JP2006041029A - Wiring substrate, manufacturing method thereof, and electronic device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wiring substrate which is provided with fine sets of wiring and is not accompanied by a problem resulting from use of photoresist and dry film resist. <P>SOLUTION: In the wiring substrate provided with a substrate and an exposed wiring pattern layer formed on the substrate, the wiring pattern is formed by depositing the precursor of the wiring pattern to a groove formed in the predetermined depth at the predetermined position of the substrate, and thereafter removing an excessive part of the precursor from the front surface side of the substrate. Moreover, the wiring substrate has a flat surface. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、配線基板に関し、さらに詳しく述べると、微細配線を表面に備え、かつ配線層の表面が平坦な配線基板と、従来一般的に使用されてきたセミアディティブ法を使用しないで本発明の配線基板を簡単かつ歩留まりよく製造する方法に関する。また、本発明は、本発明の配線基板を使用した半導体装置などの電子装置に関する。   The present invention relates to a wiring board, and more specifically, a wiring board having a fine wiring on the surface and a flat wiring layer surface, and a semi-additive method that has been conventionally used in general. The present invention relates to a method of manufacturing a wiring board easily and with high yield. The present invention also relates to an electronic device such as a semiconductor device using the wiring board of the present invention.

配線基板は、周知のように、電気絶縁性の基板に電気良導体である金属(以下、「導体金属」という)で配線パターン(電気回路)を形成したものであり、半導体素子(例えば、LSI)等の電子部品を実装し、支持するために使用されている。   As is well known, a wiring board is formed by forming a wiring pattern (electric circuit) with a metal that is a good electrical conductor (hereinafter referred to as “conductor metal”) on an electrically insulating substrate, and is a semiconductor element (eg, LSI). It is used to mount and support electronic parts such as.

現在、配線基板は、例えばアディティブ法やセミアディティブ法で形成されている。例えばセミアディティブ法は、特許文献1及び2において開示されている。特許文献2を参照すると、図11に順を追って示すように、セミアディティブ法でプリント配線板を製造する方法が開示されている。この方法によると、まず、工程(A)に示すように、絶縁基板101の上に下地金属層102を形成した後、配線パターンをめっきで形成するためのマスクパターン103をフォトレジストから形成する。次いで、工程(B)に示すように、マスクパターン103以外の下地金属層102が露出した溝の部分に電解めっき法でめっきパターン104を形成する。次いで、マスクパターン103を収縮させた後、工程(C)に示すように、めっきパターン104の全面にスパッタリングなどで金属保護膜105を形成する。引き続いて、工程(D)に示すように、使用済みとなったマスクパターン103を剥離液で除去する。最後に、不要となった下地金属層102をフラッシュエッチングによって除去すると、工程(E)に示すように、目的とするプリント配線板が得られる。   Currently, the wiring board is formed by, for example, an additive method or a semi-additive method. For example, the semi-additive method is disclosed in Patent Documents 1 and 2. With reference to Patent Document 2, as shown in order in FIG. 11, a method of manufacturing a printed wiring board by a semi-additive method is disclosed. According to this method, first, as shown in step (A), a base metal layer 102 is formed on an insulating substrate 101, and then a mask pattern 103 for forming a wiring pattern by plating is formed from a photoresist. Next, as shown in step (B), a plating pattern 104 is formed by electrolytic plating in the groove portion where the base metal layer 102 other than the mask pattern 103 is exposed. Next, after the mask pattern 103 is contracted, a metal protective film 105 is formed on the entire surface of the plating pattern 104 by sputtering or the like, as shown in step (C). Subsequently, as shown in step (D), the used mask pattern 103 is removed with a stripping solution. Finally, when the base metal layer 102 that is no longer needed is removed by flash etching, the intended printed wiring board is obtained as shown in step (E).

しかし、配線基板をこのようにセミアディティブ法を用いて製造したのでは、マスクパターンの形成に使用されるフォトレジストの解像度、密着性の問題から、微細配線の形成に限界が見えてきており、最近特に要求が著しい配線パターンの微細化に十分に対応することができない。なぜならば、セミアディティブ法で配線パターンを形成する場合には、めっきによって導体金属を積み上げる工程が必要であるので、マスクパターン、すなわち、フォトレジストには一定の厚さが必要であるからである。一方で、厚膜のフォトレジストの要件を満足させるため、一般には約20〜25μmの膜厚を有するドライフィルムレジストが用いられている。ドライフィルムレジストは、取り扱い性がよく、高アスペクト比のマスクパターンを容易に形成することができるといったメリットがあるけれども、微細配線の形成において、ドライフィルムが途中で剥離する、レジストパターンが倒れる、線間でレジスト残りを生じる、といった問題が依然として発生する。   However, when the wiring board is manufactured using the semi-additive method in this way, the limit of the formation of fine wiring has been seen due to the problem of resolution and adhesion of the photoresist used for forming the mask pattern. In recent years, it has not been possible to sufficiently cope with the miniaturization of wiring patterns that are particularly demanding. This is because when the wiring pattern is formed by the semi-additive method, a process of stacking the conductor metal by plating is required, and therefore the mask pattern, that is, the photoresist, needs to have a certain thickness. On the other hand, in order to satisfy the requirement of a thick film photoresist, a dry film resist having a film thickness of about 20 to 25 μm is generally used. The dry film resist has the advantage that it is easy to handle and a mask pattern with a high aspect ratio can be easily formed. However, in the formation of fine wiring, the dry film peels off in the middle, the resist pattern collapses, the line There still remains the problem of resist residue between them.

特開2003−101194号公報(特許請求の範囲、図1)Japanese Patent Laying-Open No. 2003-101194 (Claims, FIG. 1) 特開2004−63643号公報(特許請求の範囲、図1〜図2)JP-A-2004-63643 (Claims, FIGS. 1 to 2)

本発明の目的は、したがって、微細な配線を備えるとともに、セミアディティブ法を使用しないので、フォトレジストやドライフィルムレジストの使用に起因した問題(例えば、解像度及び密着性の低下、レジストパターンの倒れ、レジスト残り、など)を伴うことのない配線基板を提供することにある。   The object of the present invention is therefore to provide fine wiring and not to use a semi-additive method, so problems caused by the use of photoresists and dry film resists (for example, reduced resolution and adhesion, collapse of resist pattern, It is to provide a wiring board that does not involve a resist residue or the like.

また、本発明の目的は、将来の高密度配線の要求に対応でき、配線パターン層の上に積層する絶縁樹脂等の厚さの管理が容易である配線基板を提供することにある。   Another object of the present invention is to provide a wiring board that can meet future demands for high-density wiring and can easily manage the thickness of an insulating resin or the like laminated on a wiring pattern layer.

さらに、本発明の目的は、上記のような本発明の配線基板を簡単にかつ歩留まりよく製造できる配線基板の改良された製造方法を提供することにある。   Furthermore, an object of the present invention is to provide an improved manufacturing method of a wiring board capable of manufacturing the wiring board of the present invention as described above easily and with a high yield.

さらにまた、本発明の目的は、微細な配線を備えた本発明の配線基板に半導体素子等の電子素子を実装した小形で高性能な電子装置を提供することにある。   Still another object of the present invention is to provide a small and high-performance electronic device in which electronic elements such as semiconductor elements are mounted on the wiring board of the present invention having fine wiring.

本発明の上記した目的やその他の目的は、以下の詳細な説明から容易に理解することができるであろう。   These and other objects of the present invention will be readily understood from the following detailed description.

本発明は、1つの面において、基板と、その上に形成された露出した配線パターン層とを備えた配線基板であって、
前記配線パターン層が、前記基板の所定の位置に予め定められた深さで形成された溝に配線パターンの前駆体を堆積した後にその配線パターンの前駆体の過剰量を前記基板の表面側から除去することによって形成されたものであり、かつ
前記配線基板が、平坦な表面を有していることを特徴とする配線基板にある。
In one aspect, the present invention is a wiring board comprising a substrate and an exposed wiring pattern layer formed thereon,
After the wiring pattern layer is deposited in a groove formed at a predetermined depth in a predetermined position of the substrate, an excess amount of the wiring pattern precursor is removed from the surface side of the substrate. The wiring board is formed by removing the wiring board, and the wiring board has a flat surface.

また、本発明は、もう1つの面において、基板と、その上に形成された露出した配線パターン層とを備えた配線基板を製造する方法であって、
用意した基板の所定の位置に予め定められた深さで溝を形成する工程と、
前記基板の上に前記溝を含めて配線パターン形成材料を堆積して配線パターンの前駆体を形成する工程と、
前記配線パターンの前駆体の過剰量を前記基板の表面側から除去して、平坦な表面を有しかつ前記配線パターン層が露出した配線基板を形成する工程と
を含んでなることを特徴とする配線基板の製造方法にある。
In another aspect, the present invention is a method of manufacturing a wiring board comprising a substrate and an exposed wiring pattern layer formed thereon,
Forming a groove at a predetermined depth in a predetermined position of the prepared substrate;
Depositing a wiring pattern forming material including the groove on the substrate to form a wiring pattern precursor;
Removing an excessive amount of the precursor of the wiring pattern from the surface side of the substrate to form a wiring substrate having a flat surface and exposing the wiring pattern layer. It exists in the manufacturing method of a wiring board.

さらに、本発明は、さらにもう1つの面において、本発明の配線基板と、その配線基板の表面及び(又は)内部に実装された少なくとも1種類の電子部品とを含んでなることを特徴とする電子装置にある。   Furthermore, in another aspect, the present invention includes the wiring board of the present invention and at least one electronic component mounted on the surface and / or inside the wiring board. In electronic devices.

以下の詳細な説明から理解されるように、本発明によれば、微細な配線を高密度で備えた配線基板を提供することができる。   As will be understood from the following detailed description, according to the present invention, it is possible to provide a wiring board provided with fine wirings at high density.

本発明の配線基板は、その製造において従来一般的に使用されてきたセミアディティブ法を使用しなくても済むので、従来の技術では回避することができなかった、フォトレジストやドライフィルムレジストの使用に起因した問題を解消することができる。本発明の配線基板では、例えば、解像度や密着性の低下の問題が生じることがなく、また、厚いドライフィルムレジストを使用する必要がないので、高解像度でパターニングを行うことができ、レジストパターンの倒れやレジスト残りなどの問題も解消することができる。   The wiring board of the present invention does not require the use of the semi-additive method that has been generally used in the manufacture of the wiring board, and therefore, the use of a photoresist or a dry film resist that could not be avoided by conventional techniques. The problem caused by the problem can be solved. In the wiring board of the present invention, for example, there is no problem of reduction in resolution and adhesion, and since it is not necessary to use a thick dry film resist, patterning can be performed at a high resolution. Problems such as falling down and resist residue can be solved.

また、本発明によれば、微細な銅配線からなる配線パターン層(例えば、幅:約10μm、ピッチ:約20μm)の形成が可能となるので、将来の高密度配線の要求に対応できる。   Further, according to the present invention, it is possible to form a wiring pattern layer (for example, width: about 10 μm, pitch: about 20 μm) made of fine copper wiring, which can meet the demand for future high-density wiring.

さらに、配線パターン層はその表面が平坦であるので、その配線パターン層の上にさらに例えば絶縁樹脂等の薄膜を積層する場合に、形成される絶縁膜の厚さの管理が容易であり、かつ膜の均一性を高めることができる。   Furthermore, since the surface of the wiring pattern layer is flat, when a thin film such as an insulating resin is further laminated on the wiring pattern layer, it is easy to manage the thickness of the insulating film formed, and The uniformity of the film can be improved.

さらにまた、本発明によれば、微細な配線を備えた本発明の配線基板を簡単にかつ歩留まりよく製造することができる。   Furthermore, according to the present invention, the wiring board of the present invention provided with fine wiring can be manufactured easily and with a high yield.

また、本発明の配線基板の場合、好ましくはエッチングによって基板上の絶縁樹脂に形成された溝に導体金属を充填して配線パターン層を形成できるので、配線密度に応じて絶縁樹脂の厚さを変更するという煩雑な工程を省略することができる。   In the case of the wiring board of the present invention, the wiring pattern layer can be formed by filling a conductor metal into a groove formed in the insulating resin on the substrate, preferably by etching. Therefore, the thickness of the insulating resin can be set according to the wiring density. The complicated process of changing can be omitted.

さらにまた、本発明によれば、微細な配線を備えた本発明の配線基板に半導体素子等の電子部品を実装した小形で高性能な電子装置を提供することができる。   Furthermore, according to the present invention, it is possible to provide a small and high-performance electronic device in which electronic components such as semiconductor elements are mounted on the wiring board of the present invention having fine wiring.

本発明による配線基板及びその製造方法ならびに電子装置は、それぞれ、いろいろな形態で有利に実施することができる。以下、本発明をその好ましい実施形態について説明する。   The wiring board, the manufacturing method thereof, and the electronic device according to the present invention can be advantageously implemented in various forms. Hereinafter, the present invention will be described with reference to preferred embodiments thereof.

本発明は、基板と、その上に形成された露出した配線パターン層とを備えた配線基板にある。ここで、配線基板は、本発明の要件を満足させる限り、その構成が特に限定されるものではなく、以下に図示して示す一例のほか、常用の配線基板(回路基板、プリント回路板、プリント配線板などとも呼ばれる)で採用されているものに類似の構成を有することができる。また、本発明の配線基板は、各種の機能部品(以下、総称して「電子部品」という)を実装し、支持するためのものであり、実装可能な電子部品の典型例としては、以下に列挙するものに限定されるわけではないけれども、例えばICチップ、LSIチップなどの半導体素子や、コンデンサ素子、リアクタ素子、インダクタ素子などを挙げることができる。   The present invention resides in a wiring board comprising a substrate and an exposed wiring pattern layer formed thereon. Here, the configuration of the wiring board is not particularly limited as long as the requirements of the present invention are satisfied. In addition to the example illustrated and shown below, the wiring board (circuit board, printed circuit board, printed circuit board) is used. It is possible to have a configuration similar to that employed in a circuit board (also called a wiring board). The wiring board of the present invention is for mounting and supporting various functional components (hereinafter collectively referred to as “electronic components”). Typical examples of mountable electronic components are as follows. Although not limited to those listed, for example, semiconductor elements such as IC chips and LSI chips, capacitor elements, reactor elements, inductor elements, and the like can be given.

本発明の配線基板において、その主体は基板である。基板は、配線基板の構成に応じていろいろな材料から形成されるけれども、通常、絶縁性の樹脂材料、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などから形成される。さもなければ、この技術分野で常用の、例えば銅張積層板、金属芯配線基板、コンポジット配線基板などを基板として使用してもよい。後者の場合、その基板の表面に導体金属である銅箔などがすでに積層されているので、配線基板の製造工程における導体金属層の形成を省略することができる。   In the wiring board of the present invention, the main body is the board. Although the substrate is formed from various materials depending on the configuration of the wiring substrate, it is usually formed from an insulating resin material such as a polyimide resin, an epoxy resin, or a phenol resin. Otherwise, a copper-clad laminate, a metal core wiring board, a composite wiring board, etc., which are commonly used in this technical field, may be used as the board. In the latter case, since a copper foil or the like, which is a conductor metal, is already laminated on the surface of the substrate, the formation of the conductor metal layer in the manufacturing process of the wiring substrate can be omitted.

本発明の配線基板において、その基板の上に形成された配線パターン層は、配線基板の表面において形成され、その表面から露出している。ここで、「配線パターン層」は、この技術分野において常用の用語である「配線回路」、「配線層」、「配線パターン」などと同義であり、したがって、任意の導体金属、例えば、銅、ニッケル、クロム、金、銀、アルミニウムなどあるいはその合金から有利に形成することができる。また、配線パターン層は、簡単な手法で厚膜に形成できるので、めっき、好ましくは電解めっきによって形成するのが有利であり、必要ならば、無電解めっきと電解めっきを組み合わせて実施してもよい。また、もしも許容し得るのであるならば、例えばスパッタリング、蒸着などの常用の薄膜形成法を使用して配線パターン層を形成してもよい。なお、必要ならば、上記した基板の内部に、任意の位置及びパターンで内層配線パターン層(配線回路)が予め作り込まれていてもよい。   In the wiring substrate of the present invention, the wiring pattern layer formed on the substrate is formed on the surface of the wiring substrate and exposed from the surface. Here, “wiring pattern layer” is synonymous with “wiring circuit”, “wiring layer”, “wiring pattern” and the like, which are terms commonly used in this technical field, and therefore, any conductor metal such as copper, It can be advantageously formed from nickel, chromium, gold, silver, aluminum or the like or an alloy thereof. In addition, since the wiring pattern layer can be formed into a thick film by a simple method, it is advantageous to form it by plating, preferably electrolytic plating. If necessary, it can be performed by combining electroless plating and electrolytic plating. Good. If acceptable, the wiring pattern layer may be formed using a conventional thin film forming method such as sputtering or vapor deposition. If necessary, an inner wiring pattern layer (wiring circuit) may be formed in advance in an arbitrary position and pattern inside the above-described substrate.

本発明の配線基板において最初に留意されなければならないことは、その配線基板が、従来常用のセミアディティブ法によって形成されていないということ、すなわち、フォトレジストやドライフィルムレジストを使用して、めっきによる配線パターン層の積み上げのためのマスクパターン(めっき用溝)を形成していないことである。これによる作用効果は、先に説明した通りである。   The first thing to be noted in the wiring board of the present invention is that the wiring board is not formed by a conventional semi-additive method, that is, by using a photoresist or a dry film resist. The mask pattern (plating groove) for stacking the wiring pattern layers is not formed. The effect by this is as having demonstrated previously.

本発明の配線基板は、したがって、その配線パターン層が、基板の所定の位置に予め定められた深さで形成された溝に配線パターンの前駆体を堆積した後にその配線パターンの前駆体の過剰量を基板の表面側から除去することによって形成されたものであることを特徴とする。   Therefore, the wiring board of the present invention has an excess of the wiring pattern precursor after the wiring pattern layer is deposited in a groove formed at a predetermined depth in the substrate at a predetermined depth. It is formed by removing the amount from the surface side of the substrate.

すなわち、本発明の配線基板の場合、基板の所定の位置に配線パターン層を形成するための溝を予め定められた深さで形成した後、その溝の部分に配線パターンの前駆体を配線パターン層に最終的に必要とされる厚さと少なくとも同じであり、好ましくはより大きな膜厚で堆積し(したがって、好ましくは、溝から溢れて基板上をある厚さで覆った状態で配線パターンの前駆体の層が形成される)、その後、配線パターンの前駆体の過剰量を基板の表面側から除去することによって配線パターン層を形成することができる。   That is, in the case of the wiring board of the present invention, after forming a groove for forming a wiring pattern layer at a predetermined depth on the substrate at a predetermined depth, a wiring pattern precursor is placed in the groove portion of the wiring pattern. The layer thickness is at least the same as the final required thickness, and is preferably deposited in a larger thickness (and thus preferably the precursor of the wiring pattern with a certain thickness overflowing from the groove and covering the substrate) After that, the wiring pattern layer can be formed by removing the excess amount of the wiring pattern precursor from the surface side of the substrate.

上記のようにして配線パターン形成用の溝を形成する場合に、溝の形成は、基板そのものの選択的除去によって行ってもよいけれども、基板の上に絶縁樹脂を積層した後にその絶縁樹脂層の選択的除去によって行うのがより一般的であり、有利である。ここで、基板あるいは絶縁樹脂層の選択的除去は、いろいろな技法に従って行うことができるけれども、通常、エッチングによって行うことが好ましく、プラズマエッチングによって行うことがさらに好ましい。また、以下に図5を参照して説明するように、下方向にのみエッチングを行うことができるので、異方性のあるエッチングで溝を形成するのが好ましい。   When the wiring pattern forming groove is formed as described above, the groove may be formed by selectively removing the substrate itself. However, after insulating resin is laminated on the substrate, the insulating resin layer It is more common and advantageous to carry out by selective removal. Here, although the selective removal of the substrate or the insulating resin layer can be performed according to various techniques, it is usually preferably performed by etching, and more preferably by plasma etching. Further, as will be described below with reference to FIG. 5, since the etching can be performed only in the downward direction, the groove is preferably formed by anisotropic etching.

エッチングによって基板の表面に溝を形成する場合に、その溝の深さは、目的とする配線パターン層の厚さに応じて広い範囲で変更することができる。溝の深さは、上記からも理解されるように、配線パターン層に最終的に必要とされる厚さと少なくとも同じ深さであることが必要であり、一般的には、後段の工程において配線パターンの前駆体の過剰量が基板の表面側から除去されることを考慮して、配線パターン層の厚さよりも認め得る程度に大きな深さであることが好ましい。溝の深さは、例えば、約10〜15μmもしくはそれ以上とすることが推奨される。   When a groove is formed on the surface of the substrate by etching, the depth of the groove can be changed in a wide range according to the thickness of the intended wiring pattern layer. As understood from the above, the depth of the groove needs to be at least the same depth as the thickness finally required for the wiring pattern layer. Considering that the excessive amount of the precursor of the pattern is removed from the surface side of the substrate, it is preferable that the depth be larger than the thickness of the wiring pattern layer. The depth of the groove is recommended to be, for example, about 10 to 15 μm or more.

溝の形成後、その溝の部分に充填するとともに基板の表面を覆う形で、配線パターン層の形成に好適な配線パターンの前駆体を堆積する。配線パターンの前駆体は、前記したように、銅などの導体金属であることが好ましく、また、その前駆体の堆積法は、電解めっき法が好ましい。   After forming the groove, a wiring pattern precursor suitable for forming the wiring pattern layer is deposited so as to fill the groove portion and cover the surface of the substrate. As described above, the wiring pattern precursor is preferably a conductor metal such as copper, and the deposition method of the precursor is preferably an electrolytic plating method.

配線パターンの前駆体を所定の膜厚で堆積した後、その前駆体の堆積物を基板の表面側から所定の深さまで選択的に除去する。ここで、「所定の深さ」とは、この堆積物除去工程によって、目的とする配線パターン層が所定の厚さで得られるとともに、その配線バターン層の上面が露出するのに必要な深さを意味する。また、堆積物の選択的な除去のためにいろいろな技法を使用することができるけれども、堆積物が導体金属のめっきからなっているのが一般的であるので、研磨法を有利に使用することができる。適当な研磨法としては、例えば、化学的機械的研磨法(CMP)、グラインディングなどを挙げることができる。   After the wiring pattern precursor is deposited with a predetermined film thickness, the precursor deposit is selectively removed from the surface side of the substrate to a predetermined depth. Here, the “predetermined depth” is a depth necessary for obtaining a target wiring pattern layer with a predetermined thickness by the deposit removing step and exposing the upper surface of the wiring pattern layer. Means. In addition, although various techniques can be used for selective removal of deposits, it is common to use a polishing method because the deposits are typically made of conductive metal plating. Can do. Examples of suitable polishing methods include chemical mechanical polishing (CMP) and grinding.

基板の表面部分を所定の深さまで研磨して除去した結果、露出した配線パターン層を表面に備えた配線基板が得られる。この配線基板は、その表面がほぼ平坦であり、配線パターン層の形成工程に由来する段差や凹凸を有していない。すなわち、配線パターン層の表面と、その周囲を取り囲む配線基板の表面とは同じレベルであり、全面的に平坦である。   As a result of removing the surface portion of the substrate by polishing to a predetermined depth, a wiring substrate having an exposed wiring pattern layer on the surface is obtained. This wiring board has a substantially flat surface and does not have steps or irregularities resulting from the wiring pattern layer forming step. That is, the surface of the wiring pattern layer and the surface of the wiring board surrounding the periphery are at the same level and are entirely flat.

本発明による配線基板は、いろいろな手法を使用して製造することができるけれども、従来常用のセミアディティブ法を使用しないで、下記のようにして製造するのが有利である。すなわち、本発明の配線基板の製造方法は、基板と、その上に形成された露出した配線パターン層とを備えた配線基板を製造する方法であって、
用意した基板の所定の位置に予め定められた深さで溝を形成する工程と、
前記基板の上に前記溝を含めて配線パターン形成材料を堆積して配線パターンの前駆体を形成する工程と、
前記配線パターンの前駆体の過剰量を前記基板の表面側から除去して、平坦な表面を有しかつ前記配線パターン層が露出した配線基板を形成する工程と
を含んでなることを特徴とする配線基板の製造方法にある。
Although the wiring board according to the present invention can be manufactured using various methods, it is advantageous to manufacture the wiring board as follows without using the conventional semi-additive method. That is, the method for manufacturing a wiring board of the present invention is a method for manufacturing a wiring board including a substrate and an exposed wiring pattern layer formed thereon,
Forming a groove at a predetermined depth in a predetermined position of the prepared substrate;
Depositing a wiring pattern forming material including the groove on the substrate to form a wiring pattern precursor;
Removing an excessive amount of the precursor of the wiring pattern from the surface side of the substrate to form a wiring substrate having a flat surface and exposing the wiring pattern layer. It exists in the manufacturing method of a wiring board.

本発明方法のそれぞれの工程は、先に説明したようにして実施するのが有利である。   Each step of the method of the invention is advantageously carried out as described above.

例えば、基板における溝形成工程は、基板あるいはその上に積層した絶縁樹脂層をエッチングして、配線パターン層の形成部位にその配線パターン層の厚さと少なくとも同じであり、好ましくはそれよりも深く、配線パターン層の形成のための溝をエッチングによって形成することによって有利に実施することができる。好適なエッチング法は、異方性を有するプラズマエッチングである。   For example, the groove forming step in the substrate is performed by etching the substrate or the insulating resin layer laminated thereon, and at least the same thickness as the wiring pattern layer at the wiring pattern layer forming portion, preferably deeper than that, It can be advantageously carried out by forming a groove for forming the wiring pattern layer by etching. A suitable etching method is plasma etching having anisotropy.

また、配線パターン形成材料を堆積して配線パターンの前駆体を形成する工程は、配線パターン形成材料として例えば銅などの導体金属を使用して、その導体金属をめっきにより所定の厚さで堆積することによって有利に実施することができる。この工程の場合、配線パターン形成材料の堆積法として電解めっき法が特に好適である。   Further, the step of depositing the wiring pattern forming material to form the wiring pattern precursor uses a conductive metal such as copper as the wiring pattern forming material, and deposits the conductive metal to a predetermined thickness by plating. Can be advantageously implemented. In the case of this step, an electrolytic plating method is particularly suitable as a method for depositing the wiring pattern forming material.

さらに、露出した配線パターン層の形成工程は、基板の表面側から研磨を行って、配線パターンの前駆体の過剰量を除去することによって有利に実施することができる。この工程の場合、配線パターンの前駆体の除去法としてCMP法が特に好適である。   Furthermore, the process of forming the exposed wiring pattern layer can be advantageously performed by polishing from the surface side of the substrate to remove the excess amount of the precursor of the wiring pattern. In this step, the CMP method is particularly suitable as a method for removing the wiring pattern precursor.

本発明による配線基板の製造方法は、上記の各工程をベースとした上で、本発明の範囲内でいろいろに変更して実施することができる。   The method for manufacturing a wiring board according to the present invention can be implemented with various modifications within the scope of the present invention based on the above-described steps.

本発明の1形態によると、下記の工程:
用意した基板の上に絶縁樹脂を積層し、
形成された絶縁樹脂層の上に導体金属からなるシード層を形成し、
前記基板から、前記配線パターン層の形成部位に形成された前記シード層を選択的に除去し、
前記シード層の存在下において、前記基板の露出領域を選択的に除去して予め定められた深さで溝を形成し、
前記基板の上に配線パターン形成材料を堆積するとともに前記溝に配線パターン形成材料を充填して配線パターンの前駆体を形成し、そして
前記配線パターンの前駆体の過剰量を前記基板の表面側から除去して、平坦な表面を有しかつ前記配線パターン層が露出した配線基板を形成すること
によって本発明の配線基板を有利に製造することができる。
According to one aspect of the invention, the following steps:
Laminate insulating resin on the prepared board,
A seed layer made of a conductive metal is formed on the formed insulating resin layer,
Selectively removing the seed layer formed at the formation site of the wiring pattern layer from the substrate;
In the presence of the seed layer, the exposed region of the substrate is selectively removed to form a groove with a predetermined depth;
A wiring pattern forming material is deposited on the substrate and a wiring pattern forming material is filled in the groove to form a wiring pattern precursor, and an excess amount of the wiring pattern precursor is formed from the surface side of the substrate. The wiring board of the present invention can be advantageously manufactured by removing and forming a wiring board having a flat surface and exposing the wiring pattern layer.

この製造方法において、絶縁樹脂層の形成工程は、用意した基板の上に例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの絶縁性の樹脂材料を所定の厚さで塗布し、硬化させることによって実施することができる。なお、用意した基板が絶縁性の樹脂材料からなり、かつ本発明の要件を満足させているならば、この工程を省略してもよい。   In this manufacturing method, the insulating resin layer forming step is performed by applying an insulating resin material such as a polyimide resin, an epoxy resin, or a phenol resin with a predetermined thickness on a prepared substrate and curing it. be able to. Note that this step may be omitted if the prepared substrate is made of an insulating resin material and satisfies the requirements of the present invention.

引き続いて、形成された絶縁樹脂層の上に、めっきのための給電層としての働きをもったシード層を形成する。シード層の形成工程は、特に限定されるものではない。例えば、シード層は、任意の導体金属、例えば銅、ニッケル、クロム、金、銀、アルミニウムあるいはその合金を任意の薄膜形成法、例えば金属箔の積層、無電解めっき、スパッタリング、真空蒸着などを使用して所望の膜厚で形成することができる。具体的なシード層形成方法として、例えば、約1〜2μm厚の極薄銅箔の積層、無電解銅めっき、銅のスパッタリングなどを挙げることができる。   Subsequently, a seed layer functioning as a power feeding layer for plating is formed on the formed insulating resin layer. The process for forming the seed layer is not particularly limited. For example, the seed layer uses any conductive metal, such as copper, nickel, chromium, gold, silver, aluminum or an alloy thereof, and any thin film forming method, such as metal foil lamination, electroless plating, sputtering, vacuum deposition, etc. Thus, it can be formed with a desired film thickness. Specific seed layer formation methods include, for example, lamination of an ultrathin copper foil having a thickness of about 1 to 2 μm, electroless copper plating, copper sputtering, and the like.

次いで、形成されたシード層において、配線パターン層の形成部位に形成されたシード層のみを基板から選択的に除去する。シード層の選択的除去工程は、いろいろな手法に従って行うことができるというものの、レジスト材料の露光及び現像によって形成されたレジストマスクの存在下におけるソフトエッチングによって有利に実施することができる。   Next, in the formed seed layer, only the seed layer formed at the site where the wiring pattern layer is formed is selectively removed from the substrate. Although the selective removal of the seed layer can be performed according to various techniques, it can be advantageously performed by soft etching in the presence of a resist mask formed by exposure and development of a resist material.

最初に、絶縁樹脂層の上に全面的に形成されたシード層の上にレジスト材料を塗布するなどしてレジスト層を形成する。例えば、フォトレジストを例えば3μm前後で薄く塗布し、硬化させてレジスト層を形成してもよく、さもなければ、解像度を上げるために例えば10μm前後の薄いドライフィルムレジストを積層してレジスト層を形成してもよい。   First, a resist layer is formed by applying a resist material on the seed layer formed on the entire surface of the insulating resin layer. For example, a photoresist may be thinly applied at, for example, about 3 μm and cured to form a resist layer, or a thin dry film resist of, for example, about 10 μm is laminated to form a resist layer to increase resolution. May be.

次いで、形成されたレジスト層にそのレジストについて規定された露光源で所定の条件下にパターン露光を施し、さらに所定の現像液で不要部分を溶解除去する。配線パターン層の形成部位において下地のシード層が露出したレジストパターンが得られる。   Next, pattern exposure is performed on the formed resist layer under predetermined conditions with an exposure source defined for the resist, and unnecessary portions are dissolved and removed with a predetermined developer. A resist pattern in which the underlying seed layer is exposed at the wiring pattern layer formation site is obtained.

その後、レジストパターンをマスクとして、露出しているシード層をいわゆるソフトエッチング(フラッシュエッチング、ライトエッチングなどともいう)によって選択的に除去する。よって、配線パターン層の形成部位にあるシード層が通常のエッチングラインで除去される。   Thereafter, using the resist pattern as a mask, the exposed seed layer is selectively removed by so-called soft etching (also referred to as flash etching or light etching). Therefore, the seed layer in the wiring pattern layer formation site is removed by a normal etching line.

最後に、使用済みのレジストパターンを基板から剥離除去することによってこのシード層除去工程が完了する。   Finally, the seed layer removal step is completed by peeling off and removing the used resist pattern from the substrate.

上記のようにしてシード層を選択的に除去した結果、配線パターン層の形成部位において下地の絶縁樹脂層が露出した状態となる。この状態において、シード層の存在下において、絶縁樹脂層の露出領域を選択的に除去して予め定められた深さで溝を形成する。この溝形成工程は、前記したように、異方性を有するプラズマエッチングによって有利に実施することができる。   As a result of selectively removing the seed layer as described above, the underlying insulating resin layer is exposed at the portion where the wiring pattern layer is formed. In this state, in the presence of the seed layer, the exposed region of the insulating resin layer is selectively removed to form a groove with a predetermined depth. As described above, this groove forming step can be advantageously performed by plasma etching having anisotropy.

引き続いて、絶縁樹脂層の上に配線パターン形成材料を堆積するとともに、その絶縁樹脂層に形成した溝の部分にも配線パターン形成材料を充填して配線パターンの前駆体を形成する。この配線パターン前駆体形成工程は、前記したように、配線パターン形成材料として例えば銅などの導体金属を使用して、その導体金属をめっきにより所定の厚さで堆積することによって有利に実施することができる。この工程の場合、配線パターン形成材料の堆積法として電解めっきが好適であり、特に、無電解めっきと電解めっきを組み合わせることで、凹状の溝を導体金属で埋め尽くすことが推奨される。   Subsequently, a wiring pattern forming material is deposited on the insulating resin layer, and a wiring pattern forming material is also filled in a groove formed in the insulating resin layer to form a wiring pattern precursor. As described above, this wiring pattern precursor forming step is advantageously performed by using a conductive metal such as copper as the wiring pattern forming material and depositing the conductive metal to a predetermined thickness by plating. Can do. In this process, electrolytic plating is suitable as a method for depositing the wiring pattern forming material. In particular, it is recommended to fill the concave groove with a conductive metal by combining electroless plating and electrolytic plating.

最後に、配線パターンの前駆体の過剰量を基板の表面側から除去して、平坦な表面を有しかつ配線パターン層が露出した配線基板を形成する。この配線パターン層の形成工程は、前記したように、基板の表面側から深さ方向に研磨を行って、配線パターンの前駆体の過剰量を除去することによって有利に実施することができる。この工程の場合、配線パターンの前駆体の除去法としてCMP法が特に好適である。   Finally, an excessive amount of the wiring pattern precursor is removed from the surface side of the substrate to form a wiring substrate having a flat surface and exposing the wiring pattern layer. As described above, this wiring pattern layer forming step can be advantageously performed by polishing in the depth direction from the surface side of the substrate to remove an excessive amount of the precursor of the wiring pattern. In this step, the CMP method is particularly suitable as a method for removing the wiring pattern precursor.

本発明のもう1つの形態によると、下記の工程:
用意した基板の上に絶縁樹脂を積層し、
形成された絶縁樹脂層の上にレジスト層を形成し、
前記基板から、前記配線パターン層の形成部位に形成された前記レジスト層を選択的に除去し、
形成されたレジストパターン層の存在下において、前記基板の露出領域を選択的に除去して予め定められた深さで溝を形成し、
前記基板の上に配線パターン形成材料を堆積するとともに前記溝に配線パターン形成材料を充填して配線パターンの前駆体を形成し、そして
前記配線パターンの前駆体の過剰量を前記基板の表面側から除去して、平坦な表面を有しかつ前記配線パターン層が露出した配線基板を形成すること
によって本発明の配線基板を有利に製造することができる。
According to another aspect of the invention, the following steps:
Laminate insulating resin on the prepared board,
A resist layer is formed on the formed insulating resin layer,
Selectively removing the resist layer formed at the formation site of the wiring pattern layer from the substrate;
In the presence of the formed resist pattern layer, the exposed region of the substrate is selectively removed to form a groove with a predetermined depth,
A wiring pattern forming material is deposited on the substrate and a wiring pattern forming material is filled in the groove to form a wiring pattern precursor, and an excess amount of the wiring pattern precursor is formed from the surface side of the substrate. The wiring board of the present invention can be advantageously manufactured by removing and forming a wiring board having a flat surface and exposing the wiring pattern layer.

この製造方法は、先に説明した形態の1変更例であり、プロセスの初期の段階でレジストパターン層を形成し、そのレジストパターン層を前述のシード層に代えてマスクとして使用し、そのマスクの存在下にエッチングを行って下地の基板(絶縁樹脂層)に凹状の溝を形成しようとするものである。この方法の場合、シード層の形成が不要となるので、工程を簡略化することができる。   This manufacturing method is a modified example of the embodiment described above. A resist pattern layer is formed at an early stage of the process, and the resist pattern layer is used as a mask in place of the seed layer. Etching is performed in the presence to form a concave groove in the underlying substrate (insulating resin layer). In the case of this method, it is not necessary to form a seed layer, so that the process can be simplified.

この製造方法において、絶縁樹脂層の形成工程は、用意した基板の上に例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの絶縁性の樹脂材料を所定の厚さで塗布し、硬化させることによって実施することができる。なお、用意した基板が絶縁性の樹脂材料からなり、かつ本発明の要件を満足させているならば、この工程を省略してもよい。   In this manufacturing method, the insulating resin layer forming step is performed by applying an insulating resin material such as a polyimide resin, an epoxy resin, or a phenol resin with a predetermined thickness on a prepared substrate and curing it. be able to. Note that this step may be omitted if the prepared substrate is made of an insulating resin material and satisfies the requirements of the present invention.

引き続いて、形成された絶縁樹脂層の上にレジスト層を形成する。レジスト層は、例えば、フォトレジストを塗布し、硬化させて形成してもよく、さもなければ、ドライフィルムレジストを積層して形成してもよい。いずれの場合であっても、レジスト層は、後段のエッチング工程に耐え得る段差を確保するため、比較的に厚膜で形成することが好ましい。   Subsequently, a resist layer is formed on the formed insulating resin layer. The resist layer may be formed, for example, by applying and curing a photoresist, or may be formed by laminating a dry film resist. In either case, the resist layer is preferably formed with a relatively thick film in order to secure a level difference that can withstand the subsequent etching process.

次いで、配線パターン層の形成部位に形成されたレジスト層を基板から選択的に除去する。このレジスト層の選択的除去工程は、レジスト層の露光及び現像によって行うことができる。例えば、形成されたレジスト層にそのレジストについて規定された露光源で所定の条件下にパターン露光を施し、さらに所定の現像液で不要部分を溶解除去する。配線パターン層の形成部位において下地の絶縁樹脂層が露出したレジストパターン層が得られる。   Next, the resist layer formed at the wiring pattern layer forming portion is selectively removed from the substrate. This selective removal process of the resist layer can be performed by exposure and development of the resist layer. For example, the formed resist layer is subjected to pattern exposure under a predetermined condition with an exposure source defined for the resist, and unnecessary portions are dissolved and removed with a predetermined developer. A resist pattern layer is obtained in which the underlying insulating resin layer is exposed at the portion where the wiring pattern layer is formed.

その後、レジストパターン層をマスクとして、絶縁樹脂層の露出領域を選択的に除去して予め定められた深さで溝を形成する。この溝形成工程は、前記したように、異方性を有するプラズマエッチングによって有利に実施することができる。溝の形成後、使用済みのレジストパターン層を剥離除去する。   Thereafter, using the resist pattern layer as a mask, the exposed region of the insulating resin layer is selectively removed to form a groove with a predetermined depth. As described above, this groove forming step can be advantageously performed by plasma etching having anisotropy. After the grooves are formed, the used resist pattern layer is peeled off.

引き続いて、絶縁樹脂層の上に配線パターン形成材料を堆積するとともに、その絶縁樹脂層に形成した溝の部分にも配線パターン形成材料を充填して配線パターンの前駆体を形成する。この配線パターン前駆体形成工程は、前記したように、配線パターン形成材料として例えば銅などの導体金属を使用して、その導体金属をめっきにより所定の厚さで堆積することによって有利に実施することができる。この工程の場合、配線パターン形成材料の堆積法として電解めっきが好適であり、特に、無電解めっきと電解めっきを組み合わせることで、凹状の溝を導体金属で埋め尽くすことが推奨される。   Subsequently, a wiring pattern forming material is deposited on the insulating resin layer, and a wiring pattern forming material is also filled in a groove formed in the insulating resin layer to form a wiring pattern precursor. As described above, this wiring pattern precursor forming step is advantageously performed by using a conductive metal such as copper as the wiring pattern forming material and depositing the conductive metal to a predetermined thickness by plating. Can do. In this process, electrolytic plating is suitable as a method for depositing the wiring pattern forming material. In particular, it is recommended to fill the concave groove with a conductive metal by combining electroless plating and electrolytic plating.

最後に、配線パターンの前駆体の過剰量を基板の表面側から除去して、平坦な表面を有しかつ配線パターン層が露出した配線基板を形成する。この配線パターン層の形成工程は、前記したように、基板の表面側から深さ方向に研磨を行って、配線パターンの前駆体の過剰量を除去することによって有利に実施することができる。この工程の場合、配線パターンの前駆体の除去法としてCMP法が特に好適である。   Finally, an excessive amount of the wiring pattern precursor is removed from the surface side of the substrate to form a wiring substrate having a flat surface and exposing the wiring pattern layer. As described above, this wiring pattern layer forming step can be advantageously performed by polishing in the depth direction from the surface side of the substrate to remove an excessive amount of the precursor of the wiring pattern. In this step, the CMP method is particularly suitable as a method for removing the wiring pattern precursor.

本発明のさらにもう1つの形態によると、下記の工程:
用意した基板の上に導体金属からなる内層配線パターン層を形成し、
前記内層配線パターン層の上に絶縁樹脂を積層し、
形成された絶縁樹脂層のフィルドビア形成部位に貫通孔を形成し、
貫通孔が形成された絶縁樹脂層の上にレジスト層を形成し、
前記基板から、前記配線パターン層の形成部位に形成された前記レジスト層を選択的に除去し、
前記レジスト層の存在下において、前記基板の露出領域を選択的に除去して予め定められた深さで溝を形成し、
前記基板の上に配線パターン形成材料を堆積するとともに前記溝に配線パターン形成材料を充填して配線パターンの前駆体を形成し、そして
前記配線パターンの前駆体の過剰量を前記基板の表面側から除去して、平坦な表面を有しかつ前記配線パターン層が露出した配線基板を形成すること
によって本発明の配線基板を有利に製造することができる。
According to yet another aspect of the invention, the following steps:
An inner wiring pattern layer made of a conductive metal is formed on the prepared substrate,
Laminating an insulating resin on the inner wiring pattern layer,
Form a through hole in the filled via formation site of the formed insulating resin layer,
A resist layer is formed on the insulating resin layer in which the through hole is formed,
From the substrate, selectively remove the resist layer formed in the formation site of the wiring pattern layer,
In the presence of the resist layer, selectively removing exposed areas of the substrate to form grooves at a predetermined depth;
A wiring pattern forming material is deposited on the substrate and a wiring pattern forming material is filled in the groove to form a wiring pattern precursor, and an excess amount of the wiring pattern precursor is formed from the surface side of the substrate. The wiring board of the present invention can be advantageously manufactured by removing and forming a wiring board having a flat surface and exposing the wiring pattern layer.

この製造方法は、上述の形態の1変更例であり、工程を簡略化することができることに加えて、予めビアを形成しておくことで、多層構造を備えた配線基板を製造することができる。   This manufacturing method is a modification of the above-described embodiment. In addition to simplifying the process, a wiring board having a multilayer structure can be manufactured by forming vias in advance. .

この製造方法において、用意した基板の上に導体金属からなる内層配線パターン層を形成する。ここで、基板は、通常、絶縁性の樹脂材料からなるけれども、必要ならば、その他の絶縁性材料からなっていてもよい。内層配線パターン層は、常用の手法に従って形成することができる。例えば、任意の導体金属、例えば銅、ニッケル、クロム、金、銀、アルミニウムあるいはその合金を任意の薄膜形成法、例えば金属箔の積層、無電解めっき、スパッタリング、真空蒸着などを使用して所望の膜厚で基板上に形成した後、所望とする配線パターンに応じてエッチングなどで選択的に除去することによって、目的とする内層配線パターン層(配線回路)を得ることができる。   In this manufacturing method, an inner wiring pattern layer made of a conductive metal is formed on a prepared substrate. Here, the substrate is usually made of an insulating resin material, but may be made of other insulating materials if necessary. The inner wiring pattern layer can be formed according to a conventional method. For example, any conductive metal, such as copper, nickel, chromium, gold, silver, aluminum, or an alloy thereof may be formed using any thin film forming method, such as metal foil lamination, electroless plating, sputtering, vacuum deposition, etc. After forming on the substrate with a film thickness, the desired inner wiring pattern layer (wiring circuit) can be obtained by selectively removing it by etching or the like according to the desired wiring pattern.

絶縁樹脂層の形成工程は、内層配線パターン層を形成した後の基板の上に例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの絶縁性の樹脂材料を所定の厚さで塗布し、硬化させることによって実施することができる。なお、用意した基板が絶縁性の樹脂材料からなり、かつ本発明の要件を満足させているならば、この工程を省略してもよい。   The insulating resin layer forming step is performed by applying an insulating resin material such as a polyimide resin, an epoxy resin, or a phenol resin with a predetermined thickness on the substrate after the inner wiring pattern layer is formed, and curing it. Can be implemented. Note that this step may be omitted if the prepared substrate is made of an insulating resin material and satisfies the requirements of the present invention.

次いで、形成された絶縁樹脂層のフィルドビア形成部位に貫通孔を形成する。貫通孔の形成は、例えばレーザードリリングなどの常用の技法を使用して有利に実施することができる。貫通孔のサイズは、目的とするフィルドビアの大きさに応じて任意に変更可能である。   Next, a through hole is formed in the filled via formation portion of the formed insulating resin layer. Formation of the through-hole can be advantageously performed using conventional techniques such as laser drilling. The size of the through hole can be arbitrarily changed according to the size of the target filled via.

その後、貫通孔を形成した絶縁樹脂層の上にレジスト層を形成する。レジスト層は、例えば、フォトレジストを塗布し、硬化させて形成してもよく、さもなければ、ドライフィルムレジストを積層して形成してもよい。いずれの場合であっても、レジスト層は、後段のエッチング工程に耐え得る段差を確保するため、比較的に厚膜で形成することが好ましい。   Thereafter, a resist layer is formed on the insulating resin layer in which the through holes are formed. The resist layer may be formed, for example, by applying and curing a photoresist, or may be formed by laminating a dry film resist. In either case, the resist layer is preferably formed with a relatively thick film in order to secure a level difference that can withstand the subsequent etching process.

引き続いて、配線パターン層の形成部位に形成されたレジスト層を基板から選択的に除去する。このレジスト層の選択的除去工程は、レジスト層の露光及び現像によって行うことができる。例えば、形成されたレジスト層にそのレジストについて規定された露光源で所定の条件下にパターン露光を施し、さらに所定の現像液で不要部分を溶解除去する。配線パターン層の形成部位において下地の絶縁樹脂層が露出したレジストパターン層が得られる。   Subsequently, the resist layer formed at the site where the wiring pattern layer is formed is selectively removed from the substrate. This selective removal process of the resist layer can be performed by exposure and development of the resist layer. For example, the formed resist layer is subjected to pattern exposure under a predetermined condition with an exposure source defined for the resist, and unnecessary portions are dissolved and removed with a predetermined developer. A resist pattern layer is obtained in which the underlying insulating resin layer is exposed at the portion where the wiring pattern layer is formed.

次いで、レジストパターン層をマスクとして、絶縁樹脂層の露出領域を選択的に除去して予め定められた深さで溝を形成する。この溝形成工程は、前記したように、異方性を有するプラズマエッチングによって有利に実施することができる。溝の形成後、使用済みのレジストパターン層を剥離除去する。   Next, using the resist pattern layer as a mask, the exposed region of the insulating resin layer is selectively removed to form a groove with a predetermined depth. As described above, this groove forming step can be advantageously performed by plasma etching having anisotropy. After the grooves are formed, the used resist pattern layer is peeled off.

その後、絶縁樹脂層の上に配線パターン形成材料を堆積するとともに、その絶縁樹脂層に形成した溝の部分にも配線パターン形成材料を充填して配線パターンの前駆体を形成する。この配線パターン前駆体形成工程は、前記したように、配線パターン形成材料として例えば銅などの導体金属を使用して、その導体金属をめっきにより所定の厚さで堆積することによって有利に実施することができる。この工程の場合、配線パターン形成材料の堆積法として電解めっきが好適であり、特に、無電解めっきと電解めっきを組み合わせることで、凹状の溝を導体金属で埋め尽くすことが推奨される。   Thereafter, a wiring pattern forming material is deposited on the insulating resin layer, and a wiring pattern forming material is also filled in a groove formed in the insulating resin layer to form a wiring pattern precursor. As described above, this wiring pattern precursor forming step is advantageously performed by using a conductive metal such as copper as the wiring pattern forming material and depositing the conductive metal to a predetermined thickness by plating. Can do. In this process, electrolytic plating is suitable as a method for depositing the wiring pattern forming material. In particular, it is recommended to fill the concave groove with a conductive metal by combining electroless plating and electrolytic plating.

最後に、配線パターンの前駆体の過剰量を基板の表面側から除去して、平坦な表面を有しかつ配線パターン層が露出した配線基板を形成する。この配線パターン層の形成工程は、前記したように、基板の表面側から深さ方向に研磨を行って、配線パターンの前駆体の過剰量を除去することによって有利に実施することができる。この工程の場合、配線パターンの前駆体の除去法としてCMP法が特に好適である。   Finally, an excessive amount of the wiring pattern precursor is removed from the surface side of the substrate to form a wiring substrate having a flat surface and exposing the wiring pattern layer. As described above, this wiring pattern layer forming step can be advantageously performed by polishing in the depth direction from the surface side of the substrate to remove an excessive amount of the precursor of the wiring pattern. In this step, the CMP method is particularly suitable as a method for removing the wiring pattern precursor.

本発明は、さらに、本発明の配線基板と、その配線基板に実装された少なくとも1種類の電子部品とを含んでなることを特徴とする電子装置にある。ここで、配線基板に実装されるべき電子部品は、以下に列挙するものに限定されるわけではないけれども、例えば前記したように、ICチップ、LSIチップなどの半導体素子や、コンデンサ素子、リアクタ素子、インダクタ素子などを包含する。もちろん、これらの電子部品は、配線基板の表面に実装してもよく、配線基板の内部に実装してもよく、あるいは表面と内部に組み合わせて実装してもよい。また、これらの電子部品は、所望とする機能に応じて、単独で使用してもよく、2種以上を組み合わせて使用してもよい。さらに、それぞれの電子部品は、フリップチップ法、ワイヤボンディング法などによって相互に電気的に接続したり、配線基板の配線パターン層や外部接続端子などと相互に電気的に接続することができる。   The present invention further resides in an electronic device comprising the wiring board of the present invention and at least one electronic component mounted on the wiring board. Here, the electronic components to be mounted on the wiring board are not limited to those listed below. For example, as described above, semiconductor elements such as IC chips and LSI chips, capacitor elements, and reactor elements And inductor elements. Of course, these electronic components may be mounted on the surface of the wiring board, may be mounted inside the wiring board, or may be mounted in combination with the surface and inside. These electronic components may be used alone or in combination of two or more depending on the desired function. Furthermore, the respective electronic components can be electrically connected to each other by a flip chip method, a wire bonding method, or the like, or can be electrically connected to a wiring pattern layer or an external connection terminal of the wiring board.

引き続いて、本発明のいくつかの実施例を添付の図面を参照して説明する。なお、本発明は、これらの実施例によって限定されるものでないことは言うまでもない。   Subsequently, several embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Needless to say, the present invention is not limited to these examples.

図1は、本発明による配線基板の好ましい1形態を示した断面図である。配線基板10は、フェノール樹脂積層板からなる基板1と、その基板の片面に積層されたエポキシ樹脂からなる絶縁樹脂層2とを備えている。絶縁樹脂層2は、図示されるように、上面が露出した配線パターン層(配線回路)6を備えている。配線パターン層6は、絶縁樹脂層2に形成された凹状の溝に電解めっきで銅を充填した後、余分に堆積された銅めっきを上部研磨によって除去することによって形成されたものである。配線基板10の形成のために上部研磨が行われているので、絶縁樹脂層2の表面と配線パターン層6の表面とは同一レベルであり、したがって、配線基板10は平坦な表面を有している。   FIG. 1 is a cross-sectional view showing a preferred embodiment of a wiring board according to the present invention. The wiring substrate 10 includes a substrate 1 made of a phenolic resin laminate and an insulating resin layer 2 made of an epoxy resin laminated on one side of the substrate. As shown in the figure, the insulating resin layer 2 includes a wiring pattern layer (wiring circuit) 6 with the upper surface exposed. The wiring pattern layer 6 is formed by filling a concave groove formed in the insulating resin layer 2 with copper by electrolytic plating and then removing the excessively deposited copper plating by upper polishing. Since the upper polishing is performed to form the wiring substrate 10, the surface of the insulating resin layer 2 and the surface of the wiring pattern layer 6 are at the same level. Therefore, the wiring substrate 10 has a flat surface. Yes.

図示の配線基板10は、以下の説明から理解できるように、従来一般的に使用されているセミアディティブ法を使用しないで形成可能である。したがって、従来の方法で発生したフォトレジストの使用に原因する解像度、密着性の問題を解決してより微細な配線の形成が可能となり、レジストパターンの倒れや線間のレジスト残りなどの問題も解消できる。また、配線となる溝をエッチングで形成できるので、配線密度に応じて絶縁樹脂層の厚さを変更する必要性がなくなる。さらに、配線パターン層は平坦な表面を有しているので、その上にさらに絶縁樹脂層を積層する時など、その層の厚さの管理が容易となり、ひいては特性インピーダンスの改善が可能となる。   As can be understood from the following description, the illustrated wiring board 10 can be formed without using a semi-additive method that is generally used conventionally. Therefore, resolution and adhesion problems caused by the use of photoresist caused by conventional methods can be solved to form finer wiring, and problems such as resist pattern collapse and resist residue between lines can be solved. it can. In addition, since the groove to be the wiring can be formed by etching, there is no need to change the thickness of the insulating resin layer according to the wiring density. Furthermore, since the wiring pattern layer has a flat surface, it is easy to manage the thickness of the layer, for example, when an insulating resin layer is further laminated thereon, and the characteristic impedance can be improved.

図1に図示した配線基板は、例えば、図3及び図4に順を追って示す方法によって有利に製造することができる。   The wiring board shown in FIG. 1 can be advantageously manufactured by, for example, the method shown in order in FIG. 3 and FIG.

まず、工程(A)に示されるように、基板として用意したフェノール樹脂積層板1の片面にエポキシ樹脂を積層して絶縁樹脂層2を形成する。エポキシ樹脂の積層は、例えば、積層プレスで行うことができる。   First, as shown in step (A), an insulating resin layer 2 is formed by laminating an epoxy resin on one side of a phenolic resin laminate 1 prepared as a substrate. The lamination of the epoxy resin can be performed by, for example, a lamination press.

次いで、工程(B)に示されるように、絶縁樹脂層2の上にシード層3を形成する。シード層3は、例えば金属箔の積層、無電解めっき、スパッタリング、真空蒸着などで形成することができるけれども、本例の場合、約1.5μm厚の極薄銅箔を積層することによってこのシード層3を形成した。   Next, as shown in step (B), a seed layer 3 is formed on the insulating resin layer 2. The seed layer 3 can be formed, for example, by laminating metal foil, electroless plating, sputtering, vacuum deposition, or the like. In this example, the seed layer 3 is formed by laminating an ultrathin copper foil having a thickness of about 1.5 μm. Layer 3 was formed.

シード層3の形成後、そのパターン化工程に移行する。形成されたシード層3において、配線パターン層の形成部位に形成されたシード層のみを基板から選択的に除去するためである。   After the seed layer 3 is formed, the patterning process is performed. This is because in the formed seed layer 3, only the seed layer formed at the site where the wiring pattern layer is formed is selectively removed from the substrate.

最初に、工程(C)に示されるように、シード層3の上にフォトレジストを約10μm厚で塗布し、硬化させる。本例で使用したフォトレジストは、東京応化工業社製の「PMER(商品名)」であった。シード層3の全面を覆った薄いレジスト層4が形成される。   First, as shown in step (C), a photoresist is applied on the seed layer 3 to a thickness of about 10 μm and cured. The photoresist used in this example was “PMER (trade name)” manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. A thin resist layer 4 covering the entire surface of the seed layer 3 is formed.

次いで、形成されたレジスト層4にそのフォトレジストについて規定された露光源で所定の条件下にパターン露光を施し、さらに所定の現像液で不要部分を溶解除去する。工程(D)に示されるように、配線パターン層の形成部位14において下地のシード層3が露出したレジストパターン4が得られる。レジスト層4が薄いので、微細なパターニングが可能である。   Next, pattern exposure is performed on the formed resist layer 4 under a predetermined condition with an exposure source defined for the photoresist, and unnecessary portions are dissolved and removed with a predetermined developer. As shown in step (D), a resist pattern 4 is obtained in which the underlying seed layer 3 is exposed at the wiring pattern layer forming portion 14. Since the resist layer 4 is thin, fine patterning is possible.

その後、レジストパターン4をマスクとして、露出しているシード層3をいわゆるソフトエッチングによって選択的に除去する。本例で使用したエッチング液は、メック社製の「VE−7100(商品名)」であった。ソフトエッチングの結果、工程(E)に示されるように、配線パターン層の形成部位14にあるシード層3が通常のエッチングラインで除去される。   Thereafter, using the resist pattern 4 as a mask, the exposed seed layer 3 is selectively removed by so-called soft etching. The etching solution used in this example was “VE-7100 (trade name)” manufactured by MEC. As a result of the soft etching, as shown in step (E), the seed layer 3 in the wiring pattern layer forming portion 14 is removed by a normal etching line.

最後に使用済みのレジストパターンを基板から剥離除去する。工程(F)に示されるように、パターン化されたシード層3を絶縁樹脂層2の上に備えた基板1が得られる。   Finally, the used resist pattern is peeled off from the substrate. As shown in the step (F), the substrate 1 having the patterned seed layer 3 on the insulating resin layer 2 is obtained.

上記のようにしてシード層を選択的に除去した後、工程(G)に示されるように、パターン化されたシード層3をマスクとして絶縁樹脂層2の露出領域を予め定められた深さまでエッチングして、凹状の溝12を形成する。本例の場合、異方性を有するプラズマエッチングによって溝12を形成した。プラズマエッチングの条件は、次の通りである。   After selectively removing the seed layer as described above, the exposed region of the insulating resin layer 2 is etched to a predetermined depth using the patterned seed layer 3 as a mask, as shown in step (G). Thus, the concave groove 12 is formed. In this example, the groove 12 was formed by plasma etching having anisotropy. The conditions for plasma etching are as follows.

反応性ガス:O=900sccm;CF=100sccm
出力:1,500W
エッチング深さ(絶縁樹脂層):約10μm
Reactive gas: O 2 = 900 sccm; CF 4 = 100 sccm
Output: 1,500W
Etching depth (insulating resin layer): about 10 μm

本例の場合、異方性を有するプラズマエッチングを実施したので、凹状の溝12を所望のプロファイルで形成することができた。参考までに図5を参照して説明すると、工程(A)のように異方性を伴わないで矢印方向にエッチングを実施したとすると、エッチングの進行につれて、工程(B)に示されるように、形成される溝12の底面aが粗面化されるとともに、溝12の側面bにおいてサイドエッチングが引き起こされる。換言すると、本発明に従い異方性を有するプラズマエッチングを実施することによって、線間が狭い微細な溝12を正確に形成することができる。   In this example, since the anisotropic plasma etching was performed, the concave groove 12 could be formed with a desired profile. For reference, referring to FIG. 5, if etching is performed in the direction of the arrow without anisotropy as in step (A), as etching progresses, as shown in step (B) The bottom surface a of the groove 12 to be formed is roughened, and side etching is caused on the side surface b of the groove 12. In other words, by performing plasma etching having anisotropy according to the present invention, it is possible to accurately form the fine groove 12 having a narrow line spacing.

配線パターン層の形成のための凹状溝を上記のようにして形成した後、めっきによって配線パターン形成材料を堆積し、配線パターンの前駆体を形成する。本例の場合、配線パターン形成材料として銅を使用してこの配線パターン前駆体形成工程を実施した。   After the concave groove for forming the wiring pattern layer is formed as described above, a wiring pattern forming material is deposited by plating to form a wiring pattern precursor. In the case of this example, this wiring pattern precursor formation process was implemented using copper as a wiring pattern forming material.

まず、工程(H)に示されるように、溝12を備えた絶縁樹脂層2の表面に約1μm厚で無電解銅めっき層5を形成する。本例で使用した無電解銅めっき液は、上村工業社製の「スルカップPEA(商品名)」であった。なお、簡略化のために図では省略されているが、無電解銅めっき層5の下には、先の工程で形成したパターン化されたシード層も残存している。   First, as shown in the step (H), the electroless copper plating layer 5 is formed with a thickness of about 1 μm on the surface of the insulating resin layer 2 provided with the grooves 12. The electroless copper plating solution used in this example was “Sulcup PEA (trade name)” manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd. Although omitted in the figure for simplification, the patterned seed layer formed in the previous step also remains under the electroless copper plating layer 5.

引き続いて、形成された無電解銅めっき層5を給電層として使用して電解銅めっきを実施する。この電解銅めっきの結果、工程(I)に示されるように、絶縁樹脂層2の凹状溝12を充填した厚膜の電解銅めっき層6が形成される。なお、簡略化のために図では省略されているが、電解銅めっき層6の下には、先の工程で形成した無電解銅めっき層5も残存している。   Subsequently, electrolytic copper plating is performed using the formed electroless copper plating layer 5 as a power feeding layer. As a result of this electrolytic copper plating, as shown in step (I), a thick electrolytic copper plating layer 6 filled with the concave grooves 12 of the insulating resin layer 2 is formed. Although omitted in the drawing for simplification, the electroless copper plating layer 5 formed in the previous step also remains below the electrolytic copper plating layer 6.

最後に、工程(J)に示されるように、厚膜で形成された電解銅めっき層6の上方部分(過剰量の銅めっき;図では、点線で示される)を基板1の表面側から研磨によって除去する。本例で使用した研磨法は、CMP法である。研磨の結果、平坦な表面を有しかつ配線パターン層6が露出した配線基板10が得られる。   Finally, as shown in the step (J), the upper part of the electrolytic copper plating layer 6 formed of a thick film (excessive amount of copper plating; indicated by a dotted line in the figure) is polished from the surface side of the substrate 1. To remove. The polishing method used in this example is a CMP method. As a result of polishing, a wiring substrate 10 having a flat surface and exposing the wiring pattern layer 6 is obtained.

別法に従えば、図1に図示した配線基板は、図6及び図7に順を追って示す方法によっても有利に製造することができる。この方法の場合、フォトレジストをエッチングのマスクとして使用するので、図3及び図4を参照して先に説明した方法に比較して工程を短縮し、簡略化することができる。   According to another method, the wiring board shown in FIG. 1 can be advantageously manufactured also by the method shown in order in FIGS. In the case of this method, since the photoresist is used as an etching mask, the process can be shortened and simplified as compared with the method described above with reference to FIGS.

まず、工程(A)に示されるように、基板として用意したフェノール樹脂積層板1の片面にエポキシ樹脂を積層して絶縁樹脂層2を形成する。   First, as shown in step (A), an insulating resin layer 2 is formed by laminating an epoxy resin on one side of a phenolic resin laminate 1 prepared as a substrate.

次いで、工程(B)に示されるように、絶縁樹脂層2の上にレジスト層7を形成する。レジスト層7は、後段のエッチング工程に耐え得る段差を確保するため、比較的に厚膜で形成することが好ましいので、本例の場合、約15μm厚のドライフィルムレジスト(ニチゴー・モートン社製の「ALPHO(商品名)」)からレジスト層7を形成した。   Next, as shown in step (B), a resist layer 7 is formed on the insulating resin layer 2. Since the resist layer 7 is preferably formed with a relatively thick film in order to secure a level difference that can withstand a subsequent etching process, in this example, a dry film resist having a thickness of about 15 μm (manufactured by Nichigo Morton) is used. A resist layer 7 was formed from “ALPHA (trade name)”.

次いで、工程(C)に示されるように、配線パターン層の形成部位17に形成されたレジスト層7を基板から選択的に除去する。この工程では、レジスト層7にそのドライフィルムレジストについて規定された露光源で所定の条件下にパターン露光を施し、さらに所定の現像液で不要部分を溶解除去する。図示されるように、配線パターン層の形成部位17において下地の絶縁樹脂層2が露出したレジストパターン層7が得られる。   Next, as shown in step (C), the resist layer 7 formed at the wiring pattern layer forming portion 17 is selectively removed from the substrate. In this step, the resist layer 7 is subjected to pattern exposure under a predetermined condition with an exposure source defined for the dry film resist, and unnecessary portions are dissolved and removed with a predetermined developer. As shown in the figure, a resist pattern layer 7 is obtained in which the underlying insulating resin layer 2 is exposed at the wiring pattern layer forming portion 17.

上記のようにしてレジストパターン層を形成した後、工程(D)に示されるように、レジストパターン層7をマスクとして絶縁樹脂層2の露出領域を予め定められた深さまでエッチングして、凹状の溝12を形成する。本例の場合、異方性を有するプラズマエッチングによって溝12を形成した。プラズマエッチングの条件は、次の通りである。   After forming the resist pattern layer as described above, as shown in step (D), the exposed region of the insulating resin layer 2 is etched to a predetermined depth using the resist pattern layer 7 as a mask to form a concave shape. A groove 12 is formed. In this example, the groove 12 was formed by plasma etching having anisotropy. The conditions for plasma etching are as follows.

反応性ガス:O=900sccm;CF=100sccm
出力:1,500W
エッチング深さ(絶縁樹脂層):約10μm
Reactive gas: O 2 = 900 sccm; CF 4 = 100 sccm
Output: 1,500W
Etching depth (insulating resin layer): about 10 μm

プラズマエッチングの完了後、使用済みのレジストパターン層を剥離除去する。工程(E)に示されるように、配線パターン層の形成部位に凹状溝12を備えた基板1が得られる。   After the plasma etching is completed, the used resist pattern layer is peeled off. As shown in the step (E), the substrate 1 provided with the concave grooves 12 at the site where the wiring pattern layer is formed is obtained.

配線パターン層の形成のための凹状溝を上記のようにして形成した後、めっきによって配線パターン形成材料を堆積し、配線パターンの前駆体を形成する。本例の場合、配線パターン形成材料として銅を使用してこの配線パターン前駆体形成工程を実施した。   After the concave groove for forming the wiring pattern layer is formed as described above, a wiring pattern forming material is deposited by plating to form a wiring pattern precursor. In the case of this example, this wiring pattern precursor formation process was implemented using copper as a wiring pattern forming material.

まず、工程(F)に示されるように、溝12を備えた絶縁樹脂層2の表面に約1μm厚で無電解銅めっき層5を形成する。本例で使用した無電解銅めっき液は、上村工業社製の「スルカップPEA(商品名)」であった。   First, as shown in step (F), the electroless copper plating layer 5 is formed with a thickness of about 1 μm on the surface of the insulating resin layer 2 provided with the grooves 12. The electroless copper plating solution used in this example was “Sulcup PEA (trade name)” manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.

引き続いて、形成された無電解銅めっき層5を給電層として使用して電解銅めっきを実施する。この電解銅めっきの結果、工程(G)に示されるように、絶縁樹脂層2の凹状溝12を充填した厚膜の電解銅めっき層6が形成される。   Subsequently, electrolytic copper plating is performed using the formed electroless copper plating layer 5 as a power feeding layer. As a result of this electrolytic copper plating, as shown in step (G), a thick electrolytic copper plating layer 6 filled with the concave grooves 12 of the insulating resin layer 2 is formed.

最後に、工程(H)に示されるように、厚膜で形成された電解銅めっき層6の上方部分(過剰量の銅めっき;図では、点線で示される)を基板1の表面側から研磨によって除去する。本例で使用した研磨法は、CMP法である。研磨の結果、平坦な表面を有しかつ配線パターン層6が露出した配線基板10が得られる。   Finally, as shown in the step (H), the upper part of the electrolytic copper plating layer 6 formed of a thick film (excessive amount of copper plating; indicated by a dotted line in the figure) is polished from the surface side of the substrate 1. To remove. The polishing method used in this example is a CMP method. As a result of polishing, a wiring substrate 10 having a flat surface and exposing the wiring pattern layer 6 is obtained.

図2は、本発明による配線基板のもう1つの好ましい形態を示した断面図である。配線基板10は、フェノール樹脂積層板からなる基板1と、その基板の片面に積層されたエポキシ樹脂からなる絶縁樹脂層2とを備えている。絶縁樹脂層2は、図示されるように、内層の配線パターン層(配線回路)8と、上面が露出した外層の配線パターン層(配線回路)6を備えている。配線パターン層6は、絶縁樹脂層2に形成された凹状の溝に電解めっきで銅を充填した後、余分に堆積された銅めっきを上部研磨によって除去することによって形成されたものである。配線基板10の形成のために上部研磨が行われているので、絶縁樹脂層2の表面と配線パターン層6の表面とは同一レベルであり、したがって、配線基板10は平坦な表面を有している。また、配線パターン層8と配線パターン層6がフィルドビア9を介して電気的に接続されている。容易に理解されるように、図2の配線基板10は、先に説明した図1の配線基板10と同様な構成を有しているけれども、配線パターン層8と配線パターン層6とがフィルドビア9を介して電気的に接続されているので、配線基板の多層構造化に寄与することができる。   FIG. 2 is a cross-sectional view showing another preferred embodiment of the wiring board according to the present invention. The wiring substrate 10 includes a substrate 1 made of a phenolic resin laminate and an insulating resin layer 2 made of an epoxy resin laminated on one side of the substrate. As shown in the figure, the insulating resin layer 2 includes an inner wiring pattern layer (wiring circuit) 8 and an outer wiring pattern layer (wiring circuit) 6 with the upper surface exposed. The wiring pattern layer 6 is formed by filling a concave groove formed in the insulating resin layer 2 with copper by electrolytic plating and then removing the excessively deposited copper plating by upper polishing. Since the upper polishing is performed to form the wiring substrate 10, the surface of the insulating resin layer 2 and the surface of the wiring pattern layer 6 are at the same level. Therefore, the wiring substrate 10 has a flat surface. Yes. Further, the wiring pattern layer 8 and the wiring pattern layer 6 are electrically connected through a filled via 9. As can be easily understood, the wiring board 10 of FIG. 2 has the same configuration as the wiring board 10 of FIG. 1 described above, but the wiring pattern layer 8 and the wiring pattern layer 6 are filled vias 9. Therefore, the wiring board can be multi-layered.

図2に図示した配線基板は、図8及び図9に順を追って示す方法によって有利に製造することができる。   The wiring board shown in FIG. 2 can be advantageously manufactured by the method shown in order in FIGS.

まず、工程(A)に示されるように、基板として用意したフェノール樹脂積層板1の片面に内層の配線パターン層(配線回路)8及び絶縁樹脂層2を順次形成する。本例の場合、銅箔を基板1上に積層した後、所望とする配線パターンに応じて不要部分をエッチングすることによって内層配線パターン層8を得た。また、内層配線パターン層8を形成した後の基板1の上にエポキシ樹脂を塗布し、硬化させることによって絶縁樹脂層2を得た。   First, as shown in step (A), an inner wiring pattern layer (wiring circuit) 8 and an insulating resin layer 2 are sequentially formed on one side of a phenolic resin laminate 1 prepared as a substrate. In the case of this example, after laminating the copper foil on the substrate 1, the inner wiring pattern layer 8 was obtained by etching unnecessary portions according to the desired wiring pattern. Moreover, the insulating resin layer 2 was obtained by apply | coating an epoxy resin on the board | substrate 1 after forming the inner layer wiring pattern layer 8, and making it harden | cure.

引き続いて、工程(B)に示されるように、形成された絶縁樹脂層2のフィルドビア形成部位に貫通孔22を形成する。本例の場合、レーザードリリングを使用して貫通孔22を形成した。貫通孔22は、図示されるように、内層配線パターン層8で終端している。   Subsequently, as shown in step (B), a through hole 22 is formed in the filled via formation portion of the formed insulating resin layer 2. In the case of this example, the through hole 22 was formed using laser drilling. The through hole 22 terminates in the inner wiring pattern layer 8 as illustrated.

次いで、工程(C)に示されるように、絶縁樹脂層2の上にレジスト層7を形成する。レジスト層7は、後段のエッチング工程に耐え得る段差を確保するため、比較的に厚膜で形成することが好ましいので、本例の場合、約15μm厚のドライフィルムレジスト(ニチゴー・モートン社製の「ALPHO(商品名)」)からレジスト層7を形成した。   Next, as shown in step (C), a resist layer 7 is formed on the insulating resin layer 2. Since the resist layer 7 is preferably formed with a relatively thick film in order to secure a level difference that can withstand a subsequent etching process, in this example, a dry film resist having a thickness of about 15 μm (manufactured by Nichigo Morton) is used. A resist layer 7 was formed from “ALPHA (trade name)”.

次いで、工程(D)に示されるように、配線パターン層の形成部位17に形成されたレジスト層7を基板から選択的に除去する。この工程では、レジスト層7にそのドライフィルムレジストについて規定された露光源で所定の条件下にパターン露光を施し、さらに所定の現像液で不要部分を溶解除去する。図示されるように、配線パターン層の形成部位17において絶縁樹脂層2又は内層配線パターン層8が露出したレジストパターン層7が得られる。   Next, as shown in step (D), the resist layer 7 formed in the wiring pattern layer forming portion 17 is selectively removed from the substrate. In this step, the resist layer 7 is subjected to pattern exposure under a predetermined condition with an exposure source defined for the dry film resist, and unnecessary portions are dissolved and removed with a predetermined developer. As shown in the figure, a resist pattern layer 7 is obtained in which the insulating resin layer 2 or the inner wiring pattern layer 8 is exposed at the wiring pattern layer forming portion 17.

上記のようにしてレジストパターン層を形成した後、工程(E)に示されるように、レジストパターン層7をマスクとして絶縁樹脂層2の露出領域を予め定められた深さまでエッチングして、凹状の溝12及び凹状の段差付き溝12を形成する。本例の場合、異方性を有するプラズマエッチングによってそれぞれの凹状溝を形成した。プラズマエッチングの条件は、次の通りである。   After forming the resist pattern layer as described above, as shown in step (E), the exposed region of the insulating resin layer 2 is etched to a predetermined depth using the resist pattern layer 7 as a mask to form a concave shape. A groove 12 and a concave stepped groove 12 are formed. In the case of this example, each concave groove was formed by plasma etching having anisotropy. The conditions for plasma etching are as follows.

反応性ガス:O=900sccm;CF=100sccm
出力:1,500W
エッチング深さ(絶縁樹脂層):約10μm
Reactive gas: O 2 = 900 sccm; CF 4 = 100 sccm
Output: 1,500W
Etching depth (insulating resin layer): about 10 μm

プラズマエッチングの完了後、使用済みのレジストパターン層を剥離除去する。工程(F)に示されるように、配線パターン層の形成部位に凹状の溝12又は凹状の段差付き溝12を備えた基板1が得られる。   After the plasma etching is completed, the used resist pattern layer is peeled off. As shown in the step (F), the substrate 1 provided with the concave groove 12 or the concave stepped groove 12 at the formation site of the wiring pattern layer is obtained.

配線パターン層の形成のための凹状溝を上記のようにして形成した後、めっきによって配線パターン形成材料を堆積し、配線パターンの前駆体を形成する。本例の場合、配線パターン形成材料として銅を使用してこの配線パターン前駆体形成工程を実施した。   After the concave groove for forming the wiring pattern layer is formed as described above, a wiring pattern forming material is deposited by plating to form a wiring pattern precursor. In the case of this example, this wiring pattern precursor formation process was implemented using copper as a wiring pattern forming material.

まず、工程(G)に示されるように、溝12を備えた絶縁樹脂層2の表面に約1μm厚で無電解銅めっき層5を形成する。本例で使用した無電解銅めっき液は、上村工業社製の「スルカップPEA(商品名)」であった。   First, as shown in the step (G), the electroless copper plating layer 5 is formed with a thickness of about 1 μm on the surface of the insulating resin layer 2 provided with the grooves 12. The electroless copper plating solution used in this example was “Sulcup PEA (trade name)” manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.

引き続いて、形成された無電解銅めっき層5を給電層として使用して電解銅めっきを実施する。この電解銅めっきの結果、工程(H)に示されるように、絶縁樹脂層2の凹状溝12を充填した厚膜の電解銅めっき層6が形成される。   Subsequently, electrolytic copper plating is performed using the formed electroless copper plating layer 5 as a power feeding layer. As a result of this electrolytic copper plating, as shown in step (H), a thick electrolytic copper plating layer 6 filled with the concave grooves 12 of the insulating resin layer 2 is formed.

最後に、工程(I)に示されるように、厚膜で形成された電解銅めっき層6の上方部分(過剰量の銅めっき;図では、点線で示される)を基板1の表面側から研磨によって除去する。本例で使用した研磨法は、CMP法である。研磨の結果、平坦な表面を有しかつ配線パターン層6が露出した配線基板10が得られる。また、配線パターン層6の一部は、銅を充填したフィルドビア9を介して内層配線パターン層8と電気的に接続されている。   Finally, as shown in step (I), the upper part of the electrolytic copper plating layer 6 formed of a thick film (excessive amount of copper plating; indicated by a dotted line in the figure) is polished from the surface side of the substrate 1. To remove. The polishing method used in this example is a CMP method. As a result of polishing, a wiring substrate 10 having a flat surface and exposing the wiring pattern layer 6 is obtained. A part of the wiring pattern layer 6 is electrically connected to the inner wiring pattern layer 8 through a filled via 9 filled with copper.

図10は、図1の配線基板を使用して作製した本発明の半導体装置の1形態を示した断面図である。半導体装置20は、配線基板10を備え、その表面に2個の半導体素子(図では、LSIチップ)21が実装されている。配線基板10は、フェノール樹脂積層板からなる基板1と、その基板の片面に積層されたエポキシ樹脂からなる絶縁樹脂層2とを備えている。絶縁樹脂層2は、上面が露出した銅配線パターン層6を備えている。銅配線パターン層6を含む配線基板10の表面は平坦であるので、LSIチップ21は安定に搭載されている。また、それぞれのLSIチップ21は、ボンディングワイヤ23を介して銅配線パターン層6に接続されている。図示しないが、LSIチップ21は、絶縁性の樹脂で封止されている。   FIG. 10 is a cross-sectional view showing one embodiment of the semiconductor device of the present invention manufactured using the wiring board of FIG. The semiconductor device 20 includes a wiring board 10 on which two semiconductor elements (LSI chips in the figure) 21 are mounted. The wiring substrate 10 includes a substrate 1 made of a phenolic resin laminate and an insulating resin layer 2 made of an epoxy resin laminated on one side of the substrate. The insulating resin layer 2 includes a copper wiring pattern layer 6 whose upper surface is exposed. Since the surface of the wiring board 10 including the copper wiring pattern layer 6 is flat, the LSI chip 21 is stably mounted. Each LSI chip 21 is connected to the copper wiring pattern layer 6 through a bonding wire 23. Although not shown, the LSI chip 21 is sealed with an insulating resin.

本発明による配線基板の好ましい1形態を示した断面図である。It is sectional drawing which showed one preferable form of the wiring board by this invention. 本発明による配線基板のもう1つの好ましい形態を示した断面図である。It is sectional drawing which showed another preferable form of the wiring board by this invention. 図1の配線基板の製造プロセス(前半)を順を追って示した断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process (first half) of the wiring board of FIG. 図1の配線基板の製造プロセス(後半)を順を追って示した断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process (second half) of the wiring board of FIG. 1 in order. 図1の配線基板の製造プロセスにおいて本発明以外の方法を使用した場合の欠点を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the fault at the time of using the method other than this invention in the manufacturing process of the wiring board of FIG. 図1の配線基板の別の製造プロセス(前半)を順を追って示した断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating another manufacturing process (first half) of the wiring board of FIG. 1 step by step. 図1の配線基板の別の製造プロセス(後半)を順を追って示した断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating another manufacturing process (second half) of the wiring board of FIG. 1 in order. 図2の配線基板の製造プロセス(前半)を順を追って示した断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view sequentially showing a manufacturing process (first half) of the wiring board of FIG. 2. 図2の配線基板の製造プロセス(後半)を順を追って示した断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process (second half) of the wiring board of FIG. 2 in order. 図1の配線基板を使用した本発明の半導体装置の1形態を示した断面図である。It is sectional drawing which showed one form of the semiconductor device of this invention using the wiring board of FIG. セミアディティブ法を使用してプリント配線板を製造する従来の製造プロセスを順を追って示した断面図である。It is sectional drawing which showed the conventional manufacturing process which manufactures a printed wiring board using a semi-additive method later on.

符号の説明Explanation of symbols

1 基板
2 絶縁樹脂層
3 シード層
4 レジスト層
5 無電解めっき層
6 電解めっき層
7 レジスト層
8 内層配線パターン層
9 フィルドビア
10 配線基板
20 半導体装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Board | substrate 2 Insulating resin layer 3 Seed layer 4 Resist layer 5 Electroless plating layer 6 Electrolytic plating layer 7 Resist layer 8 Inner wiring pattern layer 9 Filled via 10 Wiring board 20 Semiconductor device

Claims (20)

基板と、その上に形成された露出した配線パターン層とを備えた配線基板であって、
前記配線パターン層が、前記基板の所定の位置に予め定められた深さで形成された溝に配線パターンの前駆体を堆積した後にその配線パターンの前駆体の過剰量を前記基板の表面側から除去することによって形成されたものであり、かつ
前記配線基板が、平坦な表面を有していることを特徴とする配線基板。
A wiring board comprising a substrate and an exposed wiring pattern layer formed thereon,
After the wiring pattern layer is deposited in a groove formed at a predetermined depth in a predetermined position of the substrate, an excess amount of the wiring pattern precursor is removed from the surface side of the substrate. A wiring board formed by removing the wiring board, wherein the wiring board has a flat surface.
前記配線パターン層が、セミアディティブ法を使用しないで形成されたものであることを特徴とする請求項1に記載の配線基板。   The wiring board according to claim 1, wherein the wiring pattern layer is formed without using a semi-additive method. 前記配線パターンの前駆体が、導体金属のめっき堆積物からなることを特徴とする請求項1又は2に記載の配線基板。   The wiring board according to claim 1, wherein the precursor of the wiring pattern is made of a conductive metal plating deposit. 前記溝が、前記配線パターン層の形成部位にそのパターン層の厚さと同じかもしくはそれよりも深く形成されたエッチング溝であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の配線基板。   The said groove | channel is an etching groove | channel formed in the formation site | part of the said wiring pattern layer as the thickness of the pattern layer or deeper than that, The one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned. Wiring board. 前記溝が異方性エッチングによって形成されたものであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の配線基板。   The wiring board according to claim 1, wherein the groove is formed by anisotropic etching. 内層配線パターン層をさらに有していることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の配線基板。   The wiring board according to claim 1, further comprising an inner wiring pattern layer. 基板と、その上に形成された露出した配線パターン層とを備えた配線基板を製造する方法であって、
用意した基板の所定の位置に予め定められた深さで溝を形成する工程と、
前記基板の上に前記溝を含めて配線パターン形成材料を堆積して配線パターンの前駆体を形成する工程と、
前記配線パターンの前駆体の過剰量を前記基板の表面側から除去して、平坦な表面を有しかつ前記配線パターン層が露出した配線基板を形成する工程と
を含んでなることを特徴とする配線基板の製造方法。
A method of manufacturing a wiring board comprising a substrate and an exposed wiring pattern layer formed thereon,
Forming a groove at a predetermined depth in a predetermined position of the prepared substrate;
Depositing a wiring pattern forming material including the groove on the substrate to form a wiring pattern precursor;
Removing an excessive amount of the precursor of the wiring pattern from the surface side of the substrate to form a wiring substrate having a flat surface and exposing the wiring pattern layer. A method for manufacturing a wiring board.
前記配線パターン形成材料が導体金属からなり、前記配線パターンの前駆体をめっきによって形成することを特徴とする請求項7に記載の配線基板の製造方法。   The method for manufacturing a wiring board according to claim 7, wherein the wiring pattern forming material is made of a conductive metal, and the precursor of the wiring pattern is formed by plating. 前記溝形成工程において、前記基板をエッチングして、前記配線パターン層の形成部位にそのパターン層の厚さと同じかもしくはそれよりも深くエッチング溝を形成することを特徴とする請求項7又は8に記載の配線基板の製造方法。   9. The groove forming step, wherein the substrate is etched to form an etching groove at a position where the wiring pattern layer is formed, which is equal to or deeper than the thickness of the pattern layer. The manufacturing method of the wiring board as described. 前記エッチングが異方性エッチングであることを特徴とする請求項9に記載の配線基板の製造方法。   The method for manufacturing a wiring board according to claim 9, wherein the etching is anisotropic etching. 前記基板の表面側から研磨を行って、前記配線パターンの前駆体の過剰量を除去することを特徴とする請求項7〜10のいずれか1項に記載の配線基板の製造方法。   The method for manufacturing a wiring board according to any one of claims 7 to 10, wherein polishing is performed from a surface side of the board to remove an excessive amount of the precursor of the wiring pattern. 用意した基板の上に絶縁樹脂を積層し、
形成された絶縁樹脂層の上に導体金属からなるシード層を形成し、
前記基板から、前記配線パターン層の形成部位に形成された前記シード層を選択的に除去し、
前記シード層の存在下において、前記基板の露出領域を選択的に除去して予め定められた深さで溝を形成し、
前記基板の上に配線パターン形成材料を堆積するとともに前記溝に配線パターン形成材料を充填して配線パターンの前駆体を形成し、そして
前記配線パターンの前駆体の過剰量を前記基板の表面側から除去して、平坦な表面を有しかつ前記配線パターン層が露出した配線基板を形成することを特徴とする請求項7〜11のいずれか1項に記載の配線基板の製造方法。
Laminate insulating resin on the prepared board,
A seed layer made of a conductive metal is formed on the formed insulating resin layer,
Selectively removing the seed layer formed at the formation site of the wiring pattern layer from the substrate;
In the presence of the seed layer, the exposed region of the substrate is selectively removed to form a groove with a predetermined depth;
A wiring pattern forming material is deposited on the substrate and a wiring pattern forming material is filled in the groove to form a wiring pattern precursor, and an excess amount of the wiring pattern precursor is formed from the surface side of the substrate. The method for manufacturing a wiring board according to claim 7, wherein the wiring board is removed to form a wiring board having a flat surface and exposing the wiring pattern layer.
前記シード層の選択的除去工程を、レジスト材料の露光及び現像によって形成されたレジストマスクの存在下におけるソフトエッチングによって行うことを特徴とする請求項12に記載の配線基板の製造方法。   13. The method of manufacturing a wiring board according to claim 12, wherein the step of selectively removing the seed layer is performed by soft etching in the presence of a resist mask formed by exposure and development of a resist material. 用意した基板の上に絶縁樹脂を積層し、
形成された絶縁樹脂層の上にレジスト層を形成し、
前記基板から、前記配線パターン層の形成部位に形成された前記レジスト層を選択的に除去し、
形成されたレジストパターン層の存在下において、前記基板の露出領域を選択的に除去して予め定められた深さで溝を形成し、
前記基板の上に配線パターン形成材料を堆積するとともに前記溝に配線パターン形成材料を充填して配線パターンの前駆体を形成し、そして
前記配線パターンの前駆体の過剰量を前記基板の表面側から除去して、平坦な表面を有しかつ前記配線パターン層が露出した配線基板を形成することを特徴とする請求項7〜11のいずれか1項に記載の配線基板の製造方法。
Laminate insulating resin on the prepared board,
A resist layer is formed on the formed insulating resin layer,
From the substrate, selectively remove the resist layer formed in the formation site of the wiring pattern layer,
In the presence of the formed resist pattern layer, the exposed region of the substrate is selectively removed to form a groove with a predetermined depth,
A wiring pattern forming material is deposited on the substrate and a wiring pattern forming material is filled in the groove to form a wiring pattern precursor, and an excess amount of the wiring pattern precursor is formed from the surface side of the substrate. The method for manufacturing a wiring board according to claim 7, wherein the wiring board is removed to form a wiring board having a flat surface and exposing the wiring pattern layer.
前記レジスト層の選択的除去工程を、そのレジスト層の露光及び現像によって行うことを特徴とする請求項14に記載の配線基板の製造方法。   The method for manufacturing a wiring board according to claim 14, wherein the step of selectively removing the resist layer is performed by exposing and developing the resist layer. 用意した基板の上に導体金属からなる内層配線パターン層を形成し、
前記内層配線パターン層の上に絶縁樹脂を積層し、
形成された絶縁樹脂層のフィルドビア形成部位に貫通孔を形成し、
貫通孔が形成された絶縁樹脂層の上にレジスト層を形成し、
前記基板から、前記配線パターン層の形成部位に形成された前記レジスト層を選択的に除去し、
形成されたレジストパターン層の存在下において、前記基板の露出領域を選択的に除去して予め定められた深さで溝を形成し、
前記基板の上に配線パターン形成材料を堆積するとともに前記溝に配線パターン形成材料を充填して配線パターンの前駆体を形成し、そして
前記配線パターンの前駆体の過剰量を前記基板の表面側から除去して、平坦な表面を有しかつ前記配線パターン層が露出した配線基板を形成することを特徴とする請求項7〜11のいずれか1項に記載の配線基板の製造方法。
An inner wiring pattern layer made of a conductive metal is formed on the prepared substrate,
Laminating an insulating resin on the inner wiring pattern layer,
Form a through hole in the filled via formation site of the formed insulating resin layer,
A resist layer is formed on the insulating resin layer in which the through hole is formed,
From the substrate, selectively remove the resist layer formed in the formation site of the wiring pattern layer,
In the presence of the formed resist pattern layer, the exposed region of the substrate is selectively removed to form a groove with a predetermined depth,
A wiring pattern forming material is deposited on the substrate and a wiring pattern forming material is filled in the groove to form a wiring pattern precursor, and an excess amount of the wiring pattern precursor is formed from the surface side of the substrate. The method for manufacturing a wiring board according to claim 7, wherein the wiring board is removed to form a wiring board having a flat surface and exposing the wiring pattern layer.
前記レジスト層の選択的除去工程を、そのレジスト層の露光及び現像によって行うことを特徴とする請求項16に記載の配線基板の製造方法。   The method for manufacturing a wiring board according to claim 16, wherein the step of selectively removing the resist layer is performed by exposing and developing the resist layer. 前記貫通孔の形成をレーザーにより行うことを特徴とする請求項16又は17に記載の配線基板の製造方法。   18. The method for manufacturing a wiring board according to claim 16, wherein the through hole is formed by a laser. 請求項1〜6のいずれか1項に記載の配線基板と、その配線基板の表面及び(又は)内部に実装された少なくとも1種類の電子部品とを含んでなることを特徴とする電子装置。   An electronic device comprising: the wiring board according to claim 1; and at least one type of electronic component mounted on the surface and / or inside of the wiring board. 前記電子部品が半導体素子であることを特徴とする請求項19に記載の電子装置。   The electronic device according to claim 19, wherein the electronic component is a semiconductor element.
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