JP2000114300A - バンプ電極構造を有する半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

バンプ電極構造を有する半導体装置およびその製造方法

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semiconductor device
electrode
bump
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Yoshihiro Bessho
芳宏 別所
Yutaka Taguchi
豊 田口
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】銅電極を有する半導体装置において、バンプ電
極を構成する主金属（例えば金）と銅電極を構成する銅
との相互拡散層を有することにより、形成が容易で信頼
性の高いバンプ電極を実現する半導体装置およびその製
造方法を提供する。 【解決手段】半導体装置１の上に銅電極２を形成し、そ
の上に銅電極２の周縁部を覆うようにしてパッシベーシ
ョン膜５を形成する。銅電極２の上に、ワイヤボンディ
ング法によってバンプ電極３を形成する。このとき銅電
極２とバンプ電極３との接合界面には相互拡散層４を形
成する。相互拡散層４は、例えば超音波及び熱から選ば
れる少なくとも一つの処理により形成する。さらに銅電
極２にはバンプ電極３の周囲に露出した表面に銅酸化膜
６を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、銅電極を有するバ
ンプ電極構造を有する半導体装置およびその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置を回路基板上へ実装す
るに際しては、半田付けが利用されることが多かった。
しかし、近年、半導体装置のパッケージが小型化し、か
つ、接続端子の数が増加したことにより、接続端子間の
間隔が狭くなり、従来の半田付け技術で対処することは
次第に困難となってきた。
【０００３】そこで、半導体装置を回路基板上に直付け
して実装面積を小型化し、回路基板の効率的使用を図ろ
うとする方法が提案されている。なかでも、次のような
実装方法が、半導体装置と回路基板とを接続した後の機
械的強度が強く、しかも一括して接続できることなどか
ら、有効な方法であるとされている（例えば、日経ＢＰ
社、１９９１年３月２７日発行、『マイクロエレクトロ
ニクス・パッケージング・ハンドブック』）。これは、
半導体装置を回路基板に接続するに際し、アルミ電極上
に予め密着金属や拡散防止金属の蒸着膜を形成し、さら
にこの上にメッキ法によって半田からなるバンプ電極を
形成してなる電極構造体を有する半導体装置を作製し、
この半導体装置を回路基板にフェイスダウン状態で積載
して高温に加熱することにより、半田（バンプ電極）と
回路基板の端子電極とを融着する実装方法である。
【０００４】しかし、上記したバンプ電極の形成方法で
は、電極構造が複雑であるために多くの工程を必要とす
る。このため、最近では、ワイヤボンディング技術を利
用して、半導体装置のアルミ電極上に突起電極を簡単に
形成する方法が提案されている（例えば特開昭４９−５
２９７３号公報）。
【０００５】以下、図面を参照しながら、従来の半導体
装置のバンプ電極構造体およびその形成方法について説
明する。図４は従来の半導体装置のバンプ電極構造体を
示す断面図である。
【０００６】図４に示すように、半導体装置１２の上に
はアルミ電極１３が形成されている。また、半導体装置
１２の上には、アルミ電極１３の周縁部を覆うようにし
てパッシベーション膜１５が形成されている。また、ア
ルミ電極１３の上には、ワイヤボンディング法によって
金ワイヤを用いてバンプ電極１４が形成されている。
【０００７】一方、半導体装置の高集積化により、半導
体装置の中における配線もますます微細化が必要とな
り、従来のアルミ配線では抵抗値や安定性の観点からそ
の代替材料として、銅配線が最有力とされている（例え
ば特開昭６３−７６４５６号公報）。これに伴い、半導
体装置の電極材料としても、従来のアルミ電極から銅電
極へと移行することが予測される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
バンプ電極構造体を有する半導体装置には、次のような
問題点があった。
【０００９】従来のアルミ電極へのワイヤボンディング
法による金ワイヤを用いたバンプ電極構造体では、金か
らなるバンプ電極１４とアルミ電極１３との接合界面に
おける金−アルミの金属間化合物の成長（特に、高温環
境下）に伴い、その接合強度の低下などによる長期信頼
性の劣化が問題となる。
【００１０】さらに、上記のようなバンプ電極構造体を
銅電極を有する半導体装置に適用するには、次のような
問題点があった。従来のアルミ電極へのワイヤボンディ
ング法による金ワイヤを用いたバンプ電極の形成時に
は、アルミ電極１３上のアルミ酸化膜を超音波振動を付
加して破壊することでアルミの新生面を露出させて金か
らなるバンプ電極１４と接合するものであるが、銅電極
の場合には、その表面の自然酸化膜が厚いために従来の
ボンディング法では接合が確実に行われないことが問題
となる。
【００１１】この問題を解決するために、銅電極の表面
に酸化膜をエッチング処理などで除去した後にバンプ電
極を形成した場合には、銅電極がバンプ電極の周囲に露
出しているため、この半導体装置をフリップチップなど
の実装体に供した際に、露出した銅電極部に水分が存在
した場合には比較的短時間で銅が腐食するという危険性
があった。
【００１２】本発明は、従来技術の問題を解決するた
め、銅電極を有する半導体装置において、容易に信頼性
の高いバンプ電極を形成することのできるバンプ電極構
造を有する半導体装置およびその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体装置は、銅電極とバンプ電極構
造体を有する半導体装置であって、前記半導体装置の銅
電極上に形成されたバンプ電極と、前記バンプ電極と前
記銅電極との接合界面において、前記バンプ電極を構成
する主金属と前記銅電極を構成する銅との相互拡散層を
有することを特徴とする。この半導体装置のバンプ電極
構造体の構成によれば、接合界面における金属間化合物
の成長に伴う接合強度の低下などによる長期信頼性の劣
化がない。
【００１４】前記構成においては、相互拡散層の厚さが
０．０５〜０．５μｍの範囲であることが好ましい。前
記範囲の厚さであれば、接合強度の低下などによる長期
信頼性の劣化は、効果的に防止できる。
【００１５】また、前記本発明の半導体装置において
は、バンプ電極を構成する主金属が金からなるのが好ま
しい。この好ましい例によれば、半導体装置の銅電極を
構成する銅と相互拡散層を得やすく、かつ、その接合部
は強固で安定であり、信頼性の高いバンプ電極構造体が
得られるからである。さらに、バンプ電極周囲に露出し
た銅電極の表面に酸化膜を形成する工程でバンプ電極の
表面が酸化されることはないので、後の接合工程にとっ
て都合がよい。なぜなら、バンプ電極の表面が酸化され
ると、酸化膜が介在すると電気的導通に寄与する電極と
してその電気的機能が得られなくなるからである。
【００１６】また、前記本発明の半導体装置において
は、バンプ電極の周囲に露出した銅電極の表面に銅酸化
膜を備えるのが好ましい。この好ましい例によれば、こ
の半導体装置をフリップチップやテープ オートメイテ
ド ボンディング（ＴＡＢ）などの実装体に供した際
に、水分や不純物イオンによって銅電極が腐食すること
はない。
【００１７】また、前記本発明の半導体装置において
は、銅酸化膜の厚みが銅電極の厚みの５〜２０％である
のが好ましい。この好ましい例によれば、実用的な半導
体装置のバンプ電極構造体が得られる。すなわち、銅酸
化膜の厚みが銅電極の厚みの５％よりも薄い場合には、
銅酸化膜を緻密に形成することは極めて困難となるた
め、実用的ではない。また、銅酸化膜の厚みが銅電極の
厚みの２０％よりも厚い場合には、銅電極部の抵抗値が
大きくなりすぎるため、実用的ではない。
【００１８】次に、本発明方法は、バンプ電極構造体を
有する半導体装置の製造方法であって、前記半導体装置
の銅電極上に、前記銅電極を構成する銅に対して相互拡
散する金属を主とする材料を接触させ、その接合界面に
相互拡散層を有するバンプ電極を形成することを特徴と
する。この形成方法によれば、バンプ電極と銅電極との
接合界面に相互拡散層が形成されたバンプ電極を有する
半導体装置が得られる。その結果、バンプ電極と銅電極
との接合界面における金属間化合物の成長に伴う接合強
度の低下などによる長期信頼性の劣化がない。
【００１９】また、前記本発明方法においては、相互拡
散層は超音波処理、熱処理またはその併用処理により形
成するのが好ましい。超音波処理及び熱処理から選ばれ
る少なくとも一つの処理により、バンプ電極を構成する
金属と銅電極を構成する金属との間で相互拡散を起こり
易くするためである。
【００２０】また、前記本発明方法においては、バンプ
電極が、ワイヤボンディング法により形成されるのが好
ましい。このワイヤボンディング法による突起電極の形
成は、例えば、以下のようにして行われる。まず、直径
約２５μｍの金属ワイヤの先端を熱エネルギーにより溶
融して金属ボールを作る。次いで、金属ワイヤの先端の
金属ボールを銅電極の上に置き、１５０℃の温度で約５
０ｇの圧力を加えることにより、金属ワイヤの先端の金
属ボールを銅電極の上に圧着する。最後に、金属ワイヤ
を上方へ引き上げる。以上のような工程を経て、バンプ
電極が銅電極の上に形成される。この好ましい例によれ
ば、半導体装置の銅電極上にバンプ電極を直接形成する
ことができるので、これから汎用となる半導体装置に容
易にバンプ電極を形成することができる。
【００２１】また、前記本発明方法においては、バンプ
電極を構成する主金属が金からなるのが好ましい。この
好ましい例によれば、半導体装置の銅電極を構成する銅
と相互拡散層を得やすく、かつ、その接合部は強固で安
定であり、信頼性の高いバンプ電極構造体が得られるか
らである。さらに、バンプ電極周囲に露出した銅電極の
表面に酸化膜を形成する工程でバンプ電極の表面が酸化
されることはないので、後の接合工程にとって都合がよ
い。なぜなら、バンプ電極の表面が酸化されると、酸化
膜が介在すると電気的導通に寄与する電極としてその電
気的機能が得られなくなるからである。
【００２２】また、前記本発明方法においては、バンプ
電極を形成する工程において、半導体装置の銅電極の表
面に向けて還元ガスを供給するのが好ましい。この好ま
しい例によれば、銅電極の表面の自然酸化膜を還元して
金属銅とすることでバンプ電極の接合性を向上すること
ができる。この場合にはさらに、還元ガスが、アルゴン
などの不活性ガスに１０〜２０vol.%の水素ガスを含む
のが好ましい。この好ましい例によれば、自然酸化膜を
短時間で効率良く還元することができる。
【００２３】また、前記本発明方法においては、バンプ
電極の周囲に露出した銅電極の表面に銅酸化膜を形成す
るのが好ましい。この好ましい例によれば、この半導体
装置をフリップチップやＴＡＢなどの実装体に供した際
に、水分や不純物イオンによって銅電極が腐食すること
はない。
【００２４】また、前記本発明方法においては、銅酸化
膜が、バンプ電極形成後の半導体装置を高温状態に曝す
ことによって形成されるのが好ましい。この好ましい例
によれば、銅酸化膜を短時間で効率良く形成することが
できる。また、この場合には、高温状態の温度範囲が２
００〜３００℃であるのが好ましい。この好ましい例に
よれば、内部配線の断線など、半導体装置自体への悪影
響を及ぼさない温度であるため、銅酸化膜を短時間で効
率良く形成することができる。この場合にはさらに、銅
酸化膜が、２００〜３００℃の温度範囲でバンプ電極を
形成する工程で同時に形成されるのが好ましい。この好
ましい例によれば、半導体装置のバンプ電極構造体の形
成工程の簡略化が図られる。
【００２５】また、前記本発明方法においては、銅酸化
膜を形成する工程において、バンプ電極周囲の銅電極の
表面に向けて空気などの酸化ガスを供給するのが好まし
い。この好ましい例によれば、銅酸化膜を短時間で効率
良く形成することができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、実施の形態を用いて本発明
をさらに具体的に説明する。図１は本発明の第１の実施
例に係る半導体装置のバンプ電極構造体の実施の形態を
示す断面図、図２は本発明の第２の実施例に係る半導体
装置のバンプ電極構造体の形態を示す断面図、図３は本
発明の実施例に係る半導体装置のバンプ電極構造体の形
成方法を示す工程説明図である。
【００２７】図１に示すように、半導体装置１の上には
銅電極２が形成されている。また、半導体装置１の上に
は、銅電極２の周縁部を覆うようにしてＳｉＮx からな
るパッシベーション膜５が形成されている。また、銅電
極２の上には、ワイヤボンディング法によってバンプ電
極３が形成されている。このとき、銅電極２とバンプ電
極３との接合界面には、バンプ電極３を構成する主金属
と銅電極２を構成する銅との相互拡散層４を有する。こ
の際、バンプ電極３は金からなるのが好ましい。金と銅
とは、ワイヤボンディング法での一般的な温度である、
１５０℃程度の比較的低い温度で相互拡散をすることが
できる。
【００２８】図２に示すように、半導体装置１の上には
銅電極２が形成されている。また、半導体装置１の上に
は、銅電極２の周縁部を覆うようにしてＳｉＮx からな
るパッシベーション膜５が形成されている。また、銅電
極２の上には、ワイヤボンディング法によってバンプ電
極３が形成されている。このとき、銅電極２とバンプ電
極３との接合界面には、バンプ電極３を構成する主金属
と銅電極２を構成する銅との相互拡散層４を有する。さ
らに、銅電極２には、バンプ電極３の周囲に露出した表
面に銅酸化膜６が形成されている。このようにバンプ電
極３の周囲に露出した銅電極２の表面に銅酸化膜６を形
成すれば、半導体装置１をフリップチップやＴＡＢなど
の実装体に供した際に、水分や不純物イオンによって銅
電極２が腐食することはない。ワイヤボンディング法に
よるバンプ電極３の形成は、一般に１５０℃程度の比較
的低い温度で行われ、かつ、１００個程度の銅電極２を
有する半導体装置１でも１０秒程度の極めて短い時間に
１５０℃程度の熱履歴を経るのみである。このため、ワ
イヤボンディング中に銅電極２の表面に形成される自然
酸化膜は約０．０１μｍと極めて薄くかつポーラスであ
り、銅電極２の腐食を防止するには不足である。
【００２９】銅酸化膜６の厚みは、銅電極２の厚みの５
〜２０％であるのが好ましい。一般的な半導体装置１の
銅電極２の膜厚は約１μｍ程度であり、この場合には、
銅酸化膜６の厚みは約０．１μｍ程度であればよい。ま
た、銅酸化膜６が緻密（ピンホールなどがない状態）で
あれば、銅酸化膜６の厚みはさらに薄くてもよく、約
０．０５μｍ程度であればよい。銅酸化膜６の厚みが銅
電極２の厚みの５％（０．０５μｍ）よりも薄い場合に
は、銅酸化膜６を緻密に形成することが極めて困難とな
るため、実用的ではない。また、銅酸化膜６の厚みが銅
電極２の厚みの２０％（０．２μｍ）よりも厚い場合に
は、銅電極部の抵抗値が大きくなりすぎるため、実用的
ではない。
【００３０】ここで、ワイヤボンディング法によるバン
プ電極３の形成について図３を用いて説明する。まず図
３（ａ）に示すように、キャピラリ７の孔を通した直径
約２５μｍの金を主成分とする金ワイヤ８の先端を、図
３（ｂ）に示すように、放電トーチ９による熱エネルギ
ーにより溶融してボール１０を作る。次いで図３（ｃ）
に示すように、半導体装置１の銅電極２の表面に向けて
アルゴンに２０vol.%の水素ガスを混合した還元ガスを
ガス供給ノズル１１で供給しながら、金ワイヤ８の先端
のボール１０を銅電極２の上に置き、１５０℃の温度で
約５０ｇの圧力と超音波を加えることにより、金ワイヤ
８の先端のボール１０を銅電極２の上に接合する。この
際、還元ガスにより銅電極２の表面の自然酸化膜を効率
よく還元して金属銅とすることができ、かつ、接合工程
においては、超音波と熱の併用によってボール１０の主
金属である金と銅電極２の銅とが良好な相互拡散層４を
形成することができる。相互拡散層４の好ましい厚さ
は、例えば銅電極２の膜厚が約１μｍ程度の場合、銅電
極２の部分が約０．１μｍ、バンプ電極３の部分が約
０．１μｍ、合計０．２μｍである。
【００３１】最後に、（ｄ）に示すように、金ワイヤ８
を上方へ引き上げる。以上のような工程を経て、金を主
成分とするバンプ電極３が銅電極２の上に形成される。
なお、このワイヤボンディング時の加熱温度を上記高温
状態（２００〜３００℃）に設定することにより、銅電
極２の上にバンプ電極３を形成すると同時にバンプ電極
３の周囲に露出した銅電極２の表面に銅酸化膜６を形成
することもできる。このようにバンプ電極３の形成と銅
酸化膜６の形成を同時に行えば、半導体装置のバンプ電
極構造体の形成工程の簡略化が図られる。
【００３２】銅酸化膜６は、例えば、バンプ電極３を形
成した後の半導体装置１を空気中で高温状態（例えば、
３００℃）に曝すことによって形成することができる。
すなわち、銅酸化膜６は熱酸化法によって形成すること
ができる。このように熱酸化法を用いれば、銅酸化膜４
を短時間で効率良く形成することができる。この場合、
高温状態の温度範囲は２００〜３００℃であるのが好ま
しい。
【００３３】バンプ電極３は金からなるのが好ましい。
バンプ電極３が金によって形成されていれば、銅電極２
に酸化膜を形成する工程でバンプ電極３の表面が酸化さ
れることはないので、後の接合工程にとって都合がよ
い。なぜなら、バンプ電極３の表面が酸化されると、酸
化膜が介在することとなり、電気的導通に寄与する電極
としてその電気的機能が得られなくなるからである。こ
の場合、バンプ電極３を、金ワイヤを用いてワイヤボン
ディング法によって形成すれば、本発明の実施の形態の
ように、銅電極２の上にバンプ電極３を直接形成するこ
とができるので、半導体装置に容易にバンプ電極を形成
することができる。バンプ電極は一般にメッキ法によっ
て形成されるが、この場合には、銅電極上に密着層や拡
散防止層などの薄膜を形成し、その上にバンプ電極が形
成されるため、複雑なプロセスや装置が必要となる。
【００３４】さらに、半導体装置１の銅電極２にボール
１０を接合した直後に、還元ガスの供給に用いたガス供
給ノズル１１から空気などの酸化ガスを供給すること
で、銅酸化膜６を形成しても良い。これは、ガスの切り
替え機構（図には示していない）をガス供給ノズルに付
加すれば容易に実現できる。この場合、半導体装置１の
全ての銅電極２上にバンプ電極３を形成した後に銅酸化
膜６を形成する方法に対して、より短時間で効率的に銅
酸化膜６を形成することができる。
【００３５】尚、本実施例においては、ワイヤボンディ
ング法によってバンプ電極３が形成されているが、必ず
しもこの方法に限定されるものではない。銅電極２の上
にバンプ電極３を直接形成する方法であれば、金属ボー
ルを直接接合するなどの方法によって形成してもよい。
【００３６】また、本実施例においては、銅酸化膜６が
熱酸化法によって形成されているが、必ずしもこの方法
に限定されるものではない。銅電極２の表面を酸化させ
る方法であれば、バンプ電極３を形成した後の半導体装
置を過硫酸アンモニウムや過酸化水素に浸すことによっ
て銅酸化膜６を形成してもよい。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置によれば、銅電極を有する半導体装置に、バンプ電極
を構成する主金属と銅電極を構成する銅との相互拡散層
を有することにより、信頼性の高いバンプ電極を提供す
ることができる。
【００３８】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
によれば、銅電極を有する半導体装置に、容易にかつ信
頼性高くバンプ電極を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１の実施例に係る半導体装置のバ
ンプ電極構造の実施の形態を示す断面図である。
【図２】 本発明の第２の実施例に係る半導体装置のバ
ンプ電極構造の実施の形態を示す断面図である。
【図３】 本発明の一実施例に係る半導体装置のバンプ
電極構造の形成方法を示す工程説明図であり、（ａ）は
半導体装置の上にキャピラリの孔を通した金ワイヤの先
端を出した工程、（ｂ）は放電トーチの熱エネルギーに
より溶融してボールを作る工程、（ｃ）は半導体装置の
銅電極の表面に向けて還元ガスを供給しながら、圧力と
超音波を加えることにより、金ワイヤの先端のボールを
銅電極の上に接合する工程、（ｄ）は金ワイヤを上方へ
引き上げる工程を示す。
【図４】 従来技術における半導体装置のバンプ電極構
造体を示す断面図である。
【符号の説明】
１ 半導体装置 ２ 銅電極 ３ バンプ電極 ４ 相互拡散層 ５ パッシベーション膜 ６ 銅酸化膜 ７ キャピラリ ８ 金ワイヤ ９ 放電トーチ １０ ボール １１ ガス供給ノズル １２ 半導体装置 １３ アルミ電極 １４ バンプ電極 １５ パッシベーション膜

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 銅電極とバンプ電極構造を有する半導体
    装置であって、前記半導体装置の銅電極上に形成された
    バンプ電極と、前記バンプ電極と前記銅電極との接合界
    面において、前記バンプ電極を構成する主金属と前記銅
    電極を構成する銅との相互拡散層を有することを特徴と
    するバンプ電極構造を有する半導体装置。
  2. 【請求項２】 相互拡散層の厚さが０．０５〜０．５μ
    ｍの範囲である請求項１に記載のバンプ電極構造を有す
    る半導体装置。
  3. 【請求項３】 バンプ電極を構成する主金属が金である
    請求項１に記載のバンプ電極構造を有する半導体装置。
  4. 【請求項４】 バンプ電極の周囲に露出した銅電極の表
    面に銅酸化膜を備えた請求項１に記載のバンプ電極構造
    を有する半導体装置。
  5. 【請求項５】 銅酸化膜の厚みが、銅電極の厚みの５〜
    ２０％の範囲である請求項４に記載のバンプ電極構造を
    有する半導体装置。
  6. 【請求項６】 銅電極とバンプ電極構造を有する製造方
    法であって、前記半導体装置の銅電極上に、前記銅電極
    を構成する銅に対して相互拡散する金属を主成分とする
    金属材料を接触させ、前記バンプ電極を構成する主金属
    と前記銅電極を構成する銅との相互拡散層を有するバン
    プ電極を形成することを特徴とするバンプ電極構造を有
    する半導体装置の製造方法。
  7. 【請求項７】 相互拡散層を、超音波処理及び熱処理か
    ら選ばれる少なくとも一つの処理により形成する請求項
    ６に記載のバンプ電極構造を有する半導体装置の製造方
    法。
  8. 【請求項８】 バンプ電極を、ワイヤボンディング法に
    より形成する請求項６に記載のバンプ電極構造を有する
    半導体装置の製造方法。
  9. 【請求項９】 バンプ電極を構成する主金属が、金であ
    る請求項６に記載のバンプ電極構造を有する半導体装置
    の製造方法。
  10. 【請求項１０】 バンプ電極を製造する工程において、
    半導体装置の銅電極の表面に向けて還元ガスを供給する
    請求項６に記載のバンプ電極構造を有する半導体装置の
    製造方法。
  11. 【請求項１１】 還元ガスが、不活性ガスに１０〜２０
    vol.% の範囲の水素ガスを含む請求項１０に記載のバン
    プ電極構造を有する半導体装置の製造方法。
  12. 【請求項１２】 バンプ電極の周囲に露出した銅電極の
    表面に銅酸化膜を形成する請求項６に記載のバンプ電極
    構造を有する半導体装置の製造方法。
  13. 【請求項１３】 銅酸化膜を、バンプ電極形成後の半導
    体装置を高温状態に曝すことによって形成する請求項１
    ２に記載のバンプ電極構造を有する半導体装置の製造方
    法。
  14. 【請求項１４】 高温状態の温度範囲が２００〜３００
    ℃である請求項１３に記載のバンプ電極構造を有する半
    導体装置の製造方法。
  15. 【請求項１５】 銅酸化膜を、２００〜３００℃の温度
    範囲でバンプ電極を形成する工程でバンプ電極の形成と
    同時に形成する請求項１４に記載のバンプ電極構造を有
    する半導体装置の製造方法。
  16. 【請求項１６】 銅酸化膜を形成する工程において、バ
    ンプ電極周囲の銅電極の表面に向けて酸化ガスを供給す
    る請求項１２に記載のバンプ電極構造を有する半導体装
    置の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007103859A (ja) * 2005-10-07 2007-04-19 Nec Electronics Corp 電子回路チップ、ならびに電子回路装置およびその製造方法

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