JP2000119656A - 液晶光学素子およびその製造方法 - Google Patents

液晶光学素子およびその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】光学特性が優れ、繰り返し使用しても特性変化
の少ない素子を得る。 【解決手段】一対の透明電極付き基板間に液晶と未硬化
の硬化性化合物、アクリロイル基−(OR1n −O−
メソゲン構造部−O−(R2 O)m −アクリロイル基の
構造で表される硬化性化合物(但し、R1 、R2 は炭素
数2〜6のアルキレン基、n、m:1〜10)との混合
物を挟持し、硬化性化合物を硬化させて液晶/硬化物複
合体層を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電界の印加/非印
加により、素子の透過、散乱、反射状態を制御し、調光
素子や表示素子、光学シャッター等に利用可能な液晶光
学素子に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶と透明な高分子とを複合して、高分
子と液晶、または液晶内部(微小領域間)の屈折率差を
生じせしめた透過−散乱型の光学素子が提案された。液
晶/高分子複合体素子、液晶/樹脂複合体素子あるいは
分散型液晶素子などと呼ばれている。この素子は原理的
に偏光板を必要としないので、光の吸収損失が少なく、
かつ高い散乱性能が得られ、素子全体における光の利用
効率が高いことが大きな利点となっている。
【0003】この特性を生かして、調光ガラス、光シャ
ッター、レーザー装置および表示装置などに用いられて
いる。電圧非印加で散乱状態、電圧印加で透明状態のも
のが商用化された。
【0004】さらに、従来例1(USP518876
0)では、液晶と重合性の液晶を用いた素子が開示され
た。この従来例1は、電圧非印加時において素子内の液
晶と重合された液晶とが同じ配向方向を有しているの
で、素子をどの方向から見ても透明状態を呈する。そし
て、電圧印加時には、素子内の液晶の配向が電界によっ
て制御され、液晶分子の配列方向が微小領域においてさ
まざまに変化することにより、素子は散乱状態を呈す
る。
【0005】また、カイラル剤を添加して初期配向にヘ
リカル構造を設けることで、コントラスト比が向上する
ことが開示された。この素子は、「異方性ゲル」または
「液晶ゲル」と呼ばれている。この従来例1ではアクリ
ロイル基を末端に持つメソゲンモノマーが使用された。
【0006】また、従来例2(国際特許公開WO92/
19695)にも同様の構成を持つ素子が開示された。
従来例1と同様の動作モードであって、カイラルネマチ
ック液晶中に微量の高分子を分散させ、電圧非印加時に
透明状態、電圧印加時に散乱状態を得る。この素子はP
SCT(ポリマー・スタビライズド・コレステリック・
テクスチャー)と呼ばれている。この従来例2にもアク
リロイル基を末端に持つメソゲンモノマーが開示され
た。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】液晶と未硬化の硬化性
化合物よりなる混合物を準備し、その硬化性化合物を硬
化させることで液晶/硬化物複合体層を形成して得られ
た液晶光学素子の特性は、その液晶/硬化物複合体の構
造に大きく依存する。さらに、用いる未硬化の硬化性化
合物の分子構造は形成された液晶/硬化物複合体の構造
に大きな影響を与える。
【0008】一般にビフェニル構造などのメソゲン構造
を含む硬化性化合物は、両端の硬化部位が結合し、硬化
した後の弾性率は大きく、かつ、得られる高分子のガラ
ス転移温度も高いことが報告されている。
【0009】一方このことは、硬化途中の硬化性化合物
の分子運動や自由体積に制限を与えるものであり、硬化
過程の後期においては、硬化部位の反応性が抑制される
可能性があり、硬化反応が充分行われない、または、非
常に長時間の硬化時間が必要となるといった問題点が生
じている。
【0010】また、従来例の液晶光学素子は、複数回の
電界印加駆動により素子の電圧透過率曲線に変化が生じ
たり、電界印加/非印加時のコントラストもまだ低いも
のであった。
【0011】本発明では、複数回の電界印加/非印加の
駆動によっても素子の電圧透過率曲線がほとんど変化せ
ず、信頼性が高く、高いコントラストの液晶光学素子を
提供する。また、容易に、かつ安定して高い歩留で液晶
光学素子を製造できる製造方法を提供する。
【0012】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の第1
の態様は、一対の電極付き基板間に液晶と未硬化の硬化
性化合物との混合物を狭持し、少なくとも一方の電極付
き基板を透明とし、前記硬化性化合物を硬化させて液晶
/硬化物複合体層を形成する液晶光学素子の製造方法に
おいて、前記硬化性化合物が式(1)の化合物を含有す
ることを特徴とする液晶光学素子の製造方法を提供す
る。
【0013】
【化2】 A1 −(OR1n −O−Z−O−(R2 O)m −A2 ・・・式(1)
【0014】A1 、A2 :それぞれ独立にアクリロイル
基、メタクリロイル基、グリシジル基、アリル基 R1 、R2 :それぞれ独立に炭素数2〜6のアルキレン
基 Z:2価のメソゲン構造部 n、m:それぞれ独立に1〜10の整数
【0015】また、第2の態様は上記の製造方法におい
て、Zが4,4’−ビフェニレン基または、一部または
全部の水素が炭素数1〜2のアルキルまたはハロゲン原
子に置換された4,4’−ビフェニレン基である製造方
法を提供する。
【0016】また、第3の態様は上記の製造方法におい
て、R1 およびR2 がそれぞれ独立にエチレン基または
プロピレン基である製造方法を提供する。
【0017】また、第4の態様は上記の製造方法におい
て、A1 およびA2 がそれぞれ独立にアクリロイル基ま
たはメタクリロイル基である製造方法を提供する。
【0018】また、第5の態様は上記の製造方法におい
て、n、mがそれぞれ独立に1〜4である製造方法を提
供する。
【0019】また、第6の態様は上記の製造方法におい
て、前記混合物に微量の硬化触媒をする製造方法を提供
する。
【0020】また、第7の態様は上記の製造方法におい
て、前記混合物にカイラル剤を含有する製造方法を提供
する。
【0021】また、第8の態様は上記の製造方法におい
て、式(1)の化合物であって、n、mが異なる複数の
化合物を組み合わせて用いる製造方法を提供する。
【0022】また、第9の態様は上記の製造方法を用い
た製造した液晶光学素子を提供する。
【0023】
【発明の実施の形態】本発明においては、未硬化の硬化
性化合物中のメソゲン構造部と硬化部位との間に分子運
動性の高いオキシアルキレン構造を導入することで、硬
化過程における硬化部位の分子運動性を向上させ、短時
間の硬化反応においても、電界印加/非印加時の状態が
安定で信頼性が高く、かつコントラストも高い液晶光学
素子が得られる。図1に本発明の液晶光学素子の製造方
法の一例のフローチャートを示す。
【0024】式(1)の硬化部位(A1 、A2 )として
は、一般に硬化触媒とともに光硬化、熱硬化可能な上記
の官能基であればいずれでもよいが、なかでも、硬化時
の温度を制御できることから光硬化に適するアクリロイ
ル基、メタクリロイル基が好ましい。
【0025】式(1)のオキシアルキレン部のR1 およ
びR2 の炭素数については、その運動性から2〜6が好
ましく、さらに炭素数2のエチレン基の連鎖および炭素
数3のプロピレン基が好ましい。
【0026】式(1)のメソゲン構造部(Z)として
は、1、4−フェニレン基が2個以上連結した2価のポ
リフェニレンが好ましい。また、このポリフェニレン基
中の一部の1,4−フェニレン基が1,4−シクロヘキ
シレン基で置換された2価の有機基であってもよい。
【0027】これらポリフェニレン基や2価の有機基の
水素原子の一部または全部は炭素数1〜2のアルキル
基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アルコキシカルボ
ニル基などの置換基に置換されていてもよい。好ましい
Zは、1,4−フェニレン基が2個連結したビフェニレ
ン基(以下、4,4’−ビフェニレン基という。)、3
個連結したターフェニレン基、およびこれらの水素原子
の1〜4個が炭素数1〜2のアルキル基、フッ素原子、
塩素原子もしくはカルボキシル基に置換された2価の有
機基である。最も、好ましいZは置換基を有しない4,
4’−ビフェニレン基である。
【0028】式(1)のn、mはあまり大きいと液晶と
の相溶性が低下するため、それぞれ独立に1〜10であ
り、硬化後の素子特性を考慮すると1〜4がさらに好ま
しい。
【0029】液晶と未硬化の硬化性化合物の混合物が硬
化触媒を含有していてもよく、光硬化の場合、ベンゾイ
ンエーテル系、アセトフェノン系、フォスフィンオキサ
イド系などの一般に光硬化樹脂に用いられる光重合開始
剤を使用できる。
【0030】熱硬化の場合は、硬化部位の種類に応じ
て、パーオキサイド系、チオール系、アミン系、酸無水
物系などの硬化触媒を使用でき、また、必要に応じてア
ミン類などの硬化助剤も使用できる。
【0031】硬化触媒の含有量は、含有する未硬化の硬
化性化合物の20wt%以下が好ましく、硬化後の硬化
物の高い分子量や高い比抵抗が要求される場合、1〜1
0wt%とすることがさらに好ましい。また、電界印加
/非印加時の素子のコントラストを向上させるために、
液晶と未硬化の硬化性化合物の混合物にカイラル剤を添
加することもできる。
【0032】液晶と未硬化の硬化性化合物の混合物中の
未硬化の硬化性化合物は、液晶との相溶性を向上させる
ために、式(1)でn、mの異なる複数の未硬化の硬化
性化合物を含んでいてもよく、それによりさらにコント
ラストを改善することができる。
【0033】一方、液晶と未硬化の硬化性化合物の混合
物は、混合後均質な溶液であることが好ましい。また、
液晶と未硬化の硬化性化合物の混合物は、電極付き基板
に狭持されるとき、液晶相を示していてもよい。
【0034】液晶と未硬化の硬化性化合物の混合物は、
硬化されるとき、液晶相を示していてもよい。液晶と未
硬化の硬化性化合物の混合物を狭持する電極付き基板の
電極表面を直接研磨したり、樹脂の薄膜を設けそれをラ
ビングするなどして、電極表面に液晶を配向させる機能
を付与することもでき、それにより、液晶と未硬化の硬
化性化合物の混合物を狭持する際のむらを低減させるこ
ともできる。
【0035】また、一対の配向処理済み基板の配向方向
の組み合わせとしては、平行、直交、いずれでもよく、
混合物狭持時のむらが最小となるよう角度を設定すれば
よい。
【0036】電極間の距離は、スペーサー等で保持する
ことができ、間隔は4〜50μmが好ましく、さらには
5〜30μmが好ましい。電極間隔は小さすぎるとコン
トラストが低下し、大きすぎると駆動電圧が上昇する。
図2に本発明の液晶光学素子の模式的断面図を示す。
【0037】ガラス基板1A、1B、電極2A、2B、
配向膜3A、3B、液晶/硬化物複合体層4が備えられ
た液晶光学素子10である。電圧非印加で透明状態、電
圧印加で散乱状態を呈する素子である。図3には本発明
の液晶光学素子を自動車の窓ガラスに用いる状態を模式
的に示したものである。斜め方向における透過率が高い
という利点を備えている。
【0038】電極を支持する基板は、ガラス基板でも樹
脂基板でもよく、またガラス基板と樹脂基板の組み合わ
せでもよい。また、片方がアルミニウムや誘電体多層膜
の反射電極であってもよい。
【0039】フィルム基板の場合、連続で供給される電
極付き基板を2本のゴムロール等で挟み、その間に、ス
ペーサーを含有分散させた液晶と未硬化の硬化性化合物
との混合物を供給し、挟み込み、その後連続で硬化させ
ることができるので生産性が高い。
【0040】ガラス基板の場合、電極面内に微量のスペ
ーサーを散布し、対向させた基板の4辺をエポキシ樹脂
等のシール剤で封止セルとし、2カ所以上の設けたシー
ルの切り欠きの一方を液晶と未硬化の硬化性化合物の混
合物に浸し、他方より吸引することでセル内に混合物を
満たし、硬化させ液晶光学素子を得ることができる。ま
た、真空注入法を用いることもできる。以下、例1〜7
(実施例)および例A〜E(比較例)について詳細に説
明する。
【0041】
【実施例】(例1)シアノ系ネマティック液晶(メルク
社製 BL−006、誘電異方性は正)95部、式
(2)の未硬化の硬化性化合物5部、ベンゾインイソプ
ロピルエーテル0.15部の混合物(混合物A)を調製
した。
【0042】
【化3】
【0043】この式(2)の化合物は、式(1)でA
1 、A2 がアクリロイル基で、R1 、R2 がエチレン基
で、Zのメソゲン構造部が4,4’−ビフェニレン基
で、n、mがともに1である場合に相当する。
【0044】この混合物Aを、透明電極上に形成したポ
リイミド薄膜を一方向にラビングした一対の基板をラビ
ング方向が直交するように対向させ、直径が13μmの
樹脂ビーズを微量散布し、この樹脂ビーズを介して、四
辺に幅約1mmで印刷したエポキシ樹脂により張り合わ
せて作製した液晶セルに注入した。
【0045】この液晶セルを25℃に保持した状態で、
主波長が約365nmのHgXeランプにより、上側よ
り3mW/cm2 、下側より同じく約3mW/cm2
紫外線を10分間照射し、液晶光学素子を製造した。
【0046】この液晶光学素子に、矩形波50Hz、5
0Vrmsの電圧を10分印加後電圧を除去する操作を
10回繰り返した。その後、530nmを中心波長とし
た半値幅約20nmの測定光源を用いた透過率測定系
(光学系のF値11.5)で液晶セルの透過率を測定し
たところ、電圧を印加しない状態で79%、50Vrm
s印加した状態で23%であり、電圧印加時と非印加時
の透過率の差は56%であった。
【0047】(例A)未硬化の硬化性化合物として、式
(2)の化合物の代わりに、式(3)の未硬化の硬化性
化合物(4,4’−ビスアクリロイルオキシビフェニ
ル)を用いた以外は例1と同様にして液晶光学素子を得
た。
【0048】
【化4】
【0049】この式(3)の化合物は、式(1)中でA
1 、A2 がアクリロイル基、Zのメソゲン構造部が4,
4’−ビフェニレン基で、n、mがともに0である場合
に相当する。
【0050】この液晶光学素子に例1と同様に、電圧を
印加した。その後、例1と同じ測定系で透過率を測定し
たところ、電圧を印加しない状態で72%、50Vrm
s印加した状態で29%であり、電圧印加時と非印加時
の透過率の差は43%であった。
【0051】(例2)例1で調製した混合物Aに、カイ
ラル剤(メルク社製 S−811とメルク社製 C15
の重量比1:1の混合物)を2.5wt%溶解した混合
物(混合物B)を調製した。
【0052】この混合物Bを、例1と同じ液晶セルに注
入し、25℃に保持した状態で、例1と同じ主波長が約
365nmのHgXeランプにより、上側より3mW/
cm2 、下側より同じく約3mW/cm2 の紫外線を3
分間照射し、液晶光学素子を得た。
【0053】この液晶光学素子に矩形波50Hz、50
Vrmsの電圧を10分印加後電圧を除去する操作を1
0回繰り返した。その後、530nmを中心波長とした
半値幅約20nmの測定光源を用いた透過率測定系(光
学系のF値11.5)で透過率を測定したところ、電圧
を印加しない状態で78%であり、この値を50Vrm
s印加した時の透過率で割ったコントラストの値は33
であった。
【0054】(例3)未硬化の硬化性化合物として、式
(2)の化合物の代わりに、式(4)の未硬化の硬化性
化合物を用いた以外は例2と同様にして液晶光学素子を
得た。
【0055】
【化5】
【0056】この式(4)の化合物は、式(1)でA
1 、A2 がアクリロイル基で、R1 、R2 がプロピレン
基で、Zのメソゲン構造部が4,4’−ビフェニレン基
で、n、mがともに1である場に相当する。
【0057】この液晶光学素子に例2と同様に電圧を印
加後、同じ測定系で透過率を測定したところ、電圧を印
加しない状態で80%であり、この値を50Vrms印
加した時の透過率で割ったコントラストの値は28であ
った。
【0058】(例B)未硬化の硬化性化合物として、式
(2)の化合物の代わりに、式(3)の化合物を用いた
以外は例2と同様にして液晶光学素子を得た。この液晶
光学素子に例2と同様に電圧を印加後、同じ測定系で透
過率を測定したところ、電圧を印加しない状態で61%
であり、この値を50Vrms印加した時の透過率で割
ったコントラストの値は17であった。
【0059】(例4)シアノ系ネマティック液晶(メル
ク社製 BL−009)に、例2にて使用したカイラル
剤を2.5wt%均一に溶解したものを97部、式
(2)の未硬化の硬化性化合物3部、ベンゾインイソプ
ロピルエーテル0.09部の混合物(混合物C)を調製
した。
【0060】この混合物Cを、例1と同じ液晶セルに注
入し、25℃に保持した状態で、例1と同じ主波長が約
365nmのHgXeランプにより、上側より3mW/
cm2 、下側より同じく約3mW/cm2 の紫外線を3
0分間照射し、液晶光学素子を得た。
【0061】この液晶光学素子に矩形波50Hz、20
Vrmsの電圧を10分印加後電圧を除去する操作を1
0回繰り返した。その後、530nmを中心波長とした
半値幅約20nmの測定光源を用いた上記と同様の透過
率測定系で透過率を測定したところ、電圧を印加しない
状態で82%であり、この値を20Vrms印加した時
の透過率で割ったコントラストの値は11であった。
【0062】さらに、この液晶光学素子に矩形波50H
z、30Vrmsの電圧を10分印加後電圧を除去する
操作を10回繰り返した後、同様に透過率を測定したと
ころ、電圧を印加しない状態で82%であり、この値を
30Vrms印加した時の透過率で割ったコントラスト
の値は40であった。
【0063】(例5)シアノ系ネマティック液晶(メル
ク社製 BL−009)に、例2にて使用したカイラル
剤を2.5wt%均一に溶解したもの97部、式(2)
の未硬化の硬化性化合物2部、式(5)の未硬化の硬化
性化合物1部、ベンゾインイソプロピルエーテル0.0
9部の混合物(混合物D)を調製した。
【0064】
【化6】
【0065】この式(5)の化合物は、式(1)でA
1 、A2 がアクリロイル基でR1 、R2 がエチレン基
で、Zのメソゲン構造部が4,4’−ビフェニレン基で
nが2、mが3の場合に相当する。
【0066】この混合物Dを、例1と同じ液晶セルに注
入し、25℃に保持した状態で、例1と同じ主波長が約
365nmのHgXeランプにより、上側より3mW/
cm2 、下側より同じく約3mW/cm2 の紫外線を3
0分間照射し、液晶光学素子を得た。
【0067】この液晶光学素子に矩形波50Hz、20
Vrmsの電圧を10分印加後電圧を除去する操作を1
0回繰り返した。その後、530nmを中心波長とした
半値幅約20nmの測定光源を用いた、上記と同様の透
過率測定系で透過率を測定したところ、電圧を印加しな
い状態で82%であり、この値を20Vrms印加した
時の透過率で割ったコントラストの値は28であった。
【0068】(比較例C)未硬化の硬化性化合物とし
て、式(2)の化合物の代わりに、式(3)の化合物を
用いた以外は例4と同様にして液晶光学素子を得た。こ
の液晶光学素子に矩形波50Hz、20Vrmsの電圧
を10分印加後電圧を除去する操作を10回繰り返し
た。
【0069】その後、530nmを中心波長とした半値
幅約20nmの測定光源を用いた上記と同様の透過率測
定系で透過率を測定したところ、電圧を印加しない状態
で57%であり、この値を20Vrms印加した時の透
過率で割ったコントラストの値は10であった。
【0070】さらに、この液晶光学素子に矩形波50H
z、30Vrmsの電圧を10分印加後電圧を除去する
操作を10回繰り返した。その後、上記と同様に透過率
を測定したところ、電圧を印加しない状態で49%であ
り、この値を30Vrms印加した時の透過率で割った
コントラストの値は6であった。
【0071】(例6)シアノ系ネマティック液晶(メル
ク社製 BL−006)65部に、カイラル剤(メルク
社製 R−811とメルク社製 CB15の重量比1:
1の混合物)を35部、式(2)の未硬化の硬化性化合
物3.1部、ベンゾインイソプロピルエーテル0.09
部の混合物Eを調製した。
【0072】この混合物Eを、例1と同じ液晶セルに注
入し、25℃に保持した状態で、例1と同じ主波長が約
365nmのHgXeランプにより、上側より3mW/
cm2 、下側より同じく約3mW/cm2 の紫外線を3
0分間照射し、液晶光学素子を得た。
【0073】この液晶光学素子に矩形波50Hz、50
Vrmsの電圧を10分印加後電圧を除去する操作を1
0回繰り返した。その後、530nmを中心波長とした
半値幅約20nmの測定光源を用いた反射率測定系(光
学系のF値8.2)において、光をほぼ反射しない黒い
紙の上に液晶光学素子を載せて反射率を測定したとこ
ろ、電圧を印加しないときが23%、50Vrms印加
したときが8%であり、電圧印加時と非印加時との反射
率の差は15%であった。
【0074】(例D)未硬化の硬化性化合物として、式
(2)の化合物の代わりに、式(3)の化合物を用いた
以外は例6と同様にして液晶光学素子を得た。この液晶
光学素子に例5と同様に電圧を印加後、同じ測定系で反
射率を測定したところ、電圧を印加しないときが16
%、50Vrms印加したときが9%であり、電圧印加
時と非印加時との反射率の差は7%であった。
【0075】(例7)誘電異方性が負であるネマティッ
ク液晶(Tc =98℃、Δε= −5.6、Δn=0.2
20)95部、式(2)で示される未硬化の硬化性化合
物5部、ベンゾインイソプロピルエーテル0.15部の
混合物(混合物F)を調製した。
【0076】この混合物Fを、透明電極上に垂直配向用
ポリイミド薄膜を形成した一対の基板をポリイミド薄膜
が対向するように、微量の6μmの樹脂ビーズを介し
て、四辺に幅約1mmで印刷したエポキシ樹脂により張
り合わせて作製した液晶セルに注入した。
【0077】このセルを25℃に保持した状態で、主波
長が約365nmのHgXeランプにより、上側より3
mW/cm2 、下側より同じく約3mW/cm2 の紫外
線を10分間照射し、液晶光学素子を得た。この液晶光
学素子に矩形波50Hz、30Vrmsの電圧を10分
印加後電圧を除去する操作を10回繰り返した。
【0078】その後、530nmを中心波長とした半値
幅約20nmの測定光源を用いた透過率測定系(光学系
のF値11.5)で透過率を測定したところ、電圧を印
加しない状態で86%、50Vrms印加した状態で2
4%であり、電圧印加時と非印加時の透過率の差は62
%であった。
【0079】(例E)未硬化の硬化性化合物として、式
(2)の化合物の代わりに、式(3)の化合物を用いた
以外は例7と同様にして液晶光学素子を得た。この液晶
光学素子に例7と同様に電圧を印加後、同じ測定系で透
過率を測定したところ、電圧を印加しない状態で64
%、30Vrms印加した状態で20%であり、電圧印
加時と非印加時との透過率の差は44%であった。次の
表1に各例の結果をまとめて示す。
【0080】
【表1】
【0081】本発明の液晶光学素子は、透明時の透過率
が高く、電界の印加/非印加時の透過率差やコントラス
トが高いため、透明時に高い光の透過性が要求される調
光ガラスや光シャッター等に好適である。
【0082】反射型の液晶光学素子とした場合も電圧非
印加時の反射率が高く、電界の印加/非印加時のコント
ラストを高くできる。
【0083】また、液晶光学素子への電界の印加/非印
加時操作の繰り返しによる素子の電圧−透過率曲線また
は電圧−反射率曲線の変動が小さいため、信頼性の高い
液晶光学素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の液晶光学素子の製造方法の一例を示す
フローチャート。
【図2】本発明の液晶光学素子の一例の模式的断面図。
【図3】本発明の液晶光学素子の使用の一例を示す模式
図。
【符号の説明】
1A、1B:ガラス基板 2A、2B:電極 3A、3B:配向膜 4:液晶/硬化物複合体層 10:液晶光学素子

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】少なくとも一方が透明な一対の電極付き基
    板間に液晶と未硬化の硬化性化合物との混合物を狭持
    し、前記硬化性化合物を硬化させて液晶/硬化物複合体
    層を形成する液晶光学素子の製造方法において、前記硬
    化性化合物が式(1)の化合物を含有することを特徴と
    する液晶光学素子の製造方法。 【化1】 A1 −(OR1n −O−Z−O−(R2 O)m −A2 ・・・式(1) A1 、A2 :それぞれ独立にアクリロイル基、メタクリ
    ロイル基、グリシジル基、アリル基 R1 、R2 :それぞれ独立に炭素数2〜6のアルキレン
    基 Z:2価のメソゲン構造部 n、m:それぞれ独立に1〜10の整数
  2. 【請求項2】Zが4,4’−ビフェニレン基または、一
    部または全部の水素が炭素数1〜2のアルキルまたはハ
    ロゲン原子に置換された4,4’−ビフェニレン基であ
    る請求項1に記載の液晶光学素子の製造方法。
  3. 【請求項3】R1 およびR2 がそれぞれ独立にエチレン
    基またはプロピレン基である請求項1または2に記載の
    液晶光学素子の製造方法。
  4. 【請求項4】A1 およびA2 がそれぞれ独立にアクリロ
    イル基またはメタクリロイル基である請求項1、2また
    は3に記載の液晶光学素子の製造方法。
  5. 【請求項5】n、mがそれぞれ独立に1〜4である請求
    項1、2、3または4に記載の液晶光学素子の製造方
    法。
  6. 【請求項6】前記混合物に微量の硬化触媒を含有する請
    求項1、2、3、4または5に記載の液晶光学素子の製
    造方法。
  7. 【請求項7】前記混合物にカイラル剤を含有する請求項
    1〜6のいずれか1項に記載の液晶光学素子の製造方
    法。
  8. 【請求項8】式(1)の化合物であって、n、mが異な
    る複数の化合物を組み合わせて用いる請求項1〜7のい
    ずれか1項に記載の液晶光学素子の製造方法。
  9. 【請求項9】請求項1〜8のいずれか1項に記載の製造
    方法で製造した液晶光学素子。
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