JP2000096213A - 樹脂基材表面への金属膜形成方法 - Google Patents
樹脂基材表面への金属膜形成方法Info
- Publication number
- JP2000096213A JP2000096213A JP10269347A JP26934798A JP2000096213A JP 2000096213 A JP2000096213 A JP 2000096213A JP 10269347 A JP10269347 A JP 10269347A JP 26934798 A JP26934798 A JP 26934798A JP 2000096213 A JP2000096213 A JP 2000096213A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal film
- resin substrate
- porphyrin
- group
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂基材の表面に凹凸を形成したり、所望の
金属膜以外の材料をプリコートしたりすることなく、平
滑な樹脂基材の表面に十分に密着力高く金属膜を形成す
ることができる樹脂基材表面への金属膜形成方法を提供
することにある。 【解決手段】 樹脂基材表面にＯＨ基またはＣＯＯＨ基
を付与する処理を施し、この樹脂基材表面にポルフィリ
ンを固定化する処理を施し、その後、この樹脂基材表面
に湿式めっきあるいは気相成長法にて金属膜を形成す
る。
金属膜以外の材料をプリコートしたりすることなく、平
滑な樹脂基材の表面に十分に密着力高く金属膜を形成す
ることができる樹脂基材表面への金属膜形成方法を提供
することにある。 【解決手段】 樹脂基材表面にＯＨ基またはＣＯＯＨ基
を付与する処理を施し、この樹脂基材表面にポルフィリ
ンを固定化する処理を施し、その後、この樹脂基材表面
に湿式めっきあるいは気相成長法にて金属膜を形成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂基材表面への
金属膜形成方法に関し、具体的には、樹脂基材表面に密
着力の高い金属膜を形成する樹脂基材表面への金属膜形
成方法に関するものである。
金属膜形成方法に関し、具体的には、樹脂基材表面に密
着力の高い金属膜を形成する樹脂基材表面への金属膜形
成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】樹脂基材表面への気相成長法による金属
膜形成技術は、装飾品、フレキシブルプリント基板など
の電子機器部品、包装用フィルムをはじめ、幅広く利用
される技術である。しかしながら、樹脂基材表面への気
相成長法による金属膜形成技術における大きな問題点と
して、樹脂基材と金属膜との密着性が挙げられ、樹脂基
材表面に強固に密着した金属膜を得ることは非常に難し
い。
膜形成技術は、装飾品、フレキシブルプリント基板など
の電子機器部品、包装用フィルムをはじめ、幅広く利用
される技術である。しかしながら、樹脂基材表面への気
相成長法による金属膜形成技術における大きな問題点と
して、樹脂基材と金属膜との密着性が挙げられ、樹脂基
材表面に強固に密着した金属膜を得ることは非常に難し
い。
【０００３】従来、この問題を解決するために様々な方
法がとられている。一つには酸、アルカリ等による表面
処理を行って樹脂基材表面に凹凸を形成し、アンカー効
果等により、金属膜の密着性を高める方法が行われてい
る。しかし、この方法では、金属膜表面に凹凸が生じる
ため、金属光沢が得られず、高周波用回路基板に使う場
合には凹凸による表皮抵抗が生じて電気特性に悪影響が
あり、凹凸形成のために工程が複雑になるなどの問題が
あった。
法がとられている。一つには酸、アルカリ等による表面
処理を行って樹脂基材表面に凹凸を形成し、アンカー効
果等により、金属膜の密着性を高める方法が行われてい
る。しかし、この方法では、金属膜表面に凹凸が生じる
ため、金属光沢が得られず、高周波用回路基板に使う場
合には凹凸による表皮抵抗が生じて電気特性に悪影響が
あり、凹凸形成のために工程が複雑になるなどの問題が
あった。
【０００４】また、金属膜を形成する前に、樹脂基材表
面にチタンまたはクロム等をプリコートすることによ
り、金属膜の密着性を高める方法も行われている。しか
し、この方法では、回路基板として金属膜をパターンエ
ッチングして使用する際のエッチング性に問題が生じ
る。つまり、上層となる金属膜をパターンエッチングし
て使用する際に、下層となるチタンまたはクロム等のプ
リコート層が残るという問題が生じるのであった。
面にチタンまたはクロム等をプリコートすることによ
り、金属膜の密着性を高める方法も行われている。しか
し、この方法では、回路基板として金属膜をパターンエ
ッチングして使用する際のエッチング性に問題が生じ
る。つまり、上層となる金属膜をパターンエッチングし
て使用する際に、下層となるチタンまたはクロム等のプ
リコート層が残るという問題が生じるのであった。
【０００５】また、特開昭６３−２７０４５５号公報に
は、アルゴンガス等の不活性ガスまたは酸素、窒素、一
酸化炭素、二酸化炭素などの活性ガスを用いて、これら
の単独または混合ガスのプラズマで表面処理を行った
後、金属膜を形成する方法が提案されている。このよう
な表面処理では、樹脂基材表面を活性化させるととも
に、−ＯＨ等の官能基形成が行われる。そして、この−
ＯＨ等の官能基は金属との親和性が高く、金属膜の密着
性を高める働きをするというのである。
は、アルゴンガス等の不活性ガスまたは酸素、窒素、一
酸化炭素、二酸化炭素などの活性ガスを用いて、これら
の単独または混合ガスのプラズマで表面処理を行った
後、金属膜を形成する方法が提案されている。このよう
な表面処理では、樹脂基材表面を活性化させるととも
に、−ＯＨ等の官能基形成が行われる。そして、この−
ＯＨ等の官能基は金属との親和性が高く、金属膜の密着
性を高める働きをするというのである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
プラズマによる前処理によっても、十分に良好な樹脂基
材と金属膜との密着性が得られるというまでには至らな
かった。
プラズマによる前処理によっても、十分に良好な樹脂基
材と金属膜との密着性が得られるというまでには至らな
かった。
【０００７】本発明は、上述のような事情に鑑みてなさ
れたものであって、その目的とするところは、樹脂基材
の表面に凹凸を形成したり、所望の金属膜以外の材料を
プリコートしたりすることなく、平滑な樹脂基材の表面
に十分に密着力高く金属膜を形成することができる樹脂
基材表面への金属膜形成方法を提供することにある。
れたものであって、その目的とするところは、樹脂基材
の表面に凹凸を形成したり、所望の金属膜以外の材料を
プリコートしたりすることなく、平滑な樹脂基材の表面
に十分に密着力高く金属膜を形成することができる樹脂
基材表面への金属膜形成方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
樹脂基材表面への金属膜形成方法は、樹脂基材表面にＯ
Ｈ基またはＣＯＯＨ基を付与する処理を施し、この樹脂
基材表面にポルフィリンを固定化する処理を施し、その
後、この樹脂基材表面に湿式めっきあるいは気相成長法
にて金属膜を形成することを特徴とする。
樹脂基材表面への金属膜形成方法は、樹脂基材表面にＯ
Ｈ基またはＣＯＯＨ基を付与する処理を施し、この樹脂
基材表面にポルフィリンを固定化する処理を施し、その
後、この樹脂基材表面に湿式めっきあるいは気相成長法
にて金属膜を形成することを特徴とする。
【０００９】本発明の請求項２に係る樹脂基材表面への
金属膜形成方法は、上記ポルフィリンを固定化する処理
が、ＣＯＯＨ基を側鎖に有するポルフィリンを含む溶液
を塗布するものであることを特徴とする。
金属膜形成方法は、上記ポルフィリンを固定化する処理
が、ＣＯＯＨ基を側鎖に有するポルフィリンを含む溶液
を塗布するものであることを特徴とする。
【００１０】本発明の請求項３に係る樹脂基材表面への
金属膜形成方法は、上記ＣＯＯＨ基を側鎖に有するポル
フィリンを含む溶液を塗布した後、熱処理を行うことを
特徴とする。
金属膜形成方法は、上記ＣＯＯＨ基を側鎖に有するポル
フィリンを含む溶液を塗布した後、熱処理を行うことを
特徴とする。
【００１１】本発明の請求項４に係る樹脂基材表面への
金属膜形成方法は、上記ポルフィリンを固定化する処理
が、脂肪族ジアミンを塗布した後、ＣＯＯＨ基を側鎖に
有するポルフィリンを含む溶液を塗布して、脂肪族ジア
ミンとポルフィリンを反応させるものであることを特徴
とする。
金属膜形成方法は、上記ポルフィリンを固定化する処理
が、脂肪族ジアミンを塗布した後、ＣＯＯＨ基を側鎖に
有するポルフィリンを含む溶液を塗布して、脂肪族ジア
ミンとポルフィリンを反応させるものであることを特徴
とする。
【００１２】本発明の請求項５に係る樹脂基材表面への
金属膜形成方法は、上記ＯＨ基またはＣＯＯＨ基を付与
する処理が、樹脂基材をアルカリ溶液に浸漬するもので
あることを特徴とする。
金属膜形成方法は、上記ＯＨ基またはＣＯＯＨ基を付与
する処理が、樹脂基材をアルカリ溶液に浸漬するもので
あることを特徴とする。
【００１３】本発明の請求項６に係る樹脂基材表面への
金属膜形成方法は、上記ＯＨ基またはＣＯＯＨ基を付与
する処理が、樹脂基材を酸素あるいは酸素を含むプラズ
マに曝すことで行われるものであることを特徴とする。
金属膜形成方法は、上記ＯＨ基またはＣＯＯＨ基を付与
する処理が、樹脂基材を酸素あるいは酸素を含むプラズ
マに曝すことで行われるものであることを特徴とする。
【００１４】本発明の請求項７に係る樹脂基材表面への
金属膜形成方法は、上記ＯＨ基またはＣＯＯＨ基を付与
する処理が、金属膜を形成する箇所にのみ局部的に施さ
れるものであることを特徴とする。
金属膜形成方法は、上記ＯＨ基またはＣＯＯＨ基を付与
する処理が、金属膜を形成する箇所にのみ局部的に施さ
れるものであることを特徴とする。
【００１５】本発明の請求項８に係る樹脂基材表面への
金属膜形成方法は、上記金属膜を形成する箇所にのみ局
部的にＯＨ基またはＣＯＯＨ基を付与する処理が、酸素
あるいは酸素を含む雰囲気中においてレーザ照射を施す
ものであることを特徴とする。
金属膜形成方法は、上記金属膜を形成する箇所にのみ局
部的にＯＨ基またはＣＯＯＨ基を付与する処理が、酸素
あるいは酸素を含む雰囲気中においてレーザ照射を施す
ものであることを特徴とする。
【００１６】本発明の請求項９に係る樹脂基材表面への
金属膜形成方法は、上記金属膜を形成する箇所にのみ局
部的にＯＨ基またはＣＯＯＨ基を付与する処理が、酸素
イオンビーム照射あるいは酸素を含む雰囲気中でイオン
ビーム照射を施すものであることを特徴とする。
金属膜形成方法は、上記金属膜を形成する箇所にのみ局
部的にＯＨ基またはＣＯＯＨ基を付与する処理が、酸素
イオンビーム照射あるいは酸素を含む雰囲気中でイオン
ビーム照射を施すものであることを特徴とする。
【００１７】本発明の請求項１０に係る樹脂基材表面へ
の金属膜形成方法は、上記金属膜を形成する箇所にのみ
局部的にＯＨ基またはＣＯＯＨ基を付与する処理が、酸
素あるいは酸素を含むプラズマジェット照射を施すもの
であることを特徴とする。
の金属膜形成方法は、上記金属膜を形成する箇所にのみ
局部的にＯＨ基またはＣＯＯＨ基を付与する処理が、酸
素あるいは酸素を含むプラズマジェット照射を施すもの
であることを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳しく説明する。
て詳しく説明する。
【００１９】本発明の樹脂基材表面への金属膜形成方法
は、樹脂基材表面にＯＨ基またはＣＯＯＨ基を付与する
処理を施し、この樹脂基材表面にポルフィリンを固定化
する処理を施し、その後、この樹脂基材表面に湿式めっ
きあるいは気相成長法にて金属膜を形成するものであ
る。
は、樹脂基材表面にＯＨ基またはＣＯＯＨ基を付与する
処理を施し、この樹脂基材表面にポルフィリンを固定化
する処理を施し、その後、この樹脂基材表面に湿式めっ
きあるいは気相成長法にて金属膜を形成するものであ
る。
【００２０】このような樹脂基材表面への金属膜形成方
法によれば、樹脂基材表面に固定化されたポルフィリン
が金属との反応性に優れているので、この樹脂基材表面
に湿式めっきあるいは気相成長法により形成した金属膜
が強く密着することになる。
法によれば、樹脂基材表面に固定化されたポルフィリン
が金属との反応性に優れているので、この樹脂基材表面
に湿式めっきあるいは気相成長法により形成した金属膜
が強く密着することになる。
【００２１】そして、ここで用いる樹脂基材としては、
例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＰＥＴ樹脂な
どの様々な合成樹脂材料を挙げることができ、板状、フ
ィルム状のものなど様々な形状のものを使用することが
できるものである。
例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＰＥＴ樹脂な
どの様々な合成樹脂材料を挙げることができ、板状、フ
ィルム状のものなど様々な形状のものを使用することが
できるものである。
【００２２】また、気相成長法としては、スパッタリン
グ法や真空蒸着法などを代表的に例示することができる
ものである。金属膜としては、銅膜が代表的なものであ
るが、特定の金属膜に限らないことは言うまでもない。
金属膜の厚みも特に制限されないが、０．０１〜数十μ
ｍ程度の一般的な厚みに形成することができるものであ
る。
グ法や真空蒸着法などを代表的に例示することができる
ものである。金属膜としては、銅膜が代表的なものであ
るが、特定の金属膜に限らないことは言うまでもない。
金属膜の厚みも特に制限されないが、０．０１〜数十μ
ｍ程度の一般的な厚みに形成することができるものであ
る。
【００２３】また、上記ポルフィリンを固定化する処理
が、ＣＯＯＨ基を側鎖に有するポルフィリンを含む溶液
を塗布するものであると、樹脂基材に付与されたＯＨ基
やＣＯＯＨ基とポルフィリン側鎖のＣＯＯＨ基との間で
脱水縮合反応が起こり、その結果ポルフィリンが樹脂基
材表面に強固に固定化され、金属膜が強く密着すること
になる。
が、ＣＯＯＨ基を側鎖に有するポルフィリンを含む溶液
を塗布するものであると、樹脂基材に付与されたＯＨ基
やＣＯＯＨ基とポルフィリン側鎖のＣＯＯＨ基との間で
脱水縮合反応が起こり、その結果ポルフィリンが樹脂基
材表面に強固に固定化され、金属膜が強く密着すること
になる。
【００２４】ここで用いるポルフィリンとしては、例え
ば、メソポルフィリン、プロトポルフィリン、ジューテ
ロポルフィリンなどの側鎖にＣＯＯＨ基を有するポルフ
ィリンを挙げることができるものである。
ば、メソポルフィリン、プロトポルフィリン、ジューテ
ロポルフィリンなどの側鎖にＣＯＯＨ基を有するポルフ
ィリンを挙げることができるものである。
【００２５】これらのポルフィリンを溶解する溶媒とし
ては、例えば、水、クロロホルム、メタノール、エタノ
ールなどのアルコールなどを用いることができるもので
ある。
ては、例えば、水、クロロホルム、メタノール、エタノ
ールなどのアルコールなどを用いることができるもので
ある。
【００２６】また、塗布量は、特に制限されるものでな
いが、メタノールに溶かして用いる場合には、上記溶液
の濃度が０．１重量％以上のメタノール溶液に樹脂基材
を浸漬して、ポルフィリンを付着させるのが好ましいも
のである。
いが、メタノールに溶かして用いる場合には、上記溶液
の濃度が０．１重量％以上のメタノール溶液に樹脂基材
を浸漬して、ポルフィリンを付着させるのが好ましいも
のである。
【００２７】さらに、上記ＣＯＯＨ基を側鎖に有するポ
ルフィリンを含む溶液を塗布した後、熱処理を行うもの
であると、ＣＯＯＨ基を側鎖に有するポルフィリンを含
む溶液を塗布したのち熱処理を行うことによって、樹脂
基材に付与されたＯＨ基やＣＯＯＨ基とポルフィリン側
鎖のＣＯＯＨ基との間で起こる脱水縮合反応が促進さ
れ、その結果ポルフィリンが樹脂基材表面にさらに強固
に固定化され、金属膜が強く密着することになる。
ルフィリンを含む溶液を塗布した後、熱処理を行うもの
であると、ＣＯＯＨ基を側鎖に有するポルフィリンを含
む溶液を塗布したのち熱処理を行うことによって、樹脂
基材に付与されたＯＨ基やＣＯＯＨ基とポルフィリン側
鎖のＣＯＯＨ基との間で起こる脱水縮合反応が促進さ
れ、その結果ポルフィリンが樹脂基材表面にさらに強固
に固定化され、金属膜が強く密着することになる。
【００２８】なお、この場合の熱処理は、温度５０〜１
００℃、時間０．５〜２時間程度の条件が特に好ましい
ものである。
００℃、時間０．５〜２時間程度の条件が特に好ましい
ものである。
【００２９】また、上記ポルフィリンを固定化する処理
が、脂肪族ジアミンを塗布した後、ＣＯＯＨ基を側鎖に
有するポルフィリンを含む溶液を塗布して、脂肪族ジア
ミンとポルフィリンを反応させるものであると、樹脂基
材表面のＯＨ基やＣＯＯＨ基と脂肪族ジアミンのＮＨ2
基がまず反応し、その後ポルフィリン側鎖のＣＯＯＨと
脂肪族ジアミンのＮＨ2 基が反応することで脂肪族鎖を
介したポルフィリンの固定化が可能となり、樹脂表面の
低応力化が図られることとなり、金属膜がより強く密着
することになる。
が、脂肪族ジアミンを塗布した後、ＣＯＯＨ基を側鎖に
有するポルフィリンを含む溶液を塗布して、脂肪族ジア
ミンとポルフィリンを反応させるものであると、樹脂基
材表面のＯＨ基やＣＯＯＨ基と脂肪族ジアミンのＮＨ2
基がまず反応し、その後ポルフィリン側鎖のＣＯＯＨと
脂肪族ジアミンのＮＨ2 基が反応することで脂肪族鎖を
介したポルフィリンの固定化が可能となり、樹脂表面の
低応力化が図られることとなり、金属膜がより強く密着
することになる。
【００３０】ここで用いる脂肪族ジアミンとしては、例
えば、ヘキサメチレンジアミン、１，７−ジアミノヘプ
タン、１，８−ジアミノオクタン、１，９−ジアミノノ
ナン、１，１０−ジアミノデカンなどを挙げることがで
きるものである。
えば、ヘキサメチレンジアミン、１，７−ジアミノヘプ
タン、１，８−ジアミノオクタン、１，９−ジアミノノ
ナン、１，１０−ジアミノデカンなどを挙げることがで
きるものである。
【００３１】上記ＯＨ基またはＣＯＯＨ基を付与する処
理が、樹脂基材をアルカリ溶液に浸漬するものである
と、樹脂基材表面の加水分解反応により樹脂基材表面に
ＯＨ基またはＣＯＯＨ基を付与することができるもので
ある。
理が、樹脂基材をアルカリ溶液に浸漬するものである
と、樹脂基材表面の加水分解反応により樹脂基材表面に
ＯＨ基またはＣＯＯＨ基を付与することができるもので
ある。
【００３２】ここで用いるアルカリ溶液としては、例え
ば、水酸化ナトリウム水溶液、アンモニア水溶液などを
挙げることができるものである。
ば、水酸化ナトリウム水溶液、アンモニア水溶液などを
挙げることができるものである。
【００３３】また、上記ＯＨ基またはＣＯＯＨ基を付与
する処理が、樹脂基材を酸素あるいは酸素を含むプラズ
マに曝すことで行われるものであると、プラズマ中の酸
素イオンや酸素ラジカルが基材樹脂表面の有機結合を断
ち、そこに再結合する形でＯＨ基またはＣＯＯＨ基が形
成される。酸素イオンや酸素ラジカルの有するエネルギ
ーが高いため、前述のアルカリ溶液処理に比較して更に
ＯＨ基またはＣＯＯＨ基の形成能力に優れている。
する処理が、樹脂基材を酸素あるいは酸素を含むプラズ
マに曝すことで行われるものであると、プラズマ中の酸
素イオンや酸素ラジカルが基材樹脂表面の有機結合を断
ち、そこに再結合する形でＯＨ基またはＣＯＯＨ基が形
成される。酸素イオンや酸素ラジカルの有するエネルギ
ーが高いため、前述のアルカリ溶液処理に比較して更に
ＯＨ基またはＣＯＯＨ基の形成能力に優れている。
【００３４】そして、ここで用いるプラズマの形態とし
ては、例えば、マイクロ波放電プラズマ、高周波放電プ
ラズマ、ＥＣＲプラズマ等を用いることができるもので
ある。
ては、例えば、マイクロ波放電プラズマ、高周波放電プ
ラズマ、ＥＣＲプラズマ等を用いることができるもので
ある。
【００３５】また、上記ＯＨ基またはＣＯＯＨ基を付与
する処理が、金属膜を形成する箇所にのみ局部的に施さ
れるものであると、樹脂基材表面の金属膜を形成する箇
所にのみ局部的に施すことにより、その部分にポルフィ
リンが固定化され金属との密着性が向上する。それ以外
の所はエッチング等の処理による金属膜の除去が容易と
なる。
する処理が、金属膜を形成する箇所にのみ局部的に施さ
れるものであると、樹脂基材表面の金属膜を形成する箇
所にのみ局部的に施すことにより、その部分にポルフィ
リンが固定化され金属との密着性が向上する。それ以外
の所はエッチング等の処理による金属膜の除去が容易と
なる。
【００３６】特に、上記金属膜を形成する箇所にのみ局
部的にＯＨ基またはＣＯＯＨ基を付与する処理が、酸素
あるいは酸素を含む雰囲気中においてレーザ照射を施す
ものであると、請求項７記載の発明を具現化するための
手段についての発明となり、樹脂基材表面にレーザを照
射することにより、レーザの光エネルギーにより基材樹
脂表面の有機結合が断たれ、雰囲気中の酸素との再結合
が起こりＯＨ基やＣＯＯＨ基が形成される。その部分に
ポルフィリンが固定化され金属との密着性が向上する。
それ以外の所エッチング等の処理による金属膜の除去が
容易となる。
部的にＯＨ基またはＣＯＯＨ基を付与する処理が、酸素
あるいは酸素を含む雰囲気中においてレーザ照射を施す
ものであると、請求項７記載の発明を具現化するための
手段についての発明となり、樹脂基材表面にレーザを照
射することにより、レーザの光エネルギーにより基材樹
脂表面の有機結合が断たれ、雰囲気中の酸素との再結合
が起こりＯＨ基やＣＯＯＨ基が形成される。その部分に
ポルフィリンが固定化され金属との密着性が向上する。
それ以外の所エッチング等の処理による金属膜の除去が
容易となる。
【００３７】そして、ここで用いるレーザとしては、例
えば、エキシマレーザ、ＣＯ2 レーザ、ＡｒＦレーザ、
ＫｒＦレーザ、ＸｅＣｌレーザなどを挙げることができ
るものである。
えば、エキシマレーザ、ＣＯ2 レーザ、ＡｒＦレーザ、
ＫｒＦレーザ、ＸｅＣｌレーザなどを挙げることができ
るものである。
【００３８】同様に、上記金属膜を形成する箇所にのみ
局部的にＯＨ基またはＣＯＯＨ基を付与する処理が、酸
素イオンビーム照射あるいは酸素を含む雰囲気中でイオ
ンビーム照射を施すものであると、請求項７記載の発明
を具現化するための手段についての発明となり、樹脂基
材表面にイオンビームを照射することにより、イオンの
運動エネルギーにより基材樹脂表面の有機結合が断た
れ、照射された酸素イオンあるいは雰囲気中の酸素との
再結合が起こりＯＨ基やＣＯＯＨ基が形成される。その
部分にポルフィリンが固定化され金属との密着性が向上
する。それ以外の所はエッチング等の処理による金属膜
の除去が容易となる。
局部的にＯＨ基またはＣＯＯＨ基を付与する処理が、酸
素イオンビーム照射あるいは酸素を含む雰囲気中でイオ
ンビーム照射を施すものであると、請求項７記載の発明
を具現化するための手段についての発明となり、樹脂基
材表面にイオンビームを照射することにより、イオンの
運動エネルギーにより基材樹脂表面の有機結合が断た
れ、照射された酸素イオンあるいは雰囲気中の酸素との
再結合が起こりＯＨ基やＣＯＯＨ基が形成される。その
部分にポルフィリンが固定化され金属との密着性が向上
する。それ以外の所はエッチング等の処理による金属膜
の除去が容易となる。
【００３９】なお、ここで用いるイオンビームとして
は、例えば、イオン銃として熱陰極型、電子サイクロト
ロン型、デュオプラズマトロン型のイオン銃を用いて生
成されたイオンビームを挙げることができるものであ
る。
は、例えば、イオン銃として熱陰極型、電子サイクロト
ロン型、デュオプラズマトロン型のイオン銃を用いて生
成されたイオンビームを挙げることができるものであ
る。
【００４０】同じく、上記金属膜を形成する箇所にのみ
局部的にＯＨ基またはＣＯＯＨ基を付与する処理が、酸
素あるいは酸素を含むプラズマジェット照射を施すもの
であると、請求項７記載の発明を具現化するための手段
についての発明となり、樹脂基材表面に酸素あるいは酸
素を含むプラズマジェットを局部的に照射することによ
り、プラズマ中の酸素イオンや酸素ラジカルが照射部分
の基材樹脂表面の有機結合を断ち、そこに再結合する形
でＯＨ基またはＣＯＯＨ基が形成される。その部分にポ
ルフィリンが固定化され金属との密着性が向上する。そ
れ以外の所はエッチング等の処理による金属膜の除去が
容易となる。
局部的にＯＨ基またはＣＯＯＨ基を付与する処理が、酸
素あるいは酸素を含むプラズマジェット照射を施すもの
であると、請求項７記載の発明を具現化するための手段
についての発明となり、樹脂基材表面に酸素あるいは酸
素を含むプラズマジェットを局部的に照射することによ
り、プラズマ中の酸素イオンや酸素ラジカルが照射部分
の基材樹脂表面の有機結合を断ち、そこに再結合する形
でＯＨ基またはＣＯＯＨ基が形成される。その部分にポ
ルフィリンが固定化され金属との密着性が向上する。そ
れ以外の所はエッチング等の処理による金属膜の除去が
容易となる。
【００４１】そして、ここで用いるプラズマジェットと
しては、例えば、電磁プラズマ加速型などのプラズマジ
ェットを挙げることができるものである。
しては、例えば、電磁プラズマ加速型などのプラズマジ
ェットを挙げることができるものである。
【００４２】
【実施例】以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
【００４３】（実施例１）請求項１の発明を説明する実
施例を行った。基板ホルダーにポリイミド板を取り付
け、真空チャンバー内に配置した。この真空チャンバー
内を１×１０-3Ｐａ以下になるまで真空排気した。アル
ゴンガスを導入し、プラズマを発生させ、ポリイミド板
の表面処理を行った。
施例を行った。基板ホルダーにポリイミド板を取り付
け、真空チャンバー内に配置した。この真空チャンバー
内を１×１０-3Ｐａ以下になるまで真空排気した。アル
ゴンガスを導入し、プラズマを発生させ、ポリイミド板
の表面処理を行った。
【００４４】次に、この樹脂基材をエチオポルフィリン
（側鎖がエチル基とメチル基のもの）の０．５重量％ク
ロロホルム溶液に浸漬させ、室温のまま、１時間放置し
溶媒を揮発除去させた。その後、ガス成分アルゴン、ガ
ス圧２．０×１０-1Ｐａ、基板温度室温、ターゲット電
圧５００Ｖの条件によるマグネトロンスパッタリング法
でポリイミド板の表面に厚み０．２μｍの銅膜を形成し
た。
（側鎖がエチル基とメチル基のもの）の０．５重量％ク
ロロホルム溶液に浸漬させ、室温のまま、１時間放置し
溶媒を揮発除去させた。その後、ガス成分アルゴン、ガ
ス圧２．０×１０-1Ｐａ、基板温度室温、ターゲット電
圧５００Ｖの条件によるマグネトロンスパッタリング法
でポリイミド板の表面に厚み０．２μｍの銅膜を形成し
た。
【００４５】（実施例２）請求項２の発明を説明する実
施例を行った。基板ホルダーにポリイミド板を取り付
け、真空チャンバー内に配置した。この真空チャンバー
内を１×１０-3Ｐａ以下になるまで真空排気した。アル
ゴンガスを導入し、プラズマを発生させ、ポリイミド板
の表面処理を行った。
施例を行った。基板ホルダーにポリイミド板を取り付
け、真空チャンバー内に配置した。この真空チャンバー
内を１×１０-3Ｐａ以下になるまで真空排気した。アル
ゴンガスを導入し、プラズマを発生させ、ポリイミド板
の表面処理を行った。
【００４６】次に、この表面をメソポルフィリン（側鎖
がメチル基、エチル基および酢酸基のもの）の０．５重
量％メタノール溶液に浸漬させたのち引き上げ、１時間
放置し溶媒を揮発除去した。
がメチル基、エチル基および酢酸基のもの）の０．５重
量％メタノール溶液に浸漬させたのち引き上げ、１時間
放置し溶媒を揮発除去した。
【００４７】その後、ガス成分アルゴン、ガス圧２．０
×１０-1Ｐａ、基板温度室温、ターゲット電圧５００Ｖ
の条件によるマグネトロンスパッタリング法でポリイミ
ド板の表面に厚み０．２μｍの銅膜を形成した。
×１０-1Ｐａ、基板温度室温、ターゲット電圧５００Ｖ
の条件によるマグネトロンスパッタリング法でポリイミ
ド板の表面に厚み０．２μｍの銅膜を形成した。
【００４８】（実施例３）請求項３の発明を説明する実
施例を行った。基板ホルダーにポリイミド板を取り付
け、真空チャンバー内に配置した。この真空チャンバー
内を１×１０-3Ｐａ以下になるまで真空排気した。アル
ゴンガスを導入し、プラズマを発生させ、ポリイミド板
の表面処理を行った。
施例を行った。基板ホルダーにポリイミド板を取り付
け、真空チャンバー内に配置した。この真空チャンバー
内を１×１０-3Ｐａ以下になるまで真空排気した。アル
ゴンガスを導入し、プラズマを発生させ、ポリイミド板
の表面処理を行った。
【００４９】次に、この樹脂基材をメソポルフィリン
（側鎖がメチル基、エチル基および酢酸基のもの）の
０．５重量％メタノール溶液に浸漬させたのち引き上
げ、恒温チャンバー内で８０℃、１時間加熱し室温まで
冷却した。
（側鎖がメチル基、エチル基および酢酸基のもの）の
０．５重量％メタノール溶液に浸漬させたのち引き上
げ、恒温チャンバー内で８０℃、１時間加熱し室温まで
冷却した。
【００５０】その後、ガス成分アルゴン、ガス圧２．０
×１０-1Ｐａ、基板温度室温、ターゲット電圧５００Ｖ
の条件によるマグネトロンスパッタリング法でポリイミ
ド板の表面に厚み０．２μｍの銅膜を形成した。
×１０-1Ｐａ、基板温度室温、ターゲット電圧５００Ｖ
の条件によるマグネトロンスパッタリング法でポリイミ
ド板の表面に厚み０．２μｍの銅膜を形成した。
【００５１】（実施例４）請求項４の発明を説明する実
施例を行った。基板ホルダーにポリイミド板を取り付
け、真空チャンバー内に配置した。この真空チャンバー
内を１×１０-3Ｐａ以下になるまで真空排気した。アル
ゴンガスを導入し、プラズマを発生させ、ポリイミド板
の表面処理を行った。
施例を行った。基板ホルダーにポリイミド板を取り付
け、真空チャンバー内に配置した。この真空チャンバー
内を１×１０-3Ｐａ以下になるまで真空排気した。アル
ゴンガスを導入し、プラズマを発生させ、ポリイミド板
の表面処理を行った。
【００５２】次に、この樹脂基材をヘキサメチレンジア
ミンの０．５重量％メタノール溶液に浸漬させた後引き
上げ、恒温チャンバー内で５０℃、３０分加熱した。そ
の後メソポルフィリン（側鎖がメチル基、エチル基およ
び酢酸基のもの）の０．５重量％メタノール溶液に浸漬
させて引き上げ、恒温チャンバー内で８０℃、１時間加
熱し室温まで冷却した。
ミンの０．５重量％メタノール溶液に浸漬させた後引き
上げ、恒温チャンバー内で５０℃、３０分加熱した。そ
の後メソポルフィリン（側鎖がメチル基、エチル基およ
び酢酸基のもの）の０．５重量％メタノール溶液に浸漬
させて引き上げ、恒温チャンバー内で８０℃、１時間加
熱し室温まで冷却した。
【００５３】その後、ガス成分アルゴン、ガス圧２．０
×１０-1Ｐａ、基板温度室温、ターゲット電圧５００Ｖ
の条件によるマグネトロンスパッタリング法でポリイミ
ド板の表面に厚み０．２μｍの銅膜を形成した。
×１０-1Ｐａ、基板温度室温、ターゲット電圧５００Ｖ
の条件によるマグネトロンスパッタリング法でポリイミ
ド板の表面に厚み０．２μｍの銅膜を形成した。
【００５４】（実施例５）請求項５の発明を説明する実
施例を行った。基板ホルダーにポリイミド板を取り付
け、濃度１ＭのＮａＯＨ溶液に１時間浸漬したのち純水
で洗浄し、ポリイミド板の表面処理を行った。
施例を行った。基板ホルダーにポリイミド板を取り付
け、濃度１ＭのＮａＯＨ溶液に１時間浸漬したのち純水
で洗浄し、ポリイミド板の表面処理を行った。
【００５５】次に、この樹脂基材をメソポルフィリン
（側鎖がメチル基、エチル基および酢酸基のもの）の
０．５重量％メタノール溶液に浸漬させたのち引き上
げ、恒温チャンバー内で８０℃、１時間加熱し室温まで
冷却した。
（側鎖がメチル基、エチル基および酢酸基のもの）の
０．５重量％メタノール溶液に浸漬させたのち引き上
げ、恒温チャンバー内で８０℃、１時間加熱し室温まで
冷却した。
【００５６】その後、ガス成分アルゴン、ガス圧２．０
×１０-1Ｐａ、基板温度室温、ターゲット電圧５００Ｖ
の条件によるマグネトロンスパッタリング法でポリイミ
ド板の表面に厚み０．２μｍの銅膜を形成した。
×１０-1Ｐａ、基板温度室温、ターゲット電圧５００Ｖ
の条件によるマグネトロンスパッタリング法でポリイミ
ド板の表面に厚み０．２μｍの銅膜を形成した。
【００５７】（実施例６）請求項６の発明を説明する実
施例を行った。基板ホルダーにポリイミド板を取り付
け、真空チャンバー内に配置した。この真空チャンバー
内を１×１０-3Ｐａ以下になるまで真空排気した。酸素
ガスを導入し、プラズマを発生させ、ポリイミド板の表
面処理を行った。
施例を行った。基板ホルダーにポリイミド板を取り付
け、真空チャンバー内に配置した。この真空チャンバー
内を１×１０-3Ｐａ以下になるまで真空排気した。酸素
ガスを導入し、プラズマを発生させ、ポリイミド板の表
面処理を行った。
【００５８】次に、この樹脂基材をメソポルフィリン
（側鎖がメチル基、エチル基および酢酸基のもの）の
０．５重量％メタノール溶液に浸漬させたのち引き上
げ、恒温チャンバー内で８０℃、１時間加熱し室温まで
冷却した。
（側鎖がメチル基、エチル基および酢酸基のもの）の
０．５重量％メタノール溶液に浸漬させたのち引き上
げ、恒温チャンバー内で８０℃、１時間加熱し室温まで
冷却した。
【００５９】その後、ガス成分アルゴン、ガス圧２．０
×１０-1Ｐａ、基板温度室温、ターゲット電圧５００Ｖ
の条件によるマグネトロンスパッタリング法でポリイミ
ド板の表面に厚み０．２μｍの銅膜を形成した。
×１０-1Ｐａ、基板温度室温、ターゲット電圧５００Ｖ
の条件によるマグネトロンスパッタリング法でポリイミ
ド板の表面に厚み０．２μｍの銅膜を形成した。
【００６０】（実施例７）請求項７の発明を説明する実
施例を行った。基板ホルダーに１０ｃｍ×１０ｃｍの大
きさのポリイミド板を取り付け、この樹脂基材の表面
に、この樹脂基材と同じサイズで中央部に５ｃｍ×５ｃ
ｍの穴の開いた粘着シートを張り付け真空チャンバー内
に配置した。この真空チャンバー内を１×１０-3Ｐａ以
下になるまで真空排気した。酸素ガスを導入し、プラズ
マを発生させ、ポリイミド板の表面処理を行った。
施例を行った。基板ホルダーに１０ｃｍ×１０ｃｍの大
きさのポリイミド板を取り付け、この樹脂基材の表面
に、この樹脂基材と同じサイズで中央部に５ｃｍ×５ｃ
ｍの穴の開いた粘着シートを張り付け真空チャンバー内
に配置した。この真空チャンバー内を１×１０-3Ｐａ以
下になるまで真空排気した。酸素ガスを導入し、プラズ
マを発生させ、ポリイミド板の表面処理を行った。
【００６１】次に、この樹脂基材から粘着シートを除去
し、この樹脂基材をメソポルフィリン（側鎖がメチル
基、エチル基および酢酸基のもの）の０．５重量％メタ
ノール溶液に浸漬させたのち引き上げ、恒温チャンバー
内で８０℃、１時間加熱し室温まで冷却した。
し、この樹脂基材をメソポルフィリン（側鎖がメチル
基、エチル基および酢酸基のもの）の０．５重量％メタ
ノール溶液に浸漬させたのち引き上げ、恒温チャンバー
内で８０℃、１時間加熱し室温まで冷却した。
【００６２】その後、ガス成分アルゴン、ガス圧２．０
×１０-1Ｐａ、基板温度室温、ターゲット電圧５００Ｖ
の条件によるマグネトロンスパッタリング法でポリイミ
ド板の表面に厚み０．２μｍの銅膜を形成した。
×１０-1Ｐａ、基板温度室温、ターゲット電圧５００Ｖ
の条件によるマグネトロンスパッタリング法でポリイミ
ド板の表面に厚み０．２μｍの銅膜を形成した。
【００６３】（実施例８）請求項８の発明を説明する実
施例を行った。基板ホルダーに１０ｃｍ×１０ｃｍの大
きさのポリイミド板を取り付け、真空チャンバー内に配
置した。この真空チャンバー内を１×１０-3Ｐａ以下に
なるまで真空排気した後、ハロゲンヒーターでポリイミ
ド板を１００℃に予備加熱し、吸着した水分等を除去し
た。
施例を行った。基板ホルダーに１０ｃｍ×１０ｃｍの大
きさのポリイミド板を取り付け、真空チャンバー内に配
置した。この真空チャンバー内を１×１０-3Ｐａ以下に
なるまで真空排気した後、ハロゲンヒーターでポリイミ
ド板を１００℃に予備加熱し、吸着した水分等を除去し
た。
【００６４】次に、酸素ガスを導入しエキシマレーザ光
をポリイミド板表面の中央部の５ｃｍ×５ｃｍの範囲内
を走査させて照射した。
をポリイミド板表面の中央部の５ｃｍ×５ｃｍの範囲内
を走査させて照射した。
【００６５】照射終了後、この樹脂基材をメソポルフィ
リン（側鎖がメチル基、エチル基および酢酸基のもの）
の０．５重量％メタノール溶液に浸漬させたのち引き上
げ、恒温チャンバー内で８０℃、１時間加熱し室温まで
冷却した。
リン（側鎖がメチル基、エチル基および酢酸基のもの）
の０．５重量％メタノール溶液に浸漬させたのち引き上
げ、恒温チャンバー内で８０℃、１時間加熱し室温まで
冷却した。
【００６６】その後、ガス成分アルゴン、ガス圧２．０
×１０-1Ｐａ、基板温度室温、ターゲット電圧５００Ｖ
の条件によるマグネトロンスパッタリング法でポリイミ
ド板の表面に厚み０．２μｍの銅膜を形成した。
×１０-1Ｐａ、基板温度室温、ターゲット電圧５００Ｖ
の条件によるマグネトロンスパッタリング法でポリイミ
ド板の表面に厚み０．２μｍの銅膜を形成した。
【００６７】（実施例９）請求項９の発明を説明する実
施例を行った。基板ホルダーに１０ｃｍ×１０ｃｍの大
きさのポリイミド板を取り付け、真空チャンバー内に配
置した。この真空チャンバー内を１×１０-3Ｐａ以下に
なるまで真空排気した後、ハロゲンヒーターでポリイミ
ド板を１００℃に予備加熱し、吸着した水分等を除去し
た。
施例を行った。基板ホルダーに１０ｃｍ×１０ｃｍの大
きさのポリイミド板を取り付け、真空チャンバー内に配
置した。この真空チャンバー内を１×１０-3Ｐａ以下に
なるまで真空排気した後、ハロゲンヒーターでポリイミ
ド板を１００℃に予備加熱し、吸着した水分等を除去し
た。
【００６８】次に、熱陰極型のイオン銃を用いて加速電
圧２ｋＶ、ビーム電流０．５μＡ、酸素ガス導入量１×
１０-7Ｔｏｒｒで酸素ガスを導入しイオンビームを生成
させ、ポリイミド板表面の中央部の５ｃｍ×５ｃｍの範
囲内を走査させて照射した。
圧２ｋＶ、ビーム電流０．５μＡ、酸素ガス導入量１×
１０-7Ｔｏｒｒで酸素ガスを導入しイオンビームを生成
させ、ポリイミド板表面の中央部の５ｃｍ×５ｃｍの範
囲内を走査させて照射した。
【００６９】照射終了後、この樹脂基材をメソポルフィ
リン（側鎖がメチル基、エチル基および酢酸基のもの）
の０．５重量％メタノール溶液に浸漬させたのち引き上
げ、恒温チャンバー内で８０℃、１時間加熱し室温まで
冷却した。
リン（側鎖がメチル基、エチル基および酢酸基のもの）
の０．５重量％メタノール溶液に浸漬させたのち引き上
げ、恒温チャンバー内で８０℃、１時間加熱し室温まで
冷却した。
【００７０】その後、ガス成分アルゴン、ガス圧２．０
×１０-1Ｐａ、基板温度室温、ターゲット電圧５００Ｖ
の条件によるマグネトロンスパッタリング法でポリイミ
ド板の表面に厚み０．２μｍの銅膜を形成した。
×１０-1Ｐａ、基板温度室温、ターゲット電圧５００Ｖ
の条件によるマグネトロンスパッタリング法でポリイミ
ド板の表面に厚み０．２μｍの銅膜を形成した。
【００７１】（実施例１０）請求項１０の発明を説明す
る実施例を行った。基板ホルダーに１０ｃｍ×１０ｃｍ
の大きさのポリイミド板を取り付け、真空チャンバー内
に配置した。この真空チャンバー内を１×１０-3Ｐａ以
下になるまで真空排気した後、ハロゲンヒーターでポリ
イミド板を１００℃に予備加熱し、吸着した水分等を除
去した。
る実施例を行った。基板ホルダーに１０ｃｍ×１０ｃｍ
の大きさのポリイミド板を取り付け、真空チャンバー内
に配置した。この真空チャンバー内を１×１０-3Ｐａ以
下になるまで真空排気した後、ハロゲンヒーターでポリ
イミド板を１００℃に予備加熱し、吸着した水分等を除
去した。
【００７２】次に、電磁プラズマ加速型のプラズマジェ
ットを用いて高周波電力２ｋＷ、酸素ガス導入量０．１
Ｌ／分で酸素ガスを導入しプラズマジェットを生成さ
せ、ポリイミド板表面の中央部の５ｃｍ×５ｃｍの範囲
を走査させて照射した。
ットを用いて高周波電力２ｋＷ、酸素ガス導入量０．１
Ｌ／分で酸素ガスを導入しプラズマジェットを生成さ
せ、ポリイミド板表面の中央部の５ｃｍ×５ｃｍの範囲
を走査させて照射した。
【００７３】照射終了後、この樹脂基材をメソポルフィ
リン（側鎖がメチル基、エチル基および酢酸基のもの）
の０．５重量％メタノール溶液に浸漬させたのち引き上
げ、恒温チャンバー内で８０℃、１時間加熱し室温まで
冷却した。
リン（側鎖がメチル基、エチル基および酢酸基のもの）
の０．５重量％メタノール溶液に浸漬させたのち引き上
げ、恒温チャンバー内で８０℃、１時間加熱し室温まで
冷却した。
【００７４】その後、ガス成分アルゴン、ガス圧２．０
×１０-1Ｐａ、基板温度室温、ターゲット電圧５００Ｖ
の条件によるマグネトロンスパッタリング法でポリイミ
ド板の表面に厚み０．２μｍの銅膜を形成した。
×１０-1Ｐａ、基板温度室温、ターゲット電圧５００Ｖ
の条件によるマグネトロンスパッタリング法でポリイミ
ド板の表面に厚み０．２μｍの銅膜を形成した。
【００７５】（比較例１）本発明の効果を検証するため
従来発明による比較実験を行った。基板ホルダーにポリ
イミド板を取り付け、真空チャンバー内に配置した。こ
の真空チャンバー内を１×１０-3Ｐａ以下になるまで真
空排気した。アルゴンガスを導入し、プラズマを発生さ
せ、ポリイミド板の表面処理を行った。その後、ガス成
分アルゴン、ガス圧２．０×１０-1Ｐａ、基板温度室
温、ターゲット電圧５００Ｖの条件によるマグネトロン
スパッタリング法でポリイミド板の表面に厚み０．２μ
ｍの銅膜を形成した。
従来発明による比較実験を行った。基板ホルダーにポリ
イミド板を取り付け、真空チャンバー内に配置した。こ
の真空チャンバー内を１×１０-3Ｐａ以下になるまで真
空排気した。アルゴンガスを導入し、プラズマを発生さ
せ、ポリイミド板の表面処理を行った。その後、ガス成
分アルゴン、ガス圧２．０×１０-1Ｐａ、基板温度室
温、ターゲット電圧５００Ｖの条件によるマグネトロン
スパッタリング法でポリイミド板の表面に厚み０．２μ
ｍの銅膜を形成した。
【００７６】上記の実施例１〜１０および比較例１に述
べた方法によって、樹脂基材の表面に形成した銅膜につ
いて、密着性を評価するために碁盤目試験を行った。
べた方法によって、樹脂基材の表面に形成した銅膜につ
いて、密着性を評価するために碁盤目試験を行った。
【００７７】この試験は銅膜に２ｍｍ間隔に碁盤目状の
切り目をナイフで入れた後、この表面にセロハンテープ
を貼って剥がすことによって行い、銅膜が剥離しなけれ
ば「○」と評価し、また碁盤目状の切り目を入れなくと
も剥離すれば「×」と評価し、碁盤目状の切り目を入れ
た場合のみ剥離すれば「△」と評価した。この結果を下
記の表１に示しておいた。
切り目をナイフで入れた後、この表面にセロハンテープ
を貼って剥がすことによって行い、銅膜が剥離しなけれ
ば「○」と評価し、また碁盤目状の切り目を入れなくと
も剥離すれば「×」と評価し、碁盤目状の切り目を入れ
た場合のみ剥離すれば「△」と評価した。この結果を下
記の表１に示しておいた。
【００７８】なお、実施例７〜１０についてはＡが中央
部の５ｃｍ×５ｃｍの範囲内の銅膜の評価、Ｂがそれ以
外の部分の銅膜の評価結果を示しているものである。
部の５ｃｍ×５ｃｍの範囲内の銅膜の評価、Ｂがそれ以
外の部分の銅膜の評価結果を示しているものである。
【００７９】
【表１】
【００８０】上記表１の実施例１〜１０と比較例１とを
対比するとわかるように、本発明による各実施例のもの
は、いずれも比較例１に比べて銅膜の密着性が高いこと
がいえるものであり、本発明による金属膜の密着性の向
上の効果が確認されるものである。
対比するとわかるように、本発明による各実施例のもの
は、いずれも比較例１に比べて銅膜の密着性が高いこと
がいえるものであり、本発明による金属膜の密着性の向
上の効果が確認されるものである。
【００８１】
【発明の効果】本発明の請求項１に係る樹脂基材表面へ
の金属膜形成方法によると、樹脂基材表面にＯＨ基ある
いはＣＯＯＨ基を付与する活性化処理を施し、この樹脂
基材表面にポルフィリンを固定化する処理によって、金
属膜を強く樹脂基材に密着させることができる。このよ
うな前処理は、従来の微細な凹凸形成による前処理に比
較して工程が簡単であって、容易に行うことができるも
のである。
の金属膜形成方法によると、樹脂基材表面にＯＨ基ある
いはＣＯＯＨ基を付与する活性化処理を施し、この樹脂
基材表面にポルフィリンを固定化する処理によって、金
属膜を強く樹脂基材に密着させることができる。このよ
うな前処理は、従来の微細な凹凸形成による前処理に比
較して工程が簡単であって、容易に行うことができるも
のである。
【００８２】また、樹脂基材の表面に凹凸を形成する必
要がないので、形成した金属膜に金属光沢が得られ、装
飾用、反射鏡用などの用途に有用である。また、高周波
用回路基板に使う場合を想定すると、凹凸による表皮抵
抗が生じる心配がなく、電気特性の良好な高周波用回路
基板を製造することができる。
要がないので、形成した金属膜に金属光沢が得られ、装
飾用、反射鏡用などの用途に有用である。また、高周波
用回路基板に使う場合を想定すると、凹凸による表皮抵
抗が生じる心配がなく、電気特性の良好な高周波用回路
基板を製造することができる。
【００８３】また、所望の金属膜の下層にチタンまたは
クロム等のプリコート層を存在させる必要がないもので
ある。したがって、電子材料用途の回路基板などに用い
る場合、導体回路となる金属層のエッチングに悪影響を
与えることがなく、回路形成が容易であって、樹脂基材
をベースとした回路板の製造に好適に用いられる金属膜
形成方法になっている。
クロム等のプリコート層を存在させる必要がないもので
ある。したがって、電子材料用途の回路基板などに用い
る場合、導体回路となる金属層のエッチングに悪影響を
与えることがなく、回路形成が容易であって、樹脂基材
をベースとした回路板の製造に好適に用いられる金属膜
形成方法になっている。
【００８４】本発明の請求項２に係る樹脂基材表面への
金属膜形成方法によると、請求項１記載の場合に加え
て、樹脂基材表面にポルフィリンを固定化する方法とし
て、ＣＯＯＨ基を側鎖に有するポルフィリンを含む溶液
を塗布する処理により、樹脂基材に付与されたＯＨ基や
ＣＯＯＨ基とポルフィリン側鎖のＣＯＯＨ基との間で脱
水縮合反応が起こり、その結果ポルフィリンが樹脂基材
表面に強固に固定化され、金属膜がより強く密着する。
金属膜形成方法によると、請求項１記載の場合に加え
て、樹脂基材表面にポルフィリンを固定化する方法とし
て、ＣＯＯＨ基を側鎖に有するポルフィリンを含む溶液
を塗布する処理により、樹脂基材に付与されたＯＨ基や
ＣＯＯＨ基とポルフィリン側鎖のＣＯＯＨ基との間で脱
水縮合反応が起こり、その結果ポルフィリンが樹脂基材
表面に強固に固定化され、金属膜がより強く密着する。
【００８５】本発明の請求項３に係る樹脂基材表面への
金属膜形成方法によると、請求項２記載の場合に加え
て、ＣＯＯＨ基を側鎖に有するポルフィリンを含む溶液
を塗布したのち熱処理を行うことによって、樹脂基材に
付与されたＯＨ基やＣＯＯＨ基とポルフィリン側鎖のＣ
ＯＯＨ基との間で起こる脱水縮合反応が促進され、その
結果ポルフィリンが樹脂基材表面にさらに強固に固定化
され、金属膜が強く密着する。
金属膜形成方法によると、請求項２記載の場合に加え
て、ＣＯＯＨ基を側鎖に有するポルフィリンを含む溶液
を塗布したのち熱処理を行うことによって、樹脂基材に
付与されたＯＨ基やＣＯＯＨ基とポルフィリン側鎖のＣ
ＯＯＨ基との間で起こる脱水縮合反応が促進され、その
結果ポルフィリンが樹脂基材表面にさらに強固に固定化
され、金属膜が強く密着する。
【００８６】本発明の請求項４に係る樹脂基材表面への
金属膜形成方法によると、請求項１記載の場合に加え
て、樹脂基材表面にポルフィリンを固定化する処理が、
脂肪族ジアミンを塗布したのちＣＯＯＨ基を側鎖に有す
るポルフィリンを含む溶液を塗布して、脂肪族ジアミン
とポルフィリンを反応させることによって、脂肪族鎖を
介したポルフィリンの固定化が可能となり、樹脂表面の
低応力化が図られることとなり、金属膜がより強く密着
する。
金属膜形成方法によると、請求項１記載の場合に加え
て、樹脂基材表面にポルフィリンを固定化する処理が、
脂肪族ジアミンを塗布したのちＣＯＯＨ基を側鎖に有す
るポルフィリンを含む溶液を塗布して、脂肪族ジアミン
とポルフィリンを反応させることによって、脂肪族鎖を
介したポルフィリンの固定化が可能となり、樹脂表面の
低応力化が図られることとなり、金属膜がより強く密着
する。
【００８７】本発明の請求項５および請求項６に係る樹
脂基材表面への金属膜形成方法によると、請求項１ない
し請求項４何れか記載の場合に加えて、比較的容易な方
法でポルフィリン固定化の前処理を行うことができ、金
属膜が強く密着する。
脂基材表面への金属膜形成方法によると、請求項１ない
し請求項４何れか記載の場合に加えて、比較的容易な方
法でポルフィリン固定化の前処理を行うことができ、金
属膜が強く密着する。
【００８８】本発明の請求項７ないし請求項１０に係る
樹脂基材表面への金属膜形成方法によると、請求項１な
いし請求項４何れか記載の場合に加えて、樹脂基材表面
にＯＨ基またはＣＯＯＨ基を付与する処理が、金属膜を
形成する箇所にのみ局部的に施されるので、その部分に
ポルフィリンが固定化され部分的に金属との密着性を向
上させることができ、プリント配線板のように回路パタ
ーン以外の所が不要な場合に、エッチング等の処理によ
る金属膜の除去が容易である。
樹脂基材表面への金属膜形成方法によると、請求項１な
いし請求項４何れか記載の場合に加えて、樹脂基材表面
にＯＨ基またはＣＯＯＨ基を付与する処理が、金属膜を
形成する箇所にのみ局部的に施されるので、その部分に
ポルフィリンが固定化され部分的に金属との密着性を向
上させることができ、プリント配線板のように回路パタ
ーン以外の所が不要な場合に、エッチング等の処理によ
る金属膜の除去が容易である。
Claims (10)
- 【請求項１】 樹脂基材表面にＯＨ基またはＣＯＯＨ基
を付与する処理を施し、この樹脂基材表面にポルフィリ
ンを固定化する処理を施し、その後、この樹脂基材表面
に湿式めっきあるいは気相成長法にて金属膜を形成する
ことを特徴とする樹脂基材表面への金属膜形成方法。 - 【請求項２】 上記ポルフィリンを固定化する処理が、
ＣＯＯＨ基を側鎖に有するポルフィリンを含む溶液を塗
布するものであることを特徴とする請求項１記載の樹脂
基材表面への金属膜形成方法。 - 【請求項３】 上記ＣＯＯＨ基を側鎖に有するポルフィ
リンを含む溶液を塗布した後、熱処理を行うことを特徴
とする請求項２記載の樹脂基材表面への金属膜形成方
法。 - 【請求項４】 上記ポルフィリンを固定化する処理が、
脂肪族ジアミンを塗布した後、ＣＯＯＨ基を側鎖に有す
るポルフィリンを含む溶液を塗布して、脂肪族ジアミン
とポルフィリンを反応させるものであることを特徴とす
る請求項１記載の樹脂基材表面への金属膜形成方法。 - 【請求項５】 上記ＯＨ基またはＣＯＯＨ基を付与する
処理が、樹脂基材をアルカリ溶液に浸漬するものである
ことを特徴とする請求項１ないし請求項４何れか記載の
樹脂基材表面への金属膜形成方法。 - 【請求項６】 上記ＯＨ基またはＣＯＯＨ基を付与する
処理が、樹脂基材を酸素あるいは酸素を含むプラズマに
曝すことで行われるものであることを特徴とする請求項
１ないし請求項４何れか記載の樹脂基材表面への金属膜
形成方法。 - 【請求項７】 上記ＯＨ基またはＣＯＯＨ基を付与する
処理が、金属膜を形成する箇所にのみ局部的に施される
ものであることを特徴とする請求項１ないし請求項４何
れか記載の樹脂基材表面への金属膜形成方法。 - 【請求項８】 上記金属膜を形成する箇所にのみ局部的
にＯＨ基またはＣＯＯＨ基を付与する処理が、酸素ある
いは酸素を含む雰囲気中においてレーザ照射を施すもの
であることを特徴とする請求項７記載の樹脂基材表面へ
の金属膜形成方法。 - 【請求項９】 上記金属膜を形成する箇所にのみ局部的
にＯＨ基またはＣＯＯＨ基を付与する処理が、酸素イオ
ンビーム照射あるいは酸素を含む雰囲気中でイオンビー
ム照射を施すものであることを特徴とする請求項７記載
の樹脂基材表面への金属膜形成方法。 - 【請求項１０】 上記金属膜を形成する箇所にのみ局部
的にＯＨ基またはＣＯＯＨ基を付与する処理が、酸素あ
るいは酸素を含むプラズマジェット照射を施すものであ
ることを特徴とする請求項７記載の樹脂基材表面への金
属膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26934798A JP4013352B2 (ja) | 1998-09-24 | 1998-09-24 | 樹脂基材表面への金属膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26934798A JP4013352B2 (ja) | 1998-09-24 | 1998-09-24 | 樹脂基材表面への金属膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000096213A true JP2000096213A (ja) | 2000-04-04 |
| JP4013352B2 JP4013352B2 (ja) | 2007-11-28 |
Family
ID=17471119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26934798A Expired - Fee Related JP4013352B2 (ja) | 1998-09-24 | 1998-09-24 | 樹脂基材表面への金属膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4013352B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009511754A (ja) * | 2005-10-26 | 2009-03-19 | ピー アンド アイ コーポレーション | 金属、合金及びセラミックスのナノ粒子を均一に真空蒸着させたパウダーの製造方法、及びその製造装置 |
| EP2188818A1 (en) * | 2007-08-31 | 2010-05-26 | Zettacore, Inc. | Methods of treating a surface to promote binding of molecule(s) of interest, coatings and devices formed therefrom |
| US8323769B2 (en) * | 2007-08-31 | 2012-12-04 | Atotech Deutschland Gmbh | Methods of treating a surface to promote metal plating and devices formed |
| US9345149B2 (en) | 2010-07-06 | 2016-05-17 | Esionic Corp. | Methods of treating copper surfaces for enhancing adhesion to organic substrates for use in printed circuit boards |
| JP2021533402A (ja) * | 2018-07-27 | 2021-12-02 | ショット アクチエンゲゼルシャフトSchott AG | 光導波体および電気導体層を備えた光・電気導体アセンブリ |
-
1998
- 1998-09-24 JP JP26934798A patent/JP4013352B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009511754A (ja) * | 2005-10-26 | 2009-03-19 | ピー アンド アイ コーポレーション | 金属、合金及びセラミックスのナノ粒子を均一に真空蒸着させたパウダーの製造方法、及びその製造装置 |
| EP2188818A1 (en) * | 2007-08-31 | 2010-05-26 | Zettacore, Inc. | Methods of treating a surface to promote binding of molecule(s) of interest, coatings and devices formed therefrom |
| JP2010538160A (ja) * | 2007-08-31 | 2010-12-09 | ゼタコア インコーポレイテッド | 興味ある分子の結合を促進するための表面処理方法、該方法により形成されたコーティングおよび装置 |
| US8323769B2 (en) * | 2007-08-31 | 2012-12-04 | Atotech Deutschland Gmbh | Methods of treating a surface to promote metal plating and devices formed |
| EP2188818A4 (en) * | 2007-08-31 | 2013-01-09 | Atotech Deutschland Gmbh | METHODS OF TREATING A SURFACE TO PROMOTE THE BONDING OF ONE OR MORE MOLECULES HAVING AN INTEREST AND COATINGS AND DEVICES FORMED THEREFROM |
| EP2188817A4 (en) * | 2007-08-31 | 2015-08-26 | Atotech Deutschland Gmbh | METHODS OF PROCESSING A SURFACE FOR PROMOTING METAL VENEER AND DEVICES FORMED |
| US9345149B2 (en) | 2010-07-06 | 2016-05-17 | Esionic Corp. | Methods of treating copper surfaces for enhancing adhesion to organic substrates for use in printed circuit boards |
| US9795040B2 (en) | 2010-07-06 | 2017-10-17 | Namics Corporation | Methods of treating copper surfaces for enhancing adhesion to organic substrates for use in printed circuit boards |
| JP2021533402A (ja) * | 2018-07-27 | 2021-12-02 | ショット アクチエンゲゼルシャフトSchott AG | 光導波体および電気導体層を備えた光・電気導体アセンブリ |
| US11899257B2 (en) | 2018-07-27 | 2024-02-13 | Schott Ag | Optical-electrical conductor assembly comprising an optical waveguide and an electrically conductive layer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4013352B2 (ja) | 2007-11-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0959763A (ja) | 有機質基材表面への金属膜形成方法 | |
| EP0456972B1 (en) | Surface modification of a polyimide | |
| EP0328944B1 (en) | Conditioning a non-conductive substrate for subsequent selective deposition of a metal thereon | |
| EP1160826A3 (en) | Coating, modification and etching of substrate surface with particle beam irradiation | |
| JPH0149788B2 (ja) | ||
| KR20070094624A (ko) | 금속막 및 금속막의 형성방법 | |
| JP2008542495A (ja) | エチレンイミンカップリング剤を用いるポリイミドフィルムの表面改質方法、それを用いる銅箔積層フィルムの製造方法及びその方法で製造される２層構造の銅箔積層フィルム | |
| JP4013352B2 (ja) | 樹脂基材表面への金属膜形成方法 | |
| US5527566A (en) | Conditioning of a polymeric substrate | |
| JPH0712110B2 (ja) | 印刷回路板の製造方法 | |
| JP3344017B2 (ja) | 金属と有機物の接合方法および配線板の製造方法 | |
| JP2003008179A (ja) | 印刷回路及びフレキシブル配線のパターンニング方法 | |
| JP6551391B2 (ja) | 誘電体基材表面の金属化方法及び金属膜付き誘電体基材 | |
| US6703186B1 (en) | Method of forming a conductive pattern on a circuit board | |
| JP4013353B2 (ja) | 樹脂基材表面への金属膜形成方法 | |
| JP3263470B2 (ja) | 有機質基材表面のメタライズ方法 | |
| JP2010001543A (ja) | 銅膜形成方法及び配線基板 | |
| JP2001513024A (ja) | ポリアルキレン上に被覆を設ける方法 | |
| JPH10237631A (ja) | 有機質基材表面への金属膜形成方法 | |
| JPH1161378A (ja) | 有機質基材表面への金属膜形成方法 | |
| JP2501791B2 (ja) | フイルムキヤリヤ形基板とその製造方法 | |
| EP0564693A1 (en) | Film carrier type substrate and method of manufacturing the same | |
| JPH10265943A (ja) | 有機質基材表面への金属膜形成方法 | |
| JPH1030167A (ja) | 有機質基材表面への金属膜形成方法 | |
| JPH10130816A (ja) | 有機質基材表面への金属膜形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040726 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070213 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070821 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070903 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100921 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100921 Year of fee payment: 3 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100921 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |