JP2000097821A - ＧａＡｓ、ＧａＮ系化合物半導体の透過電子顕微鏡用試料の作製方法及びそれを用いる積層構造解析法 - Google Patents
ＧａＡｓ、ＧａＮ系化合物半導体の透過電子顕微鏡用試料の作製方法及びそれを用いる積層構造解析法Info
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- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 title claims abstract description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 17
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 17
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 7
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 claims description 7
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 6
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 4
- -1 GaAs compound Chemical class 0.000 claims description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 15
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 15
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 238000003696 structure analysis method Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005352 clarification Methods 0.000 description 1
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】
【課題】集束イオンビーム加工によってＧａＡｓ又はＧ
ａＮ系化合物半導体の透過電子顕微鏡用試料の作製を行
った場合に発生するアモルファス層を除去し、膜厚解
析、元素分析、電子線回折による解析、格子欠陥解析等
の積層構造解析に適した試料の作製方法及びそれを用い
た積層構造解析法を提供する。 【解決手段】（１）ＧａＡｓ又はＧａＮ系化合物半導体
に、集束イオンビームを照射して観察領域を薄膜化した
のち、湿式の化学エッチングを行うことによりアモルフ
ァス層を除去する透過電子顕微鏡用試料の作製方法。 （２）上記（１）に記載の透過電子顕微鏡用試料の作製
方法を用いる透過電子顕微鏡による積層構造解析法。 （３）透過電子顕微鏡により膜厚解析、元素分析、電子
線回折又は格子欠陥解析による解析を行う上記（２）に
記載の解析法。
ａＮ系化合物半導体の透過電子顕微鏡用試料の作製を行
った場合に発生するアモルファス層を除去し、膜厚解
析、元素分析、電子線回折による解析、格子欠陥解析等
の積層構造解析に適した試料の作製方法及びそれを用い
た積層構造解析法を提供する。 【解決手段】（１）ＧａＡｓ又はＧａＮ系化合物半導体
に、集束イオンビームを照射して観察領域を薄膜化した
のち、湿式の化学エッチングを行うことによりアモルフ
ァス層を除去する透過電子顕微鏡用試料の作製方法。 （２）上記（１）に記載の透過電子顕微鏡用試料の作製
方法を用いる透過電子顕微鏡による積層構造解析法。 （３）透過電子顕微鏡により膜厚解析、元素分析、電子
線回折又は格子欠陥解析による解析を行う上記（２）に
記載の解析法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、透過電子顕微鏡観
察に適用できる薄膜の作製方法及びそれを用いる積層構
造解析法に関する。
察に適用できる薄膜の作製方法及びそれを用いる積層構
造解析法に関する。
【０００２】
【従来の技術】透過電子顕微鏡観察では、電子線が透過
できるように、試料を1000Å以下まで薄くする必要があ
る。ＧａＡｓ又はＧａＮ系化合物半導体の積層構造解析
の場合は、試料を薄膜化するためにイオン研磨法が主に
用いられている。最近では特開平４−３６１１３２号公
報には、イオンビームを集束し、200Å以下のイオンビ
ームを用いる集束イオンビーム加工を利用した方法が記
載されている。
できるように、試料を1000Å以下まで薄くする必要があ
る。ＧａＡｓ又はＧａＮ系化合物半導体の積層構造解析
の場合は、試料を薄膜化するためにイオン研磨法が主に
用いられている。最近では特開平４−３６１１３２号公
報には、イオンビームを集束し、200Å以下のイオンビ
ームを用いる集束イオンビーム加工を利用した方法が記
載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
集束イオンビーム加工は、試料の特定部を任意に加工で
き、加工時の試料破損率も低く、該集束イオンビーム加
工を利用するＧａＡｓ又はＧａＮ系化合物半導体の透過
電子顕微鏡用試料の作製においては、照射されるイオン
ビームの影響を受けて、加工した面に数十〜数百Åの膜
厚のアモルファス化した層が発生する。このアモルファ
ス層は、透過電子顕微鏡において積層構造解析ができな
いという問題を引き起こしていた。また、アモルファス
層はシリコンを加工した場合にも発生し、その場合、硝
酸とフッ酸を９９：１で混合した溶液を用いた湿式の化
学エッチングを行うことにより、その一部が除去される
ことが報告されている［日本電子顕微鏡学会第５４回学
術講演会発表要旨集 第２４７頁（１９９８年）］。し
かし、ＧａＡｓ系化合物半導体に、一般に市販されてい
る６０重量％の硝酸と３８重量％のフッ酸を９９：１で
混合した溶液を用いて３０秒間エッチングを行った場
合、正常な観察領域までも除去され、シリコンと同様の
効果は得られない。また、ＧａＮ系化合物半導体にも同
様の溶液を用いて１時間エッチングを行った場合、アモ
ルファス層は除去されず、シリコンと同様の効果は得ら
れない。
集束イオンビーム加工は、試料の特定部を任意に加工で
き、加工時の試料破損率も低く、該集束イオンビーム加
工を利用するＧａＡｓ又はＧａＮ系化合物半導体の透過
電子顕微鏡用試料の作製においては、照射されるイオン
ビームの影響を受けて、加工した面に数十〜数百Åの膜
厚のアモルファス化した層が発生する。このアモルファ
ス層は、透過電子顕微鏡において積層構造解析ができな
いという問題を引き起こしていた。また、アモルファス
層はシリコンを加工した場合にも発生し、その場合、硝
酸とフッ酸を９９：１で混合した溶液を用いた湿式の化
学エッチングを行うことにより、その一部が除去される
ことが報告されている［日本電子顕微鏡学会第５４回学
術講演会発表要旨集 第２４７頁（１９９８年）］。し
かし、ＧａＡｓ系化合物半導体に、一般に市販されてい
る６０重量％の硝酸と３８重量％のフッ酸を９９：１で
混合した溶液を用いて３０秒間エッチングを行った場
合、正常な観察領域までも除去され、シリコンと同様の
効果は得られない。また、ＧａＮ系化合物半導体にも同
様の溶液を用いて１時間エッチングを行った場合、アモ
ルファス層は除去されず、シリコンと同様の効果は得ら
れない。
【０００４】本発明の目的は、集束イオンビーム加工に
よってＧａＡｓ又はＧａＮ系化合物半導体の透過電子顕
微鏡用試料の作製を行った場合に発生するアモルファス
層を除去し、膜厚解析、元素分析、電子線回折による解
析、格子欠陥解析等の積層構造解析に適した試料の作製
方法及びそれを用いた積層構造解析法を提供することに
ある。
よってＧａＡｓ又はＧａＮ系化合物半導体の透過電子顕
微鏡用試料の作製を行った場合に発生するアモルファス
層を除去し、膜厚解析、元素分析、電子線回折による解
析、格子欠陥解析等の積層構造解析に適した試料の作製
方法及びそれを用いた積層構造解析法を提供することに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、かかる状
況下鋭意検討を重ねた結果、ＧａＡｓ、ＧａＮ系化合物
半導体の透過電子顕微鏡試料の作製において、集束イオ
ンビーム加工後に任意の溶液を用いた湿式の化学エッチ
ングを行うことにより、アモルファス層を除去できるこ
とを見出し、本発明を完成するに至った。
況下鋭意検討を重ねた結果、ＧａＡｓ、ＧａＮ系化合物
半導体の透過電子顕微鏡試料の作製において、集束イオ
ンビーム加工後に任意の溶液を用いた湿式の化学エッチ
ングを行うことにより、アモルファス層を除去できるこ
とを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００６】すなわち、本発明は、下記の（１）〜
（８）に関する。 （１）ＧａＡｓ又はＧａＮ系化合物半導体に、集束イオ
ンビームを照射して観察領域を薄膜化したのち、湿式の
化学エッチングを行うことによりアモルファス層を除去
することを特徴とする透過電子顕微鏡用試料の作製方
法。 （２）ＧａＡｓ系化合物半導体において、湿式の化学エ
ッチングに０．０１〜０．１重量％の濃度の酸もしくは
アルカリ溶液を用いる上記（１）に記載の透過電子顕微
鏡用試料の作製方法。 （３）ＧａＮ系化合物半導体において、湿式の化学エッ
チングに１０〜３０重量％の濃度のアルカリ溶液を用い
る上記（１）に記載の透過電子顕微鏡用試料の作製方
法。 （４）上記（１）〜（３）に記載の透過電子顕微鏡用試
料の作製方法を用いる透過電子顕微鏡による積層構造解
析法。 （５）透過電子顕微鏡により膜厚解析を行う上記（４）
に記載の積層構造解析法。 （６）透過電子顕微鏡により元素分析を行う上記（４）
に記載の積層構造解析法。 （７）透過電子顕微鏡により電子線回折による解析を行
う上記（４）に記載の積層構造解析法。 （８）透過電子顕微鏡により格子欠陥解析を行う上記
（４）に記載の積層構造解析法。
（８）に関する。 （１）ＧａＡｓ又はＧａＮ系化合物半導体に、集束イオ
ンビームを照射して観察領域を薄膜化したのち、湿式の
化学エッチングを行うことによりアモルファス層を除去
することを特徴とする透過電子顕微鏡用試料の作製方
法。 （２）ＧａＡｓ系化合物半導体において、湿式の化学エ
ッチングに０．０１〜０．１重量％の濃度の酸もしくは
アルカリ溶液を用いる上記（１）に記載の透過電子顕微
鏡用試料の作製方法。 （３）ＧａＮ系化合物半導体において、湿式の化学エッ
チングに１０〜３０重量％の濃度のアルカリ溶液を用い
る上記（１）に記載の透過電子顕微鏡用試料の作製方
法。 （４）上記（１）〜（３）に記載の透過電子顕微鏡用試
料の作製方法を用いる透過電子顕微鏡による積層構造解
析法。 （５）透過電子顕微鏡により膜厚解析を行う上記（４）
に記載の積層構造解析法。 （６）透過電子顕微鏡により元素分析を行う上記（４）
に記載の積層構造解析法。 （７）透過電子顕微鏡により電子線回折による解析を行
う上記（４）に記載の積層構造解析法。 （８）透過電子顕微鏡により格子欠陥解析を行う上記
（４）に記載の積層構造解析法。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下に本発明について詳しく説明
する。本発明においては、図１（ａ）のような試料の観
察領域をはさんだ両側に集束イオンビームを照射してス
パッタを行い、透過電子顕微鏡による観察が可能な厚さ
まで観察領域を薄膜化する。薄膜化の際には図１（ｂ）
に示すように、試料に照射される集束イオンビームに対
して、その集束イオンビームの垂直方向への広がりの影
響を受けて、加工した面の表面から数十〜数百Åの深さ
まで観察領域内部の結晶がアモルファス化する。次い
で、集束イオンビーム加工後に湿式の化学エッチングを
行うことによりアモルファス層を除去する。
する。本発明においては、図１（ａ）のような試料の観
察領域をはさんだ両側に集束イオンビームを照射してス
パッタを行い、透過電子顕微鏡による観察が可能な厚さ
まで観察領域を薄膜化する。薄膜化の際には図１（ｂ）
に示すように、試料に照射される集束イオンビームに対
して、その集束イオンビームの垂直方向への広がりの影
響を受けて、加工した面の表面から数十〜数百Åの深さ
まで観察領域内部の結晶がアモルファス化する。次い
で、集束イオンビーム加工後に湿式の化学エッチングを
行うことによりアモルファス層を除去する。
【０００８】本発明の湿式の化学エッチングとは、溶液
中に試料を浸し溶液と試料との化学反応により行われる
エッチングである。この湿式の化学エッチングを行う際
に用いるエッチング溶液は、ＧａＡｓ系化合物半導体の
場合、０．０１〜０．１重量％の濃度の酸溶液としてリ
ン酸、塩酸、硝酸、硫酸、酢酸等が挙げられ、０．０１
〜０．１重量％の濃度のアルカリ溶液としてアンモニ
ア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウム等が挙げられ、なかでも好ましいもの
はリン酸である。また、ＧａＮ系化合物半導体の場合の
エッチング溶液は、１０〜３０重量％の濃度のアルカリ
溶液として水酸化ナトリウム、アンモニア、水酸化カリ
ウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等が挙げられ、な
かでも好ましいのは水酸化ナトリウムである。この指定
した範囲未満の濃度では、湿式の化学エッチングにより
アモルファス層は除去されず、指定した範囲を超える濃
度では、正常な観察領域までもが除去され、それぞれ好
ましくない。
中に試料を浸し溶液と試料との化学反応により行われる
エッチングである。この湿式の化学エッチングを行う際
に用いるエッチング溶液は、ＧａＡｓ系化合物半導体の
場合、０．０１〜０．１重量％の濃度の酸溶液としてリ
ン酸、塩酸、硝酸、硫酸、酢酸等が挙げられ、０．０１
〜０．１重量％の濃度のアルカリ溶液としてアンモニ
ア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウム等が挙げられ、なかでも好ましいもの
はリン酸である。また、ＧａＮ系化合物半導体の場合の
エッチング溶液は、１０〜３０重量％の濃度のアルカリ
溶液として水酸化ナトリウム、アンモニア、水酸化カリ
ウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等が挙げられ、な
かでも好ましいのは水酸化ナトリウムである。この指定
した範囲未満の濃度では、湿式の化学エッチングにより
アモルファス層は除去されず、指定した範囲を超える濃
度では、正常な観察領域までもが除去され、それぞれ好
ましくない。
【０００９】また、エッチング溶液のエッチング作用を
向上させるために、エッチング溶液の濃度に対して１／
５０〜１／５の濃度の過酸化水素を加えることもある。
作製したエッチング溶液を室温（約２５℃）で６０〜１
２０ｒｐｍの速度で攪拌し、その中に試料を浸すことに
より湿式の化学エッチングを行う。エッチング後は、
水、アルコールの順で水洗する。
向上させるために、エッチング溶液の濃度に対して１／
５０〜１／５の濃度の過酸化水素を加えることもある。
作製したエッチング溶液を室温（約２５℃）で６０〜１
２０ｒｐｍの速度で攪拌し、その中に試料を浸すことに
より湿式の化学エッチングを行う。エッチング後は、
水、アルコールの順で水洗する。
【００１０】最適なエッチング時間は溶液濃度により変
化するが、通常、ＧａＡｓ系化合物半導体の場合は３０
秒〜１０分の範囲、ＧａＮ系化合物半導体の場合は３０
分〜２時間の範囲であり、正常な観察領域が残ったまま
アモルファス層が除去される。このようにして湿式の化
学エッチングを行った試料では、図１（ｃ）に示すよう
に観察領域に発生したアモルファス層は除去される。
化するが、通常、ＧａＡｓ系化合物半導体の場合は３０
秒〜１０分の範囲、ＧａＮ系化合物半導体の場合は３０
分〜２時間の範囲であり、正常な観察領域が残ったまま
アモルファス層が除去される。このようにして湿式の化
学エッチングを行った試料では、図１（ｃ）に示すよう
に観察領域に発生したアモルファス層は除去される。
【００１１】これにより、透過電子顕微鏡観察におい
て、エッチング前ではアモルファス層の影響で各層界面
を確認できなかったのに対して、エッチング後はアモル
ファス層が除去され各層界面を確認することができるよ
うになり、これまでできなかった正確な膜厚解析が可能
となる。また、各層界面が明瞭になることによって試料
の持つ積層構造も明瞭となり、ある層もしくは層と層の
界面領域を狙った元素分析や電子線回折による解析が可
能となる。さらに、アモルファス層の影響で不明瞭であ
った格子像も、エッチング後は明瞭となり格子欠陥解析
も可能となる。
て、エッチング前ではアモルファス層の影響で各層界面
を確認できなかったのに対して、エッチング後はアモル
ファス層が除去され各層界面を確認することができるよ
うになり、これまでできなかった正確な膜厚解析が可能
となる。また、各層界面が明瞭になることによって試料
の持つ積層構造も明瞭となり、ある層もしくは層と層の
界面領域を狙った元素分析や電子線回折による解析が可
能となる。さらに、アモルファス層の影響で不明瞭であ
った格子像も、エッチング後は明瞭となり格子欠陥解析
も可能となる。
【００１２】
【実施例】以下に本発明の実施例あげて本発明を詳しく
説明する。 実施例１ ＧａＡｓ単結晶基板上にＭＯＣＶＤ法を用いて表１に示
すように各エピタキシャル成長層が形成された試料にお
いて、その一部を断面観察する場合を例とする。ＧａＡ
ｓ単結晶基板を含む各エピタキシャル成長層を、セイコ
ー電子工業（株）製ＳＭＩ９２００高性能走査イオン顕
微鏡を用いて３０ｋＶに加速されたＧａイオンビームに
よる集束イオンビーム加工により薄膜化した場合、加工
に伴い観察領域にアモルファス層が発生する。本実施例
では、集束イオンビーム加工後、すなわち、アモルファ
ス層発生後に、室温で６０ｒｐｍに撹拌された０．０６
重量％リン酸溶液（０．００７重量％過酸化水素を含
む）に試料を２分間浸し、水、アルコールで洗浄したと
ころ、アモルファス層は除去された。本実施例によって
作製された透過電子顕微鏡試料を日立製作所（株）Ｈ−
９０００ＮＡＲ型電子顕微鏡を用いて加速電圧３００ｋ
Ｖで観察すると、エッチング前の試料と比較して各層の
界面や格子像が明瞭となり、膜厚解析、元素分析、格子
欠陥解析が可能であった。
説明する。 実施例１ ＧａＡｓ単結晶基板上にＭＯＣＶＤ法を用いて表１に示
すように各エピタキシャル成長層が形成された試料にお
いて、その一部を断面観察する場合を例とする。ＧａＡ
ｓ単結晶基板を含む各エピタキシャル成長層を、セイコ
ー電子工業（株）製ＳＭＩ９２００高性能走査イオン顕
微鏡を用いて３０ｋＶに加速されたＧａイオンビームに
よる集束イオンビーム加工により薄膜化した場合、加工
に伴い観察領域にアモルファス層が発生する。本実施例
では、集束イオンビーム加工後、すなわち、アモルファ
ス層発生後に、室温で６０ｒｐｍに撹拌された０．０６
重量％リン酸溶液（０．００７重量％過酸化水素を含
む）に試料を２分間浸し、水、アルコールで洗浄したと
ころ、アモルファス層は除去された。本実施例によって
作製された透過電子顕微鏡試料を日立製作所（株）Ｈ−
９０００ＮＡＲ型電子顕微鏡を用いて加速電圧３００ｋ
Ｖで観察すると、エッチング前の試料と比較して各層の
界面や格子像が明瞭となり、膜厚解析、元素分析、格子
欠陥解析が可能であった。
【００１３】
【表１】
【００１４】実施例２ 次に、サファイア基板上にＭＯＣＶＤ法を用いて表２に
示すように各エピタキシャル成長層が形成された試料に
おいて、その一部を断面観察する場合を例とする。サフ
ァイア基板を含む各エピタキシャル成長層を、セイコー
電子工業（株）製ＳＭＩ９２００高性能走査イオン顕微
鏡を用いて３０ｋＶに加速されたＧａイオンビームによ
る集束イオンビーム加工により薄膜化した場合、加工に
伴い観察領域にアモルファス層が発生する。本実施例で
は、集束イオンビーム加工後すなわちアモルファス層発
生後に、室温で６０ｒｐｍに撹拌された２０重量％水酸
化ナトリウム溶液（０．５重量％過酸化水素を含む）に
試料を１時間浸し、水、アルコールにより洗浄したとこ
ろ、アモルファス層は除去された。本実施例によって作
製された透過電子顕微鏡試料を日立製作所（株）Ｈ−９
０００ＮＡＲ型電子顕微鏡を用いて加速電圧３００ｋＶ
で観察すると、エッチング前の試料と比較して各層の界
面や格子像が明瞭となり、膜厚解析、元素分析、格子欠
陥解析が可能であった。
示すように各エピタキシャル成長層が形成された試料に
おいて、その一部を断面観察する場合を例とする。サフ
ァイア基板を含む各エピタキシャル成長層を、セイコー
電子工業（株）製ＳＭＩ９２００高性能走査イオン顕微
鏡を用いて３０ｋＶに加速されたＧａイオンビームによ
る集束イオンビーム加工により薄膜化した場合、加工に
伴い観察領域にアモルファス層が発生する。本実施例で
は、集束イオンビーム加工後すなわちアモルファス層発
生後に、室温で６０ｒｐｍに撹拌された２０重量％水酸
化ナトリウム溶液（０．５重量％過酸化水素を含む）に
試料を１時間浸し、水、アルコールにより洗浄したとこ
ろ、アモルファス層は除去された。本実施例によって作
製された透過電子顕微鏡試料を日立製作所（株）Ｈ−９
０００ＮＡＲ型電子顕微鏡を用いて加速電圧３００ｋＶ
で観察すると、エッチング前の試料と比較して各層の界
面や格子像が明瞭となり、膜厚解析、元素分析、格子欠
陥解析が可能であった。
【００１５】
【表２】
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、集束イオンビーム加工
後に湿式の化学エッチングを行うことにより、ＧａＡ
ｓ、ＧａＮ系化合物半導体の透過電子顕微鏡による膜厚
解析、元素分析、電子線回折による解析、格子欠陥解析
等の積層構造解析が可能となる。また、集束イオンビー
ム加工の、特定部を任意に加工でき、加工時の試料破損
率が低く歩留まりが良いといった特徴を、ＧａＡｓ、Ｇ
ａＮ系化合物半導体の透過電子顕微鏡試料の作製にも利
用することが可能となる。
後に湿式の化学エッチングを行うことにより、ＧａＡ
ｓ、ＧａＮ系化合物半導体の透過電子顕微鏡による膜厚
解析、元素分析、電子線回折による解析、格子欠陥解析
等の積層構造解析が可能となる。また、集束イオンビー
ム加工の、特定部を任意に加工でき、加工時の試料破損
率が低く歩留まりが良いといった特徴を、ＧａＡｓ、Ｇ
ａＮ系化合物半導体の透過電子顕微鏡試料の作製にも利
用することが可能となる。
【図１】本発明におけるアモルファス層の推移 （Ａ）加工前の試料 （Ｂ）ＦＩＢ加工後の試料 （Ｃ）湿式エッチング後の試料
１ 側面から見た図 ２ ａ層 ３ ｂ層 ４ ｃ層 ５ 基板 ６ 観察領域 ７ 上面から見た図 ８ 集束イオンビームの照射方向 ９ アモルファス層 １０ 加工部 １１ 電子線の入射方向
Claims (8)
- 【請求項１】ＧａＡｓ又はＧａＮ系化合物半導体に、集
束イオンビームを照射して観察領域を薄膜化したのち、
湿式の化学エッチングを行うことによりアモルファス層
を除去することを特徴とする透過電子顕微鏡用試料の作
製方法。 - 【請求項２】ＧａＡｓ系化合物半導体において、湿式の
化学エッチングに０．０１〜０．１重量％の濃度の酸も
しくはアルカリ溶液を用いる請求項１記載の透過電子顕
微鏡用試料の作製方法。 - 【請求項３】ＧａＮ系化合物半導体において、湿式の化
学エッチングに１０〜３０重量％の濃度のアルカリ溶液
を用いる請求項１記載の透過電子顕微鏡用試料の作製方
法。 - 【請求項４】請求項１〜３に記載の透過電子顕微鏡用試
料の作製方法を用いる透過電子顕微鏡による積層構造解
析法。 - 【請求項５】透過電子顕微鏡により膜厚解析を行う請求
項４記載の積層構造解析法。 - 【請求項６】透過電子顕微鏡により元素分析を行う請求
項４記載の積層構造解析法。 - 【請求項７】透過電子顕微鏡により電子線回折による解
析を行う請求項４記載の積層構造解析法。 - 【請求項８】透過電子顕微鏡により格子欠陥解析を行う
請求項４記載の積層構造解析法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10268019A JP2000097821A (ja) | 1998-09-22 | 1998-09-22 | ＧａＡｓ、ＧａＮ系化合物半導体の透過電子顕微鏡用試料の作製方法及びそれを用いる積層構造解析法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10268019A JP2000097821A (ja) | 1998-09-22 | 1998-09-22 | ＧａＡｓ、ＧａＮ系化合物半導体の透過電子顕微鏡用試料の作製方法及びそれを用いる積層構造解析法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000097821A true JP2000097821A (ja) | 2000-04-07 |
Family
ID=17452775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10268019A Pending JP2000097821A (ja) | 1998-09-22 | 1998-09-22 | ＧａＡｓ、ＧａＮ系化合物半導体の透過電子顕微鏡用試料の作製方法及びそれを用いる積層構造解析法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000097821A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006267048A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 断面観察用試料の作製方法 |
| CN110082177A (zh) * | 2019-04-17 | 2019-08-02 | 宸鸿科技(厦门)有限公司 | 晶体电子元件在tem制样过程中造成辐照损伤的清洁方法 |
| CN115852329A (zh) * | 2022-12-19 | 2023-03-28 | 中国科学院高能物理研究所 | 一种透射型多层膜光学元件的加工方法 |
-
1998
- 1998-09-22 JP JP10268019A patent/JP2000097821A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006267048A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 断面観察用試料の作製方法 |
| CN110082177A (zh) * | 2019-04-17 | 2019-08-02 | 宸鸿科技(厦门)有限公司 | 晶体电子元件在tem制样过程中造成辐照损伤的清洁方法 |
| CN110082177B (zh) * | 2019-04-17 | 2022-01-25 | 宸鸿科技(厦门)有限公司 | 晶体电子元件在tem制样过程中造成辐照损伤的清洁方法 |
| CN115852329A (zh) * | 2022-12-19 | 2023-03-28 | 中国科学院高能物理研究所 | 一种透射型多层膜光学元件的加工方法 |
| CN115852329B (zh) * | 2022-12-19 | 2024-05-14 | 中国科学院高能物理研究所 | 一种透射型多层膜光学元件的加工方法 |
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