土台上に析出させることに
より製造することができ、その際、担体の下側に、冷却
液、例えば有利には炭酸カリウム水溶液が流れる管が固
定されている。担体をより良好に冷却するために、該管
は有利には、熱伝導性ペースト中に存在する。エネルギ
ーの節約のために、該管の担体とは反対の側は断熱され
ている。冷凍機で有利には−１０℃以下、および特に有
利には−２５℃以下に冷却液を冷却し、かつ担体の管に
ポンプ輸送する。冷却工程の間およびその後の時間に、
土台の表面に、有利には０．０１μＳ／ｃｍよりも小さ
い導電率を有する超純水を噴霧する。噴霧の間、半導体
材料の粒子は、特にダストまたは顆粒の形で、連続的に
または完全に断続的に任意で、例えば散布により、形成
中の氷の層に添加し、その際、形成中の氷の層に添加さ
れる半導体材料の粒子は、有利には直径１０μｍ〜５μ
ｍ、特に有利には５００μｍ〜２０００μｍを有してい
る。
スチック、半導体材料、例えば有利にはシリコンまたは
その他の適切な材料からなる土台上に析出させることに
より製造することができ、その際、担体の下側に、冷却
液、例えば有利には炭酸カリウム水溶液が流れる管が固
定されている。担体をより良好に冷却するために、該管
は有利には、熱伝導性ペースト中に存在する。エネルギ
ーの節約のために、該管の担体とは反対の側は断熱され
ている。冷凍機で有利には−１０℃以下、および特に有
利には−２５℃以下に冷却液を冷却し、かつ担体の管に
ポンプ輸送する。冷却工程の間およびその後の時間に、
土台の表面に、有利には０．０１μＳ／ｃｍよりも小さ
い導電率を有する超純水を噴霧する。噴霧の間、半導体
材料の粒子は、特にダストまたは顆粒の形で、連続的に
または完全に断続的に任意で、例えば散布により、形成
中の氷の層に添加し、その際、形成中の氷の層に添加さ
れる半導体材料の粒子は、有利には直径１０μｍ〜５μ
ｍ、特に有利には５００μｍ〜２０００μｍを有してい
る。
【００１２】該層が、有利に厚さ０．５ｃｍ〜３０ｃ
ｍ、特に有利には５ｃｍ〜２０ｃｍ、殊には５ｃｍ〜１
０ｃｍに増大したら、保護するべき半導体材料を安定し
た氷の層の上に置く。この半導体材料は、例えば運搬の
ために、超純水と半導体粒子とからなる自立した氷から
なるブロックの上に置いても良いし、あるいはこの中に
凍結させても良い。
ｍ、特に有利には５ｃｍ〜２０ｃｍ、殊には５ｃｍ〜１
０ｃｍに増大したら、保護するべき半導体材料を安定し
た氷の層の上に置く。この半導体材料は、例えば運搬の
ために、超純水と半導体粒子とからなる自立した氷から
なるブロックの上に置いても良いし、あるいはこの中に
凍結させても良い。
【００１３】有利には本発明による装置の場合、氷の層
中の半導体粒子の割合は、５〜７０質量％、特に有利に
は１５〜３５質量％である。
中の半導体粒子の割合は、５〜７０質量％、特に有利に
は１５〜３５質量％である。
【００１４】有利には、超純水と半導体粒子とからなる
氷の上で汚染のない破砕方法、例えば超純粋シリコンか
らなるハンマーを用いて粉砕するために、半導体材料、
例えばシーメンス法により製造したシリコン棒を、安定
した氷の層の上に置く。互いにぶつかり合う安定化した
２つの氷の層の間での粉砕もまた考えられる。引き続き
生じた氷−シリコン−混合物をシリコンスライダーを用
いて加熱したシリコン土台上にスライドさせ、かつ放射
式加熱器を用いて乾燥させる。次いで乾燥工程後に例え
ばシリコンふるいでの通常の分級を行う。通常、氷の中
に含有されているシリコン粒子を、本発明による破砕方
法で粉砕された半導体材料から分離する。これは例えば
過篩により行うことができる。しかしシリコン粒子はま
た空気を用いて半導体製品から吹き飛ばしてもよい。
氷の上で汚染のない破砕方法、例えば超純粋シリコンか
らなるハンマーを用いて粉砕するために、半導体材料、
例えばシーメンス法により製造したシリコン棒を、安定
した氷の層の上に置く。互いにぶつかり合う安定化した
２つの氷の層の間での粉砕もまた考えられる。引き続き
生じた氷−シリコン−混合物をシリコンスライダーを用
いて加熱したシリコン土台上にスライドさせ、かつ放射
式加熱器を用いて乾燥させる。次いで乾燥工程後に例え
ばシリコンふるいでの通常の分級を行う。通常、氷の中
に含有されているシリコン粒子を、本発明による破砕方
法で粉砕された半導体材料から分離する。これは例えば
過篩により行うことができる。しかしシリコン粒子はま
た空気を用いて半導体製品から吹き飛ばしてもよい。
【００１５】本発明のもう１つの対象は、半導体材料を
保護するための本発明による装置であり、これは該装置
が分級装置であることを特徴とする。
保護するための本発明による装置であり、これは該装置
が分級装置であることを特徴とする。
【００１６】さらに超純水と半導体粒子とからなる安定
した氷で被覆されたふるいで分級工程を行うことができ
る。問題のない分級結果のためには、とりわけ粉砕の際
に発生した氷−シリコン−混合物から、安定した氷を分
離することが必要である。これは例えば混合物を短時間
シリコン土台上で水の融点以上に加熱することにより達
成することができる。次いで分級を行った後で、上記の
乾燥工程を行う。ここでも通常、氷の中に含有されてい
るシリコン粒子を本発明による分級法で得られた半導体
材料から分離する。これは例えば再び過篩により行うこ
とができる。しかしシリコン粒子は、空気を用いて半導
体製品から吹き飛ばすこともできる。
した氷で被覆されたふるいで分級工程を行うことができ
る。問題のない分級結果のためには、とりわけ粉砕の際
に発生した氷−シリコン−混合物から、安定した氷を分
離することが必要である。これは例えば混合物を短時間
シリコン土台上で水の融点以上に加熱することにより達
成することができる。次いで分級を行った後で、上記の
乾燥工程を行う。ここでも通常、氷の中に含有されてい
るシリコン粒子を本発明による分級法で得られた半導体
材料から分離する。これは例えば再び過篩により行うこ
とができる。しかしシリコン粒子は、空気を用いて半導
体製品から吹き飛ばすこともできる。
【００１７】公知の帯域引き上げ法(Zonenziehen)のた
めの半導体材料、例えばシリコン棒を、機械的な加工、
例えば切断、テーパーの研磨のために、本発明による装
置に埋め込むことができる。
めの半導体材料、例えばシリコン棒を、機械的な加工、
例えば切断、テーパーの研磨のために、本発明による装
置に埋め込むことができる。
【００１８】シーメンス反応器からシリコン棒を撤去す
るための撤去補助手段もまた、本発明による装置の形で
製造し、かつ使用することができる。
るための撤去補助手段もまた、本発明による装置の形で
製造し、かつ使用することができる。
【００１９】さらに、有利には鋼からなる土台上に存在
している本発明による装置を使用して、シリコンからな
る棒をコンパクトに埋め込み、かつ棒を炭素で汚染する
ことなく、ここからグラファイト電極を除去することが
できる。
している本発明による装置を使用して、シリコンからな
る棒をコンパクトに埋め込み、かつ棒を炭素で汚染する
ことなく、ここからグラファイト電極を除去することが
できる。
【００２０】本発明による装置は、安定した氷が、有利
に超純粋半導体材料を有する純粋な氷の層を混入するた
めに、極めて高い耐用時間を有するという利点を有す
る。というのも超純水からなる氷の層と比較して電圧が
減少しているからである。
に超純粋半導体材料を有する純粋な氷の層を混入するた
めに、極めて高い耐用時間を有するという利点を有す
る。というのも超純水からなる氷の層と比較して電圧が
減少しているからである。
【００２１】本発明のもう１つの対象は、本発明による
装置を使用する半導体材料の保護のための方法である。
装置を使用する半導体材料の保護のための方法である。
【００２２】本発明による方法を実施する際に安定した
氷の層を冷却し、層が溶けることを防止することは自明
である。さらに発生する摩耗を補償するために、運転時
間が比較的長い場合、安定した氷の層に、連続的または
断続的に超純粋を噴霧することは有利である。この再生
の際に、所望の場合には、半導体材料からなる粒子を付
加的に添加することができるが、しかし有利ではない。
というのも加工工程、例えば破砕または分級の間に、本
来、多くの場合微細な半導体粒子が形成され、これは再
生のために使用される水と共に沈殿するからである。
氷の層を冷却し、層が溶けることを防止することは自明
である。さらに発生する摩耗を補償するために、運転時
間が比較的長い場合、安定した氷の層に、連続的または
断続的に超純粋を噴霧することは有利である。この再生
の際に、所望の場合には、半導体材料からなる粒子を付
加的に添加することができるが、しかし有利ではない。
というのも加工工程、例えば破砕または分級の間に、本
来、多くの場合微細な半導体粒子が形成され、これは再
生のために使用される水と共に沈殿するからである。
【００２３】半導体材料、有利にはシリコンを粉砕する
半導体材料を保護するための方法が有利である。本発明
による装置を用いたこの粉砕の利点は、粉砕した材料が
それ以上汚染されることがなく、かつ粉砕のための土台
を容易に半導体材料から分離し、かつ廃棄処理すること
ができることである。というのも超純粋と半導体粒子と
からなる安定した氷を溶かすのみでよく、このことは極
めて環境にやさしい方法であるからである。安定した氷
がその上に存在する担体がシリコンである場合、これは
特に有利である。というのもたとえ安定した氷が損傷
し、その結果、その上に存在するシリコンの形での半導
体材料が担体と接触するとしても、粉砕するべき半導体
材料はそれ以上汚染されることがないからである。
半導体材料を保護するための方法が有利である。本発明
による装置を用いたこの粉砕の利点は、粉砕した材料が
それ以上汚染されることがなく、かつ粉砕のための土台
を容易に半導体材料から分離し、かつ廃棄処理すること
ができることである。というのも超純粋と半導体粒子と
からなる安定した氷を溶かすのみでよく、このことは極
めて環境にやさしい方法であるからである。安定した氷
がその上に存在する担体がシリコンである場合、これは
特に有利である。というのもたとえ安定した氷が損傷
し、その結果、その上に存在するシリコンの形での半導
体材料が担体と接触するとしても、粉砕するべき半導体
材料はそれ以上汚染されることがないからである。
【００２４】
【実施例】例１ 枠（長さ８０ｃｍ、幅５０ｃｍ；枠の高さ５ｃｍ）を有
するスチールプレートの下側に、コイル状管を溶接し
た。ここに−１５℃で冷却塩水を導通し、スチールプレ
ートを冷却した。冷たい超純水（８℃）の噴霧により、
７５分以内に平均４ｃｍの緻密な氷の層が生じた。
するスチールプレートの下側に、コイル状管を溶接し
た。ここに−１５℃で冷却塩水を導通し、スチールプレ
ートを冷却した。冷たい超純水（８℃）の噴霧により、
７５分以内に平均４ｃｍの緻密な氷の層が生じた。
【００２５】該層の上で直径１３５ｍｍを有する多結晶
シリコン棒を、シリコンハンマーを用いて砕き、粉砕し
た。所望の粉砕サイズは、４０〜１２０ｍｍであった。
４５分間でシリコン１４２ｋｇを粉砕した後、氷の層は
大きな亀裂を示したので、鋼製の土台による多結晶シリ
コンの汚染は回避することができなかった。その後、試
験を中断した。
シリコン棒を、シリコンハンマーを用いて砕き、粉砕し
た。所望の粉砕サイズは、４０〜１２０ｍｍであった。
４５分間でシリコン１４２ｋｇを粉砕した後、氷の層は
大きな亀裂を示したので、鋼製の土台による多結晶シリ
コンの汚染は回避することができなかった。その後、試
験を中断した。
【００２６】土台が溶けた後で、これを同様に冷却し
た。次いで冷たいスチールプレート上に、再度超純水を
噴霧した。今度は特に氷の層の形成の間に、合計５工程
で、平均破砕サイズ９５２μｍを有するシリコン顆粒
３．５ｋｇを散布した。すべてのシリコンを散布した後
で、さらに１５分間、水のみを噴霧した。全工程は今
回、６５分を要した。達成された層厚さは、再び平均４
ｃｍであった。このようにして製造した層の上で、直径
１２８ｍｍを有する多結晶シリコン棒を最初の試験と同
様に粉砕した。７０分後にようやく亀裂の大きさが、鋼
の土台による多結晶シリコンの汚染を排除できない大き
さになった。この時点までにシリコン２３２ｋｇを粉砕
した。
た。次いで冷たいスチールプレート上に、再度超純水を
噴霧した。今度は特に氷の層の形成の間に、合計５工程
で、平均破砕サイズ９５２μｍを有するシリコン顆粒
３．５ｋｇを散布した。すべてのシリコンを散布した後
で、さらに１５分間、水のみを噴霧した。全工程は今
回、６５分を要した。達成された層厚さは、再び平均４
ｃｍであった。このようにして製造した層の上で、直径
１２８ｍｍを有する多結晶シリコン棒を最初の試験と同
様に粉砕した。７０分後にようやく亀裂の大きさが、鋼
の土台による多結晶シリコンの汚染を排除できない大き
さになった。この時点までにシリコン２３２ｋｇを粉砕
した。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ゲールハルト アスト ドイツ連邦共和国 エマーティング ゲー テシュトラーセ 12 (72)発明者 ラインハルト ヴォルフ ドイツ連邦共和国 エマーティング ロー ゼガーシュトラーセ ６
Claims (9)
- 【請求項１】 半導体材料を保護するための装置におい
て、半導体材料が、超純水と半導体粒子とからなる安定
した氷からなる表面上に存在することを特徴とする、半
導体材料を保護するための装置。 - 【請求項２】 半導体材料がシリコンである、請求項１
記載の半導体材料を保護するための装置。 - 【請求項３】 氷表面を製造するために使用される超純
水が、０．１μＳ／ｃｍよりも小さいコンダクタンスを
有する、請求項１または２記載の半導体材料を保護する
ための装置。 - 【請求項４】 担体の表面が、超純水と半導体粒子とか
らなる安定した氷の表面を有する、請求項１から３まで
のいずれか１項記載の半導体材料を保護するための装
置。 - 【請求項５】 担体がシリコンからなる、請求項４記載
の半導体材料を保護するための装置。 - 【請求項６】 半導体材料の保護方法において、請求項
１から５までのいずれか１項記載の装置を使用すること
を特徴とする、半導体材料の保護方法。 - 【請求項７】 半導体材料を、請求項１から５までのい
ずれか１項記載の装置中で粉砕する、請求項６記載の半
導体材料の保護方法。 - 【請求項８】 装置が分級装置である、請求項１から５
までのいずれか１項記載の半導体材料を保護するための
装置。 - 【請求項９】 半導体材料を請求項８記載の装置中で分
級する、請求項６または７記載の半導体材料の保護方
法。
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