JP2000121318A - 光干渉計の干渉位相検出方式 - Google Patents
光干渉計の干渉位相検出方式Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 １本のレーザ光を被測定面に照射することに
よって、被測定面の段差間距離又は突起物の高さに相当
する位相差を測定できるようにする。 【解決手段】光干渉計の干渉位相検出方式はレーザ光を
分岐し、分岐されたレーザ光を異なる周波数で変調し、
基準面と測定面に照射し、そこからのそれぞれの反射光
の干渉成分を受光素子手段で受光することによって測定
面における基準面からの高さを検出する。受光素子手段
は反射光の干渉成分を受光するライン型センサで構成さ
れ、測定面兼用の複数の画素群と、この画素群の両側に
設けられた基準面専用の複数の画素群とを有する。基準
面位相算出手段は測定面兼用の画素群の中の測定点の画
素に対する基準面位相信号を、測定点の画素を中心に左
右対称に位置する所定数の画素群の信号の平均値に基づ
いて算出する。測定点位相算出手段は測定点の画素の信
号に基づいて測定点の画素に入射した反射光の測定点位
相信号を算出する。高さ算出手段は測定点位相信号から
基準面位相信号を減算することによって基準面から測定
点までの高さに相当する信号を算出する。
よって、被測定面の段差間距離又は突起物の高さに相当
する位相差を測定できるようにする。 【解決手段】光干渉計の干渉位相検出方式はレーザ光を
分岐し、分岐されたレーザ光を異なる周波数で変調し、
基準面と測定面に照射し、そこからのそれぞれの反射光
の干渉成分を受光素子手段で受光することによって測定
面における基準面からの高さを検出する。受光素子手段
は反射光の干渉成分を受光するライン型センサで構成さ
れ、測定面兼用の複数の画素群と、この画素群の両側に
設けられた基準面専用の複数の画素群とを有する。基準
面位相算出手段は測定面兼用の画素群の中の測定点の画
素に対する基準面位相信号を、測定点の画素を中心に左
右対称に位置する所定数の画素群の信号の平均値に基づ
いて算出する。測定点位相算出手段は測定点の画素の信
号に基づいて測定点の画素に入射した反射光の測定点位
相信号を算出する。高さ算出手段は測定点位相信号から
基準面位相信号を減算することによって基準面から測定
点までの高さに相当する信号を算出する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光の位相干渉を
用いた光干渉計を用いて磁気ディスクなどの表面欠陥を
正確に検出する光干渉計の干渉位相検出方式に関する。
用いた光干渉計を用いて磁気ディスクなどの表面欠陥を
正確に検出する光干渉計の干渉位相検出方式に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年ではパーソナルコンピュータの情報
記憶媒体としてハードディスク装置が標準装備されるよ
うになり、その容量も数Ｇバイト程度のものが主流であ
る。また、ノート型パソコンにおいては、小さな容積に
対して高密度のハードディスク装置を内蔵可能にするこ
とが望まれている。
記憶媒体としてハードディスク装置が標準装備されるよ
うになり、その容量も数Ｇバイト程度のものが主流であ
る。また、ノート型パソコンにおいては、小さな容積に
対して高密度のハードディスク装置を内蔵可能にするこ
とが望まれている。
【０００３】ハードディスク装置の記憶密度を上げるた
めには磁気ヘッドの磁気ディスク表面からの浮上量を２
０〜５０ｎｍ程度と極めて小さくしなければならない。
このようなハードディスク装置に用いられる磁気ディス
クの表面欠陥を検査する場合、その浮上量に応じた検出
精度で行わなければならない。
めには磁気ヘッドの磁気ディスク表面からの浮上量を２
０〜５０ｎｍ程度と極めて小さくしなければならない。
このようなハードディスク装置に用いられる磁気ディス
クの表面欠陥を検査する場合、その浮上量に応じた検出
精度で行わなければならない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来、磁気ディスクの
表面欠陥の検査は、グライドテスタと呼ばれる装置で行
っていた。グライドテスタは、予め設定された浮上量で
磁気ディスクを回転させ、そのときに磁気ヘッドがディ
スク表面の異常突起に何回衝突したかを検出し、その衝
突回数に基づいてその磁気ディスクのグライドレベル
（磁気ディスク表面の突起高さ）を判定している。
表面欠陥の検査は、グライドテスタと呼ばれる装置で行
っていた。グライドテスタは、予め設定された浮上量で
磁気ディスクを回転させ、そのときに磁気ヘッドがディ
スク表面の異常突起に何回衝突したかを検出し、その衝
突回数に基づいてその磁気ディスクのグライドレベル
（磁気ディスク表面の突起高さ）を判定している。
【０００５】ところが、浮上量が２０〜５０ｎｍ程度の
極めて小さな値になると、磁気ヘッドが異常突起に衝突
する回数も増加し、衝突によって磁気ヘッドがディスク
表面に接触し、磁気ヘッドが頻繁に破損することとな
り、その交換や位置合わせなどに多大の時間を要するよ
うになるため問題であった。
極めて小さな値になると、磁気ヘッドが異常突起に衝突
する回数も増加し、衝突によって磁気ヘッドがディスク
表面に接触し、磁気ヘッドが頻繁に破損することとな
り、その交換や位置合わせなどに多大の時間を要するよ
うになるため問題であった。
【０００６】そこで、最近では、異常突起の高さを光学
的に検出し、グライドテスタと同じような試験を行って
いる。このような装置を光学式グライドテスタと呼ぶ。
図５は従来の光学式グライドテスタの概略構成を示す図
である。光学式グライドテスタの基本構成は光干渉計で
ある。レーザ装置３１は波長５３２ｎｍのレーザ光ｆ１
を出射する。レーザ光ｆ１は変調手段３２によって変調
される。変調手段３２は、ビームスプリッタ３３及び３
４、光学音響素子（ＡＯＭ：Ａｃｃｕｓｔｏ−Ｏｐｔｉ
ｃ Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）３５及び３６、反射鏡３７及
び３８から構成される。レーザ光ｆ１は、ビームスプリ
ッタ３３によって反射レーザ光ｆ４と透過レーザ光ｆ２
に分岐される。透過レーザ光ｆ２は光学音響素子３５に
入射し、そこで周波数ｆｍの変調が加えら、レーザ光ｆ
３（＝ｆ２＋ｆｍ）として出射される。一方、反射レー
ザ光ｆ４は反射鏡３７によって再び反射し、光学音響素
子３６に入射し、そこで周波数ｆｎの変調が加えられ、
レーザ光ｆ５（＝ｆ４＋ｆｎ）として出射される。光学
音響素子３５から出射するレーザ光ｆ３は反射鏡３８で
反射され、ビームスプリッタ３４に入射する。一方、光
学音響素子３６から出射するレーザ光ｆ５もビームスプ
リッタ３４に入射する。ビームスプリッタ３４に入射し
たレーザ光ｆ３とレーザ光ｆ５は合成されて、分岐手段
３９に入射する。
的に検出し、グライドテスタと同じような試験を行って
いる。このような装置を光学式グライドテスタと呼ぶ。
図５は従来の光学式グライドテスタの概略構成を示す図
である。光学式グライドテスタの基本構成は光干渉計で
ある。レーザ装置３１は波長５３２ｎｍのレーザ光ｆ１
を出射する。レーザ光ｆ１は変調手段３２によって変調
される。変調手段３２は、ビームスプリッタ３３及び３
４、光学音響素子（ＡＯＭ：Ａｃｃｕｓｔｏ−Ｏｐｔｉ
ｃ Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）３５及び３６、反射鏡３７及
び３８から構成される。レーザ光ｆ１は、ビームスプリ
ッタ３３によって反射レーザ光ｆ４と透過レーザ光ｆ２
に分岐される。透過レーザ光ｆ２は光学音響素子３５に
入射し、そこで周波数ｆｍの変調が加えら、レーザ光ｆ
３（＝ｆ２＋ｆｍ）として出射される。一方、反射レー
ザ光ｆ４は反射鏡３７によって再び反射し、光学音響素
子３６に入射し、そこで周波数ｆｎの変調が加えられ、
レーザ光ｆ５（＝ｆ４＋ｆｎ）として出射される。光学
音響素子３５から出射するレーザ光ｆ３は反射鏡３８で
反射され、ビームスプリッタ３４に入射する。一方、光
学音響素子３６から出射するレーザ光ｆ５もビームスプ
リッタ３４に入射する。ビームスプリッタ３４に入射し
たレーザ光ｆ３とレーザ光ｆ５は合成されて、分岐手段
３９に入射する。
【０００７】分岐手段３９はビームスプリッタ３４から
のレーザ光ｆ３とｆ５の合成レーザ光ｆ３＋ｆ５を進行
方向及び光路長が同じで所定距離だけ離れた２つのレー
ザ光ｆ３１＋ｆ５１及びｆ３２＋ｆ５２に分岐し、それ
らを偏光ビームスプリッタ３Ａに出射する。偏光ビーム
スプリッタ３Ａは２つのレーザ光ｆ３１＋ｆ５１及びｆ
３２＋ｆ５２の一部（所定方向の直線偏光ｆ３１及びｆ
３２）を反射して、参照面３Ｂに照射し、残りのレーザ
光ｆ５１及びｆ５２を透過して、それを測定面３Ｃの各
地点Ａ及びＢに照射する。なお、参照面３Ｂと偏光ビー
ムスプリッタ３Ａとの間、及び測定面３Ｃと偏光ビーム
スプリッタ３Ａとの間には直線偏光を円偏光に変換する
４分の１波長板３Ｄ及び４分の１波長板３Ｅが設けられ
ている。参照面３Ｂで反射したレーザ光ｆ３１及びｆ３
２は、直線偏光から円偏光に変換されているので、偏光
ビームスプリッタ３Ａを透過して受光素子３Ｆ及び３Ｇ
に入射する。測定面３Ｃで反射したレーザ光ｆ５１及び
ｆ５２も同じく直線偏光から円偏光に変換されているの
で、偏光ビームスプリッタ３Ａで反射して受光素子３Ｆ
及び３Ｇに入射する。
のレーザ光ｆ３とｆ５の合成レーザ光ｆ３＋ｆ５を進行
方向及び光路長が同じで所定距離だけ離れた２つのレー
ザ光ｆ３１＋ｆ５１及びｆ３２＋ｆ５２に分岐し、それ
らを偏光ビームスプリッタ３Ａに出射する。偏光ビーム
スプリッタ３Ａは２つのレーザ光ｆ３１＋ｆ５１及びｆ
３２＋ｆ５２の一部（所定方向の直線偏光ｆ３１及びｆ
３２）を反射して、参照面３Ｂに照射し、残りのレーザ
光ｆ５１及びｆ５２を透過して、それを測定面３Ｃの各
地点Ａ及びＢに照射する。なお、参照面３Ｂと偏光ビー
ムスプリッタ３Ａとの間、及び測定面３Ｃと偏光ビーム
スプリッタ３Ａとの間には直線偏光を円偏光に変換する
４分の１波長板３Ｄ及び４分の１波長板３Ｅが設けられ
ている。参照面３Ｂで反射したレーザ光ｆ３１及びｆ３
２は、直線偏光から円偏光に変換されているので、偏光
ビームスプリッタ３Ａを透過して受光素子３Ｆ及び３Ｇ
に入射する。測定面３Ｃで反射したレーザ光ｆ５１及び
ｆ５２も同じく直線偏光から円偏光に変換されているの
で、偏光ビームスプリッタ３Ａで反射して受光素子３Ｆ
及び３Ｇに入射する。
【０００８】受光素子３Ｆ及び３Ｇは、参照面３Ｂで反
射したレーザ光ｆ３１及びｆ３２と、測定面３Ｃで反射
したレーザ光ｆ５１及びｆ５２の合成されたレーザ光ｆ
６及びｆ７を入射し、それに応じた電気信号を位相差測
定回路３Ｈに出力する。位相差測定回路３Ｈは受光素子
３Ｆ及び３Ｇからの電気信号に基づいて測定面３Ｃの突
起高さを測定する。
射したレーザ光ｆ３１及びｆ３２と、測定面３Ｃで反射
したレーザ光ｆ５１及びｆ５２の合成されたレーザ光ｆ
６及びｆ７を入射し、それに応じた電気信号を位相差測
定回路３Ｈに出力する。位相差測定回路３Ｈは受光素子
３Ｆ及び３Ｇからの電気信号に基づいて測定面３Ｃの突
起高さを測定する。
【０００９】図６及び図７は、突起の高さがどのように
して測定されるのか、その検出原理を示す図であり、図
６は測定面に突起又は段差等がない場合を示し、図７は
測定面に高さΔδの突起又は段差等が存在する場合を示
す。図６及び図７には、図５における偏光ビームスプリ
ッタ３Ａ、参照面３Ｂ、測定面３Ｃ、受光素子３Ｆ及び
３Ｇのみが示されている。レーザ光ｆ６及びｆ７の入射
によって受光素子３Ｆ及び３Ｇからは、図６及び図７の
右側に示すような干渉出力信号がそれぞれ出力される。
レーザ装置３１からは波長５３２ｎｍのレーザ光が出力
し、それを変調手段３２で変調周波数ｆｍ＝１５０ＭＨ
ｚ、変調周波数ｆｎ＝１４０ＭＨｚのように約１０ＭＨ
ｚの周波数差となるように変調する。これによって、受
光素子３Ｆ及び３Ｇは周波数１０ＭＨｚ（周期１００ｎ
ｓｅｃ）の干渉出力信号を出力するようになる。この干
渉出力信号の１周期がレーザ光の波長の約２分の１であ
る２６６ｎｍに相当するので、この受光素子３Ｆ及び３
Ｇから出力される干渉出力信号の位相差を測定すること
によって、測定面における地点Ａ及びＢの高さ、すなわ
ち突起の場合にはその突起の高さ、段差の場合にはその
段差間距離を測定することができる。
して測定されるのか、その検出原理を示す図であり、図
６は測定面に突起又は段差等がない場合を示し、図７は
測定面に高さΔδの突起又は段差等が存在する場合を示
す。図６及び図７には、図５における偏光ビームスプリ
ッタ３Ａ、参照面３Ｂ、測定面３Ｃ、受光素子３Ｆ及び
３Ｇのみが示されている。レーザ光ｆ６及びｆ７の入射
によって受光素子３Ｆ及び３Ｇからは、図６及び図７の
右側に示すような干渉出力信号がそれぞれ出力される。
レーザ装置３１からは波長５３２ｎｍのレーザ光が出力
し、それを変調手段３２で変調周波数ｆｍ＝１５０ＭＨ
ｚ、変調周波数ｆｎ＝１４０ＭＨｚのように約１０ＭＨ
ｚの周波数差となるように変調する。これによって、受
光素子３Ｆ及び３Ｇは周波数１０ＭＨｚ（周期１００ｎ
ｓｅｃ）の干渉出力信号を出力するようになる。この干
渉出力信号の１周期がレーザ光の波長の約２分の１であ
る２６６ｎｍに相当するので、この受光素子３Ｆ及び３
Ｇから出力される干渉出力信号の位相差を測定すること
によって、測定面における地点Ａ及びＢの高さ、すなわ
ち突起の場合にはその突起の高さ、段差の場合にはその
段差間距離を測定することができる。
【００１０】図６の場合、測定面３Ｃには突起又は段差
等が存在しないので、測定面３Ｃの地点Ａ及び地点Ｂで
反射した光は同じ光路長を経由して受光素子３Ｆ及び３
Ｇに入射する。従って、受光素子３Ｆ及び３Ｇの干渉出
力信号の位相は同じである。一方、図７の場合、測定面
３Ｃには段差が存在するので、図示のように受光素子３
Ｆ及び３Ｇの干渉出力信号は段差間距離Δδに相当する
Δｔの位相差を有する。この位相差Δｔが測定面３Ｃの
地点Ａ及びＢ間の段差間距離に相当する。従って、この
位相差Δｔを測定することによって、段差間距離Δδを
検出することができる。この位相差Δｔの測定は、測定
面の地点Ａの干渉出力信号を所定のスライス電圧でパル
ス化して得られた基準パルスＰＡと、測定面３Ｃの地点
Ｂの干渉出力信号を同じく所定のスライス電圧でパルス
化して得られた測定パルスＰＢとの位相を比較すること
によって行われる。
等が存在しないので、測定面３Ｃの地点Ａ及び地点Ｂで
反射した光は同じ光路長を経由して受光素子３Ｆ及び３
Ｇに入射する。従って、受光素子３Ｆ及び３Ｇの干渉出
力信号の位相は同じである。一方、図７の場合、測定面
３Ｃには段差が存在するので、図示のように受光素子３
Ｆ及び３Ｇの干渉出力信号は段差間距離Δδに相当する
Δｔの位相差を有する。この位相差Δｔが測定面３Ｃの
地点Ａ及びＢ間の段差間距離に相当する。従って、この
位相差Δｔを測定することによって、段差間距離Δδを
検出することができる。この位相差Δｔの測定は、測定
面の地点Ａの干渉出力信号を所定のスライス電圧でパル
ス化して得られた基準パルスＰＡと、測定面３Ｃの地点
Ｂの干渉出力信号を同じく所定のスライス電圧でパルス
化して得られた測定パルスＰＢとの位相を比較すること
によって行われる。
【００１１】ところが、従来のように２本のレーザ光の
一方を測定用とし、他方を基準用とした場合、欠陥の周
辺に他の欠陥や、欠陥でなくても微少凹凸が存在する場
合には、それらの影響を基準用のレーザ光も受けること
になり、正確な測定を行うことができないという問題が
ある。また、測定用センサ系（受光素子３Ｇ）と基準用
センサ系（受光素子３Ｆ）で発生するノイズ成分が自乗
和平均され、トータルのＳ／Ｎが低下するという問題も
ある。
一方を測定用とし、他方を基準用とした場合、欠陥の周
辺に他の欠陥や、欠陥でなくても微少凹凸が存在する場
合には、それらの影響を基準用のレーザ光も受けること
になり、正確な測定を行うことができないという問題が
ある。また、測定用センサ系（受光素子３Ｇ）と基準用
センサ系（受光素子３Ｆ）で発生するノイズ成分が自乗
和平均され、トータルのＳ／Ｎが低下するという問題も
ある。
【００１２】本発明は、上述の点に鑑みてなされたもの
であり、１本のレーザ光を被測定面に照射することによ
って、被測定面の段差間距離又は突起物の高さに相当す
る位相差を測定することのできる光干渉計の干渉位相検
出方式を提供することを目的とする。
であり、１本のレーザ光を被測定面に照射することによ
って、被測定面の段差間距離又は突起物の高さに相当す
る位相差を測定することのできる光干渉計の干渉位相検
出方式を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】出願時の請求項１に記載
された発明に係る光干渉計の干渉位相検出方式は、レー
ザ光を分岐し、分岐されたレーザ光を異なる周波数で変
調し、基準面と測定面に照射し、そこからのそれぞれの
反射光の干渉成分を受光することによって測定面におけ
る基準面からの高さを検出する光干渉計の干渉位相検出
方式において、前記反射光の干渉成分を受光するライン
型センサで構成され、測定面兼用の複数の画素群と、こ
の画素群の両側に設けられた基準面専用の複数の画素群
とを有する受光素子手段と、前記測定面兼用の画素群の
中の測定点の画素に対する基準面位相信号を、前記測定
点の画素を中心に左右対称に位置する所定数の画素群の
信号の平均値に基づいて算出する基準面位相算出手段
と、前記測定点の画素の信号に基づいて前記測定点の画
素に入射した前記反射光の測定点位相信号を算出する測
定点位相算出手段と、前記測定点位相信号から前記基準
面位相信号を減算することによって前記測定点の高さに
相当する信号を算出する高さ算出手段とを設けたもので
ある。
された発明に係る光干渉計の干渉位相検出方式は、レー
ザ光を分岐し、分岐されたレーザ光を異なる周波数で変
調し、基準面と測定面に照射し、そこからのそれぞれの
反射光の干渉成分を受光することによって測定面におけ
る基準面からの高さを検出する光干渉計の干渉位相検出
方式において、前記反射光の干渉成分を受光するライン
型センサで構成され、測定面兼用の複数の画素群と、こ
の画素群の両側に設けられた基準面専用の複数の画素群
とを有する受光素子手段と、前記測定面兼用の画素群の
中の測定点の画素に対する基準面位相信号を、前記測定
点の画素を中心に左右対称に位置する所定数の画素群の
信号の平均値に基づいて算出する基準面位相算出手段
と、前記測定点の画素の信号に基づいて前記測定点の画
素に入射した前記反射光の測定点位相信号を算出する測
定点位相算出手段と、前記測定点位相信号から前記基準
面位相信号を減算することによって前記測定点の高さに
相当する信号を算出する高さ算出手段とを設けたもので
ある。
【００１４】レーザ光はビームスプリッタによって互い
に偏光面が直交するように分岐される。分岐されたレー
ザ光に対して周波数変調が加えられ、参照面と測定面に
照射される。参照面と測定面で反射したレーザ光同士の
干渉波形を観察することによって測定面の段差間距離又
は突起物の高さなどの相当する位相差を検出する。従来
は、この干渉波形を基準点用と測定点用の２つに分岐し
て、それぞれの干渉波形を２つの受光素子で検出し、そ
の検出信号に基づいて基準点と測定点の位相差すなわち
測定面の段差間距離又は突起物の高さを検出していた。
この発明では、干渉波形を分岐することなく、１つの干
渉波形を１つの受光素子で受光することによって、測定
面の段差間距離又は突起物の高さを検出する。そこで、
この発明では、受光素子を測定面兼用の複数の画素群
と、この画素群の両側に設けられた基準面専用の複数の
画素群とを有するライン型センサで構成する。測定点の
画素の位相信号は、測定点の画素の信号に基づいて直接
求める。一方、基準面の画素の位相信号は、基準面位相
算出手段によって、その測定点の画素を中心に左右対称
に位置する所定数の画素群の信号の平均値に基づいて求
める。これを測定面兼用の画素に対して行う。これによ
って、微少凹凸が存在する場合でも、予め基準面用の画
素を特定したものに比べて、基準面位相のノイズは著し
く低減され、再現性が向上するという効果がある。
に偏光面が直交するように分岐される。分岐されたレー
ザ光に対して周波数変調が加えられ、参照面と測定面に
照射される。参照面と測定面で反射したレーザ光同士の
干渉波形を観察することによって測定面の段差間距離又
は突起物の高さなどの相当する位相差を検出する。従来
は、この干渉波形を基準点用と測定点用の２つに分岐し
て、それぞれの干渉波形を２つの受光素子で検出し、そ
の検出信号に基づいて基準点と測定点の位相差すなわち
測定面の段差間距離又は突起物の高さを検出していた。
この発明では、干渉波形を分岐することなく、１つの干
渉波形を１つの受光素子で受光することによって、測定
面の段差間距離又は突起物の高さを検出する。そこで、
この発明では、受光素子を測定面兼用の複数の画素群
と、この画素群の両側に設けられた基準面専用の複数の
画素群とを有するライン型センサで構成する。測定点の
画素の位相信号は、測定点の画素の信号に基づいて直接
求める。一方、基準面の画素の位相信号は、基準面位相
算出手段によって、その測定点の画素を中心に左右対称
に位置する所定数の画素群の信号の平均値に基づいて求
める。これを測定面兼用の画素に対して行う。これによ
って、微少凹凸が存在する場合でも、予め基準面用の画
素を特定したものに比べて、基準面位相のノイズは著し
く低減され、再現性が向上するという効果がある。
【００１５】出願時の請求項２に記載された本発明に係
る光干渉計の干渉位相検出方式は、前記請求項１に記載
の光干渉計の干渉位相検出方式の一実施態様として、前
記基準面専用の画素を前記測定面兼用の画素よりも大き
な画素面積で構成しているものである。これにより基準
面専用画素からの信号を処理する回路の数を大幅に省略
することができる。
る光干渉計の干渉位相検出方式は、前記請求項１に記載
の光干渉計の干渉位相検出方式の一実施態様として、前
記基準面専用の画素を前記測定面兼用の画素よりも大き
な画素面積で構成しているものである。これにより基準
面専用画素からの信号を処理する回路の数を大幅に省略
することができる。
【００１６】出願時の請求項３に記載された本発明に係
る光干渉計の干渉位相検出方式は、前記請求項１に記載
の光干渉計の干渉位相検出方式の一実施態様として、前
記基準面算出手段は、算出された基準面位相信号を所定
時間だけ遅延し、これらの遅延信号の平均値を算出する
ことによって、前記測定点位相信号を中心とする基準面
位相信号を生成し、前記測定点位相算出手段は、前記測
定点の画素の信号を前記所定時間の半分だけ遅延した前
記測定点位相信号に基づいて前記測定点の画素に入射し
た前記反射光の測定点位相信号を算出するようにしたも
のである。これによって、測定点の画素位置を基準面全
体の中心に配置できる。
る光干渉計の干渉位相検出方式は、前記請求項１に記載
の光干渉計の干渉位相検出方式の一実施態様として、前
記基準面算出手段は、算出された基準面位相信号を所定
時間だけ遅延し、これらの遅延信号の平均値を算出する
ことによって、前記測定点位相信号を中心とする基準面
位相信号を生成し、前記測定点位相算出手段は、前記測
定点の画素の信号を前記所定時間の半分だけ遅延した前
記測定点位相信号に基づいて前記測定点の画素に入射し
た前記反射光の測定点位相信号を算出するようにしたも
のである。これによって、測定点の画素位置を基準面全
体の中心に配置できる。
【００１７】出願時の請求項４に記載された本発明に係
る光干渉計の干渉位相検出方式は、前記請求項１に記載
の光干渉計の干渉位相検出方式の一実施態様として、前
記測定面兼用の画素群を所定数のグループに分割し、そ
のグループ毎に前記基準面位相算出手段によって基準面
位相信号を算出し、算出された基準面位相信号及び前記
グループ内に属する画素信号に基づいて前記グループ内
の測定点の高さに相当する信号を算出するようにしたも
のである。基準面位相信号を当該グループ毎に算出する
ことによって、演算を簡略化できる。
る光干渉計の干渉位相検出方式は、前記請求項１に記載
の光干渉計の干渉位相検出方式の一実施態様として、前
記測定面兼用の画素群を所定数のグループに分割し、そ
のグループ毎に前記基準面位相算出手段によって基準面
位相信号を算出し、算出された基準面位相信号及び前記
グループ内に属する画素信号に基づいて前記グループ内
の測定点の高さに相当する信号を算出するようにしたも
のである。基準面位相信号を当該グループ毎に算出する
ことによって、演算を簡略化できる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を添
付図面に従って説明する。図１は、本発明の光干渉計の
干渉位相検出方式の実施の形態に係る概略構成を示す図
である。レーザ装置３１は波長５３２ｎｍのレーザ光ｆ
１を出射する。ビームスプリッタ３３は、２つの偏光レ
ーザ光（透過レーザ光ｆ２と反射レーザ光ｆ３）を光学
音響素子３５及び３６に出力する。光学音響素子３５
は、透過レーザ光ｆ２に周波数ｆｍの変調を加え、それ
をレーザ光ｆ４（＝ｆ２＋ｆｍ）として反射鏡３８に出
射する。光学音響素子３６は反射レーザ光ｆ３に周波数
ｆｎの変調を加え、それをレーザ光ｆ５（＝ｆ３＋ｆ
ｎ）として反射鏡３７に出射する。光学音響素子３５か
ら出射するレーザ光ｆ４は反射鏡３８で反射し、ビーム
スプリッタ３４に入射する。一方、光学音響素子３６か
ら出射するレーザ光ｆ５も反射鏡３７で反射し、ビーム
スプリッタ３４に入射する。ビームスプリッタ３４に入
射したレーザ光ｆ４とレーザ光ｆ５は合成されて、偏光
ビームスプリッタ３Ａに入射される。
付図面に従って説明する。図１は、本発明の光干渉計の
干渉位相検出方式の実施の形態に係る概略構成を示す図
である。レーザ装置３１は波長５３２ｎｍのレーザ光ｆ
１を出射する。ビームスプリッタ３３は、２つの偏光レ
ーザ光（透過レーザ光ｆ２と反射レーザ光ｆ３）を光学
音響素子３５及び３６に出力する。光学音響素子３５
は、透過レーザ光ｆ２に周波数ｆｍの変調を加え、それ
をレーザ光ｆ４（＝ｆ２＋ｆｍ）として反射鏡３８に出
射する。光学音響素子３６は反射レーザ光ｆ３に周波数
ｆｎの変調を加え、それをレーザ光ｆ５（＝ｆ３＋ｆ
ｎ）として反射鏡３７に出射する。光学音響素子３５か
ら出射するレーザ光ｆ４は反射鏡３８で反射し、ビーム
スプリッタ３４に入射する。一方、光学音響素子３６か
ら出射するレーザ光ｆ５も反射鏡３７で反射し、ビーム
スプリッタ３４に入射する。ビームスプリッタ３４に入
射したレーザ光ｆ４とレーザ光ｆ５は合成されて、偏光
ビームスプリッタ３Ａに入射される。
【００１９】偏光ビームスプリッタ３Ａはレーザ光ｆ４
を反射して４分の１波長板３Ｄを介して参照面３Ｂに照
射し、またレーザ光ｆ０＋ｆ２を透過して４分の１波長
板３Ｅを介して測定面３Ｃに照射する。４分の１波長板
３Ｄ及び３Ｅを通過した直線偏光は円偏光に変換され
る。参照面３Ｂで反射したレーザ光ｆ４は、直線偏光か
ら円偏光に変換されているので、偏光ビームスプリッタ
３Ａを透過して偏光板２を介して受光素子３Ｍに入射す
る。一方、測定面３Ｃで反射したレーザ光ｆ５も同じく
直線偏光から円偏光に変換されているので、偏光ビーム
スプリッタ３Ａで反射して偏光板２を介して受光素子３
Ｍに入射する。すなわち、４分の１波長板３Ｄ及び３Ｅ
は入射光と戻り光の偏光を直交させ、戻り光を偏光板２
へ導く。偏光板２は参照面３Ｂで反射したレーザ光ｆ４
と測定面３Ｃで反射したレーザ光ｆ５とから干渉成分を
取り出し、それを受光素子３Ｍに出力する。
を反射して４分の１波長板３Ｄを介して参照面３Ｂに照
射し、またレーザ光ｆ０＋ｆ２を透過して４分の１波長
板３Ｅを介して測定面３Ｃに照射する。４分の１波長板
３Ｄ及び３Ｅを通過した直線偏光は円偏光に変換され
る。参照面３Ｂで反射したレーザ光ｆ４は、直線偏光か
ら円偏光に変換されているので、偏光ビームスプリッタ
３Ａを透過して偏光板２を介して受光素子３Ｍに入射す
る。一方、測定面３Ｃで反射したレーザ光ｆ５も同じく
直線偏光から円偏光に変換されているので、偏光ビーム
スプリッタ３Ａで反射して偏光板２を介して受光素子３
Ｍに入射する。すなわち、４分の１波長板３Ｄ及び３Ｅ
は入射光と戻り光の偏光を直交させ、戻り光を偏光板２
へ導く。偏光板２は参照面３Ｂで反射したレーザ光ｆ４
と測定面３Ｃで反射したレーザ光ｆ５とから干渉成分を
取り出し、それを受光素子３Ｍに出力する。
【００２０】受光素子３Ｍは、図２に示すように測定面
兼用画素群Ｍ１と基準面専用画素群Ｍ２，Ｍ３とからな
るライン形センサで構成されている。測定面兼用画素群
Ｍ１は長手方向に並んだ６４個の画素で構成されてい
る。測定面兼用画素群Ｍ１を構成する６４個の画素は８
個を１グループとする画素グループＡ〜Ｈに分割され
る。各グループＡ〜Ｈの画素はＡ０〜Ａ７，Ａ０〜Ａ
７，Ｂ０〜Ｂ７，Ｃ０〜Ｃ７，Ｅ０〜Ｅ７，Ｆ０〜Ｆ
７，Ｇ０〜Ｇ７，Ｈ０〜Ｈ７の符号で区別することとす
る。各画素グループＡ〜Ｈの各画素は連続的に配置され
ている。基準面専用画素群Ｍ２は画素グループＡ〜Ｈの
画素の１６個分の大きさの画素Ｌ０〜Ｌ３で構成されて
いる。同じく、基準面専用画素群Ｍ３も１６画素分の大
きさの画素Ｒ０〜Ｒ３で構成されている。これは基準面
専用画素群Ｍ２，Ｍ３を磁気ディスクの半径方向におけ
るレーザ光の入力信号を平均化するための用いるためで
ある。
兼用画素群Ｍ１と基準面専用画素群Ｍ２，Ｍ３とからな
るライン形センサで構成されている。測定面兼用画素群
Ｍ１は長手方向に並んだ６４個の画素で構成されてい
る。測定面兼用画素群Ｍ１を構成する６４個の画素は８
個を１グループとする画素グループＡ〜Ｈに分割され
る。各グループＡ〜Ｈの画素はＡ０〜Ａ７，Ａ０〜Ａ
７，Ｂ０〜Ｂ７，Ｃ０〜Ｃ７，Ｅ０〜Ｅ７，Ｆ０〜Ｆ
７，Ｇ０〜Ｇ７，Ｈ０〜Ｈ７の符号で区別することとす
る。各画素グループＡ〜Ｈの各画素は連続的に配置され
ている。基準面専用画素群Ｍ２は画素グループＡ〜Ｈの
画素の１６個分の大きさの画素Ｌ０〜Ｌ３で構成されて
いる。同じく、基準面専用画素群Ｍ３も１６画素分の大
きさの画素Ｒ０〜Ｒ３で構成されている。これは基準面
専用画素群Ｍ２，Ｍ３を磁気ディスクの半径方向におけ
るレーザ光の入力信号を平均化するための用いるためで
ある。
【００２１】このライン型センサの受光素子３Ｍの長手
方向と被測定面である磁気ディスクの半径方向とが一致
するように配置される。測定面兼用画素群Ｍ１の６４個
の各画素から高さ信号を得るために、この実施の形態で
は、図１の信号処理回路１を用いている。すなわち、従
来は測定点用と基準点用の２つの受光素子を用いて各画
素における高さ信号を得ていた。この実施の形態では、
１つの受光素子３Ｍを用いて各画素に対応した高さ信号
を得るようにしている。
方向と被測定面である磁気ディスクの半径方向とが一致
するように配置される。測定面兼用画素群Ｍ１の６４個
の各画素から高さ信号を得るために、この実施の形態で
は、図１の信号処理回路１を用いている。すなわち、従
来は測定点用と基準点用の２つの受光素子を用いて各画
素における高さ信号を得ていた。この実施の形態では、
１つの受光素子３Ｍを用いて各画素に対応した高さ信号
を得るようにしている。
【００２２】図３は図１の信号処理回路１の詳細構成の
一部を示す図であり、図２の画素グループＡ及びＢの各
画素Ａ０〜Ａ７，Ｂ０〜Ｂ７の高さ信号を出力する部分
の回路構成を示す図である。画素グループＣ〜Ｈも同様
の構成なので、図示は省略してある。図１では、図３の
信号処理回路１の主要な部分のみが示されている。
一部を示す図であり、図２の画素グループＡ及びＢの各
画素Ａ０〜Ａ７，Ｂ０〜Ｂ７の高さ信号を出力する部分
の回路構成を示す図である。画素グループＣ〜Ｈも同様
の構成なので、図示は省略してある。図１では、図３の
信号処理回路１の主要な部分のみが示されている。
【００２３】図３の信号処理回路の中の半径方向平均回
路１Ａ、位相検出器２Ａ、移動平均回路４Ａ、位相検出
器５０〜５７、遅延回路６０〜６７及び減算回路７０〜
７７が画素グループＡの各画素Ａ０〜Ａ７の高さ信号を
出力するものであり、半径方向平均回路１Ｂ、位相検出
器２Ｂ、移動平均回路４Ｂ、位相検出器５８〜５Ｆ、遅
延回路６８〜６Ｆ及び減算回路７８〜７Ｆが画素グルー
プＢの各画素Ｂ０〜Ｂ７の高さ信号を出力するものであ
る。
路１Ａ、位相検出器２Ａ、移動平均回路４Ａ、位相検出
器５０〜５７、遅延回路６０〜６７及び減算回路７０〜
７７が画素グループＡの各画素Ａ０〜Ａ７の高さ信号を
出力するものであり、半径方向平均回路１Ｂ、位相検出
器２Ｂ、移動平均回路４Ｂ、位相検出器５８〜５Ｆ、遅
延回路６８〜６Ｆ及び減算回路７８〜７Ｆが画素グルー
プＢの各画素Ｂ０〜Ｂ７の高さ信号を出力するものであ
る。
【００２４】半径方向平均回路４Ａは、測定点である画
素グループＡを中心として対称とみなせる区間（例えば
左右に３２画素相当分）の画素出力を平均化するもので
ある。すなわち、半径方向平均回路４Ａは、画素グルー
プＡの左側に位置する３２画素相当分の画素Ｌ０〜Ｌ３
の画素出力と、その右側に位置する３２画素分の画素Ｂ
０〜Ｂ７，Ｃ０〜Ｃ７，Ｄ０〜Ｄ７，Ｅ０〜Ｅ７の画素
出力とを入力し、これらの出力の平均値を算出するもの
であり、磁気ディスクの半径方向における画素出力を平
均化するものである。
素グループＡを中心として対称とみなせる区間（例えば
左右に３２画素相当分）の画素出力を平均化するもので
ある。すなわち、半径方向平均回路４Ａは、画素グルー
プＡの左側に位置する３２画素相当分の画素Ｌ０〜Ｌ３
の画素出力と、その右側に位置する３２画素分の画素Ｂ
０〜Ｂ７，Ｃ０〜Ｃ７，Ｄ０〜Ｄ７，Ｅ０〜Ｅ７の画素
出力とを入力し、これらの出力の平均値を算出するもの
であり、磁気ディスクの半径方向における画素出力を平
均化するものである。
【００２５】位相検出器２Ａは、この半径方向平均回路
４Ａから出力される画素出力の平均値に基づいた位相信
号を出力する。位相検出方式は従来と同様の処理にて行
われるので、ここでは省略する。
４Ａから出力される画素出力の平均値に基づいた位相信
号を出力する。位相検出方式は従来と同様の処理にて行
われるので、ここでは省略する。
【００２６】移動平均回路４Ａは、遅延回路の組み合わ
せから構成されるものであり、測定点である画素グルー
プＡが平均エリアの中心に位置するように、各画素出力
（画素Ｌ０〜Ｌ３の画素出力と、その右側に位置する３
２画素分の画素Ｂ０〜Ｂ７，Ｃ０〜Ｃ７，Ｄ０〜Ｄ７，
Ｅ０〜Ｅ７の画素出力）の平均値に基づいて算出された
位相信号を磁気ディスクの円周方向における位相信号の
平均値として算出するものである。すなわち、移動平均
回路４Ａは、図４に示すように位相検出器２Ａから出力
された各時刻ｔ１〜ｔ７における位相信号を記憶してお
き、その平均値を算出することによって、画素グループ
Ａの位相信号が図４（Ａ）のように平均エリアの中心
（時刻ｔ４における画素グループＡ）に位置するように
設定するものである。図４（Ｂ）は、画素グループＥの
位相信号が平均エリアの中心に位置する場合の様子を示
したものである。なお、移動平均回路４Ａの平均化に際
して、フィルタ特性を持たせるために各時刻の信号に重
み付けを行ってもよい。
せから構成されるものであり、測定点である画素グルー
プＡが平均エリアの中心に位置するように、各画素出力
（画素Ｌ０〜Ｌ３の画素出力と、その右側に位置する３
２画素分の画素Ｂ０〜Ｂ７，Ｃ０〜Ｃ７，Ｄ０〜Ｄ７，
Ｅ０〜Ｅ７の画素出力）の平均値に基づいて算出された
位相信号を磁気ディスクの円周方向における位相信号の
平均値として算出するものである。すなわち、移動平均
回路４Ａは、図４に示すように位相検出器２Ａから出力
された各時刻ｔ１〜ｔ７における位相信号を記憶してお
き、その平均値を算出することによって、画素グループ
Ａの位相信号が図４（Ａ）のように平均エリアの中心
（時刻ｔ４における画素グループＡ）に位置するように
設定するものである。図４（Ｂ）は、画素グループＥの
位相信号が平均エリアの中心に位置する場合の様子を示
したものである。なお、移動平均回路４Ａの平均化に際
して、フィルタ特性を持たせるために各時刻の信号に重
み付けを行ってもよい。
【００２７】位相検出器５０〜５７は画素グループＡの
各画素Ａ０〜Ａ７の画素出力を入力し、それに基づいた
位相信号を出力する。遅延回路６０〜６７は各位相検出
器５０〜５７からの位相信号を移動平均回路４Ａの遅延
時間の半分だけ遅延するものである。これは、移動平均
回路４Ａが測定点を平均エリアの中心に位置するために
所定時刻遅延しているものに対応させたものであり、測
定点についてみれば所定時刻の半分だけ遅延することに
よって対応つけることができる。減算回路７０〜７７
は、各遅延回路６０〜６７の出力から移動平均回路４Ａ
の出力を減算することによって各画素Ａ０〜Ａ７の入射
光に対応する地点の高さ信号Ｈ０〜Ｈ７を出力するよう
になる。他の画素グループＢ〜Ｈについても同様の処理
にて、高さ信号を出力する。
各画素Ａ０〜Ａ７の画素出力を入力し、それに基づいた
位相信号を出力する。遅延回路６０〜６７は各位相検出
器５０〜５７からの位相信号を移動平均回路４Ａの遅延
時間の半分だけ遅延するものである。これは、移動平均
回路４Ａが測定点を平均エリアの中心に位置するために
所定時刻遅延しているものに対応させたものであり、測
定点についてみれば所定時刻の半分だけ遅延することに
よって対応つけることができる。減算回路７０〜７７
は、各遅延回路６０〜６７の出力から移動平均回路４Ａ
の出力を減算することによって各画素Ａ０〜Ａ７の入射
光に対応する地点の高さ信号Ｈ０〜Ｈ７を出力するよう
になる。他の画素グループＢ〜Ｈについても同様の処理
にて、高さ信号を出力する。
【００２８】なお、上述の実施の形態では、測定点を含
む画素グループの隣接する画素グループから所定領域内
の画素群の信号を平均化することによって基準面におけ
る位相信号を得る場合について説明したが、これに限ら
ず、測定点を含む画素グループから所定領域離れた画素
グループから所定領域内の画素群の信号を平均化するよ
うにしてもよい。これは、測定点の画素に隣接する画素
は測定点の画素の影響を受ける割合が高いので、基準面
における位相信号としてはノイズを含むからである。ま
た、上述の実施の形態では、画素グループの画素数を８
画素の場合について説明したが、これは一例であり、こ
れ以外の画素数でよいことはいうまでもない。また、基
準面専用の画素は通常の画素よりも大きいものを用いる
場合について説明したが、すべて同じ画素で構成しても
よいことはいうまでもない。
む画素グループの隣接する画素グループから所定領域内
の画素群の信号を平均化することによって基準面におけ
る位相信号を得る場合について説明したが、これに限ら
ず、測定点を含む画素グループから所定領域離れた画素
グループから所定領域内の画素群の信号を平均化するよ
うにしてもよい。これは、測定点の画素に隣接する画素
は測定点の画素の影響を受ける割合が高いので、基準面
における位相信号としてはノイズを含むからである。ま
た、上述の実施の形態では、画素グループの画素数を８
画素の場合について説明したが、これは一例であり、こ
れ以外の画素数でよいことはいうまでもない。また、基
準面専用の画素は通常の画素よりも大きいものを用いる
場合について説明したが、すべて同じ画素で構成しても
よいことはいうまでもない。
【００２９】
【発明の効果】本発明の光干渉計の干渉位相検出方式に
よれば、１本のレーザ光を被測定面に照射することによ
って、被測定面の段差間距離又は突起物の高さに相当す
る位相差を測定することができるという効果がある。
よれば、１本のレーザ光を被測定面に照射することによ
って、被測定面の段差間距離又は突起物の高さに相当す
る位相差を測定することができるという効果がある。
【図１】 本発明の光干渉計の干渉位相検出方式の実施
の形態に係る概略構成を示す図である。
の形態に係る概略構成を示す図である。
【図２】 図１の受光素子の詳細構成を示す図である。
【図３】 図１の信号処理回路１の一部分の詳細構成を
示す図である。
示す図である。
【図４】 図１の信号処理回路１の動作概念を示す図で
ある。
ある。
【図５】 従来の光学式グライドテスタの概略構成を示
す図である。
す図である。
【図６】 測定面に突起又は段差等がない場合に突起又
は段差の高さがどのようにして測定されるのか、その検
出原理を示す図である。
は段差の高さがどのようにして測定されるのか、その検
出原理を示す図である。
【図７】 測定面に高さΔδの突起又は段差等が存在す
る場合に突起又は段差の高さがどのようにして測定され
るのか、その検出原理を示す図である。
る場合に突起又は段差の高さがどのようにして測定され
るのか、その検出原理を示す図である。
１…信号処理回路、２…偏光板、３１…レーザ装置、３
２…変調手段、３３，３４…ビームスプリッタ、３５，
３６…光学音響素子、３７，３８…反射鏡、３Ａ…偏光
ビームスプリッタ、３Ｂ…参照面、３Ｃ…測定面、３
Ｄ，３Ｅ…４分の１波長板、３Ｆ，３Ｇ…受光素子、３
Ｈ…位相差測定回路、３Ｍ…ライン型受光素子、１Ａ，
１Ｂ…半径方向平均回路、２Ａ，２Ｂ，Ａ０〜Ａ７，Ｂ
０〜Ｂ７…位相検出器、４Ａ，４Ｂ…位相平均回路、６
０〜６Ｆ…遅延回路、７０〜７Ｆ…減算回路
２…変調手段、３３，３４…ビームスプリッタ、３５，
３６…光学音響素子、３７，３８…反射鏡、３Ａ…偏光
ビームスプリッタ、３Ｂ…参照面、３Ｃ…測定面、３
Ｄ，３Ｅ…４分の１波長板、３Ｆ，３Ｇ…受光素子、３
Ｈ…位相差測定回路、３Ｍ…ライン型受光素子、１Ａ，
１Ｂ…半径方向平均回路、２Ａ，２Ｂ，Ａ０〜Ａ７，Ｂ
０〜Ｂ７…位相検出器、４Ａ，４Ｂ…位相平均回路、６
０〜６Ｆ…遅延回路、７０〜７Ｆ…減算回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F064 AA09 CC01 FF01 FF06 GG22 GG23 GG32 GG38 GG55 GG70 HH02 HH07 JJ06 2F065 AA24 AA25 AA49 BB03 CC03 DD04 FF52 GG04 GG23 JJ02 JJ25 LL32 LL36 LL37 LL57 NN06 NN08 QQ00 QQ11 QQ15 QQ23 QQ25 QQ42
Claims (4)
- 【請求項１】 レーザ光を分岐し、分岐されたレーザ光
を異なる周波数で変調し、基準面と測定面に照射し、そ
こからのそれぞれの反射光の干渉成分を受光することに
よって測定面における基準面からの高さを検出する光干
渉計の干渉位相検出方式において、 前記反射光の干渉成分を受光するライン型センサで構成
され、測定面兼用の複数の画素群と、この画素群の両側
に設けられた基準面専用の複数の画素群とを有する受光
素子手段と、 前記測定面兼用の画素群の中の測定点の画素に対する基
準面位相信号を、前記測定点の画素を中心に左右対称に
位置する所定数の画素群の信号の平均値に基づいて算出
する基準面位相算出手段と、 前記測定点の画素の信号に基づいて前記測定点の画素に
入射した前記反射光の測定点位相信号を算出する測定点
位相算出手段と、 前記測定点位相信号から前記基準面位相信号を減算する
ことによって前記測定点の高さに相当する信号を算出す
る高さ算出手段とを備えたことを特徴とする光干渉計の
干渉位相検出方式。 - 【請求項２】 前記基準面専用の画素は前記測定面兼用
の画素よりも大きな画素面積で構成されていることを特
徴とする請求項１に記載の光干渉計の干渉位相検出方
式。 - 【請求項３】 前記基準面算出手段は、算出された基準
面位相信号の所定時間分の平均値を算出することによっ
て、前記測定点位相信号を中心とする基準面位相信号を
生成し、 前記測定点位相算出手段は、前記測定点の画素の信号を
前記所定時間の半分だけ遅延した前記測定点位相信号に
基づいて前記測定点の画素に入射した前記反射光の測定
点位相信号を算出することを特徴とする請求項１に記載
の光干渉計の干渉位相検出方式。 - 【請求項４】 前記測定面兼用の画素群を所定数のグル
ープに分割し、そのグループ毎に前記基準面位相算出手
段によって基準面位相信号を算出し、算出された基準面
位相信号及び前記グループ内に属する画素信号に基づい
て前記グループ内の測定点の高さに相当する信号を算出
することを特徴とする請求項１に記載の光干渉計の干渉
位相検出方式。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28974398A JP4204112B2 (ja) | 1998-10-12 | 1998-10-12 | 光干渉計の干渉位相検出方式 |
| US09/414,498 US6628402B1 (en) | 1998-10-12 | 1999-10-08 | Phase interference detecting method and system in interferometer, and light detector therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28974398A JP4204112B2 (ja) | 1998-10-12 | 1998-10-12 | 光干渉計の干渉位相検出方式 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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