JP4523351B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
2 第1エッチングストッパー層
3 Low−k膜
4 キャップ層
5 ARC膜
6 レジストマスク
7 配線溝パターン
8 配線溝
9 配線材料膜
10 銅配線
11 第2エッチングストッパー層
Claims (1)
- 半導体基板上に、比誘電率が3.0以下の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜上に配線溝パターンを有するレジスト膜を形成する工程と、
少なくとも炭素及びフッ素を含むガスであって前記炭素に対する前記フッ素の原子比率が4以上であるガスをプラズマ励起し、前記レジスト膜をマスクにして前記層間絶縁膜をドライエッチングして、前記層間絶縁膜に配線溝を形成する工程と、
前記レジスト膜を除去した後、前記配線溝に配線材料膜を埋設して配線層を形成する工程と、
を有し、
前記ガスに、HFガス、F 2 ガス、SF 6 ガス、又はNF 3 ガスを添加することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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