JP2000111360A - 変位測定装置 - Google Patents
変位測定装置Info
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- JP2000111360A JP2000111360A JP10285247A JP28524798A JP2000111360A JP 2000111360 A JP2000111360 A JP 2000111360A JP 10285247 A JP10285247 A JP 10285247A JP 28524798 A JP28524798 A JP 28524798A JP 2000111360 A JP2000111360 A JP 2000111360A
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- sensor head
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- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 確実なギャップ調整が可能であり、且つ電気
的及び機械的特性に優れた摺動保護膜を持つ変位測定装
置を提供する。 【解決手段】 スケール部材１とセンサヘッド２を摺動
させて相対移動させる静電容量式エンコーダが構成され
る。スケール部材１の転送電極１２が形成された面、及
びセンサヘッド２の送受信電極２２が形成された面は、
それぞれ摺動保護膜１３，２３により覆われる。摺動保
護膜１３，２３は、塗布型絶縁膜と、プラズマＣＶＤに
よるＤＬＣ膜の積層膜により形成される。
的及び機械的特性に優れた摺動保護膜を持つ変位測定装
置を提供する。 【解決手段】 スケール部材１とセンサヘッド２を摺動
させて相対移動させる静電容量式エンコーダが構成され
る。スケール部材１の転送電極１２が形成された面、及
びセンサヘッド２の送受信電極２２が形成された面は、
それぞれ摺動保護膜１３，２３により覆われる。摺動保
護膜１３，２３は、塗布型絶縁膜と、プラズマＣＶＤに
よるＤＬＣ膜の積層膜により形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、静電容量式エン
コーダ等の変位測定装置に関する。
コーダ等の変位測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、リニアスケール等の小型測長器に
搭載される静電容量式エンコーダでは、スケール部材と
センサヘッドとを、それらの間にエアギャップを設けて
対向配置することが一般に行われてきた。しかし、より
小型のエンコーダを実現するためには、エアギャップ調
整が困難になるため、スケール部材とセンサヘッドを直
接接触させて摺動させる方式が考えられている。この方
式では、センサヘッドとスケール部材に、それぞれの電
極を保護するための摺動保護膜が必要になる。
搭載される静電容量式エンコーダでは、スケール部材と
センサヘッドとを、それらの間にエアギャップを設けて
対向配置することが一般に行われてきた。しかし、より
小型のエンコーダを実現するためには、エアギャップ調
整が困難になるため、スケール部材とセンサヘッドを直
接接触させて摺動させる方式が考えられている。この方
式では、センサヘッドとスケール部材に、それぞれの電
極を保護するための摺動保護膜が必要になる。
【０００３】この様な摺動保護膜には、優れた電気絶縁
性、優れた平面度、小さい摩擦係数、優れた耐磨耗性等
の特性が要求される。例えば、摺動保護膜として容易に
考えられるのは、シリコン酸化膜等のＣＶＤによる堆積
絶縁膜である。また本出願人は先に、静電容量式のダイ
ヤルゲージにおいて、絶縁性テープを摺動保護膜として
用いることを提案している（特開平１０−１０３９０９
号公報）。更に、磁気記録媒体等の保護及び潤滑膜とし
て、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）を用いる提
案もなされている（特開平６−２０８７２１号公報、特
開平１０−７４３１５号公報、特開平１０−９１９４０
号公報等）。
性、優れた平面度、小さい摩擦係数、優れた耐磨耗性等
の特性が要求される。例えば、摺動保護膜として容易に
考えられるのは、シリコン酸化膜等のＣＶＤによる堆積
絶縁膜である。また本出願人は先に、静電容量式のダイ
ヤルゲージにおいて、絶縁性テープを摺動保護膜として
用いることを提案している（特開平１０−１０３９０９
号公報）。更に、磁気記録媒体等の保護及び潤滑膜とし
て、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）を用いる提
案もなされている（特開平６−２０８７２１号公報、特
開平１０−７４３１５号公報、特開平１０−９１９４０
号公報等）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＣＶＤによるシリコン
酸化膜等を静電容量式エンコーダの摺動保護膜として用
いようとすると、必要な電極間ギャップを得るために
は、数１０μｍの膜厚を必要とするため、膜堆積に長時
間を要し、現実的ではない。また、ＣＶＤシリコン酸化
膜では機械的強度も十分ではない。絶縁性テープを用い
る方式は、簡便ではあるが、小型エンコーダの電極間キ
ャップを１０〜３０μｍ程度に調整するに十分な薄さと
機械的強度を持つ絶縁性テープはない。また、ＤＬＣ膜
は、機械的強度は十分であるが、これ単独では上述した
小さい電極間ギャップを正確に調整することは難しく、
電極形成面の凹凸を平坦にすることもできない。
酸化膜等を静電容量式エンコーダの摺動保護膜として用
いようとすると、必要な電極間ギャップを得るために
は、数１０μｍの膜厚を必要とするため、膜堆積に長時
間を要し、現実的ではない。また、ＣＶＤシリコン酸化
膜では機械的強度も十分ではない。絶縁性テープを用い
る方式は、簡便ではあるが、小型エンコーダの電極間キ
ャップを１０〜３０μｍ程度に調整するに十分な薄さと
機械的強度を持つ絶縁性テープはない。また、ＤＬＣ膜
は、機械的強度は十分であるが、これ単独では上述した
小さい電極間ギャップを正確に調整することは難しく、
電極形成面の凹凸を平坦にすることもできない。
【０００５】この発明は、上記事情を考慮してなされた
もので、確実なギャップ調整が可能であり、且つ電気的
及び機械的特性に優れた摺動保護膜を持つ変位測定装置
を提供することを目的としている。
もので、確実なギャップ調整が可能であり、且つ電気的
及び機械的特性に優れた摺動保護膜を持つ変位測定装置
を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、スケール部
材と、このスケール部材に対向して相対移動可能に配置
されたセンサヘッドとを有する変位測定装置において、
前記スケール部材とセンサヘッドの相対向する面の少な
くとも一方に、平坦に形成された絶縁膜と、この絶縁膜
の上に積層形成されたダイヤモンドライクカーボン膜と
を有する摺動保護膜が形成されていることを特徴とす
る。前記絶縁膜としては、好ましくは塗布型絶縁膜が用
いられる。
材と、このスケール部材に対向して相対移動可能に配置
されたセンサヘッドとを有する変位測定装置において、
前記スケール部材とセンサヘッドの相対向する面の少な
くとも一方に、平坦に形成された絶縁膜と、この絶縁膜
の上に積層形成されたダイヤモンドライクカーボン膜と
を有する摺動保護膜が形成されていることを特徴とす
る。前記絶縁膜としては、好ましくは塗布型絶縁膜が用
いられる。
【０００７】この発明にかかる変位測定装置は、例え
ば、前記センサヘッドに送受信電極が形成され、前記ス
ケール部材に前記送受信電極と容量結合する転送電極が
形成された静電容量式エンコーダである。この場合好ま
しくは、前記センサヘッドの送受信電極が形成された面
と、スケール部材の転送電極が形成された面の双方に、
同様の摺動保護膜が形成されるものとする。更にこの静
電容量式エンコーダの場合、前記センサヘッドとスケー
ル部材の摺動保護膜は、センサヘッドの送受信電極とス
ケール部材の転送電極との間を適正距離、例えば１０〜
３０μｍの範囲に保持するように膜厚が設定される。
ば、前記センサヘッドに送受信電極が形成され、前記ス
ケール部材に前記送受信電極と容量結合する転送電極が
形成された静電容量式エンコーダである。この場合好ま
しくは、前記センサヘッドの送受信電極が形成された面
と、スケール部材の転送電極が形成された面の双方に、
同様の摺動保護膜が形成されるものとする。更にこの静
電容量式エンコーダの場合、前記センサヘッドとスケー
ル部材の摺動保護膜は、センサヘッドの送受信電極とス
ケール部材の転送電極との間を適正距離、例えば１０〜
３０μｍの範囲に保持するように膜厚が設定される。
【０００８】この発明によると、摺動保護膜として絶縁
膜とＤＬＣ膜の積層膜を用いることにより、膜厚調整に
よるギャップ調整を確実にすると共に、電気的及び機械
的特性に対する要請を十分に満たすことができる。即
ち、ＤＬＣ膜はＣＶＤにより堆積されるため、単独では
必要な厚みを得ることは困難であるが、塗布型絶縁膜と
組み合わせることにより、ＤＬＣ膜を薄くして、全体と
して必要な膜厚を容易に得ることができる。この膜厚調
整の容易さから、スケール部材とセンサヘッドの電極間
ギャップの調整も正確確実に行われる。更に、塗布型絶
縁膜により平坦性を出すことで、摺動保護膜の平坦性は
優れたものとなる。摺動に対する機械的強度、摩擦に対
する耐磨耗性はＤＬＣ膜により保証される。
膜とＤＬＣ膜の積層膜を用いることにより、膜厚調整に
よるギャップ調整を確実にすると共に、電気的及び機械
的特性に対する要請を十分に満たすことができる。即
ち、ＤＬＣ膜はＣＶＤにより堆積されるため、単独では
必要な厚みを得ることは困難であるが、塗布型絶縁膜と
組み合わせることにより、ＤＬＣ膜を薄くして、全体と
して必要な膜厚を容易に得ることができる。この膜厚調
整の容易さから、スケール部材とセンサヘッドの電極間
ギャップの調整も正確確実に行われる。更に、塗布型絶
縁膜により平坦性を出すことで、摺動保護膜の平坦性は
優れたものとなる。摺動に対する機械的強度、摩擦に対
する耐磨耗性はＤＬＣ膜により保証される。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施例を説明する。図１は、この発明の一実施例によ
る静電容量式エンコーダの構成を示し、図２はその要部
断面構造を示す。
の実施例を説明する。図１は、この発明の一実施例によ
る静電容量式エンコーダの構成を示し、図２はその要部
断面構造を示す。
【００１０】この静電容量式エンコーダは、スケール部
材１と、これに対向して矢印で示す方向に相対移動可能
に配置されるセンサヘッド２を有する。センサヘッド２
は、センサヘッド基板２１に送受信電極２２を形成して
構成されている。スケール部材１は、スケール基板１１
に受信電極２２に対向して容量結合する、スケール格子
を構成する転送電極１２を配列形成して構成されてい
る。センサヘッド２の送受信電極２２のうち送信電極に
は送信回路３から駆動信号が供給され、受信電極に得ら
れる信号が信号処理回路４に送られて、変位（位置））
測定が行われる。その測定原理は周知であり、詳細説明
は省略する。
材１と、これに対向して矢印で示す方向に相対移動可能
に配置されるセンサヘッド２を有する。センサヘッド２
は、センサヘッド基板２１に送受信電極２２を形成して
構成されている。スケール部材１は、スケール基板１１
に受信電極２２に対向して容量結合する、スケール格子
を構成する転送電極１２を配列形成して構成されてい
る。センサヘッド２の送受信電極２２のうち送信電極に
は送信回路３から駆動信号が供給され、受信電極に得ら
れる信号が信号処理回路４に送られて、変位（位置））
測定が行われる。その測定原理は周知であり、詳細説明
は省略する。
【００１１】スケール部材１の転送電極１２が形成され
た面は摺動保護膜１３により覆われて平坦化されてい
る。同様にセンサヘッド２の送受信電極２２が形成され
た面も摺動保護膜２３で覆われて平坦化されている。ス
ケール部材１とセンサヘッド２は、これらの摺動保護膜
１３，２３の面を接触させたギャップ零の状態で摺動さ
せるように、組み立てられる。
た面は摺動保護膜１３により覆われて平坦化されてい
る。同様にセンサヘッド２の送受信電極２２が形成され
た面も摺動保護膜２３で覆われて平坦化されている。ス
ケール部材１とセンサヘッド２は、これらの摺動保護膜
１３，２３の面を接触させたギャップ零の状態で摺動さ
せるように、組み立てられる。
【００１２】スケール部材１の摺動保護膜１３は、図２
に示すように、塗布型絶縁膜１３ａと、これに積層され
たＤＬＣ膜１３ｂの積層構造を有する。塗布型絶縁膜１
３ａは、具体的には回転塗布により形成される有機絶縁
材料であるポリイミド膜等のスピンオングラス（ＳＯ
Ｇ）膜である。この様な塗布型絶縁膜１３ａを例えば１
０μｍ程度形成することにより、転送電極１２が形成さ
れた凹凸面をほぼ平坦にすることができる。この塗布型
絶縁膜１３ａの平坦面にプラズマＣＶＤによるＤＬＣ膜
１３ｂを１〜３μｍ堆積して、摺動保護膜１３が得られ
る。
に示すように、塗布型絶縁膜１３ａと、これに積層され
たＤＬＣ膜１３ｂの積層構造を有する。塗布型絶縁膜１
３ａは、具体的には回転塗布により形成される有機絶縁
材料であるポリイミド膜等のスピンオングラス（ＳＯ
Ｇ）膜である。この様な塗布型絶縁膜１３ａを例えば１
０μｍ程度形成することにより、転送電極１２が形成さ
れた凹凸面をほぼ平坦にすることができる。この塗布型
絶縁膜１３ａの平坦面にプラズマＣＶＤによるＤＬＣ膜
１３ｂを１〜３μｍ堆積して、摺動保護膜１３が得られ
る。
【００１３】ＤＬＣ膜１３ａの堆積は、具体的には炭化
水素系の原料ガス、例えばＣＨ4或いはＣＨ2Ｃｌ2等の
原料の気化ガスとＨ2ガスを高周波電力の印加によりプ
ラズマ化して成膜するプラズマＣＶＤ法により、基板温
度３００℃以下、或いは更に低く２００℃以下の低温プ
ロセスで行われる。
水素系の原料ガス、例えばＣＨ4或いはＣＨ2Ｃｌ2等の
原料の気化ガスとＨ2ガスを高周波電力の印加によりプ
ラズマ化して成膜するプラズマＣＶＤ法により、基板温
度３００℃以下、或いは更に低く２００℃以下の低温プ
ロセスで行われる。
【００１４】センサヘッド２側の摺動保護膜２３も、ス
ケール部材１側と同様の条件で、塗布型絶縁膜２３ａを
形成し、これにＤＬＣ膜２３ｂを積層して得られる。但
し、センサヘッド２側では、送受信電極２２の端子を外
部に取り出すためのパッド用開口が設けられる。
ケール部材１側と同様の条件で、塗布型絶縁膜２３ａを
形成し、これにＤＬＣ膜２３ｂを積層して得られる。但
し、センサヘッド２側では、送受信電極２２の端子を外
部に取り出すためのパッド用開口が設けられる。
【００１５】この実施例において、図２に示すように、
センサヘッド２の送受信電極２２とスケール部材１の転
送電極１２の間のギャップＤは、エンコーダの性能上、
高精度に設定することが必要である。特にこの実施例
は、小型エンコーダであって、Ｄ＝１０〜３０μｍの範
囲に設定することを想定している。これをエアギャップ
で高精度に調整することは困難である。この実施例の場
合、スケール部材１とセンサヘッド２を摺動させる構造
とし、且つ摺動保護膜１３を塗布型絶縁膜１３ａとＤＬ
Ｃ膜１３ｂの二層構造としてそれぞれの膜厚ｄ１，ｄ２
の調整を行うことにより、Ｄ＝１０〜３０μｍの範囲の
ギャップ調整が確実に行われる。
センサヘッド２の送受信電極２２とスケール部材１の転
送電極１２の間のギャップＤは、エンコーダの性能上、
高精度に設定することが必要である。特にこの実施例
は、小型エンコーダであって、Ｄ＝１０〜３０μｍの範
囲に設定することを想定している。これをエアギャップ
で高精度に調整することは困難である。この実施例の場
合、スケール部材１とセンサヘッド２を摺動させる構造
とし、且つ摺動保護膜１３を塗布型絶縁膜１３ａとＤＬ
Ｃ膜１３ｂの二層構造としてそれぞれの膜厚ｄ１，ｄ２
の調整を行うことにより、Ｄ＝１０〜３０μｍの範囲の
ギャップ調整が確実に行われる。
【００１６】この実施例による効果をまとめると、以下
のようになる。第１に、二層構造の摺動保護膜により、
高精度の電極間ギャップ調整が確実にできる。特に小型
エンコーダの場合の微妙なギャップ調整ができる。第２
に、摺動保護膜の第１層目には塗布型絶縁膜を用いるこ
とで、電極面の平坦性を確保することができ、薄いＤＬ
Ｃ膜による平坦な摺動面を得ることができる。第３に、
摺動保護膜の形成工程が容易である。例えば、摺動保護
膜にＣＶＤ絶縁膜を用いようとすると、成膜に多大の時
間がかかるが、この実施例の場合、塗布型絶縁膜で主要
な膜厚を簡単に得ることができる。ＤＬＣ膜は、薄くて
もよいので、成膜時間はかからない。第４に、摺動保護
は、平坦で、硬度が大きく且つ摩擦係数の小さいＤＬＣ
膜により確実に行われる。第５に、摺動保護膜の形成工
程が、全体として３００℃以下の低温プロセスで行わ
れ、基板その他の材料選択の自由度が高い。
のようになる。第１に、二層構造の摺動保護膜により、
高精度の電極間ギャップ調整が確実にできる。特に小型
エンコーダの場合の微妙なギャップ調整ができる。第２
に、摺動保護膜の第１層目には塗布型絶縁膜を用いるこ
とで、電極面の平坦性を確保することができ、薄いＤＬ
Ｃ膜による平坦な摺動面を得ることができる。第３に、
摺動保護膜の形成工程が容易である。例えば、摺動保護
膜にＣＶＤ絶縁膜を用いようとすると、成膜に多大の時
間がかかるが、この実施例の場合、塗布型絶縁膜で主要
な膜厚を簡単に得ることができる。ＤＬＣ膜は、薄くて
もよいので、成膜時間はかからない。第４に、摺動保護
は、平坦で、硬度が大きく且つ摩擦係数の小さいＤＬＣ
膜により確実に行われる。第５に、摺動保護膜の形成工
程が、全体として３００℃以下の低温プロセスで行わ
れ、基板その他の材料選択の自由度が高い。
【００１７】前述のように、センサヘッド２側では電極
の端子取り出しのため、摺動保護膜２３にはパッド用開
口が必要になる。このパッド用開口の形成工程は、具体
的には、塗布型絶縁膜２３ａとＤＬＣ膜２３ｂの積層構
造を形成した後、メタルマスクを用いて、Ｏ2アッシン
グによりＤＬＣ膜２３ｂに開口を形成する。その後、Ｄ
ＬＣ膜２３ｂをマイクとして塗布型絶縁膜をエッチング
する。
の端子取り出しのため、摺動保護膜２３にはパッド用開
口が必要になる。このパッド用開口の形成工程は、具体
的には、塗布型絶縁膜２３ａとＤＬＣ膜２３ｂの積層構
造を形成した後、メタルマスクを用いて、Ｏ2アッシン
グによりＤＬＣ膜２３ｂに開口を形成する。その後、Ｄ
ＬＣ膜２３ｂをマイクとして塗布型絶縁膜をエッチング
する。
【００１８】また、パッド用開口を形成する必要上、セ
ンサヘッド２側の塗布型絶縁膜２３ａには、感光性のＳ
ＯＧ膜を用いることも好ましい。この様な感光性膜を用
いると、リソグラフィ工程を用いることなく、直接露光
と現像により塗布型絶縁膜をパターニングすることがで
きる。
ンサヘッド２側の塗布型絶縁膜２３ａには、感光性のＳ
ＯＧ膜を用いることも好ましい。この様な感光性膜を用
いると、リソグラフィ工程を用いることなく、直接露光
と現像により塗布型絶縁膜をパターニングすることがで
きる。
【００１９】この発明は、上記実施例に限られない。例
えば実施例では、スケール部材とセンサヘッドの双方に
同様の摺動保護膜を形成したが、この発明はスケール部
材側或いはセンサヘッド側の一方のみに実施例で説明し
た積層構造の摺動保護膜を形成する場合も有効である。
即ち他方の側は、別の構造の保護膜、例えばプラズマＣ
ＶＤによるＤＬＣ膜のみの保護膜であってもよい。いず
れか一方の側にのみ実施例の摺動保護膜構造を採用して
も、膜厚調整やギャップ調整は可能だからである。また
この発明は、リニアエンコーダに限らず、ロータリーエ
ンコーダにも適用できる。この場合、スケール部材は円
板状となる。更に、実施例では静電容量式エンコーダを
説明したが、光学式や磁気式のエンコーダについても、
同様にこの発明を適用することは可能である。
えば実施例では、スケール部材とセンサヘッドの双方に
同様の摺動保護膜を形成したが、この発明はスケール部
材側或いはセンサヘッド側の一方のみに実施例で説明し
た積層構造の摺動保護膜を形成する場合も有効である。
即ち他方の側は、別の構造の保護膜、例えばプラズマＣ
ＶＤによるＤＬＣ膜のみの保護膜であってもよい。いず
れか一方の側にのみ実施例の摺動保護膜構造を採用して
も、膜厚調整やギャップ調整は可能だからである。また
この発明は、リニアエンコーダに限らず、ロータリーエ
ンコーダにも適用できる。この場合、スケール部材は円
板状となる。更に、実施例では静電容量式エンコーダを
説明したが、光学式や磁気式のエンコーダについても、
同様にこの発明を適用することは可能である。
【００２０】
【発明の効果】以上述べたようにこの発明によれば、摺
動保護膜として塗布型絶縁膜とＤＬＣ膜の積層膜を用い
ることにより、正確なギャップ調整が可能で、摺動保護
膜に要求される電気的及び機械的特性を十分に満たすこ
とができ、特に小型の静電容量式エンコーダに適用して
優れた効果が得られる。
動保護膜として塗布型絶縁膜とＤＬＣ膜の積層膜を用い
ることにより、正確なギャップ調整が可能で、摺動保護
膜に要求される電気的及び機械的特性を十分に満たすこ
とができ、特に小型の静電容量式エンコーダに適用して
優れた効果が得られる。
【図１】 この発明の一実施例による静電容量式エンコ
ーダを示す。
ーダを示す。
【図２】 同エンコーダの要部断面構造を示す。
１…スケール部材、１１…スケール基板、１２…転送電
極、１３…摺動保護膜、１３ａ…塗布型絶縁膜、１３ｂ
…ＤＬＣ膜、２…センサヘッド、２１…センサヘッド基
板、２２…送受信電極、２３…摺動保護膜、２３ａ…塗
布型絶縁膜、２３ｂ…ＤＬＣ膜。
極、１３…摺動保護膜、１３ａ…塗布型絶縁膜、１３ｂ
…ＤＬＣ膜、２…センサヘッド、２１…センサヘッド基
板、２２…送受信電極、２３…摺動保護膜、２３ａ…塗
布型絶縁膜、２３ｂ…ＤＬＣ膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中山 賢一 神奈川県川崎市高津区坂戸１丁目20番１号 株式会社ミツトヨ内 (72)発明者 高橋 哲人 神奈川県川崎市高津区坂戸１丁目20番１号 株式会社ミツトヨ内 Ｆターム(参考） 2F063 AA02 CA30 EA02 HA05 HA10 HA18 2F077 AA42 AA46 NN05 PP01 VV09 VV11 VV29 VV33 VV35
Claims (5)
- 【請求項１】 スケール部材と、このスケール部材に対
向して相対移動可能に配置されたセンサヘッドとを有す
る変位測定装置において、 前記スケール部材とセンサヘッドの相対向する面の少な
くとも一方に、平坦に形成された絶縁膜と、この絶縁膜
の上に積層形成されたダイヤモンドライクカーボン膜と
を有する摺動保護膜が形成されていることを特徴とする
変位測定装置。 - 【請求項２】 前記絶縁膜は、塗布型絶縁膜であること
を特徴とする請求項１記載の変位測定装置。 - 【請求項３】 前記変位測定装置は、前記センサヘッド
に送受信電極が形成され、前記スケール部材には前記送
受信電極と容量結合する転送電極が形成された静電容量
式エンコーダであることを特徴とする請求項１又は２に
記載の変位測定装置。 - 【請求項４】 前記センサヘッドの送受信電極が形成さ
れた面及び、前記スケール部材の転送電極が形成された
面の双方に前記摺動保護膜が形成されていることを特徴
とする請求項３記載の変位測定装置。 - 【請求項５】 前記センサヘッドとスケール部材の摺動
保護膜は、前記センサヘッドの送受信電極と前記スケー
ル部材の転送電極との間を適正距離に保持するように膜
厚が設定されていることを特徴とする請求項４記載の変
位測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10285247A JP2000111360A (ja) | 1998-10-07 | 1998-10-07 | 変位測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10285247A JP2000111360A (ja) | 1998-10-07 | 1998-10-07 | 変位測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000111360A true JP2000111360A (ja) | 2000-04-18 |
Family
ID=17689030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10285247A Pending JP2000111360A (ja) | 1998-10-07 | 1998-10-07 | 変位測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000111360A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002318137A (ja) * | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Mitsutoyo Corp | 変位測定装置のスケール |
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