JP2000091847A - Fm受信機用半導体集積回路 - Google Patents

Fm受信機用半導体集積回路

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JP2000091847A
JP2000091847A JP10256897A JP25689798A JP2000091847A JP 2000091847 A JP2000091847 A JP 2000091847A JP 10256897 A JP10256897 A JP 10256897A JP 25689798 A JP25689798 A JP 25689798A JP 2000091847 A JP2000091847 A JP 2000091847A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 IFビートの出力のレベルを低くし、RF部
及びIF部を同一チップ上に構成する。 【解決手段】 IFリミッタ入力端子11から入力され
たIF信号は、IFリミッタ5により増幅,振幅制限さ
れ、IFリミッタ出力12は互いに逆位相でQ1,Q2
により構成される差動増幅器に入力される。Q1のコレ
クタ電流I1は、R1およびC1の値を選択して構成さ
れるローパスフィルタのカットオフ周波数をIF信号よ
り高くする。また、同様にQ2のコレクタ電流I2にお
いても、R2およびC2で構成されるローパスフィルタ
により高域が減衰するように設定する。IFリミッタか
ら出力されるIF信号の高調波成分を減衰させFM検波
器に飛び込むIF信号の整数倍のRF信号とのビート出
力を低減させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、FM受信機に使用
する半導体集積回路内に構成されるFM検波器における
無線周波数部と中間周波数部とを同一チップ上に有する
FM受信機用半導体集積回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、FM受信機用の半導体集積回路
は、集積化が進み無線周波数(以下、RFと略記)部と
中間周波数(以下、IFと略記)部を同一チップ上に構
成するようになっている。以下に、FM受信機に使用さ
れるFM−RF部及びIF部を有する半導体集積回路に
ついて説明する。図7は半導体集積回路のRF部,IF
部の構成を示すブロック図であり、1はRF増幅器、2
は混合器、3は局部発振器、4はIF増幅器、5はIF
リミッタ、6はFM検波器、7はアンテナ入力端子、8
は検波出力端子で、通常は破線で囲まれたブロックが半
導体集積回路10内に構成される。
【0003】アンテナ入力端子7から入力されたFM−
RF信号はRF増幅器1で増幅され、局部発振器3で生
成された局部発振信号と混合器2で混合されて狭帯域の
フィルタを通ったIF信号はIF増幅器4に入力され
る。IF信号はIF増幅器4,IFリミッタ5で増幅,
振幅制限されFM検波器6へ入力される。FM検波出力
は検波出力端子8から出力されステレオ復調器等の低周
波信号処理部へ入力される。また、低周波信号処理部も
同一チップ上へ構成される場合があるがこのブロック図
では省略してある。
【0004】次に、前記FM受信機用半導体集積回路に
使用されるFM検波器について説明する。図8は従来の
FM検波器の概略を示す構成図であり、図8において、
5はIFリミッタ、5′は90度移相器、6′はローパ
スフィルタ(L.P.F.)、8は検波出力端子、11
はIFリミッタ入力端子、12はIFリミッタ出力、1
3は接地端子、14は定電圧端子である。
【0005】図8に示すFM検波器において、IFリミ
ッタ入力端子11から入力されたIF信号は、IFリミ
ッタ5により増幅,振幅制限され、その出力は互いに逆
位相でQ1,Q2で構成される差動増幅器に入力され、
出力電流I1′,I2′に変換される。一方、IFリミ
ッタ5のIFリミッタ出力12は90度移相器5′にも
入力され、90度移相器5′の出力はQ3,Q4,Q
5,Q6で構成される掛け算回路に入力されQ1,Q2
の出力電流I1′,I2′と掛け算され、前記掛け算回
路の電流出力は電圧変換されローパスフィルタ6′によ
ってIF帯域以上の信号成分が除去され検波出力端子8
から出力される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成のFM受信機用半導体集積回路は、RF部とI
F部を別チップ上に構成する場合に比べて、同一チップ
上に構成することにより種々の問題がでてきている。そ
の中の一つとしてIFビートがありRF部、IF部を同
一チップ上に構成する際の障害となっている。
【0007】ここで、図7に示すブロック図において、
アンテナ入力端子7から入力信号の周波数がIF=1
0.7MHzの整数倍のときに、混合器2に入力される
入力信号fxはn×IF、局部発振器3からの出力信号
foは(n±1)×IFの周波数となる。一方、IFリ
ミッタ5のIFリミッタ出力12はIF信号に振幅制限
がかかるためm×IF(m=2〜)の高調波を含んでい
る。ここでn,mは整数である。この入力信号fxまた
は出力信号foが何らかの理由で、図8に示すFM検波
器のQ3,Q4,Q5,Q6で構成される掛け算回路に
飛び込むとIFリミッタ出力12の高調波と干渉を起こ
し、いわゆるIFビートの出力が検波出力端子8へ出力
される。この周波数は具体的にはfx=74.9MH
z,85.6MHz,96.3MHz,107MHzで
ある。
【0008】混合器2または局部発振器3がFM検波器
6と別のチップ上に構成されていれば、それぞれのチッ
プを離すことによってIFビートの影響は緩和される
が、同一チップ上にある場合には、グランドライン,電
源ライン,チップの基板等を通してRF部からFM検波
器6へ信号が飛び込みIFビートの出力が大きくなると
いう問題があり、特に、局部発振器3の出力はRF部の
特性を確保するため、高い出力レベルが要求されRF入
力信号レベルに関係なく常時発振しているためその影響
が大きいという問題があった。
【0009】本発明は、前記従来技術の問題を解決する
ことに指向するものであり、IFビートの出力のレベル
を低くしたFM検波器を有するFM受信機用半導体集積
回路を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明に係るFM受信機用半導体集積回路は、受信
した高周波信号に対して局部発振信号を混合して中間周
波数信号に変換する混合器と、混合器に局部発振信号を
与える局部発振器と、混合器から出力される中間周波数
信号を増幅,振幅制限する中間周波数リミッタと、中間
周波数リミッタの出力信号をFM検波するFM検波器と
を有するFM受信機用半導体集積回路において、FM検
波器は、中間周波数リミッタの出力信号が入力される第
1及び第2のトランジスタで構成される第1の差動増幅
器と、第1のトランジスタのコレクタと第2の差動増幅
器のエミッタ接続の間に接続される第1の抵抗と、第1
のトランジスタのコレクタと交流的に接地された端子の
間に接続される第1の容量と、第2のトランジスタのコ
レクタと第3の差動増幅器のエミッタ接続の間に接続さ
れる第2の抵抗と、第2のトランジスタのコレクタと交
流的に接地された端子の間に接続される第2の容量と、
中間周波数リミッタの出力信号の位相を90度ずらして
第2および第3の差動増幅器に与える90度移相手段と
を具備し、第1の抵抗および第1の容量とで構成される
第1のローパスフィルタと第2の抵抗および第2の容量
とで構成される第2のローパスフィルタのカットオフ周
波数は中間周波数信号の周波数より高いことを特徴とす
る。
【0011】また、前記FM検波器は、中間周波数リミ
ッタの出力信号が入力される第1及び第2のトランジス
タで構成される第1の差動増幅器と、第1のトランジス
タのコレクタと第2の差動増幅器のエミッタ接続の間に
接続される第1の抵抗と、第2のトランジスタのコレク
タと第3の差動増幅器のエミッタ接続の間に接続される
第2の抵抗と、第1のトランジスタのコレクタと第2の
トランジスタのコレクタの間に接続される容量と、中間
周波数リミッタの出力信号の位相を90度ずらして第2
および第3の差動増幅器に与える90度移相手段とを具
備し、第1の抵抗,第2の抵抗および容量とで構成され
るローパスフィルタのカットオフ周波数は中間周波数信
号の周波数より高いことを特徴とする。
【0012】また、前記FM検波器は、中間周波数リミ
ッタの出力信号が入力される第1および第2のトランジ
スタで構成される第1の差動増幅器と、第1のトランジ
スタのコレクタとベース接地された第3のトランジスタ
のエミッタとの間に接続される第1の抵抗と、第3のト
ランジスタのコレクタにエミッタ接続が接続される第2
の差動増幅器と、第1のトランジスタのコレクタと交流
的に接地された端子の間に接続される第1の容量と、第
2のトランジスタのコレクタとベース接地された第4の
トランジスタのエミッタとの間に接続される第2の抵抗
と、第4のトランジスタのコレクタにエミッタ接続が接
続される第3の差動増幅器と、第2のトランジスタのコ
レクタと交流的に接地された端子の間に接続される第2
の容量と、中間周波数リミッタの出力信号の位相を90
度ずらして第2および第3の差動増幅器に与える90度
移相手段とを具備し、第1の抵抗および第1の容量とで
構成される第1のローパスフィルタと第2の抵抗および
第2の容量とで構成される第2のローパスフィルタのカ
ットオフ周波数は中間周波数信号の周波数より高いよう
に構成したものである。
【0013】前記構成によれば、第1の抵抗および第1
の容量とで構成される第1のローパスフィルタと第2の
抵抗および第2の容量とで構成される第2のローパスフ
ィルタや、第1の抵抗,第2の抵抗および容量とで構成
されるローパスフィルタによって、そのカットオフ周波
数を中間周波数信号の周波数より高くすることにより、
FM検波器の掛け算回路となる第2,第3の差動増幅器
に入力されIFビートの出力の原因となる中間周波数信
号における高調波成分の信号を、中間周波数信号に比べ
て減衰量を多くして、IFビートの出力を小さくするこ
とができる。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明にお
ける実施の形態を詳細に説明する。 (実施の形態1)図1は本発明の実施の形態1における
FM受信機用半導体集積回路のFM検波器の概略を示し
た構成図である。ここで、従来例を示す図5において説
明した構成部材に対応し実質的に同等の機能を有するも
のには同一の符号を付してこれを示し、以下の各図にお
いても同様とする。図1において、5はIFリミッタ、
5′は90度移相器、6′はローパスフィルタ、8は検
波出力端子、11はIFリミッタ入力端子、12はIF
リミッタ出力、13は接地端子、14は定電圧端子で、
R1とC1およびR2とC2はそれぞれローパスフィル
タを構成する。
【0015】以上のように構成される本実施の形態1に
おいて、図1に示すようにIFリミッタ入力端子11か
ら入力されたIF信号は、IFリミッタ5により増幅,
振幅制限され、IFリミッタ出力12は互いに逆位相で
Q1,Q2により構成される差動増幅器に入力される。
Q1のコレクタ電流I1は、R1およびC1で構成され
るローパスフィルタにより、また、Q2のコレクタ電流
I2は、R2およびC2で構成されるローパスフィルタ
により高域が減衰する。
【0016】次に、図2は図1に示したFM検波器の一
部を抜き出した概略の構成図で、I3はQ1のコレクタ
電流を表し、Q9はQ4またはQ5に相当し、17はQ
9のコレクタ出力端子である。図2において、Q9のエ
ミッタ電圧V1はほぼ定電圧となるため交流的に接地と
等価とみなすことができ、その等価回路は図3となる。
図3においても図2と同じ構成部材には同一の符号を付
してある。図2,図3を用いて前記ローパスフィルタの
動作について説明する。
【0017】図3では次の(数1)が成立する。
【0018】
【数1】I1/I3=−1/(1+jωC1R1) ここで、jは虚数単位、ωは角周波数である。
【0019】(数1)より出力電流I1はI3に対して
高域が減衰する特性を有する。
【0020】このとき、R1およびC1で構成されるロ
ーパスフィルタのカットオフ周波数をR1およびC1の
値を選ぶことによってIF信号よりも高くし、IF信号
の通過帯域に74.9MHz以上の成分に対しては減衰
域に設定することによって、出力電流I1はIFビート
の原因となる高周波成分を小さくできる。また、同様に
してQ2のコレクタ電流もR2,C2で構成されるロー
パスフィルタを通すことによって出力電流I2も高周波
成分を小さくできる。R2値,C2値の設定はR1値,
C1値と同様である。
【0021】例えば、R1=R2=1kΩ、C1=C2
=3pFと選べばIF信号の減衰量は0.5dB以内、
74.9MHz以上の高調波に対しては6dB以上の減
衰量となる。また、トランジスタのコレクタとサブ基板
間容量はトランジスタサイズによって0.1pF〜数p
FにできるためのR1,R2を大きくすることによって
C1,C2はコレクタ−サブ基板間容量で代用すること
も可能である。
【0022】一方、IFリミッタ5のIFリミッタ出力
12は90度移相器5′にも入力され、90度移相器
5′の出力はQ3,Q4,Q5,Q6で構成される掛け
算回路に入力され前記ローパスフィルタの出力I1,I
2と掛け算される。前記掛け算回路の電流出力は、電圧
変換されローパスフィルタ6′によってIF帯域以上の
信号成分が除去され検波出力端子8から出力される。こ
こで、I1,I2にはIF信号の高周波成分が従来に比
べて小さくなっていることからIFビートの出力を小さ
くすることができる。
【0023】(実施の形態2)次に、図4は本発明の実
施の形態2におけるFM受信機用半導体集積回路のFM
検波器の概略を示した構成図である。図4において、5
はIFリミッタ、5′は90度移相器、6′はローパス
フィルタ、8は検波出力端子、11はIFリミッタ入力
端子、12はIFリミッタ出力、13は接地端子、14
は定電圧端子で、R1,R2およびC3はローパスフィ
ルタを構成する。
【0024】以上のように構成される本実施の形態2の
FM検波器について図面を参照しながら説明する。図4
においてIFリミッタ入力端子11から入力されたIF
信号は、IFリミッタ5により増幅,振幅制限され、I
Fリミッタ出力12は互いに逆位相でQ1,Q2で構成
される差動増幅器に入力される。Q1のコレクタ電流I
1およびQ2のコレクタ電流I2はR1,R2およびC
3で構成されるローパスフィルタによって高域が減衰す
る。このときR1,R2およびC3で構成されるローパ
スフィルタのカットオフ周波数をR1,R2およびC3
の値を選ぶことによってIF信号よりも高くし、IF信
号の通過帯域に74.9MHz以上の成分に対しては減
衰域に設定することによって、出力電流I1およびI2
はIFビートの原因となる高周波成分を小さくできる。
【0025】次に、図5は図4に示したFM検波器の一
部を抜き出した概略の構成図である。図5において、C
31およびC32の直列接続が図4のC3に相当し、C
31=C32=C3×1/2の関係がある。ここで、C
31とC32の接続点(A)は、Q1,Q2が互いに逆
相で動作する場合不動点となり、図5の破線で示す如く
等価的に接地とみなすことができ、等価的に図1と同じ
になり前記図2,図3の説明からローパスフィルタの動
作をする。
【0026】例えば、R1=R2=1kΩ、C31=C
32=2pFと選べばIF信号の減衰量は0.5dB以
内、74.9MHz以上の高調波に対しては8dB以上
の減衰量となる。
【0027】一方、IFリミッタ5のIFリミッタ出力
12は90度移相器5′にも入力され、90度移相器
5′の出力はQ3,Q4,Q5,Q6で構成される掛け
算回路に入力されIFリミッタ出力I1,I2と掛け算
される。前記掛け算回路の電流出力は電圧変換されロー
パスフィルタ6′によってIF帯域以上の信号成分が除
去され検波出力端子8から出力される。ここで、I1,
I2にはIF信号の高周波成分が従来に比べて小さくな
っていることからIFビートの出力を小さくすることが
できる。
【0028】(実施の形態3)次に、図6は本発明の実
施の形態3におけるFM受信機用半導体集積回路のFM
検波器の概略を示した構成図である。図6において、5
はIFリミッタ、5′は90度移相器、6′はローパス
フィルタ、8は検波出力端子、11はIFリミッタ入力
端子、12はIFリミッタ出力、13は接地端子、14
は定電圧端子、15は第2の定電圧端子で、R1とC1
およびR2とC2はローパスフィルタを構成し、Q7,
Q8はベース接地トランジスタである。
【0029】以上のように構成される本実施の形態3の
FM検波器について図面を参照しながら説明する。図6
において図1,図2により説明した実施の形態1の構成
と同等の効果が得られる。例えば、R1=R2=1k
Ω、C1=C2=2pFと選べばIF信号の減衰量は
0.5dB以内、74.9MHz以上の高調波に対して
は6dB以上の減衰量となる。また、実施の形態1と同
様にコレクタ−サブ基板間の寄生容量を使用してC1,
C2を取ることができる。
【0030】一方、IFリミッタ5のIFリミッタ出力
12は90度移相器5′にも入力され、90度移相器
5′の出力はQ3,Q4,Q5,Q6で構成される掛け
算回路に入力されIFリミッタ出力I1,I2と掛け算
される。前記掛け算回路の電流出力は、電圧変換されロ
ーパスフィルタ6′によってIF帯域以上の信号成分が
除去され検波出力端子8から出力される。ここで、I
1,I2にはIF信号の高周波成分が従来に比べて小さ
くなっていることからIFビートの出力を小さくするこ
とができる。
【0031】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
第1の抵抗R1および第1の容量C1とで構成される第
1のローパスフィルタと第2の抵抗R2および第2の容
量C2とで構成される第2のローパスフィルタや、第1
の抵抗R1,第2の抵抗R2および容量C3とで構成さ
れるローパスフィルタのカットオフ周波数を中間周波数
信号の周波数より高くすることにより、FM検波器の掛
け算回路となる第2,第3の差動増幅器に入力されるI
Fビートの出力の原因となる中間周波数信号の高調波成
分の信号は、中間周波数信号に比べて減衰量が多くなり
IFビートの出力を小さくすることができるという効果
を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1におけるFM受信機用半
導体集積回路のFM検波器の概略を示す構成図
【図2】図1に示したFM検波器の一部を抜き出した構
成図
【図3】図2の等価回路を示す図
【図4】本発明の実施の形態2におけるFM受信機用半
導体集積回路のFM検波器の概略を示す構成図
【図5】図4に示したFM検波器の一部を抜き出した構
成図
【図6】本発明の実施の形態3におけるFM受信機用半
導体集積回路のFM検波器の概略を示す構成図
【図7】FM受信機に使用される半導体集積回路のRF
部,IF部の構成を示すブロック図
【図8】従来のFM検波器の概略を示す構成図
【符号の説明】
1 RF増幅器 2 混合器 3 局部発振器 4 IF増幅器 5 IFリミッタ 5′ 90度移相器 6 FM検波器 6′ ローパスフィルタ(L.P.F.) 7 アンテナ入力端子 8 検波出力端子 10 半導体集積回路 11 IFリミッタ入力端子 12 IFリミッタ出力 13 接地端子 14 定電圧端子 15 第2の定電圧端子 17 コレクタ出力端子

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 受信した高周波信号に対して局部発振信
    号を混合して中間周波数信号に変換する混合器と、該混
    合器に局部発振信号を与える局部発振器と、前記混合器
    から出力される中間周波数信号を増幅,振幅制限する中
    間周波数リミッタと、該中間周波数リミッタの出力信号
    をFM検波するFM検波器とを有するFM受信機用半導
    体集積回路において、 前記FM検波器は、前記中間周波数リミッタの出力信号
    が入力される第1及び第2のトランジスタで構成される
    第1の差動増幅器と、前記第1のトランジスタのコレク
    タと第2の差動増幅器のエミッタ接続の間に接続される
    第1の抵抗と、前記第1のトランジスタのコレクタと交
    流的に接地された端子の間に接続される第1の容量と、
    前記第2のトランジスタのコレクタと第3の差動増幅器
    のエミッタ接続の間に接続される第2の抵抗と、前記第
    2のトランジスタのコレクタと交流的に接地された端子
    の間に接続される第2の容量と、前記中間周波数リミッ
    タの出力信号の位相を90度ずらして前記第2及び第3
    の差動増幅器に与える90度移相手段とを具備し、前記
    第1の抵抗および第1の容量とで構成される第1のロー
    パスフィルタと前記第2の抵抗および第2の容量とで構
    成される第2のローパスフィルタのカットオフ周波数は
    前記中間周波数信号の周波数より高いことを特徴とする
    FM受信機用半導体集積回路。
  2. 【請求項2】 受信した高周波信号に対して局部発振信
    号を混合して中間周波数信号に変換する混合器と、該混
    合器に局部発振信号を与える局部発振器と、前記混合器
    から出力される中間周波数信号を増幅,振幅制限する中
    間周波数リミッタと、該中間周波数リミッタの出力信号
    をFM検波するFM検波器とを有するFM受信機用半導
    体集積回路において、 前記FM検波器は、前記中間周波数リミッタの出力信号
    が入力される第1および第2のトランジスタで構成され
    る第1の差動増幅器と、前記第1のトランジスタのコレ
    クタと第2の差動増幅器のエミッタ接続の間に接続され
    る第1の抵抗と、前記第2のトランジスタのコレクタと
    第3の差動増幅器のエミッタ接続の間に接続される第2
    の抵抗と、前記第1のトランジスタのコレクタと前記第
    2のトランジスタのコレクタの間に接続される容量と、
    前記中間周波数リミッタの出力信号の位相を90度ずら
    して前記第2および第3の差動増幅器に与える90度移
    相手段とを具備し、前記第1の抵抗,前記第2の抵抗お
    よび前記容量とで構成されるローパスフィルタのカット
    オフ周波数は前記中間周波数信号の周波数より高いこと
    を特徴とするFM受信機用半導体集積回路。
  3. 【請求項3】 受信した高周波信号に対して局部発振信
    号を混合して中間周波数信号に変換する混合器と、該混
    合器に局部発振信号を与える局部発振器と、前記混合器
    から出力される中間周波数信号を増幅,振幅制限する中
    間周波数リミッタと、該中間周波数リミッタの出力信号
    をFM検波するFM検波器とを有するFM受信機用半導
    体集積回路において、 前記FM検波器は、前記中間周波数リミッタの出力信号
    が入力される第1および第2のトランジスタで構成され
    る第1の差動増幅器と、前記第1のトランジスタのコレ
    クタとベース接地された第3のトランジスタのエミッタ
    との間に接続される第1の抵抗と、前記第3のトランジ
    スタのコレクタにエミッタ接続が接続される第2の差動
    増幅器と、前記第1のトランジスタのコレクタと交流的
    に接地された端子の間に接続される第1の容量と、前記
    第2のトランジスタのコレクタとベース接地された第4
    のトランジスタのエミッタとの間に接続される第2の抵
    抗と、前記第4のトランジスタのコレクタにエミッタ接
    続が接続される第3の差動増幅器と、前記第2のトラン
    ジスタのコレクタと交流的に接地された端子の間に接続
    される第2の容量と、前記中間周波数リミッタの出力信
    号の位相を90度ずらして前記第2および第3の差動増
    幅器に与える90度移相手段とを具備し、前記第1の抵
    抗および第1の容量とで構成される第1のローパスフィ
    ルタと前記第2の抵抗および第2の容量とで構成される
    第2のローパスフィルタのカットオフ周波数は前記中間
    周波数信号の周波数より高いことを特徴とするFM受信
    機用半導体集積回路。
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