JP2000108340A - マイクロアクチュエータ - Google Patents
マイクロアクチュエータInfo
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- JP2000108340A JP2000108340A JP27973698A JP27973698A JP2000108340A JP 2000108340 A JP2000108340 A JP 2000108340A JP 27973698 A JP27973698 A JP 27973698A JP 27973698 A JP27973698 A JP 27973698A JP 2000108340 A JP2000108340 A JP 2000108340A
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- JP
- Japan
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- ink
- film
- microactuator
- recording head
- ink jet
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- Pending
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- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 結晶の相転移による体積変化を利用したマイ
クロアクチュエータをインク吐出駆動源とするインクジ
ェット式記録ヘッドを提供する。 【解決手段】 本発明のインクジェット式記録ヘッド
は、インクが充填される加圧室10を備える加圧室基板
の少なくとも一方の面に、マイクロアクチュエータ5を
配置したものである。マイクロアクチュエータ5は、所
定の入力信号を受けて発熱する発熱体16と、発熱体1
6により加熱され、固有の温度で結晶構造が相転移し、
体積変化を生じる相転移膜14とを備える。相転移膜1
4をチタン酸バリウムで成膜すると、120℃の相転移
温度で正方晶系から立方晶系に相転移する。このときの
体積変化で振動板膜13を介して加圧室10内のインク
圧を高めてノズル21からインク滴を吐出する。
クロアクチュエータをインク吐出駆動源とするインクジ
ェット式記録ヘッドを提供する。 【解決手段】 本発明のインクジェット式記録ヘッド
は、インクが充填される加圧室10を備える加圧室基板
の少なくとも一方の面に、マイクロアクチュエータ5を
配置したものである。マイクロアクチュエータ5は、所
定の入力信号を受けて発熱する発熱体16と、発熱体1
6により加熱され、固有の温度で結晶構造が相転移し、
体積変化を生じる相転移膜14とを備える。相転移膜1
4をチタン酸バリウムで成膜すると、120℃の相転移
温度で正方晶系から立方晶系に相転移する。このときの
体積変化で振動板膜13を介して加圧室10内のインク
圧を高めてノズル21からインク滴を吐出する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は結晶の相転移(多
形:polymorphism)による体積変化を利用したマイクロ
アクチュエータ(microactuator)に係わる。特に、イ
ンクジェット式記録ヘッドに好適なマイクロアクチュエ
ータに係わる。
形:polymorphism)による体積変化を利用したマイクロ
アクチュエータ(microactuator)に係わる。特に、イ
ンクジェット式記録ヘッドに好適なマイクロアクチュエ
ータに係わる。
【0002】
【従来の技術】インクジェット記録はノズルからインク
滴を吐出し、所望の記録媒体上に付着記録を行うもので
ある。中でも、オンデマンド方式のインクジェット記録
は必要なときだけインク滴を吐出し、印字等を行うもの
である。オンデマンド方式の主なものに、サーマル・イ
ンク・ジェット・プリンタとピエゾ式インク・ジェット
・プリンタがある。
滴を吐出し、所望の記録媒体上に付着記録を行うもので
ある。中でも、オンデマンド方式のインクジェット記録
は必要なときだけインク滴を吐出し、印字等を行うもの
である。オンデマンド方式の主なものに、サーマル・イ
ンク・ジェット・プリンタとピエゾ式インク・ジェット
・プリンタがある。
【0003】サーマル・インク・ジェット・プリンタは
インクの液相/気相間の相転移を利用したもので、一般
に抵抗ヒータであるサーマル・エネルギー・ジェネレー
タに電気パルスを選択的に与えることによって、要求に
応じてインク滴を放出するものである。このジェネレー
タはノズルから上流にある毛管を充填した並列インク・
チャネル内に位置する。ノズルと反対側のチャンネルの
端部は小型のインク貯蔵と連通し、この小型インク貯蔵
には大型の外部インク供給装置が接続されている。プリ
ンタヘッドは通常その上にヒータの位置するヒータ・プ
レートとチャンネル・プレートを有し、このチャネル・
プレート内にはチャンネルが形成される。このチャンネ
ルはインクをインク供給装置からレジスタに供給してノ
ズルから吐出させるインク経路として機能するものであ
る。
インクの液相/気相間の相転移を利用したもので、一般
に抵抗ヒータであるサーマル・エネルギー・ジェネレー
タに電気パルスを選択的に与えることによって、要求に
応じてインク滴を放出するものである。このジェネレー
タはノズルから上流にある毛管を充填した並列インク・
チャネル内に位置する。ノズルと反対側のチャンネルの
端部は小型のインク貯蔵と連通し、この小型インク貯蔵
には大型の外部インク供給装置が接続されている。プリ
ンタヘッドは通常その上にヒータの位置するヒータ・プ
レートとチャンネル・プレートを有し、このチャネル・
プレート内にはチャンネルが形成される。このチャンネ
ルはインクをインク供給装置からレジスタに供給してノ
ズルから吐出させるインク経路として機能するものであ
る。
【0004】一方、ピエゾ式インク・ジェット・プリン
タは、インク吐出駆動源として圧電性セラミックス等か
ら構成される圧電体薄膜素子を用いたもので、圧電体薄
膜素子のピエゾ効果による体積変化を利用して加圧室内
の圧力を高め、インク滴を吐出するものである。圧電性
セラミックスとして、ジルコン酸チタン酸鉛系セラミッ
クス、チタン酸鉛系セラミックス等が利用されている。
タは、インク吐出駆動源として圧電性セラミックス等か
ら構成される圧電体薄膜素子を用いたもので、圧電体薄
膜素子のピエゾ効果による体積変化を利用して加圧室内
の圧力を高め、インク滴を吐出するものである。圧電性
セラミックスとして、ジルコン酸チタン酸鉛系セラミッ
クス、チタン酸鉛系セラミックス等が利用されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、サーマル・イ
ンク・ジェット・プリンタは、発熱体を急速に加熱して
インクを沸騰させ、その圧力でインク滴を吐出するもの
であるから、インクへのダメージが大きい。印字の高品
質化、高精細化等を考慮すると、インクへのダメージは
少ない方が好ましい。
ンク・ジェット・プリンタは、発熱体を急速に加熱して
インクを沸騰させ、その圧力でインク滴を吐出するもの
であるから、インクへのダメージが大きい。印字の高品
質化、高精細化等を考慮すると、インクへのダメージは
少ない方が好ましい。
【0006】また、ピエゾ式インク・ジェット・プリン
タは、圧電体薄膜素子の電気的特性の変化等があり、安
定したインク吐出特性を保証することは容易ではない。
また、圧電体薄膜素子は電気的にはコンデンサとみなす
ことができ、圧電体薄膜素子の電気的特性の変化によ
る、インクジェット式記録ヘッドの駆動回路への影響等
を考慮して回路設計をする必要がある。さらに、プリン
タの小型化、低コスト化を実現するためにも、インクジ
ェット式記録ヘッドの回路構成は単純な方が好ましい。
タは、圧電体薄膜素子の電気的特性の変化等があり、安
定したインク吐出特性を保証することは容易ではない。
また、圧電体薄膜素子は電気的にはコンデンサとみなす
ことができ、圧電体薄膜素子の電気的特性の変化によ
る、インクジェット式記録ヘッドの駆動回路への影響等
を考慮して回路設計をする必要がある。さらに、プリン
タの小型化、低コスト化を実現するためにも、インクジ
ェット式記録ヘッドの回路構成は単純な方が好ましい。
【0007】そこで、本発明は、インクジェット式記録
ヘッドのインク吐出駆動源に好適なマイクロアクチュエ
ータを提供することを課題とする。また、このマイクロ
アクチュエータを利用したインクジェット式記録ヘッド
を提供することを課題とする。
ヘッドのインク吐出駆動源に好適なマイクロアクチュエ
ータを提供することを課題とする。また、このマイクロ
アクチュエータを利用したインクジェット式記録ヘッド
を提供することを課題とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明のマイクロアクチ
ュエータは、所定の入力信号を受けて発熱する発熱体
と、この発熱体により加熱され、固有の温度で結晶構造
が相転移し、体積変化を生じる薄膜(相転移膜)とを備
える。このような構成により、圧電体薄膜素子のように
電気的特性の変化等がないため、安定した駆動特性を有
し、微細駆動に好適なマイクロアクチュエータを提供す
ることができる。
ュエータは、所定の入力信号を受けて発熱する発熱体
と、この発熱体により加熱され、固有の温度で結晶構造
が相転移し、体積変化を生じる薄膜(相転移膜)とを備
える。このような構成により、圧電体薄膜素子のように
電気的特性の変化等がないため、安定した駆動特性を有
し、微細駆動に好適なマイクロアクチュエータを提供す
ることができる。
【0009】尚、ここでいう入力信号とは、マイクロア
クチュエータの駆動信号であり、電流、電圧、光、各種
波の振幅等のさまざまな形式がある。また、相転移と
は、多形(polymorphism)のことをいい、化学組成が同
一で結晶構造が異なる現象をいう。同質多形、同質異
形、同質多像ともいう。多形の原因は主に温度、圧力等
の物理的化学的条件による。
クチュエータの駆動信号であり、電流、電圧、光、各種
波の振幅等のさまざまな形式がある。また、相転移と
は、多形(polymorphism)のことをいい、化学組成が同
一で結晶構造が異なる現象をいう。同質多形、同質異
形、同質多像ともいう。多形の原因は主に温度、圧力等
の物理的化学的条件による。
【0010】特に、相転移膜は、チタン酸バリウム、ジ
ルコン酸鉛、チタン酸バリウムストロンチウム、チタン
酸スズ酸バリウム又はチタン酸鉛ストロンチウムのうち
何れかで成膜することが好ましい。例えば、チタン酸バ
リウムは120℃の相転移温度で正方晶から立方晶へ相
転移し、このときの結晶の体積変化でマイクロアクチュ
エータを実現する。
ルコン酸鉛、チタン酸バリウムストロンチウム、チタン
酸スズ酸バリウム又はチタン酸鉛ストロンチウムのうち
何れかで成膜することが好ましい。例えば、チタン酸バ
リウムは120℃の相転移温度で正方晶から立方晶へ相
転移し、このときの結晶の体積変化でマイクロアクチュ
エータを実現する。
【0011】また、入力信号を電流とした場合、発熱体
は、窒化タンタル、酸化ルビジウム又はTa−Al合金
のうち何れかで成膜する。一方、入力信号を光とした場
合、発熱体は、金属薄膜として、チタン、クロム、タン
グステン、鉄、イリジウム、銅、金、銀、又は、ポリシ
リコンのうち何れかで成膜し、化合物では、アンチモン
化インジウム等で成膜する。特に、入力信号を光とした
場合は、インクジェット式記録ヘッドに配線のための電
極や層間絶縁膜等が不要になり、インクジェット式記録
ヘッドの構成が簡易になる。
は、窒化タンタル、酸化ルビジウム又はTa−Al合金
のうち何れかで成膜する。一方、入力信号を光とした場
合、発熱体は、金属薄膜として、チタン、クロム、タン
グステン、鉄、イリジウム、銅、金、銀、又は、ポリシ
リコンのうち何れかで成膜し、化合物では、アンチモン
化インジウム等で成膜する。特に、入力信号を光とした
場合は、インクジェット式記録ヘッドに配線のための電
極や層間絶縁膜等が不要になり、インクジェット式記録
ヘッドの構成が簡易になる。
【0012】本発明のインクジェット式記録ヘッドは、
インクが充填される加圧室を備える加圧室基板の少なく
とも一方の面に、本発明のマイクロアクチュエータを配
置したものである。特に、本発明ののマイクロアクチュ
エータを振動板として機能させると、インク吐出の応答
性に優れたインクジェット式記録ヘッドを提供すること
ができる。また、駆動回路への電気的特性を考慮せずに
回路設計ができる。さらに、インクジェット式記録ヘッ
ドの超小型化を可能にできる。
インクが充填される加圧室を備える加圧室基板の少なく
とも一方の面に、本発明のマイクロアクチュエータを配
置したものである。特に、本発明ののマイクロアクチュ
エータを振動板として機能させると、インク吐出の応答
性に優れたインクジェット式記録ヘッドを提供すること
ができる。また、駆動回路への電気的特性を考慮せずに
回路設計ができる。さらに、インクジェット式記録ヘッ
ドの超小型化を可能にできる。
【0013】
【発明の実施の形態】発明の実施の形態1.以下、図1
乃至図4を参照して本実施の形態について説明する。本
実施の形態は、マイクロアクチュエータをプリンタのイ
ンク吐出駆動源としたインクジェット式記録ヘッドに係
わる。
乃至図4を参照して本実施の形態について説明する。本
実施の形態は、マイクロアクチュエータをプリンタのイ
ンク吐出駆動源としたインクジェット式記録ヘッドに係
わる。
【0014】(インクジェット式記録ヘッドの構成)イ
ンクジェット式記録ヘッドの構造を図4を参照して説明
する。同図に示すインクジェット式記録ヘッドの分解斜
視図は、インクの供給流路が加圧室基板内に形成される
タイプである。同図に示すように、インクジェット式記
録ヘッドは、主に加圧室基板1、ノズルプレート2及び
基体3から構成される。
ンクジェット式記録ヘッドの構造を図4を参照して説明
する。同図に示すインクジェット式記録ヘッドの分解斜
視図は、インクの供給流路が加圧室基板内に形成される
タイプである。同図に示すように、インクジェット式記
録ヘッドは、主に加圧室基板1、ノズルプレート2及び
基体3から構成される。
【0015】加圧室基板1はシリコン単結晶基板上に形
成された後、各々に分離される。加圧室基板1には複数
の短冊状の加圧室10が設けられ、全ての加圧室10に
インクを供給するための共通流路12を備える。加圧室
10の間は側壁11により隔てられている。加圧室10
は2列に配列され、一列当たり128個形成されてお
り、256ノズルの印字密度を有するインクジェット式
記録ヘッドを実現している。加圧室基板1の基体3側に
は振動板膜及びマイクロアクチュエータ(図示せず)が
形成されている。また、各マイクロアクチュエータから
の配線はフレキシブルケーブルである配線基板4に収束
され、インク吐出制御回路(図示せず)と接続される。
このインク吐出制御回路にはプリンタ内のコンピュータ
から印字データが供給され、所定のタイミングでマイク
ロアクチュエータを駆動することでインク滴を吐出し、
記録用紙に印字する。
成された後、各々に分離される。加圧室基板1には複数
の短冊状の加圧室10が設けられ、全ての加圧室10に
インクを供給するための共通流路12を備える。加圧室
10の間は側壁11により隔てられている。加圧室10
は2列に配列され、一列当たり128個形成されてお
り、256ノズルの印字密度を有するインクジェット式
記録ヘッドを実現している。加圧室基板1の基体3側に
は振動板膜及びマイクロアクチュエータ(図示せず)が
形成されている。また、各マイクロアクチュエータから
の配線はフレキシブルケーブルである配線基板4に収束
され、インク吐出制御回路(図示せず)と接続される。
このインク吐出制御回路にはプリンタ内のコンピュータ
から印字データが供給され、所定のタイミングでマイク
ロアクチュエータを駆動することでインク滴を吐出し、
記録用紙に印字する。
【0016】ノズルプレート2は加圧室基板1に接合さ
れる。ノズルプレート2における加圧室10に対応する
位置にはインク滴を摘出するためのノズル21が形成さ
れている。ノズル21は所定の配列ピッチで2列形成さ
れている。各列の間隔は180分の1インチであり、ノ
ズル21の配列ピッチは360分の1インチである。
れる。ノズルプレート2における加圧室10に対応する
位置にはインク滴を摘出するためのノズル21が形成さ
れている。ノズル21は所定の配列ピッチで2列形成さ
れている。各列の間隔は180分の1インチであり、ノ
ズル21の配列ピッチは360分の1インチである。
【0017】基体3はプラスチック、金属等の鋼体であ
り、加圧室基板1の取付台となる。
り、加圧室基板1の取付台となる。
【0018】(インクジェット式記録ヘッドの主要部)
インクジェット式記録ヘッドの主要部の断面図を図1に
示す。同図は図4におけるA―A断面図に相当する。イ
ンクジェット式記録ヘッドの主要部は主にマイクロアク
チュエータ5、振動板膜13、加圧室10及びノズルプ
レート2から構成される。マイクロアクチュエータ5
は、共通電極15及びセグメント電極18で温度制御さ
れる発熱体16と、この発熱体16により加熱される相
転移膜14とから構成される。相転移膜14は例えば、
チタン酸バリウム(BaTiO3)を材料として成膜さ
れ、相転移温度120℃で結晶構造が正方晶系から立方
晶系に転移する。発熱体16は、例えば、窒化タンタル
(Ta2N)、酸化ルビジウム(RuO2)、Ta−Al
合金等から成膜され、相転移膜14を加熱する役割を担
う。このため、発熱体16により加熱された相転移膜1
4は結晶構造の変化に伴い、体積が変化し、振動板膜1
3を介して加圧室10内のインク圧を高め、ノズル21
からインク滴を吐出する。また、発熱体16により加熱
された相転移膜14は加圧室10内に充填されているイ
ンクにより冷却され、再び元の結晶構造(正方晶系)に
戻る。このように構成することで、相転移膜14の結晶
の相転移による歪みを利用してオンデマンド方式のイン
クジェット式記録ヘッドを実現することができる。
インクジェット式記録ヘッドの主要部の断面図を図1に
示す。同図は図4におけるA―A断面図に相当する。イ
ンクジェット式記録ヘッドの主要部は主にマイクロアク
チュエータ5、振動板膜13、加圧室10及びノズルプ
レート2から構成される。マイクロアクチュエータ5
は、共通電極15及びセグメント電極18で温度制御さ
れる発熱体16と、この発熱体16により加熱される相
転移膜14とから構成される。相転移膜14は例えば、
チタン酸バリウム(BaTiO3)を材料として成膜さ
れ、相転移温度120℃で結晶構造が正方晶系から立方
晶系に転移する。発熱体16は、例えば、窒化タンタル
(Ta2N)、酸化ルビジウム(RuO2)、Ta−Al
合金等から成膜され、相転移膜14を加熱する役割を担
う。このため、発熱体16により加熱された相転移膜1
4は結晶構造の変化に伴い、体積が変化し、振動板膜1
3を介して加圧室10内のインク圧を高め、ノズル21
からインク滴を吐出する。また、発熱体16により加熱
された相転移膜14は加圧室10内に充填されているイ
ンクにより冷却され、再び元の結晶構造(正方晶系)に
戻る。このように構成することで、相転移膜14の結晶
の相転移による歪みを利用してオンデマンド方式のイン
クジェット式記録ヘッドを実現することができる。
【0019】また、相転移膜14は1つの加圧室に複数
設けることもできる。そして、駆動する相転移膜14の
個数を制御することで、吐出されるインク滴の速度、重
量等を制御できる。
設けることもできる。そして、駆動する相転移膜14の
個数を制御することで、吐出されるインク滴の速度、重
量等を制御できる。
【0020】尚、符号18、15はそれぞれセグメント
(信号)電極、共通電極である。共通電極15は全ての
加圧室10に対応して設けられた相転移膜14に共通す
る電極である。特定の加圧室10からインク滴を吐出し
たい場合にはその加圧室10に対応するセグメント電極
18に信号を出力する。また、符号17は絶縁膜であ
り、二酸化珪素膜等で成膜される。
(信号)電極、共通電極である。共通電極15は全ての
加圧室10に対応して設けられた相転移膜14に共通す
る電極である。特定の加圧室10からインク滴を吐出し
たい場合にはその加圧室10に対応するセグメント電極
18に信号を出力する。また、符号17は絶縁膜であ
り、二酸化珪素膜等で成膜される。
【0021】(相転移膜の組成)相転移膜14の他の組
成として、ジルコン酸鉛(PbZrO3)、チタン酸バ
リウムストロンチウム(0.9BaTiO3−0.1S
rTiO3)、チタン酸スズ酸バリウム(0.95Ba
TiO3−0.05BaSnO3)、チタン酸鉛ストロン
チウム(0.5PbTiO3−0.5SrTiO3)等を
使用できる。但し、相転移膜14の組成は、上記の組成
に限らず、加熱により結晶の相転移を起こすものであれ
ばその種類は問わない。
成として、ジルコン酸鉛(PbZrO3)、チタン酸バ
リウムストロンチウム(0.9BaTiO3−0.1S
rTiO3)、チタン酸スズ酸バリウム(0.95Ba
TiO3−0.05BaSnO3)、チタン酸鉛ストロン
チウム(0.5PbTiO3−0.5SrTiO3)等を
使用できる。但し、相転移膜14の組成は、上記の組成
に限らず、加熱により結晶の相転移を起こすものであれ
ばその種類は問わない。
【0022】これらの相転移温度、結晶構造の変化(相
転移温度以下/相転移温度以上)は以下の通りである。
転移温度以下/相転移温度以上)は以下の通りである。
【0023】 ジルコン酸鉛 230℃ 斜方晶系/立方晶系 チタン酸バリウムストロンチウム 60℃ 正方晶系/立方晶系 チタン酸スズ酸バリウム 90℃ 正方晶系/立方晶系 チタン酸鉛ストロンチウム 130℃ 正方晶系/立方晶系 (インクジェット式記録ヘッドの製造工程)図2、図3
を参照してインクジェット式記録ヘッドの製造工程を説
明する。
を参照してインクジェット式記録ヘッドの製造工程を説
明する。
【0024】相転移膜成膜工程(図2(A)) 本工程ではシリコン単結晶基板19上に振動板膜13及
び相転移膜14を成膜する。シリコン単結晶基板19と
して、例えば、直径100mm、厚さ220μmのシリ
コン単結晶基板を用いる。振動板膜13は、例えば、1
100℃の炉の中で、乾燥酸素を流して22時間程度熱
酸化させ、約1μmの膜厚の熱酸化膜とすることで形成
する。あるいは、1100℃の炉の中で、水蒸気を含む
酸素を流して5時間程度熱酸化させ、約1μmの膜厚の
熱酸化膜を形成してもよい。その他、CVD法等の成膜
法を適宜選択して成膜してもよい。振動板膜13は、加
圧室内の圧力を加減する他、シリコン単結晶基板19と
共通電極15間を電気的に絶縁する役割を担う。振動板
膜13として、二酸化珪素膜に限られず、酸化ジルコニ
ウム膜、酸化タンタル膜、窒化シリコン膜、酸化アルミ
ニウム膜でもよい。
び相転移膜14を成膜する。シリコン単結晶基板19と
して、例えば、直径100mm、厚さ220μmのシリ
コン単結晶基板を用いる。振動板膜13は、例えば、1
100℃の炉の中で、乾燥酸素を流して22時間程度熱
酸化させ、約1μmの膜厚の熱酸化膜とすることで形成
する。あるいは、1100℃の炉の中で、水蒸気を含む
酸素を流して5時間程度熱酸化させ、約1μmの膜厚の
熱酸化膜を形成してもよい。その他、CVD法等の成膜
法を適宜選択して成膜してもよい。振動板膜13は、加
圧室内の圧力を加減する他、シリコン単結晶基板19と
共通電極15間を電気的に絶縁する役割を担う。振動板
膜13として、二酸化珪素膜に限られず、酸化ジルコニ
ウム膜、酸化タンタル膜、窒化シリコン膜、酸化アルミ
ニウム膜でもよい。
【0025】但し、振動板膜13は必ずしも必要ではな
く、これを省略して相転移膜14自体に振動板の役割を
兼ねてもよい。
く、これを省略して相転移膜14自体に振動板の役割を
兼ねてもよい。
【0026】次いで、振動板膜13上に相転移膜14を
成膜する。この工程は、例えば、MOD法(Metal Org
anic Decomposition Process)で行う。まず、相転移
膜14の前駆体となるゾルを調整する。相転移膜14の
組成をチタン酸バリウムとする場合、酢酸バリウム(B
a(CH3COOH)2)を酢酸に溶解させた溶液と、テ
トライソプロポキシチタン(Ti(O−i−C
3H7)4)をブトキシエタノールに溶解させた溶液とを
混合し、溶質濃度を1M、Ba/Tiモル比を1/1と
したゾルを調整する。このゾルを1500rpmで0.
1μmの厚さにスピンコーティングし、400℃の温度
環境下で脱脂する。この工程を5回繰り返し、膜厚0.
5μmのゲルとする。最後にRTA(Rapid Thermal
Annealing)で結晶化する。この処理は650℃で5
分、又は、900℃で1分とする。以上の工程を経て振
動板膜13上に膜厚0.5μmの相転移膜14を成膜す
る。
成膜する。この工程は、例えば、MOD法(Metal Org
anic Decomposition Process)で行う。まず、相転移
膜14の前駆体となるゾルを調整する。相転移膜14の
組成をチタン酸バリウムとする場合、酢酸バリウム(B
a(CH3COOH)2)を酢酸に溶解させた溶液と、テ
トライソプロポキシチタン(Ti(O−i−C
3H7)4)をブトキシエタノールに溶解させた溶液とを
混合し、溶質濃度を1M、Ba/Tiモル比を1/1と
したゾルを調整する。このゾルを1500rpmで0.
1μmの厚さにスピンコーティングし、400℃の温度
環境下で脱脂する。この工程を5回繰り返し、膜厚0.
5μmのゲルとする。最後にRTA(Rapid Thermal
Annealing)で結晶化する。この処理は650℃で5
分、又は、900℃で1分とする。以上の工程を経て振
動板膜13上に膜厚0.5μmの相転移膜14を成膜す
る。
【0027】尚、相転移膜14の他の組成として、ジル
コン酸鉛、チタン酸バリウムストロンチウム、チタン酸
スズ酸バリウム、チタン酸鉛ストロンチウム等を用いる
場合は、それぞれの組成に応じた溶液(以下に示す。)
を所定の濃度で混合してゲルを調整すればよい。
コン酸鉛、チタン酸バリウムストロンチウム、チタン酸
スズ酸バリウム、チタン酸鉛ストロンチウム等を用いる
場合は、それぞれの組成に応じた溶液(以下に示す。)
を所定の濃度で混合してゲルを調整すればよい。
【0028】 Pb : 酢酸鉛三水和物(Pb(CH3COO)2・3H2O) Zr : テトライソプロポキシジルコニウム(Zr(O−i−C3H7)4) Sr : 酢酸ストロンチウム(Sr(CH3COO)2・0.5H2O) Sn : テトライソプロポキシスズ(Sn(O−i−C3H7)4) 共通電極形成工程(同図(B)) 本工程では相転移膜14を加圧室の形状に合わせてパタ
ーニングし、共通電極15を形成する。まず、1つの加
圧室に対して1つの相転移膜14が対応するように、加
圧室が形成されるべき位置に合わせて相転移膜14をフ
ォトリソでパターニングする。次に、相転移膜14を含
む振動板膜13の全面に金又は白金をターゲットとして
共通電極をスパッタ成膜法で成膜する。膜厚は0.3μ
mとする。
ーニングし、共通電極15を形成する。まず、1つの加
圧室に対して1つの相転移膜14が対応するように、加
圧室が形成されるべき位置に合わせて相転移膜14をフ
ォトリソでパターニングする。次に、相転移膜14を含
む振動板膜13の全面に金又は白金をターゲットとして
共通電極をスパッタ成膜法で成膜する。膜厚は0.3μ
mとする。
【0029】発熱体形成工程(同図(C)) 本工程では相転移膜14を加熱するための発熱体16を
形成する。窒化タンタル、酸化ルビジウム又はTa−A
l合金等をターゲットとして発熱体16をスパッタ成膜
法で成膜する。膜厚は0.5μmとする。次に、相転移
膜14の形状に合わせてフォトリソでパターニングす
る。
形成する。窒化タンタル、酸化ルビジウム又はTa−A
l合金等をターゲットとして発熱体16をスパッタ成膜
法で成膜する。膜厚は0.5μmとする。次に、相転移
膜14の形状に合わせてフォトリソでパターニングす
る。
【0030】セグメント電極形成工程(図3(D)) 本工程はセグメント電極18を形成する工程である。ま
ず、発熱体16及び共通電極15を含む全面にCVD法
で二酸化珪素膜を析出生成し、絶縁膜17を形成する。
膜厚は1μmとする。次に、発熱体16の表面が露出す
る位置にこの絶縁膜17をパターニングし、金又は白金
をターゲットとしてセグメント電極18をスパッタ成膜
法で成膜する。膜厚は0.1μmとする。次に、セグメ
ント電極18を所定の配線パターンにパターニングす
る。
ず、発熱体16及び共通電極15を含む全面にCVD法
で二酸化珪素膜を析出生成し、絶縁膜17を形成する。
膜厚は1μmとする。次に、発熱体16の表面が露出す
る位置にこの絶縁膜17をパターニングし、金又は白金
をターゲットとしてセグメント電極18をスパッタ成膜
法で成膜する。膜厚は0.1μmとする。次に、セグメ
ント電極18を所定の配線パターンにパターニングす
る。
【0031】加圧室形成工程(同図(E)) 本工程ではシリコン単結晶基板19をエッチングして加
圧室10を形成する。加圧室が形成されるべき位置に合
わせてエッチングマスク(図示せず)を施し、平行平板
型反応性イオンエッチング等の活性気体を用いた乾式異
方性エッチングで加圧室10を形成する。エッチングさ
れずに残った部分は側壁11となる。以上の工程を経て
製造されたシリコン単結晶基板19は加圧室基板1とな
る。
圧室10を形成する。加圧室が形成されるべき位置に合
わせてエッチングマスク(図示せず)を施し、平行平板
型反応性イオンエッチング等の活性気体を用いた乾式異
方性エッチングで加圧室10を形成する。エッチングさ
れずに残った部分は側壁11となる。以上の工程を経て
製造されたシリコン単結晶基板19は加圧室基板1とな
る。
【0032】ノズルプレート接合工程(同図(F)) 本工程では加圧室基板にノズルプレートを接合する。エ
ッチング後のシリコン単結晶基板19に樹脂等を用いて
ノズルプレート2を接合する。このとき、各ノズル21
が加圧室10の各々の空間に対応して配置されるよう位
置合せする。ノズルプレート2を接合したシリコン単結
晶基板19を基体3に取り付ければ、インクジェット式
記録ヘッドが完成する。
ッチング後のシリコン単結晶基板19に樹脂等を用いて
ノズルプレート2を接合する。このとき、各ノズル21
が加圧室10の各々の空間に対応して配置されるよう位
置合せする。ノズルプレート2を接合したシリコン単結
晶基板19を基体3に取り付ければ、インクジェット式
記録ヘッドが完成する。
【0033】(作用)以上、説明したように本実施の形
態によれば、従来のように圧電体薄膜素子の電気的特性
(例えば、容量、絶縁性等)の変化が駆動回路に与える
影響を考慮する必要が無く、回路設計が容易になる。ま
た、従来のように圧電体薄膜素子の電気的特性の変化が
無いため、安定したインク吐出特性を得ることができ
る。
態によれば、従来のように圧電体薄膜素子の電気的特性
(例えば、容量、絶縁性等)の変化が駆動回路に与える
影響を考慮する必要が無く、回路設計が容易になる。ま
た、従来のように圧電体薄膜素子の電気的特性の変化が
無いため、安定したインク吐出特性を得ることができ
る。
【0034】また、相転移膜を複数に分割することで、
吐出されるインク滴の速度、重量等を調整することがで
きる。さらに、インクジェット式記録ヘッドの構成が簡
単であるため、相転移膜の結晶構造の変化(結晶の相転
移)による体積変化を直接振動板膜に伝えることがで
き、応答性に優れている。また、圧電体薄膜素子をイン
ク吐出の駆動源に用いた場合よりも構成が簡単であるか
ら、インクジェット式記録ヘッドの超小型化、低コスト
化が可能である。
吐出されるインク滴の速度、重量等を調整することがで
きる。さらに、インクジェット式記録ヘッドの構成が簡
単であるため、相転移膜の結晶構造の変化(結晶の相転
移)による体積変化を直接振動板膜に伝えることがで
き、応答性に優れている。また、圧電体薄膜素子をイン
ク吐出の駆動源に用いた場合よりも構成が簡単であるか
ら、インクジェット式記録ヘッドの超小型化、低コスト
化が可能である。
【0035】発明の実施の形態2.本実施の形態を図5
を参照して説明する。同図は本実施の形態のマイクロア
クチュエータをインク吐出駆動源として用いた場合のイ
ンクジェット式記録ヘッドの主要部の断面図である。
を参照して説明する。同図は本実施の形態のマイクロア
クチュエータをインク吐出駆動源として用いた場合のイ
ンクジェット式記録ヘッドの主要部の断面図である。
【0036】本実施の形態が実施の形態1と異なる主な
点は、発熱体16を光吸収発熱体20とした点である。
即ち、マイクロアクチュエータ5は光吸収発熱体20と
相転移膜14とから構成される。光吸収発熱体20はレ
ーザ光の吸収により発熱するものであり、例えば、チタ
ン、クロム、タングステン、鉄、イリジウム、銅、金、
銀、アンチモン化インジウム、又は、ポリシリコンのう
ち何れかの組成を有する。このような構成により、共通
電極及びセグメント電極を不要とする。この結果、部品
点数を減らすことができ、配線を必要としないインクジ
ェット式記録ヘッドを提供することができる。また、構
成が簡単になるため、超小型のインクジェット式記録ヘ
ッドを提供することができる。
点は、発熱体16を光吸収発熱体20とした点である。
即ち、マイクロアクチュエータ5は光吸収発熱体20と
相転移膜14とから構成される。光吸収発熱体20はレ
ーザ光の吸収により発熱するものであり、例えば、チタ
ン、クロム、タングステン、鉄、イリジウム、銅、金、
銀、アンチモン化インジウム、又は、ポリシリコンのう
ち何れかの組成を有する。このような構成により、共通
電極及びセグメント電極を不要とする。この結果、部品
点数を減らすことができ、配線を必要としないインクジ
ェット式記録ヘッドを提供することができる。また、構
成が簡単になるため、超小型のインクジェット式記録ヘ
ッドを提供することができる。
【0037】
【発明の効果】本発明のマイクロアクチュエータによれ
ば、圧電体薄膜素子のように電気的特性の変化等がない
ため、安定した駆動特性を有し、微細駆動に好適なマイ
クロアクチュエータを提供することができる。
ば、圧電体薄膜素子のように電気的特性の変化等がない
ため、安定した駆動特性を有し、微細駆動に好適なマイ
クロアクチュエータを提供することができる。
【0038】本発明のインクジェット式記録ヘッドによ
れば、駆動回路への電気的特性を考慮せずに回路設計が
できる。また、インク吐出の応答性に優れたインクジェ
ット式記録ヘッドを提供することができる。さらに、イ
ンクジェット式記録ヘッドの超小型化を可能にできる。
れば、駆動回路への電気的特性を考慮せずに回路設計が
できる。また、インク吐出の応答性に優れたインクジェ
ット式記録ヘッドを提供することができる。さらに、イ
ンクジェット式記録ヘッドの超小型化を可能にできる。
【図1】本発明のインクジェット式記録ヘッド(実施の
形態1)の主要部の断面図である。
形態1)の主要部の断面図である。
【図2】本発明のインクジェット式記録ヘッドの製造工
程断面図である。
程断面図である。
【図3】本発明のインクジェット式記録ヘッドの製造工
程断面図である。
程断面図である。
【図4】本発明のインクジェット式記録ヘッドの分解斜
視図である。
視図である。
【図5】本発明のインクジェット式記録ヘッド(実施の
形態2)の主要部の断面図である。
形態2)の主要部の断面図である。
1 加圧室基板 2 ノズルプレート 3 基体 4 配線基板 5 マイクロアクチュエータ 10 加圧室 11 側壁 12 共通流路 13 振動板膜 14 相転移膜 15 共通電極 16 発熱体 17 絶縁膜 18 セグメント電極 19 シリコン単結晶基板 20 光吸収発熱体 21 ノズル
Claims (7)
- 【請求項1】 所定の入力信号を受けて発熱する発熱体
と、 前記発熱体により加熱され、固有の温度で結晶構造が相
転移し、体積変化を生じる薄膜と、 を備えるマイクロアクチュエータ。 - 【請求項2】 前記薄膜は、チタン酸バリウム、ジルコ
ン酸鉛、チタン酸バリウムストロンチウム、チタン酸ス
ズ酸バリウム又はチタン酸鉛ストロンチウムのうち何れ
かである、請求項1に記載のマイクロアクチュエータ。 - 【請求項3】 前記入力信号は電流である、請求項1又
は請求項2に記載のマイクロアクチュエータ。 - 【請求項4】 前記発熱体は、窒化タンタル、酸化ルビ
ジウム又はTa−Al合金のうち何れかである、請求項
3に記載のマイクロアクチュエータ。 - 【請求項5】 前記入力信号は光である、請求項1又は
請求項2に記載のマイクロアクチュエータ。 - 【請求項6】 前記発熱体は、チタン、クロム、タング
ステン、鉄、イリジウム、銅、金、銀、アンチモン化イ
ンジウム、又は、ポリシリコンのうち何れかである、請
求項5に記載のマイクロアクチュエータ。 - 【請求項7】 インクが充填される加圧室を備える加圧
室基板の少なくとも一方の面に、請求項1乃至請求項6
のうち何れか1項に記載のマイクロアクチュエータを配
置したインクジェット式記録ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27973698A JP2000108340A (ja) | 1998-10-01 | 1998-10-01 | マイクロアクチュエータ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27973698A JP2000108340A (ja) | 1998-10-01 | 1998-10-01 | マイクロアクチュエータ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000108340A true JP2000108340A (ja) | 2000-04-18 |
Family
ID=17615186
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27973698A Pending JP2000108340A (ja) | 1998-10-01 | 1998-10-01 | マイクロアクチュエータ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000108340A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2005036182A1 (ja) * | 2003-10-15 | 2006-12-21 | 松下電器産業株式会社 | キャピラリチップにおける流体の流通方法 |
JP2012199337A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-18 | Ricoh Co Ltd | 非鉛薄膜アクチュエータ |
-
1998
- 1998-10-01 JP JP27973698A patent/JP2000108340A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2005036182A1 (ja) * | 2003-10-15 | 2006-12-21 | 松下電器産業株式会社 | キャピラリチップにおける流体の流通方法 |
JP2012199337A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-18 | Ricoh Co Ltd | 非鉛薄膜アクチュエータ |
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