JP2000100834A

JP2000100834A - 太陽電池用テルル化カドミウム膜の処理方法と処理装置

Info

Publication number: JP2000100834A
Application number: JP10266573A
Authority: JP
Inventors: Tetsuya Niimoto; 哲也新本; Hideaki Oyama; 秀明大山; Kuniyoshi Omura; 邦嘉尾村; Mikio Murozono; 幹夫室園
Original assignee: Matsushita Battery Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1998-09-21
Filing date: 1998-09-21
Publication date: 2000-04-07
Anticipated expiration: 2018-09-21
Also published as: JP3465872B2

Abstract

(57)【要約】【課題】ＣｄＴｅ膜のハロゲン化合物による熱処理工
程における、処理の均一性、迅速性の向上と材料ロスの
削減および不純物混入の防止を計り、高性能のＣｄＴｅ
系太陽電池を低コストで提供することを目的とする。【解決手段】ＣｄＴｅ膜を形成した熱処理用基板にハ
ロゲン化合物溶液のミストを熱処理用基板上に噴霧塗布
する塗布工程、酸素を含む不活性ガス中で所定の温度に
加熱する加熱工程、これを洗浄する工程を連続して行
う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、太陽電池用テルル
化カドミウム膜の処理方法およびその処理装置に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】種々の半導体材料の中でもテルル化カド
ミウム（以下、ＣｄＴｅという）は禁制帯幅が１．４４
ｅＶと太陽光スペクトルとの整合性が高いために、従来
より太陽電池のｐ型半導体として広く用いられている。
ＣｄＴｅ膜の形成方法としては、印刷焼結法、電解法、
蒸着法、近接昇華法等が一般に用いられている。

【０００３】図４に代表的なＣｄＴｅ系太陽電池であ
り、通常スーパーストレートタイプまたはフロントウオ
ールタイプと呼ばれている太陽電池の模式断面図を示
す。この太陽電池は、ガラス基板などの耐熱性の透光性
基板５２上に酸化錫、酸化インジウム錫などの透明導電
膜５３、及び硫化カドミウム（以下、ＣｄＳという）膜
５４、ＣｄＴｅ膜５５を順次形成し、これにカーボンも
しくはニッケル等の材料でオーミック電極５６を形成
し、さらにアルミニウム、あるいは銀とインジウムの混
合物等の金属電極５７を形成して構成されている。この
タイプの太陽電池には、光の入射方向に対して表面側に
透光性基板５２があるために、屋外で使用する場合に透
光性基板５２が保護層の役割を果たして耐候性を高める
利点がある。

【０００４】また、上記以外にサブストレートタイプま
たはバックウオールタイプと呼ばれる構造のＣｄＴｅ系
太陽電池も検討されており、その模式断面図を図５に示
す。一般的には、セラミック、金属などの耐熱性基板６
２上にカーボン膜などのオーミック電極６３、ＣｄＴｅ
膜６４、ＣｄＳ膜６５を順次形成し、これに酸化錫など
の透明導電膜６６を形成する。この後に金属電極６７を
形成して太陽電池を構成する。この構造の利点は、Ｃｄ
Ｓ膜６５や透明導電膜６６をＣｄＴｅ膜６４よりも先に
製膜するので、これらの膜がＣｄＴｅ製膜時の高温下で
損傷する心配がないことにある。また、ＣｄＴｅ系太陽
電池には、ｎ型半導体膜として上記のＣｄＳ膜以外に、
ＣｄＺｎＳ、ＩｎＯ、Ｉｎ（ＯＨ）₂等などの膜を用い
た太陽電池もある。

【０００５】一般的に上記のいずれのＣｄＴｅ系太陽電
池を構成する場合にも、ＣｄＴｅ膜を形成した後、この
ＣｄＴｅ膜をハロゲン又はハロゲン化合物と接触させた
状態で熱処理することが必要とされている。この熱処理
は、ＣｄＴｅ膜を構成するＣｄＴｅの結晶粒を適度に粒
成長させると共に、結晶内の格子欠陥を減少させること
を主目的に行うものである。また同時に、塩素等のドー
パントとして有効な元素をＣｄＴｅ膜内に拡散させてｐ
ｎ接合の形成を容易にする効果もある。したがって、こ
の熱処理の成否は、ＣｄＴｅ膜を用いた太陽電池の性能
を左右する重要な事柄である。以下、便宜上、上記の熱
処理に供するＣｄＴｅ膜形成済みの耐熱性基板を全て包
含して熱処理用基板という。

【０００６】これまで、上記ＣｄＴｅ膜の熱処理に関し
て、下記の方法が提案されている。第１の方法として、
熱処理用基板のＣｄＴｅ膜表面に、浸漬塗布、ロールコ
ーター塗布、スピンコーティング、スプレー等の方法で
ハロゲン化合物溶液を塗布して乾燥させた後、加熱する
方法（特開平１０−４２０５号公報）がある。しかし、
上記の塗布方法により前記溶液を塗布する場合には、塗
膜が乾燥される際にハロゲン化合物がＣｄＴｅ膜上に不
均一に偏析し、熱処理の効果にムラができて太陽電池の
性能を低下させる問題があった。

【０００７】また、熱処理に必要なハロゲン化合物は極
少量であるに拘わらず、ＣｄＴｅ膜上に濃く析出してい
る部分には不要なハロゲン化合物が過剰に塗布されてい
ることになる。そのため、塗布成分の利用率が悪く、材
料コストが高くなると同時に、過剰な塗布成分を加熱後
に洗浄除去するために長時間を要し、作業コストが高く
なる問題があった。さらに従来は、溶液の塗布工程と加
熱工程、あるいは加熱工程と洗浄工程が非連続的に行わ
れていたために、熱処理用基板を各工程に移動させる過
程での有害な不純物の混入防止、及び製造時間短縮が困
難であった。

【０００８】第２の方法としては、熱処理用基板をハロ
ゲンガスを含む雰囲気中、例えば塩素ガスを導入した加
熱チャンバー内などで熱処理を行う方法（Proceeding o
f 1st world conference on photovoltaic energy conv
ersion, pp103-106,1994)が報告されている。しかしこ
の方法は、製造工程中にハロゲンガスを導入するに際し
ての安全管理が困難であった。

【０００９】これらの問題を解決するため、第３の方法
として、近接昇華法によるＣｄＴｅ膜の形成材料中にハ
ロゲン化合物を予め混合することによって、ＣｄＴｅ膜
の形成と上記熱処理を実質的に同時に行う試みが検討さ
れている。しかしこの方法では、熱処理によるＣｄＴｅ
の結晶成長効果が、現在のところ十分には得られていな
い。ちなみに、近接昇華法とはガラス、セラミック、金
属などの耐熱性基板と、主としてＣｄＴｅ粉末からなる
ＣｄＴｅ膜形成用材料層とを、近接させて配置し、前記
材料を加熱してこれを気化し、気化した材料より低い温
度の製膜用基板の表面にＣｄＴｅを析出させて膜形成す
る方法である。

【００１０】第４の方法として、耐熱性基板上に近接昇
華法などでＣｄＴｅ膜を形成後、引き続き、同一炉内で
シャッターを介して設けられたハロゲン化合物溶液のミ
ストを導入した雰囲気中で熱処理する方法（特願平９−
３６０４９２号）等がある。しかし、この方法では炉内
でミストの供給が行われ、排気口が炉の出口に設置され
ているため、炉内に溶媒蒸気が充満してハロゲン化合物
による処理が阻害される問題があった。また、単にダク
トで炉内にミストを導入する方法では、大面積の熱処理
用基板を処理する場合のミストの均一な噴霧塗布が困難
であった。また、ＣｄＴｅ膜の形成と熱処理の処理速度
に差があるために、ＣｄＴｅ膜の形成と熱処理を連続し
て行うためには、各装置間に時間調整用ダム等を設ける
必要があった。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、太陽電池用
ＣｄＴｅ膜の結晶性改善のためのハロゲン化合物による
熱処理における上記の問題点を解決し、高性能のＣｄＴ
ｅ系太陽電池を効率的に得ることを目的とする。そのた
め、上記処理工程中に有害な不純物が混入せず、大面積
でも均一な処理が可能で、しかも材料ロスの削減や処理
時間の短縮が可能な処理方法と処理装置を提供すること
を課題とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の太陽電池用ＣｄＴｅ膜の処理方法は、耐熱
性の基板上に形成されたテルル化カドミウム膜の表面に
ハロゲン化合物溶液のミストを噴霧することにより、前
記溶液を前記テルル化カドミウム膜上に塗布する工程、
前記溶液が塗布された前記基板を酸素を含む不活性ガス
雰囲気中で３５０℃以上、５００℃以下の温度範囲で加
熱する工程、及び加熱後の前記基板を洗浄する工程を有
し、これらの工程を連続して行うものである。

【００１３】また、本発明の太陽電池用ＣｄＴｅ膜の処
理装置は、ハロゲン化合物溶液を霧化してミストを発生
させ、前記ミストを輸送ガス中に混合する霧化部、前記
輸送ガスと混合された前記ミストを、テルル化カドミウ
ム膜が形成された耐熱性の基板（熱処理用基板）のテル
ル化カドミウム膜の表面に噴霧する塗布部、前記塗布部
に連なり、前記ミストが噴霧された前記基板を酸素を含
む不活性ガス雰囲気中で加熱する加熱部、前記加熱部に
連なり、加熱後の前記基板を洗浄し、この基板に付着し
た液滴を除去する洗浄部、および前記基板を前記塗布部
から前記加熱部を経由して前記洗浄部へ搬送する搬送装
置を具備するものである。

【００１４】上記の本発明の処理方法または処理装置に
より、太陽電池用ＣｄＴｅ膜の結晶性改善のためのハロ
ゲン化合物処理を、不純物を混入させることなく均一に
行うことができ、同時に材料ロスの削減と迅速な処理が
可能となる。その結果、高性能、低コストのＣｄＴｅ系
太陽電池を提供することができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明のＣｄＴｅ膜の処理方法
は、熱処理用基板のＣｄＴｅ膜の表面にハロゲン化合物
溶液のミストを噴霧することにより、前記溶液を塗布す
る工程、この熱処理用基板を酸素を含む不活性ガス雰囲
気中で所定の温度範囲で加熱する工程、および加熱後の
熱処理用基板を洗浄する工程を連続して行うものであ
る。本発明は、先に記述したフロントウオールタイプお
よびバックウオールタイプなどの各種ＣｄＴｅ系太陽電
池のＣｄＴｅ膜を熱処理する場合に共通して適用でき
る。即ち、本発明で熱処理の対象とするＣｄＴｅ膜は、
各種耐熱性基板上に直接形成される場合や前記基板上の
下地の膜上に形成される場合が包含される。

【００１６】本発明によれば、スプレー法、浸漬塗布法
等の従来の塗布方法のように多量の溶液を塗布して熱処
理する場合とは異なり、例えば超音波振動などで発生さ
せたミストを噴霧することにより、必要最少量の溶液を
ＣｄＴｅ膜表面に均一に塗布することが可能となる。こ
の塗膜を直ちに加熱して乾燥することにより、必要最少
量のハロゲン化合物をＣｄＴｅ膜上に均一に析出させる
ことができ、最小限度の塗布材料により均一な熱処理効
果を得ることができる。

【００１７】本発明に用いるハロゲン化合物としては塩
化カドミウムが代表的であるが、ヨウ化カドミウム、フ
ッ化カドミウム、塩化亜鉛、及び四塩化テルル等を用い
ることもできる。上記のハロゲン化合物は、主としてＣ
ｄＴｅの結晶性改善に寄与する融点降下剤として作用す
るが、これらを主体とし、微量の塩化銅、塩化カリウ
ム、フッ化銅などをドーピング材として混合して用いる
こともできる。

【００１８】また、上記ハロゲン化合物を溶解させる溶
媒としては、水、あるいはメタノール、エタノールなど
のアルコールが適している。水はハロゲン化合物の溶解
度が高いので溶液濃度を適宜調整することが可能で、さ
らに安価で取り扱いが容易な利点がある。一方、メタノ
ールあるいはエタノール中のハロゲン化合物の飽和溶解
度は約０．１ｍｏｌ／ｄｍ³であり、この濃度が熱処理
に用いる溶液の通常の適正濃度とほぼ一致するため、こ
れらの飽和溶液を用いることにより、溶液濃度を常に一
定に保ちながらミストを発生できる利点がある。

【００１９】なお、上記加熱工程は、通常、窒素などの
不活性ガス中に１０，０００ｐｐｍ前後の酸素を含有さ
せた３５０〜５００℃の雰囲気中で行うことが好まし
い。酸素濃度が不足したり、加熱温度が低い場合は、Ｃ
ｄＴｅの結晶性改善効果が不十分となり、酸素濃度が過
剰な場合や加熱温度が高い場合には、ＣｄＴｅ膜が酸化
されて特性が劣化する傾向がある。

【００２０】本発明のＣｄＴｅ膜の処理装置は、ハロゲ
ン化合物溶液を、例えば超音波振動などにより霧化して
ミストを発生させ、このミストを窒素、空気などの輸送
ガス中に混合する霧化部、輸送ガス中に混合されたミス
トを熱処理用基板のＣｄＴｅ膜の表面に噴霧することに
よって、溶液を塗布する塗布部、前記塗布部に連なり、
溶液が塗布された前記熱処理用基板を所定濃度の酸素を
含む不活性ガス雰囲気中で所定温度範囲に加熱する加熱
部、前記加熱部に連なり、加熱された前記熱処理用基板
を洗浄し、洗浄後に前記熱処理用基板に付着している液
滴を、例えば空気又は窒素ガスを吹き付けることにより
除去する洗浄部、および前記熱処理用基板を前記塗布部
から前記加熱部を経由して前記洗浄部へ、例えばローラ
ー、あるいはベルトコンベアなどにより搬送する搬送装
置を具備するものである。

【００２１】図１に上記処理装置の好ましい構成例の概
略図を示し、本発明をより詳細に説明する。霧化部１内
の超音波振動方式ミスト発生装置１０で発生させたハロ
ゲン化合物溶液のミストは、輸送ガス導入管２から同装
置１０内に導入された輸送ガスと混合され、ミスト供給
管３から塗布部１８内の塗布ノズル１１に供給される。
熱処理用基板４は、ＣｄＴｅ膜形成工程あるいは基板供
給庫９から搬送ローラー８により塗布部１８に搬送され
る。塗布部１８内に搬送された熱処理用基板４のＣｄＴ
ｅ膜の表面に、塗布ノズル１１に供給された前記ミスト
が塗布ノズル１１内の噴射口５から輸送ガスと共に噴射
され、熱処理用基板４のＣｄＴｅ膜表面に前記ミストが
噴霧されることにより溶液層となって塗布される。噴霧
された後の残余のミストと輸送ガスとは噴射口５の近傍
に設けた排気用ノズル６の排気口２６から排気管７を通
して、あるいは塗布部１８を囲う函体２１内に設けた排
気口２２より排気される。

【００２２】ミストが噴霧された熱処理用基板４は、搬
送ローラー８によりトンネル状マッフル１３とヒーター
１２を備えた加熱部１９に移され、温度と酸素濃度を制
御した不活性雰囲気のマッフル１３内をメッシュベルト
式搬送機構１６により搬送されながら加熱される。加熱
後の前記熱処理用基板４は、搬送ローラー８により洗浄
部２０に搬送され、洗浄用ノズル１４から吹き出したイ
オン交換水により洗浄され、次いでエアナイフ１５によ
って液滴が除去される。さらに、この熱処理用基板４
は、搬送ローラー８により、次工程もしくは基板収納庫
２１に移される。

【００２３】この処理装置により、塗布、加熱、洗浄の
各工程を連続して行うことができるので、有害な不純物
の混入と製造時間のロスを同時に防げる。また、ミスト
の噴霧による溶液塗布工程と加熱工程が隔離された箇所
で行われるので、加熱炉内に溶媒蒸気が充満してハロゲ
ン化合物による処理を阻害するといった問題もない。
又、超音波振動によりハロゲン化合物溶液の微細化され
たミストを噴霧して塗布するので均一な塗布が可能とな
り、ＣｄＴｅ膜の品質を向上させることができる。

【００２４】さらに、上記の本発明による処理装置の塗
布部１８は以下のように構成することが好適である。即
ち、前記ＣｄＴｅ膜の表面に前記溶液のミストを噴霧す
るノズルと排気口を備え、前記ノズル内の噴射口から前
記ミストを噴射する方向が、前記熱処理用基板のＣｄＴ
ｅ膜面に対して垂直方向から２０〜５０°の角度で排気
口２２側に傾いた方向になるよう前記ノズルを設置する
ものである。これにより、熱処理用基板上にミストを噴
霧する場合、ミストを効率良く熱処理用基板４上に塗布
し、且つ塗布されなかった噴射ミストと輸送ガスを円滑
に排気させることができる。

【００２５】図２にその好ましい構成例の主要部の概略
図を示し、具体的に説明する。霧化部１からミスト供給
管３を経由して、塗布部１８内のフレキシブルホース２
３から塗布ノズル１１に供給された輸送ガスとミスト
は、塗布ノズル１１内のミスト充填ボックス２７内に入
り、塗布ノズル１１内の吹き出しノズル２５に供給され
て噴射口５から噴射され、熱処理用基板４に噴霧され
る。ミスト充填ボックス２７の内壁に露結したミストは
ドレン４５に溜まり、ドレンバルブ２４から排出され
る。

【００２６】噴射口５から噴射されたミストは、熱処理
用基板４の表面に吹き付けられた後、残余のミストと輸
送ガスは熱処理用基板４の表面上を流れて排気用ノズル
６の排気口２６に吸い込まれ、フレキシブルホース２３
を経由して排気管７から排出される。同時にこの排出は
函体２１内に設けた排気口２２からも行われる。吹き出
しノズル２５は、噴射口５からのミストの吹き出し方向
が熱処理用基板４に対して垂直方向から２０゜〜５０゜
の範囲で排気口２２および排気用ノズル６側に傾いた角
度になるように設置する。なお、前記フレキシブルホー
ス２３の柔軟性を利用して、塗布ノズル１１と排気ノズ
ル６の設置角度や熱処理用基板４との距離を、適宜調節
できる構造になっている。

【００２７】本発明は、ミストの均一な塗布と円滑な排
気ができる条件を種々検討した結果、噴射口５からミス
トが吹き出される角度が熱処理用基板４の表面に対して
上記のように２０゜〜５０゜傾いた構造とすることが好
ましいことを見出したことに基づくものである。上記角
度範囲外の２０゜未満の場合には、排気口２２あるいは
排気用ノズル６の反対側方向にもミスト流が巻き上が
り、函体２１の内部全体に散乱してミストの均一な塗布
を阻害し、同時に円滑な排気が行われ難い。また、５０
゜を越える角度の場合には、熱処理用基板４へのミスト
の接触が少なくなり、塗布されずに排気されるミストが
多くなり、効率的に塗布し難くなる。

【００２８】また、上記装置の塗布ノズル１１及びその
周辺を囲う函体２１の構成部材の少なくとも一部を、塩
化ビニル樹脂、アクリル樹脂、ガラス等の透明部材で構
成することが好ましい。これにより、ミストの噴射状態
や塗布状態と排気の状況などを目視で確認しながら、ノ
ズルの噴射角度や熱処理用基板からの高さを調整して、
塗布条件をより適正に管理できるので、最小限の材料で
熱処理用基板上にハロゲン化合物溶液を均一に塗布する
ことが容易になる。

【００２９】本発明の処理装置における霧化部１として
は、超音波振動により発生させたミストを、ミスト中の
溶媒と同一の溶媒の蒸気を含んだ輸送ガスとともに、塗
布部１８に導入する機能を具備したものが有効である。
これにより、ミスト中の溶質成分がミスト発生装置１０
の容器中に析出して汚れることが防止でき、ミストの溶
液濃度やミストの発生率の変化を防止できる。

【００３０】次に、上記霧化部１の好ましい構成例を、
図３に示す概略図により説明する。輸送ガス４０を輸送
ガス導入管２８を通して液タンク３１中に収納された溶
媒２９中に送気して輸送ガス４０の泡３９を前記溶媒２
９中を通過させ、前記溶媒２９の蒸気を含んだ輸送ガス
４１を生成させる。この輸送ガス４１は、輸送ガス搬送
管４２からミストトラップ３２に入り、前記溶媒２９の
液滴が取り除かれる。ミストトラップ３２の底部に溜ま
った溶媒はネット３３により飛散が防止される。

【００３１】ミストトラップ３２を通過した輸送ガス４
３は、輸送ガス搬送管を通ってミスト発生部３６に入
り、前記溶媒２９と同一の溶媒にハロゲン化合物を溶解
した溶液３４を超音波振動子３５で霧化したミスト３８
と混合されて噴霧用ガス３７となる。この噴霧用ガス３
７はミスト供給管４４を通して塗布部に供給される。液
タンク３１、ミストトラップ３２、ミスト発生部３６に
は各々液抜き用のドレンバルブ３０が設けてある。

【００３２】ミストの輸送ガスとして、通常はコンプレ
ッサーにより発生させた圧縮空気や、工業用の窒素ガス
等を用いるが、ミスト中の溶媒成分が前記輸送ガス中に
蒸発することにより、ミストに溶解していた溶質成分
（ハロゲン化合物）が過飽和状態となり、ミスト発生部
の容器中に析出する場合が多い。これにより容器内が汚
れるだけでなく、ミストの溶液濃度変化や、ミスト化す
る溶液の濃度変化によるミスト発生率変化のために、一
定条件でミストを塗布部に供給できず、均一な熱処理が
できないという問題を生じる。これらの問題は、上記の
ように輸送ガス中にミスト中の溶媒と同じ溶媒成分を飽
和蒸気圧に近い濃度で含ませて、ミスト中の溶媒が輸送
ガス中に蒸発することを阻止することにより解決され
る。

【００３３】

【発明の効果】以上のように、本発明により、不純物を
混入させることなく、太陽電池用ＣｄＴｅ膜の結晶性改
善のためのハロゲン化合物処理を大面積でも均一に行う
ことが可能となり、同時に材料ロスの削減と迅速な処理
ができる。これにより、低コスト、高性能のＣｄＴｅ系
太陽電池を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例によるＣｄＴｅ膜の処理装置
の構成を示す縦断面略図である。

【図２】同装置の塗布部内の主要部の構成を示す縦断面
略図である。

【図３】同素うちの霧化部の構成を示す縦断面略図であ
る。

【図４】ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池素子の構造例の模式
断面図である。

【図５】ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池素子の他の構造例の
模式断面図である。

【符号の説明】

１霧化部２、２８輸送ガス導入管３、４４ミスト供給管４熱処理用基板５噴射口６排気用ノズル７排気管８搬送ローラー９基板供給庫１０ミスト発生装置１１塗布ノズル１２ヒーター１３マッフル１４洗浄用ノズル１５エアナイフ１６メッシュベルト式搬送機構１７基板収納庫１８塗布部１９加熱部２０洗浄部２１函体２２函体の排気口２３フレキシブルホース２４ドレンバルブ２５吹き出しノズル２６排気用ノズルの排気口２７ミスト充填ボックス

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者尾村邦嘉大阪府守口市松下町１番１号松下電池工業株式会社内 (72)発明者室園幹夫大阪府守口市松下町１番１号松下電池工業株式会社内Ｆターム(参考） 5F051 AA09 BA14 CB11 CB29 CB30 DA03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】耐熱性の基板上に形成されたテルル化カ
ドミウム膜の表面にハロゲン化合物溶液のミストを噴霧
することにより、前記溶液を前記テルル化カドミウム膜
上に塗布する工程、前記溶液が塗布された前記基板を酸
素を含む不活性ガス雰囲気中で３５０℃以上、５００℃
以下の温度範囲で加熱する工程、及び加熱後の前記基板
を洗浄する工程を有し、これらの工程を連続して行うこ
とを特徴とする太陽電池用テルル化カドミウム膜の処理
方法。
【請求項２】ハロゲン化合物溶液を霧化してミストを
発生させ、前記ミストを輸送ガス中に混合する霧化部、
前記輸送ガスと混合された前記ミストを、テルル化カド
ミウム膜が形成された耐熱性の基板の前記テルル化カド
ミウム膜の表面に噴霧する塗布部、前記塗布部に連な
り、前記ミストが噴霧された前記基板を酸素を含む不活
性ガス雰囲気中で加熱する加熱部、前記加熱部に連な
り、加熱後の前記基板を洗浄し、この基板に付着した液
滴を除去する洗浄部、および前記基板を前記塗布部から
前記加熱部を経由して前記洗浄部へ搬送する搬送装置を
具備することを特徴とする太陽電池用テルル化カドミウ
ム膜の処理装置。
【請求項３】前記塗布部が、前記テルル化カドミウム
膜の表面に前記溶液のミストを噴霧するノズルと排気口
を具備しており、前記ノズルから前記ミストを噴射する
方向が、前記テルル化カドミウム膜の表面に対して垂直
方向から２０°〜５０°の角度で前記排気口側に傾いた
方向に設置されている請求項２に記載の太陽電池用テル
ル化カドミウム膜の処理装置。
【請求項４】前記塗布部が、前記テルル化カドミウム
膜の表面に前記溶液のミストを噴霧するノズルおよびそ
の周辺を囲う函体を備え、前記ノズルおよび前記函体が
透明性の材料から構成されている請求項２に記載の太陽
電池用テルル化カドミウム膜の処理装置。
【請求項５】前記霧化部が、前記ミスト中の溶媒と同
一の溶媒の蒸気を含んだ輸送ガスを発生させる機構、前
記溶液のミストを超音波振動により発生させる機構、及
び前記輸送ガス中に前記ミストを混合する機構を具備し
た請求項２に記載の太陽電池用テルル化カドミウム膜の
処理装置。