JP2000124742A - カスコード増幅器 - Google Patents
カスコード増幅器Info
- Publication number
- JP2000124742A JP2000124742A JP10288156A JP28815698A JP2000124742A JP 2000124742 A JP2000124742 A JP 2000124742A JP 10288156 A JP10288156 A JP 10288156A JP 28815698 A JP28815698 A JP 28815698A JP 2000124742 A JP2000124742 A JP 2000124742A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amplifier
- region
- active region
- bus
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 65
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 31
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 15
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0605—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits made of compound material, e.g. AIIIBV
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0207—Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
- H03F1/22—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/42—Amplifiers with two or more amplifying elements having their dc paths in series with the load, the control electrode of each element being excited by at least part of the input signal, e.g. so-called totem-pole amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N7/00—Television systems
- H04N7/10—Adaptations for transmission by electrical cable
- H04N7/102—Circuits therefor, e.g. noise reducers, equalisers, amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＩＩＩ−Ｖ基板上の集積回路として形成され
たカスコード増幅器を提供する。 【解決手段】 基板４０は、１対の細長い活性領域を有
し、基板の一表面にある横方向に離間された１対の活性
領域に沿って形成されている。活性領域の各々には、内
部に複数の電気的に相互接続されたトランジスタ・セル
が形成されている。第１の活性領域内のトランジスタ・
セル２４は、共通エミッタ構成に相互接続され、第２の
活性領域内の複数のトランジスタ・セル２８は、共通ベ
ース構成に相互接続されている。基板の表面上に複数の
第１の抵抗２６が配置されており、各抵抗は、その第１
の電極が接地電位に結合するように構成され、その第２
の電極が、第１の領域内に形成された対応する１対の隣
接するトランジスタ・セルのエミッタ領域に接続されて
いる。
たカスコード増幅器を提供する。 【解決手段】 基板４０は、１対の細長い活性領域を有
し、基板の一表面にある横方向に離間された１対の活性
領域に沿って形成されている。活性領域の各々には、内
部に複数の電気的に相互接続されたトランジスタ・セル
が形成されている。第１の活性領域内のトランジスタ・
セル２４は、共通エミッタ構成に相互接続され、第２の
活性領域内の複数のトランジスタ・セル２８は、共通ベ
ース構成に相互接続されている。基板の表面上に複数の
第１の抵抗２６が配置されており、各抵抗は、その第１
の電極が接地電位に結合するように構成され、その第２
の電極が、第１の領域内に形成された対応する１対の隣
接するトランジスタ・セルのエミッタ領域に接続されて
いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的に、カスコ
ード増幅器に関し、更に特定すれば、ケーブル・テレビ
ジョン信号を増幅するように構成された、かかる形式の
増幅器に関するものである。
ード増幅器に関し、更に特定すれば、ケーブル・テレビ
ジョン信号を増幅するように構成された、かかる形式の
増幅器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】当技術分野では公知であるが、ケーブル
を介するテレビジョン信号の伝送では、伝送路の種々の
地点において増幅器が必要となる。この目的のために用
いられる増幅器の一種を図１に示す。かかる増幅器は、
２対のシリコン・トランジスタ１２，１４を含む。各ト
ランジスタ対は、カスコード構成で接続されている。２
つのトランジスタ対は、入力トランスフォーマ（変圧
器）１６によって駆動され、これらの対の出力は出力変
圧器１９に接続されている。２つのトランジスタ対１
２，１４は、線形のクラスＡ（Ａ級）プッシュ・プル構
成で動作するようにバイアスされる。この種のトランジ
スタ増幅器は入手可能であり、５０ＭＨｚないし５５０
ＭＨＺで動作する。
を介するテレビジョン信号の伝送では、伝送路の種々の
地点において増幅器が必要となる。この目的のために用
いられる増幅器の一種を図１に示す。かかる増幅器は、
２対のシリコン・トランジスタ１２，１４を含む。各ト
ランジスタ対は、カスコード構成で接続されている。２
つのトランジスタ対は、入力トランスフォーマ（変圧
器）１６によって駆動され、これらの対の出力は出力変
圧器１９に接続されている。２つのトランジスタ対１
２，１４は、線形のクラスＡ（Ａ級）プッシュ・プル構
成で動作するようにバイアスされる。この種のトランジ
スタ増幅器は入手可能であり、５０ＭＨｚないし５５０
ＭＨＺで動作する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】将来、少なくとも１１
０個の非同期アナログ信号を搬送するシステムでは、帯
域の上限が１０００ＭＨｚまで上昇することが予測され
る。かかるシステムでは、相互変調歪みを最小に抑えな
ければならない。出力トランジスタ毎に必要とされるピ
ーク電力は１ｄｂ圧縮点において１．９ワットであり、
必要とされる利得は１８ないし２０ｄｂとなることが予
測される。更に、増幅器は、コストの面でも実用的でな
ければならない。
０個の非同期アナログ信号を搬送するシステムでは、帯
域の上限が１０００ＭＨｚまで上昇することが予測され
る。かかるシステムでは、相互変調歪みを最小に抑えな
ければならない。出力トランジスタ毎に必要とされるピ
ーク電力は１ｄｂ圧縮点において１．９ワットであり、
必要とされる利得は１８ないし２０ｄｂとなることが予
測される。更に、増幅器は、コストの面でも実用的でな
ければならない。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴の１つによ
れば、カスコード増幅器が提供される。この増幅器は、
基板上に集積回路として形成される。基板は、その表面
にある１対の横方向に離間された領域に沿って形成され
た、１対の細長い活性領域を有する。各活性領域内に
は、複数の電気的に相互接続されたトランジスタ・セル
が形成されている。第１の活性領域内のトランジスタ・
セルは、共通エミッタ（エミッタ接地）構成で相互接続
され、第２の活性領域内の複数のトランジスタ・セル
は、共通ベース（ベース接地）構成で相互接続されてい
る。複数の第１の抵抗が、基板の表面上に配置されてい
る。各トランジスタは、その第１の電極が接地電位に結
合するように構成され、その第２電極が、第１の活性領
域内に形成された対応する隣接トランジスタ対のエミッ
タ領域に接続されている。
れば、カスコード増幅器が提供される。この増幅器は、
基板上に集積回路として形成される。基板は、その表面
にある１対の横方向に離間された領域に沿って形成され
た、１対の細長い活性領域を有する。各活性領域内に
は、複数の電気的に相互接続されたトランジスタ・セル
が形成されている。第１の活性領域内のトランジスタ・
セルは、共通エミッタ（エミッタ接地）構成で相互接続
され、第２の活性領域内の複数のトランジスタ・セル
は、共通ベース（ベース接地）構成で相互接続されてい
る。複数の第１の抵抗が、基板の表面上に配置されてい
る。各トランジスタは、その第１の電極が接地電位に結
合するように構成され、その第２電極が、第１の活性領
域内に形成された対応する隣接トランジスタ対のエミッ
タ領域に接続されている。
【０００５】本発明の他の特徴によれば、第１の活性領
域内のトランジスタ・セルの各々は、第２の活性領域内
のトランジスタ・セルの対応する１つのエミッタ領域に
接続されたコレクタ領域を有する。第２の活性領域内の
トランジスタ・セルのコレクタ領域は、基板の表面上に
配置された共通出力バスに接続され、増幅器のための出
力を供給する。
域内のトランジスタ・セルの各々は、第２の活性領域内
のトランジスタ・セルの対応する１つのエミッタ領域に
接続されたコレクタ領域を有する。第２の活性領域内の
トランジスタ・セルのコレクタ領域は、基板の表面上に
配置された共通出力バスに接続され、増幅器のための出
力を供給する。
【０００６】本発明の更に他の特徴によれば、基板上に
コンデンサが設けられる。このコンデンサは、接地に結
合するように適合された第１の下側プレートと、第２の
領域内のトランジスタ・セルのベース領域に結合された
第２の上側プレートとを有する。
コンデンサが設けられる。このコンデンサは、接地に結
合するように適合された第１の下側プレートと、第２の
領域内のトランジスタ・セルのベース領域に結合された
第２の上側プレートとを有する。
【０００７】本発明の他の特徴によれば、基板の表面上
に、複数の第２の抵抗が形成される。第２の抵抗は、第
２の活性領域内のトランジスタ・セルのベース領域と、
コンデンサの上側プレートとの間に電気的に接続されて
いる。
に、複数の第２の抵抗が形成される。第２の抵抗は、第
２の活性領域内のトランジスタ・セルのベース領域と、
コンデンサの上側プレートとの間に電気的に接続されて
いる。
【０００８】本発明の更に他の特徴によれば、コンデン
サの上側プレートは、第１および第２の活性領域間の基
板の表面部分上に配置された、細長い導電層を備えてい
る。この導電層はバスを構成する。第２の抵抗の第１の
電極は、このバスに沿って連続的に接続されている。バ
スは、第２の活性領域内のトランジスタ・セルのベース
領域にＤＣ電源を結合するように構成された、コンタク
ト・パッドで終端している。
サの上側プレートは、第１および第２の活性領域間の基
板の表面部分上に配置された、細長い導電層を備えてい
る。この導電層はバスを構成する。第２の抵抗の第１の
電極は、このバスに沿って連続的に接続されている。バ
スは、第２の活性領域内のトランジスタ・セルのベース
領域にＤＣ電源を結合するように構成された、コンタク
ト・パッドで終端している。
【０００９】本発明の更に他の特徴によれば、第２の導
電層が、最初に述べた導電層の下に配置され、これと絶
縁的に分離されており、コンデンサの第２のプレートを
提供している。好適な実施形態では、第２の導電層は、
基板を貫通して第２の導電層から接地面導体まで達する
導電性バイアによって、基板の底面上に配された接地面
導体に接続されている。
電層が、最初に述べた導電層の下に配置され、これと絶
縁的に分離されており、コンデンサの第２のプレートを
提供している。好適な実施形態では、第２の導電層は、
基板を貫通して第２の導電層から接地面導体まで達する
導電性バイアによって、基板の底面上に配された接地面
導体に接続されている。
【００１０】本発明の他の特徴によれば、前述の導電層
に平行に第２のバスが配置され、第２の抵抗の第１の電
極が、第２のバスに沿って連続的に接続されている。第
２の活性領域内のトランジスタ・セルのベース電極も、
第２のバスに沿って連続的に接続されており、これによ
って、かかるベース電極を第２トランジスタの第１の電
極に電気的に相互接続する。第２の抵抗の第２の電極
は、最初に述べた導電層、即ち、最初に述べたバス−コ
ンデンサの上側プレートに沿って連続的に接続されてい
る。このように、第２の活性領域内のトランジスタのベ
ース電極は、複数の第２の抵抗を介して、コンデンサの
上側プレートに接続されている。
に平行に第２のバスが配置され、第２の抵抗の第１の電
極が、第２のバスに沿って連続的に接続されている。第
２の活性領域内のトランジスタ・セルのベース電極も、
第２のバスに沿って連続的に接続されており、これによ
って、かかるベース電極を第２トランジスタの第１の電
極に電気的に相互接続する。第２の抵抗の第２の電極
は、最初に述べた導電層、即ち、最初に述べたバス−コ
ンデンサの上側プレートに沿って連続的に接続されてい
る。このように、第２の活性領域内のトランジスタのベ
ース電極は、複数の第２の抵抗を介して、コンデンサの
上側プレートに接続されている。
【００１１】本発明の他の特徴によれば、第２の複数の
抵抗は、細長い導電層と第２の活性領域との間の、基板
の表面の領域上に配置されている。
抵抗は、細長い導電層と第２の活性領域との間の、基板
の表面の領域上に配置されている。
【００１２】本発明の更に他の特徴によれば、基板の細
長い領域内に、複数の導電性バイア・コンタクトが形成
されている。第１の活性領域は、この細長い導電性バイ
ア・コンタクト領域と導電層との間に配置されている。
導電性バイア・コンタクトは、第１の抵抗の第１の電極
に電気的に接続されている。
長い領域内に、複数の導電性バイア・コンタクトが形成
されている。第１の活性領域は、この細長い導電性バイ
ア・コンタクト領域と導電層との間に配置されている。
導電性バイア・コンタクトは、第１の抵抗の第１の電極
に電気的に接続されている。
【００１３】本発明の更に他の特徴によれば、第１の活
性領域と細長い導電性バイア・コンタクト領域との間
に、第３の細長いバスが配置され、第１の活性領域内の
複数のトランジスタ・セルのベース領域を電気的に接続
する。好適な実施形態では、第１の活性領域内のトラン
ジスタ・セルのベース領域は、第３の細長いバスに沿っ
て連続的に電気的に接続されている。
性領域と細長い導電性バイア・コンタクト領域との間
に、第３の細長いバスが配置され、第１の活性領域内の
複数のトランジスタ・セルのベース領域を電気的に接続
する。好適な実施形態では、第１の活性領域内のトラン
ジスタ・セルのベース領域は、第３の細長いバスに沿っ
て連続的に電気的に接続されている。
【００１４】基板の表面上に、第３の複数の抵抗が配置
されている。この第３の複数の抵抗は、前述のバス、な
らびに第１および第２の活性領域に垂直に、そして導電
性バイア・コンタクトの隣接する対の間に配置されてい
る。第３の抵抗は、その第１の電極が増幅器の入力に結
合するように適合され、その第２電極が第３の細長いバ
スに沿って連続的に電気的に接続されている。
されている。この第３の複数の抵抗は、前述のバス、な
らびに第１および第２の活性領域に垂直に、そして導電
性バイア・コンタクトの隣接する対の間に配置されてい
る。第３の抵抗は、その第１の電極が増幅器の入力に結
合するように適合され、その第２電極が第３の細長いバ
スに沿って連続的に電気的に接続されている。
【００１５】本発明の更に他の特徴によれば、基板の表
面上に複数のブリッジが配置されている。ブリッジは、
第３の細長いバス上を通過し、第１の複数の抵抗を、第
１の活性領域内のトランジスタ・セルのエミッタ領域に
電気的に接続する。
面上に複数のブリッジが配置されている。ブリッジは、
第３の細長いバス上を通過し、第１の複数の抵抗を、第
１の活性領域内のトランジスタ・セルのエミッタ領域に
電気的に接続する。
【００１６】本発明の他の特徴によれば、基板の表面上
に、第２の複数のブリッジが配置されている。第２の複
数のブリッジは、導電層、最初に述べたバス、および第
２の導電バス上を通過し、第２の活性領域内のトランジ
スタ・セルのエミッタ領域を、第１の活性領域内のトラ
ンジスタ・セルのコレクタ領域に相互接続する。
に、第２の複数のブリッジが配置されている。第２の複
数のブリッジは、導電層、最初に述べたバス、および第
２の導電バス上を通過し、第２の活性領域内のトランジ
スタ・セルのエミッタ領域を、第１の活性領域内のトラ
ンジスタ・セルのコレクタ領域に相互接続する。
【００１７】本発明の更に他の特徴によれば、前述の第
２のブリッジの各々は、第１の活性領域内のトランジス
タ・セルの１つのコレクタ領域を、第２の活性領域内の
トランジスタ・セルの隣接する対のエミッタ領域に電気
的に接続する。
２のブリッジの各々は、第１の活性領域内のトランジス
タ・セルの１つのコレクタ領域を、第２の活性領域内の
トランジスタ・セルの隣接する対のエミッタ領域に電気
的に接続する。
【００１８】
【発明の実施の形態】これより図２Ａおよび図２Ｂを参
照すると、カスコード構成に接続された１対のトランジ
スタ２４，２８を有する増幅器２０が示されている。図
２Ｂに概略的に示すように、増幅器２０は、ここでは、
ＩＩＩ−Ｖ単結晶基板（サブストレート）４０上にモノ
リシック集積回路として形成されている。ここでは、基
板４０はガリウム砒素である。トランジスタ２４，２６
は、ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタであり、図７
に更に明確に示されている。ここでは、通常３００ない
し５００オングストロームの薄いＡｌＧａＡｓまたは薄
いＩｎＧａＰヘテロ接合エミッタ層領域を有し、エミッ
タ−ベース接合パシベーション層に対する選択的エッチ
ングを可能にしている。好ましくは、ＩｎＧａＰエミッ
タ領域を用いる。コレクタ領域は、ここでは、厚さが１
マイクロメートルである。
照すると、カスコード構成に接続された１対のトランジ
スタ２４，２８を有する増幅器２０が示されている。図
２Ｂに概略的に示すように、増幅器２０は、ここでは、
ＩＩＩ−Ｖ単結晶基板（サブストレート）４０上にモノ
リシック集積回路として形成されている。ここでは、基
板４０はガリウム砒素である。トランジスタ２４，２６
は、ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタであり、図７
に更に明確に示されている。ここでは、通常３００ない
し５００オングストロームの薄いＡｌＧａＡｓまたは薄
いＩｎＧａＰヘテロ接合エミッタ層領域を有し、エミッ
タ−ベース接合パシベーション層に対する選択的エッチ
ングを可能にしている。好ましくは、ＩｎＧａＰエミッ
タ領域を用いる。コレクタ領域は、ここでは、厚さが１
マイクロメートルである。
【００１９】第１のトランジスタ２４のエミッタ領域
は、図示のように、第１の抵抗２６を介して、接地面導
体３７（導電性バイア・コンタクト２７によって、基板
４０の底面上に形成されている）に接続されている。第
１のトランジスタ２４のコレクタ領域は、図示のよう
に、第２のトランジスタ２８のエミッタ領域に接続され
ている。第２のトランジスタ２８のベース領域は、図示
のように、第２の抵抗３０を介して接地面導体３７に接
続され、更にコンデンサ３２に直列に接続されている。
第２のトランジスタ２８のコレクタ領域は、増幅器２０
のための出力３４を構成する。第２のトランジスタ２４
のベース領域は、図示のように、第３の抵抗３８を介し
て、増幅器２０の入力３６に接続されている。
は、図示のように、第１の抵抗２６を介して、接地面導
体３７（導電性バイア・コンタクト２７によって、基板
４０の底面上に形成されている）に接続されている。第
１のトランジスタ２４のコレクタ領域は、図示のよう
に、第２のトランジスタ２８のエミッタ領域に接続され
ている。第２のトランジスタ２８のベース領域は、図示
のように、第２の抵抗３０を介して接地面導体３７に接
続され、更にコンデンサ３２に直列に接続されている。
第２のトランジスタ２８のコレクタ領域は、増幅器２０
のための出力３４を構成する。第２のトランジスタ２４
のベース領域は、図示のように、第３の抵抗３８を介し
て、増幅器２０の入力３６に接続されている。
【００２０】再び図２Ａおよび図２Ｂを参照すると、バ
ス４２は、トランジスタ２８のベース領域に接続され、
図示しない外部ＤＣ電圧源に結合し、増幅器２０にバイ
アスをかけて、Ａ級動作を行わせることを注記してお
く。別のバス４４が、コンデンサ３２の上側プレートＰ
Uに接続されており、このコンデンサの下側プレートＰL
は、基板４０を貫通するバイア導体３９によって、接地
面導体３７に接続されている。バス４４は、集積回路基
板４０の外部の、図示しない追加のより大きなコンデン
サを、コンデンサ３２に接続することを可能にする。基
板４０上に形成されたコンデンサ３２は比較的小さくて
もよく、高周波経路を接地まで与えるために用いられ
る。気が付くことではあるが、誘導性リアクタンスを有
するバス４４によって、より大きなコンデンサをバス４
４によって結合すれば、帯域の低周波数部分をバイパス
可能である。
ス４２は、トランジスタ２８のベース領域に接続され、
図示しない外部ＤＣ電圧源に結合し、増幅器２０にバイ
アスをかけて、Ａ級動作を行わせることを注記してお
く。別のバス４４が、コンデンサ３２の上側プレートＰ
Uに接続されており、このコンデンサの下側プレートＰL
は、基板４０を貫通するバイア導体３９によって、接地
面導体３７に接続されている。バス４４は、集積回路基
板４０の外部の、図示しない追加のより大きなコンデン
サを、コンデンサ３２に接続することを可能にする。基
板４０上に形成されたコンデンサ３２は比較的小さくて
もよく、高周波経路を接地まで与えるために用いられ
る。気が付くことではあるが、誘導性リアクタンスを有
するバス４４によって、より大きなコンデンサをバス４
４によって結合すれば、帯域の低周波数部分をバイパス
可能である。
【００２１】次に図３および図４を参照すると、基板４
０が示されており、基板４０の上面５４にある１対の横
方向に離間された領域に沿って、１対の細長い活性領域
５０，５２（図４）が形成されている。各活性領域５
２，５４の内部には、複数の、例えばここでは２４個
の、電気的に相互接続されたトランジスタ・セル２４1
〜２４24，２８1〜２８24がそれぞれ形成されている。
第１の活性領域５２内のトランジスタ・セル２４1〜２
４24は、図２Ａおよび図２Ｂにおける第１のトランジス
タ２４を提供し、したがってトランジスタ・セル２４1
〜２４24は、共通エミッタ構成で相互接続されている。
第２の活性領域５２内の複数の、例えばここでは２４個
のトランジスタ・セル２８1〜２８24が、第２のトラン
ジスタ２８（図２Ａおよび図２Ｂ）となり、したがって
共通ベース構成で相互接続されている。セル２４1〜２
４24および２８1〜２８24については、発明者がアドラ
ーステンその他（Ａｄｌｅｒｓｔｅｉｎ ｅｔ ａ
ｌ．）の、１９９７年４月１１に出願された、「ヘテロ
接合バイポーラ・トランジスタ」と題する同時係属中の
特許出願第０８／８２７，８５１号に記載されている。
これは、本願と同一の譲受人に譲渡され、その全体を本
願にも援用するものとする。
０が示されており、基板４０の上面５４にある１対の横
方向に離間された領域に沿って、１対の細長い活性領域
５０，５２（図４）が形成されている。各活性領域５
２，５４の内部には、複数の、例えばここでは２４個
の、電気的に相互接続されたトランジスタ・セル２４1
〜２４24，２８1〜２８24がそれぞれ形成されている。
第１の活性領域５２内のトランジスタ・セル２４1〜２
４24は、図２Ａおよび図２Ｂにおける第１のトランジス
タ２４を提供し、したがってトランジスタ・セル２４1
〜２４24は、共通エミッタ構成で相互接続されている。
第２の活性領域５２内の複数の、例えばここでは２４個
のトランジスタ・セル２８1〜２８24が、第２のトラン
ジスタ２８（図２Ａおよび図２Ｂ）となり、したがって
共通ベース構成で相互接続されている。セル２４1〜２
４24および２８1〜２８24については、発明者がアドラ
ーステンその他（Ａｄｌｅｒｓｔｅｉｎ ｅｔ ａ
ｌ．）の、１９９７年４月１１に出願された、「ヘテロ
接合バイポーラ・トランジスタ」と題する同時係属中の
特許出願第０８／８２７，８５１号に記載されている。
これは、本願と同一の譲受人に譲渡され、その全体を本
願にも援用するものとする。
【００２２】複数の、例えばここでは１３個の第１の抵
抗２６1〜２６13が、第１の抵抗２６（図２Ａおよび図
２Ｂ）となり、基板４０の上面５４上に配置されてい
る。第１の抵抗２６1〜２６13は、その第１の電極が、
基板４０を貫通する導電性バイア２７1〜２７5を通して
接地面導体３７に結合するように構成されており、その
第２の電極が、第１の活性領域５０内のトランジスタ・
セル２４1〜２４24のエミッタ領域に接続されている。
（接地面導体３７は、接地電位に結合するように適合さ
れている。） 更に詳述すれば、抵抗２６1および２６13の第２の電極
は、図４にトランジスタ・セル２４1および抵抗２６1に
ついて概略的に示すように、トランジスタ・セル２４1
および２４24のエミッタ領域にそれぞれ接続されてい
る。第１の抵抗２６2〜２６12の各々は、上述のよう
に、接地電位に結合するように適合された第１の電極を
有する。抵抗２６2〜２６12の各々の第２電極は、隣接
するトランジスタ・セル２４1〜２４23の対応する対の
エミッタ領域に接続されている。このように、隣接する
トランジスタ・セル対２４2，２４3のエミッタ領域は、
共通抵抗２６2に接続されており、隣接するトランジス
タ・セル対２４4，２４5のエミッタ領域は共通抵抗２６3
に接続されており、隣接するトランジスタ・セル対２４
4，２４5のエミッタ領域は、共通抵抗２６3に接続され
ており、隣接するトランジスタ・セル対２４6，２４7の
エミッタ領域は、共通抵抗２６4に接続されており、・
・・そして、隣接するトランジスタ・セル対２４22，２
４23の対のエミッタ領域は、共通抵抗２６12に接続され
ている。したがって、抵抗２６1および抵抗２６13のサ
イズ（即ち、表面積）は、図３に示すように、抵抗２６
2〜２６12の各々のサイズ（即ち、表面積）の半分とな
る。
抗２６1〜２６13が、第１の抵抗２６（図２Ａおよび図
２Ｂ）となり、基板４０の上面５４上に配置されてい
る。第１の抵抗２６1〜２６13は、その第１の電極が、
基板４０を貫通する導電性バイア２７1〜２７5を通して
接地面導体３７に結合するように構成されており、その
第２の電極が、第１の活性領域５０内のトランジスタ・
セル２４1〜２４24のエミッタ領域に接続されている。
（接地面導体３７は、接地電位に結合するように適合さ
れている。） 更に詳述すれば、抵抗２６1および２６13の第２の電極
は、図４にトランジスタ・セル２４1および抵抗２６1に
ついて概略的に示すように、トランジスタ・セル２４1
および２４24のエミッタ領域にそれぞれ接続されてい
る。第１の抵抗２６2〜２６12の各々は、上述のよう
に、接地電位に結合するように適合された第１の電極を
有する。抵抗２６2〜２６12の各々の第２電極は、隣接
するトランジスタ・セル２４1〜２４23の対応する対の
エミッタ領域に接続されている。このように、隣接する
トランジスタ・セル対２４2，２４3のエミッタ領域は、
共通抵抗２６2に接続されており、隣接するトランジス
タ・セル対２４4，２４5のエミッタ領域は共通抵抗２６3
に接続されており、隣接するトランジスタ・セル対２４
4，２４5のエミッタ領域は、共通抵抗２６3に接続され
ており、隣接するトランジスタ・セル対２４6，２４7の
エミッタ領域は、共通抵抗２６4に接続されており、・
・・そして、隣接するトランジスタ・セル対２４22，２
４23の対のエミッタ領域は、共通抵抗２６12に接続され
ている。したがって、抵抗２６1および抵抗２６13のサ
イズ（即ち、表面積）は、図３に示すように、抵抗２６
2〜２６12の各々のサイズ（即ち、表面積）の半分とな
る。
【００２３】第１の活性領域５０内のトランジスタ・セ
ル２４1〜２４24の各々は、そのコレクタ領域が、第２
の活性領域５２内のトランジスタ・セル２８1〜２８24
の対応する１つのエミッタ領域に接続されている。第２
の活性領域５２内のトランジスタ・セル２８1〜２８24
のコレクタ領域は、基板４０の上面５４上に配置されて
いる共通出力バス３４に接続され、増幅器２０のための
出力３４を提供する。
ル２４1〜２４24の各々は、そのコレクタ領域が、第２
の活性領域５２内のトランジスタ・セル２８1〜２８24
の対応する１つのエミッタ領域に接続されている。第２
の活性領域５２内のトランジスタ・セル２８1〜２８24
のコレクタ領域は、基板４０の上面５４上に配置されて
いる共通出力バス３４に接続され、増幅器２０のための
出力３４を提供する。
【００２４】基板４０上にコンデンサ３２が設けられて
いる。コンデンサ３２は、その第１の下側即ち底面プレ
ートＰＬが、図８に示すように、導電性バイア２７1〜
２７5と同様に基板４０を貫通する導電性バイア３９を
通して、接地面導体３７に結合するように適合されてお
り、その第２の上側プレートＰUが、第２の活性領域５
２内のトランジスタ・セル２８1〜２８24のベース領域
に電気的に接続されている。更に詳述すれば、コンデン
サ３２のプレートＰL，ＰUは絶縁的に分離された細長い
導電層３３，３５であり、図８に一層明確に示されてい
るように、下側導電層３３は上側導電層３５よりもいく
らか大きい。尚、図８において、上側プレートＰU（即
ち、導電層３５）および下側プレートＰL（即ち導電層
３３）は、誘電体層２９によって分離されていることを
注記しておく。誘電体層２９は、ここでは、窒化シリコ
ンである。また、下側プレートＰL（即ち、層３３）
は、複数の、ここでは６つの円形テーパ状バイア導体３
９によって、基板４０の底面上に形成されている接地面
導体３７に接続されていることも注記しておく。バイア
導体３９は、コンデンサ３２の下側プレートＰLの底面
から、基板４０を貫通して、基板４０の底面上に形成さ
れている接地面導体３７まで達しているが、図８には例
示として、１つの導電性バイア３９のみが示されてい
る。上側導電層３５は、バス４４となる。バス４４は細
長いバスであることを注記しておく。
いる。コンデンサ３２は、その第１の下側即ち底面プレ
ートＰＬが、図８に示すように、導電性バイア２７1〜
２７5と同様に基板４０を貫通する導電性バイア３９を
通して、接地面導体３７に結合するように適合されてお
り、その第２の上側プレートＰUが、第２の活性領域５
２内のトランジスタ・セル２８1〜２８24のベース領域
に電気的に接続されている。更に詳述すれば、コンデン
サ３２のプレートＰL，ＰUは絶縁的に分離された細長い
導電層３３，３５であり、図８に一層明確に示されてい
るように、下側導電層３３は上側導電層３５よりもいく
らか大きい。尚、図８において、上側プレートＰU（即
ち、導電層３５）および下側プレートＰL（即ち導電層
３３）は、誘電体層２９によって分離されていることを
注記しておく。誘電体層２９は、ここでは、窒化シリコ
ンである。また、下側プレートＰL（即ち、層３３）
は、複数の、ここでは６つの円形テーパ状バイア導体３
９によって、基板４０の底面上に形成されている接地面
導体３７に接続されていることも注記しておく。バイア
導体３９は、コンデンサ３２の下側プレートＰLの底面
から、基板４０を貫通して、基板４０の底面上に形成さ
れている接地面導体３７まで達しているが、図８には例
示として、１つの導電性バイア３９のみが示されてい
る。上側導電層３５は、バス４４となる。バス４４は細
長いバスであることを注記しておく。
【００２５】図５および図６を参照すると、複数の、こ
こでは例えば１３個の第２の抵抗３０1〜３０13が、第
２の抵抗３０（図２Ａおよび図２Ｂ）を提供し、基板４
０の上面５４上に配置されている。第２の抵抗３０1〜
３０13は、その第１の電極がコンデンサ３２の上側プレ
ートＰUに電気的に接続されており（即ち、細長いバス
４４に沿って連続的に接続されており）、更にその第２
の電極がバス４２に沿って連続的に電気的に接続されて
いる。バス４２は、バス４４および細長い活性領域５
０，５２に平行に配置された細長いバスであることを注
記しておく。また、第２の活性領域５２内のトランジス
タ・セル２８1〜２８24のベース領域も、バス４２に沿
って連続的に接続されている。このように、トランジス
タ・セル２８1〜２８24のベース領域は、バス４２によ
って電気的に相互接続されている。したがって、バス４
２は、トランジスタ・セル２８1〜２８24のベース領域
とコンデンサ３２の上側プレートＰUとの間に、第２の
複数の抵抗３０1〜３０12を介して電気的接続を与え
る。
こでは例えば１３個の第２の抵抗３０1〜３０13が、第
２の抵抗３０（図２Ａおよび図２Ｂ）を提供し、基板４
０の上面５４上に配置されている。第２の抵抗３０1〜
３０13は、その第１の電極がコンデンサ３２の上側プレ
ートＰUに電気的に接続されており（即ち、細長いバス
４４に沿って連続的に接続されており）、更にその第２
の電極がバス４２に沿って連続的に電気的に接続されて
いる。バス４２は、バス４４および細長い活性領域５
０，５２に平行に配置された細長いバスであることを注
記しておく。また、第２の活性領域５２内のトランジス
タ・セル２８1〜２８24のベース領域も、バス４２に沿
って連続的に接続されている。このように、トランジス
タ・セル２８1〜２８24のベース領域は、バス４２によ
って電気的に相互接続されている。したがって、バス４
２は、トランジスタ・セル２８1〜２８24のベース領域
とコンデンサ３２の上側プレートＰUとの間に、第２の
複数の抵抗３０1〜３０12を介して電気的接続を与え
る。
【００２６】更に図３を参照すると、基板４０の細長い
領域６０内に、基板４０を貫通して接地面導体３７に達
する、複数の、ここでは例えば５つの導電性バイア・コ
ンタクト２７1〜２７5が形成されており、図２Ａおよび
図２Ｂに示した接地コンタクト２７となる。したがっ
て、先に注記したように、バイア２７1〜２７5は、図８
に示すように、バイア３９と同様である。第１の活性領
域５０は、図３に示すように、細長い領域６０と導電層
３３，３５との間に配置されている。導電性バイア・コ
ンタクト２７1〜２７5は、第１の抵抗２６1〜２６13の
第１の電極に電気的に接続されている。第１の抵抗２６
1〜２６13は、先に引用した同時継続中の特許出願に記
載されているように、バラスト抵抗である。
領域６０内に、基板４０を貫通して接地面導体３７に達
する、複数の、ここでは例えば５つの導電性バイア・コ
ンタクト２７1〜２７5が形成されており、図２Ａおよび
図２Ｂに示した接地コンタクト２７となる。したがっ
て、先に注記したように、バイア２７1〜２７5は、図８
に示すように、バイア３９と同様である。第１の活性領
域５０は、図３に示すように、細長い領域６０と導電層
３３，３５との間に配置されている。導電性バイア・コ
ンタクト２７1〜２７5は、第１の抵抗２６1〜２６13の
第１の電極に電気的に接続されている。第１の抵抗２６
1〜２６13は、先に引用した同時継続中の特許出願に記
載されているように、バラスト抵抗である。
【００２７】更に特記すれば、図３に示すように、導電
性バイア・コンタクト２７1は、抵抗２６1および２６2
の第１の電極に接続されている。導電性バイア・コンタ
クト２７2は、抵抗２６3ないし２６5の第１の電極に接
続されている。導電性バイア・コンタクト２７3は、抵抗
２６6ないし２６8の第１の電極に接続されている。導電
性バイア・コンタクト２７3は、抵抗２６9ないし２６11
の第１の電極に接続されている。導電性バイア・コンタ
クト２７5は、抵抗２６12および２６13の第１電極に接
続されている。このように、複数の導電性バイア・コン
タクト２７1の各々が、第１の抵抗２６1〜２６13の第１
の電極の第１の電極に接続されている。
性バイア・コンタクト２７1は、抵抗２６1および２６2
の第１の電極に接続されている。導電性バイア・コンタ
クト２７2は、抵抗２６3ないし２６5の第１の電極に接
続されている。導電性バイア・コンタクト２７3は、抵抗
２６6ないし２６8の第１の電極に接続されている。導電
性バイア・コンタクト２７3は、抵抗２６9ないし２６11
の第１の電極に接続されている。導電性バイア・コンタ
クト２７5は、抵抗２６12および２６13の第１電極に接
続されている。このように、複数の導電性バイア・コン
タクト２７1の各々が、第１の抵抗２６1〜２６13の第１
の電極の第１の電極に接続されている。
【００２８】図４を参照すると、細長いバス６２が、第
１の活性領域５０と細長い導電性バイア・コンタクト領
域６０との間に配置されている。第３の複数の、ここで
は４つの抵抗３８1〜３８4が、基板４０の上面５４上に
配置され、図２Ａおよび図２Ｂに示した、第３の抵抗３
８を提供する。第３の複数の抵抗３８1〜３８4は、図３
に示すように、細長い第１および第２の活性領域５０，
５２に対して垂直に、かつ導電性バイア・コンタクト２
７1〜２７5の隣接する対の間に配置されている。第３の
抵抗３８1〜３８4の各々は、その第１の電極が増幅器２
０の入力パッド３６に結合するように適合され、その第
２の電極がバス６２に接続されている。（入力パッド３
６は、図示しない個別のワイヤによって、基板４０の外
部の信号パッドに供給される別個のパッドとして示され
ているが、パッド３６は単一のパッドとして基板４０上
に形成してもよい）。第１の活性領域５０内のトランジ
スタ・セル２４１〜２４２４のベース領域は、バス６２
にも電気的に接続されている。したがって、第３の抵抗
３８1〜３８4は、トランジスタ・セル２４1〜２４2 4の
ベース領域に電気的に接続されている。
１の活性領域５０と細長い導電性バイア・コンタクト領
域６０との間に配置されている。第３の複数の、ここで
は４つの抵抗３８1〜３８4が、基板４０の上面５４上に
配置され、図２Ａおよび図２Ｂに示した、第３の抵抗３
８を提供する。第３の複数の抵抗３８1〜３８4は、図３
に示すように、細長い第１および第２の活性領域５０，
５２に対して垂直に、かつ導電性バイア・コンタクト２
７1〜２７5の隣接する対の間に配置されている。第３の
抵抗３８1〜３８4の各々は、その第１の電極が増幅器２
０の入力パッド３６に結合するように適合され、その第
２の電極がバス６２に接続されている。（入力パッド３
６は、図示しない個別のワイヤによって、基板４０の外
部の信号パッドに供給される別個のパッドとして示され
ているが、パッド３６は単一のパッドとして基板４０上
に形成してもよい）。第１の活性領域５０内のトランジ
スタ・セル２４１〜２４２４のベース領域は、バス６２
にも電気的に接続されている。したがって、第３の抵抗
３８1〜３８4は、トランジスタ・セル２４1〜２４2 4の
ベース領域に電気的に接続されている。
【００２９】図４を参照すると、複数の、ここでは１１
個のブリッジ８０1〜８０11が、基板４０の上面５４上
に配置されている。図４に示すように、ブリッジ８０1
〜８０11の各々は、エアー・ブリッジ（ａｉｒ−ｂｒｉ
ｄｇｅ）であり、バス６２上を通過し、第３の抵抗２６
1〜２６13の内１つの第２電極を、第１の活性領域５０
内のトランジスタ・セル２４1〜２４24のエミッタ領域
に電気的に接続する。細長いバス４２が、最初に述べた
バス６２に平行に配置され、第２の活性領域内のトラン
ジスタ・セル２８1〜２８24のベース領域を電気的に接
続する。基板４０の上面５４上に、第２の複数、ここで
は１２個のブリッジ８２1〜８２12が配置されている。
第２の複数のブリッジ８２1〜８２12の各々は、エアー
・ブリッジであり、上に位置しコンデンサ３２を形成す
る導電層３３，３５上を通過し、バス４２上を通過し
て、第２の活性領域５２内のトランジスタ・セル２８1
〜２８24の内１つのエミッタ領域を、第１の活性領域５
０内のトランジスタ・セル２４1〜２４24（図３）の対
応する１つのコレクタ領域に電気的に相互接続する。
個のブリッジ８０1〜８０11が、基板４０の上面５４上
に配置されている。図４に示すように、ブリッジ８０1
〜８０11の各々は、エアー・ブリッジ（ａｉｒ−ｂｒｉ
ｄｇｅ）であり、バス６２上を通過し、第３の抵抗２６
1〜２６13の内１つの第２電極を、第１の活性領域５０
内のトランジスタ・セル２４1〜２４24のエミッタ領域
に電気的に接続する。細長いバス４２が、最初に述べた
バス６２に平行に配置され、第２の活性領域内のトラン
ジスタ・セル２８1〜２８24のベース領域を電気的に接
続する。基板４０の上面５４上に、第２の複数、ここで
は１２個のブリッジ８２1〜８２12が配置されている。
第２の複数のブリッジ８２1〜８２12の各々は、エアー
・ブリッジであり、上に位置しコンデンサ３２を形成す
る導電層３３，３５上を通過し、バス４２上を通過し
て、第２の活性領域５２内のトランジスタ・セル２８1
〜２８24の内１つのエミッタ領域を、第１の活性領域５
０内のトランジスタ・セル２４1〜２４24（図３）の対
応する１つのコレクタ領域に電気的に相互接続する。
【００３０】次に図５、図６および図７を参照すると、
ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ・セル２４1〜２
４24の隣接する対の一例、ここでは、隣接する１対のト
ランジスタ２４6，２４7が示されている。したがって、
先に注記したように、トランジスタ・セル２４6，２４7
は、ＩＩＩ−Ｖ材料、ここでは半絶縁ガリウム砒素の単
結晶半絶縁基板４０上に形成されている。トランジスタ
・セル２４6，２４7の各々は、ＩＩＩ−Ｖサブコレクタ
層８１を含む。ＩＩＩ−Ｖサブコレクタ層８１は、ここ
ではＮ+型導電性のガリウム砒素である、比較的高い第
１の導電型のドーパントを有し、基板のガリウム砒素層
４０の上面に配置されている。図示のように、第１の導
電型のドーパント、ここではＮ型導電性のガリウム砒素
を有するＩＩＩ−Ｖコレクタ層８３が、基板４０の上面
の横方向に離間された部分の上に配置されている。Ｎ型
導電性のガリウム砒素コレクタ層８３は、図示のよう
に、サブコレクタ層８１の一部の上に配置されている。
第１の導電型のドーパントとは反対の、比較的高い第２
の導電型のドーパント（即ち、ここではＰ+型導電性）
のＩＩＩ−Ｖ、ここでは、ガリウム砒素のベース層８４
が、コレクタ層８３の表面上にエピタキシャル成長によ
って形成されている。ＩＩＩ−Ｖ、例えば、ここでは砒
化アルミニウム・ガリウム（aluminum gallium arsenid
e）または燐化インディウム・ガリウム（indium galliu
m phosphide）のエミッタ領域８６が、ベース領域層８
４上にエピタキシャル形成され、ＩＩＩ−Ｖエミッタ領
域８６とベース領域層８４との間にヘテロ接合を備え
る。エミッタ領域８６は、Ｎ型導電性を有する。エミッ
タ電極８８が、エミッタ領域８６上に配置されている。
図示のように、付番しない窒化シリコンの誘電体材料
が、エミッタ電極８８およびエミッタ領域８６の外側の
側壁周囲に配されている。
ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ・セル２４1〜２
４24の隣接する対の一例、ここでは、隣接する１対のト
ランジスタ２４6，２４7が示されている。したがって、
先に注記したように、トランジスタ・セル２４6，２４7
は、ＩＩＩ−Ｖ材料、ここでは半絶縁ガリウム砒素の単
結晶半絶縁基板４０上に形成されている。トランジスタ
・セル２４6，２４7の各々は、ＩＩＩ−Ｖサブコレクタ
層８１を含む。ＩＩＩ−Ｖサブコレクタ層８１は、ここ
ではＮ+型導電性のガリウム砒素である、比較的高い第
１の導電型のドーパントを有し、基板のガリウム砒素層
４０の上面に配置されている。図示のように、第１の導
電型のドーパント、ここではＮ型導電性のガリウム砒素
を有するＩＩＩ−Ｖコレクタ層８３が、基板４０の上面
の横方向に離間された部分の上に配置されている。Ｎ型
導電性のガリウム砒素コレクタ層８３は、図示のよう
に、サブコレクタ層８１の一部の上に配置されている。
第１の導電型のドーパントとは反対の、比較的高い第２
の導電型のドーパント（即ち、ここではＰ+型導電性）
のＩＩＩ−Ｖ、ここでは、ガリウム砒素のベース層８４
が、コレクタ層８３の表面上にエピタキシャル成長によ
って形成されている。ＩＩＩ−Ｖ、例えば、ここでは砒
化アルミニウム・ガリウム（aluminum gallium arsenid
e）または燐化インディウム・ガリウム（indium galliu
m phosphide）のエミッタ領域８６が、ベース領域層８
４上にエピタキシャル形成され、ＩＩＩ−Ｖエミッタ領
域８６とベース領域層８４との間にヘテロ接合を備え
る。エミッタ領域８６は、Ｎ型導電性を有する。エミッ
タ電極８８が、エミッタ領域８６上に配置されている。
図示のように、付番しない窒化シリコンの誘電体材料
が、エミッタ電極８８およびエミッタ領域８６の外側の
側壁周囲に配されている。
【００３１】コレクタ電極９０ａ，９０ｂ（図６，図
７）が、図示のように、オーミック・コンタクト金属９
４を介して、それぞれ図示のように、トランジスタ・セ
ル２４ 6，２４7のために、サブコレクタ層８１に電気的
に接続されている。ベース電極９２が、図示のように、
オーミック・コンタクト金属８６を介して、ベース層８
４に電気的に接続されている。ベース電極９２は、コレ
クタ電極９０とエミッタ電極８８との間のキャリアの流
れを制御するように構成されている。尚、図５に一層明
確に示すように、コレクタ電極９０ｂはエアー・ブリッ
ジ８２4に接続されていることを注記しておく。また、
図７に一層明確に示すように、エミッタ電極８８はエア
ー・ブリッジ８０3に接続されていることを注記してお
く。更に、図示のように、エアー・ブリッジ８０3は、
抵抗２６４の一方の電極に接続され、抵抗２６4の他方
の電極はバイア・コンタクト２７2に接続されているこ
とも注記しておく。更に、エアー・ブリッジ８０3は、
バス６２上、およびトランジスタ・セル２４6，２４7の
各々に用いられる１対のベース電極９２の一方の上を通
過する。また、バス６２は、図６に示すように、抵抗３
８1および３８2の一方の電極に接続されていることも注
記しておく。
７）が、図示のように、オーミック・コンタクト金属９
４を介して、それぞれ図示のように、トランジスタ・セ
ル２４ 6，２４7のために、サブコレクタ層８１に電気的
に接続されている。ベース電極９２が、図示のように、
オーミック・コンタクト金属８６を介して、ベース層８
４に電気的に接続されている。ベース電極９２は、コレ
クタ電極９０とエミッタ電極８８との間のキャリアの流
れを制御するように構成されている。尚、図５に一層明
確に示すように、コレクタ電極９０ｂはエアー・ブリッ
ジ８２4に接続されていることを注記しておく。また、
図７に一層明確に示すように、エミッタ電極８８はエア
ー・ブリッジ８０3に接続されていることを注記してお
く。更に、図示のように、エアー・ブリッジ８０3は、
抵抗２６４の一方の電極に接続され、抵抗２６4の他方
の電極はバイア・コンタクト２７2に接続されているこ
とも注記しておく。更に、エアー・ブリッジ８０3は、
バス６２上、およびトランジスタ・セル２４6，２４7の
各々に用いられる１対のベース電極９２の一方の上を通
過する。また、バス６２は、図６に示すように、抵抗３
８1および３８2の一方の電極に接続されていることも注
記しておく。
【００３２】図５を参照し、上側プレートＰU（即ち、
導電層３５）は、抵抗３０4，３０5の一方の電極に電気
的に接続されていることを注記しておく。抵抗３０4，
３０5の他方の電極は、バス４２に接続されている状態
が示されている。また、バス４２には、トランジスタ・
セル２８7，２８8のベース電極１００も接続されてい
る。また、トランジスタ・セル２８1〜２８24は、図７
に示すトランジスタ・セル２４6，２４7と実質的に同一
であることも注記しておく。１対の隣接するセルの一例
２８7，２８8のコレクタ電極１０２は、出力バス２４に
接続されている。
導電層３５）は、抵抗３０4，３０5の一方の電極に電気
的に接続されていることを注記しておく。抵抗３０4，
３０5の他方の電極は、バス４２に接続されている状態
が示されている。また、バス４２には、トランジスタ・
セル２８7，２８8のベース電極１００も接続されてい
る。また、トランジスタ・セル２８1〜２８24は、図７
に示すトランジスタ・セル２４6，２４7と実質的に同一
であることも注記しておく。１対の隣接するセルの一例
２８7，２８8のコレクタ電極１０２は、出力バス２４に
接続されている。
【００３３】セル２４6，２４7，２８7，２８6（図５）
の各々は、図示のように、１対のベース電極９２，１０
０（図６）をそれぞれエミッタ電極８８，１０４の各側
に１つずつ有することを注記しておく。また、トランジ
スタ・セル２４1〜２４24，２８1〜２８24は、例えば、
図４のＣに示すセル２４6，２４7のように、メサ構造で
ある。ベースおよびコレクタ電極９０，９２，１００，
１０２は、基板４０上に配置され、基板４０から短いエ
アー・ブリッジとしてのメサの縁上を通過する形成部分
によって、フィンガ状、即ち、細長いベースおよびコレ
クタ電極に接続されている。
の各々は、図示のように、１対のベース電極９２，１０
０（図６）をそれぞれエミッタ電極８８，１０４の各側
に１つずつ有することを注記しておく。また、トランジ
スタ・セル２４1〜２４24，２８1〜２８24は、例えば、
図４のＣに示すセル２４6，２４7のように、メサ構造で
ある。ベースおよびコレクタ電極９０，９２，１００，
１０２は、基板４０上に配置され、基板４０から短いエ
アー・ブリッジとしてのメサの縁上を通過する形成部分
によって、フィンガ状、即ち、細長いベースおよびコレ
クタ電極に接続されている。
【００３４】また、エミッタ電極８８，１００もフィン
ガ状（即ち、細長い電極）であり、図示のように、セル
２８7，２８8のためのエアー・ブリッジ８０3およびエ
アー・ブリッジ１１０によって、１対のトランジスタ・
セル２４6，２４7間に配置されているエミッタ・パッド
１０８に電気的に接続されている。
ガ状（即ち、細長い電極）であり、図示のように、セル
２８7，２８8のためのエアー・ブリッジ８０3およびエ
アー・ブリッジ１１０によって、１対のトランジスタ・
セル２４6，２４7間に配置されているエミッタ・パッド
１０８に電気的に接続されている。
【００３５】その他の実施形態も、請求項の精神および
範囲内に該当するものとする。
範囲内に該当するものとする。
【図１】従来技術による増幅器の概略図である。
【図２】図２Ａおよび図２Ｂはそれぞれ本発明による増
幅器の回路図および構成図である。
幅器の回路図および構成図である。
【図３】図２Ａおよび図２Ｂの増幅器の平面図である。
【図４】図３の増幅器の回路図である。
【図５】図３の増幅器の一部分の概略平面図であり、こ
の部分は、かかる増幅器に用いられ、図２Ａおよび図２
Ｂの増幅器に共通ベース・トランジスタとなるように構
成された、１対の隣接するトランジスタ・セルを示す。
の部分は、かかる増幅器に用いられ、図２Ａおよび図２
Ｂの増幅器に共通ベース・トランジスタとなるように構
成された、１対の隣接するトランジスタ・セルを示す。
【図６】図３の増幅器の一部分の概略平面図であり、こ
の部分は、かかる増幅器に用いられ、共通エミッタ・ト
ランジスタとなるように構成された、１対の隣接するト
ランジスタ・セルを示す。
の部分は、かかる増幅器に用いられ、共通エミッタ・ト
ランジスタとなるように構成された、１対の隣接するト
ランジスタ・セルを示す。
【図７】図６に示す増幅器の部分の断面図であり、この
断面図は、図６の線４Ｃ−４Ｃに沿った図である。
断面図は、図６の線４Ｃ−４Ｃに沿った図である。
【図８】図３の増幅器に用いられるコンデンサの一部の
概略断面図であり、この断面図は図５の線４Ｄ−４Ｄに
沿った図である。
概略断面図であり、この断面図は図５の線４Ｄ−４Ｄに
沿った図である。
２０ 増幅器 ２４，２８ トランジスタ ２６ 第１抵抗 ２７ 導電性バイア・コンタク ２９ 誘電体層 ３０ 第２抵抗 ３２ コンデンサ ３３，３５ 導電層 ３４ 出力 ３６ 入力 ３７ 接地面導体 ３８ 第３抵抗 ３９ バイア導体 ４０ 基板 ４２，４４ バス ５０，５２ 活性領域
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１０年１２月２１日（１９９８．１２．
２１）
２１）
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１０年１２月２１日（１９９８．１２．
２１）
２１）
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マーク・ピー・ザイトリン アメリカ合衆国マサチューセッツ州01451, ハーヴァード，ピンクル・ロード 88 Ｆターム(参考） 5J092 AA01 AA13 CA27 CA35 FA16 HA02 HA24 HA25 HA29 HA37 MA09 QA02 QA03 SA08
Claims (37)
- 【請求項１】 カスコード構成に配列された１対のトラ
ンジスタを有する増幅器であって、 基板と、 前記基板の一表面の横方向に離間された１対の領域に沿
って形成された１対の細長い活性領域であって、各々、
複数の電気的に相互接続されたトランジスタ・セルがそ
の内部に形成されている活性領域と、を備え、 第１の活性領域内の前記トランジスタ・セルが、共通エ
ミッタ構成で相互接続され、前記１対のトランジスタの
一方を構成し、第２の活性領域内の前記複数のトランジ
スタ・セルが、共通ベース構成で相互接続され、前記１
対のトランジスタの他方を構成する、増幅器。 - 【請求項２】 請求項１記載の増幅器であって、前記基
板の前記表面上に配置された複数の第１の抵抗を含み、
該抵抗の各々は、その第１の電極が接地電位に結合する
ように適合され、その第２電極が、前記第１の活性領域
内に形成された隣接するトランジスタ・セルの対応する
対のエミッタ領域に接続されている、増幅器。 - 【請求項３】 請求項２記載の増幅器において、前記第
１の活性領域内の前記トランジスタ・セルの各々が、前
記第２の活性領域内の前記トランジスタ・セルの対応す
るもののエミッタ領域に接続されたコレクタ領域を有す
る、増幅器。 - 【請求項４】 請求項３記載の増幅器であって、前記基
板の前記表面上に配置された出力バスを含み、前記第２
の活性領域内の前記トランジスタ・セルの前記コレクタ
領域が、前記出力バスに接続され、該バスが前記増幅器
の出力を提供する、増幅器。 - 【請求項５】 請求項４記載の増幅器であって、前記基
板上にコンデンサを含み、該コンデンサが、前記第２の
領域内の前記トランジスタ・セルのベース領域に結合さ
れた第１の上側プレートと、接地に結合するように適合
された第２の下側プレートとを有する、増幅器。 - 【請求項６】 請求項５記載の増幅器において、前記コ
ンデンサの前記上側プレートが、前記第１および第２の
活性領域の間の、前記基板の表面部分上に配された細長
い導電層を備え、該導電層がバスを提供する、増幅器。 - 【請求項７】 請求項６記載の増幅器において、前記第
２の抵抗の第１の電極が、前記バスに沿って連続的に接
続されている、増幅器。 - 【請求項８】 請求項７記載の増幅器において、前記バ
スが、前記第２の活性領域内の前記トランジスタ・セル
の前記ベース領域にＤＣ電源を結合するように適合され
たコンタクト・パッド内において終端する、増幅器。 - 【請求項９】 請求項７記載の増幅器において、第２の
導電層が、前記最初に述べた導電層の下に配され、これ
から絶縁的に分離され、前記コンデンサの第２のプレー
トを提供する、増幅器。 - 【請求項１０】 請求項９記載の増幅器において、前記
導電層に平行に第２のバスが配置され、前記第２の抵抗
の第１の電極が、前記第２のバスに沿って連続的に接続
されている、増幅器。 - 【請求項１１】 請求項１０記載の増幅器において、前
記第２の活性領域内の前記トランジスタ・セルのベース
電極が、同様に前記第２のバスに沿って連続的に接続さ
れ、これによって、ベース電極を前記第２の抵抗の前記
第１の電極に電気的に相互接続する、増幅器。 - 【請求項１２】 請求項１１記載の増幅器において、前
記第２の抵抗の第２の電極が、前記コンデンサの前記上
側プレートを提供する、前記最初に述べた導電層に沿っ
て連続的に接続され、前記第２の活性領域内の前記トラ
ンジスタ・セルの前記ベース電極が、前記複数の第２の
抵抗を介して、前記コンデンサの前記上側プレートに接
続されている、増幅器。 - 【請求項１３】 請求項１２記載の増幅器において、前
記第２の複数の抵抗が、前記細長い導電層と前記第２の
活性領域との間にある、前記基板の前記表面の領域上に
配置されている、増幅器。 - 【請求項１４】 請求項１３記載の増幅器において、前
記基板の細長い領域内に、複数の導電性バイア・コンタ
クトが配置され、前記第１の活性領域が、前記細長い導
電性バイア・コンタクト領域と前記導電層との間に配置
されている、増幅器。 - 【請求項１５】 請求項１４記載の増幅器において、前
記導電性バイア・コンタクトが、前記第１の抵抗の前記
第１の電極に電気的に接続されている、増幅器。 - 【請求項１６】 請求項１５記載の増幅器において、前
記第１の活性領域と前記細長い導電性バイア・コンタク
ト領域との間に、第３の細長いバスが配置され、前記第
１の活性領域内の前記複数のトランジスタ・セルのベー
ス領域を電気的に接続する、増幅器。 - 【請求項１７】 請求項１６記載の増幅器において、前
記第１の活性領域内の前記トランジスタ・セルのベース
領域が、前記第３の細長いバスに沿って連続的に電気的
に接続されている、増幅器。 - 【請求項１８】 請求項１７記載の増幅器において、前
記基板の前記表面上に、第３の複数の抵抗が配置されて
いる、増幅器。 - 【請求項１９】 請求項１８記載の増幅器において、前
記第３の複数の抵抗が、前記バス、前記第１および第２
の活性領域に対して垂直に、かつ前記導電性バイア・コ
ンタクトの隣接する対間に配置されている、増幅器。 - 【請求項２０】 請求項１９記載の増幅器において、前
記第３の抵抗は、その第１の電極が前記増幅器の入力に
結合するように適合され、その第２の電極が前記第３の
細長いバスに沿って連続的に電気的に接続されている、
増幅器。 - 【請求項２１】 請求項２０記載の増幅器において、複
数のブリッジが、前記基板の前記表面上に配置され、該
ブリッジが前記第３の細長いバス上を通過し、前記第１
の複数の抵抗を、前記第１の活性領域内の前記トランジ
スタ・セルの前記エミッタ領域に電気的に接続する、増
幅器。 - 【請求項２２】 請求項２１記載の増幅器において、前
記基板の前記表面上に第２の複数のブリッジが配置さ
れ、該第２の複数のブリッジが、前記導電層、前記最初
に述べたバスおよび前記第２の導電性バス上を通過し、
前記第２の活性領域内の前記トランジスタ・セルのエミ
ッタ領域を、前記第１の活性領域内の前記トランジスタ
・セルの前記コレクタ領域に相互接続する、増幅器。 - 【請求項２３】 請求項２２記載の増幅器において、前
記第２のブリッジの各々が、前記第１の活性領域内の前
記トランジスタ・セルの内１つのコレクタ領域を、前記
第２の活性領域内の隣接する１対のトランジスタ・セル
のエミッタ領域に電気的に接続する、増幅器。 - 【請求項２４】 請求項５記載の増幅器であって、前記
基板の前記表面上に配置された複数の第２の抵抗を含
み、該第２の抵抗の各々が、前記第２の活性領域内の前
記トランジスタ・セルのベース領域と、前記コンデンサ
の前記上側プレートとの間に電気的に接続されている、
増幅器。 - 【請求項２５】 請求項２４記載の増幅器において、前
記上側プレートが、前記第１および第２の活性領域間の
前記基板の前記表面上に配置された、細長い導電層を備
える、増幅器。 - 【請求項２６】 請求項２５記載の増幅器であって、前
記最初に述べた導電層の下に、これから絶縁的に分離さ
れた第２の導電層を含み、前記コンデンサの第２のプレ
ートを提供する、増幅器。 - 【請求項２７】 請求項２６記載の増幅器において、前
記第２の複数の抵抗が、前記細長い導電層と前記第２の
活性領域との間にある、前記基板の前記表面の領域上に
配置されている、増幅器。 - 【請求項２８】 請求項２７記載の増幅器であって、前
記基板の細長い領域内に形成された、複数の導電性バイ
ア・コンタクトを含み、前記第１の活性領域が、前記細
長い導電性バイア領域と前記導電層との間に配置されて
いる、増幅器。 - 【請求項２９】 請求項２８記載の増幅器において、前
記導電性バイア・コンタクトが、前記第１の抵抗の前記
第１の電極に電気的に接続されている、増幅器。 - 【請求項３０】 請求項２９記載の増幅器において、前
記複数の導電性バイア・コンタクトの各々が、前記第１
の抵抗の複数の前記第１の電極に接続されている、増幅
器。 - 【請求項３１】 請求項３０記載の増幅器であって、前
記第１の活性領域と前記細長い導電性バイア・コンタク
ト領域との間に配され、前記第１の活性領域内の前記複
数のトランジスタ・セルのベース領域を電気的に相互接
続する第２の細長いバスを含む、増幅器。 - 【請求項３２】 請求項３１記載の増幅器であって、前
記基板の前記表面上に配された、第３の複数の抵抗を含
む、増幅器。 - 【請求項３３】 請求項３２記載の増幅器において、前
記第３の複数の抵抗が、前記第１および第２の活性領域
に対して垂直に、かつ前記導電性バイア・コンタクトの
隣接する対の間に配置されている、増幅器。 - 【請求項３４】 請求項３２記載の増幅器において、前
記第３の抵抗の各々が、前記増幅器の入力に結合するよ
うに適合された第１の電極と、前記第２のバスに電気的
に接続された第２の電極とを有する、増幅器。 - 【請求項３５】 請求項３４記載の増幅器において、前
記第３の複数の抵抗が、前記第２のバスに沿って連続的
に接続されている、増幅器。 - 【請求項３６】 請求項３５記載の増幅器であって、前
記基板の前記表面上に配置された複数のブリッジを含
み、該ブリッジの各々が、前記第２のバス上を通過し、
前記第１の複数の抵抗を、前記第１の活性領域内の前記
トランジスタ・セルの前記エミッタ領域に電気的に接続
する、増幅器。 - 【請求項３７】 請求項３６記載の増幅器であって、前
記基板の前記表面上に配置された第２の複数のブリッジ
を含み、該第２の複数のブリッジの各々が、前記導電層
および前記第１のバス上を通過し、前記第２の活性領域
内の前記トランジスタ・セルの内１つのエミッタ領域
を、前記第１の活性領域内の前記トランジスタ・セルの
対応するもののコレクタ領域に電気的に相互接続する、
増幅器。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28815698A JP4084475B2 (ja) | 1998-10-09 | 1998-10-09 | カスコード増幅器 |
| FR9812943A FR2784819B1 (fr) | 1998-10-09 | 1998-10-15 | Amplificateur cascode |
| DE19847828A DE19847828A1 (de) | 1998-10-09 | 1998-10-16 | Kaskadenverstärker |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28815698A JP4084475B2 (ja) | 1998-10-09 | 1998-10-09 | カスコード増幅器 |
| FR9812943A FR2784819B1 (fr) | 1998-10-09 | 1998-10-15 | Amplificateur cascode |
| DE19847828A DE19847828A1 (de) | 1998-10-09 | 1998-10-16 | Kaskadenverstärker |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000124742A true JP2000124742A (ja) | 2000-04-28 |
| JP4084475B2 JP4084475B2 (ja) | 2008-04-30 |
Family
ID=27218739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28815698A Expired - Lifetime JP4084475B2 (ja) | 1998-10-09 | 1998-10-09 | カスコード増幅器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4084475B2 (ja) |
| DE (1) | DE19847828A1 (ja) |
| FR (1) | FR2784819B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014073091A1 (ja) * | 2012-11-09 | 2014-05-15 | 三菱電機株式会社 | カスコードアンプ |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3723894A (en) * | 1971-08-13 | 1973-03-27 | Gte Sylvania Inc | Automatic gain control circuit |
| US5049835A (en) * | 1990-02-27 | 1991-09-17 | Grumman Aerospace Corporation | Modified cascode circuit |
-
1998
- 1998-10-09 JP JP28815698A patent/JP4084475B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-15 FR FR9812943A patent/FR2784819B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-16 DE DE19847828A patent/DE19847828A1/de not_active Ceased
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014073091A1 (ja) * | 2012-11-09 | 2014-05-15 | 三菱電機株式会社 | カスコードアンプ |
| CN104769840A (zh) * | 2012-11-09 | 2015-07-08 | 三菱电机株式会社 | 共源共栅放大器 |
| KR20150082569A (ko) * | 2012-11-09 | 2015-07-15 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 캐스코드 앰프 |
| JP5843022B2 (ja) * | 2012-11-09 | 2016-01-13 | 三菱電機株式会社 | カスコードアンプ |
| KR101726109B1 (ko) | 2012-11-09 | 2017-04-11 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 캐스코드 앰프 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19847828A1 (de) | 2000-04-20 |
| FR2784819B1 (fr) | 2003-07-04 |
| JP4084475B2 (ja) | 2008-04-30 |
| FR2784819A1 (fr) | 2000-04-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6121842A (en) | Cascode amplifier | |
| US5084750A (en) | Push-pull heterojunction bipolar transistor | |
| JP5106041B2 (ja) | 半導体装置 | |
| TWI752598B (zh) | 放大電路之單位單元及功率放大器模組 | |
| US5986324A (en) | Heterojunction bipolar transistor | |
| JPH08279561A (ja) | バイポーラトランジスタ並びに該バイポーラトランジスタを用いた増幅器および集積回路 | |
| US6636118B1 (en) | High-frequency power amplification module and radio communication device | |
| US20230197611A1 (en) | Semiconductor device for rf integrated circuit | |
| CN1327523C (zh) | 具有基极条和集电极条的功率放大器 | |
| EP0494625B1 (en) | Semiconductor device for improving high-frequency characteristics and avoiding chip cracking | |
| US5027183A (en) | Isolated semiconductor macro circuit | |
| US6034383A (en) | High power density microwave HBT with uniform signal distribution | |
| US5274342A (en) | Microwave monolithic integrated circuit (MMIC) including distributed cascode bipolar transistor amplifier unit | |
| JP2000124742A (ja) | カスコード増幅器 | |
| US5317173A (en) | HBT differential pair chip for quasi-optic amplifiers | |
| US20120068793A1 (en) | Micropstrip transmission line/coplanar waveguide (cpw) transistor structure | |
| US5929468A (en) | Compound semiconductor device | |
| JP2554672B2 (ja) | 電界効果型半導体装置 | |
| SE509780C2 (sv) | Bipolär effekttransistor och framställningsförfarande | |
| KR100519706B1 (ko) | 캐스코드 증폭기 | |
| EP4333296A1 (en) | Digital rf amplifier | |
| US5410158A (en) | Bipolar transistor apparatus with iso-terminals | |
| JPH08111618A (ja) | マイクロ波半導体装置 | |
| TWI763363B (zh) | 功率放大元件 | |
| US6521972B1 (en) | RF power transistor having low parasitic impedance input feed structure |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050607 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070912 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070920 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071212 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080117 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080215 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110222 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120222 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120222 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130222 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130222 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140222 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |