JP2000100988A - Pga package - Google Patents

Pga package

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JP2000100988A
JP2000100988A JP10265012A JP26501298A JP2000100988A JP 2000100988 A JP2000100988 A JP 2000100988A JP 10265012 A JP10265012 A JP 10265012A JP 26501298 A JP26501298 A JP 26501298A JP 2000100988 A JP2000100988 A JP 2000100988A
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JP
Japan
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wiring
layer
resin layer
build
resin
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP10265012A
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Japanese (ja)
Inventor
Nobuo Fuji
信男 藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
Original Assignee
Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc filed Critical Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To manufacture a build-up multilayer wiring board high in wiring density at low cost as a PGA package, by making the resin layer only on mounting side a one-side build-up wiring layer capable of flip mounting, and leaving the mother board side as a resin layer. SOLUTION: Resin layers 16 are stacked on both sides of the core board 10 consisting of a printed wiring board. Then, the resin layer 17 on chip mounting side is made a one-side build-up wiring layer capable of flip mounting, and the mother board side is made a build-up layer of the resin layer 16. Then, in the resin layer 16 on mother board side, a blind through hole 36 leading to the wiring of the core board 10 is made, and a pin is inserted into a through hole 36. Therefore, the blind hole 36 can be made without taking the position of the via of the one-side build-up wiring layer into consideration, and also there is no necessity of land formation, either. Moreover, the resin charge of the blind through hole 36 and the fixing can be performed at the same time.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置搭載用
のICパッケージおよびMCM(multi-chip module)として用
いることができ、また、電子部品搭載用の単層および多
層回路基板として用いることのできるPGA パッケージに
関する。
The present invention can be used as an IC package and an MCM (multi-chip module) for mounting a semiconductor device, and can also be used as a single-layer and multilayer circuit board for mounting electronic components. Regarding PGA package.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、MPU 用のICパッケージは、タ
ングステンペーストで配線形成したアルミナグリーンシ
ートを積層、焼結して得られるアルミナPGA パッケージ
が主流を占めていた。
2. Description of the Related Art Conventionally, as an IC package for an MPU, an alumina PGA package obtained by laminating and sintering alumina green sheets formed by wiring with a tungsten paste has been dominant.

【0003】ところが、近年、MPU の高周波駆動化が急
速に進み、パッケージ構造は W/B(ワイヤリングボード)
タイプのPGA パッケージに、またパッケージ材料も高
周波化に有利な低誘電率樹脂材料にCuめっき配線を設け
たものに移行しつつある。今後ICパッケージは、樹脂材
料/Cu配線を使用したC4タイプのPGA パッケージに急速
に移行するものと予想される。
However, in recent years, high-frequency driving of MPUs has been rapidly progressing, and the package structure has been changed to W / B (wiring board).
Type PGA packages and package materials are shifting to low-permittivity resin materials with Cu plating wiring, which is advantageous for higher frequencies. It is expected that IC packages will rapidly shift to C4 type PGA packages using resin material / Cu wiring in the future.

【0004】こうした状況下で近年ビルドアップ基板が
注目されている。ビルドアップ基板は、コア基板である
プリント配線板の配線パターン上にスクリーン印刷法な
どで絶縁層を形成し、アディティブ法などで上部の配線
層を形成すると同時に層間の接続を行ってゆき、層数に
応じて必要回数これを繰り返すことによって得られる多
層配線基板である。特に、プリント基板をコア基板とし
て用い、樹脂材料を層間絶縁材として用い、そしてCuメ
ッキを配線形成に使用したビルトアップ多層基板は、MP
U 搭載用のICパッケージおよびMCM として、また、電子
部品搭載用の高密度実装基板として注目されており、プ
リント基板メーカ、ICパッケージメーカ、半導体メーカ
等で精力的に開発が進められている。
[0004] Under these circumstances, a build-up substrate has recently attracted attention. The build-up board forms an insulating layer on the wiring pattern of the printed wiring board, which is the core board, by screen printing, etc., forms an upper wiring layer by additive method, etc. This is a multilayer wiring board obtained by repeating this process as many times as necessary. In particular, a built-up multilayer board using a printed board as a core board, a resin material as an interlayer insulating material, and using Cu plating for wiring formation is an MP
Attention has been paid to IC packages and MCMs for mounting U and high-density mounting boards for mounting electronic components, and printed circuit board manufacturers, IC package manufacturers, semiconductor manufacturers, etc. are vigorously developing them.

【0005】ここに、ビルドアップ多層基板の最近開発
が進められている製造法についてさらに説明すると、次
の通りである。製造方法としては、絶縁層に感光性樹脂
を用いてメッキにより配線形成するフォトリソグラフィ
法と、プリプレグ樹脂と金属箔を熱プレスで積層するプ
レス積層法に大別される。さらにフォトリソグラフィ法
は配線形成方法の違いからサブトラクティブ法、セミア
ディティブ法およびフルアディティブ法に分類される。
サブトラクティブ法の代表例としてはIBM 社のSLC 、フ
ルアディティブ法の代表例としてはイビデン社のIBSS法
が良く知られている。近年、微細配線化に有利なセミア
ディティブ法が注目され始めている。
Here, the manufacturing method of the build-up multilayer substrate, which has been recently developed, is further described as follows. Manufacturing methods are broadly classified into a photolithography method in which wiring is formed by plating using a photosensitive resin for an insulating layer, and a press lamination method in which a prepreg resin and a metal foil are laminated by hot pressing. Furthermore, the photolithography method is classified into a subtractive method, a semi-additive method, and a full-additive method from the difference in a wiring forming method.
A well-known example of the subtractive method is SLC of IBM, and a typical example of the full-additive method is IBSS of Ibiden. In recent years, attention has been paid to a semi-additive method which is advantageous for fine wiring.

【0006】ここに、参考までに、サブトラクティブ法
によるビルドアップ多層基板の製造プロセスを以下に示
す。 (1) コア基板(PWB - Printed Wiring Board)の銅箔表面
に配線パターンを形成する。 (2) 感光性樹脂を塗布して層間絶縁層を形成する。
Here, for reference, a manufacturing process of a build-up multilayer substrate by a subtractive method will be described below. (1) Form a wiring pattern on the copper foil surface of the core board (PWB-Printed Wiring Board). (2) A photosensitive resin is applied to form an interlayer insulating layer.

【0007】(3) 紫外線露光、現像により絶縁層にビア
ホールを形成する。 (4) 酸化剤により絶縁層表面を粗面化処理する (デスミ
ア) 。 (5) 絶縁層表面に無電解Cuまたは電解Cuメッキを析出さ
せる。
(3) Via holes are formed in the insulating layer by ultraviolet exposure and development. (4) The surface of the insulating layer is roughened with an oxidizing agent (desmear). (5) Electroless Cu or electrolytic Cu plating is deposited on the surface of the insulating layer.

【0008】(6) パターンレジストの形成、現像、Cuエ
ッチングによりCu配線パターンを形成する。 (7) Cu配線の表面をメッキまたはエッチング処理等によ
って粗面化する。
(6) A Cu wiring pattern is formed by forming a pattern resist, developing, and Cu etching. (7) The surface of the Cu wiring is roughened by plating or etching.

【0009】(8) (2) から(7) の工程を繰り返して所望
のビルドアップ層を形成する。 (9) 最表層配線面にソルダーレジストを塗布し、露光、
現像してソルダーマスク層を形成する。 (10) 無電解Ni、Auメッキ処理を行う。
(8) Steps (2) to (7) are repeated to form a desired build-up layer. (9) Apply solder resist to the outermost wiring surface, expose,
Develop to form a solder mask layer. (10) Perform electroless Ni and Au plating.

【0010】この点、フルアディティブ法によるビルド
アップ多層基板の製造プロセスによれば、接着剤付き触
媒入り積層板パターンを無電解めっきする。レジストの
形成には印刷法およびフオトエッチング法がある。その
ときの製造工程は接着剤付き、触媒入り積層板にスルー
ホールをあけ、めっきレジストを形成し、これに無電解
めっきを施して終了する。
[0010] In this respect, according to the manufacturing process of the build-up multi-layer substrate by the full additive method, the electroless plating is performed on the laminated board pattern containing the catalyst with the adhesive. There are a printing method and a photo etching method for forming the resist. The manufacturing process at that time is completed by making a through hole in the laminated board with the adhesive and the catalyst, forming a plating resist, and performing electroless plating on this.

【0011】さらに、セミアディティブ法によるビルド
アップ多層基板の製造プロセスによれば、接着剤付き触
媒入り積層板にスルーホールをあけた後、(1) 無電解パ
ネルめっき、(2) めっきレジスト形成、(3) 電気銅、は
んだめっき、(4) レジスト剥離、(5) エッチングの各工
程を経て、ビルドアップ多層基板が製造される。
Furthermore, according to the manufacturing process of the build-up multilayer substrate by the semi-additive method, after a through-hole is formed in the laminated plate containing a catalyst with an adhesive, (1) electroless panel plating, (2) plating resist formation, A build-up multilayer board is manufactured through the steps of (3) electrolytic copper, solder plating, (4) resist stripping, and (5) etching.

【0012】このように従来にあっても各種方法によっ
てビルドアップ多層基板が得られるが、現在、L/S =50
/50 〜100/100 μm、ビア径=50〜100 μm程度のデザ
インルールに基づき積層総数4〜8層のビルドアップ基
板が製造されている。
As described above, a build-up multi-layer substrate can be obtained by various methods even in the related art, but at present, L / S = 50
Build-up boards having a total of 4 to 8 layers are manufactured based on design rules of about / 50 to 100/100 μm and via diameter = about 50 to 100 μm.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】MPU 搭載用ビルドアッ
プ多層基板にて微細配線が必要なのは、コア基板( プリ
ント配線板) のチップ搭載側のビルドアップ層であっ
て、マザーボード側はビルドアップ層である必要はな
い。基本的には片面だけのビルトアップ、つまり片面ビ
ルドアップで十分である。しかし、基板の反りの問題か
ら両面におけるビルドアップ、つまり両面にビルドアッ
プ層を設けることが必要であった。しかし、かかる方法
では、速度的にフォトビアに劣るレーザにてビア加工す
る場合、両面ビルドアップでは加工すべきビア数が倍に
なるため加工速度、工数でかなり不利になる。
[Problems to be Solved by the Invention] In the build-up multilayer board for mounting the MPU, fine wiring is required on the build-up layer on the chip mounting side of the core board (printed wiring board), and on the motherboard side on the build-up layer. No need to be. Basically, a single-sided build-up, that is, a single-sided build-up is sufficient. However, it was necessary to build up on both sides, that is, to provide a build-up layer on both sides due to the problem of substrate warpage. However, in such a method, when the via processing is performed using a laser that is inferior to a photo via in terms of speed, the number of vias to be processed is doubled in double-sided build-up, so that the processing speed and the number of steps are considerably disadvantageous.

【0014】また、配線の微細化にともなってスルーホ
ール上にもビア形成が必要になってきている。しかし、
スルーホールを形成すると、その上にランドを形成する
必要があるため、その部位にはビアを形成できず、配線
の微細化の障害となるばかりでなく、ランド形成のため
の樹脂充填等の技術は工数が多くなることから、コスト
が高くなる等の課題がある。ここに、本発明の目的は、
配線密度の大きいビルドアップ多層基板をPGA パッケー
ジとして安価に製造できる方法を提供することである。
[0014] Further, with the miniaturization of wirings, it is necessary to form vias on through holes. But,
When a through hole is formed, it is necessary to form a land on it, so a via cannot be formed at that part, which not only hinders the miniaturization of wiring, but also involves techniques such as resin filling for land formation. However, since there are many man-hours, there are problems such as an increase in cost. Here, the purpose of the present invention is
An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a build-up multilayer substrate having a high wiring density as a PGA package at low cost.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、プリント
配線板をコア基板とし、その両面に樹脂層を多層に積層
する場合において、実装側のみの樹脂層をフリップ実装
可能な片面ビルトアップ配線層とし、マザーボード側は
樹脂層のままとすることで、片面ビルドアップ配線層の
ビアの位置を考慮することなくブラインドスルーホール
を形成でき、またコア基板の配線に至るブラインドスル
ーホールを形成すれば、ランド形成は必要なく、しかも
そのスルーホール内にピンを挿入すれば、ブラインドス
ルーホールの樹脂充填とピンの固定とを同時に行なえ製
造コストの低下を図ることができることを見い出した。
Means for Solving the Problems In the case where a printed wiring board is used as a core substrate and resin layers are laminated in multiple layers on both surfaces of the core substrate, the single-sided built-up capable of flip-mounting the resin layer only on the mounting side is provided. By setting the wiring layer and leaving the resin layer on the motherboard side, blind through-holes can be formed without considering the positions of vias in the single-sided build-up wiring layer. If a pin is inserted into the through hole, it is possible to simultaneously fill the resin in the blind through hole and fix the pin, thereby reducing the manufacturing cost.

【0016】さらに、本発明者らは、マザーボード側の
樹脂層にブラインドスルーホールを形成するときにレー
ザ加工が可能であることを見出した。なお、チップ実装
側のビルドアップ配線層にビアを形成する場合、レーザ
加工による成形を行うレーザビルドアップも可能であ
る。
Further, the present inventors have found that laser processing is possible when forming blind through holes in the resin layer on the motherboard side. When a via is formed in the build-up wiring layer on the chip mounting side, laser build-up in which molding is performed by laser processing is also possible.

【0017】ここに、本発明は、単層または多層のプリ
ント配線板から成るコア基板と、その両面に多層に積層
された樹脂層と、チップ実装側の樹脂層はフリップ実装
可能な片面ビルドアップ配線層になっており、マザーボ
ード側は樹脂層のビルドアップ層となっており、マザー
ボード側の前記樹脂層に形成され、コア基板の配線に至
るブラインドスルーホールと、そのスルーホール内に挿
入されているピンとを備えたことを特徴とする PGAパッ
ケージである。
Here, the present invention is directed to a core substrate composed of a single-layer or multilayer printed wiring board, a resin layer laminated in multiple layers on both surfaces thereof, and a resin layer on the chip mounting side is a single-sided build-up that can be flip-mounted. It is a wiring layer, the motherboard side is a build-up layer of a resin layer, is formed on the resin layer on the motherboard side, and a blind through hole reaching the wiring of the core substrate, and inserted into the through hole This is a PGA package characterized by having

【0018】本発明にあって、チップ実装側の前記樹脂
層がレーザ加工により形成したビアを備えていてもよ
い。好ましくは本発明の場合、マザーボード側の樹脂層
は、樹脂層だけから構成される。
In the present invention, the resin layer on the chip mounting side may have a via formed by laser processing. Preferably, in the case of the present invention, the resin layer on the motherboard side is composed of only the resin layer.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】図1ないし図9は本発明にかかる
PGAパッケージの製造工程の説明図である。図1は、
配線形成工程を示すもので、図中、例えば単層または多
層のプリント配線板であるコア基板10の片面のみにCuパ
ターン12による配線形成を行う。以下においてこれを便
宜上、"Cu 基板14" と言う。なお、図示例では単層のプ
リント基板をコア基板として用いている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIGS. 1 to 9 are explanatory views of a manufacturing process of a PGA package according to the present invention. FIG.
In the figure, a wiring formation process is performed. In the drawing, for example, a wiring is formed by a Cu pattern 12 on only one surface of a core substrate 10 which is a single-layer or multilayer printed wiring board. Hereinafter, this is referred to as "Cu substrate 14" for convenience. In the illustrated example, a single-layer printed board is used as a core board.

【0020】図2は、樹脂層形成工程を示すもので、コ
ア基板10の片面にCuパターン12を設けることで構成した
上記Cu基板14の両面に樹脂層16を形成した断面の模式図
である。本発明において、この樹脂層16は、信頼性の高
いエポキシ系、ポリイミド系の感光性樹脂や熱硬化性樹
脂が望ましい。
FIG. 2 shows a resin layer forming step, and is a schematic view of a cross section in which a resin layer 16 is formed on both sides of the Cu substrate 14 formed by providing a Cu pattern 12 on one side of a core substrate 10. . In the present invention, the resin layer 16 is preferably made of a highly reliable epoxy or polyimide photosensitive resin or thermosetting resin.

【0021】また、Cuパターン12と樹脂層16の界面は接
着強度を得るために工夫が必要である。そのための、具
体的な方法としてはCu基板表面を粗化させるか、界面に
バッファメタルを形成する方法がある。本例のように、
配線形成にCuを用いた場合、針状メッキやエッチングに
より表面を粗化し強度を確保する方法や、Cr−Zn合金等
をバッファメタルとして用いて接着強度を確保する方法
がある。
Further, the interface between the Cu pattern 12 and the resin layer 16 needs to be devised in order to obtain an adhesive strength. As a specific method therefor, there is a method of roughening the surface of the Cu substrate or forming a buffer metal at the interface. As in this example,
When Cu is used for forming the wiring, there are a method of securing the strength by roughening the surface by needle plating and etching, and a method of securing the adhesive strength by using a Cr-Zn alloy or the like as a buffer metal.

【0022】図3は、ビア形成工程を示すもので、片面
の樹脂層16にビア20を形成した断面の模式図である。図
2の工程で設けた樹脂層16が感光性樹脂であればフォト
ビア技術によりビアを形成できる。このフォトビアの場
合、ビア径とビア深さのアスペクトが1程度で直径25μ
mまでの加工が可能である。また、レーザを用いてもビ
ア形成は可能である。また、レーザを用いる場合、ビア
径10μmまでの加工が可能である。その他、ドリル、プ
ラズマ等によってビア形成を行ってもよい。反対側の樹
脂層には特に加工を行わず、そのまゝとする。
FIG. 3 shows a via forming step, and is a schematic view of a cross section in which a via 20 is formed in a resin layer 16 on one side. If the resin layer 16 provided in the step of FIG. 2 is a photosensitive resin, vias can be formed by photo via technology. In the case of this photo via, the aspect of the via diameter and the via depth is about 1 and the diameter is 25 μm.
Processing up to m is possible. Via formation can also be performed using a laser. When a laser is used, processing up to a via diameter of 10 μm is possible. In addition, via formation may be performed using a drill, plasma, or the like. The resin layer on the opposite side is not particularly processed and is left as it is.

【0023】図4は、さらなる配線形成工程を示すもの
で、上記ビア20内のメッキ被覆22と樹脂層16上に形成さ
れた配線24とを示す説明図である。本発明では、配線形
成は片面のみに行う。
FIG. 4 shows a further wiring forming step, and is an explanatory view showing the plating coating 22 in the via 20 and the wiring 24 formed on the resin layer 16. In the present invention, wiring is formed only on one side.

【0024】これはセミアディティブ法を用いた場合の
説明図であるが、本発明においてビルドアップ配線樹脂
層の製造方法は限定するものではない。このときの配線
形成方法としては上記のセミアディティブ法の他に、フ
ルアディティブ法、サブトラクティブ法等が挙げられ
る。
This is an explanatory diagram in the case of using the semi-additive method, but the method of manufacturing the build-up wiring resin layer in the present invention is not limited. As the wiring forming method at this time, in addition to the above-described semi-additive method, a full additive method, a subtractive method, and the like can be given.

【0025】特に、本発明の場合、片面配線形成方法で
あるため、従来の半導体の薄膜形成技術 (スパッタ法、
蒸着法、CVD 、噴流メッキ法、アッシング等) が容易に
使用でき、微細配線形成が可能である。ここまでが1層
の形成である。最表層の配線の場合、配線表面にバッフ
ァメタル (Ni、Pd、Au等) 膜を形成しても構わない。
In particular, in the case of the present invention, since a single-sided wiring forming method is used, a conventional semiconductor thin film forming technique (sputtering method,
Vapor deposition, CVD, jet plating, ashing, etc.) can be used easily, and fine wiring can be formed. This is the formation of one layer. In the case of the wiring of the outermost layer, a buffer metal (Ni, Pd, Au, etc.) film may be formed on the wiring surface.

【0026】図5は、両面に樹脂層を形成する工程を示
すもので、図4によって片面に配線が形成された基板の
両面に再び樹脂層26を形成する。この後、再び図3に示
すように、片面のみにビア28を形成し、プリント配線板
30とする。後述の図6参照。
FIG. 5 shows a step of forming a resin layer on both sides. The resin layer 26 is formed again on both sides of the substrate on which wiring is formed on one side as shown in FIG. Thereafter, as shown in FIG. 3 again, a via 28 is formed only on one side, and the printed wiring board is formed.
30. See FIG. 6 below.

【0027】さらに多層にする場合は図4、図5の各工
程を所要回数繰り返す。図6は、ブラインドスルーホー
ルの形成工程を示すもので、図5の樹脂層26の形成工程
で得られた単層または多層のプリント配線板30のピン接
合面側 (マザーボード側) からコア基板10のチップ搭載
側のパッド裏、つまりCuパターン12の配線に至るまでの
スルーホール、つまりブラインドスルーホール36を形成
する。本発明の場合、マザーボード側の樹脂層に配線は
設けられていないため、それに対する考慮は不必要とな
り、その位置は必要に応じて自由に決めることができ
る。
In the case of further multi-layering, the steps of FIGS. 4 and 5 are repeated a required number of times. FIG. 6 shows a process of forming a blind through-hole. From the pin bonding surface side (motherboard side) of the single-layer or multilayer printed wiring board 30 obtained in the process of forming the resin layer 26 of FIG. A through hole leading to the back side of the pad on the chip mounting side, that is, the wiring of the Cu pattern 12, that is, a blind through hole 36 is formed. In the case of the present invention, since no wiring is provided on the resin layer on the motherboard side, no consideration is required for this, and the position can be freely determined as needed.

【0028】ピン接合部のハンダ濡れ性およびピン強度
を大きくするためにスルーホール36内をメッキ等で金属
被覆しても構わない。図7は、ピン接合工程を示すもの
で、図示例では、コア基板10の配線であるCuパターン12
にまで到達したスルーホール36内にピン40を挿入し、そ
の先端のピン接合部38を高温ハンダ等を用いてCuパター
ン12に接合する。
In order to increase the solder wettability and the pin strength of the pin joint, the inside of the through hole 36 may be covered with metal by plating or the like. FIG. 7 shows a pin bonding step. In the illustrated example, the Cu pattern 12 which is the wiring of the core substrate 10 is shown.
The pin 40 is inserted into the through hole 36 that has reached the above, and the pin joint 38 at the tip thereof is joined to the Cu pattern 12 using a high-temperature solder or the like.

【0029】図8は、ピン補強工程を示すもので、ピン
接合側に補強板を接合するかもしくはモールド樹脂42を
封止することでピンを補強する。図示例では、モールド
樹脂42をスルーホール36内に封入することでピン補強を
行っている。これにより微細配線が可能な半導体搭載用
基板を得ることができる。
FIG. 8 shows a pin reinforcing step, in which a reinforcing plate is bonded to the pin bonding side or the pin is reinforced by sealing the mold resin 42. In the illustrated example, the pin is reinforced by enclosing the mold resin 42 in the through hole 36. As a result, a semiconductor mounting substrate capable of fine wiring can be obtained.

【0030】図9は、チップ実装側におけるバンプ形成
工程を示すもので、最上層のビアにはバンプ44が設けら
れ、これによりリップ実装可能なPGA パッケージが得ら
れる。
FIG. 9 shows a bump forming step on the chip mounting side. A bump 44 is provided on the uppermost layer via to obtain a PGA package which can be lip mounted.

【0031】次に、図10ないし図18は、本発明にかかる
別の実施例の説明図である。図10ないし図18からも明ら
かなように、本例では多層に配線形成を行ったコア基板
を使用する場合を示すもので、この点を除いて、ビルド
アップ樹脂層の形成、スルーホールの形成等は先の単層
配線基板を使った場合に同じであり、以下にあってはそ
の相違点だけを説明する。
Next, FIGS. 10 to 18 are explanatory views of another embodiment according to the present invention. As is clear from FIGS. 10 to 18, this example shows a case in which a core substrate on which wiring is formed in multiple layers is used. Except for this point, formation of a build-up resin layer and formation of a through hole The same applies to the case where the single-layer wiring board is used, and only the differences will be described below.

【0032】図10は、前述の図1に相当するものであっ
て多層プリント配線板から成るコア基板を示すものであ
るが、図10では、多層のプリント配線板であるコア基板
100は両面にCuパターン112 による配線を備えている。
上下面のCuパターン112 は同じく金属めっきを行われた
スルーホール113 によって接続されている。以下におい
てこのようにして得られた基板を便宜上、"Cu 基板114"
と言う。
FIG. 10 corresponds to FIG. 1 described above and shows a core substrate made of a multilayer printed wiring board. In FIG. 10, a core substrate which is a multilayer printed wiring board is shown.
Numeral 100 is provided with wiring by Cu pattern 112 on both sides.
The Cu patterns 112 on the upper and lower surfaces are connected by through-holes 113 similarly plated with metal. Hereinafter, the substrate thus obtained is referred to as “Cu substrate 114” for convenience.
Say

【0033】図11は、図2の工程に対応する樹脂層形成
工程を示すもので、上記Cu基板114の両面に樹脂層116
を形成した断面の模式図である。この場合は、樹脂層11
6 の形成と同時にスルーホール113 の充填も行う。この
場合においても、Cuパターン112 と樹脂層116 の界面は
接着強度を得るために図2の場合と同様の工夫が必要で
ある。
FIG. 11 shows a resin layer forming step corresponding to the step of FIG.
FIG. 4 is a schematic view of a cross section in which is formed. In this case, the resin layer 11
At the same time as the formation of 6, the filling of the through holes 113 is performed. Also in this case, the interface between the Cu pattern 112 and the resin layer 116 requires the same contrivance as in FIG.

【0034】図12は、ビア形成工程を示すもので、片面
の樹脂層116 にビア120 を形成したときの断面の模式図
である。これは図3に相当するもので、ビア形成等も図
3の場合に準じて行えばよい。
FIG. 12 shows a via forming step, and is a schematic diagram of a cross section when a via 120 is formed in one side of the resin layer 116. This corresponds to FIG. 3, and the via formation and the like may be performed according to the case of FIG.

【0035】図13は、さらなる配線形成工程を示すもの
で、ビア120 内のメッキ被覆122 と樹脂層116 上に形成
された配線124 の様子を示す説明図である。これは図4
に相当する。ここまでが1層の形成である。最表層の配
線の場合、配線表面にバッファメタル (Ni、Pd、Au等)
膜を形成しても構わない。
FIG. 13 shows a further wiring forming step, and is an explanatory view showing the state of the plating coating 122 in the via 120 and the wiring 124 formed on the resin layer 116. This is Figure 4
Is equivalent to This is the formation of one layer. For the outermost layer wiring, buffer metal (Ni, Pd, Au, etc.) on the wiring surface
A film may be formed.

【0036】図14は、両面にさらに樹脂層を形成する工
程を示すもので、図13によって片面に配線が形成された
コア基板100 の両面に再び樹脂層126 を形成する。この
後、再び図12に示すと同様にして、片面のみにビア128
を形成し、プリント配線板130 とする。図15参照。
FIG. 14 shows a step of forming a resin layer on both surfaces. A resin layer 126 is formed again on both surfaces of the core substrate 100 on which wiring is formed on one surface as shown in FIG. Thereafter, in the same manner as shown in FIG.
To form a printed wiring board 130. See FIG.

【0037】多層にする場合は図13、図14の各工程を所
要回数繰り返す。図15は、樹脂層にブラインドスルーホ
ールを形成する工程を示すもので、図14までの樹脂層の
形成工程で得られた多層のプリント配線板130 のピン接
合面側、つまりマザーボード側からコア基板100 のチッ
プ搭載側のパッド裏、つまりCuパターン112 にまでスル
ーホール、つまりビラインドスルーホール136 を形成す
る。なお、図示例ではビアが設けられていない領域にお
いてスルーホールを形成しているが、このとき配線樹脂
層側のビアはスルーホールの上に来ていてもよい。
In the case of multi-layering, the steps of FIGS. 13 and 14 are repeated a required number of times. FIG. 15 shows a process of forming a blind through hole in the resin layer. The core printed circuit board 130 obtained from the resin layer forming process up to FIG. A through-hole, ie, a through-hole 136 is formed up to the back side of the pad on the chip mounting side of 100, that is, to the Cu pattern 112. In the illustrated example, the through-hole is formed in a region where no via is provided. At this time, the via on the wiring resin layer side may come over the through-hole.

【0038】ピン接合部のハンダ濡れ性、ピン強度を大
きくするためにスルーホール136 内をメッキ等で金属被
覆しても構わない。図16は、ピン接合工程を示すもの
で、図示例では、Cuパターン112 にまで到達したスルー
ホール136 内にピン140 を挿入し、その先端のピン接合
部138 を高温ハンダ等を用いてCuパターン112 に接合す
る。
The inside of the through hole 136 may be metal-coated with plating or the like in order to increase the solder wettability and the pin strength of the pin joint. FIG. 16 shows a pin bonding process. In the illustrated example, a pin 140 is inserted into the through hole 136 that has reached the Cu pattern 112, and the pin bonding portion 138 at the tip is formed using a high-temperature solder or the like. Join to 112.

【0039】図17は、ピン補強工程を示すもので、ピン
接合側に補強板を接合するかもしくはモールド樹脂42を
封止することでピンを補強する。図示例では、モールド
樹脂42をスルーホール36内に封入することでピン補強を
行っている。これにより微細配線が可能な半導体搭載用
基板を得ることができる。
FIG. 17 shows a pin reinforcing step, in which a reinforcing plate is bonded to the pin bonding side or the pin is reinforced by sealing the mold resin 42. In the illustrated example, the pin is reinforced by enclosing the mold resin 42 in the through hole 36. As a result, a semiconductor mounting substrate capable of fine wiring can be obtained.

【0040】図18は、チップ実装側におけるバンプ形成
工程を示すもので、チップ実装側のビアにバンプ144 を
設けることによりフリップ実装可能なPGA パッケージが
得られる。
FIG. 18 shows a bump forming step on the chip mounting side. By providing the bump 144 on the via on the chip mounting side, a PGA package that can be flip-mounted is obtained.

【0041】[0041]

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、プリント配線板をコア基板とし、その両面の樹脂層
が多層に積層されており、チップ実装側のみの樹脂層が
フリップ実装可能な片面ビルドアップ配線層になってお
り、マザーボード側は配線を設けない、好ましくは樹脂
層だけのビルドアップ層となっていることから、PGA パ
ッケージの構造が、実質上、片面ビルトアップであり、
そのため、ビルドアップ配線層のビアと、マザーボード
側の樹脂層に設けるブラインドスルーホールとを自由に
配置できる基板の供給が可能になる。また、マザーボー
ド側にだけピンが設けられるため全面にピンを接合で
き、さらにチップ側はそのピンの位置に関係なく配線形
成ができることになり、配線密度の向上を図ることがで
きる。
As described above, according to the present invention, the printed wiring board is used as the core substrate, and the resin layers on both sides thereof are laminated in multiple layers, and the resin layer only on the chip mounting side can be flip-mounted. Since it is a single-sided build-up wiring layer and the motherboard side is not provided with wiring, it is preferably a resin-layer only build-up layer, the structure of the PGA package is substantially single-sided built-up,
Therefore, it is possible to supply a substrate in which vias of the build-up wiring layer and blind through holes provided in the resin layer on the motherboard side can be freely arranged. Further, since the pins are provided only on the motherboard side, the pins can be bonded to the entire surface, and further, on the chip side, wiring can be formed irrespective of the positions of the pins, and the wiring density can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】コア基板への配線形成工程を示す模式的説明図
である。
FIG. 1 is a schematic explanatory view showing a step of forming a wiring on a core substrate.

【図2】樹脂層形成工程を示す模式的説明図である。FIG. 2 is a schematic explanatory view showing a resin layer forming step.

【図3】ビア形成工程を示す模式的説明図である。FIG. 3 is a schematic explanatory view showing a via forming step.

【図4】配線形成工程を示す模式的説明図である。FIG. 4 is a schematic explanatory view showing a wiring forming step.

【図5】両面に樹脂層を形成する樹脂層形成工程を示す
模式的説明図である。
FIG. 5 is a schematic explanatory view showing a resin layer forming step of forming a resin layer on both surfaces.

【図6】ブラインドスルーホールの形成工程を示す模式
的説明図である。
FIG. 6 is a schematic explanatory view showing a step of forming a blind through hole.

【図7】ピン接合工程を示す模式的説明図である。FIG. 7 is a schematic explanatory view showing a pin joining step.

【図8】ピン補強工程を示す模式的説明図である。FIG. 8 is a schematic explanatory view showing a pin reinforcing step.

【図9】チップ接合側におけるバンプ形成工程を示す模
式的説明図である。
FIG. 9 is a schematic explanatory view showing a bump forming step on the chip bonding side.

【図10】別の実施例における図1に対応するコア基板へ
の配線形成工程の模式的説明図である。
FIG. 10 is a schematic explanatory view of a step of forming wiring on a core substrate corresponding to FIG. 1 in another embodiment.

【図11】同じく図2に対応する樹脂層形成工程の模式的
説明図である。
11 is a schematic explanatory view of a resin layer forming step corresponding to FIG. 2.

【図12】同じく図3に対応するビア形成工程の模式的説
明図である。
FIG. 12 is a schematic explanatory view of a via forming step corresponding to FIG. 3;

【図13】同じく図4に対応する配線形成工程の模式的説
明図である。
FIG. 13 is a schematic explanatory view of a wiring forming step corresponding to FIG. 4;

【図14】同じく図5に対応する両面に樹脂層を形成する
樹脂層形成工程の模式的説明図である。
14 is a schematic explanatory diagram of a resin layer forming step of forming a resin layer on both surfaces corresponding to FIG. 5;

【図15】同じく図6に対応するブラインドスルーホール
の形成工程の模式的説明図である。
FIG. 15 is a schematic explanatory view of a step of forming a blind through hole corresponding to FIG. 6;

【図16】同じく図7に対応するピン接合工程の模式的説
明図である。
FIG. 16 is a schematic explanatory view of a pin bonding step corresponding to FIG. 7;

【図17】同じく図8に対応するピン補強工程の模式的説
明図である。
FIG. 17 is a schematic explanatory view of a pin reinforcing step corresponding to FIG. 8;

【図18】同じく図9に対応するチップ接合側におけるバ
ンプ形成工程の模式的説明図である。
18 is a schematic explanatory view of a bump forming step on the chip bonding side corresponding to FIG. 9;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 : コア基板 12 : Cuパターン 14:C
u基板 16 : 樹脂層 20 : ビア 22:
メッキ被覆 24 : 配線 28 : ビア 36:
スルーホール 38 : ピン接合部 40 : ピン 42
::ールド樹脂
10: Core substrate 12: Cu pattern 14: C
u board 16: resin layer 20: via 22:
Plating coating 24: Wiring 28: Via 36:
Through hole 38: Pin joint 40: Pin 42
:: Old resin

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 単層または多層のプリント配線板から成
るコア基板と、その両面に多層に積層された樹脂層と、
チップ実装側の樹脂層はフリップ実装可能な片面ビルド
アップ配線層になっており、マザーボード側は樹脂層の
ビルドアップ層となっており、マザーボード側の前記樹
脂層に形成され、コア基板の配線に至るブラインドスル
ーホールと、そのスルーホール内に挿入されているピン
とを備えたことを特徴とする PGAパッケージ。
1. A core substrate comprising a single-layer or multilayer printed wiring board, resin layers laminated on both surfaces of the core substrate,
The resin layer on the chip mounting side is a single-sided build-up wiring layer that can be flip-mounted, the motherboard side is a build-up layer of the resin layer, formed on the resin layer on the motherboard side, and connected to the wiring of the core substrate. A PGA package comprising blind through holes and pins inserted in the through holes.
【請求項2】 チップ実装側の前記樹脂層がレーザ加工
により形成したビアを備えていることを特徴とする請求
項1記載のPGA パッケージ。
2. The PGA package according to claim 1, wherein said resin layer on the chip mounting side has a via formed by laser processing.
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