JP2000101197A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ノイズ低減を図れ、高密度化された光ディスク
装置等の光源として適用できるインデックスガイド型の
半導体レーザを提供する。 【解決手段】活性層構造としてバルク構造の代わりに、
ＭＱＷ構造を採用し、そのウェル数を４以上で１つのウ
ェル厚を１５ｎｍ以下に設定し、テーパストライプの中
央部の幅広のストライプ幅ｗ３を７μｍ、端面付近の幅
を４μｍ以下に設定する。これにより、ノイズレベル
が、ＲＩＮの値で、戻り光量１％程度、数ｍＷ出力時で
約−１２０ｄＢ〜１２５ｄＢ程度であったものを、約−
１２５ｄＢ〜−１３０ｄＢ程度とノイズを低減して、Ｃ
Ｄ等の光ディスク装置だけではなく、光密度化された光
ディスク装置、あるいはノイズ低減要求の高いアナログ
のレーザディスクにも適用できる。
装置等の光源として適用できるインデックスガイド型の
半導体レーザを提供する。 【解決手段】活性層構造としてバルク構造の代わりに、
ＭＱＷ構造を採用し、そのウェル数を４以上で１つのウ
ェル厚を１５ｎｍ以下に設定し、テーパストライプの中
央部の幅広のストライプ幅ｗ３を７μｍ、端面付近の幅
を４μｍ以下に設定する。これにより、ノイズレベル
が、ＲＩＮの値で、戻り光量１％程度、数ｍＷ出力時で
約−１２０ｄＢ〜１２５ｄＢ程度であったものを、約−
１２５ｄＢ〜−１３０ｄＢ程度とノイズを低減して、Ｃ
Ｄ等の光ディスク装置だけではなく、光密度化された光
ディスク装置、あるいはノイズ低減要求の高いアナログ
のレーザディスクにも適用できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、導波機構に作りつ
けの屈折率ステップがない、いわゆるゲインガイド型の
半導体レーザに関するものである。
けの屈折率ステップがない、いわゆるゲインガイド型の
半導体レーザに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザは、光ディスク装置等の光
源として用いられるが、この際、戻り光ノイズをいかに
抑制するかが重要である。この戻り光ノイズを抑制する
ための対策を施した半導体レーザとしては、一般に、導
波機構がリッジ構造をなす自励発振型、インデックスガ
イド(Index Guide) 型、ゲインガイド(Gain Guide)型の
ものが知られている。
源として用いられるが、この際、戻り光ノイズをいかに
抑制するかが重要である。この戻り光ノイズを抑制する
ための対策を施した半導体レーザとしては、一般に、導
波機構がリッジ構造をなす自励発振型、インデックスガ
イド(Index Guide) 型、ゲインガイド(Gain Guide)型の
ものが知られている。
【０００３】これらのうち、自励発振型半導体レーザの
場合、屈折率差Δｎを０．００３付近に設定して、活性
層内部の横領域で自励発振を起こさせるレーザでは、１
０数μｍ程度の比較的大きな非点隔差を有し、かつ、出
力によって、ＦＦＰの平行な方向のビーム広がり角θ//
が変化することが多い。その結果、光ディスクの光学系
に適用することが難しいという課題がある。
場合、屈折率差Δｎを０．００３付近に設定して、活性
層内部の横領域で自励発振を起こさせるレーザでは、１
０数μｍ程度の比較的大きな非点隔差を有し、かつ、出
力によって、ＦＦＰの平行な方向のビーム広がり角θ//
が変化することが多い。その結果、光ディスクの光学系
に適用することが難しいという課題がある。
【０００４】また、インデックスガイド型半導体レーザ
の場合、特性状戻り光ノイズに弱いため、数百ＭＨｚの
高周波変調を行う必要があり、装置構成が複雑化すると
いう課題がある。
の場合、特性状戻り光ノイズに弱いため、数百ＭＨｚの
高周波変調を行う必要があり、装置構成が複雑化すると
いう課題がある。
【０００５】これに対して、屈折率差Δｎをほとんど付
けないゲインガイド型半導体レーザの場合、多モード発
振を行うことから、比較的戻り光ノイズ特性が良好であ
り、静電耐圧が高いためサージ破壊に強い。このゲイン
ガイド型半導体レーザの場合、半導体レーザに要求され
るノイズレベルが、相対ノイズ強度（ＲＩＮ;Relative
Intensity Noise ）の値で、戻り光量１％程度、数ｍＷ
出力時で約−１２０ｄＢ〜−１２５ｄＢ程度であり、Ｃ
Ｄ等の光ディスク装置用光源として適している。
けないゲインガイド型半導体レーザの場合、多モード発
振を行うことから、比較的戻り光ノイズ特性が良好であ
り、静電耐圧が高いためサージ破壊に強い。このゲイン
ガイド型半導体レーザの場合、半導体レーザに要求され
るノイズレベルが、相対ノイズ強度（ＲＩＮ;Relative
Intensity Noise ）の値で、戻り光量１％程度、数ｍＷ
出力時で約−１２０ｄＢ〜−１２５ｄＢ程度であり、Ｃ
Ｄ等の光ディスク装置用光源として適している。
【０００６】ゲインガイド型半導体レーザの場合、実用
的な観点から、導波路は、図１１に示すように、ストラ
イプ幅が中央部で広く、端面付近で狭くなっているテー
パ状をなすテーパ導波路として構成される。
的な観点から、導波路は、図１１に示すように、ストラ
イプ幅が中央部で広く、端面付近で狭くなっているテー
パ状をなすテーパ導波路として構成される。
【０００７】図１１において、Ｌは全共振器長、ｌ１は
テーパ領域長、ｌ３は中央部の幅広ストライプ領域長、
ｗ１は端面付近のストライプ幅、ｗ３は中央部のストラ
イプ幅をそれぞれ示している。
テーパ領域長、ｌ３は中央部の幅広ストライプ領域長、
ｗ１は端面付近のストライプ幅、ｗ３は中央部のストラ
イプ幅をそれぞれ示している。
【０００８】低ノイズのためには、ゲインガイド型半導
体レーザのストライプ幅は狭い方が良い。ところが、ゲ
インガイド型半導体レーザにおいては、ストライプ幅が
狭いとしきい値電流Ｉｔｈが高くなり、ＦＦＰ(Far Fie
ld Pattern) の平行な方向のビーム広がり角θ//方向の
双峰性を引き起こしやすくなる。このため、従来のゲイ
ンガイド型半導体レーザでは、しきい値電流Ｉｔｈの低
減、非点隔差補正、ＦＦＰの単峰化を重視し、中央部の
幅広領域のストライプ幅ｗ３を８μｍ程度と広めに設定
している。
体レーザのストライプ幅は狭い方が良い。ところが、ゲ
インガイド型半導体レーザにおいては、ストライプ幅が
狭いとしきい値電流Ｉｔｈが高くなり、ＦＦＰ(Far Fie
ld Pattern) の平行な方向のビーム広がり角θ//方向の
双峰性を引き起こしやすくなる。このため、従来のゲイ
ンガイド型半導体レーザでは、しきい値電流Ｉｔｈの低
減、非点隔差補正、ＦＦＰの単峰化を重視し、中央部の
幅広領域のストライプ幅ｗ３を８μｍ程度と広めに設定
している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年のＤＶ
Ｄ等の光ディスクの高密度化に伴い、半導体レーザに要
求されるノイズレベルが、ＲＩＮの値で、ＣＤの時の約
−１２０ｄＢ／Ｈｚから、−１２５ｄＢ／Ｈｚもしくは
−１３０ｄＢ／Ｈｚ以下のレベルに高度化されてきてい
る。
Ｄ等の光ディスクの高密度化に伴い、半導体レーザに要
求されるノイズレベルが、ＲＩＮの値で、ＣＤの時の約
−１２０ｄＢ／Ｈｚから、−１２５ｄＢ／Ｈｚもしくは
−１３０ｄＢ／Ｈｚ以下のレベルに高度化されてきてい
る。
【００１０】しかしながら、従来のゲインガイド型半導
体レーザでは、上述したように、ノイズレベルが、ＲＩ
Ｎの値で、戻り光量１％程度、数ｍＷ出力時で約−１２
０ｄＢ〜−１２５ｄＢ程度であり、ＣＤ等の光ディスク
装置用光源として適しているが、光密度化された光ディ
スク装置、あるいはノイズ低減要求の高いアナログのレ
ーザディスクには適用できない。
体レーザでは、上述したように、ノイズレベルが、ＲＩ
Ｎの値で、戻り光量１％程度、数ｍＷ出力時で約−１２
０ｄＢ〜−１２５ｄＢ程度であり、ＣＤ等の光ディスク
装置用光源として適しているが、光密度化された光ディ
スク装置、あるいはノイズ低減要求の高いアナログのレ
ーザディスクには適用できない。
【００１１】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、ノイズ低減を図れ、高密度化さ
れた光ディスク装置等の光源として適用できるインデッ
クスガイド型の半導体レーザを提供することにある。
のであり、その目的は、ノイズ低減を図れ、高密度化さ
れた光ディスク装置等の光源として適用できるインデッ
クスガイド型の半導体レーザを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、第１導電型の第１のクラッド層と、上記
第１のクラッド層上に形成された活性層と、上記活性層
上に形成された第２導電型の第２のクラッド層とを有
し、導波機構に作りつけの屈折率差を持たず、ストライ
プ状の電流注入構造を備え、かつ、当該ストライプ幅が
中央部で広く、端面付近で狭くなっているテーパ状をな
す半導体レーザであって、上記活性層がバルク構造より
緩和振動周波数が高い多重量子井戸構造を有する。
め、本発明は、第１導電型の第１のクラッド層と、上記
第１のクラッド層上に形成された活性層と、上記活性層
上に形成された第２導電型の第２のクラッド層とを有
し、導波機構に作りつけの屈折率差を持たず、ストライ
プ状の電流注入構造を備え、かつ、当該ストライプ幅が
中央部で広く、端面付近で狭くなっているテーパ状をな
す半導体レーザであって、上記活性層がバルク構造より
緩和振動周波数が高い多重量子井戸構造を有する。
【００１３】また、本発明では、上記多重量子井戸構造
におけるウェル数が４以上である。また、好適には、１
つのウェルの厚さが１５ｎｍ以下である。
におけるウェル数が４以上である。また、好適には、１
つのウェルの厚さが１５ｎｍ以下である。
【００１４】また、本発明では、上記テーパ形状が、端
面付近の狭いストライプ幅が４μｍ以下であり、中央部
のストライプ幅が７μｍ以下である。また、好適には、
上記ストライプ部のテーパ領域長が５０μｍ以上であ
る。
面付近の狭いストライプ幅が４μｍ以下であり、中央部
のストライプ幅が７μｍ以下である。また、好適には、
上記ストライプ部のテーパ領域長が５０μｍ以上であ
る。
【００１５】また、本発明では、上記多重量子井戸構造
が、ガイド層を有し、当該ガイド層の厚さが１００ｎｍ
以下に設定されている。
が、ガイド層を有し、当該ガイド層の厚さが１００ｎｍ
以下に設定されている。
【００１６】本発明によれば、活性層にＭＱＷ構造を用
いていることから、ノイズの重要な特性要因である緩和
振動周波数がバルク構造より高くなる。さらに、ゲイン
ガイドで問題になるしきい値の高さが低減される。また
線幅増大係数を減少し、自然放出光スペクトル幅が狭く
なり、自然放出光係数が小さくなる。これにより、活性
層にバルクを用いたものより、量子ノイズ特性が改善さ
れる。
いていることから、ノイズの重要な特性要因である緩和
振動周波数がバルク構造より高くなる。さらに、ゲイン
ガイドで問題になるしきい値の高さが低減される。また
線幅増大係数を減少し、自然放出光スペクトル幅が狭く
なり、自然放出光係数が小さくなる。これにより、活性
層にバルクを用いたものより、量子ノイズ特性が改善さ
れる。
【００１７】また、ＭＱＷ構造において、ウェル厚みを
１５ｎｍ以下にすることにより、充分に量子効果が発現
される。また、ウェル数４ウェル以上とすることで、光
閉じこめ係数が充分上げり緩和振動周波数が高く維持さ
れ、その結果、パルセーションを生じやすくなる。
１５ｎｍ以下にすることにより、充分に量子効果が発現
される。また、ウェル数４ウェル以上とすることで、光
閉じこめ係数が充分上げり緩和振動周波数が高く維持さ
れ、その結果、パルセーションを生じやすくなる。
【００１８】また、低ノイズのためには、ゲインガイド
型半導体レーザのストライプ幅は狭い方が良い。一般に
は、ゲインガイド型半導体レーザにおいて、ストライプ
幅が狭いと、しきい値が高くなり、ＦＦＰが双峰に成り
やすいが、本発明では、活性層にＭＱＷ構造を前提とし
ているため、しきい値電流値Ｉｔｈの減少や、ゲイン導
波の際の損失や波面湾曲の低減が、損失の多いバルク活
性層に比べ期待できるためストライプ幅をより狭くする
ことが可能になる。そこで端面付近のストライプ幅はＦ
ＦＰの平行な方向のビーム広がり角θ//を従来と変化さ
せず、端面の信頼性も確保するために端面付近の幅を４
μｍ以下とし、中央部の広い領域の幅を７μｍ以下に狭
く設定している。
型半導体レーザのストライプ幅は狭い方が良い。一般に
は、ゲインガイド型半導体レーザにおいて、ストライプ
幅が狭いと、しきい値が高くなり、ＦＦＰが双峰に成り
やすいが、本発明では、活性層にＭＱＷ構造を前提とし
ているため、しきい値電流値Ｉｔｈの減少や、ゲイン導
波の際の損失や波面湾曲の低減が、損失の多いバルク活
性層に比べ期待できるためストライプ幅をより狭くする
ことが可能になる。そこで端面付近のストライプ幅はＦ
ＦＰの平行な方向のビーム広がり角θ//を従来と変化さ
せず、端面の信頼性も確保するために端面付近の幅を４
μｍ以下とし、中央部の広い領域の幅を７μｍ以下に狭
く設定している。
【００１９】
【発明の実施の形態】第１実施形態 図１は本発明に係る半導体レーザの第１の実施形態を示
す平面図、図２は図１のＡ−Ａ線における断面図であ
る。なお、ここではＡｌＧａＡｓ系の材料により、導波
機構に屈折率差を持たないストライプ部がテーパー形状
を有するいわゆるテーパストライプ（ＴＡＰＳ）型のゲ
インガイド型半導体レーザを構成した場合を示す。
す平面図、図２は図１のＡ−Ａ線における断面図であ
る。なお、ここではＡｌＧａＡｓ系の材料により、導波
機構に屈折率差を持たないストライプ部がテーパー形状
を有するいわゆるテーパストライプ（ＴＡＰＳ）型のゲ
インガイド型半導体レーザを構成した場合を示す。
【００２０】図１に示すように、このゲインガイド型半
導体レーザ１００は、ｎ型（第１導電型）ＧａＡｓ基板
１０１上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層（第１のクラ
ッド層）１０２、ＡｌＧａＡｓ活性層１０３、ｐ型（第
２導電型）ＡｌＧａＡｓクラッド層（第２のクラッド
層）１０４、およびｐ型ＧａＡｓキャップ層１０５が順
次積層されている。そして、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド
層１０４の上層部、およびｐ型ＧａＡｓキャップ層１０
５は、一方向に延びるメサ型のストライプ形状を有して
いる。すなわち、これらのｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層
１０４の上層部、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１０５からス
トライプ部１０６が構成されている。このストライプ部
１０６の両側の部分にはｎ型電流狭窄層１０７が、たと
えばＢ+ イオンのイオンインプランテーション（イオン
注入）により高抵抗化され、これにより電流狭窄構造が
形成されている。
導体レーザ１００は、ｎ型（第１導電型）ＧａＡｓ基板
１０１上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層（第１のクラ
ッド層）１０２、ＡｌＧａＡｓ活性層１０３、ｐ型（第
２導電型）ＡｌＧａＡｓクラッド層（第２のクラッド
層）１０４、およびｐ型ＧａＡｓキャップ層１０５が順
次積層されている。そして、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド
層１０４の上層部、およびｐ型ＧａＡｓキャップ層１０
５は、一方向に延びるメサ型のストライプ形状を有して
いる。すなわち、これらのｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層
１０４の上層部、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１０５からス
トライプ部１０６が構成されている。このストライプ部
１０６の両側の部分にはｎ型電流狭窄層１０７が、たと
えばＢ+ イオンのイオンインプランテーション（イオン
注入）により高抵抗化され、これにより電流狭窄構造が
形成されている。
【００２１】ｐ型ＧａＡｓキャップ層１０５およびｎ型
電流狭窄層１０７の上には、たとえばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ
電極のようなｐ側電極１０８が設けられている。一方、
ｎ型ＧａＡｓ基板１０１の裏面には、たとえばＡｕＧｅ
／Ｎｉ／Ａｕ電極のようなｎ側電極１０９が設けられて
いる。
電流狭窄層１０７の上には、たとえばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ
電極のようなｐ側電極１０８が設けられている。一方、
ｎ型ＧａＡｓ基板１０１の裏面には、たとえばＡｕＧｅ
／Ｎｉ／Ａｕ電極のようなｎ側電極１０９が設けられて
いる。
【００２２】図１に示すように、本ゲインガイド型半導
体レーザ１００の共振器長Ｌは２５０μｍ〜５００μｍ
に設定され、かつ後述する理由によりノイズ低減に寄与
するように、テーパ領域長ｌ１は５０μｍ以上の１００
μｍ、中央部の幅広ストライプ領域長ｌ３は５０〜３０
０μｍ、端面付近のストライプ幅ｗ１は４μｍ以下の３
μｍ、中央部のストライプ幅ｗ３は７μｍ以下の６μｍ
にそれぞれ設定されている。
体レーザ１００の共振器長Ｌは２５０μｍ〜５００μｍ
に設定され、かつ後述する理由によりノイズ低減に寄与
するように、テーパ領域長ｌ１は５０μｍ以上の１００
μｍ、中央部の幅広ストライプ領域長ｌ３は５０〜３０
０μｍ、端面付近のストライプ幅ｗ１は４μｍ以下の３
μｍ、中央部のストライプ幅ｗ３は７μｍ以下の６μｍ
にそれぞれ設定されている。
【００２３】さらに、ノイズの重要な特性容易である緩
和振動周波数ｆｒをバルク構造より高くするために、本
ゲインガイド型半導体レーザ１００におけるＡｌＧａＡ
ｓ活性層１０３の構造を、図３または図４に示すような
多重量子井戸（ＭＱＷ:Multiple Quantum Well）構造と
している。
和振動周波数ｆｒをバルク構造より高くするために、本
ゲインガイド型半導体レーザ１００におけるＡｌＧａＡ
ｓ活性層１０３の構造を、図３または図４に示すような
多重量子井戸（ＭＱＷ:Multiple Quantum Well）構造と
している。
【００２４】また、ＭＱＷ構造におけるウェル数は、緩
和振動周波数ｆｒをパワー１ｍＷで１ＧＨｚ以上にする
ことができるように、４個以上設けられる。なお、図３
および図４の構成例では、ウェルを４個設けた場合を示
している。また、量子井戸（ＱＷ）効果を発現させるた
めには、１つのウェルＬＷＬの厚さは１５ｎｍ以下、た
とえば１０ｎｍ程度に設定される。なお、バルク構造の
場合にはその厚さｄが７０ｎｍ以下であるとノイズが増
大する事実から、ＱＷ効果の発現という必要性を考慮し
てウェルの厚さを１０ｎｍとし、同じくバリア層１０ｎ
ｍとした場合、ウェル数が３個では活性層１０３の厚さ
ｄが５０ｎｍ程度しかならず、ノイズ増大を招くことは
明らかである。これに対して、ウェル数が４であるなら
ば、活性層１０３の厚さｄが７０ｎｍ程度となり、ノイ
ズ増大を防止できる。したがって、ＱＷ効果を発現さ
せ、しかもノイズの増大を抑止するためにはＭＱＷ構造
におけるウェル数は最低４個は必要である。
和振動周波数ｆｒをパワー１ｍＷで１ＧＨｚ以上にする
ことができるように、４個以上設けられる。なお、図３
および図４の構成例では、ウェルを４個設けた場合を示
している。また、量子井戸（ＱＷ）効果を発現させるた
めには、１つのウェルＬＷＬの厚さは１５ｎｍ以下、た
とえば１０ｎｍ程度に設定される。なお、バルク構造の
場合にはその厚さｄが７０ｎｍ以下であるとノイズが増
大する事実から、ＱＷ効果の発現という必要性を考慮し
てウェルの厚さを１０ｎｍとし、同じくバリア層１０ｎ
ｍとした場合、ウェル数が３個では活性層１０３の厚さ
ｄが５０ｎｍ程度しかならず、ノイズ増大を招くことは
明らかである。これに対して、ウェル数が４であるなら
ば、活性層１０３の厚さｄが７０ｎｍ程度となり、ノイ
ズ増大を防止できる。したがって、ＱＷ効果を発現さ
せ、しかもノイズの増大を抑止するためにはＭＱＷ構造
におけるウェル数は最低４個は必要である。
【００２５】また、図３に示すＭＱＷ構造は、いわゆる
ガイド層ＧＵＤを設けたＳＣＨ構造のものである。ただ
し、本実施形態では、ノイズ増大を抑止するため、この
ガイド層ＧＵＤの厚さは１００ｎｍ以下に設定される。
ガイド層ＧＵＤを設けたＳＣＨ構造のものである。ただ
し、本実施形態では、ノイズ増大を抑止するため、この
ガイド層ＧＵＤの厚さは１００ｎｍ以下に設定される。
【００２６】また、図４に示すＭＱＷ構造は、ガイド層
を設けていない構造であるが、ゲインガイドレーザ型半
導体レーザの低ノイズ化には有効な構造である。
を設けていない構造であるが、ゲインガイドレーザ型半
導体レーザの低ノイズ化には有効な構造である。
【００２７】図１のゲインガイド型半導体レーザ１００
におけるｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１０２、ＡｌＧａ
Ａｓ活性層１０３、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１０４
部分の化合物の各組成比は、図３の構造の場合、ｎ型ク
ラッド層１０２およびｐ型クラッド層はＡｌ0.5 Ｇａ
0.5 Ａｓ、活性層１０３はＡｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ／Ａｌ
0.1 Ｇａ０0.9 Ａｓとなるように構成され、図４の構造
の場合、ｎ型クラッド層１０２およびｐ型クラッド層は
Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ、活性層１０３はＡｌ0.1Ｇａ０
0.9 Ａｓとなるように構成される。
におけるｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１０２、ＡｌＧａ
Ａｓ活性層１０３、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１０４
部分の化合物の各組成比は、図３の構造の場合、ｎ型ク
ラッド層１０２およびｐ型クラッド層はＡｌ0.5 Ｇａ
0.5 Ａｓ、活性層１０３はＡｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ／Ａｌ
0.1 Ｇａ０0.9 Ａｓとなるように構成され、図４の構造
の場合、ｎ型クラッド層１０２およびｐ型クラッド層は
Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ、活性層１０３はＡｌ0.1Ｇａ０
0.9 Ａｓとなるように構成される。
【００２８】このような構成を有するゲインガイド型半
導体レーザ１００は、活性層構造としてバルク構造の代
わりに、ＭＱＷ構造を採用し、そのウェル数を４以上で
１つのウェル厚を１５ｎｍ以下に設定し、テーパストラ
イプの中央部の幅広のストライプ幅ｗ３を７μｍ、端面
付近の幅を４μｍ以下に設定することにより、低ノイズ
化を図り、ノイズレベルが、ＲＩＮの値で、戻り光量１
％程度、数ｍＷ出力時で約−１２０ｄＢ〜−１２５ｄＢ
程度であったものを、約−１２５ｄＢ〜−１３０ｄＢ程
度とノイズを低減して、ＣＤ等の光ディスク装置用光源
だけではなく、光密度化された光ディスク装置、あるい
はノイズ低減要求の高いアナログのレーザディスクにも
適用できようにしている。
導体レーザ１００は、活性層構造としてバルク構造の代
わりに、ＭＱＷ構造を採用し、そのウェル数を４以上で
１つのウェル厚を１５ｎｍ以下に設定し、テーパストラ
イプの中央部の幅広のストライプ幅ｗ３を７μｍ、端面
付近の幅を４μｍ以下に設定することにより、低ノイズ
化を図り、ノイズレベルが、ＲＩＮの値で、戻り光量１
％程度、数ｍＷ出力時で約−１２０ｄＢ〜−１２５ｄＢ
程度であったものを、約−１２５ｄＢ〜−１３０ｄＢ程
度とノイズを低減して、ＣＤ等の光ディスク装置用光源
だけではなく、光密度化された光ディスク装置、あるい
はノイズ低減要求の高いアナログのレーザディスクにも
適用できようにしている。
【００２９】以下、ＭＱＷ構造の活性層の厚み（ウェル
数等も含む）およびストライプ幅に制限を加えることに
より、緩和振動周波数ｆｒを高くでき、さらにノイズを
低減できる理由を、詳細に説明する。
数等も含む）およびストライプ幅に制限を加えることに
より、緩和振動周波数ｆｒを高くでき、さらにノイズを
低減できる理由を、詳細に説明する。
【００３０】まず、ＴＡＰＳゲインガイド型半導体レー
ザのノイズが、どのような特性と相関が強く、またどの
ような機構でそのノイズ量が決定されるのかを考察す
る。
ザのノイズが、どのような特性と相関が強く、またどの
ような機構でそのノイズ量が決定されるのかを考察す
る。
【００３１】図５は、ノイズＯＫ品（−１２５ｄＢ／Ｈ
ｚ程度の試料）とＮＧ品（−１２０ｄＢ／Ｈｚ程度の試
料）に関して、半導体レーザ特性のどのような項目と相
関が強いかを調べた結果を示す図である。
ｚ程度の試料）とＮＧ品（−１２０ｄＢ／Ｈｚ程度の試
料）に関して、半導体レーザ特性のどのような項目と相
関が強いかを調べた結果を示す図である。
【００３２】図５から、「戻り光が無い時のノイズ（Ｒ
ＩＮ）でＩｔｈ付近の最も高いＲＩＮ値：Ｉ−ＲＩ
Ｎ」、「ＦＦＰのθ〃」、「緩和振動周波数ｆｒ」「戻
り光によって生じるパルセーション的な強度振動周波数
ｆｒ’」と相関が強いことが分かる。
ＩＮ）でＩｔｈ付近の最も高いＲＩＮ値：Ｉ−ＲＩ
Ｎ」、「ＦＦＰのθ〃」、「緩和振動周波数ｆｒ」「戻
り光によって生じるパルセーション的な強度振動周波数
ｆｒ’」と相関が強いことが分かる。
【００３３】ゲインガイド型半導体レーザのノイズを発
生する機構は、その要因から２種類に大きく分けられ
る。その１つは量子ノイズ、もう一つはモード競合ノイ
ズである。
生する機構は、その要因から２種類に大きく分けられ
る。その１つは量子ノイズ、もう一つはモード競合ノイ
ズである。
【００３４】図６は、量子ノイズ発生の機構を模式的に
示す図である。図６に示すように、量子ノイズはホワイ
トノイズ（white noise ）の自然放出光が半導体レーザ
という光増幅器を通し、その伝達特性でレーザ出力に現
れたものであり、自然放出光係数βsp、緩和振動周波数
ｆｒ，キャリア寿命γｓ等できまり、光ディスクに重要
な数ＭＨｚ程度の量子ノイズは、次の式（１）で示した
ような理論近似式で表される。
示す図である。図６に示すように、量子ノイズはホワイ
トノイズ（white noise ）の自然放出光が半導体レーザ
という光増幅器を通し、その伝達特性でレーザ出力に現
れたものであり、自然放出光係数βsp、緩和振動周波数
ｆｒ，キャリア寿命γｓ等できまり、光ディスクに重要
な数ＭＨｚ程度の量子ノイズは、次の式（１）で示した
ような理論近似式で表される。
【００３５】
【数１】
【００３６】これより、緩和振動周波数ｆｒが高いほ
ど、自然放出光係数βspが小さいほど量子ノイズは低く
なることが分かり、これは図５の実験結果と一致してい
る。自然放出光係数βspの理論式は式（２）で与えら
れ、緩和振動周波数ｆｒの理論式は（３）式で与えられ
る。
ど、自然放出光係数βspが小さいほど量子ノイズは低く
なることが分かり、これは図５の実験結果と一致してい
る。自然放出光係数βspの理論式は式（２）で与えら
れ、緩和振動周波数ｆｒの理論式は（３）式で与えられ
る。
【００３７】
【数２】
【００３８】
【数３】
【００３９】図７は、これれらより、量子ノイズを低下
させるためにどのようにゲインガイド半導体レーザパラ
メータを制御すれば良いかをまとめた図である。ここで
考慮した半導体レーザパラメータはゲインガイド構造に
重要な活性層厚み関係とストライプ幅である。
させるためにどのようにゲインガイド半導体レーザパラ
メータを制御すれば良いかをまとめた図である。ここで
考慮した半導体レーザパラメータはゲインガイド構造に
重要な活性層厚み関係とストライプ幅である。
【００４０】また、図８は、戻り光ノイズを決める機構
を示す図である。図８から、戻り光を戻すとゲインガイ
ド型半導体レーザのノイズは増加することが明らかであ
る。
を示す図である。図８から、戻り光を戻すとゲインガイ
ド型半導体レーザのノイズは増加することが明らかであ
る。
【００４１】まずは複合共振器を生じることにより、新
たに複合共振器の緩和振動周波数ｆｒ’が生じ、この共
振が基となってゲインガイド型半導体レーザはパルセー
ションに似た強度変動を生じ、そのスペクトル線幅を拡
げコヒーレンスを落とす。このため、外部モード競合が
抑制される。ただし、戻り光誘起パルセーション（Refl
ection Induced Pulsation;RIP) で緩和振動周波数ｆ
ｒ’付近のノイズを持ち上げるため、この周波数が低周
波であればあるほど数ＭＨｚの量子ノイズを増加させ
る。
たに複合共振器の緩和振動周波数ｆｒ’が生じ、この共
振が基となってゲインガイド型半導体レーザはパルセー
ションに似た強度変動を生じ、そのスペクトル線幅を拡
げコヒーレンスを落とす。このため、外部モード競合が
抑制される。ただし、戻り光誘起パルセーション（Refl
ection Induced Pulsation;RIP) で緩和振動周波数ｆ
ｒ’付近のノイズを持ち上げるため、この周波数が低周
波であればあるほど数ＭＨｚの量子ノイズを増加させ
る。
【００４２】つまり、戻り光の存在によってやはり量子
ノイズが増加する（ｆｒ’が低いほど、よく上昇する）
ことと、ＲＩＰが起こりやすいゲインガイド型半導体レ
ーザほどモード競合ノイズを抑圧する。これらのことを
考慮すると、ゲインガイド型半導体レーザの戻り光ノイ
ズを低下させるためには、図９に示したような方向にパ
ラメータを制御すれば良い。これは量子ノイズがやはり
重要な要因であることと、パルセーション半導体レーザ
からの類推より、活性層厚みが大きいほどパルセーショ
ンの発生がしやすいことなどにより、ゲインガイド半導
体レーザでは図７と図９の制御方向が同じ方向である。
ノイズが増加する（ｆｒ’が低いほど、よく上昇する）
ことと、ＲＩＰが起こりやすいゲインガイド型半導体レ
ーザほどモード競合ノイズを抑圧する。これらのことを
考慮すると、ゲインガイド型半導体レーザの戻り光ノイ
ズを低下させるためには、図９に示したような方向にパ
ラメータを制御すれば良い。これは量子ノイズがやはり
重要な要因であることと、パルセーション半導体レーザ
からの類推より、活性層厚みが大きいほどパルセーショ
ンの発生がしやすいことなどにより、ゲインガイド半導
体レーザでは図７と図９の制御方向が同じ方向である。
【００４３】以上の観点より、活性層１０３にＭＱＷ構
造を有するゲインガイド型半導体レーザ１００のノイズ
に関する最適な構造を規定した。
造を有するゲインガイド型半導体レーザ１００のノイズ
に関する最適な構造を規定した。
【００４４】まず、活性層１０３にＭＱＷ構造を用いる
理由は、ノイズの重要な特性要因である緩和振動周波数
ｆｒをバルク構造より向上することができるからであ
る。さらにゲインガイドで問題になるしきい値の高さを
ＭＱＷ活性層により低減することが可能になる点、また
線幅増大係数αを減少できることや、自然放出光スペク
トル幅を狭くできることより自然放出光係数βspを小さ
くすることができるためである。これらのことより、活
性層１０３にバルクを用いたものより、量子ノイズ特性
を改善することができる。ＭＱＷ構造は量子効果を充分
に出し、かつ活性層全厚みを増やすことが上記ゲインガ
イドのノイズ機構より望ましいことが分かる。
理由は、ノイズの重要な特性要因である緩和振動周波数
ｆｒをバルク構造より向上することができるからであ
る。さらにゲインガイドで問題になるしきい値の高さを
ＭＱＷ活性層により低減することが可能になる点、また
線幅増大係数αを減少できることや、自然放出光スペク
トル幅を狭くできることより自然放出光係数βspを小さ
くすることができるためである。これらのことより、活
性層１０３にバルクを用いたものより、量子ノイズ特性
を改善することができる。ＭＱＷ構造は量子効果を充分
に出し、かつ活性層全厚みを増やすことが上記ゲインガ
イドのノイズ機構より望ましいことが分かる。
【００４５】そこで、図３に示したＭＱＷ構造におい
て、ウェル厚みは充分に量子効果を出すことのできる１
５ｎｍ以下、好適には１０ｎｍ以下とし、かつウェル数
は４ウェル以上とすることで光閉じこめ係数Ｆを充分上
げて緩和振動周波数ｆｒを高く維持し、かつパルセーシ
ョンを生じやすくしている。また、ＭＱＷ構造にはＳＣ
Ｈ構造を伴うことが多いが、これまでの検討でＳＣＨ構
造のガイド層厚みを１００ｎｍ以上に大きくするとノイ
ズレベルが上昇することが分かっている。これは、ＳＣ
Ｈ構造のガイド層へ注入されたキャリアが充分速くウェ
ルにはいらないため緩和振動が遅くなるためと解釈され
る。よって、ＳＣＨ構造においてはガイド層を１００ｎ
ｍ以下にする。
て、ウェル厚みは充分に量子効果を出すことのできる１
５ｎｍ以下、好適には１０ｎｍ以下とし、かつウェル数
は４ウェル以上とすることで光閉じこめ係数Ｆを充分上
げて緩和振動周波数ｆｒを高く維持し、かつパルセーシ
ョンを生じやすくしている。また、ＭＱＷ構造にはＳＣ
Ｈ構造を伴うことが多いが、これまでの検討でＳＣＨ構
造のガイド層厚みを１００ｎｍ以上に大きくするとノイ
ズレベルが上昇することが分かっている。これは、ＳＣ
Ｈ構造のガイド層へ注入されたキャリアが充分速くウェ
ルにはいらないため緩和振動が遅くなるためと解釈され
る。よって、ＳＣＨ構造においてはガイド層を１００ｎ
ｍ以下にする。
【００４６】低ノイズのためには、ゲインガイド型半導
体レーザのストライプ幅は狭い方が良い。ところが、ゲ
インガイド型半導体レーザにおいて、ストライプ幅が狭
いと、しきい値が高くなり、ＦＦＰが双峰に成りやすい
欠点がある。そこで、ＴＡＰＳ構造を低ノイズのために
適正化し、かつこれらの欠点を回避するために、図１に
示すような構造としている。
体レーザのストライプ幅は狭い方が良い。ところが、ゲ
インガイド型半導体レーザにおいて、ストライプ幅が狭
いと、しきい値が高くなり、ＦＦＰが双峰に成りやすい
欠点がある。そこで、ＴＡＰＳ構造を低ノイズのために
適正化し、かつこれらの欠点を回避するために、図１に
示すような構造としている。
【００４７】すなわち、従来のＴＡＰＳ構造は、しきい
値電流Ｉｔｈの低減や非点格差補正、ＦＦＰの単峰化を
重視し、中央部の幅広領域のストライプ幅を８μｍ程度
と広めに設定している。ここでは、活性層にＭＱＷ構造
を前提としているため、しきい値電流Ｉｔｈの減少や、
ゲイン導波の際の損失や波面湾曲の低減が、損失の多い
バルク活性層に比べ期待できるためストライプ幅をより
狭くすることが可能になる。これはノイズの観点から有
利である。そこで端面付近のストライプ幅はＦＦＰの平
行な方向のビーム広がり角θ//を従来と変化させず、端
面の信頼性も確保するために幅ｗ１を４μｍ以下、好適
には約３μｍとし、中央部広い領域の幅ｗ３を従来の８
μｍ程度から７μｍ以下、好適には約６μｍに狭く設定
している。
値電流Ｉｔｈの低減や非点格差補正、ＦＦＰの単峰化を
重視し、中央部の幅広領域のストライプ幅を８μｍ程度
と広めに設定している。ここでは、活性層にＭＱＷ構造
を前提としているため、しきい値電流Ｉｔｈの減少や、
ゲイン導波の際の損失や波面湾曲の低減が、損失の多い
バルク活性層に比べ期待できるためストライプ幅をより
狭くすることが可能になる。これはノイズの観点から有
利である。そこで端面付近のストライプ幅はＦＦＰの平
行な方向のビーム広がり角θ//を従来と変化させず、端
面の信頼性も確保するために幅ｗ１を４μｍ以下、好適
には約３μｍとし、中央部広い領域の幅ｗ３を従来の８
μｍ程度から７μｍ以下、好適には約６μｍに狭く設定
している。
【００４８】以上説明したように、本第１の実施形態に
よれば、性層構造としてバルク構造の代わりに、ＭＱＷ
構造を採用し、そのウェル数を４以上で１つのウェル厚
を１５ｎｍ以下に設定し、テーパストライプの中央部の
幅広のストライプ幅ｗ３を７μｍ、端面付近の幅ｗ１を
４μｍ以下に設定したので、次のような効果を得られ
る。
よれば、性層構造としてバルク構造の代わりに、ＭＱＷ
構造を採用し、そのウェル数を４以上で１つのウェル厚
を１５ｎｍ以下に設定し、テーパストライプの中央部の
幅広のストライプ幅ｗ３を７μｍ、端面付近の幅ｗ１を
４μｍ以下に設定したので、次のような効果を得られ
る。
【００４９】１）従来型バルク活性層、ＴＡＰＳゲイン
ガイド型半導体レーザのノイズレベルに対し、約５〜１
０ｄＢのＲＩＮの低減が可能である。 ２）しきい値電流Ｉｔｈおよび動作電流Ｉｏｐを低減で
きる。 ３）緩和振動数が上昇するため、変調可能上限を高くす
ることができる。その結果、通信用レーザに適する。 ４）従来を同じ工程で作成できるため歩留まり等をさら
に向上できる。また、現在低ノイズ半導体レーザとして
用いられているパルセーション半導体レーザやインデッ
クスガイドレーザに比べ ５）高周波重畳回路が必要（対インデックスガイド半導
体レーザ） ６）１回結晶成長で作成でき低コストでできる。 ７）端面の破壊パワーが強いので、静電気破壊やサージ
破壊に強い。したがって、これまで応用が困難であっ
た、ＤＶＤやレーザディスク等これから現れる高密度光
ディスク装置用光源として使え、かつ高温での応用も可
能になるため利用範囲が広り、また、これまで以上の低
コスト、高信頼性が可能になるという利点がある。
ガイド型半導体レーザのノイズレベルに対し、約５〜１
０ｄＢのＲＩＮの低減が可能である。 ２）しきい値電流Ｉｔｈおよび動作電流Ｉｏｐを低減で
きる。 ３）緩和振動数が上昇するため、変調可能上限を高くす
ることができる。その結果、通信用レーザに適する。 ４）従来を同じ工程で作成できるため歩留まり等をさら
に向上できる。また、現在低ノイズ半導体レーザとして
用いられているパルセーション半導体レーザやインデッ
クスガイドレーザに比べ ５）高周波重畳回路が必要（対インデックスガイド半導
体レーザ） ６）１回結晶成長で作成でき低コストでできる。 ７）端面の破壊パワーが強いので、静電気破壊やサージ
破壊に強い。したがって、これまで応用が困難であっ
た、ＤＶＤやレーザディスク等これから現れる高密度光
ディスク装置用光源として使え、かつ高温での応用も可
能になるため利用範囲が広り、また、これまで以上の低
コスト、高信頼性が可能になるという利点がある。
【００５０】第２実施形態 図１０は、本発明にゲインガイド型半導体レーザの第２
の実施形態を示す平面図である。
の実施形態を示す平面図である。
【００５１】本第２の実施形態が上述した第１の実施形
態と異なる点は、変調構造は共振器の前後で対称的にす
る代わりに、非対称型とし、かつ、全体的に幅広ストラ
イプ部を減らすため、全ての導波域をテーパ形状にした
ことにある。また、端面に対してテーパー形状は対称に
なっている必要はなく、光取り出し側の端面のＦＦＰさ
え単峰に整形できていれば、後面のテーパーは全共振器
長に対応して自由に決めることできる。
態と異なる点は、変調構造は共振器の前後で対称的にす
る代わりに、非対称型とし、かつ、全体的に幅広ストラ
イプ部を減らすため、全ての導波域をテーパ形状にした
ことにある。また、端面に対してテーパー形状は対称に
なっている必要はなく、光取り出し側の端面のＦＦＰさ
え単峰に整形できていれば、後面のテーパーは全共振器
長に対応して自由に決めることできる。
【００５２】本第２の実施形態においても、最も幅広の
ストライプ幅ｗ３は６μｍに設定されている。また、テ
ーパ領域長ｌ１，ｌ２も５０μｍ以上の１００μｍおよ
び１４０〜４００μｍに設定され、導波損失に低減が図
られている。
ストライプ幅ｗ３は６μｍに設定されている。また、テ
ーパ領域長ｌ１，ｌ２も５０μｍ以上の１００μｍおよ
び１４０〜４００μｍに設定され、導波損失に低減が図
られている。
【００５３】本第２の実施形態によれは、上述した第１
の実施形態の効果と同様の効果を得ることができる。ま
た、本第２の実施形態は、特に、赤色系レーザに多いＯ
ＦＦ角基板を用いたレーザでは、リッジ形状が非対称に
なるため、それに対応して非対称にすることが有効な場
合がある。
の実施形態の効果と同様の効果を得ることができる。ま
た、本第２の実施形態は、特に、赤色系レーザに多いＯ
ＦＦ角基板を用いたレーザでは、リッジ形状が非対称に
なるため、それに対応して非対称にすることが有効な場
合がある。
【００５４】なお、上述した第１および第２の実施形態
においては、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系の自励発振型半
導体レーザを例に説明したが、本発明がＡｌＧａＩｎＰ
／ＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＮ／ＩｎＧａＮ、ＺｎＭｇＳＳ
ｅ／ＺｎＳ系等、種々のレーザに適用できることはいう
までもない。
においては、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系の自励発振型半
導体レーザを例に説明したが、本発明がＡｌＧａＩｎＰ
／ＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＮ／ＩｎＧａＮ、ＺｎＭｇＳＳ
ｅ／ＺｎＳ系等、種々のレーザに適用できることはいう
までもない。
【００５５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
従来のゲインガイド型半導体レーザのノイズレベルに対
し、約５〜１０ｄＢのＲＩＮの低減が可能で、また、し
きい値電流を低減でき、緩和振動数が上昇するため、変
調可能上限を高くすることができる利点がある。その結
果、通信用レーザや高密度化された光ディスク装置等の
光源として適用できる利点がある。
従来のゲインガイド型半導体レーザのノイズレベルに対
し、約５〜１０ｄＢのＲＩＮの低減が可能で、また、し
きい値電流を低減でき、緩和振動数が上昇するため、変
調可能上限を高くすることができる利点がある。その結
果、通信用レーザや高密度化された光ディスク装置等の
光源として適用できる利点がある。
【図１】本発明に係る半導体レーザの第１の実施形態を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線における断面図である。
【図３】本発明に係る半導体レーザのＭＱＷ構図の構成
例を示す図である。
例を示す図である。
【図４】本発明に係る半導体レーザのＭＱＷ構図の他の
構成例を示す図である。
構成例を示す図である。
【図５】ノイズＯＫ品（−１２５ｄＢ／Ｈｚ程度の試
料）とＮＧ品（−１２０ｄＢ／Ｈｚ程度の試料）に関し
て、半導体レーザ特性のどのような項目と相関が強いか
を調べた結果を示す図である。
料）とＮＧ品（−１２０ｄＢ／Ｈｚ程度の試料）に関し
て、半導体レーザ特性のどのような項目と相関が強いか
を調べた結果を示す図である。
【図６】量子ノイズ発生の機構を模式的に示す図であ
る。
る。
【図７】量子ノイズを低下させるためにどのようにゲイ
ンガイド半導体レーザパラメータを制御すれば良いかを
まとめた図である。
ンガイド半導体レーザパラメータを制御すれば良いかを
まとめた図である。
【図８】戻り光ノイズを決める機構を示す図である。
【図９】戻り光ＲＩＮを低下させるためにどのようにゲ
インガイド半導体レーザパラメータを制御すれば良いか
をまとめた図である。
インガイド半導体レーザパラメータを制御すれば良いか
をまとめた図である。
【図１０】本発明にゲインガイド型半導体レーザの第２
の実施形態を示す平面図である。
の実施形態を示す平面図である。
【図１１】従来の半導体レーザの他の構成例を示す平面
図である。
図である。
１００…ゲインガイド型半導体レーザ、１０１…ｎ型Ｇ
ａＡｓ基板、１０２…ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、１
０３…ＡｌＧａＡｓ活性層、１０４…ｐ型ＡｌＧａＡｓ
クラッド層、１０５…ｐ型ＧａＡｓキャップ、１０６…
ストライプ部、１０７…ｎ型電流狭窄層、１０８…ｐ側
電極、１０９…ｎ側電極、ＬＷＬ…ウェル、ＧＵＤ…ガ
イド層。
ａＡｓ基板、１０２…ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、１
０３…ＡｌＧａＡｓ活性層、１０４…ｐ型ＡｌＧａＡｓ
クラッド層、１０５…ｐ型ＧａＡｓキャップ、１０６…
ストライプ部、１０７…ｎ型電流狭窄層、１０８…ｐ側
電極、１０９…ｎ側電極、ＬＷＬ…ウェル、ＧＵＤ…ガ
イド層。
Claims (12)
- 【請求項１】 第１導電型の第１のクラッド層と、上記
第１のクラッド層上に形成された活性層と、上記活性層
上に形成された第２導電型の第２のクラッド層とを有
し、導波機構に作りつけの屈折率差を持たず、ストライ
プ状の電流注入構造を備え、かつ、当該ストライプ幅が
中央部で広く、端面付近で狭くなっているテーパ状をな
す半導体レーザであって、 上記活性層がバルク構造より緩和振動周波数が高い多重
量子井戸構造を有する半導体レーザ。 - 【請求項２】 上記多重量子井戸構造におけるウェル数
が４以上である請求項１記載の半導体レーザ。 - 【請求項３】 １つのウェルの厚さが１５ｎｍ以下であ
る請求項２記載の半導体レーザ。 - 【請求項４】 上記テーパ形状が、端面付近の狭いスト
ライプ幅が４μｍ以下であり、中央部のストライプ幅が
７μｍ以下である請求項１記載の半導体レーザ。 - 【請求項５】 上記テーパ形状が、端面付近の狭いスト
ライプ幅が４μｍ以下であり、中央部のストライプ幅が
７μｍ以下である請求項２記載の半導体レーザ。 - 【請求項６】 上記テーパ形状が、端面付近の狭いスト
ライプ幅が４μｍ以下であり、中央部のストライプ幅が
７μｍ以下である請求項３記載の半導体レーザ。 - 【請求項７】 上記ストライプ部のテーパ領域長が５０
μｍ以上である請求項４記載の半導体レーザ。 - 【請求項８】 上記ストライプ部のテーパ領域長が５０
μｍ以上である請求項５記載の半導体レーザ。 - 【請求項９】 上記ストライプ部のテーパ領域長が５０
μｍ以上である請求項６記載の半導体レーザ。 - 【請求項１０】 上記多重量子井戸構造が、ガイド層を
有し、当該ガイド層の厚さが１００ｎｍ以下に設定され
ている請求項３記載の半導体レーザ。 - 【請求項１１】 上記多重量子井戸構造が、ガイド層を
有し、当該ガイド層の厚さが１００ｎｍ以下に設定され
ている請求項６記載の半導体レーザ。 - 【請求項１２】 上記多重量子井戸構造が、ガイド層を
有し、当該ガイド層の厚さが１００ｎｍ以下に設定され
ている請求項９記載の半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26810798A JP2000101197A (ja) | 1998-09-22 | 1998-09-22 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26810798A JP2000101197A (ja) | 1998-09-22 | 1998-09-22 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000101197A true JP2000101197A (ja) | 2000-04-07 |
Family
ID=17454002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26810798A Pending JP2000101197A (ja) | 1998-09-22 | 1998-09-22 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000101197A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003005515A1 (fr) * | 2001-07-02 | 2003-01-16 | Nichia Corporation | Dispositif laser a semiconducteur gan et systeme d'information sur disque optique utilisant ce dispositif laser |
-
1998
- 1998-09-22 JP JP26810798A patent/JP2000101197A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003005515A1 (fr) * | 2001-07-02 | 2003-01-16 | Nichia Corporation | Dispositif laser a semiconducteur gan et systeme d'information sur disque optique utilisant ce dispositif laser |
| US7194013B2 (en) | 2001-07-02 | 2007-03-20 | Nichia Corporation | GaN semiconductor laser device, and optical disk information system using the laser device |
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