JP2000119071A - 半導体装置用セラミックス基板 - Google Patents

半導体装置用セラミックス基板

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JP2000119071A JP29182798A JP29182798A JP2000119071A JP 2000119071 A JP2000119071 A JP 2000119071A JP 29182798 A JP29182798 A JP 29182798A JP 29182798 A JP29182798 A JP 29182798A JP 2000119071 A JP2000119071 A JP 2000119071A
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信 青木
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Abstract

(57)【要約】 【課題】セラミックス板と銅板とを接合した半導体用セ
ラミックス基板において、反りやクラックが無く、温度
サイクルに対する信頼性の高い半導体用セラミックス基
板を提供する。 【解決手段】窒化アルミニウム薄板、窒化けい素薄板、
アルミナ薄板等のセラミックス板と銅板とを、純アルミ
ニウムまたは、Al−Si合金、Al−Cu合金、Al
−Ti等のAl合金で接合する。特に接合層の厚さを、
10〜200μmの範囲にする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電力用半導体のモ
ジュール等に主に使用されるセラミックス板と銅板とを
接合した半導体装置用セラミックス基板に関する。
【0002】
【従来の技術】インバータ、サーボモータ等のパワーエ
レクトロニクス分野で用いられる大容量のパワートラン
ジスタ、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(以下IG
BTと記す)等をモジュール化したパワーモジュールに
は、絶縁と放熱との機能をもつ基板としてセラミックス
板と銅板とを接合したセラミックス基板が使われてい
る。従来セラミックス板としては、絶縁性が良好であり
熱伝導率が比較的大きく、強度も高いことから、酸化ア
ルミニウム(以下Al2 3 と記す)が広く使用されて
きた。セラミックス板に接合する金属板については、特
に大容量パワーモジュールにおいては大電流を流せるよ
う0.3mm程度の厚い金属を導体として接合する必要
があり、金属としては、電気伝導性、熱伝導性、価格の
点から銅が使用されている。
【0003】Al2 3 板と銅板との接合方法として
は、表面を酸化させた亜酸化銅と銅との共晶相を利用す
る直接接合法が一般におこなわれている。
【0004】図2(a)は、直接接合法で作製したAl
2 3 基板の断面図である。Al23 板1の両面に共
晶層6により銅板2が接合されている。
【0005】近年、パワーモジュールの小型化、高機能
化に向けて放熱性改善のために、さらに熱伝導率が高い
絶縁材料として窒化アルミニウム(以下AlNと記す)
や窒化けい素(以下Si3 4 と記す)などの窒化物セ
ラミックスが使用されてきている。
【0006】AlN板やSi3 4 板と銅板との接合方
法としては、チタン、ジルコニウム、ハフニウムなどの
活性金属を含む銀−銅系ロウ材を使って銅板を接合する
活性金属法が最も一般的である。
【0007】活性化金属法による接合は、次のようにお
こなわれる。まず、平坦に製造され洗浄されたAlN薄
板の両面に活性金属ろう材のペーストをスクリーン印刷
する。乾燥した後、両面に所定厚さの銅板を置き、真空
中850℃程度にてろう接を行なう。最後に、エッチン
グにより片面に回路パターンを形成し、反対面は縁取り
したベタ(パターンなし)銅板とする。
【0008】図2は、活性化金属法で作製したAlN基
板の断面図である。AlN薄板1の両面に活性ロウ材層
3で銅板2が接合されている。
【0009】活性金属法では、熱処理によりAlN表面
付近の窒素原子がロウ材のチタン、ジルコニウム、ハフ
ニウムなどの活性金属と反応して、界面に窒化チタン、
窒化ジルコニウム、窒化ハフニウムができる。そのため
AlN板と銅板とが強固に接合される。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
活性金属法により銅板を接合した絶縁放熱基板には以下
のような欠点があった。
【0011】そもそも、銅の熱膨張率は17×10-6
Kであるのに対し、AlNやSi34 などの窒化物セ
ラミックスでは4×10-6/K程度であり両者に大きな
差がある。そして、直接接合法の接合温度は1060℃
以上、活性金属法は、約850℃と高い。このような高
温でセラミックス板と銅板とを接合すると、接合後の降
温時にその熱膨張差により大きな応力が接合界面に発生
して、室温付近で使用する場合には大きな残留歪みや残
留応力が残る。
【0012】そのため、接合物が大きく反ったり、ま
た、低強度で破壊してしまったりして、その信頼性に問
題があった。
【0013】この問題点を解決するために、特開平4−
12554号や特開平9−315874号には、降伏応
力が小さく塑性変形しやすいAlを導体金属として用い
る方法が開示されている。しかしながら、Alの電気伝
導率は3.7×107 S(ジーメンス)/mであり、C
uの電気伝導率5.9×107 S/mよりも小さいた
め、同容量の電流を流すためには回路導体の厚さを厚く
しなければならない。また、Alの熱伝導率は240W
/(m・K)で、Cuの390W/(m・K)よりも小
さい。
【0014】よって、Alを導体金属としたAlN基板
の熱伝導性はCuを用いた絶縁放熱基板よりも低く、絶
縁体にAlNを使用した効果が十分に発揮されないとい
う欠点があった。
【0015】このような状況に鑑み本発明は、セラミッ
クス板と銅板とを強固に接合し、しかも接合による残留
応力を極力抑えて、信頼性の高いセラミックス基板を提
供することを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】上記の課題解決のため本
発明は、セラミックス板と銅板とが接合された半導装置
体用セラミックス基板において、セラミックス板と銅板
とがアルミニウムまたはアルミニウム合金の層を介して
接合されたものとする。
【0017】そのようにすれば熱膨張率差に伴じて界面
に発生する熱応力は、塑性変形しやすいアルミニウム、
アルミニウム合金を界面に介在させることにより緩和さ
れる。接合温度も従来の直接接合法や活性金属法に比
べ、低温とすることができるので、この点でも応力は緩
和され、反りやクラック等が抑えられてセラミックス基
板の信頼性は向上する。
【0018】特に、アルミニウム合金がアルミニウム−
けい素(Al−Si)合金、アルミニウム−銅(Al−
Cu)合金、アルミニウム−チタン(Al−Ti)合金
のいずれかであるものとする。
【0019】そのような合金を用いれば、セラミックス
板に対する濡れ性が良く、接合が容易である。
【0020】そして、アルミニウムあるいはアルミニウ
ム合金の接合層の厚さが10〜200μmの範囲にある
ことが重要である。
【0021】後の実施例の項で述べるように、接合層の
厚さが10μmより薄いと、応力緩和の効果が不十分で
あり、セラミックス板にクラックが発生する。逆に20
0μmより厚いとアルミニウムあるいはアルミニウム合
金の熱伝導性が低いため、放熱性の機能が低下する。
【0022】セラミックス板が、AlN、Si3 4
たはAl2 3 であるものとする。
【0023】後述するように、AlN、Si3 4 、A
2 3 のいずれにおいても強固に接合できることが確
かめられた。Al2 3 は最も汎用性にすぐれており、
AlN、Si3 4 であれば熱伝導率がAl2 3 より
大きいので、放熱性が向上する。
【0024】
【発明の実施の形態】以下、本発明にいたるまでの実験
およびその結果、ならびに比較のための従来法による実
験の経過およびその結果を詳細に説明する。 [実験1]図1は本発明の方法によりAlN板に銅板を
接合した半導体装置用AlN基板の断面図である。
【0025】AlN薄板1の両面に銅板2a、2bが純
Al層4で接合されている。
【0026】図1のAlN基板は、次のような工程で作
製した。
【0027】市販の平均粒径1μmのAlN粉末200
gに、平均粒径1μmの酸化イットリウム(以下Y2
3 と記す)粉末を10g加え、更にポリビニルブチラー
ル樹脂を20g加えて乾式で混合した。これに、キシレ
ン70gとフタル酸ジ−n−ブチル15gを加え、一昼
夜ボールミル混合を行なった。 減圧脱泡後、得られたス
ラリーを用いてドクターブレード法によりシート状の成
形体を得た。この成形体を乾燥し、プレスにて打抜き
後、500℃大気圧下で1時間脱脂を行い、その後窒素
気流下1800℃にて5時間焼結を行なって、60mm
×25mmで厚さ0.64mmのAlN薄板を得た。得
られたAlN薄板の熱伝導率をレーザーフラッシュ法に
て測定したところ170W/(m・K)であった。
【0028】AlN薄板1の両面に大きさ56mm×2
1mm、厚さ50μmの純Al箔3aを挟んで片面に厚
さ0.3mmの銅板2aを、反対面に厚さ0.2mmの
銅板2bを置き、8×10-3Paの真空中で、680℃
にて15分間熱処理を行ない、接合した。銅板2a、2
bの寸法は純Al箔と同じとした。なお、銅板2a、2
bおよび純Al箔の角は、曲率半径1mm(以下R1と
記す)の面取りを施した。
【0029】同様にして、Al−7%Si合金、Al−
13%Si合金、Al−5%Cu合金、Al−3%Ti
箔を用いてAlN薄板と銅板とを接合したAlN基板を
作成した。このとき合金により、熱処理温度を570〜
680℃の範囲で変化させた。なお、箔の厚さはいずれ
も50μmとした。合金元素の含有量は質量%である。
【0030】得られた基板はいずれもAlN薄板と銅板
とが良好に接合しており、カラーチェックや顕微鏡でク
ラックおよび剥離を観察したがAlN薄板の割れ等の不
良は認められなかった。
【0031】温度サイクルに対する安定性を評価するた
めに加速温度サイクル試験を行なった。加速温度サイク
ル試験は、30%水素混合の窒素雰囲気下で、室温から
30分で350℃まで加熱し、10分間保持後、1時間
で室温まで戻すことを30回繰り返し、カラーチェック
で窒化アルミニウムのクラック発生を、また顕微鏡観察
にて接合金属の剥離をチェックした。結果を表1に示
す。
【0032】
【表1】 比較のために活性金属法により接合したAlN基板も作
製した。その方法は、AlN薄板の両面にAg−28%
Cu−2%Ti合金のろう材ペーストを15μmの厚さ
にスクリーン印刷し、両面に上記寸法の銅板を置き、真
空中860℃にて接合した。そのAlN基板についての
結果も表1に記した。
【0033】従来の活性金属法によるAlN基板では1
5回で銅板コーナー部にクラックが発生したのに対し
て、本発明による基板では30回の温度サイクル後でも
クラックは発生せず、またCu板や接合層の剥離も見ら
れなかった。
【0034】表1の結果から、AlN薄板にAlまたは
Al合金箔で銅板を接合したAlN基板は、クラック、
剥離等の欠陥がなく、温度サイクルに対しても十分強い
セラミックス基板となる。
【0035】これは、AlまたはAl合金のろう材が軟
らかいこと、および接合温度が低いことにより、熱膨張
による差が小さく発生する応力が小さく、よって、残留
応力が小さくなるためと考えられる。 そのような合金
を用いれば、セラミックス板に対する濡れ性が良く、接
合が容易である。
【0036】なお、接合層の厚さが薄いため、熱伝導性
は殆ど低下しない。 [実験2]実験1で用いたAlN薄板の両面の56mm
×21mmの範囲に、種々の厚さのAl−7%Si合金
箔を置き、その上に合金箔と同じ寸法で厚さ0.3m
m、0.2mmの銅板をそれぞれの面に置いて、8×1
-3Paの真空中、630℃にて接合した。合金箔およ
び銅板の角にはR1の面取りを施した。
【0037】得られたAlN基板について、実験1と同
様にカラーチェックでAlN薄板のクラック発生を、ま
た顕微鏡観察にて接合金属の剥離をチェックし、また加
速温度サイクル試験をおこななった。その結果を表2に
示す。
【0038】
【表2】 接合層の厚さが5μmのAlN基板では10回の温度サ
イクルで、10μmのAlN基板では20回の温度サイ
クルでそれぞれ銅板コーナー部にクラックが発生した。
これは、接合層が薄いと温度サイクルに伴う界面応力の
緩和が十分でないためと考えられた。
【0039】一方、接合層が20μm以上になると30
回の温度サイクルに十分耐えるが、更に厚くするとろう
材層の熱伝導性が銅に比べて劣るために、基板からの放
熱性が損なわれる。従って、導体金属として銅を用いる
場合には、ろう材層の厚さは200μm以下であること
が望ましい。
【0040】以上を総合すると、ろう材層の厚さは10
〜200μmであることが望ましいことになる。 [実験3]実験1で用いたAlN薄板の両面の56mm
×21mmの範囲に、Al−7%Si合金粉末を含むろ
う材ペーストを、厚さ50μmにスクリーン印刷した
後、大気中で120℃で10分間乾燥した。乾燥したろ
う材ペーストの上に、同じ寸法で厚さ0.3mm、0.
2mmの銅板をそれぞれの面に置き、真空炉に入れて8
×10-3Paの真空中、630℃にて接合した。ろう材
および銅板の角にはR1の面取りを施した。接合後のろ
う材層の厚さは、印刷したペーストのほぼ2/3であっ
た。
【0041】得られたAlN基板について、実験1と同
様にカラーチェックでAlN薄板のクラック発生を、ま
た顕微鏡観察にて接合金属の剥離をチェックし、また加
速温度サイクル試験を行なった。
【0042】その結果は、クラック、剥離ともに無く3
0回の温度サイクルに十分耐えた。従って、Alまたは
Al合金によるろう付けの方法としては、ろう材ペース
トを使用することもできる。ろう材ペーストの印刷は、
成形した箔を使用するより、容易で、複雑な形状にも対
応できる利点がある。
【0043】なお、ろう材層の厚さはペーストの印刷、
乾燥を繰り返すことにより変えることができる。 [実験4]これまでの実験ではセラミックス板としてA
lN薄板を用いたが、Si3 4薄板を用いて接合を試
みた。
【0044】Si3 4 薄板の両面の56mm×21m
mの範囲に、Al−7%Si合金箔を置き、その上に同
じ寸法で厚さ0.3mm、0.2mmの銅板をそれぞれ
の面に置いて、真空炉に入れて8×10-3Paの真空
中、630℃にて接合した。ろう材および銅板の角には
R1の面取りを施した。
【0045】得られたSi3 4 基板について、実験1
と同様にカラーチェックでSi3 4 薄板のクラック発
生を、また顕微鏡観察にて接合金属の剥離をチェック
し、また加速温度サイクル試験を行なった。
【0046】その結果は、クラック、剥離ともに無く3
0回の温度サイクルに十分耐えた。従って、セラミック
板としては、AlN板だけでなく、Si3 4 板も使用
することができる。 [実験5]更にAl2 3 薄板を用いて接合を試みた。
【0047】Al2 3 薄板の両面の56mm×21m
mの範囲に、Al−7%Si合金箔を置き、その上に同
じ寸法で厚さ0.3mm、0.2mmの銅板をそれぞれ
の面に置いて、真空炉に入れて8×10-3Paの真空
中、630℃にて接合した。ろう材および銅板の角には
R1の面取りを施した。
【0048】得られたAl2 3 基板について、実験1
と同様にカラーチェックでAlN薄板のクラック発生
を、また顕微鏡観察にて接合金属の剥離をチェックし、
また加速温度サイクル試験を行なった。
【0049】その結果は、クラック、剥離ともに無く3
0回の温度サイクルに十分耐えた。従来の直接接合法よ
り接合温度が低いため、残留応力が小さくなったと考え
られる。従って、セラミック板としては、AlN板だけ
でなく、Al2 3 板も使用することもできる。また、
セラミック板と銅板との接合条件は上記のものに限られ
るわけではないことは勿論である。
【0050】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、セ
ラミックス板と銅板とをアルミニウムまたはアルミニウ
ム合金により接合することによって、従来の接合法では
信頼性に問題の多かったセラミックス基板の問題が解決
され、熱サイクルに対する信頼性の高いセラミックス基
板を実現できた。
【0051】特に、伝導率の大きい窒化アルミニウム、
窒化けい素等を用いて低い熱抵抗と共に、熱衝撃や熱履
歴に対する優れた耐久性をもつトランジスタモジュール
等の半導体装置が実現できることとなり、電力用のパワ
ーモジュール等の普及、発展に貢献するものであり、工
業的、経済的な効果は大である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるセラミックス基板の断面図
【図2】従来の活性金属接合によるセラミックス基板の
断面図
【符号の説明】
1 AlN薄板 2a、2b Cu板 3 活性ろう材層 4 純Al層

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】セラミックス板と銅板とが接合された半導
    体装置用セラミックス基板において、セラミックス板と
    銅板とがアルミニウムまたはアルミニウム合金の層を介
    して接合されたことを特徴とする半導体装置用セラミッ
    クス基板。
  2. 【請求項2】アルミニウム合金がアルミニウム−けい素
    合金、アルミニウム−銅合金、アルミニウム−チタン合
    金のいずれかであることを特徴とする請求項1記載の半
    導体装置用セラミックス基板。
  3. 【請求項3】アルミニウムあるいはアルミニウム合金の
    接合層の厚さが10〜200μmの範囲にあることを特
    徴とする請求項1または2に記載の半導体装置用セラミ
    ックス基板。
  4. 【請求項4】セラミックス板が、窒化アルミニウム、窒
    化けい素または酸化アルミニウムであることを特徴とす
    る請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体装置用セ
    ラミックス基板。
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