JPH10144991A - 半導体レーザー - Google Patents
半導体レーザーInfo
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- JPH10144991A JPH10144991A JP29693396A JP29693396A JPH10144991A JP H10144991 A JPH10144991 A JP H10144991A JP 29693396 A JP29693396 A JP 29693396A JP 29693396 A JP29693396 A JP 29693396A JP H10144991 A JPH10144991 A JP H10144991A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ゲインガイド型構造の半導体レーザーにおい
て、横モードの単峰化を図ったこの種テーパストライプ
型半導体レーザーにおいて、ＦＦＰ放射特性における水
平方向の広がり角θH を、８°以上の、８°≦θH ≦１
５°にかつ安定に設定することができるようにする。 【解決手段】 活性層に対する電流注入領域がストライ
プ状をなし、ゲインガイド型構造を有する半導体レーザ
ーにおいて、そのストライプ１９の幅が、ストライプ長
方向の中央部で幅広とされ、少なくとも一端側、すなわ
ち少なくとも実際にレーザー光源として用いられるレー
ザー光の出射端側の端面Ｓ1 側で幅狭とされ、そのスト
ライプの幅が、ストライプ長方向の中心に対し、両端に
関して非対称とする。
て、横モードの単峰化を図ったこの種テーパストライプ
型半導体レーザーにおいて、ＦＦＰ放射特性における水
平方向の広がり角θH を、８°以上の、８°≦θH ≦１
５°にかつ安定に設定することができるようにする。 【解決手段】 活性層に対する電流注入領域がストライ
プ状をなし、ゲインガイド型構造を有する半導体レーザ
ーにおいて、そのストライプ１９の幅が、ストライプ長
方向の中央部で幅広とされ、少なくとも一端側、すなわ
ち少なくとも実際にレーザー光源として用いられるレー
ザー光の出射端側の端面Ｓ1 側で幅狭とされ、そのスト
ライプの幅が、ストライプ長方向の中心に対し、両端に
関して非対称とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザー特
に活性層に対する電流注入領域がストライプ状をなし、
ゲインガイド型（利得ガイド型）構成による半導体レー
ザーに係わる。
に活性層に対する電流注入領域がストライプ状をなし、
ゲインガイド型（利得ガイド型）構成による半導体レー
ザーに係わる。
【０００２】
【従来の技術】ゲインガイド型半導体レーザーは、例え
ば図９にその基本的概略構成を示すように、第１導電型
例えばｎ型半導体基体１上に、これと同導電型の第１ク
ラッド層２、活性層３、第２導電型この例ではｐ型の第
２クラッド層４を、順次エピタキシャル成長し、この第
２クラッド層４をストライプ状に残してその両側をエッ
チングしてメサ溝を形成し、このメサ溝内を埋込んで第
１導電型のｎ型の電流狭窄層５を形成し、これの上に跨
がって全面的に第２導電型のキャップ層６をエピタキシ
ャル成長し、キャップ層６上に一方の電極７をオーミッ
クに被着形成し、基体１の裏面に他方の電極８をオーミ
ックに配置する構造が採られる。
ば図９にその基本的概略構成を示すように、第１導電型
例えばｎ型半導体基体１上に、これと同導電型の第１ク
ラッド層２、活性層３、第２導電型この例ではｐ型の第
２クラッド層４を、順次エピタキシャル成長し、この第
２クラッド層４をストライプ状に残してその両側をエッ
チングしてメサ溝を形成し、このメサ溝内を埋込んで第
１導電型のｎ型の電流狭窄層５を形成し、これの上に跨
がって全面的に第２導電型のキャップ層６をエピタキシ
ャル成長し、キャップ層６上に一方の電極７をオーミッ
クに被着形成し、基体１の裏面に他方の電極８をオーミ
ックに配置する構造が採られる。
【０００３】このようにして、電流狭窄層５による電流
の阻止によって、この電流狭窄層５が形成された部分下
の、活性層に対するキャリアの注入を制限することによ
って、電流狭窄層５下と、電流狭窄層５によって挟まれ
た部分下との間に、屈折率差Δｎが、Δｎ≦５×１０-4
とされたすなわちゲインガイド型半導体レーザーが構成
される。
の阻止によって、この電流狭窄層５が形成された部分下
の、活性層に対するキャリアの注入を制限することによ
って、電流狭窄層５下と、電流狭窄層５によって挟まれ
た部分下との間に、屈折率差Δｎが、Δｎ≦５×１０-4
とされたすなわちゲインガイド型半導体レーザーが構成
される。
【０００４】このゲインガイド型半導体レーザーは、縦
モードが多モードであることから、戻り光ノイズを減少
させる上で有利である。したがって、各種光記録再生装
置の、光記録、再生を行う光ピックアップの光源等に用
いて有効である。しかしながら、このゲインガイド型半
導体レーザーにおいては、横方向の閉じ込めがインデッ
クスガイド型（屈折率ガイド型）半導体レーザーにおけ
るように強制的な光閉じ込めによるものでないことか
ら、球面波導波となり放射特性すなわちＦＦＰ（ファー
フィールドパターン）の横モード特性が、インデックス
ガイド型におけるような単峰性を示さず、いわゆる中心
部のレベルが低い双峰性を示す。また、インデックスガ
イド型においては、横方向の光閉じ込めが強制的になさ
れることから、光出射端の横方向の幅は比較的小となっ
て干渉効果によって、水平方向の広がり角θH は大とな
るが、ゲインガイド型の場合、光出射端の横方向の幅は
比較的大きく、したがって、θH は小さく、また水平、
垂直方向の見掛け上の光発射点のずれ、いわゆる非点隔
差が大きいという問題がある。
モードが多モードであることから、戻り光ノイズを減少
させる上で有利である。したがって、各種光記録再生装
置の、光記録、再生を行う光ピックアップの光源等に用
いて有効である。しかしながら、このゲインガイド型半
導体レーザーにおいては、横方向の閉じ込めがインデッ
クスガイド型（屈折率ガイド型）半導体レーザーにおけ
るように強制的な光閉じ込めによるものでないことか
ら、球面波導波となり放射特性すなわちＦＦＰ（ファー
フィールドパターン）の横モード特性が、インデックス
ガイド型におけるような単峰性を示さず、いわゆる中心
部のレベルが低い双峰性を示す。また、インデックスガ
イド型においては、横方向の光閉じ込めが強制的になさ
れることから、光出射端の横方向の幅は比較的小となっ
て干渉効果によって、水平方向の広がり角θH は大とな
るが、ゲインガイド型の場合、光出射端の横方向の幅は
比較的大きく、したがって、θH は小さく、また水平、
垂直方向の見掛け上の光発射点のずれ、いわゆる非点隔
差が大きいという問題がある。
【０００５】このように、ＦＦＰ特性の水平方向の広が
り角θH が小さいとか、非点隔差が大きいことは、光記
録再生のピックアップの光源として使いにくいという問
題があり、水平方向の広がり角θH は、８°〜１５°程
度が望まれる。
り角θH が小さいとか、非点隔差が大きいことは、光記
録再生のピックアップの光源として使いにくいという問
題があり、水平方向の広がり角θH は、８°〜１５°程
度が望まれる。
【０００６】このような問題の解決をはかるものとし
て、図１０に半導体レーザーの平面図を示し、同図に破
線でそのストライプ部９の輪郭を示すように、中央部で
は比較的幅広の幅Ｗを有し、光出射端面となるストライ
プ長方向（共振器長方向）の両端における幅Ｗｓ1 およ
びＷｓ2 を、Ｗｓ1 ，Ｗｓ2 ＜Ｗとし、幅広部から幅狭
部間において、漸次その幅が変更されるテーパー部を形
成するテーパーストライプ型の半導体レーザーの提案が
なされている。
て、図１０に半導体レーザーの平面図を示し、同図に破
線でそのストライプ部９の輪郭を示すように、中央部で
は比較的幅広の幅Ｗを有し、光出射端面となるストライ
プ長方向（共振器長方向）の両端における幅Ｗｓ1 およ
びＷｓ2 を、Ｗｓ1 ，Ｗｓ2 ＜Ｗとし、幅広部から幅狭
部間において、漸次その幅が変更されるテーパー部を形
成するテーパーストライプ型の半導体レーザーの提案が
なされている。
【０００７】従来の、このテーパーストライプ型半導体
レーザーにおいては、例えばその長さ（共振器長）Ｌが
２５０μｍとされる場合、中央の幅広部の幅Ｗは、横モ
ードの安定化から１０μｍ以下のいわゆるナロウストラ
イプ構造とされ、その幅Ｗは５〜６μｍ程度とされる。
また、ストライプの両端の幅Ｗｓ1 およびＷｓ2 は３μ
ｍ程度、テーパー部の長さＬｓ1 およびＬｓ2 は１００
μｍ程度とされる。
レーザーにおいては、例えばその長さ（共振器長）Ｌが
２５０μｍとされる場合、中央の幅広部の幅Ｗは、横モ
ードの安定化から１０μｍ以下のいわゆるナロウストラ
イプ構造とされ、その幅Ｗは５〜６μｍ程度とされる。
また、ストライプの両端の幅Ｗｓ1 およびＷｓ2 は３μ
ｍ程度、テーパー部の長さＬｓ1 およびＬｓ2 は１００
μｍ程度とされる。
【０００８】ところが、この従来のテーパーストライプ
型半導体レーザーにおける水平方向の広がり角θH は、
８°未満であり、８°〜１５°を満足するものではな
い。そこで、水平方向の広がり角θH を大とするために
は、光出射端で、干渉効果を生じ得る程度に、光出射端
のストライプ幅Ｗｓ1 およびＷｓ2 を、より小とするこ
とが必要となる。
型半導体レーザーにおける水平方向の広がり角θH は、
８°未満であり、８°〜１５°を満足するものではな
い。そこで、水平方向の広がり角θH を大とするために
は、光出射端で、干渉効果を生じ得る程度に、光出射端
のストライプ幅Ｗｓ1 およびＷｓ2 を、より小とするこ
とが必要となる。
【０００９】ところで、半導体レーザにおいては、動作
電流の低減化、したがって、発熱の低減化、温度の安定
化、長寿命化を図る上で、しきい値電流Ｉthの低減化が
望まれるが、このしきい値電流Ｉthの低減化、および電
流−光特性におけるキンク電圧の低下を回避するには、
ストライプ幅が上述した１０μｍ以下のナロウストライ
プとされた範囲内で、できるだけ幅広とし、かつその幅
広部の長さＬｗを大とすることが望まれる。
電流の低減化、したがって、発熱の低減化、温度の安定
化、長寿命化を図る上で、しきい値電流Ｉthの低減化が
望まれるが、このしきい値電流Ｉthの低減化、および電
流−光特性におけるキンク電圧の低下を回避するには、
ストライプ幅が上述した１０μｍ以下のナロウストライ
プとされた範囲内で、できるだけ幅広とし、かつその幅
広部の長さＬｗを大とすることが望まれる。
【００１０】そして、この大なる幅Ｗとされた幅広部か
ら、小なる幅Ｗｓ1 およびＷｓ2 の端部との間には漸次
その幅を変更するテーパー部が形成されて、このテーパ
ー部によって強制的に平面波に近似させて導出すること
によって横モードの単峰化をはかる。このテーパー部の
長さ（以下テーパー長という）は、縦マルチモード性の
低下の回避、非点隔差の低減化をはかる上で、その長さ
は或る程度長くすること、具体的には、例えば５０μｍ
以上とすることが望まれる。また、縦モードの多モード
を保持するには、ストライプ幅は狭いことが必要となる
ことから、上述したように、しきい値電流Ｉthの低減化
等のためにストライプの幅広部の幅を大とすると、テー
パー部の長さを長くすることで多モードの保持を行うこ
とになる。
ら、小なる幅Ｗｓ1 およびＷｓ2 の端部との間には漸次
その幅を変更するテーパー部が形成されて、このテーパ
ー部によって強制的に平面波に近似させて導出すること
によって横モードの単峰化をはかる。このテーパー部の
長さ（以下テーパー長という）は、縦マルチモード性の
低下の回避、非点隔差の低減化をはかる上で、その長さ
は或る程度長くすること、具体的には、例えば５０μｍ
以上とすることが望まれる。また、縦モードの多モード
を保持するには、ストライプ幅は狭いことが必要となる
ことから、上述したように、しきい値電流Ｉthの低減化
等のためにストライプの幅広部の幅を大とすると、テー
パー部の長さを長くすることで多モードの保持を行うこ
とになる。
【００１１】そして、上述したように、光ピックアップ
等においては、水平方向の広がり角θH を大きくするこ
とが必要であり、そのためには、ストライプ部の光出射
端面における幅を小さくする必要があり、これに伴いテ
ーパー長を長くすることが必要となるものである。すな
わち、所定のストライプ長の範囲において、そのストラ
イプの幅広部を長く、かつテーパー長を長くするという
相容れない要件を必要とするものである。
等においては、水平方向の広がり角θH を大きくするこ
とが必要であり、そのためには、ストライプ部の光出射
端面における幅を小さくする必要があり、これに伴いテ
ーパー長を長くすることが必要となるものである。すな
わち、所定のストライプ長の範囲において、そのストラ
イプの幅広部を長く、かつテーパー長を長くするという
相容れない要件を必要とするものである。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ゲインガイ
ド型構造の半導体レーザーにおいて、横モードの単峰化
を図ったこの種テーパストライプ型半導体レーザーにお
いて、ＦＦＰ放射特性における水平方向の広がり角θH
を、８°以上の、８°≦θH ≦１５°にかつ安定に設定
することができるようにした半導体レーザーを提供す
る。
ド型構造の半導体レーザーにおいて、横モードの単峰化
を図ったこの種テーパストライプ型半導体レーザーにお
いて、ＦＦＰ放射特性における水平方向の広がり角θH
を、８°以上の、８°≦θH ≦１５°にかつ安定に設定
することができるようにした半導体レーザーを提供す
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体レー
ザーは、活性層に対する電流注入領域がストライプ状を
なし、ゲインガイド型構造を有する半導体レーザー、す
なわちストライプ部とその外側との屈折率差Δｎが、Δ
ｎ≦５×１０-4とした半導体レーザーにおいて、ストラ
イプの幅が、少なくとも一方の光出射端面側で幅狭とさ
れ、これよりストライプ長方向の中央部側で幅広とさ
れ、ストライプの平面形状が、ストライプ長方向の中央
に対しこれより両端側で非対称とされた構成とする。
ザーは、活性層に対する電流注入領域がストライプ状を
なし、ゲインガイド型構造を有する半導体レーザー、す
なわちストライプ部とその外側との屈折率差Δｎが、Δ
ｎ≦５×１０-4とした半導体レーザーにおいて、ストラ
イプの幅が、少なくとも一方の光出射端面側で幅狭とさ
れ、これよりストライプ長方向の中央部側で幅広とさ
れ、ストライプの平面形状が、ストライプ長方向の中央
に対しこれより両端側で非対称とされた構成とする。
【００１４】また、本発明による半導体レーザーは、上
述したと同様に、活性層に対する電流注入領域がストラ
イプ状をなし、ゲインガイド型構造を有する半導体レー
ザーにおいて、ストライプの幅が、少なくとも一方の光
出射端面側で幅狭とされ、これよりストライプ長方向の
中央部側で幅広とされ、これら幅広部と幅狭部との間
に、所要の長さに渡って幅広部の幅より小で、幅狭部の
幅より大なる一定幅の中間幅領域が形成されてなる構成
とする。
述したと同様に、活性層に対する電流注入領域がストラ
イプ状をなし、ゲインガイド型構造を有する半導体レー
ザーにおいて、ストライプの幅が、少なくとも一方の光
出射端面側で幅狭とされ、これよりストライプ長方向の
中央部側で幅広とされ、これら幅広部と幅狭部との間
に、所要の長さに渡って幅広部の幅より小で、幅狭部の
幅より大なる一定幅の中間幅領域が形成されてなる構成
とする。
【００１５】さらに、本発明による半導体レーザーは、
上述したと同様に、活性層に対する電流注入領域がスト
ライプ状をなし、ゲインガイド型構造を有する半導体レ
ーザーにおいて、ストライプの幅が、少なくとも一方の
光出射端面側で幅狭とされ、これよりストライプ長方向
の中央部側で幅広とされ、少なくとも上記一方の光出射
端面側で所要長に渡る一定幅の幅狭領域が形成されてな
る構成とする。
上述したと同様に、活性層に対する電流注入領域がスト
ライプ状をなし、ゲインガイド型構造を有する半導体レ
ーザーにおいて、ストライプの幅が、少なくとも一方の
光出射端面側で幅狭とされ、これよりストライプ長方向
の中央部側で幅広とされ、少なくとも上記一方の光出射
端面側で所要長に渡る一定幅の幅狭領域が形成されてな
る構成とする。
【００１６】上述の各半導体レーザーによれば、横モー
ドの単峰化がはかられると同時に、光出射端の幅を充分
小とすることができ、安定に、水平（横）方向の出射広
がり角θH を、８°〜１５°という大きな広がり角に選
定することができる。
ドの単峰化がはかられると同時に、光出射端の幅を充分
小とすることができ、安定に、水平（横）方向の出射広
がり角θH を、８°〜１５°という大きな広がり角に選
定することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明による半導体レーザーの実
施の形態を説明する。本発明による半導体レーザーは、
ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザー、ＡｌＧａＩｎＰ系半導
体レーザー等の各種半導体レーザーに適用することがで
きるものである。
施の形態を説明する。本発明による半導体レーザーは、
ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザー、ＡｌＧａＩｎＰ系半導
体レーザー等の各種半導体レーザーに適用することがで
きるものである。
【００１８】本発明による半導体レーザーは、活性層に
対する電流注入領域がストライプ状をなし、ゲインガイ
ド型構造を有する半導体レーザー、すなわちストライプ
部とその外側との屈折率差Δｎが、Δｎ≦５×１０-4と
した半導体レーザーにおいて、ストライプの幅が、少な
くともレーザー光として用いられる一方の光出射端面す
なわち前方光出射端面（以下第１の端面という）側で幅
狭とされ、これよりストライプ長方向の中央部側で幅広
とされ、ストライプの平面形状が、ストライプ長方向の
中央に対しこれより両端側で非対称とされた構成とす
る。
対する電流注入領域がストライプ状をなし、ゲインガイ
ド型構造を有する半導体レーザー、すなわちストライプ
部とその外側との屈折率差Δｎが、Δｎ≦５×１０-4と
した半導体レーザーにおいて、ストライプの幅が、少な
くともレーザー光として用いられる一方の光出射端面す
なわち前方光出射端面（以下第１の端面という）側で幅
狭とされ、これよりストライプ長方向の中央部側で幅広
とされ、ストライプの平面形状が、ストライプ長方向の
中央に対しこれより両端側で非対称とされた構成とす
る。
【００１９】すなわち、この本発明による半導体レーザ
ーにおいては、レーザー共振器の第１の端面からの出射
光を、本来のレーザー光として用い、他方の端面、すな
わち後方光出射端面（以下第２の端面という）からの出
射光を、光検出素子によって検出して、レーザー光の駆
動を制御するモニター光として用いることに着目してな
されたものである。
ーにおいては、レーザー共振器の第１の端面からの出射
光を、本来のレーザー光として用い、他方の端面、すな
わち後方光出射端面（以下第２の端面という）からの出
射光を、光検出素子によって検出して、レーザー光の駆
動を制御するモニター光として用いることに着目してな
されたものである。
【００２０】この半導体レーザーの一例を、その概略断
面図を示す図１と、その概略平面図を示す図２を参照し
て説明すると、この場合、第１導電型例えばｎ型のＧａ
Ａｓ基板１１上に、順次これと同導電型のＡｌＧａＩｎ
Ｐによる第１クラッド層１２、ＩｎＧａＰによる活性層
１３、第２導電型この例ではｐ型のＡｌＧａＩｎＰによ
る第２クラッド層１４、ＩｎＧａＰによる中間層１５を
連続エピタキシャル成長する。第１および第２のクラッ
ド層１２および１４は、例えば（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐによって構成される。
面図を示す図１と、その概略平面図を示す図２を参照し
て説明すると、この場合、第１導電型例えばｎ型のＧａ
Ａｓ基板１１上に、順次これと同導電型のＡｌＧａＩｎ
Ｐによる第１クラッド層１２、ＩｎＧａＰによる活性層
１３、第２導電型この例ではｐ型のＡｌＧａＩｎＰによ
る第２クラッド層１４、ＩｎＧａＰによる中間層１５を
連続エピタキシャル成長する。第１および第２のクラッ
ド層１２および１４は、例えば（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐによって構成される。
【００２１】そして、ストライプ状のパターンに一部残
して、その両側に、中間層１５を横切り、第２のクラッ
ド層１４に所要の深さに入り込んでメサ溝２１を、例え
ばフォトリソグラフィによるパターンエッチングによっ
て形成する。このメサ溝２１内を含んで全面的にその表
面がほぼ平坦となるように、電流狭窄層を構成する第１
導電型のＧａＡｓをエピタキシャル成長し、エッチバッ
クすることによって中間層２０を露呈し、これの上に全
面的に、第２導電型の例えばＧａＡｓによるキャップ層
１６をエピタキシャル成長する。中間層２０は、キャッ
プ層６とクラッド層１４とのバンドギャップ差を緩和す
る層である。キャップ層１６上には、一方の電極１７を
オーミックに被着し、基体１１の裏面には、他方の電極
１８を配置する。
して、その両側に、中間層１５を横切り、第２のクラッ
ド層１４に所要の深さに入り込んでメサ溝２１を、例え
ばフォトリソグラフィによるパターンエッチングによっ
て形成する。このメサ溝２１内を含んで全面的にその表
面がほぼ平坦となるように、電流狭窄層を構成する第１
導電型のＧａＡｓをエピタキシャル成長し、エッチバッ
クすることによって中間層２０を露呈し、これの上に全
面的に、第２導電型の例えばＧａＡｓによるキャップ層
１６をエピタキシャル成長する。中間層２０は、キャッ
プ層６とクラッド層１４とのバンドギャップ差を緩和す
る層である。キャップ層１６上には、一方の電極１７を
オーミックに被着し、基体１１の裏面には、他方の電極
１８を配置する。
【００２２】この構成によって、電流狭窄層１５によっ
て電流が阻止されて、活性層１３に対する電流通路が狭
窄され、図２中破線ａ1 およびａ2 で囲んで示すストラ
イプ部１９を形成する。
て電流が阻止されて、活性層１３に対する電流通路が狭
窄され、図２中破線ａ1 およびａ2 で囲んで示すストラ
イプ部１９を形成する。
【００２３】また、この構成の半導体レーザー２１にお
いては、第１の端面Ｓ1 には、例えば反射率３０％とす
る光学膜（図示せず）が被着され、第２の端面Ｓ2 に
は、例えば反射率６０％とする光学膜（図示せず）が被
着されて、第１の端面Ｓ1 からの出射光の高出力化をは
かるようにした場合である。そして、ストライプ部１９
の、第１の端面Ｓ1 からレーザービームを本来のレーザ
ー光、例えば光源として実際に用いるレーザー光を出射
させ、レーザーの駆動を制御するためにレーザー発振状
態をモニターするレーザー光を第２の端面Ｓ2 から出射
させるようになされている。
いては、第１の端面Ｓ1 には、例えば反射率３０％とす
る光学膜（図示せず）が被着され、第２の端面Ｓ2 に
は、例えば反射率６０％とする光学膜（図示せず）が被
着されて、第１の端面Ｓ1 からの出射光の高出力化をは
かるようにした場合である。そして、ストライプ部１９
の、第１の端面Ｓ1 からレーザービームを本来のレーザ
ー光、例えば光源として実際に用いるレーザー光を出射
させ、レーザーの駆動を制御するためにレーザー発振状
態をモニターするレーザー光を第２の端面Ｓ2 から出射
させるようになされている。
【００２４】この構成において、ストライプ部１９のパ
ターンを、少なくともその本来のレーザービームを取り
出す側の第１の端面Ｓ1 側における端部の幅を、所要の
幅狭の幅Ｗｓ1 とし、他方の第２の端面Ｓ2 側における
端部の幅を、第１の端面Ｓ1より大なる幅Ｗｓ2 （Ｗｓ
1 ＞Ｗｓ2 ）とする。すなわち、ストライプ部１９の形
状が、ストライプ長方向の中央に対し、両端で非対称と
する。この場合、ストライプ部１９の幅方向に関する、
ストライプ長方向に沿う中心線に対し、対称的形状とす
る。
ターンを、少なくともその本来のレーザービームを取り
出す側の第１の端面Ｓ1 側における端部の幅を、所要の
幅狭の幅Ｗｓ1 とし、他方の第２の端面Ｓ2 側における
端部の幅を、第１の端面Ｓ1より大なる幅Ｗｓ2 （Ｗｓ
1 ＞Ｗｓ2 ）とする。すなわち、ストライプ部１９の形
状が、ストライプ長方向の中央に対し、両端で非対称と
する。この場合、ストライプ部１９の幅方向に関する、
ストライプ長方向に沿う中心線に対し、対称的形状とす
る。
【００２５】図２に示した例では、第２の端面Ｓ2 にお
ける幅Ｗｓ2 をス幅広部１９ｗの幅Ｗとほぼ等しい（Ｗ
ｓ2 ＝Ｗ）とした場合である。すなわち、この場合、幅
広部１９ｗは、第２の端面Ｓ2 に達する長さに選定され
る。この構成による半導体レーザーのストライプ部の寸
法例を挙げると、例えば、ストライプ部１９の長さ、す
なわち共振器長Ｌを、２５０μｍとするとき、幅広部１
９ｗの長さＬｗは、例えば１００μｍとし、幅狭の端面
Ｓ1 から幅広部に漸次広がる第１のテーパー部１９ｓ1
の長さＬｓ1 は、例えば１５０μｍとする。第１の端面
Ｓ1 における幅Ｗｓ1 は、例えば３μｍとし、幅広部１
９ｗの幅Ｗおよび第２の端面Ｓ2 の幅Ｗｓ2 は、例えば
７μｍとすることができる。
ける幅Ｗｓ2 をス幅広部１９ｗの幅Ｗとほぼ等しい（Ｗ
ｓ2 ＝Ｗ）とした場合である。すなわち、この場合、幅
広部１９ｗは、第２の端面Ｓ2 に達する長さに選定され
る。この構成による半導体レーザーのストライプ部の寸
法例を挙げると、例えば、ストライプ部１９の長さ、す
なわち共振器長Ｌを、２５０μｍとするとき、幅広部１
９ｗの長さＬｗは、例えば１００μｍとし、幅狭の端面
Ｓ1 から幅広部に漸次広がる第１のテーパー部１９ｓ1
の長さＬｓ1 は、例えば１５０μｍとする。第１の端面
Ｓ1 における幅Ｗｓ1 は、例えば３μｍとし、幅広部１
９ｗの幅Ｗおよび第２の端面Ｓ2 の幅Ｗｓ2 は、例えば
７μｍとすることができる。
【００２６】上述の例では、ストライプ部１９の幅広部
１９ｗが、第２の端面Ｓ2 に達するる形状、すなわちＷ
＝Ｗｓ2 とした場合であるが、図３にその平面図を示す
ように、ストライプ部１９のパターンを、Ｗｓ1 ≦Ｗｓ
2 として、幅広部１９ｗの幅Ｗを有する部分が、第２の
端面Ｓ2 の近傍にまで延びるように形成された、すなわ
ちストライプ長方向の中心に対し、両端で非対称とされ
た構成とすることもできる。例えばストライプ長（共振
器長）Ｌを２５０μｍとするとき、第１および第２の端
面の幅Ｗｓ1 およびＷｓ2 を３μｍとし、幅広部の幅Ｗ
を７μｍとし、幅広部の長さを１００μｍとし、第１の
端面Ｓ1 から幅広部１９ｗまでの距離すなわち第１のテ
ーパー部１９ｓ1 の長さＬｓ1 を１００μｍとし、第２
の端面Ｓ2 から幅広部１９ｗまでの距離すなわち第２の
テーパー部１９ｓ2 の長さＬｓ2 を５０μｍとすること
ができる。つまり、この場合においても、ストライプ部
の幅が、ストライプ長方向の中心に対し、両端で非対称
とされた構成とする。
１９ｗが、第２の端面Ｓ2 に達するる形状、すなわちＷ
＝Ｗｓ2 とした場合であるが、図３にその平面図を示す
ように、ストライプ部１９のパターンを、Ｗｓ1 ≦Ｗｓ
2 として、幅広部１９ｗの幅Ｗを有する部分が、第２の
端面Ｓ2 の近傍にまで延びるように形成された、すなわ
ちストライプ長方向の中心に対し、両端で非対称とされ
た構成とすることもできる。例えばストライプ長（共振
器長）Ｌを２５０μｍとするとき、第１および第２の端
面の幅Ｗｓ1 およびＷｓ2 を３μｍとし、幅広部の幅Ｗ
を７μｍとし、幅広部の長さを１００μｍとし、第１の
端面Ｓ1 から幅広部１９ｗまでの距離すなわち第１のテ
ーパー部１９ｓ1 の長さＬｓ1 を１００μｍとし、第２
の端面Ｓ2 から幅広部１９ｗまでの距離すなわち第２の
テーパー部１９ｓ2 の長さＬｓ2 を５０μｍとすること
ができる。つまり、この場合においても、ストライプ部
の幅が、ストライプ長方向の中心に対し、両端で非対称
とされた構成とする。
【００２７】また、例えば高出力化を図ってストライプ
長Ｌを長くした半導体レーザー、例えばストライプ長Ｌ
が４００μｍの同様の半導体レーザーとする場合におい
ては、例えば第１および第２の端面Ｓ1 およびＳ2 の幅
Ｗｓ1 およびＷｓ2 を３μｍとし、幅広部１９ｗの幅Ｗ
を８μｍとし、幅広部１９ｗの長さを２００μｍとし、
第１の端面Ｓ1 から幅広部１９ｗまでの距離すなわち第
１のテーパー部１９ｓ1 長さＬｓ1 を１５０μｍとし、
第２の端面Ｓ2 から幅広部１９ｗまでの距離すなわち第
２のテーパー部の長さＬｓ2 を５０μｍとすることがで
きる。つまり、この場合においても、ストライプ部の幅
が、ストライプ長方向の中心に対し、両端で非対称とさ
れた構成とする。
長Ｌを長くした半導体レーザー、例えばストライプ長Ｌ
が４００μｍの同様の半導体レーザーとする場合におい
ては、例えば第１および第２の端面Ｓ1 およびＳ2 の幅
Ｗｓ1 およびＷｓ2 を３μｍとし、幅広部１９ｗの幅Ｗ
を８μｍとし、幅広部１９ｗの長さを２００μｍとし、
第１の端面Ｓ1 から幅広部１９ｗまでの距離すなわち第
１のテーパー部１９ｓ1 長さＬｓ1 を１５０μｍとし、
第２の端面Ｓ2 から幅広部１９ｗまでの距離すなわち第
２のテーパー部の長さＬｓ2 を５０μｍとすることがで
きる。つまり、この場合においても、ストライプ部の幅
が、ストライプ長方向の中心に対し、両端で非対称とさ
れた構成とする。
【００２８】また、図３の例では、Ｗｓ1 ＝Ｗｓ2 とし
た場合であるが、図４にその平面図に示すように、Ｗｓ
1 ＜Ｗｓ2 とすこともできる。
た場合であるが、図４にその平面図に示すように、Ｗｓ
1 ＜Ｗｓ2 とすこともできる。
【００２９】尚、図３および図４において、図２と対応
する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。ま
た、これらいずれの場合においも、前述したと同様に、
第１の端面Ｓ1 の反射率を、例えば３０％とし、他方の
第２の端面Ｓ2 の反射率を、例えば６０％とすることが
できる。
する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。ま
た、これらいずれの場合においも、前述したと同様に、
第１の端面Ｓ1 の反射率を、例えば３０％とし、他方の
第２の端面Ｓ2 の反射率を、例えば６０％とすることが
できる。
【００３０】本発明による半導体レーザーは、ゲインガ
イド型半導体レーザーであることから、縦モードが多モ
ードであって戻り光ノイズの低減化がはかられるもので
あるが、上述の本発明による非対称構成による半導体レ
ーザーにおいては、本来のレーザービームとして取り出
す第１の端面Ｓ1 に関してのみその幅Ｗｓ1 を充分小さ
くして、この端面Ｓ1 からの出射光に関するＦＦＰ特性
の、水平方向の広がり角θH を、充分大に、すなわち８
°〜１５°程度に選定することができ、非点隔差（すな
わち横方向と縦方向の見掛け上の出射点の差、つまり水
平および垂直の広がり角θH およびθv 出射角の差）の
低減化をはかることができる。更にまた、非対称構成と
したことによって、この第１の端面Ｓ1 側のテーパー長
Ｌｓ1 を大とすることができることから、縦マルチモー
ドの安定化、非点隔差のていげんかをはかりつつ、端面
Ｗｓ1 を充分小とすることができること、すなわち、θ
Hを安定して大にすることができるとともに、球面波導
波を、この光出射端側で、効果的に見掛け上平面波とし
て出射させることができ、これによって横モードスペク
トルの中抜け、すなわち例えば双峰化およびスプリアス
モードの発生を回避できてその単峰化をはかることがで
きる。また、非対称構成としたことによってストライプ
部１９の幅広部の長さＬｗを従来に比し大とすることが
できるので、しきい値電流Ｉthの低電流化、すなわち動
作電流の低減化に基く温度の安定化、温度依存性の低減
化、ひいては長寿命化、さらにキンクの改善を図ること
ができるものである。
イド型半導体レーザーであることから、縦モードが多モ
ードであって戻り光ノイズの低減化がはかられるもので
あるが、上述の本発明による非対称構成による半導体レ
ーザーにおいては、本来のレーザービームとして取り出
す第１の端面Ｓ1 に関してのみその幅Ｗｓ1 を充分小さ
くして、この端面Ｓ1 からの出射光に関するＦＦＰ特性
の、水平方向の広がり角θH を、充分大に、すなわち８
°〜１５°程度に選定することができ、非点隔差（すな
わち横方向と縦方向の見掛け上の出射点の差、つまり水
平および垂直の広がり角θH およびθv 出射角の差）の
低減化をはかることができる。更にまた、非対称構成と
したことによって、この第１の端面Ｓ1 側のテーパー長
Ｌｓ1 を大とすることができることから、縦マルチモー
ドの安定化、非点隔差のていげんかをはかりつつ、端面
Ｗｓ1 を充分小とすることができること、すなわち、θ
Hを安定して大にすることができるとともに、球面波導
波を、この光出射端側で、効果的に見掛け上平面波とし
て出射させることができ、これによって横モードスペク
トルの中抜け、すなわち例えば双峰化およびスプリアス
モードの発生を回避できてその単峰化をはかることがで
きる。また、非対称構成としたことによってストライプ
部１９の幅広部の長さＬｗを従来に比し大とすることが
できるので、しきい値電流Ｉthの低電流化、すなわち動
作電流の低減化に基く温度の安定化、温度依存性の低減
化、ひいては長寿命化、さらにキンクの改善を図ること
ができるものである。
【００３１】更に、本発明による他の半導体レーザーを
説明する。この半導体レーザーにおいても、上述したと
同様に、活性層に対する電流注入領域がストライプ状を
なし、ゲインガイド型構造を有する半導体レーザー、す
なわちストライプ部とその外側との屈折率差Δｎが、Δ
ｎ≦５×１０-4とした半導体レーザーであり、この半導
体レーザーにおいて、ストライプの幅が、少なくとも一
方の光出射端面側で幅狭とされ、これよりストライプ長
方向の中央部側で幅広とされ、これら幅広部と幅狭部と
の間に、所要の長さに渡って幅広部の幅より小で、幅狭
部の幅より大なる一定幅の中間幅領域が形成されてなる
構成とする。そのストライプの幅が、ストライプ長方向
の中央部で幅広とされ、少なくとも一
説明する。この半導体レーザーにおいても、上述したと
同様に、活性層に対する電流注入領域がストライプ状を
なし、ゲインガイド型構造を有する半導体レーザー、す
なわちストライプ部とその外側との屈折率差Δｎが、Δ
ｎ≦５×１０-4とした半導体レーザーであり、この半導
体レーザーにおいて、ストライプの幅が、少なくとも一
方の光出射端面側で幅狭とされ、これよりストライプ長
方向の中央部側で幅広とされ、これら幅広部と幅狭部と
の間に、所要の長さに渡って幅広部の幅より小で、幅狭
部の幅より大なる一定幅の中間幅領域が形成されてなる
構成とする。そのストライプの幅が、ストライプ長方向
の中央部で幅広とされ、少なくとも一
【００３２】この場合においても、図１で説明したと同
様の構成とすることができるが、この例においては、そ
のストライプ部１９のパターンを、図５の平面図で示す
ように、少なくとも第１の端面Ｓ1 を小なる幅Ｗｓ
1 （図示の例では第１および第２の端面Ｓ1 およびＳ2
において、ストライプ部の幅を小なる幅Ｗｓ1 およびＷ
ｓ2 とした）、ストライプ部１９の長手方向の中央部に
おいて、大なる幅Ｗを有する幅広部１９ｗを形成するも
のであるが、この幅広部１９ｗとその両側の端面Ｓ1 お
よびＳ2 との間に、その中間の幅Ｗｍ1 およびＷｍ2 を
有し、それぞれ所要の長さＬｍ1 およびＬｍ2 に渡って
一様な幅とされた中間幅領域１９ｍ1 および１９ｍ2 を
形成する。これら中間幅領域１９ｍ1 および１９ｍ2 と
各端面Ｓ1 およびＳ2 との間には、それぞれ幅Ｗｍ1 お
よびＷｍ2 から幅Ｗｓ1 およびＷｓ2に漸次変化するテ
ーパー部１９ｓ1 および１９ｓ2 が形成され、さらに中
間幅領域１９ｍ1 および１９ｍ2 と幅広部１９ｗとの間
には、それぞれ幅Ｗｍ1 およびＷｍ2 から幅Ｗに変化す
る第３および第４のテーパー部１９ｓ3 および１９ｓ4
が形成される。
様の構成とすることができるが、この例においては、そ
のストライプ部１９のパターンを、図５の平面図で示す
ように、少なくとも第１の端面Ｓ1 を小なる幅Ｗｓ
1 （図示の例では第１および第２の端面Ｓ1 およびＳ2
において、ストライプ部の幅を小なる幅Ｗｓ1 およびＷ
ｓ2 とした）、ストライプ部１９の長手方向の中央部に
おいて、大なる幅Ｗを有する幅広部１９ｗを形成するも
のであるが、この幅広部１９ｗとその両側の端面Ｓ1 お
よびＳ2 との間に、その中間の幅Ｗｍ1 およびＷｍ2 を
有し、それぞれ所要の長さＬｍ1 およびＬｍ2 に渡って
一様な幅とされた中間幅領域１９ｍ1 および１９ｍ2 を
形成する。これら中間幅領域１９ｍ1 および１９ｍ2 と
各端面Ｓ1 およびＳ2 との間には、それぞれ幅Ｗｍ1 お
よびＷｍ2 から幅Ｗｓ1 およびＷｓ2に漸次変化するテ
ーパー部１９ｓ1 および１９ｓ2 が形成され、さらに中
間幅領域１９ｍ1 および１９ｍ2 と幅広部１９ｗとの間
には、それぞれ幅Ｗｍ1 およびＷｍ2 から幅Ｗに変化す
る第３および第４のテーパー部１９ｓ3 および１９ｓ4
が形成される。
【００３３】例えばストライプ長Ｌが２５０μｍである
場合、図５の構成において、第１および第２のテーパー
部１９ｓ1 および１９ｓ2 の長さＬｓ1 およびＬｓ2 を
５０μｍ、第１および第２の中間幅領域１９ｍ1 および
１９ｍ2 の長さＬｍ1 およびＬｍ2 を４０μｍ、第３お
よび第４のテーパー部１９ｓ3 および１９ｓ4 の長さＬ
ｓ3 およびＬｓ4 を５０μｍより充分小としてかつ幅広
部１９ｗから中間幅領域１９ｍ1 および１９ｍ2 までの
各長さ（図５において、第３および第４のテーパー部１
９ｓ3 および１９ｓ4 の各長さをＬｓ3 およびＬｓ4 と
するとき、Ｌｗ＋Ｌｓ3 およびＬｗ＋Ｌｓ4 ）を７０μ
ｍとすることができる。また、このとき、ストライプ部
１９の第１および第２の端面Ｓ1 およびＳ2 での幅Ｗｓ
1 およびＷｓ2 は３μｍ、中間幅領域１９ｍ1 および１
９ｍ2 の幅Ｗｍ1 およびＷｍ2 は６μｍ、幅広部１９ｗ
の幅Ｗは９μｍとすることができる。尚、ここで、第３
および第４のテーパー部１９ｓ3 および１９ｓ4 の長さ
Ｌｓ3 およびＬｓ4 は、これを充分小の例えば２０μｍ
以下としても光の質に殆ど影響がない。
場合、図５の構成において、第１および第２のテーパー
部１９ｓ1 および１９ｓ2 の長さＬｓ1 およびＬｓ2 を
５０μｍ、第１および第２の中間幅領域１９ｍ1 および
１９ｍ2 の長さＬｍ1 およびＬｍ2 を４０μｍ、第３お
よび第４のテーパー部１９ｓ3 および１９ｓ4 の長さＬ
ｓ3 およびＬｓ4 を５０μｍより充分小としてかつ幅広
部１９ｗから中間幅領域１９ｍ1 および１９ｍ2 までの
各長さ（図５において、第３および第４のテーパー部１
９ｓ3 および１９ｓ4 の各長さをＬｓ3 およびＬｓ4 と
するとき、Ｌｗ＋Ｌｓ3 およびＬｗ＋Ｌｓ4 ）を７０μ
ｍとすることができる。また、このとき、ストライプ部
１９の第１および第２の端面Ｓ1 およびＳ2 での幅Ｗｓ
1 およびＷｓ2 は３μｍ、中間幅領域１９ｍ1 および１
９ｍ2 の幅Ｗｍ1 およびＷｍ2 は６μｍ、幅広部１９ｗ
の幅Ｗは９μｍとすることができる。尚、ここで、第３
および第４のテーパー部１９ｓ3 および１９ｓ4 の長さ
Ｌｓ3 およびＬｓ4 は、これを充分小の例えば２０μｍ
以下としても光の質に殆ど影響がない。
【００３４】この図５の構成による半導体レーザーにお
いても、少なくとも第１の端面Ｓ1の幅Ｗｓ1 を小とす
ることから、水平方向の広がり角θH の拡大をはかるこ
とができる。そして、更に、この半導体レーザーにおい
ては、幅広部１９ｗと、幅狭の端面Ｓ1 およびＳ2 との
間に、一定の幅を有する中間幅領域１９ｍ1 および１９
ｍ2を介在させたことにより、ここで一旦横モードの整
形がなされることから、各テーパ部１９ｓ1 、１９ｓ
2 、１９ｓ3 および１９ｓ4 の長さＬｓ1 、Ｌｓ2 、Ｌ
ｓ3 およびＬｓ4 を充分短くできる。すなわち、テーパ
ー部においては、導波ロスが生じることから、導波ロス
の観点からは、このテーパー部の長さはできるだけ短い
ことが望まれる。ところが、幅広部から直接的に、端面
の幅狭部へテーパー部によって連結する構造とする場
合、このテーパー部において横モードの整形を行う必要
があることから、このテーパー部の長さは、一般に例え
ば全ストライプ長Ｌが２５０μｍの場合、上述した５０
μｍ以上、例えば１００μｍを越える長さを必要とす
る。これに対し、図５で示した本発明構成におけるよう
に中間幅領域１９ｍ1 および１９ｍ2 を設ける場合は、
此処で一旦横モードの整形を行うことができることか
ら、各テーパー部１９ｓ1 〜１９ｓ4 の長さは充分短く
することができる。例えばその長さＬｓ1 〜Ｌｓ4 を、
共に５０μｍ未満とすることができ、Ｌｓ1 ＋Ｌｓ4 、
Ｌｓ2 ＋Ｌｓ3 を共に１００μｍより充分小とすること
ができる。
いても、少なくとも第１の端面Ｓ1の幅Ｗｓ1 を小とす
ることから、水平方向の広がり角θH の拡大をはかるこ
とができる。そして、更に、この半導体レーザーにおい
ては、幅広部１９ｗと、幅狭の端面Ｓ1 およびＳ2 との
間に、一定の幅を有する中間幅領域１９ｍ1 および１９
ｍ2を介在させたことにより、ここで一旦横モードの整
形がなされることから、各テーパ部１９ｓ1 、１９ｓ
2 、１９ｓ3 および１９ｓ4 の長さＬｓ1 、Ｌｓ2 、Ｌ
ｓ3 およびＬｓ4 を充分短くできる。すなわち、テーパ
ー部においては、導波ロスが生じることから、導波ロス
の観点からは、このテーパー部の長さはできるだけ短い
ことが望まれる。ところが、幅広部から直接的に、端面
の幅狭部へテーパー部によって連結する構造とする場
合、このテーパー部において横モードの整形を行う必要
があることから、このテーパー部の長さは、一般に例え
ば全ストライプ長Ｌが２５０μｍの場合、上述した５０
μｍ以上、例えば１００μｍを越える長さを必要とす
る。これに対し、図５で示した本発明構成におけるよう
に中間幅領域１９ｍ1 および１９ｍ2 を設ける場合は、
此処で一旦横モードの整形を行うことができることか
ら、各テーパー部１９ｓ1 〜１９ｓ4 の長さは充分短く
することができる。例えばその長さＬｓ1 〜Ｌｓ4 を、
共に５０μｍ未満とすることができ、Ｌｓ1 ＋Ｌｓ4 、
Ｌｓ2 ＋Ｌｓ3 を共に１００μｍより充分小とすること
ができる。
【００３５】このように、テーパー部の長さの短縮によ
って導波損失の改善がはかられる。また、中間幅領域に
よって横モードの整形が良好になされることから、ＦＦ
Ｐの単峰性が確実にはかられ、さらにＮＦＰ（ニアフィ
ールドパターン）の極大位置すなわちＦＦＰの安定性が
はかられる。
って導波損失の改善がはかられる。また、中間幅領域に
よって横モードの整形が良好になされることから、ＦＦ
Ｐの単峰性が確実にはかられ、さらにＮＦＰ（ニアフィ
ールドパターン）の極大位置すなわちＦＦＰの安定性が
はかられる。
【００３６】また、このように中間幅領域を設けて横モ
ードの整形を良好に行うことができることから、幅広部
１９ｗの幅Ｗは、例えば通常の最大８μｍであったもの
を、９μｍ程度に大とすることができ、しきい値電流Ｉ
thの低減化、温度の安定化、長寿命化、キンクの改善を
はかることができるものである。
ードの整形を良好に行うことができることから、幅広部
１９ｗの幅Ｗは、例えば通常の最大８μｍであったもの
を、９μｍ程度に大とすることができ、しきい値電流Ｉ
thの低減化、温度の安定化、長寿命化、キンクの改善を
はかることができるものである。
【００３７】また、中間幅領域１９ｍ1 および１９ｍ2
の幅Ｗｍ1 およびＷｍ2 は、端面の幅Ｗｓ1 およびＷｓ
2 よりは大とするものの、幅広部１９ｗより小とするこ
とから非点隔差の減少をはかることができる。
の幅Ｗｍ1 およびＷｍ2 は、端面の幅Ｗｓ1 およびＷｓ
2 よりは大とするものの、幅広部１９ｗより小とするこ
とから非点隔差の減少をはかることができる。
【００３８】尚、図５で示された構成においては、スト
ライプ部１９の幅を両端に関して対称的構造とした場合
であるが、このように中間幅領域を設ける構成において
も、非対称構造とすることもできる。しかしながら、こ
の場合においても、ストライプの幅方向に関しては対称
とする。すなわち、幅方向の中央のストライプ長方向に
沿う中心線に対して対称の平面形状とする。すなわち、
この場合、例えば、Ｗｍ1 ＜Ｗｍ2 、Ｌｓ1 ＞Ｌｓ2 、
Ｌｍ1 ＞Ｌｍ2 、Ｌｓ3 ＞Ｌｓ4 のいずれか１以上の大
小関係に選定する。例えば各部の長さを両端側で対称
に、すなわち前述したように、ストライプ長Ｌ＝２５０
μｍにおいて、Ｌｓ1 ＝Ｌｓ2 ＝５０μｍ、Ｌｍ1 ＝Ｌ
ｍ2 ＝４０μｍ、Ｌｓ3 ＝Ｌｓ4 ＝４０μｍとし、幅広
部の幅Ｗ＝９μｍとするものの、Ｗｍ1 ＜Ｗｍ2 として
Ｗｍ1 ＝５μｍ、Ｗｍ2 ＝７μｍとするなどの非対称構
造とすことができる。
ライプ部１９の幅を両端に関して対称的構造とした場合
であるが、このように中間幅領域を設ける構成において
も、非対称構造とすることもできる。しかしながら、こ
の場合においても、ストライプの幅方向に関しては対称
とする。すなわち、幅方向の中央のストライプ長方向に
沿う中心線に対して対称の平面形状とする。すなわち、
この場合、例えば、Ｗｍ1 ＜Ｗｍ2 、Ｌｓ1 ＞Ｌｓ2 、
Ｌｍ1 ＞Ｌｍ2 、Ｌｓ3 ＞Ｌｓ4 のいずれか１以上の大
小関係に選定する。例えば各部の長さを両端側で対称
に、すなわち前述したように、ストライプ長Ｌ＝２５０
μｍにおいて、Ｌｓ1 ＝Ｌｓ2 ＝５０μｍ、Ｌｍ1 ＝Ｌ
ｍ2 ＝４０μｍ、Ｌｓ3 ＝Ｌｓ4 ＝４０μｍとし、幅広
部の幅Ｗ＝９μｍとするものの、Ｗｍ1 ＜Ｗｍ2 として
Ｗｍ1 ＝５μｍ、Ｗｍ2 ＝７μｍとするなどの非対称構
造とすことができる。
【００３９】また、非対称構造の他の例としては、例え
ば第１および第２のテーパー部１９ｓ1 および１９ｓ2
の長さＬｓ1 およびＬｓ2 を、Ｌｓ1 ＞Ｌｓ2 とする。
すなわち、例えばストライプ長Ｌが４００μｍである場
合、第１のテーパー部１９ｓ1 の長さＬｓ1 を１００μ
ｍとし、第２のテーパー部１９ｓ2 の長さＬｓ2 を５０
μｍとする。この場合、第１および第２の中間幅領域１
９ｍ1 および１９ｍ2の長さＬｍ1 およびＬｍ2 は５０
μｍ、幅広部１９ｗから中間幅領域１９ｍ1 および１９
ｍ2 までの各長さ（Ｌｗ＋Ｌｓ3 およびＬｗ＋Ｌｓ4 ）
は１５０μｍとすることができる。
ば第１および第２のテーパー部１９ｓ1 および１９ｓ2
の長さＬｓ1 およびＬｓ2 を、Ｌｓ1 ＞Ｌｓ2 とする。
すなわち、例えばストライプ長Ｌが４００μｍである場
合、第１のテーパー部１９ｓ1 の長さＬｓ1 を１００μ
ｍとし、第２のテーパー部１９ｓ2 の長さＬｓ2 を５０
μｍとする。この場合、第１および第２の中間幅領域１
９ｍ1 および１９ｍ2の長さＬｍ1 およびＬｍ2 は５０
μｍ、幅広部１９ｗから中間幅領域１９ｍ1 および１９
ｍ2 までの各長さ（Ｌｗ＋Ｌｓ3 およびＬｗ＋Ｌｓ4 ）
は１５０μｍとすることができる。
【００４０】更に、ある場合は、図６に示すように、第
１の端面Ｓ1 側においてのみ、中間幅領域１９ｍ1 を設
ける構成とすることもできる。図６において、図５と対
応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
１の端面Ｓ1 側においてのみ、中間幅領域１９ｍ1 を設
ける構成とすることもできる。図６において、図５と対
応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
【００４１】上述したような各非対称構造とすることに
よって、レーザー光源として用いる本来の光出射端側に
関する水平方向の広がり角θH の拡大、安定性、比点隔
差の減少、ＦＦＰの単峰性をはかりつつ、第１の端面Ｓ
1 側におけるテーパー部１９ｓ1 および１９ｓ3 のテー
パーを緩やかにするとか、より安定に大なる水平方向の
広がり角θH 、ＦＦＰの単峰化をはかることができると
ともに、幅広部１９ｗの長さを大とすることができて、
しきい値電流Ｉthの低減化、キンクの改善等、図２〜図
４で説明したと同様の効果を得ることができる。
よって、レーザー光源として用いる本来の光出射端側に
関する水平方向の広がり角θH の拡大、安定性、比点隔
差の減少、ＦＦＰの単峰性をはかりつつ、第１の端面Ｓ
1 側におけるテーパー部１９ｓ1 および１９ｓ3 のテー
パーを緩やかにするとか、より安定に大なる水平方向の
広がり角θH 、ＦＦＰの単峰化をはかることができると
ともに、幅広部１９ｗの長さを大とすることができて、
しきい値電流Ｉthの低減化、キンクの改善等、図２〜図
４で説明したと同様の効果を得ることができる。
【００４２】また更に、本発明による他の半導体レーザ
ーを説明する。この半導体レーザーにおいても、上述し
たと同様に、活性層に対する電流注入領域がストライプ
状をなし、ゲインガイド型構造を有する半導体レーザ
ー、すなわちストライプ部とその外側との屈折率差Δｎ
が、Δｎ≦５×１０-4とした半導体レーザーにおいて、
ストライプの幅が、少なくとも一方の光出射端面側で幅
狭とされ、これよりストライプ長方向の中央部側で幅広
とされ、少なくとも上記一方の光出射端面側で所要長に
渡る一定幅の幅狭領域が形成されてなる構成とする。
ーを説明する。この半導体レーザーにおいても、上述し
たと同様に、活性層に対する電流注入領域がストライプ
状をなし、ゲインガイド型構造を有する半導体レーザ
ー、すなわちストライプ部とその外側との屈折率差Δｎ
が、Δｎ≦５×１０-4とした半導体レーザーにおいて、
ストライプの幅が、少なくとも一方の光出射端面側で幅
狭とされ、これよりストライプ長方向の中央部側で幅広
とされ、少なくとも上記一方の光出射端面側で所要長に
渡る一定幅の幅狭領域が形成されてなる構成とする。
【００４３】この場合においても、図１で説明したと同
様の構成とすることができるが、この例においては、そ
のストライプ部１９のパターンを、図７の平面図で示す
ように、少なくとも第１の端面Ｓ1 の幅を小なる幅Ｗｓ
1 とし（図示の例では第１および第２の端面Ｓ1 および
Ｓ2 においてストライプ部の幅を小なる幅Ｗｓ1 および
Ｗｓ2 とした）、この幅Ｗｓ1 およびＷｓ2 を保持して
長さＬｎ1 およびＬｎ2 に渡る第１および第２の幅狭領
域１９ｎ1 および１９ｎ2 を介して、ストライプ部１９
の長手方向の中央部において形成された大なる幅Ｗを有
する幅広部１９ｗに連通する構成とする。そして、第１
および第２の幅狭領域１９ｎ1 および１９ｎ2 と幅広部
１９ｗとの間には、その幅が第１および第２の幅狭部１
９ｎ1 および１９ｎ2 の各幅Ｗｓ1 およびＷｓ2 から幅
広部１９ｗの幅Ｗに漸次変化させた第１および第２のテ
ーパー部１９ｓ1 および１９ｓ2 が形成される。
様の構成とすることができるが、この例においては、そ
のストライプ部１９のパターンを、図７の平面図で示す
ように、少なくとも第１の端面Ｓ1 の幅を小なる幅Ｗｓ
1 とし（図示の例では第１および第２の端面Ｓ1 および
Ｓ2 においてストライプ部の幅を小なる幅Ｗｓ1 および
Ｗｓ2 とした）、この幅Ｗｓ1 およびＷｓ2 を保持して
長さＬｎ1 およびＬｎ2 に渡る第１および第２の幅狭領
域１９ｎ1 および１９ｎ2 を介して、ストライプ部１９
の長手方向の中央部において形成された大なる幅Ｗを有
する幅広部１９ｗに連通する構成とする。そして、第１
および第２の幅狭領域１９ｎ1 および１９ｎ2 と幅広部
１９ｗとの間には、その幅が第１および第２の幅狭部１
９ｎ1 および１９ｎ2 の各幅Ｗｓ1 およびＷｓ2 から幅
広部１９ｗの幅Ｗに漸次変化させた第１および第２のテ
ーパー部１９ｓ1 および１９ｓ2 が形成される。
【００４４】この構成による半導体レーザーにおいて
も、少なくとも第１の端面Ｓ1 の幅Ｗｓ1 を小とするこ
とから、水平方向の広がり角θH の拡大をはかることが
できる。そして、この半導体レーザーにおいては、スト
ライプ端部に一定の幅を有する幅狭部１９ｎ1 、１９ｎ
2 が設けられていることにより、横モードの整形がはか
られ、特にそのテーパー長Ｌｎ1 、Ｌｎ2 を１０μｍ以
上とするときは、より横モードの整形がはかられ、ＦＦ
Ｐの単峰性が確実にはかられ、さらにＮＦＰ（ニアフィ
ールドパターン）の極大位置すなわちＦＦＰの安定性、
非点隔差の減少をはかることができる。
も、少なくとも第１の端面Ｓ1 の幅Ｗｓ1 を小とするこ
とから、水平方向の広がり角θH の拡大をはかることが
できる。そして、この半導体レーザーにおいては、スト
ライプ端部に一定の幅を有する幅狭部１９ｎ1 、１９ｎ
2 が設けられていることにより、横モードの整形がはか
られ、特にそのテーパー長Ｌｎ1 、Ｌｎ2 を１０μｍ以
上とするときは、より横モードの整形がはかられ、ＦＦ
Ｐの単峰性が確実にはかられ、さらにＮＦＰ（ニアフィ
ールドパターン）の極大位置すなわちＦＦＰの安定性、
非点隔差の減少をはかることができる。
【００４５】また、このように幅狭部を設けて横モード
の整形を良好に行うことから、幅広部１９ｗの幅Ｗを大
とすることが可能となり、しきい値電流Ｉthの低減化、
温度安定化、長寿命化、キンクの改善等をはかることが
できるものである。
の整形を良好に行うことから、幅広部１９ｗの幅Ｗを大
とすることが可能となり、しきい値電流Ｉthの低減化、
温度安定化、長寿命化、キンクの改善等をはかることが
できるものである。
【００４６】この構成においても、ストライプ部１９の
長さ方向の中心に対し両端で対称、すなわちＷｓ1 ＝Ｗ
ｓ2 、Ｌｎ1 ＝Ｌｎ2 とすることができるが、ストライ
プの幅方向に関しては対称的形状として、例えばＷｓ1
＜Ｗｓ2 、Ｌｎ1 ＞Ｌｎ2 のすなわちいずれか１以上の
大小関係として非対称構造とすることもできる。例えば
ストライプ長Ｌが２５０μｍにおいて、Ｗｓ1 ＝Ｗｓ2
＝３μｍとし、幅広部１９ｗの幅Ｗを８μｍ、Ｌｎ1 を
５０μｍ、Ｌｎ2 を１０μｍとすることができる。
長さ方向の中心に対し両端で対称、すなわちＷｓ1 ＝Ｗ
ｓ2 、Ｌｎ1 ＝Ｌｎ2 とすることができるが、ストライ
プの幅方向に関しては対称的形状として、例えばＷｓ1
＜Ｗｓ2 、Ｌｎ1 ＞Ｌｎ2 のすなわちいずれか１以上の
大小関係として非対称構造とすることもできる。例えば
ストライプ長Ｌが２５０μｍにおいて、Ｗｓ1 ＝Ｗｓ2
＝３μｍとし、幅広部１９ｗの幅Ｗを８μｍ、Ｌｎ1 を
５０μｍ、Ｌｎ2 を１０μｍとすることができる。
【００４７】更に、あるいは、図８に示すように、図７
における第２の端面Ｓ2 側の幅狭領域１９ｎ2 を排除す
る構成とすることもできる。図８において、図７と対応
する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
における第２の端面Ｓ2 側の幅狭領域１９ｎ2 を排除す
る構成とすることもできる。図８において、図７と対応
する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
【００４８】上述したような非対称構造とすることによ
って、特に、第１の端面Ｓ1 側、すなわち本来レーザー
光として用いられる側の光出射端面側の幅狭領域１９ｎ
1 の長さＬｎ1 をより長くすることができることから、
より横モードの安定化をはかることができ、ＦＦＰの単
峰性が確実にはかられ、さらにＮＦＰ極大位置すなわち
ＦＦＰの中心の安定性がよりはかられる。
って、特に、第１の端面Ｓ1 側、すなわち本来レーザー
光として用いられる側の光出射端面側の幅狭領域１９ｎ
1 の長さＬｎ1 をより長くすることができることから、
より横モードの安定化をはかることができ、ＦＦＰの単
峰性が確実にはかられ、さらにＮＦＰ極大位置すなわち
ＦＦＰの中心の安定性がよりはかられる。
【００４９】また、この場合において、非対称構造とす
ることによって幅広部１９ｗの長さを大とすることがで
きて、しきい値電流Ｉthの低減化、キンクの発生位置の
低下の回避等図２〜図４で説明したと同様の効果を得る
ことができる。
ることによって幅広部１９ｗの長さを大とすることがで
きて、しきい値電流Ｉthの低減化、キンクの発生位置の
低下の回避等図２〜図４で説明したと同様の効果を得る
ことができる。
【００５０】上述した各本発明による半導体レーザーに
よれば、水平方向の広がり角θH の拡大、安定化がはか
られ、さらにしきい値電流Ｉthの低減化したがって低消
費電流化、低動作電流化に伴う温度の安定化、長寿命化
をはかることができ、またキンクの改善をはかることが
できる。
よれば、水平方向の広がり角θH の拡大、安定化がはか
られ、さらにしきい値電流Ｉthの低減化したがって低消
費電流化、低動作電流化に伴う温度の安定化、長寿命化
をはかることができ、またキンクの改善をはかることが
できる。
【００５１】尚、本発明によるレーザーは、図１で示し
た構造に限らず、例えば活性層が多重量子井戸構造によ
ることもできるなど種々の構成による半導体レーザーに
適用することができるものである。
た構造に限らず、例えば活性層が多重量子井戸構造によ
ることもできるなど種々の構成による半導体レーザーに
適用することができるものである。
【００５２】
【発明の効果】上述したように、本発明構成によれば、
ゲインガイド型構造の半導体レーザーにおいて、横モー
ドの単峰化を図ったこの種テーパストライプ型半導体レ
ーザーにおいて、ＦＦＰ放射特性における水平方向の広
がり角θH を、８°以上の、８°≦θH ≦１５°にかつ
安定に設定することができるものであることから、光記
録再生装置の光ピックアップ等における光源として用い
て好適であり、また、さらに、非点隔差の低減化、さら
にしきい値電流Ｉthの低減化したがって動作電流の低減
化、低消費電流化、動作時の温度の安定化、したがっ
て、動作の安定化、長寿命化等をはかることができ、更
にキンクの改善をはかることができる。
ゲインガイド型構造の半導体レーザーにおいて、横モー
ドの単峰化を図ったこの種テーパストライプ型半導体レ
ーザーにおいて、ＦＦＰ放射特性における水平方向の広
がり角θH を、８°以上の、８°≦θH ≦１５°にかつ
安定に設定することができるものであることから、光記
録再生装置の光ピックアップ等における光源として用い
て好適であり、また、さらに、非点隔差の低減化、さら
にしきい値電流Ｉthの低減化したがって動作電流の低減
化、低消費電流化、動作時の温度の安定化、したがっ
て、動作の安定化、長寿命化等をはかることができ、更
にキンクの改善をはかることができる。
【図１】本発明による半導体レーザーの一例の概略断面
図である。
図である。
【図２】本発明による半導体レーザーの一例の概略平面
図である。
図である。
【図３】本発明による半導体レーザーの他の例の概略平
面図である。
面図である。
【図４】本発明による半導体レーザーの他の例の概略平
面図である。
面図である。
【図５】本発明による半導体レーザーの他の例の概略平
面図である。
面図である。
【図６】本発明による半導体レーザーの他の例の概略平
面図である。
面図である。
【図７】本発明による半導体レーザーの他の例の概略平
面図である。
面図である。
【図８】本発明による半導体レーザーの他の例の概略平
面図である。
面図である。
【図９】従来のゲインガイド型半導体レーザーの一例の
概略的断面図である。
概略的断面図である。
【図１０】図９で示す半導体レーザーの模式的平面図で
ある。
ある。
１１ 基体、１２ 第１クラッド層、１３ 活性層、１
４ 第２クラッド層、１５ 第２クラッド層、１６ キ
ャップ層、１７，１８ 電極、１９ ストライプ部、１
９ｗ 幅広部、１９ｍ1 第１の中間幅領域、１９ｍ2
第２の中間幅領域、１９ｎ1 第１の幅狭領域、１９
ｎ2 第２の幅狭領域、１９ｓ1 第１のテーパー部、
１９ｓ2 第２のテーパー部、１９ｓ3 第３のテーパ
ー部、１９ｓ4 第４のテーパー部、２０ 中間層、２
１ 半導体レーザー、Ｓ1 第１の端面、Ｓ2 第２の
端面
４ 第２クラッド層、１５ 第２クラッド層、１６ キ
ャップ層、１７，１８ 電極、１９ ストライプ部、１
９ｗ 幅広部、１９ｍ1 第１の中間幅領域、１９ｍ2
第２の中間幅領域、１９ｎ1 第１の幅狭領域、１９
ｎ2 第２の幅狭領域、１９ｓ1 第１のテーパー部、
１９ｓ2 第２のテーパー部、１９ｓ3 第３のテーパ
ー部、１９ｓ4 第４のテーパー部、２０ 中間層、２
１ 半導体レーザー、Ｓ1 第１の端面、Ｓ2 第２の
端面
Claims (5)
- 【請求項１】 活性層に対する電流注入領域がストライ
プ状をなし、ゲインガイド型構成による半導体レーザー
において、 上記ストライプの幅が、少なくとも一方の光出射端面側
で幅狭とされ、これよりストライプ長方向の中央部側で
幅広とされ、 上記ストライプの平面形状が、ストライプ長方向の中央
に対しこれより両端側で非対称とされたことを特徴とす
る半導体レーザー。 - 【請求項２】 上記ストライプの両端面におけるストラ
イプ幅が互いに異なることを特徴とする請求項１に記載
の半導体レーザー。 - 【請求項３】 上記ストライプの両端面におけるストラ
イプ幅がほぼ同一に選定されたことを特徴とする請求項
１に記載の半導体レーザー。 - 【請求項４】 活性層に対する電流注入領域がストライ
プ状をなし、ゲインガイド型構成による半導体レーザー
において、 上記ストライプの幅が、少なくとも一方の光出射端面側
で幅狭とされ、これよりストライプ長方向の中央部側で
幅広とされ、 上記幅広部と幅狭部との間に、所要の長さに渡って上記
幅広部の幅より小で、上記幅狭部の幅より大なる一定幅
の中間幅領域が形成されてなることを特徴とする半導体
レーザー。 - 【請求項５】 活性層に対する電流注入領域がストライ
プ状をなし、ゲインガイド型構成による半導体レーザー
において、 上記ストライプの幅が、少なくとも一方の光出射端面側
で幅狭とされ、これよりストライプ長方向の中央部側で
幅広とされ、少なくとも上記一方の光出射端面側で所要
長に渡る一定幅の幅狭領域が形成されてなることを特徴
とする半導体レーザー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29693396A JPH10144991A (ja) | 1996-11-08 | 1996-11-08 | 半導体レーザー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29693396A JPH10144991A (ja) | 1996-11-08 | 1996-11-08 | 半導体レーザー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10144991A true JPH10144991A (ja) | 1998-05-29 |
Family
ID=17840059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29693396A Pending JPH10144991A (ja) | 1996-11-08 | 1996-11-08 | 半導体レーザー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10144991A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100429912B1 (ko) * | 2002-07-23 | 2004-05-03 | 한국전자통신연구원 | 광 모드 크기 변환기가 집적된 봉우리형 집적화 반도체광소자 |
| JP2004328011A (ja) * | 1998-12-22 | 2004-11-18 | Sony Corp | 半導体発光装置の製造方法 |
| JP2005203589A (ja) * | 2004-01-16 | 2005-07-28 | Sharp Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| US7356061B2 (en) | 2003-12-24 | 2008-04-08 | Samsung Electronics Co., Ltd | Multi-beam semiconductor laser |
| WO2010128077A1 (de) * | 2009-05-05 | 2010-11-11 | Nanoplus Gmbh Nanosystems And Technologies | Dfb laserdiode mit lateraler kopplung für grosse ausgangsleistungen |
| JP2011171606A (ja) * | 2010-02-19 | 2011-09-01 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザおよび半導体レーザモジュール |
| JP2013225667A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-10-31 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JP2014170958A (ja) * | 2014-05-01 | 2014-09-18 | Sony Corp | 半導体光増幅器及び半導体レーザ装置組立体並びに半導体光増幅器の位置調整方法 |
| USRE45973E1 (en) | 2010-06-30 | 2016-04-12 | Sony Corporation | Semiconductor optical amplifier |
-
1996
- 1996-11-08 JP JP29693396A patent/JPH10144991A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004328011A (ja) * | 1998-12-22 | 2004-11-18 | Sony Corp | 半導体発光装置の製造方法 |
| KR100429912B1 (ko) * | 2002-07-23 | 2004-05-03 | 한국전자통신연구원 | 광 모드 크기 변환기가 집적된 봉우리형 집적화 반도체광소자 |
| US7356061B2 (en) | 2003-12-24 | 2008-04-08 | Samsung Electronics Co., Ltd | Multi-beam semiconductor laser |
| JP2005203589A (ja) * | 2004-01-16 | 2005-07-28 | Sharp Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| CN100399657C (zh) * | 2004-01-16 | 2008-07-02 | 夏普株式会社 | 半导体激光器及其制造方法 |
| WO2010128077A1 (de) * | 2009-05-05 | 2010-11-11 | Nanoplus Gmbh Nanosystems And Technologies | Dfb laserdiode mit lateraler kopplung für grosse ausgangsleistungen |
| US8855156B2 (en) | 2009-05-05 | 2014-10-07 | Nanoplus Gmbh Nanosystems And Technologies | DFB laser diode having a lateral coupling for large output power |
| JP2011171606A (ja) * | 2010-02-19 | 2011-09-01 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザおよび半導体レーザモジュール |
| US8811447B2 (en) | 2010-02-19 | 2014-08-19 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser with varied-width waveguide and semiconductor laser module including the same |
| USRE45973E1 (en) | 2010-06-30 | 2016-04-12 | Sony Corporation | Semiconductor optical amplifier |
| JP2013225667A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-10-31 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JP2014170958A (ja) * | 2014-05-01 | 2014-09-18 | Sony Corp | 半導体光増幅器及び半導体レーザ装置組立体並びに半導体光増幅器の位置調整方法 |
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