JP2000105153A - 感圧変換装置 - Google Patents

感圧変換装置

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JP2000105153A JP11101701A JP10170199A JP2000105153A JP 2000105153 A JP2000105153 A JP 2000105153A JP 11101701 A JP11101701 A JP 11101701A JP 10170199 A JP10170199 A JP 10170199A JP 2000105153 A JP2000105153 A JP 2000105153A
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勝彦 有賀
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正康 寺岡
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幹三 本木
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 緩やかな感圧特性を有する感圧変換装置を提
供する。 【解決手段】 樹脂フィルム1aの表面に電極2aが形
成され、その表面に第1の感圧層3aが形成されてい
る。また、樹脂フィルム1bの表面には電極2bが形成
され、その表面に第2の感圧層3bが形成されている。
感圧層3a、3bは、導電性が高いリン片状カーボン粒
子4と導電性が低いアモルファス系カーボン粒子5を含
み、それらを弾性を有する樹脂系バインダー6で固めた
構成になっている。このような構成にすることより、樹
脂フィルム1a、1bに押圧力が印加されたとき、カー
ボン粒子間の平均距離が小さくなり、トンネル伝導現象
が生じて電極2a、2b間の導通抵抗値が低下する。こ
の場合、トンネル伝導現象を利用しているため、感圧特
性を緩やかなものとすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面に導体層が形
成された一対の支持部材間に感圧層を介在させてなる感
圧変換装置に関する。
【従来の技術】従来、この種の装置として、特公平2−
49029号公報に示す感圧変換装置がある。これは、
表面に導体層(電極)が形成された一対の支持部材の間
に感圧層を介在させてなるもので、感圧層にはその表面
に多数の接点位置を与えるように微粒子状の物質(例え
ば、硫化モリブデン)が含まれており、支持部材に圧力
が印加されたとき、感圧層の表面の微粒子状の物質と、
それに対向する導体層とが接触して、圧力を検知するよ
うにしたものである。
【発明が解決しようとする課題】上記した感圧変換装置
においては、感圧層の表面の微粒子状の物質と、それに
対向する導体層とが接触したとき、その接触により導通
抵抗値が急激に低下する。このため、ゆるやかな感圧特
性を得る必要がある場合には、上記のような感圧変換装
置を用いることができない。また、押圧力の印加時には
直接接触によって導通抵抗値が低下するが、その導通抵
抗値は電極間の印加電圧によらず一定となるため、感圧
特性を設定する場合の自由度が小さくなる。本発明は、
上記した従来のものと異なる新規な感圧特性を有する感
圧変換装置を提供することを目的とする。また、その感
圧特性を緩やかなものにすることを目的とする。また、
その感圧特性に電圧依存性を持たせることを目的とす
る。
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1に記載の発明においては、感圧層(3a、
3b)を、粒子状の半導電性物質(4、5)を絶縁材料
層(6)中に分散させたものとし、第1、第2の支持部
材(1a、1b)の少なくとも一方に圧力が印加された
ときに、第1、第2の導体層(2a、2b)間に、半導
電性物質(4、5)間の直接接触よりも半導電性物質
(4、5)間のトンネル伝導現象によって電流が多く流
れるようにしたことを特徴としている。このようにトン
ネル伝導現象を利用することにより、押圧力に比例して
第1、第2の導体層(2a、2b)間の導通抵抗値が低
下し、緩やかな感圧特性を得ることができる。請求項2
に記載の発明においては、感圧層(3a、3b)を、粒
子状の半導電性物質(4、5)を絶縁材料層(6)中に
分散させたものとし、さらに第1、第2の支持部材(1
a、1b)の少なくとも一方に圧力が印加されたとき
に、半導電性物質(4、5)間の平均距離が100nm
以下になるようにしたことを特徴としている。半導電性
物質(4、5)間の平均距離を100nm以下にするこ
とによってトンネル伝導現象を利用し、緩やかな感圧特
性を得ることができる。請求項3に記載の発明において
は、感圧層(3a、3b)を、粒子状の半導電性物質
(4、5)を絶縁材料層(6)中に分散させたものと
し、第1、第2の支持部材(1a、1b)の少なくとも
一方に圧力が印加されたときに、第1、第2の導体層
(2a、2b)間の導通抵抗値が、第1、第2の導体層
(2a、2b)間に印加する電圧が大きいほど低下する
特性を有するようにしたことを特徴としている。このよ
うに感圧特性に電圧依存性を持たせることによって、第
1、第2の導体層(2a、2b)間に印加する電圧によ
って感圧特性の設定を容易に行うことができる。上記し
た請求項1乃至3に記載の発明において、請求項4に記
載の発明のように、第1、第2のセンシング部(10、
11)において第1、第2の導体層(2a、2b)間の
印加電圧が異なるようにすれば、感圧特性を検知領域に
応じて個別に設定することができる。なお、半導電性物
質(4、5)として、請求項5に記載の発明のように、
りん片状の第1の半導電性物質(4)と球状の第2の半
導電性物質(5)からなるようにすれば、形状の異なる
半導電性物質によってトンネル伝導現象を生じ易くする
ことができる。また、請求項6に記載の発明のように、
半導電性物質(4、5)として、第1の半導電性物質
(5)と、この第1の半導電性物質(5)の平均サイズ
よりも平均サイズが小さい第2の半導電性物質(4)か
らなるようにすれば、そのサイズ比によって導通抵抗値
の設定を容易に行うことができる。この場合、請求項7
に記載の発明のように、第1の半導電性物質(5)の平
均サイズを第2の半導電性物質(4)の平均サイズの2
倍以上とすれば、トンネル伝導現象を生じ易くすること
ができる。また、請求項8に記載の発明のように、第
1、第2の半導電性物質(4、5)とも平均サイズが
0.5〜10μmになるようにすれば、押圧力に対する
導通抵抗値を安定して調整することができる。さらに、
このサイズにすることで、半導電性物質粒子同士の凝集
を防止し、均一に絶縁材料層に分散することができるた
め、粒子間および粒子表面に薄い絶縁層を形成して、ト
ンネル伝導現象を発生しやすくすることができる。ま
た、請求項9に記載の発明のように、半導電性物質
(4、5)として、導電率が異なる第1、第2の半導電
性物質(4、5)からなるようにすれば、その配合比に
よって導通抵抗値の設定を容易に行うことができる。ま
た、請求項10に記載の発明のように、半導電性物質と
して、カーボン粒子およびカーボンの2次凝集粒子から
なるようにした場合も、トンネル伝導現象を生じ易くす
ることができる。この場合、請求項11に記載の発明の
ように、カーボンの2次凝集粒子の平均サイズが0.5
〜10μmになるようにすれば、押圧力に対する導通抵
抗値を安定して調整することができる。また、請求項1
2に記載の発明のように、半導電性物質(4、5)を、
感圧層(3a、3b)に対して10〜50重量%の割合
で混入するようにすれば、トンネル伝導現象を生じ易く
することができる。なお、上記した括弧内の符号は、後
述する実施形態記載の具体的手段との対応関係を示すも
のである。
【発明の実施の形態】図1に、本発明の一実施形態に係
る感圧変換装置の断面構成を示す。この感圧変換装置
は、例えば乗員の体重に応じてエアバッグの展開速度を
変化させることができる自動車用のエアバッグ装置の乗
員センサ、あるいは介護用ベッドにおける体重の分布を
検知するセンサとして用いることができるものである。
図1において、シート状部材をなす樹脂フィルム(ベー
ス基板)1aの表面には電極2aがパターン形成されて
おり、その表面には第1の感圧層3aが形成されてい
る。また、樹脂フィルム1bの表面には電極2aと同一
パターンで電極2bが形成されており、その表面には第
1の感圧層3aと対向する第2の感圧層3bが形成され
ている。感圧層3a、3bは、導電性が高く平均サイズ
(平均粒子径)が小さいりん片状カーボン粒子4と、導
電性が低く平均サイズが大きいアモルファス系カーボン
粒子5を含み、それらを弾性を有する樹脂系バインダー
(例えば、高ガラス転移点を有するポリエステル系樹脂
のもの)6で固めた構成、すなわち絶縁材料層6中に粒
子状の2種類のカーボン粒子4、5を分散させた構成に
なっている。このように感圧層3a、3bに、形状、平
均サイズが異なる2種類のカーボン粒子4、5を含ませ
ることにより、カーボン粒子の密度を高くし、カーボン
粒子間の平均距離を小さくすることことができ、樹脂フ
ィルム1a、1bの少なくとも一方に圧力が印加された
とき、カーボン粒子間の平均距離をトンネル伝導現象が
生じる100nm以下にすることができる。なお、感圧
層3a、3bの間には、図1では図示されないスペーサ
によって多少の隙間(空気層)が形成されているが、感
圧層3a、3bの表面は樹脂系バインダー6で大部分が
覆われているため、感圧層3a、3bは部分的に接触し
ていてもよい。図2に、樹脂フィルム1a、1bの少な
くとも一方に圧力が印加された、すなわち押圧力が加え
られた状態を示す。この状態においては、図に示すよう
に、感圧層3a、3bの表面が多くの部分で接触し、ま
た感圧層3a、3b中のカーボン粒子間の平均距離が縮
小し、カーボン粒子間の平均距離が100nm以下にな
る。このとき、電極2a、2b間に電圧が印加されてい
ると、トンネル伝導現象が生じて電極2a、2b間の導
通抵抗値が低下する。すなわち、カーボン粒子間の平均
距離が100nm以下であると、カーボン粒子間のショ
ットキー効果によるポテンシャル障壁が低下し、トンネ
ル伝導電子が増加し、電極2a、2b間の導通抵抗値が
低下する。その結果、図3に示すように、トンネル電流
iが流れる。このトンネル電流iは、数式1で表わされ
る。
【数1】 ここで、Φは、カーボン粒子間距離によるポテンシャル
障壁、Vは印加電圧、kはボルツマン定数、Tはケルビ
ンである。この数式1から分かるように、トンネル伝導
現象によって流れるトンネル電流は、カーボン粒子間距
離に反比例(但し、1次比例ではない)して増加する。
その結果、図4に示すようにカーボン粒子間距離が10
0nm以下になると導通抵抗値が徐々に低下する。従っ
て、押圧力に比例して導通抵抗値が低下することになる
ため、導通抵抗値を測定することにより押圧力の大きさ
を検知することができる。このようにトンネル伝導現象
を利用することによって、押圧力を検知する際の感圧特
性を緩やかにすることができる。なお、上記した押圧力
の印加時において、電極2a、2b間には、トンネル伝
導現象のみによって電流が流れるのではなく、カーボン
粒子間の直接接触によっても電流が流れる。しかしなが
ら、電極2a、2b間に流れる電流は、トンネル伝導現
象によって流れる電流が主で、カーボン粒子間の直接接
触によって流れる電流よりも多くなっている。また、上
記した感圧層3a、3bには、平均サイズが異なる2種
類のカーボン粒子4、5が含まれているため、感圧層3
a、3b中のカーボン密度を高くすることができるが、
その平均サイズの比率が小さいと、導電性が悪くトンネ
ル伝導現象が生じにくくなる。トンネル伝導現象を生じ
易くするためには、平均サイズの比率を2倍以上にする
のが好ましい。また、上記した感圧層3a、3bは、印
刷、吹き付け等の技術によって膜状に形成される。ここ
で、本発明者等の考察によれば、カーボン粒子の平均サ
イズを10μmより大きくすると、膜状に形成された感
圧層3a、3bの表面よりカーボン粒子が突出し、カー
ボン粒子の直接接触が増えて押圧力の印加時に導通抵抗
値が急激に低下してしまう。また、カーボン粒子の平均
サイズを0、5μmより小さい微細なものにすると、微
細粒子同士の凝集による2次連鎖の形成によって押圧力
の印加時に導通抵抗値が急激に低下してしまう。従っ
て、上記したトンネル伝導現象を利用し、押圧力に対す
る導通抵抗値を安定して調整できるようにするために
は、カーボン粒子の平均サイズを0、5μm以上10μ
m以下にするのが好ましい。また、感圧層3a、3bに
含ませる2種類のカーボン粒子4、5の導電率を異なる
ものとしているから、その配合比を調整することによっ
て、押圧力に対する導通抵抗値を安定して調整すること
ができる。また、感圧層3a、3bに含ませるカーボン
粒子4、5の配合比は、その配合比が小さいとカーボン
粒子の密度が低くなってトンネル伝導現象が生じにく
く、また配合比が大きいとカーボン粒子間の直接接触が
増えてトンネル伝導現象が生じる割合が低くなる。従っ
て、その配合比としては、10〜50重量%とするのが
好ましい。また、上記した数式1から分かるように、印
加電圧Vが大きくなるほどショットキー効果によるポテ
ンシャル障壁が低下するため、印加電圧Vに対する導通
抵抗値Ωの特性が変化する。図5に、押圧力として70
g/cm2 、100g/cm2 、200g/cm2 を加
えたときの印加電圧Vに対する導通抵抗値Ωの変化を示
す。この場合、測定に用いた感圧層3a、3bは、りん
片状カーボン粒子4とアモルファス系カーボン粒子5の
平均サイズがそれぞれ1μmと5μmで、両者の配合比
が1対1であり、それらを感圧層3a、3b内に40重
量%混入させたものとしている。この図からわかるよう
に、印加電圧Vが大きくなると、導通抵抗値Ωが減少す
る。また、その変化特性は、押圧力によって変化する。
これは、感圧層3a、3bは、トンネル伝導現象を利用
してトンネル電流を流すようにしたものであるので、同
一押圧力、同一カーボン粒子間距離であっても、印加電
圧を変えると、ポテンシャル障壁の大きさが変わり、ト
ンネル電流が変化するためである。なお、従来の直接接
触を利用したものでは、押圧力の印加時に直接接触(オ
ーミック接触)による電流が流れるため、導通抵抗値は
一定であり、電圧依存性を有していない。従って、印加
電圧をパラメータとして感圧特性を変えた感圧変換装置
を構成することができる。図6に、その感圧変換装置の
具体的な構成の平面図を示す。この図6において、実線
で示す部分は、上側の電極2bを示し、図中の丸の点線
で示す部分は、感圧層3a、3bを示している。この図
6に示す実施形態においては、検知領域に応じて感圧特
性が異なるようにしている。すなわち、図6中のセンシ
ング部10、11におけるA−A断面、B−B断面を示
す図7(a)、(b)において、センシング部11で
は、下側の感圧層3aに接触する電極2aに固定抵抗7
が挿入されて、電極2a、2b間の印加電圧が低くなっ
ており、センシング部10ではそのような固定抵抗7の
挿入がなく電極2a、2b間の印加電圧が高くなってい
る。従って、それぞれの部位における印加電圧を異なら
せることによって、感圧特性を検知領域に応じて個別に
設定することができる。なお、図7(a)、(b)に示
すように、感圧層3a、3bは空気層を介して対向配置
されており、その周囲領域にはスペーサ8が形成されて
いる。このスペーサ7としては、両面に接着剤が塗布さ
れたポリエステルフィルムを用いることができる。以上
述べた実施形態においては、第1の半導電性物質として
アモルファス系カーボン粒子5を用い、第2の半導電性
粒子としてりん片状カーボン粒子4を用いるものを示し
たが、そのいずれか一方にSnO2 、In2 3 、Mo
2 などの金属酸化物半導体および金属硫化物半導体を
用いてもよい。また、それら以外の他の半導電性物質を
用いてもよい。この場合、その平均サイズ、配合比など
について上記したのと同様のものとすれば、同様の効果
を得ることができる。また、半導電性物質としては、粒
径が10nm程度のカーボンブラックのみとしてもよ
い。このように微細なカーボン粒子を用いた場合、微細
なカーボン粒子が2次凝集する。そこで、カーボン粒子
が2次凝集するレベルを制御することにより、樹脂系バ
インダー6中に微細なカーボン粒子とカーボンの2次凝
集粒子とを分散させることができ、カーボン粒子間の平
均距離をトンネル伝導現象が支配的に生じる100nm
以下にすることができる。この場合、カーボンの2次凝
集粒子の平均サイズとしては、上記した実施形態と同じ
く、0、5μm以上10μm以下にするのが好ましい。
また、感圧層3a、3bに含ませるカーボン粒子の配合
比も上記した実施形態と同じく10〜50重量%にする
のが好ましい。また、上記した実施形態においては、絶
縁性材料層として樹脂系バインダー6を用いるものを示
したが、バインダーとしては樹脂系以外にゴム系のもの
を用いることができる。但し、ゴム系バインダーの場
合、圧縮クリープにより長期安定性に欠けるという問題
があるので、樹脂系バインダーを用いる方が好ましい。
また、感圧層3a、3bの表面は樹脂系バインダー6に
よって覆われているため、スペーサ8を無くし、感圧層
3a、3bを接触させた状態にしたものであってもよ
い。また、樹脂フィルム1a、1bに感圧層3a、3b
をそれぞれ設けるものを示したが、樹脂フィルム1a、
1bのいずれか一方にのみ感圧層を設けるようにしても
よい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る感圧変換装置の断面
図である。
【図2】図1に示すものに対し押圧力が加えられた状態
を示す断面図である。
【図3】トンネル電流が流れる状態を示す図である。
【図4】カーボン粒子間距離と導通抵抗値の関係を示す
図である。
【図5】印加電圧Vに対する導通抵抗値Ωの変化状態を
示す図である。
【図6】感圧変換装置の具体的な構成を示す平面図であ
る。
【図7】(a)は図6中のA−A断面を示す図であり、
(b)は図6中のB−B断面を示す図である。
【符号の説明】
1a、1b…樹脂フィルム、2a、2b…電極、3a、
3b…感圧層、4…りん片状カーボン粒子、5…アモル
ファス系カーボン粒子、6…樹脂系バインダー、7…固
定抵抗、8…スペーサ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 寺岡 正康 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 株式会 社デンソー内 (72)発明者 本木 幹三 富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番地 北陸電気工業株式会社内 (72)発明者 石山 一郎 富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番地 北陸電気工業株式会社内

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 表面に第1の導体層(2a)が形成され
    た第1の支持部材(1a)と、表面に第2の導体層(2
    b)が形成された第2の支持部材(1b)とを有し、前
    記第1、第2の導体層(2a、2b)の間に感圧層(3
    a、3b)を介在させてなる感圧変換装置において、 前記感圧層(3a、3b)は、粒子状の半導電性物質
    (4、5)を絶縁材料層(6)中に分散させてなるもの
    であり、 前記第1、第2の支持部材(1a、1b)の少なくとも
    一方に圧力が印加されたときに、前記第1、第2の導体
    層(2a、2b)間に、前記半導電性物質(4、5)間
    の直接接触よりも前記半導電性物質(4、5)間のトン
    ネル伝導現象によって電流が多く流れるようになってい
    ることを特徴とする感圧変換装置。
  2. 【請求項2】 表面に第1の導体層(2a)が形成され
    た第1の支持部材(1a)と、表面に第2の導体層(2
    b)が形成された第2の支持部材(1b)とを有し、前
    記第1、第2の導体層(2a、2b)の間に感圧層(3
    a、3b)を介在させてなる感圧変換装置において、 前記感圧層(3a、3b)は、粒子状の半導電性物質
    (4、5)を絶縁材料層(6)中に分散させてなるもの
    で、前記第1、第2の支持部材(1a、1b)の少なく
    とも一方に圧力が印加されたときに、前記半導電性物質
    (4、5)間の平均距離が100nm以下になるように
    設定されたものであることを特徴とする感圧変換装置。
  3. 【請求項3】 表面に第1の導体層(2a)が形成され
    た第1の支持部材(1a)と、表面に第2の導体層(2
    b)が形成された第2の支持部材(1b)とを有し、前
    記第1、第2の導体層(2a、2b)の間に感圧層(3
    a、3b)を介在させてなる感圧変換装置において、 前記感圧層(3a、3b)は、粒子状の半導電性物質
    (4、5)を絶縁材料層(6)中に分散させてなるもの
    であり、 前記第1、第2の支持部材(1a、1b)の少なくとも
    一方に圧力が印加されたときに、前記第1、第2の導体
    層(2a、2b)間の導通抵抗値が、前記第1、第2の
    導体層(2a、2b)間に印加する電圧が大きいほど低
    下する特性を有していることを特徴とする感圧変換装
    置。
  4. 【請求項4】 前記第1、第2の支持部材(1b)は、
    前記圧力が印加される部位が異なる第1、第2のセンシ
    ング部(10、11)を有し、前記第1、第2のセンシ
    ング部(10、11)において前記第1、第2の導体層
    (2a、2b)間に印加される電圧が異なるようになっ
    ていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1つ
    に記載の感圧変換装置。
  5. 【請求項5】 前記半導電性物質(4、5)は、りん片
    状の第1の半導電性物質(4)と球状の第2の半導電性
    物質(5)からなることを特徴とする請求項1乃至4の
    いずれか1つに記載の感圧変換装置。
  6. 【請求項6】 前記半導電性物質(4、5)は、第1の
    半導電性物質(5)と、この第1の半導電性物質(5)
    の平均サイズよりも平均サイズが小さい第2の半導電性
    物質(4)からなることを特徴とする請求項1乃至5の
    いずれか1つに記載の感圧変換装置。
  7. 【請求項7】 前記第1の半導電性物質(5)の平均サ
    イズが前記第2の半導電性物質(4)の平均サイズの2
    倍以上になっていることを特徴とする請求項6に記載の
    感圧変換装置。
  8. 【請求項8】 前記第1、第2の半導電性物質(4、
    5)とも平均サイズが0.5〜10μmになっているこ
    とを特徴とする請求項6又は7に記載の感圧変換装置。
  9. 【請求項9】 前記半導電性物質(4、5)は、導電率
    が異なる第1、第2の半導電性物質(4、5)からなる
    ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1つに記載
    の感圧変換装置。
  10. 【請求項10】 前記半導電性物質は、カーボン粒子と
    カーボンの2次凝集粒子からなることを特徴とする請求
    項1乃至3のいずれか1つに記載の感圧変換装置。
  11. 【請求項11】 前記カーボンの2次凝集粒子の平均サ
    イズが0.5〜10μmになっていることを特徴とする
    請求項10に記載の感圧変換装置。
  12. 【請求項12】 前記半導電性物質は、前記感圧層(3
    a、3b)に10〜50重量%の割合で混入されている
    ことを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1つに記
    載の感圧変換装置。
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