JP2000091746A - 配線基板の製造方法、および配線基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 信頼性、生産性が高く、かつ高実装密度に対
応した配線基板を提供する。 【解決手段】 ビアランド３３を含む配線パターン３２
上にニッケルをメッキして強化層３４を形成する。つい
で、銅箔１１ｉの導電性ピラー２１を形成した面に、セ
ミキュア状態（Ｂステージ）のプリプレグからなる絶縁
層３１を積層し、銅箔１１ｉと基材３１とを加熱しなが
らプレスする。導電性ピラー２１は加圧によりビアラン
ド３３に当たりながら塑性変形して、電気的、機械的に
接続するとともに絶縁層４１は加熱により硬化してＣス
テージになる。強化層３４により配線パターン３２の変
形が抑制、防止される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は配線基板に関し、特
に多層配線基板に関する。また本発明は多層配線基板の
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、配線基板の高機能化が進展してい
る。これは例えば半導体素子等の半導体装置を配線基板
上に搭載するにあたり、半導体装置の高機能化、高集積
化に対応してシステムレベルでの高密度化・高機能化要
求が生じているためである。このような半導体装置を搭
載するためには、配線基板に各種の機能を持たせる必要
がでてきている。例えば、半導体装置自体の高密度化、
多ピン化に対応して、半導体装置とこれを実装する配線
基板間の接続ピッチの微細化、配線基板自体の配線ピッ
チ（Ｌ／Ｓ）の微細化が要求される。

【０００３】従来のプリント配線基板は、その製造方法
から層間接続のためのスルーホールによって配線領域が
少なくなるという欠点を有していた。これは、層間接続
のスルーホールを形成する場合に穴あけするため、必要
な層以外の層まで穴をあけてしまい、その穴が他の配線
層の配線領域を少なくしてしまうという問題である。こ
のような課題を解決するため、層間接続を必要な層のみ
に選択的に行うことができる配線基板も提案されてい
る。

【０００４】このような配線基板の１つにＩＶＨ基板が
あるが、これは従来と同様のスルーホールにより層間接
続を形成した基板を積層して多層化を図ったものであ
る。このようなＩＶＨ基板は個々のレイヤーで穴あけ工
程が必要になり、さらに積層した後にも穴あけ工程が必
要となるため、極めて高コストな配線基板となってしま
う。また、スルーホールで層間接続を行うタイプの配線
基板では、メッキにより配線層の導体厚みが厚くなり、
配線の微細化が困難になるという問題がある。

【０００５】これに対し、配線層上に導電性樹脂によっ
てピラー（突起電極）を形成し、この導電性ピラーによ
りプリプレグを貫通させることにより複数の配線層の層
間接続を行う配線基板も提案されている。この配線基板
では、従来の配線基板のように層間接続のための穴あけ
工程、メッキ工程、研磨工程が不要となり、かつ必要な
部分のみ層間接続を行うことができる。このため設計の
自由度を向上するとともに、生産性を向上することがで
きる。また、スルーホール接続のように、電子部品の実
装可能領域を狭めることなく層間接続を行うことができ
る。

【０００６】しかしながら、このような導電性ピラーを
用いて層間接続を行うタイプの配線基板には以下のよう
な問題があった。

【０００７】まず、導電性ピラーを用いて多層化した配
線基板をコア材として、さらにその外層に配線層を積層
する場合、導電性ペーストで形成された導電性ピラーは
プリブレグを貫通するほど堅く、コア材の層間接続部の
ビアランド、導電性ピラーが変形するという問題があっ
た。発明者の考察によれば、これは、コア材の絶縁層も
外層材の絶縁層もほぼ同じ材料で構成されるため、積層
工程での加熱によってコア材を構成する絶縁性樹脂層が
軟化し、積層の圧力によって変形してしまうためであ
る。このような変形が生じると層間接続の信頼性が低下
する。このため、積層工程での温度、圧力等の条件を厳
しくする必要があるなど、生産性を律速することがある
という問題があった。

【０００８】このような導体層の変形を回避するために
導体層を厚くすると、導体層のパターニングが困難にな
るという問題がある。特に、導体層が厚くなると、Ｌ／
Ｓの厳しい微細な配線パターンを形成するのは非常に困
難になる。また軟化温度の高い絶縁性樹脂層を用いるこ
ともできるが、このような樹脂は高価であり、配線基板
のコストを押し上げるという問題を有する。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような問
題点を解決するためになされたものである。すなわち本
発明は、高密度実装に対応することができるとともに、
生産性、信頼性が高い構造を有する配線基板、多層配線
基板を提供することを目的とする。また本発明は、高密
度実装に対応することができるとともに、生産性、信頼
性が高い構造を有する配線基板の製造方法を提供するこ
とを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るために、本発明は以下のような構成を採用している。
すなわち本発明の配線基板の製造方法は、第１の面に
第１の配線層を有する第１の基板の、前記第１の配線層
上に導電性ピラーを形成する工程と、前記第１の基板の
前記第１の面と、第１の面に第２の配線層を有する第２
の基板とを、セミキュア状態の絶縁性樹脂層を介して対
向する工程と、前記導電性ピラーが前記絶縁性樹脂層を
貫通して前記第１の配線層と前記第２の配線層とが接続
されるように前記第１の基板と前記第２の基板とをプレ
スする工程とを有する配線基板の製造方法において、前
記第１の基板と前記第２の基板とをプレスする以前に、
前記第２の配線層の前記導電性ピラーと接続する接続領
域に前記第２の導体層の剛性を強化する強化層を形成す
る工程を有することを特徴とする。

【００１１】前記強化層の形成工程は、前記第２の配線
層上にＮｉ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｚｎから選択された少
なくとも１種の金属からなるメッキ層を形成するように
してもよい。また前記強化層の形成工程は、前記第２の
配線層にＢｅを添加するようにしてもよい。

【００１２】すなわち本発明の配線基板の製造方法は、
被加圧面となるビアランドなどの配線層の剛性を強化し
てから、導電性ピラーを用いて層間接続を形成するもの
である。強化層の形成は、配線パターンのパターニング
の前後を問わない。例えば絶縁層に張り付けられた銅箔
上に強化層を形成し、この後にパターニングするように
してもよいし、銅箔をパターニングしてから強化層を形
成するようにしてもよい。また、銅箔を絶縁層に貼り付
けるより前に強化層を形成するようにしてもよい。

【００１３】このような構成を採用することにより、導
電性ピラーをビアランドに押しつけながら塑性変形させ
て導電性ピラーとビアランドとの接続を確立する場合
に、ビアランドの変形を抑制、防止することができる。
このため、配線基板の生産性を向上することができる。
またビアランドの変形による層間接続の不良も生じず、
配線基板の信頼性も向上することができる。

【００１４】さらに、配線層の変形が抑制されるので、
従来よりも絶縁層の厚さを薄くすることができる。これ
により導電性ピラーの径を小さくすることができるよう
になる。したがって本発明の配線基板では、導電性ピラ
ーの径を小さくし、その配設密度を大きくすることがで
きる。またビアランドの径も小さくすることができるの
でさらに配線密度を向上することができる。

【００１５】本発明の配線基板は、第１の面と第２の面
とを有する第１の導体層と、前記第１の導体層の前記第
１の面に配設された強化層と、前記第１の導体層の前記
第２の面側に配設された絶縁層と、を具備したことを特
徴とする。

【００１６】また本発明の配線基板は、第１の面と第２
の面とを有する第１の導体層と、第１の面と第２の面と
を有する第２の導体層と、前記第１の導体層の前記第２
の面と前記第２の導体層の前記第１の面とに挟持された
絶縁層と、前記絶縁層を貫通して前記前記第１の導体層
と前記第２の導体層とを接続する導電性ピラーと、前記
第１の導体層の前記第２の面と前記第２の導体層の前記
第１の面の少なくとも一方に配設された強化層と、を具
備したことを特徴とする。

【００１７】例えば前記第１の導体層を銅から構成し、
前記強化層は前記銅よりも剛性の高い金属を用いて構成
するようにしてもよい。また、前記銅にベリリウムなど
の元素を添加してその剛性を向上するようにしてもよ
い。

【００１８】前記強化層は、例えばＮｉ、Ａｕ、Ｓｎ、
Ｐｄ、Ｚｎから選択された少なくとも１種の金属をメッ
キ等により成膜した形成するようにしてもよい。また、
これらの金属の合金層を形成するようにしてもよい。

【００１９】このような構成を採用することにより、導
電性ピラーをビアランドに押しつけながら塑性変形させ
て導電性ピラーとビアランドとの接続を確立する場合
に、ビアランドの変形を抑制、防止することができ、配
線基板の信頼性も向上することができる。

【００２０】さらに、配線層の変形が抑制されるので、
従来よりも絶縁層の厚さを薄くすることができる。これ
により導電性ピラーの径を小さくすることができるよう
になる。したがって本発明の配線基板では、導電性ピラ
ーの径を小さくし、その配設密度を大きくすることがで
きる。またビアランドの径も小さくすることができるの
でさらに配線密度を向上することができる。

【００２１】本発明の配線基板において、絶縁層として
は、例えばポリカーボネート樹脂、ポリスルホン樹脂、
熱可塑性ポリイミド樹脂、４フッ化ポリエチレン樹脂、
６フッ化ポリプロピレン樹脂、ポリエーテルエーテルケ
トン樹脂などの熱可塑性樹脂材料や、例えばエポキシ樹
脂、ビスマレイミド型ポリイミド樹脂、ビスマレイミド
型トリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、変性ポリイミド樹
脂、エポキシ変性ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ポ
リエステル樹脂、メラミン樹脂、ポリフェニレンエーテ
ル系樹脂など、またこれらをガラスクロスなどに含浸し
たプリプレグなどの熱硬化性樹脂材料をあげることがで
きる。これらの絶縁性樹脂材料は、合成樹脂単独で用い
てもよいが、無機物、有機物などの絶縁性充填物を含有
してもよく、さらにガラスクロスやマット、有機合成繊
維布やマット、紙等の補強材と組み合わせて用いること
が好適である。

【００２２】また絶縁層としては、例えばポリイミド系
樹脂フィルム、ポリエステル系樹脂フィルム、あるいは
ポリテトラフルオロエチレンなどの可撓性を有する絶縁
性樹脂材料を用いることもできる。

【００２３】絶縁層を貫通して対向する導体層を層間接
続する導電性ピラーは、例えばバインダーに導電性微粒
子を混合、分散させた導電性ペーストをスクリーン印刷
などにより形成するようにしてもよい。また、溶剤・カ
ップリング剤・添加物などを必要に応じて加えるように
してもよい。バインダー材としては、例えば、ユリア樹
脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、レゾルシノール樹
脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、酢酸ビニル樹
脂、ポリビニルアルコール樹脂、アクリル樹脂、ビニル
ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、α−オレフィン無水マ
レイン酸樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂などの
熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、またはこれらの混合物を
用いることができる。

【００２４】導電性微粒子（フィラー）としては、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｃｕ、半田、Ｎｉ、カーボンなどの微粒子、
超微粒子などを上述したバインダーに混合あるいは分散
させて用いることができる。これらの導体材料に加え
て、樹脂の表面にこれら導電性物質を形成したものでも
よい。また、複数の導電性物質を組み合わせて用いるよ
うにしてもよい溶剤としては、例えばジオキサン、ベン
ゼン、ヘキサン、トルエン、ソルベントナフサ、工業用
ガソリン、酢酸セロソルブ、エチルセロソルブ、ブチル
セロソルブアセテート、ブチルカルビトールアセテー
ト、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ
−メチルピロリドン等必要に応じて用いるようにすれば
よい。

【００２５】そしてこのような導電性樹脂を印刷などに
より銅箔上、配線パターン上、あるいは剥離性を有する
樹脂フィルム上などに形成する。印刷は例えばメタルマ
スクを用いたスクリーン印刷によって行うようにしても
よい。このようにすることにより、略円錐形状を有する
導電性ピラーを形成することができる。導電性ピラーの
アスペクト比（高さ／底面の直径）は、導電性樹脂の粘
性、印刷回数などにより調節するようにすればよい。

【００２６】このように形成した導電性ピラーをセミキ
ュア状態の絶縁層を貫通させることにより、層間接続を
形成することができる。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下に本発明についてさらに詳細
に説明する。 （実施形態１）図１は本発明の配線基板の構成の例を概
略的に示す図である。

【００２８】この配線基板は２層の配線層１１、３２を
有している。配線層１１、３２はともに厚さ約１８μｍ
の銅箔をパターニングして形成されている。３１、４１
は樹脂からなる絶縁層である。絶縁層１１の厚さは約７
０μｍであり。絶縁層３１の厚さは約３００μｍであ
る。配線層１１、配線パターン３２はそのパターンの一
部として、それぞれビアランド１２、３３を有してい
る。ビアランド１２とビアランド３３とは例えば銀ペー
ストなどの導電性樹脂からなる導電性ピラー２１により
層間接続されている。導電性ピラー２１のビアランド３
３と接する部分の近傍は塑性変形領域を有している。そ
して、導電性ピラー２１を構成する導電性微粒子の結晶
（例えば銀）が強化層３４に食い込んで低抵抗な接続を
確立する。

【００２９】配線パターン３２の配線層１１と対向する
側の面には、厚さ約３μｍのニッケルからなる強化層３
４が配設されている。この強化層３４は、配線パターン
３２、特にビアランド３３の剛性を強化するためのもの
である。このような構成を採用することにより、導電性
ピラー２１をビアランド３３に押しつけながら塑性変形
させて導電性ピラー２１とビアランド３３との電気的、
機械的接続を確立する場合でも、ビアランド３３の変形
を防止することができる。またビアランドの変形による
層間接続の不良も生じず、配線基板の信頼性を向上する
ことができる。

【００３０】さらに、配線パターン３２の変形が抑制さ
れるので、従来よりも絶縁層３１の厚さを薄くすること
ができる。これにより導電性ピラー２１の径に加えビア
ランド３２、３３の径を小さくすることができるように
なる。これは、より厚い絶縁層を貫通して信頼性の高い
層間接続を形成するためには導電性ピラー２１の径を太
くする必要があるためである。したがって、本発明の配
線基板では、導電性ピラー２１の径を小さくし、その配
設密度を大きくすることができる。またビアランドの径
も小さくすることができるのでさらに配線密度を向上す
ることができる。

【００３１】図２は本発明の配線基板を４層板に適用し
た構成の例を概略的に示す図である。 図１の例では、
絶縁層３１の片面に配線層３３を配設した例を説明し
た。しかしながら、絶縁層の両面に配線層を配設するよ
うにしてもよい。また図２のように絶縁層３１の両側に
導電性ピラーを用いた層間接続を形成するようにしても
よい。このように本発明は種々のタイプの配線基板に適
用することができる。絶縁層３１としては、例えばＦＲ
−４などのプリプレグを用いるようにしてもよいし、ポ
リイミドフィルムなどのフレキシブルな樹脂材料を用い
るようにしてもよい。さらにセラミクスを用いるように
してもよい。この場合、絶縁層４１をさらに薄くするこ
とができ、さらに層間接続の配設密度、配線密度を向上
することができる。

【００３２】なお図１、図２に例示した本発明の配線基
板をコア材としてさらに多層の配線層を有する配線基板
を構成するようにしてもよい。

【００３３】（実施形態２）次に、図１に例示したよう
な構成を有する本発明の配線基板の製造方法について説
明する。図３は本発明の配線基板の製造方法の例を説明
するための図である。

【００３４】まず、銅箔１１ｉ上に導電性樹脂により略
円錐形状を有する導電性ピラー２１を形成する。この例
では、銅箔１１ｉの厚さは約１８μｍである。この導電
性ピラー２１は層間接続部に選択的に配設される。導電
性ピラー２１は、例えばメタルマスクを用いたスクリー
ン印刷などにより形成するようにしてもよい。同一マス
クによる印刷を複数回繰り返すことにより、アスペクト
比（高さ／底面の直径）の大きい導電性ピラーを形成す
ることができる（図３（ａ））。

【００３５】一方、硬化したプリプレグなどからなる絶
縁層３１上に銅などからなる配線パターン３２配設した
基材３０を準備する。この絶縁層３１の厚さは約０．２
ｍｍである。配線パターン３２は、厚さ約１８μｍの銅
箔をパターニングして形成されている。この配線パター
ン３２は例えば片面銅張り板をフォトエッチング法によ
りパターニングして形成するようにすればよい。配線パ
ターン３２の一部としてビアランド３３が配設されてい
る。このビアランド３３は層間接続部に配設される。な
お絶縁層３１は、例えばＦＲ−４、ＢＴレジン、ポリイ
ミドフィルム等の樹脂材料を用いて構成するようにして
もよい。さらに絶縁層３１は樹脂に限ることなく例えば
セラミクス等の絶縁性材料を用いて構成するようにして
もよい。

【００３６】そして、ビアランド３３を含む配線パター
ン３２上にニッケルをメッキして強化層３４を形成す
る。このニッケルは配線パターン３２の剛性強化層とし
て機能する。ここでは銅からなる配線パターン３２上に
ニッケルを約３μｍメッキして強化層３４とした。なお
強化層３４はニッケルに限ることなく、例えば金、ニッ
ケル／金などをメッキ法等により形成するようにしても
よい（図３（ｂ））。

【００３７】この例では、配線パターン３２上に強化層
３４を形成する例について説明したが、強化層３４は、
例えば配線パターン３２自体を強化して形成するように
してもよい。例えばＢｅなどの金属を配線層の表面に添
加することにより強化層を形成するようにしてもよい。

【００３８】ついで、銅箔１１ｉの導電性ピラー２１を
形成した面に、セミキュア状態（Ｂステージ）のプリプ
レグからなる絶縁層３１を積層する。このとき絶縁層３
１を加熱しながら積層することにより、導電性ピラー２
１による絶縁層３１の貫通が容易になる。

【００３９】そして、銅箔１１ｉと基材３０とを、セミ
キュア状態（Ｂステージ）のプリプレグからなる絶縁層
４１を介して対向配置する（図３（ｃ））。導電性ピラ
ー２１とビアランド３３とはあらかじめ相互に対向する
位置に形成されている。そして銅箔１１ｉと基材３１と
を加熱しながらプレスする。このプレスはクッション材
などを介して行うようにしてもよい。このとき、導電性
ピラー２１は加圧によりビアランド３３に当たりながら
塑性変形し、電気的、機械的に接続する。また絶縁層４
１は加熱により硬化してＣステージになる。従来の配線
基板の構造および製造方法では、このプレスおよび加熱
により、基材３０を構成する絶縁層３１が軟化してビア
ランド３３を含む配線パターン３２が変形することがあ
った。本発明の配線基板の構造およびその製造方法によ
れば、ビアランド３３を含む配線パターン３２が強化層
によりその剛性が強化されているので、ビアランド３
３、配線層２１に変形は見られなかった。したがって、
配線基板の生産性を向上することができた。またビアラ
ンドの変形による層間接続の不良も生じず、配線基板の
信頼性も向上することができた。

【００４０】この後、銅箔１１ｉをフォトエッチング法
などによりパターニングして所定の配線層を形成する。
なお、この配線基板をコア材としてにさらに同様の工程
を繰り返すことにより、さらに多層の配線層を備えた配
線基板を製造することができる。

【００４１】なお、この例では、銅箔の厚さが約１８μ
ｍの例について説明したが、例えば厚さ約９μｍ、約１
２μｍ、約３５μｍなどの銅箔を用いてもよい。この場
合強化層の厚さは約１μｍ、約２μｍ、約５μｍとし
た。また絶縁層４１の厚さも約２００μｍに限らず、約
１００μｍ、約３００μｍ、約４００μｍ、約５００μ
ｍとしてもよい。

【００４２】（実施形態３）本発明の配線基板のさらに
別の例について説明する。図４、図５は本発明の配線基
板の構成の別の例を概略的に示す図である。

【００４３】図４、図５の例では、絶縁層３１にも層間
接続を配設し、配線層１１と配線パターン３２とを電気
的に接続している。図４の例では絶縁層３１にスルーホ
ール２２を形成し、その内面に厚さ約１５μｍのメッキ
層２３を形成することにより層間接続を行っている。さ
らに、このメッキ層２３を形成したスルーホールの内部
を導電性樹脂２３により埋めるようにしてもよい。

【００４４】また図５の例では絶縁層３１にスルーホー
ル２２を形成し、その内部に導電性樹脂を埋め込むこと
により導電性ピラー２１ｂを配設している。なお、絶縁
層３１の両面に配設される配線層の層間接続について
も、導電性ピラー２１の貫通と塑性変形により行うよう
にしてもよい。

【００４５】図４、図５の例では絶縁層３１は厚さ約３
００μｍであり、配線層１１、３２の厚さは約１８μｍ
である。そして、ビアランド３３上にはニッケルメッキ
による厚さ約３μｍの強化層３４を配設している。

【００４６】このような構成を採用することにより、ビ
アランド３３を含む配線パターン３２が強化層によりそ
の剛性が強化されているので、ビアランド３３、配線層
２１に変形は見られなかった。したがって、配線基板の
生産性を向上することができた。またビアランドの変形
による層間接続の不良も生じず、配線基板の信頼性も向
上することができた。

【００４７】図６、図７、図８は本発明の配線基板の構
成の別の例を概略的に示す図である。 図６、図７、図
８の例では、図２、図４、図５に例示した本発明の配線
基板をコア材としてさらに多層の配線層を有する配線基
板を構成している。図６の例では、図２と同様な構成を
有する配線基板をコア材として、図７の例では、図４と
同様な構成を有する配線基板をコア材として、図８の例
では、図５と同様な構成を有する配線基板をコア材とし
て、それぞれ多層化を図っている。したがってビアラン
ドを含む配線層上には前述同様に、ニッケルメッキ、Ｂ
ｅ添加などによる強化層３４が形成されている。

【００４８】本発明の配線基板では、層間接続の形成を
ビアランドを変形させることなく行うために、配線層上
に強化層３４を設けている。したがって、４層板、６層
板など配線層をさらに多層化する場合でも、層間接続の
生産性、信頼性を向上することができる。

【００４９】（実施形態４）図９は強化層の形成の方法
の例を説明するための図である。

【００５０】まず、絶縁層３１に銅箔３３ｉが張り付け
られた基材を用意する（図９（ａ））。 ついで銅箔３
３ｉ上にドライフィルムなどのレジスト５１を成膜し
（図９（ｂ））、フォトエッチング法などにより所定の
配線パターンにパターニングする。ここではエッチング
液として塩化銅溶液を用いて銅箔のパターニングを行っ
た（図９（ｃ））。

【００５１】そして銅箔３３ｉをパターニングして形成
したビアランド３３、配線３２上に電解メッキ、無電解
メッキ等によりニッケル等の金属からなる強化層３４を
形成する（図９（ｄ））。この強化層３４の厚さは例え
ば約２μｍから約７μｍ程度に設定することが好適であ
る。これは無電解Ｎｉメッキで強化層を形成する場合、
この範囲に設定することが生産性向上の観点から好まし
いためである。ここでは厚さ約３μｍの強化層３４を形
成した。

【００５２】なお強化層の形成は、銅箔のパターニング
の前に行っても、後に行ってもよい。例えば、銅箔上に
強化層を形成し、この後にレジストを形成した銅箔およ
び強化層のパターニングを行うようにしてもよい。

【００５３】図１０は強化層の形成の方法の別の例を説
明するための図である。

【００５４】まず、絶縁層３１に銅箔３３ｉが張り付け
られた基材を用意する（図１０（ａ））。

【００５５】ついで銅箔３３ｉ上に電解メッキ、無電解
メッキ等によりニッケル等の金属からなる強化層３４を
形成する（図１０（ｂ））。

【００５６】そして強化層３４を形成した銅箔３３ｉ上
にドライフィルムなどのレジスト５１を成膜し（図１０
（ｃ））、フォトエッチング法などにより所定の配線パ
ターンにパターニングする。ここではエッチング液とし
て塩化銅溶液を用いて銅箔のパターニングを行った（図
１０（ｄ））。

【００５７】また銅箔にＢｅを添加する場合には、銅箔
と絶縁層とを積層する以前にＢｅを添加するようにして
もよいし、銅箔と絶縁層とを積層した後にＢｅを添加す
るようにしてもよい。Ｂｅの銅箔への添加は、例えば銅
を溶融させた状態でＢｅを添加する方法や、固相拡散、
ドーピングなどにより行うようにすればよい。さらにス
パッタによりＢｅ層を銅箔上に成膜し、加熱により銅箔
中へ拡散させるようにしてもよい。

【００５８】このような方法で導電性ピラーと接続され
る配線層を強化することができ、接続不良などの発生を
抑制し、生産性を向上することができる。また配線基板
の信頼性を向上することができる。

【００５９】なお上述の例では配線層を銅により構成す
る場合の例について説明が、本発明は他の導体を用いて
配線層を構成する場合にも適用することができる。例え
ばアルミニウム、銅−アルミニウム合金、金等必要に応
じて配線層の構成金属を選択して用いるようにすればよ
い。またエッチング液等もそれに応じて選択するように
すればよい。

【００６０】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、導
電性ピラーをビアランドに押しつけながら塑性変形させ
て導電性ピラーとビアランドとの接続を確立する場合で
も、ビアランドの変形を防止することができる。このた
め、配線基板の生産性を向上することができる。またビ
アランドの変形による層間接続の不良も生じず、配線基
板の信頼性も向上することができる。

【００６１】さらに、配線層の変形が抑制されるので、
従来よりも絶縁層の厚さを薄くすることができる。これ
により導電性ピラーの径を小さくすることができるよう
になる。したがって本発明の配線基板では、導電性ピラ
ーの径を小さくし、その配設密度を大きくすることがで
きる。またビアランドの径も小さくすることができるの
でさらに配線密度を向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の配線基板の構造の例を概略的に示す
図。

【図２】本発明の配線基板の構造の例を概略的に示す
図。

【図３】本発明の配線基板の構造の例を概略的に示す
図。

【図４】本発明の配線基板の構造の例を概略的に示す
図。

【図５】本発明の配線基板の構造の例を概略的に示す
図。

【図６】本発明の配線基板の構造の例を概略的に示す
図。

【図７】本発明の配線基板の構造の例を概略的に示す
図。

【図８】本発明の配線基板の構造の例を概略的に示す
図。

【図９】本発明の配線基板の製造方法の例を概略的に示
す図。

【図１０】本発明の配線基板の製造方法の例を概略的に
示す図。

【符号の説明】

１１………銅箔 １２………ビアランド ２１………導電性ピラー ２２………スルーホール ２３………導電性樹脂 ３１………絶縁層 ３２………配線パターン ３３ｉ……銅箔 ３３………ビアランド ３４………強化層 ４１………絶縁層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E317 AA24 BB01 BB11 BB12 BB13 BB15 BB18 CC52 CC60 GG09 GG14 GG16 5E346 AA05 AA06 AA12 AA15 AA22 AA32 AA43 BB16 CC02 CC08 CC31 CC32 CC33 CC37 CC38 CC40 DD02 DD13 DD22 EE02 EE06 EE07 EE09 EE13 EE31 FF24 FF28 HH07 HH25 HH33

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の面に第１の配線層を有する第１の
   基板の、前記第１の配線層上に導電性ピラーを形成する
   工程と、 前記第１の基板の前記第１の面と、第１の面に第２の配
   線層を有する第２の基板とを、セミキュア状態の絶縁性
   樹脂層を介して対向する工程と、 前記導電性ピラーが前記絶縁性樹脂層を貫通して前記第
   １の配線層と前記第２の配線層とが接続されるように前
   記第１の基板と前記第２の基板とをプレスする工程とを
   有する配線基板の製造方法において、 前記第１の基板と前記第２の基板とをプレスする以前
   に、前記第２の配線層の前記導電性ピラーと接続する接
   続領域に前記第２の導体層の剛性を強化する強化層を形
   成する工程を有することを特徴とする配線基板の製造方
   法。
2. 【請求項２】 前記強化層の形成工程は、前記第２の配
   線層上にＮｉ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｚｎから選択された
   少なくとも１種の金属からなるメッキ層を形成すること
   を特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
3. 【請求項３】 前記強化層の形成工程は、前記第２の配
   線層にＢｅを添加することを特徴とする請求項１に記載
   の配線基板の製造方法。
4. 【請求項４】 第１の面と第２の面とを有する第１の導
   体層と、 前記第１の導体層の前記第１の面に配設された強化層
   と、 前記第１の導体層の前記第２の面側に配設された絶縁層
   と、 を具備したことを特徴とする配線基板。
5. 【請求項５】 前記第１の導体層は銅からなり、前記強
   化層は前記銅よりも剛性の高い金属であることを特徴と
   する請求項４に記載の配線基板。
6. 【請求項６】 前記強化層はＮｉ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｐｄ、
   Ｚｎから選択された少なくとも１種の金属からなるメッ
   キ層であることを特徴とする請求項４に記載の配線基
   板。
7. 【請求項７】 前記第１の導体層は銅からなり、前記強
   化層はベリリュウムが添加された前記銅からなることを
   特徴とする請求項４に記載の配線基板。
8. 【請求項８】 第１の面と第２の面とを有する第１の導
   体層と、 第１の面と第２の面とを有する第２の導体層と、 前記第１の導体層の前記第２の面と前記第２の導体層の
   前記第１の面とに挟持された絶縁層と、 前記絶縁層を貫通して前記前記第１の導体層と前記第２
   の導体層とを接続する導電性ピラーと、 前記第１の導体層の前記第２の面と前記第２の導体層の
   前記第１の面の少なくとも一方に配設された強化層と、 を具備したことを特徴とする配線基板。
9. 【請求項９】 前記第１の導体層は銅からなり、前記強
   化層は前記銅よりも剛性の高い金属であることを特徴と
   する請求項８に記載の配線基板。
10. 【請求項１０】 前記第１の導体層または前記第２の導
    体層は銅からなり、前記強化層はＮｉ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｐ
    ｄ、Ｚｎから選択された少なくとも１種の金属からなる
    メッキ層であることを特徴とする請求項８に記載の配線
    基板。
11. 【請求項１１】 前記第１の導体層または前記第２の導
    体層は銅からなり、前記強化層はベリリュウムが添加さ
    れた前記銅からなることを特徴とする請求項８に記載の
    配線基板。