JP2000114375A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 層間絶縁膜に低誘電率の絶縁膜を用いた埋め
込み配線の形成において、低誘電率の絶縁膜の膜質劣化
を防止する。 【解決手段】 シリコン基板１０１上に酸化シリコン膜
からなる第１の絶縁膜１０２を形成し、レジストパター
ン１０３を用いて第１の絶縁膜１０２にビアホール形成
用ホール１０４を形成する。ビアホール形成用ホール１
０４内および第１の絶縁膜１０２上に低誘電率膜の第２
の絶縁膜１０５を形成する。第２の絶縁膜１０５上に酸
化シリコン膜からなる第３の絶縁膜１０６を形成し、こ
の上に配線パターン形状の開口を有するレジストパター
ン１０７を形成し、第３の絶縁膜１０６に配線パターン
を開口する。第３の絶縁膜１０６をマスクとして第２の
絶縁膜１０５をエッチングして配線溝１０８とビアホー
ル１０９を形成し、バリアメタル１１０と配線用メタル
１１１を被着した後、不要部分を除去して埋め込み配線
とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置、特に
多層配線を有する半導体装置の製造方法に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体素子の微細化、高速化に伴
い、素子の動作速度に影響を与える層間絶縁膜の容量の
低減が要求されており、隣接する配線間容量の低減と配
線材料の低抵抗化が重要となっている。配線間容量の低
減方法としては、配線周囲の層間絶縁膜を誘電率の小さ
い材料にすることが有効である。従来の酸化シリコン膜
（比誘電率４．３程度）やＢＰＳＧ膜、ＰＳＧ膜、ＢＳ
Ｇ膜などのリンあるいはボロンを含有した酸化シリコン
膜、フッ素添加酸化珪素膜（比誘電率３．３〜３．８程
度）などはエッチング加工が容易であり、広く用いられ
てきた。しかし、これらの材料では比誘電率が比較的大
きく配線間容量の低減が十分ではない。そこで、層間絶
縁膜の比誘電率をより小さくするために、有機材料（た
とえばメチルシロキサンポリマー、ポリアリルエーテ
ル、フッ化ポリイミド、ベンゾシクロブテン、ポリテト
ラフルオロエチレンなど）膜や、多孔質膜、微粒子を分
散させることによって低密度にした膜、低誘電率材料の
微粒子を分散させた膜などを用いることが提案されてい
る。

【０００３】一方、配線の低抵抗化としては、従来配線
材料として広く用いられてきたアルミニウム合金よりも
抵抗の小さい材料、例えば銅や銅合金材料等の使用が有
効である。したがって、低誘電率膜材料と低抵抗配線材
料を組み合わせた多層配線技術が半導体素子の高性能化
に必要となっている。

【０００４】また、銅合金などのように微細加工が比較
的困難な材料を用いる場合や、微細な配線間幅への層間
絶縁膜の埋め込みが困難である場合などには、埋め込み
配線プロセス、いわゆるダマシン(Damascene) プロセス
が用いられる。特にビアホール（接続孔）と配線溝を配
線材料で同時に埋め込み、ＣＭＰ(Chemical Mechanical
Polishing) 法によって研磨して不要部分の配線材料を
除去することにより、ビアホールと配線溝に埋め込まれ
た配線を同時に形成するデュアルダマシンプロセスは、
半導体装置の多層配線製造に要するプロセス数を減らす
ことができる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
低誘電率絶縁膜材料は、従来の半導体装置において層間
絶縁膜材料として用いられている酸化シリコン膜等とは
膜質が大きく異なっており、エッチングによる微細加工
が困難な材料が多く、また、リソグラフィー工程におけ
るレジスト剥離プロセスで行われる酸素プラズマによる
アッシング（灰化）や有機溶剤による洗浄によって膜質
が劣化してしまうために、微細なホールや配線用溝の形
成が困難である、またホールや配線用溝に配線用導電材
料を埋め込むプロセスにおいて、劣化した層間絶縁膜か
ら水分が放出されて導電膜の断線や高抵抗化の原因とな
るなどの課題がある。したがって、上記の低誘電率材料
を用いて微細な配線構造や低抵抗の接続用ビアを形成す
ることは、非常に困難である。

【０００６】従来の半導体装置の製造方法として、特開
平１０−１１２５０３号公報に記載の製造方法がある。

【０００７】図６は特開平１０−１１２５０３号公報に
より開示された従来の半導体装置の製造方法を示す工程
断面図である。

【０００８】シリコン基板４０１上に第１の酸化シリコ
ン膜４０２を形成し（図６（ａ））、その上に有機低誘
電率膜４０３を形成する（図６（ｂ））。さらにその上
に第２の酸化シリコン膜４０４を形成する（図６
（ｃ））。次に既知のフォトリソグラフィー工程により
レジストパターン４０５を形成し（図６（ｄ））、レジ
ストパターン４０５をマスクとして第２の酸化シリコン
膜４０４をエッチングして配線パターンを有する開口４
０６を形成し、その後レジストパターン４０５を除去す
る（図６（ｅ））。

【０００９】次に、リソグラフィーにより、酸化シリコ
ン膜４０４および有機低誘電率膜４０３上にビアホール
形成用レジストパターン４０７を形成する（図６
（ｆ））。次に、レジストパターン４０７をマスクとし
て酸化シリコン膜４０４の開口４０６の部分の有機低誘
電率膜４０３および酸化シリコン膜４０２を順次選択的
にエッチングする。これによってビアホール（接続孔）
４０８を形成し、その後レジストパターン４０７を除去
する（図６（ｇ））。

【００１０】次に、酸化シリコン膜４０４をマスクとし
て有機低誘電率膜４０３をエッチングする（図６
（ｈ））。これによって、酸化シリコン膜４０４の開口
４０６と同一形状の配線溝４０９が形成される。

【００１１】次に、スパッタリング法によりアルミニウ
ム合金膜４１０を配線材料として成膜する（図６
（ｉ））。成膜後にアルミニウム合金の融点近くの温度
でリフローを行うことにより、このアルミニウム合金膜
４１０によってビアホール４０８および配線溝４０９が
完全に埋め込まれるようにする。次に、ＣＭＰ（化学機
械研磨）法を用いて、酸化シリコン膜４０４を研磨スト
ッパー層として用いてアルミニウム合金膜４１０を研磨
し、このアルミニウム合金膜４１０のうち酸化シリコン
膜４０４上にある不要部分を除去する。以上により、ビ
アホール４０８および配線溝４０９に埋め込まれ下層配
線（図示せず）とコンタクトしたアルミニウム合金配線
４１１が形成される（図６（ｊ））。

【００１２】この方法によれば、ビアホール４０８の形
成部分は従来材料である酸化シリコン膜４０２であるた
め、加工は容易であり膜質劣化もない。

【００１３】しかしながら、配線溝４０９の形成される
有機低誘電率膜４０３がレジスト特有の剥離プロセス
（酸素プラズマアッシングおよび有機溶剤による洗浄）
における酸素プラズマや有機溶剤に２回曝され（図６
（ｅ），（ｇ））、またレジスト現像液にも曝される
（図６（ｆ））ので膜質劣化が大きい。例えば図６
（ｅ）の工程では、レジストパターン４０５を除去する
レジスト特有の剥離プロセス（酸素プラズマアッシング
および有機溶剤による洗浄）によって、露出している付
近の有機低誘電率膜４０３が膜中水分の増加や不要なエ
ッチングが生じて劣化してしまう（例えば劣化部分４０
３ａ）。このような劣化が生じると、その後で劣化部分
４０３ａから水分の放出が生じたり、不要なエッチング
による段差によって、後の成膜等において形成不良が生
じることにもなる。

【００１４】本発明の目的は、層間絶縁膜に有機膜など
の低誘電率の絶縁膜を用いた場合に、ダマシンプロセス
において、低誘電率の絶縁膜の膜質劣化を防止すること
ができる半導体装置の製造方法を提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の半導体装
置の製造方法は、下層配線が形成された半導体基板上に
第１の絶縁膜を形成する工程と、第１の絶縁膜上にビア
ホールパターン形状の開口を有する第１のレジストパタ
ーンを形成し、第１のレジストパターンをマスクに第１
の絶縁膜をエッチングしてビアホール形成用ホールを形
成する工程と、第１のレジストパターンを除去した後、
第１の絶縁膜よりも比誘電率が小さくかつ第１の絶縁膜
に対してエッチング選択性を有する第２の絶縁膜をビア
ホール形成用ホールに埋め込むとともに第１の絶縁膜上
に形成する工程と、第３の絶縁膜を第２の絶縁膜上に形
成する工程と、第３の絶縁膜上に上層配線パターン形状
の開口を有する第２のレジストパターンを形成し、第２
のレジストパターンをマスクに第３の絶縁膜をエッチン
グする工程と、第３の絶縁膜をエッチングした後、第２
の絶縁膜をエッチングすることにより、ビアホールと配
線溝を形成するとともに第２のレジストパターンが除去
される工程と、ビアホールと配線溝内に上層配線用メタ
ルを充填する工程と、上層配線用メタルのビアホールと
配線溝内を除く第３の絶縁膜上にある不要部分を除去す
る工程とを含むことを特徴とする。なお、例えば、絶縁
膜Ａが絶縁膜Ｂに対してエッチング選択性を有するとい
うことは、絶縁膜Ａをエッチングする際には絶縁膜Ｂは
エッチングされにくく、また、絶縁膜Ｂをエッチングす
る際には絶縁膜Ａはエッチングされにくいことを意味す
る。

【００１６】請求項２記載の半導体装置の製造方法は、
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、第１の
絶縁膜および第３の絶縁膜は、酸化シリコン膜またはフ
ッ素添加酸化シリコン膜であることを特徴とする。

【００１７】請求項３記載の半導体装置の製造方法は、
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、第２の
絶縁膜は、有機材料からなる膜、多孔質膜、無機成分と
有機成分の両方を含有する膜または微粒子を分散させた
膜であることを特徴とする。

【００１８】これら請求項１〜３記載の発明によれば、
配線溝が形成される第２の絶縁膜に有機膜等の低誘電率
膜を用い、第１のレジストパターンは酸化シリコン膜等
からなる第１の絶縁膜上に形成され、第２のレジストパ
ターンは酸化シリコン膜等からなる第３の絶縁膜上に形
成されるため、レジストが第２の絶縁膜上に直接形成さ
れることはなく、第２の絶縁膜がレジスト現像液に曝さ
れることがない。さらに、第１のレジストパターンの除
去にはレジスト特有の剥離プロセス（酸素プラズマアッ
シングおよび有機溶剤による洗浄）が必要であるが、こ
のときはまだ第２の絶縁膜は形成されていない。また、
第２のレジストパターンは、第２の絶縁膜をエッチング
して配線溝とビアホールを形成するときに、同時にエッ
チングされてなくなるため、レジスト特有の剥離プロセ
スは必要ない。したがって、低誘電率膜の第２の絶縁膜
がレジスト現像液や、レジスト特有の剥離プロセスの酸
素プラズマや有機溶剤に曝されることがないため、第２
の絶縁膜の膜質劣化を防止できる。

【００１９】また、配線溝の形成される第２の絶縁膜
が、第１の絶縁膜にあらかじめ形成したビアホール形成
用ホールに埋め込まれるため、配線溝を形成するエッチ
ング工程において同時にビアホールも形成することがで
きるとともに、前述のように第２のレジストパターンに
はレジスト特有の剥離プロセスが必要ないため、簡易な
プロセスでダマシン配線を形成できる。

【００２０】請求項４記載の半導体装置の製造方法は、
下層配線が形成された半導体基板上に第１の絶縁膜を形
成する工程と、第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成す
る工程と、第２の絶縁膜上にビアホールパターン形状の
開口を有する第１のレジストパターンを形成し、第１の
レジストパターンをマスクに第２の絶縁膜をエッチング
する工程と、第２の絶縁膜をマスクに第１の絶縁膜をエ
ッチングすることにより、ビアホール形成用ホールを形
成するとともに第１のレジストパターンが除去される工
程と、第２の絶縁膜よりも比誘電率が小さくかつ第２の
絶縁膜に対してエッチング選択性を有する第３の絶縁膜
をビアホール形成用ホールに埋め込むとともに第２の絶
縁膜上に形成する工程と、第３の絶縁膜上に第４の絶縁
膜を形成する工程と、第４の絶縁膜上に上層配線パター
ン形状の開口を有する第２のレジストパターンを形成
し、第２のレジストパターンをマスクに第４の絶縁膜を
エッチングする工程と、第４の絶縁膜をエッチングした
後、第３の絶縁膜をエッチングすることにより、ビアホ
ールと配線溝を形成するとともに第２のレジストパター
ンが除去される工程と、ビアホールと配線溝内に上層配
線用メタルを充填する工程と、上層配線用メタルのビア
ホールと配線溝内を除く第４の絶縁膜上にある不要部分
を除去する工程とを含むことを特徴とする。

【００２１】請求項５記載の半導体装置は、請求項４記
載の半導体装置の製造方法において、第１の絶縁膜およ
び第３の絶縁膜は、有機材料からなる膜、多孔質膜、無
機成分と有機成分の両方を含有する膜または微粒子を分
散させた膜であることを特徴とする。

【００２２】請求項６記載の半導体装置は、請求項４記
載の半導体装置の製造方法において、第２の絶縁膜およ
び第４の絶縁膜は、酸化シリコン膜またはフッ素添加酸
化シリコン膜であることを特徴とする。

【００２３】これら請求項４〜６記載の発明によれば、
配線溝が形成される第３の絶縁膜とビアホールが形成さ
れる第１の絶縁膜とに有機膜等の低誘電率膜を用い、第
１のレジストパターンは酸化シリコン膜等からなる第２
の絶縁膜上に形成され、第２のレジストパターンは酸化
シリコン膜等からなる第４の絶縁膜上に形成されるた
め、レジストが第１の絶縁膜上および第３の絶縁膜上に
直接形成されることはなく、第１の絶縁膜および第３の
絶縁膜がレジスト現像液に曝されることがない。

【００２４】さらに、第１のレジストパターンは、第１
の絶縁膜をエッチングしてビアホール形成用ホールを形
成するときに、同時にエッチングされてなくなり、ま
た、第２のレジストパターンは、第３の絶縁膜をエッチ
ングして配線溝とビアホールを形成するときに、同時に
エッチングされてなくなるため、第１，第２のレジスト
パターンのいずれもレジスト特有の剥離プロセス（酸素
プラズマアッシングおよび有機溶剤による洗浄）は必要
ない。

【００２５】したがって、低誘電率膜の第１，第３の絶
縁膜がレジスト現像液や、レジスト特有の剥離プロセス
の酸素プラズマや有機溶剤に曝されることがないため、
第１，第３の絶縁膜の膜質劣化を防止できる。

【００２６】また、配線溝の形成される第３の絶縁膜
が、第１の絶縁膜にあらかじめ形成したビアホール形成
用ホールに埋め込まれるため、配線溝を形成するエッチ
ング工程において同時にビアホールも形成することがで
きるとともに、前述のように第１，第２のレジストパタ
ーンのいずれもレジスト特有の剥離プロセスが必要ない
ため、簡易なプロセスでダマシン配線を形成できる。

【００２７】また、配線溝の形成される第３の絶縁膜だ
けでなく、ビアホールの形成される第１の絶縁膜にも、
低誘電率膜が用いられており、配線間容量のフリンジ成
分も低減されるため、請求項１〜３の場合に比べて、配
線間容量を一層低減できる。

【００２８】請求項７記載の半導体装置は、請求項１ま
たは請求項４記載の半導体装置の製造方法において、第
１のレジストパターンの開口を、ビアホールパターン形
状とするのに代えて、ビアホールパターン形状に対して
上層配線の幅方向にリソグラフィー工程時のアライメン
トの最大のずれ量の２倍以上大きくした形状とすること
を特徴とする。

【００２９】この請求項７記載の発明により、配線溝の
幅とほぼ同じ大きさのビアホールを形成する際でも、ビ
アホール形成用ホールが後に形成されるビアホールに対
して上層配線の幅方向にリソグラフィー工程時のアライ
メントの最大のずれ量の２倍以上大きい形状となり、上
層配線パターン形状の開口を有する第２のレジストパタ
ーンを形成時にアライメントずれが生じた場合でも、所
望のサイズのビアホールをエッチングにより形成でき、
そのエッチング工程も容易である。このように所望のサ
イズのビアホールが形成されるため、下層配線と上層配
線との接触面積が小さくなることはなく、十分な接触面
積を確保できるので、ビア部の高抵抗化を防止すること
ができる。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。

【００３１】（第１の実施の形態）図１は本発明の第１
の実施の形態における半導体装置の製造方法を示す工程
断面図である。

【００３２】まず、下層配線（図示せず）が形成された
シリコン基板（半導体基板）１０１上に第１の絶縁膜１
０２としてプラズマＣＶＤ（化学気相成長）法で堆積し
た酸化シリコン膜を形成する（図１（ａ））。第１の絶
縁膜１０２の上に既知のリソグラフィー工程によりレジ
ストパターン１０３を形成し、既知のドライエッチング
工程により第１の絶縁膜１０２にビアホール形成用ホー
ル１０４を形成する（図１（ｂ））。

【００３３】レジストパターン１０３を剥離後、第１の
絶縁膜１０２の上に第２の絶縁膜１０５として有機材料
であるポリアリルエーテル溶液をスピン塗布後焼成して
ポリアリルエーテル膜を形成する。このときビアホール
形成用ホール１０４も第２の絶縁膜１０５で埋め込まれ
る。さらに第２の絶縁膜１０５の上に第３の絶縁膜１０
６としてプラズマＣＶＤ（化学気相成長）法で堆積した
酸化シリコン膜を形成する（図１（ｃ））。

【００３４】次に、第３の絶縁膜１０６の上に既知のリ
ソグラフィー工程により配線パターンの形状の開口を有
するレジストパターン１０７を形成し、既知のドライエ
ッチング工程により酸化シリコン膜からなる第３の絶縁
膜１０６をエッチングし、配線パターンを開口する（図
１（ｄ））。

【００３５】次に、酸素ガスと窒素ガス（または酸素ガ
スとアルゴンガス）を用いたドライエッチング工程によ
り、ポリアリルエーテル膜からなる第２の絶縁膜１０５
を（第１の絶縁膜１０２に形成したビアホール形成用ホ
ール１０４内に埋め込まれている第２の絶縁膜１０５も
同時に）エッチングして配線溝１０８とビアホール１０
９を形成する（図１（ｅ））。このとき、レジストパタ
ーン１０７も同時にエッチングされてなくなるが、配線
パターンに開口している酸化シリコン膜からなる第３の
絶縁膜１０６はエッチングされないので、エッチングマ
スクとして作用する。

【００３６】次に、バリアメタル１１０として窒化チタ
ンを少なくとも配線溝１０８およびビアホール１０９の
表面に堆積後、配線用メタル１１１として銅を被着する
（図１（ｆ））。その後、化学機械研磨（ＣＭＰ）法に
よって研磨することにより、銅膜からなる配線用メタル
１１１と窒化チタン膜からなるバリアメタル１１０の不
要な部分を除去し、配線溝１０８およびビアホール１０
９に埋設した銅配線（上層配線）１１２を形成する（図
１（ｇ））。この銅配線１１２は、ビアホール１０９を
介して、図１（ａ）の工程以前にシリコン基板１０１上
に形成されていた下層配線（図示せず）と接続される。

【００３７】以上のようにこの第１の実施の形態によれ
ば、配線溝１０８が形成される第２の絶縁膜１０５に低
誘電率膜のポリアリルエーテル膜を用いている。そし
て、レジストパターン１０３は酸化シリコン膜からなる
第１の絶縁膜１０２上に形成され、レジストパターン１
０７は酸化シリコン膜からなる第３の絶縁膜１０６上に
形成されるため、レジストが第２の絶縁膜１０５上に直
接形成されることはなく、第２の絶縁膜１０５がレジス
ト現像液に曝されることがない。さらに、レジストパタ
ーン１０３の除去にはレジスト特有の剥離プロセス（酸
素プラズマアッシングおよび有機溶剤による洗浄）が必
要であるが、このときはまだ第２の絶縁膜１０５は形成
されていない。また、レジストパターン１０７は、図１
（ｅ）のドライエッチング工程により、第２の絶縁膜１
０５をエッチングして配線溝１０８とビアホール１０９
を形成するときに、同時にエッチングされてなくなるた
め、レジスト特有の剥離プロセスは必要ない。したがっ
て、低誘電率膜の第２の絶縁膜１０５がレジスト現像液
や、レジスト特有の剥離プロセスの酸素プラズマや有機
溶剤に曝されることがないため、第２の絶縁膜１０５の
膜質劣化を防止できる。

【００３８】また、配線溝１０８の形成される第２の絶
縁膜１０５が、第１の絶縁膜１０２にあらかじめ形成し
たビアホール形成用ホール１０４に埋め込まれるため、
配線溝１０８を形成するエッチング工程において同時に
ビアホール１０９も形成することができるとともに、前
述のようにレジストパターン１０７にはレジスト特有の
剥離プロセスが必要ないため、簡易なプロセスでダマシ
ン配線を形成できる。

【００３９】なお、この第１の実施の形態では、第１の
絶縁膜１０２および第３の絶縁膜１０６としてプラズマ
ＣＶＤで形成した酸化シリコン膜を用いたが、これに限
定されるものではなく、ＳｉＯ₂ 膜、ＳｉＯx （Ｘ≠
２）膜、ＳｉＯＦ膜や、これらの膜にリン、ホウ素等ド
ープした膜（ＢＰＳＧ膜、ＰＳＧ膜、ＢＳＧ膜など）な
どでもよい。

【００４０】また、第２の絶縁膜１０５としてポリアリ
ルエーテル膜を用いたが、これに限定されるものではな
く、第１の絶縁膜１０２よりも比誘電率が小さく、かつ
第１の絶縁膜１０２に対してエッチング選択性を有する
絶縁膜であればよい。たとえば、ポリイミド、ベンゾシ
クロブテン、ポリテトラフルオロエチレン、メチルシロ
キサンポリマーなどの有機材料からなる膜、または有機
成分と無機成分の両方を含有する膜や、多孔質膜、絶縁
性を有する微粒子が分散された低密度の膜（以下「微粒
子分散膜Ｉ」という）、膜中に低誘電率材料の微粒子を
分散させた絶縁膜（以下「微粒子分散膜II」という）な
どを用いてもよい。なお、微粒子分散膜Ｉは、例えばシ
リカ（ＳｉＯ₂ ）または水素化したシリカを主成分とす
る微粒子を、ＨＳＱ（水素化シルセスキオキサン）など
のバインダーでつないだ膜であり、微粒子同士の間に空
間が形成されて誘電率が小さくなっている。また、微粒
子分散膜IIは、例えばＳｉＯ₂ 中に、ＰＴＦＥ（ポリテ
トラフルオロエチレン）などの微粒子を分散させバイン
ダー（例えばＨＳＱ）でつないだ膜であり、この膜の場
合、バインダーを有する方が好ましいが、必ずしも必要
ではない。

【００４１】さらに、バリアメタル１１０として窒化チ
タンを用いたが、これに限定されるものではなく、チタ
ンやタンタル、窒化タンタルなど、またチタンと窒化チ
タンの積層膜やチタンと窒化タンタルの積層膜などでも
よい。なお、バリアメタル１１０は、配線用メタル１１
１と絶縁膜（１０２，１０５，１０６）との密着性を確
保するとともに、配線用メタル１１１が絶縁膜（１０
２，１０５，１０６）中に拡散して絶縁性が劣化するこ
とを防止するために形成している。

【００４２】また、配線用メタル１１１として銅を用い
たが、これに限定されるものではなく、アルミニウムや
タングステン、金、銀およびこれらの合金など導電性の
ある材料であればよい。

【００４３】（第２の実施の形態）図２は本発明の第２
の実施の形態における半導体装置の製造方法を示す工程
断面図である。

【００４４】まず、下層配線（図示せず）が形成された
シリコン基板（半導体基板）２０１上に、第１の絶縁膜
２０２として有機材料であるポリアリルエーテル溶液を
スピン塗布後焼成してポリアリルエーテル膜を形成す
る。その上に第２の絶縁膜２０３としてプラズマＣＶＤ
（化学気相成長）法で堆積した酸化シリコン膜を形成す
る。その後、第２の絶縁膜２０３の上に既知のリソグラ
フィー工程によりレジストパターン２０４を形成する
（図２（ａ））。その後、既知のドライエッチング工程
により酸化シリコン膜からなる第２の絶縁膜２０３をエ
ッチングしてビアホールパターンの形状の開口を有する
エッチングマスクを形成する（図２（ｂ））。

【００４５】次に、このエッチングマスクを用いて、酸
素ガスと窒素ガス（または酸素ガスとアルゴンガス）を
用いたドライエッチング工程により、ポリアリルエーテ
ル膜からなる第１の絶縁膜２０２をエッチングしてビア
ホール形成用ホール２０５を形成する。このときレジス
トパターン２０４も同時にエッチングされてなくなる
（図２（ｃ））。

【００４６】次に、第３の絶縁膜２０６として有機材料
であるポリアリルエーテル溶液をスピン塗布後焼成して
ポリアリルエーテル膜を形成する。このとき第１の絶縁
膜２０２に形成していたビアホール形成用ホール２０５
も第３の絶縁膜２０６で埋め込まれる。次に、第３の絶
縁膜２０６の上に第４の絶縁膜２０７としてプラズマＣ
ＶＤ法で堆積した酸化シリコン膜を形成する（図２
（ｄ））。

【００４７】次に、第４の絶縁膜２０７の上に既知のリ
ソグラフィー工程により配線パターンの形状の開口を有
するレジストパターン２０８を形成し（図２（ｅ））、
既知のドライエッチング工程により酸化シリコン膜から
なる第４の絶縁膜２０７をエッチングし、配線パターン
を開口する（図２（ｆ））。

【００４８】次に、酸素ガスと窒素ガス（または酸素ガ
スとアルゴンガス）を用いたドライエッチング工程によ
り、ポリアリルエーテル膜からなる第３の絶縁膜２０６
を（第１の絶縁膜２０２に形成したビアホール形成用ホ
ール２０５内に埋め込まれている第３の絶縁膜２０６も
同時に）エッチングして配線溝２０９とビアホール２１
０を形成する（図２（ｇ））。このとき、レジストパタ
ーン２０８も同時にエッチングされてなくなるが、配線
パターンに開口している酸化シリコン膜からなる第２の
絶縁膜２０３はエッチングされないので、エッチングマ
スクとして作用する。

【００４９】次に、バリアメタル２１１として窒化タン
タルを配線溝２０９およびビアホール２１０の表面に堆
積後、配線用メタル２１２として銅を被着する（図２
（ｈ））。その後、化学機械研磨（ＣＭＰ）法によって
研磨することにより、銅膜からなる配線用メタル２１２
と窒化タンタル膜からなるバリアメタル２１１の不要な
部分を除去し、配線溝２０９およびビアホール２１０に
埋設した銅配線（上層配線）２１３を形成する（図２
（ｉ））。この銅配線２１３は、ビアホール２１０を介
して、図２（ａ）の工程以前にシリコン基板２０１上に
形成されていた下層配線（図示せず）と接続される。

【００５０】以上のようにこの第２の実施の形態によれ
ば、配線溝２０９が形成される第３の絶縁膜２０６と、
ビアホール２１０が形成される第１の絶縁膜２０２と
に、低誘電率膜のポリアリルエーテル膜を用いている。
そして、レジストパターン２０４は酸化シリコン膜から
なる第２の絶縁膜２０３上に形成され、レジストパター
ン２０８は酸化シリコン膜からなる第４の絶縁膜２０７
上に形成されるため、レジストが第１の絶縁膜２０２上
および第３の絶縁膜２０６上に直接形成されることはな
く、第１の絶縁膜２０２および第３の絶縁膜２０６がレ
ジスト現像液に曝されることがない。

【００５１】さらに、レジストパターン２０４は、図２
（ｃ）のドライエッチング工程により、第１の絶縁膜２
０２をエッチングしてビアホール形成用ホール２０５を
形成するときに、同時にエッチングされてなくなり、ま
た、レジストパターン２０８は、図２（ｇ）のドライエ
ッチング工程により、第３の絶縁膜２０６をエッチング
して配線溝２０９とビアホール２１０を形成するとき
に、同時にエッチングされてなくなるため、レジストパ
ターン２０４，２０８のいずれもレジスト特有の剥離プ
ロセス（酸素プラズマアッシングおよび有機溶剤による
洗浄）は必要ない。

【００５２】したがって、低誘電率膜の第１，第３の絶
縁膜２０２，２０６がレジスト現像液や、レジスト特有
の剥離プロセスの酸素プラズマや有機溶剤に曝されるこ
とがないため、第１，第３の絶縁膜２０２，２０６の膜
質劣化を防止できる。

【００５３】例えば、レジストパターンを用いてエッチ
ングした後、レジストパターンをレジスト特有の剥離プ
ロセスによって除去する方法（従来手法）を用いる例を
図３に示す。

【００５４】この図３（ａ），（ｂ）の工程は、図２
（ａ），（ｂ）の工程と同様であり、シリコン基板２０
１上に、第１の絶縁膜（ポリアリルエーテル膜）２０
２，第２の絶縁膜（酸化シリコン膜）２０３，レジスト
パターン２０４を順次形成し（図３（ａ））、その後、
既知のドライエッチング工程により第２の絶縁膜２０３
をエッチングする（図３（ｂ））。この後、図３（ｃ）
では、レジスト特有の剥離プロセス（酸素プラズマアッ
シングおよび有機溶剤による洗浄）によってレジストパ
ターン２０４を除去する。このようにレジスト特有の剥
離プロセス（酸素プラズマアッシングおよび有機溶剤に
よる洗浄）を用いると、露出部分の第１の絶縁膜（ポリ
アリルエーテル膜）２０２が酸素プラズマや有機溶剤に
曝されて劣化（膜中水分の増加や不要なエッチング）し
てしまうことになる（劣化部分２０２ａ）。

【００５５】このような劣化部分２０２ａが生じると、
その後の第３の絶縁膜（ポリアリルエーテル膜）２０６
や第４の絶縁膜（酸化シリコン膜）２０７等の成膜時に
第１の絶縁膜の劣化部分２０２ａから水分の放出が生じ
たり、不要なエッチングによる段差が生じるなどの形成
不良が起こるという問題が生じる。本実施の形態では、
前述のようにレジスト特有の剥離プロセスを用いないた
め、第１の絶縁膜２０２の劣化は生じず、その後の成膜
プロセスにおいて形成不良が生じない。

【００５６】また、この第２の実施の形態によれば、配
線溝２０９の形成される第３の絶縁膜２０６が、第１の
絶縁膜２０２にあらかじめ形成したビアホール形成用ホ
ール２０５に埋め込まれるため、配線溝２０９を形成す
るエッチング工程において同時にビアホール２１０も形
成することができるとともに、前述のようにレジストパ
ターン２０４，２０８のいずれもレジスト特有の剥離プ
ロセスが必要ないため、簡易なプロセスでダマシン配線
を形成できる。

【００５７】また、この第２の実施の形態によれば、配
線溝２０９の形成される第３の絶縁膜２０６だけでな
く、ビアホール２１０の形成される第１の絶縁膜２０２
にも、低誘電率膜のポリアリルエーテル膜が用いられて
おり、隣接して形成される銅配線２１３間の配線間容量
のフリンジ成分も低減されるため、第１の実施の形態の
構造に比べて、配線間容量を一層低減できる。

【００５８】なお、この第２の実施の形態では、第２の
絶縁膜２０３および第４の絶縁膜２０７としてプラズマ
ＣＶＤで形成した酸化シリコン膜を用いたが、これに限
定されるものではなく、ＳｉＯ₂ 膜、ＳｉＯx （Ｘ≠
２）膜、ＳｉＯＦ膜や、これらの膜にリン、ホウ素等ド
ープした膜（ＢＰＳＧ膜、ＰＳＧ膜、ＢＳＧ膜など）な
どでもよい。

【００５９】また、第１の絶縁膜２０２および第３の絶
縁膜２０６としてポリアリルエーテル膜を用いたが、こ
れに限定されるものではなく、第２の絶縁膜２０３およ
び第４の絶縁膜２０７に対してエッチング選択性を有す
る絶縁膜であればよい。たとえば、メチルシロキサンポ
リマー、ポリイミド、ベンゾシクロブテン、ポリテトラ
フルオロエチレンなどの有機材料からなる膜、または有
機成分と無機成分の両方を含有する膜や、多孔質膜、第
１の実施の形態で説明した微粒子分散膜Ｉ、微粒子分散
膜IIなどを用いてもよい。

【００６０】さらに、バリアメタル２１１として窒化タ
ンタルを用いたが、これに限定されるものではなく、窒
化チタンやチタンやタンタルなど、またチタンと窒化チ
タンの積層膜やチタンと窒化タンタルの積層膜などでも
よい。なお、バリアメタル２１１は、配線用メタル２１
２と絶縁膜（２０２，２０３，２０６，２０７）との密
着性を確保するとともに、配線用メタル２１２が絶縁膜
（２０２，２０３，２０６，２０７）中に拡散して絶縁
性が劣化することを防止するために形成している。

【００６１】また、配線用メタル２１２として銅を用い
たが、これに限定されるものではなく、アルミニウムや
タングステン、金、銀やその合金など導電性のある材料
であればよい。

【００６２】（第３の実施の形態）図４は本発明の第３
の実施の形態の半導体装置の製造方法を説明するための
断面図である。

【００６３】この実施の形態では、リソグラフィープロ
セスにおいて配線溝パターン形成時にアライメントずれ
が生じた場合を考慮した構成になっている。配線ピッチ
の微細化が進むと配線幅とビアサイズがほぼ同じ大きさ
であるマージンレス配線が用いられる。このマージンレ
ス配線の場合、リソグラフィープロセスにおける配線溝
パターン形成時のアライメントずれが問題となる。

【００６４】例えば第１の実施の形態における製造方法
において、配線幅とビアサイズが同じ大きさであるマー
ジンレス配線を形成する場合を図５に示す。図５におい
て、図１と対応する部分には同一符号を付している。図
５は上記の配線溝パターン形成時のアライメントずれを
考慮していない場合であり、図５（Ａ）の状態は図１
（ｄ）の状態に相当し、ここではアライメントずれが発
生しておらず、問題は生じない。

【００６５】しかし、同じく図１（ｄ）の状態に相当す
る図５（Ｂ−ａ）の状態では、レジストパターン１０７
形成時に、配線の長さ方向に対して垂直な方向にアライ
メントずれαが生じている。このようなアライメントず
れαが生じた状態で、ドライエッチング工程を行い、図
５（Ｂ−ｂ）に示すように、配線溝１０８およびビアホ
ール１０９を形成すると、ビアホール１０９が形成され
る第１の絶縁膜１０２のエッチングされる領域が小さ
く、かつ高アスペクト比をもつ領域になってしまうた
め、ドライエッチングが困難になる。また、ドライエッ
チングが良好にできた場合でも、形成されるビアホール
１０９の径が小さくなってしまう。その結果、後でビア
ホール１０９内に形成される銅配線１１２（図１（ｇ）
参照）と下層配線（図示せず）との接触面積が小さくな
るので、抵抗が大きくなってしまうという問題が生じ
る。

【００６６】これに対して、第３の実施の形態は、上記
の配線溝パターン形成時のアライメントずれを考慮した
ものであり、図４に、例えば第１の実施の形態における
製造方法に第３の実施の形態の方法を適用し、配線幅と
ビアサイズが同じ大きさであるマージンレス配線を形成
する場合を示す。図４において、図１と対応する部分に
は同一符号を付している。図４（Ａ）の状態は図１
（ｄ）の状態に相当し、アライメントずれが発生してい
ない状態を示している。

【００６７】第３の実施の形態は、図１（ｂ）の工程
で、第１の絶縁膜（酸化シリコン膜）１０２にビアホー
ル形成用ホール１０４を形成する際に、配線長さ方向に
対して垂直な方向（すなわち銅配線１１２の幅方向）に
おいてリソグラフィー時のアライメントの最大のずれ量
をＬとすると、ビアホール形成用ホール１０４のサイズ
を２Ｌの長さだけ大きくすることを特徴とするものであ
る。すなわち図４（Ａ）に示されるビアホール形成用ホ
ール１０４の幅Ｔは、ビアホール１０９の所望とされる
幅（＝配線幅）をβとすると、２Ｌ＋βである。このよ
うなビアホール形成用ホール１０４となるように、レジ
ストパターン１０３の開口形状を同様な形状としてい
る。

【００６８】同じく図１（ｄ）の状態に相当する図４
（Ｂ−ａ）の状態では、レジストパターン１０７形成時
に、配線長さ方向に対して垂直な方向（すなわち銅配線
１１２の幅方向）にアライメントずれα（α≦Ｌ）が生
じている。この状態でも、ドライエッチング工程を行い
配線溝１０８およびビアホール１０９を形成すると、図
４（Ｂ−ｂ）に示すように、所望のサイズのビアホール
１０９が形成され、また、ドライエッチング工程も容易
である。このように所望のサイズのビアホール１０９が
形成されるため、後でビアホール１０９内に形成される
銅配線１１２（図１（ｇ）参照）と下層配線（図示せ
ず）との接触面積が小さくなることはなく、十分な接触
面積を確保できるので、ビア部の高抵抗化を防止するこ
とができる。

【００６９】なお、図４に示されるビアホール形成用ホ
ール１０４の幅Ｔは、ビアホール１０９の所望とされる
幅βよりも大きければ、ある程度の効果を得ることがで
き、２Ｌ＋β以上とすることにより十分な効果が得られ
る。

【００７０】なお、第３の実施の形態において、ビアホ
ール形成用ホール１０４を銅配線１１２の幅方向に大き
くすることにより、上記の効果を得るためには、銅配線
１１２（上層配線）と下層配線とが平行配置されていな
いことを前提としており、絶縁膜を介して直交配置され
ている場合に最も大きな効果が得られる。

【００７１】また、上記の第３の実施の形態の説明では
第１の実施の形態を用いて説明したが、第２の実施の形
態において配線幅とビアサイズが同じ大きさであるマー
ジンレス配線を形成する場合にも同様に、ビアホール形
成用ホール２０５のサイズを前述のビアホール形成用ホ
ール１０４と同様に大きくしておくことで同様の効果が
得られる。

【００７２】

【発明の効果】請求項１〜３記載の発明によれば、配線
溝が形成される第２の絶縁膜に有機膜等の低誘電率膜を
用い、第１のレジストパターンは酸化シリコン膜等から
なる第１の絶縁膜上に形成され、第２のレジストパター
ンは酸化シリコン膜等からなる第３の絶縁膜上に形成さ
れるため、レジストが第２の絶縁膜上に直接形成される
ことはなく、第２の絶縁膜がレジスト現像液に曝される
ことがない。さらに、第１のレジストパターンの除去に
はレジスト特有の剥離プロセス（酸素プラズマアッシン
グおよび有機溶剤による洗浄）が必要であるが、このと
きはまだ第２の絶縁膜は形成されていない。また、第２
のレジストパターンは、第２の絶縁膜をエッチングして
配線溝とビアホールを形成するときに、同時にエッチン
グされてなくなるため、レジスト特有の剥離プロセスは
必要ない。したがって、低誘電率膜の第２の絶縁膜がレ
ジスト現像液や、レジスト特有の剥離プロセスの酸素プ
ラズマや有機溶剤に曝されることがないため、第２の絶
縁膜の膜質劣化を防止できる。

【００７３】また、配線溝の形成される第２の絶縁膜
が、第１の絶縁膜にあらかじめ形成したビアホール形成
用ホールに埋め込まれるため、配線溝を形成するエッチ
ング工程において同時にビアホールも形成することがで
きるとともに、前述のように第２のレジストパターンに
はレジスト特有の剥離プロセスが必要ないため、簡易な
プロセスでダマシン配線を形成できる。

【００７４】また、請求項４〜６記載の発明によれば、
配線溝が形成される第３の絶縁膜とビアホールが形成さ
れる第１の絶縁膜とに有機膜等の低誘電率膜を用い、第
１のレジストパターンは酸化シリコン膜等からなる第２
の絶縁膜上に形成され、第２のレジストパターンは酸化
シリコン膜等からなる第４の絶縁膜上に形成されるた
め、レジストが第１の絶縁膜上および第３の絶縁膜上に
直接形成されることはなく、第１の絶縁膜および第３の
絶縁膜がレジスト現像液に曝されることがない。

【００７５】さらに、第１のレジストパターンは、第１
の絶縁膜をエッチングしてビアホール形成用ホールを形
成するときに、同時にエッチングされてなくなり、ま
た、第２のレジストパターンは、第３の絶縁膜をエッチ
ングして配線溝とビアホールを形成するときに、同時に
エッチングされてなくなるため、第１，第２のレジスト
パターンのいずれもレジスト特有の剥離プロセスは必要
ない。

【００７６】したがって、低誘電率膜の第１，第３の絶
縁膜がレジスト現像液や、レジスト特有の剥離プロセス
の酸素プラズマや有機溶剤に曝されることがないため、
第１，第３の絶縁膜の膜質劣化を防止できる。

【００７７】また、配線溝の形成される第３の絶縁膜
が、第１の絶縁膜にあらかじめ形成したビアホール形成
用ホールに埋め込まれるため、配線溝を形成するエッチ
ング工程において同時にビアホールも形成することがで
きるとともに、前述のように第１，第２のレジストパタ
ーンのいずれもレジスト特有の剥離プロセスが必要ない
ため、簡易なプロセスでダマシン配線を形成できる。

【００７８】また、配線溝の形成される第３の絶縁膜だ
けでなく、ビアホールの形成される第１の絶縁膜にも、
低誘電率膜が用いられており、配線間容量のフリンジ成
分も低減されるため、請求項１〜３の場合に比べて、配
線間容量を一層低減できる。

【００７９】さらに、請求項７記載の発明により、配線
溝の幅とほぼ同じ大きさのビアホールを形成する際で
も、ビアホール形成用ホールが後に形成されるビアホー
ルに対して上層配線の幅方向にリソグラフィー工程時の
アライメントの最大のずれ量の２倍以上大きい形状とな
り、上層配線パターン形状の開口を有する第２のレジス
トパターンを形成時にアライメントずれが生じた場合で
も、所望のサイズのビアホールをエッチングにより形成
でき、そのエッチング工程も容易である。このように所
望のサイズのビアホールが形成されるため、下層配線と
上層配線との接触面積が小さくなることはなく、十分な
接触面積を確保できるので、ビア部の高抵抗化を防止す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態における半導体装置
の製造方法を示す工程断面図である。

【図２】本発明の第２の実施の形態における半導体装置
の製造方法を示す工程断面図である。

【図３】本発明の第２の実施の形態における効果を説明
するための半導体装置の工程断面図である。

【図４】本発明の第３の実施の形態における半導体装置
の製造方法の特徴を示す部分の工程断面図である。

【図５】本発明の第３の実施の形態の必要性を示す半導
体装置の工程断面図である。

【図６】特開平１０−１１２５０３号公報により開示さ
れた従来の半導体装置の製造方法を示す工程断面図であ
る。

【符号の説明】

１０１ シリコン基板 １０２ 第１の絶縁膜（酸化シリコン膜） １０３，１０７ レジストパターン １０４ ビアホール形成用ホール １０５ 第２の絶縁膜（ポリアリルエーテル膜） １０６ 第３の絶縁膜（酸化シリコン膜） １０８ 配線溝 １０９ ビアホール １１０ バリアメタル １１１ 配線用メタル １１２ 銅配線 ２０１ シリコン基板 ２０２ 第１の絶縁膜（ポリアリルエーテル膜） ２０３ 第２の絶縁膜（酸化シリコン膜） ２０４，２０８ レジストパターン ２０５ ビアホール形成用ホール ２０６ 第３の絶縁膜（ポリアリルエーテル膜） ２０７ 第４の絶縁膜（酸化シリコン膜） ２０９ 配線溝 ２１０ ビアホール ２１１ バリアメタル ２１２ 配線用メタル ２１３ 銅配線

フロントページの続き (72)発明者 青井 信雄 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 4M104 BB14 BB17 BB30 BB32 DD16 DD19 DD20 DD71 FF13 FF16 HH09 HH20 5F033 HH08 HH11 HH13 HH14 HH18 HH21 HH32 HH33 JJ08 JJ11 JJ13 JJ14 JJ18 JJ21 JJ32 JJ33 MM02 MM05 MM12 MM13 NN03 NN06 NN07 QQ11 QQ28 QQ30 QQ35 QQ37 QQ48 RR04 RR11 RR13 RR14 RR15 RR21 RR22 RR23 SS15 SS22 WW01 XX03 XX14 XX15 XX25 XX28

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下層配線が形成された半導体基板上に第
   １の絶縁膜を形成する工程と、 前記第１の絶縁膜上にビアホールパターン形状の開口を
   有する第１のレジストパターンを形成し、前記第１のレ
   ジストパターンをマスクに前記第１の絶縁膜をエッチン
   グしてビアホール形成用ホールを形成する工程と、 前記第１のレジストパターンを除去した後、前記第１の
   絶縁膜よりも比誘電率が小さくかつ前記第１の絶縁膜に
   対してエッチング選択性を有する第２の絶縁膜を前記ビ
   アホール形成用ホールに埋め込むとともに前記第１の絶
   縁膜上に形成する工程と、 第３の絶縁膜を前記第２の絶縁膜上に形成する工程と、 前記第３の絶縁膜上に上層配線パターン形状の開口を有
   する第２のレジストパターンを形成し、前記第２のレジ
   ストパターンをマスクに前記第３の絶縁膜をエッチング
   する工程と、 前記第３の絶縁膜をエッチングした後、前記第２の絶縁
   膜をエッチングすることにより、ビアホールと配線溝を
   形成するとともに前記第２のレジストパターンが除去さ
   れる工程と、 前記ビアホールと配線溝内に上層配線用メタルを充填す
   る工程と、 前記上層配線用メタルの前記ビアホールと配線溝内を除
   く前記第３の絶縁膜上にある不要部分を除去する工程と
   を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】 第１の絶縁膜および第３の絶縁膜は、酸
   化シリコン膜またはフッ素添加酸化シリコン膜であるこ
   とを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 第２の絶縁膜は、有機材料からなる膜、
   多孔質膜、無機成分と有機成分の両方を含有する膜また
   は微粒子を分散させた膜であることを特徴とする請求項
   １記載の半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 下層配線が形成された半導体基板上に第
   １の絶縁膜を形成する工程と、 前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成する工程と、 前記第２の絶縁膜上にビアホールパターン形状の開口を
   有する第１のレジストパターンを形成し、前記第１のレ
   ジストパターンをマスクに前記第２の絶縁膜をエッチン
   グする工程と、 前記第２の絶縁膜をマスクに前記第１の絶縁膜をエッチ
   ングすることにより、ビアホール形成用ホールを形成す
   るとともに前記第１のレジストパターンが除去される工
   程と、 前記第２の絶縁膜よりも比誘電率が小さくかつ前記第２
   の絶縁膜に対してエッチング選択性を有する第３の絶縁
   膜を前記ビアホール形成用ホールに埋め込むとともに前
   記第２の絶縁膜上に形成する工程と、 前記第３の絶縁膜上に第４の絶縁膜を形成する工程と、 前記第４の絶縁膜上に上層配線パターン形状の開口を有
   する第２のレジストパターンを形成し、前記第２のレジ
   ストパターンをマスクに前記第４の絶縁膜をエッチング
   する工程と、 前記第４の絶縁膜をエッチングした後、前記第３の絶縁
   膜をエッチングすることにより、ビアホールと配線溝を
   形成するとともに前記第２のレジストパターンが除去さ
   れる工程と、 前記ビアホールと配線溝内に上層配線用メタルを充填す
   る工程と、 前記上層配線用メタルの前記ビアホールと配線溝内を除
   く前記第４の絶縁膜上にある不要部分を除去する工程と
   を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】 第１の絶縁膜および第３の絶縁膜は、有
   機材料からなる膜、多孔質膜、無機成分と有機成分の両
   方を含有する膜または微粒子を分散させた膜であること
   を特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】 第２の絶縁膜および第４の絶縁膜は、酸
   化シリコン膜またはフッ素添加酸化シリコン膜であるこ
   とを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
7. 【請求項７】 第１のレジストパターンの開口を、ビア
   ホールパターン形状とするのに代えて、前記ビアホール
   パターン形状に対して上層配線の幅方向にリソグラフィ
   ー工程時のアライメントの最大のずれ量の２倍以上大き
   くした形状とすることを特徴とする請求項１または請求
   項４記載の半導体装置の製造方法。